Microelectrnica y Fotnica

Prctica 4. Caracterizacin de un diodo lser.

PRCTICA 4

Caracterizacin de un lser de semiconductor

INTRODUCCIN. En esta prctica se abordar el estudio de las caractersticas estticas de los diodos lser y de sus parmetros fundamentales, lo que a su vez nos permitir plantear cules son los requisitos exigibles a un circuito de polarizacin o modulacin (circuito driver) para este tipo de dispositivos. En la segunda parte de la prctica realizaremos un circuito de polarizacin para emisin a potencia constante. Esta prctica est diseada para el diodo lser HL6724MG de Hitachi, capaz de emitir una potencia mxima de 5 mW en el rojo (=670 nm). Durante la realizacin de esta prctica en cursos anteriores se han ido quemando muchos de estos diodos, a veces por no tener suficiente cuidado, y no ha sido posible reemplazarlos porque Hitachi ya no lo produce a gran escala. Por ello lo hemos sustituido por otro diodo nominalmente equivalente, aunque fabricado mediante un proceso mucho ms barato y por tanto con caractersticas mucho menos reproducibles y fiables. Junto con este guin se adjuntan las hojas de caractersticas de ambos diodos. Tenga esto en cuenta porque es posible que sea necesario adaptar algunas indicaciones de este guin a las caractersticas del diodo con el que vaya a realizar la prctica, y que por poder variar stas en un amplio margen no podemos dar esas indicaciones aqu con carcter general. Al igual que los lseres de gas (como el de He-Ne) y de estado slido (como el de NdYAG), los diodos lser de semiconductor se basan en una cavidad resonante en la que se produce una amplificacin de luz por emisin estimulada. En los lseres de gas y de estado slido el tamao de esta cavidad permite la obtencin de un haz altamente colimado (poco divergente). Sin embargo, en los diodos lser de semiconductor la cavidad resonante est extremadamente miniaturizada, de hecho, es del tamao del propio diodo. Esto hace que el haz que se obtiene sea divergente, y adems de una forma elptica (ms divergente en una direccin que en otra). Por este motivo, se utilizan lentes cuando se quiere colimar dicho haz (p. ej. para realizar un puntero lser) o enfocarlo en un punto (como en los lectores de CD y DVD). En nuestro caso, para esta prctica disponemos de los diodos tal y como los suministra directamente el fabricante, sin ningn tipo de lente.

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Puesto que el haz sale divergente, la potencia de luz emitida se va distribuyendo sobre un rea cada vez mayor conforme se aleja del diodo. An as es mejor no mirar de frente al haz a corta distancia. Para observarlo utilice mejor un papel o cartulina blanca. Si el haz es colimado mediante una lente, entonces es an ms importante evitar que incida directamente sobre el ojo, pues esta potencia concentrada sobre un rea tan pequea puede causar un dao permanente en la visin. Los lseres de semiconductor (diodos lser) son dispositivos muy delicados, pues se pueden destruir fcilmente tanto por una descarga de electricidad esttica como por el paso de una corriente ms elevada de lo permitido. Evite dentro de lo posible tocar la ventana del lser y sus terminales. Antes de conectar el lser a cualquier circuito, asegrese de tener correctamente identificados sus terminales. Para ello estudie con detenimiento las hojas de caractersticas. Ver que el encapsulado tiene tres terminales debido a que junto al diodo lser incorpora un fotodiodo monitor que permite observar la potencia de luz emitida. El fotodiodo y el diodo lser comparten uno de los tres terminales (el correspondiente al ctodo del fotodiodo y al nodo del lser). Las otras dos patillas estn conectadas al nodo del fotodiodo y al ctodo del lser. Si accidentalmente las confundiramos, intercambiando sus funciones, estaramos polarizando al fotodiodo en directa y al lser en inversa, con lo que muy probablemente quemaramos ambos. El esquema de la ltima pgina (pg. 6) de las hojas de caractersticas contiene la numeracin de pines del encapsulado (visto desde el lado de las patillas), que se corresponde con la numeracin del circuito dibujado en la primera pgina de las mencionadas hojas (no confundir con el dibujo del encapsulado situado a la izquierda de dicho circuito, que aparece slo como ilustracin y no se corresponde con la disposicin de pines del esquema). Los diodos lser pueden ser daados irreversiblemente por la aplicacin de cualquier pico de corriente, por lo que iremos aplicando la tensin de alimentacin poco a poco, observando en todo momento la corriente que circula por el diodo lser y la corriente fotogenerada por el diodo, y comprobando que ambas se comportan segn lo previsto. Ante cualquier anomala pondremos la tensin de alimentacin rpidamente a cero y revisaremos el circuito. Mientras el diodo lser est conectado y funcionando, procure no modificar las conexiones del circuito para evitar que un mal funcionamiento pueda hacer que pase por el diodo una corriente mayor de lo permitido. Asimismo procure realizar los montajes de forma limpia y ordenada, minimizando la probabilidad de que se produzcan cortocircuitos o desconexiones accidentales.
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EL LSER DE SEMICONDUCTOR EN ESTTICA: CURVAS I-V y P-I. Vamos a obtener experimentalmente las curvas corrientetensin ( I-V) y potencia pticacorriente (P0 -I) de un diodo lser. Como ya se ha comentado, para la realizacin de esta prctica se utilizar un diodo lser tipo HL6724MG de Hitachi u otro equivalente (aproximadamente), con una longitud de onda de emisin de 670 nm. Estos lseres incorporan en su encapsulado un fotodiodo (al que en lo sucesivo denominaremos fotodiodo monitor) que permite medir directamente la potencia emitida.

