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2009

Universidad Nacional Mayor de San Marcos Universidad del Per, Decana de Amrica

Curso: Dispositivos Electrnicos Tema: EXAMEN PARCIAL Profesor: Juan F. Tisza Alumno: Milton David Huaco Rojas Cdigo: 08190152

Universidad Nacional Mayor de San Marcos Universidad del Per, Decana de Amrica EXAMEN PARCIAL

Problema 1 En un semiconductor intrnseco combinado de germanio con silicio como se muestra, se pide: a) Calcular la resistencia a la temperatura T0 = 300 K. b) Calcular la respuesta de la resistencia Rs = RAB en funcin de la temperatura y graficarla.

Solucin: Dado que, por una parte, la resistencia depende de la forma geomtrica que tenga el material, Calculamos, en un caso general, para la figura de un tronco de cono, la resistencia:

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En el tronco de cono, tomamos un disco, de altura un dz y radio r , de donde tenemos que :

Luego, en el trapecio rectngulo, construimos dos tringulos rectngulos de los cuales, se obtiene por semejanza de tringulos:

( Reemplazando tenemos:

( (

Integrando esta ltima expresin, tenemos:

( (

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Ahora, del grafico dado tenernos que:

Donde:

( )

Adems sabemos que la conductividad es: (


( ) ( ))

Como ambos semiconductores son intrnsecos tenemos:


( ) ( )

Reemplazando esta expresin, tenemos: ( ( ) ( ) )

( )

( )

) )

Datos:

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( )

( )

Para el caso de T= 300k tenemos que PROBLEMA N2

( )

En un diodo semiconductor de silicio; se le polariza segn el circuito mostrado. Calcular: Diodo de silicio:

: es un diodo semiconductor de silicio; de L=10 m de lado (forma cubica)

En el problema no se consideran los efectos de la temperatura sobre el diodo. Sin embargo el circuito esta sometido a una diferencia de temperatura de -10C hasta 90C. Solucin: Datos: L=10 m,

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*calculo de la resistrencia de silicio:


( ) ( )

( ( )

Para: Para: **Resolviendo el circuito por corriente de mallas, obtenemos las siguientes ecuaciones: (1):( (2):( (3): ( De donde: ) ( ) )

( (

) )

***por otro lado ( ), para el silicio: ( )

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Universidad Nacional Mayor de San Marcos Universidad del Per, Decana de Amrica Adems del circuito: Tambin del circuito: Para: donde:
( )

Para:

Problema 3 En el circuito tenemos diodos reales que se aproximan a un modelo lineal por tramos como se muestra en la figura.

m=

El circuito es:

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Los

son de germanio (

) y el

silicio (

Si

es:

10V

-10V

Solucin: De acuerdo con los datos, obtenemos este nuevo circuito, reemplazando las equivalencias para cada diodo.

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Asumamos que hay flujo de corriente por los diodos ideales para poder aplicar el mtodo de corriente de mallas en estas, con las corrientes asumidas.

(5k+500)i1 - 500i2 - 0 i3 = Vi -0.75 -500 i1+ (500+100+1k) i2 -1ki3 = -0.3+0.75 0 i1 - 1k i2+ (1k+100)i3 = -0.3 -1

5.5i1 0.5i2 - 0 i3 = (Vi -0.75). 10-3 -0.5 i1+ 1.6 i2 - i3 = 0.45. 10-3 0 i1 - i2+ 1.1i3 = -1.3. 10-3

Si: Vi= + 10V

Sentidos opuestos a los asumidos

Por el diodo ideal d1 d2 d3

Fluye una corriente de: ( i1 - i2) = 0.602mA i2 =1.188mA i3 = -1.12mA

Entonces, tenemos que: Corto circuito Corto circuito Circuito abierto

Entonces, tenemos el siguiente circuito como resultado:

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Nuevamente por medio del mtodo de corriente de mallas tenemos, en este nuevo circuito:

5.5i1 0.5i2 = (Vi -0.75). 10-3 -0.5 i1+ 1.6 i2 = 0.45. 10-3

i1 = 1.75m A i2 = 0.83 m A Luego tenemos que :

Este resultado es para cuando Vi = + 10v y durante el intervalo de tiempo [ dems intervalos en los cuales se tenga que Vi = + 10v. Cuando Vi = -10v, se tiene que ningn diodo conduce por lo tanto se tiene que:

] y para los

Luego tenemos el siguiente grafico para Vo vs t

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Universidad Nacional Mayor de San Marcos Universidad del Per, Decana de Amrica Y para la corriente iT, tenemos el siguiente grafico:

PROBLEMA N4 Responda las siguientes preguntas: 4.1 Cules son las formas de polarizar un BJT? 1. zona activa: JE: polarizado directamente. JC: polarizado inversamente. 2. zona invertida: JE: polarizado inversamente. JC: polarizado directamente. 3. zona de corte: JE y JC: polarizados inversamente. 4. zona de saturacin: JE y JC: polarizados directamente. JE: juntura de emisor o unin emisora. JC: juntura de colector o unin colectora.

4.2 que diferencia existe entre un BJT PNP como el mostrado en la figura y el circuito adjunto al lado?

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La diferencia que hay entre los dos circuitos es que el proceso que ocurre en el interior de las junturas no son los mismos, se podra decir que en el circuito de la derecha podemos aplicar la ecuacin corrientes para el nudo de interseccin, mientras que en el circuito de la izquierda las corrientes no cumplen con dicha ecuacin(corrientes ara el nudo de interseccin), ya que se habla de ganancias de corrientes como de voltajes, tambin las corriente que fluye por la base es muy pequea, que para valores prcticos es despreciable. 4.3 si un transistor no esta en zona activa? En que casos se puede hablar de ganancia de tensin o corriente. El transistor tiene tres zonas: zona activa, zona de corte, zona de saturacin; El diodo cuando esta en zona activa se habla de ganancia de tensin o corriente, Pero cuando no esta en zona activa, tambin podemos hablar de ganancia de corriente cuando el transistor esta en zona de saturacin, donde las junturas del transistor se encuentran polarizados directamente. La ganancia de corriente en continuas en base comn es: 4.4 Cmo reconoce los terminales de un transistor si al inicio no conocemos nada acerca del mismo? Identificacin de terminales: Regla N I: 1. Determinacin de la base. Si definimos: resistencia medida entre A y B (con el positivo en A) Por ejemplo: En un transistor NPN: En un transistor PNP:

Paso 1 = baja = baja

Paso 2 = alta = alta

Paso 1 = alta = alta

Paso 2 = baja = baja

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Universidad Nacional Mayor de San Marcos Universidad del Per, Decana de Amrica Luego la regla, seria la siguiente: identificar el terminal que cumpla con estas mediciones (solamente hay un terminal del transistor que cumple con esta prueba y ese terminal ser la base). Regla N II: Determinacin de C y E. (transistor NPN). Determinacin de C y E. (transistor PNP).

Se cumple:

>

Se cumple:

<

Luego con las dos mediciones podramos identificar C y E.

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