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Clculo de enlace fibra ptica

Caractersticas de Transmisin
Para una correcta planificacin de las instalaciones de cables con fibras pticas es necesario considerar la atenuacin total del enlace y el ancho de banda del cable utilizado. Para el clculo de atenuacin de enlace se consideran 2 mtodos:

Clculo del cable de fibra ptica Clculo del margen de enlace con cable de fibra ptica seleccionado

Clculo del cable


La atenuacin total del cable considerando reserva ser: at = LaL + neae + ncac + arL L = longitud del cable en Km. aL = coeficiente de atenuacin en dB/Km ne = nmero de empalmes ae = atenuacin por empalme nc = nmero de conectores ac = atenuacin por conector ar = reserva de atenuacin en dB/Km La reserva de atenuacin (margen de enlace), permite considerar una reserva de atenuacin para empalmes futuros (reparaciones) y la degradacin de la fibra en su vida til (mayor degradacin por absorcin de grupos OH). La magnitud de la reserva depende de la importancia del enlace y particularidades de la instalacin, se adopta valores entre 0.1 dB/Km y 0.6 dB/Km. Las prdidas en los empalmes se encuentran por debajo de 0.1 dB/Km no superan 0.5 dB/Km. El enlace ser proyectado para un margen de potencia igual a la mxima atenuacin antes de ser necesario un repetidor. PM = Pt - Pu

Donde: PM = Margen de potencia en dB (mxima atenuacin permisible) Pt = Potencia del transmisor en dB Pu = Potencia de umbral en dB (dependiente de la sensibilidad del receptor) La potencia de salida del transmisor es el promedio de la potencia ptica de salida del equipo generador de luz empleando un patrn estndar de datos de prueba. El umbral de sensibilidad del receptor para una tasa de error de bit (BER) es la mnima cantidad de potencia ptica necesaria para que el equipo ptico receptor obtenga el BER deseado dentro del sistema digital. En los sistemas analgicos es la mnima cantidad de potencia de luz necesaria para que el equipo ptico obtenga el nivel de seal a ruido (S/N) deseado. Por lo tanto de la expresin de at = PM

Fija la mxima atenuacin por Km para el cable a ser seleccionado.

Clculo del margen


La atenuacin total en dB sin considerar reserva del cable ser: at = LaL + neae + ncac Siendo PM = Pt - Pu El margen de enlace Me en dB ser: Me= Pm - at

Ejemplo
Tenemos un enlace para un sistema de 34 Mbits y = 1300 nm. Supongamos que L = 25 Km y se emplean fibras pticas de 2000 mts. por lo que se requieren 12 empalmes con atenuacin promedio de 0.2 dB, los conectores de transmisin y recepcin con atenuacin 0.5 dB. 1.- Clculo de la fibra La reserva fijamos en 0.3 dB/Km

Para una potencia de transmisin de 0 dB y un umbral de sensibilidad de 30 dBm (BER 10-9) El margen de potencia mxima = 30 dB

Podemos elegir un cable con una atenuacin menor o igual a 0.76 dB/Km

Clculo de margen de enlace Me


Suponemos una fibra con aL = 0.7 dB/Km at = LaL + neae + ncac at = 15 0.7 + 12 0.2+ 2 0.5 = 18.74 dB Si PM = 30 dB El margen de enlace ser: Me= Pm - at = 30 18.74 Me = 11.26 dB Ser la atenuacin mxima adicional permisible para degradaciones futuras del enlace.

Ancho de banda en fibras de ndice gradual


El ancho de banda se encuentra limitado por la dispersin modal y/o del material si se usa LED con gran ancho espectral y = 850 nm predomina dispersin intermodal, con LD y= 1300 nm predomina dispersin del material. Existen varios mtodos para calcular en forma aproximada la variacin del ancho de banda en funcin de la longitud. b1=B1L1 Para perfil de ndice gradual con ancho del sistema B y longitud L es aplicable el mtodo de ley de potencias

B = ancho de banda del sistema en MHz

b1 = ancho de banda por longitud en MHz*Km B1 = ancho de banda del cable de fibra ptica en MHz a L1 L1 = longitud de fibra ptica generalmente 1 Km para B1 L = longitud de la fibra del enlace en Km El ancho de banda no disminuye linealmente con la longitud por la dispersin de modos se aproxima con (exponente longitudinal) entre 0.6 y 1 (valor emprico 0.8). Para el ejemplo de perfil de ndice gradual y = 1300 nm el ancho de banda B para sistema de 34 Mbits es 50 MHz ancho de banda de campo regulador tanto para LED como para LD (para 8 Mbits 25 MHz y para 140 Mbits 120 MHz

En fibra ptica de perfil de ndice gradual = 1300 nm b1 incrementa en pasos de 200 MHz/Km (600 800 1000 MHz/Km), por tanto para 657 se adopta 800 MHz*Km.

Dispersin de fibra ptica monomodo


En sistemas digitales se usa LD hasta 140 Mbits/seg se desprecia el ancho de banda de la fibra monomodo ya que es GHz. Por tanto para monomodo se calcula dispersin en lugar de ancho de banda. El ensanchamiento del pulso T = M() L T = ensanchamiento del pulso en ps M() = dispersin cromtica en ps/nm*Km = ancho espectral medio del emisor en nm L = longitud de la fibra en Km Por ejemplo para: L = 25 Km = 1330 nm = 5 nm M() = 3.5 ps/nm*Km

Resulta T = 3.5 * 5 * 25 = 437.5 ps De la expresin para el clculo de ancho de banda

El clculo de la dispersin en sistemas encima de 565 Mbits/seg considera adicionalmente caractersticas del lser como ruido de distribucin de modos.