.- Cuestiones previas: a partir de las hojas de caractersticas del diodo lser HL6724MG intente responder a las siguientes preguntas: Qu valor deber tener la corriente de polarizacin del lser para obtener una potencia de salida de 2 mW suponiendo que se puede mantener a temperatura ambiente? Si la corriente de polarizacin fuera la mitad que la obtenida en la pregunta anterior qu valor tomar la potencia de salida? Cul ser el valor de la corriente del fotodiodo monitor en los casos anteriores? Observando la dependencia con la temperatura de las caractersticas del lser, qu espera que ocurra con la potencia de luz emitida por ste si se polariza con un valor de intensidad de corriente correspondiente a una emisin de P=5 mW y seguidamente su temperatura aumenta hasta 50 C? y si se polariza con una intensidad de corriente muy prxima a la corriente umbral a temperatura ambiente, p. ej. para una emisin de P=1 mW, y luego su temperatura aumenta hasta 50 C?

.- Realizacin prctica: Para obtener las caractersticas de potencia-corriente (P0 -I) y corriente-tensin (I-V), se utilizar el circuito de la figura 1, en el que la potencia emitida por el lser se medir a travs de la corriente suministrada por el fotodiodo monitor, IFM. En este circuito todas las corrientes se medirn insertando un ampermetro en la rama correspondiente. Vare la tensin suministrada por la fuente Vs, de forma que la corriene por el lser ILD aumente de 2 en 2 mA desde 0 hasta el valor necesario para obtener una potencia emitida entre 4 y 5 mW. En ningn caso sobrepase la corriente de 50 mA por el lser. Para cada valor de ILD mida la cada de tensin en el lser mediante un voltmetro y la corriente fotogenerada por el fotodiodo. Recuerde que para relacionar la corriente en el fotodiodo con la potencia de luz emitida por el lser tiene que utilizar la segunda grfica de las hojas de caractersticas
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(monitor current IS vs optical output power P0 ). Si en lugar de utilizar el diodo de Hitachi est utilizando el equivalente, entonces esta grfica no es conocida a priori (puede variar en un amplio margen). Con objeto de solucionar este problema vamos a suponer que para estos diodos los valores de corriente monitor son exactamente la mitad que para el Hitachi, es decir, que la grfica es una recta similar pero con la mitad de pendiente. Represente las curvas P0 -I e I-V as obtenidas. Determine el valor experimental de la corriente umbral Ith .
IFM HL6724MG ILD

Figura 1

La eficiencia de un diodo lser puede definirse de varias formas: .- Eficiencia cuntica externa: ext = P0 / E ph I/q = nmero de fotones emitidos dividido

por el nmero de electrones inyectados (ambos por unidad de tiempo). Eph es la energa de los fotones emitidos, que ser aproximadamente igual al gap del semiconductor en la zona del diodo donde se producen las recombinaciones radiativas. .- Eficiencia cuntica externa diferencial: dif = d ( P0 / E ph ) d (I / q ) = incremento en el

nmero de fotones emitidos desde el diodo dividido por incremento en el nmero de electrones inyectados (ambos por unidad de tiempo). E ph P .- Eficiencia en potencia: P = 0 = ext = potencia ptica emitida dividida ente Pi qV potencia elctrica consumida. A veces, en vez en lugar de la eficiencia cuntica diferencial, que es adimensional, se define una eficiencia diferencial como la pendiente de la caracterstica P0 frente a I, que tendr dimensiones de mW/mA. Esta es la definicin que se ha usado en las hojas de caractersticas del Hitachi (vase grfica slope efficiency vs case temperature). A partir de sus medidas calcule la eficiencia segn esta definicin y comprela con la mostrada en la hoja de
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caractersticas para una temperatura de 50 C (que es aproximadamente la temperatura a la que se calienta el diodo durante su funcionamiento a la mxima potencia).