Caractersticas mecnicas
Se debe tener en cuenta la configuracin de los cables para que los mismos se encuentren protegidos de influencias ambientales.

Conversin elctrica ptica


Para transmitir informacin mediante seales luminosas a travs de un conductor (fibra ptica) se requiere que en el punto emisor y receptor existan elementos para convertir las seales elctricas en pticas y viceversa. En el extremo emisor la intensidad de una fuente luminosa se modula mediante una seal elctrica y en el extremo receptor, la seal ptica se convierte en una seal elctrica. Para este proceso de conversin se utilizan las propiedades de los materiales semiconductores los cuales poseen dos bandas de energa, banda de valencia (nivel bajo de energa) y banda de conduccin (nivel alto de energa) separadas por una distancia de energa. Un fotn (quantum de energa) tiene una energa

h = constante de Plank = Frecuencia del fotn = longitud de onda V= velocidad de la luz en el medio En el semiconductor para pasar un electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin, existe energa absorbida por incidencia de un fotn. Proceso inverso se realiza para liberar fotones. E=EC - EV Donde: EC energa de un electrn, cuando se encuentra en la banda de conduccin EV energa de un electrn, cuando se encuentra en la banda de valencia

E es una caracterstica del material y se puede cambiar en funcin al contaminante empleado en el semiconductor. Cuando se libera un fotn se lo puede hacer de dos maneras: espontnea o estimulada. En la emisin espontnea no existe ningn medio externo que induzca al electrn pasar de la banda de conduccin a la banda de valencia. En la emisin estimulada un fotn induce a que el electrn pase a su estado de reposo, liberando un fotn, en cuyo caso se dice que existe amplificacin, si adems existe retroalimentacin y un elemento de selectividad, se lograr tener emisiones coherentes (mediante espejos). Una representacin de estos procesos se indica en la figura que se encuentra a continuacin.

Emisores y receptores pticos


Emisores pticos
Entre los emisores pticos tenemos a los diodos LED y los diodos LASER.

Diodos LED
Son fuentes de luz con emisin espontnea o natural (no coherente), son diodos semiconductores de unin p-n que para emitir luz se polarizan directamente.

La energa luminosa emitida por el LED es proporcional al nivel de corriente de la polarizacin del diodo. En la figura anterior vemos la representacin caracterstica de potencia ptica- corriente de polarizacin. Existen dos tipos de LED:

LED de superficie que emite la luz a travs de la superficie de la zona activa. LED de perfil que emite a travs de la seccin transversal (este tipo es mas direccional)

Diodos LASER (LD)


Son fuentes de luz coherente de emisin estimulada con espejos semireflejantes formando una cavidad resonante, la cual sirve para realizar la retroalimentacin ptica, as como el elemento de selectividad (igual fase y frecuencia).

La emisin del LD es siempre de perfil, estos tienen una corriente de umbral y a niveles de corriente arriba del umbral la luz emitida es coherente, y a niveles menores al umbral el LD emite luz incoherente como un LED. La figura muestra una comparacin de los espectros emitidos por un LED y un LD.

Como las caractersticas de los espejos son funciones tanto de la temperatura, como de la operacin; la caracterstica potencia ptica- corriente de polarizacin es funcin de la temperatura y sufre un cierto tipo de envejecimiento. Una representacin grfica de la corriente de umbral, del proceso de envejecimiento se ilustra en la a continuacin.

Receptores pticos
El propsito del receptor ptico es extraer la informacin contenida en una portadora ptica que incide en el fotodetector. En los sistemas de transmisin analgica el receptor debe amplificar la salida del fotodetector y despus demodularla para obtener la informacin. En los sistemas de transmisin digital el receptor debe producir una secuencia de pulsos (unos y ceros) que contienen la informacin del mensaje transmitido.

Fotodetector
Convierte la potencia ptica incidente en corriente elctrica, esta corriente es muy dbil por lo que debe amplificarse. Las caractersticas principales que debe tener son:

Sensibilidad alta a la longitud de onda de operacin Contribucin mnima al ruido total del receptor Ancho de banda grande (respuesta rpida)

Existen dos tipos de fotodetectores:

Fotodetectores PIN
Genera un solo par electrn-hueco por fotn absorbido. Son los ms comunes y estn formados por una capa de material semiconductor ligeramente contaminado (regin intrnseca), la cual se coloca entre dos capas de material semiconductor, una tipo N y otra tipo P. Cuando se le aplica una polarizacin inversa al fotodetector, se crea una zona desrtica (libre de portadores) en la regin intrnseca en la cual se forma un campo elctrico. Donde un fotn en la zona desrtica con mayor energa o igual a la del material semiconductor, puede perder su energa y excitar a un electrn que se encuentra en la banda de valencia para que pase a la banda de conduccin. Este proceso genera pares electrn hueco que se les llama fotoportadores.

Fotodetectores de Avalancha APD.Presenta ganancia interna y genera mas de un par electrn-hueco, debido al proceso de ionizacin de impacto llamado ganancia de avalancha. Cuando a un fotodetector se le aumenta el voltaje de polarizacin, llega un momento en que la corriente crece por el fenmeno de avalancha, si en esta regin se controla el fenmeno de avalancha limitando la corriente (antes de la destruccin del dispositivo), la sensibilidad del fotodetector se incrementa. Cuando se aplican altos voltajes de polarizacin, los portadores de carga libres se desplazan rpidamente, con mayor energa y liberan nuevos portadores secundarios, los cuales tambin son capaces de producir nuevos portadores. Este efecto se llama multiplicacin por avalancha (M) que esta dada por:

Donde: IT : fotocorriente total IP : fotocorriente primaria V : Voltaje de polarizacin aplicado VB : Voltaje de ruptura del dispositivo n : coeficiente