CIRCUITO DE POLARIZACIN PARA EMISIN A POTENCIA CONSTANTE Para polarizar un lser en un punto de trabajo a corriente constante, podran utilizarse convertidores tensin-corriente realizados con un transistor, tal como se hace para polarizar un fotodiodo o un LED. Sin embargo, la fuerte dependencia de la corriente umbral del lser con la temperatura hace que si se quiere mantener constante la potencia emitida por el diodo sea necesario recurrir a alguno de los siguientes mtodos: .- Estabilizacin simultnea de la corriente y la temperatura de trabajo del lser. .- Estabilizacin directa de la potencia emitida, variando la corriente de polarizacin del lser para conseguir que la potencia ptica se mantenga constante en todo momento. Estudiaremos slo el segundo procedimiento indicado, ya que la realizacin de un sistema de control de temperatura queda fuera de las posibilidades de esta prctica. En la figura 1 se presenta el esque ma elctrico de un circuito que utiliza la seal entregada por el fotodiodo monitor para realizar un sistema de control en lazo cerrado de la potencia ptica emitida por el lser.

.- Cuestiones: Explique el funcionamiento del circuito, demostrando claramente que existe una realimentacin negativa. Como gua para entender el circuito puede contestar a las siguientes preguntas: - Relacin entre la cada de tensin en la resistencia de emisor del transistor de salida (R1 ) y la corriente de polarizacin del lser; y entre la tensin de emisor y la salida del operacional. - Relacin entre la cada de tensin en R2 y la potencia emitida por el lser. - Misin desempeada por el diodo zener. Por qu se pone la resistencia R5 ? - Entre qu valores permitira el potencimetro ajustar la potencia de salida? - Misin desempeada por el condensador Cc. Ntese que convierte al circuito en un integrador, amortiguando las variaciones bruscas de corriente en el fotodiodo que de lo contrario podran producir picos de corriente en el diodo lser y quemarlo. Determine la ganancia a bajas frecuencias, la frecuencia de corte, y la frecuencia de ganancia unidad.

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.- Realizacin prctica: Monte el circuito, y tras verificar que el montaje se ha realizado correctamente prubelo siguiendo escrupulosamente la siguiente rutina de encendido. Antes de conectar el circuito y el lser a la fuente de alimentacin, asegrese que sta se encuentra al mnimo (0 V), con objeto de no aplicar bruscamente tensin al circuito. Una vez conectados incremente lentamente la tensin de alimentacin, observando simultneamente y con atencin la corriente que circula por el diodo lser y por el fotodiodo monitor. Ante cualquier anomala vuelva rpidamente a 0 V y revise el circuito y las conexiones.

Figura 1

Compruebe cmo puede ajustarse la potencia emitida por el lser mediante el potencimetro Rp , sin superar en ningn caso la potencia de 5 mW. Para desconectar siga la secuencia inversa: disminuya poco a poco la tensin de alimentacin y despus apague la fuente de tensin Fjese que conforme el lser se va calentando el circuito va suministrndole ms corriente, de modo que la potencia ptica emitida se mantenga constante. De esta forma la potencia de salida se hace insensible al calentamiento. Este circuito est diseado para mantener una potencia de luz constante emitida por el lser. No tiene ningn tipo de proteccin para evitar que una corriente anormalmente alta circule por el diodo y lo queme, cosa que podra suceder cada vez que el operacional se vaya a la saturacin positiva (en este caso, 0 V) a causa de un mal funcionamiento (fallo en la realimentacin, encendido brusco,

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etc...). De ah la necesidad de aplicar la tensin de alimentacin progresivamente y observar las intensidades de corriente que circulan por los dos diodos.

ANEXO I: EJEMPLOS DE RESULTADOS A OBTENER.

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P0 (mW)

2 1 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45

ILD (mA)
50 40
I_LD (mA) ExpGrow1 fit of Data2_D

ILD (mA)

30 20 10 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5

V LD (V)

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ANEXO II: ESQUEMA AMPLIADO DEL CIRCUITO DE POLARIZACIN.

Fotodiodo

Diodo lser 10Vdc

IPD
820pF Ampermetro Ampermetro

IPD

1Meg -10V -10V 22K 2 11

V-

vPOT IPD
2K2

vPOT vPOT
POT 3

LM324 1

Q1

OUT V+ +

v0

4K7 -6.7V 1K

-3.35 V
47 ohm 4K7

A
-10V -10V

ILD

vo -0.7 V

ILD

Zener 3V3