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CAMPUS IRAPUATO-SALAMANCA DIVISION DE INGENIERIAS MAESTRA EN INGENIERIA ELECTRICA

PTICA BASICA

PROFESOR: Dr. ROBERTO ROJAS LAGUNA

INTEGRANTES DEL EQUIPO: JUAN RICARDO CABRERA ESTEVES LUIS EDUARDO NEGRETE NAVARRETE

Practica: CARACTERIZACIN LSER SEMICONDUCTOR CARACTERIZACIN LSER DE GAS

SALAMANCA, GTO. A 27 DE OCTUBRE DE 2010

Introduccin: El lser semiconductor o diodo lser, como su nombre lo incida, es un diodo que emite luz lser coherente. Esencialmente, no es ms que un bloque de material semiconductor que contiene una unin P-N, con las regiones P y N muy densamente dopadas y con una estructura interna ms o menos compleja, que se hace funcionar a modo de diodo para producir un efecto lser. En dicha unin los pares electrnhueco representan los estados excitados y la emisin de fotones se debe a la recombinacin de estos pares. En estos materiales, el efecto lser no ocurre por transiciones entre niveles de energa atmicos o de sistemas moleculares sino que, por el contrario, se ha de considerar la estructura de bandas de energa del cristal como un todo.

La longitud de onda en la que emiten estos lseres depende del material semiconductor del que est fabricado. Dentro de un pequeo rango, sin embargo, sta puede cambiar al variar la temperatura de funcionamiento del diodo. Fundamento terico: La conductividad de un semiconductor aumenta con la temperatura ( explicado ms tarde ) , contrariamente a lo que sucede con los materiales metlicos , cuya conductividad disminuye con la temperatura debido al aumento del nivel vibracional de los tomos. En todos los materiales podemos encontrar las bandas energticas. Las bandas energticas en un semiconductor pueden ser de dos tipos : Banda de Valencia - Los electrones en una banda de valencia estn ligados a los tomos del semiconductor. Banda de Conduccin - Los electrones en una banda de conduccin pueden moverse por el semiconductor. La separacin entre la banda de valencia y la de conduccin se denomina la Brecha de Energa , no existiendo ningn nivel energtico posible dentro de sta zona. Si un electrn de la banda de valencia consigue suficiente energa, puede "saltar" la brecha de energa para introducirse en la banda conductora.

Los semiconductores cuentan con impurezas, las cuales introducen niveles energticos nuevos dentro de la brecha prohibida.

Curva I-V de un Diodo Lser: Si la condicin requerida para la accin lser de inversin de poblacin no existe , los fotones sern emitidos por emisin espontnea. Los fotones sern emitidos

aleatoriamente en todas las direcciones , siendo sta la base de los LED - diodo emisor de luz . La inversin de poblacin slo se consigue con un bombeo externo. Aumentando la intensidad de la corriente aplicada a la unin p-n , se alcanza el umbral de corriente necesario para conseguir la inversin de poblacin . En la figura 1 se muestra un ejemplo de la potencia emitida por un diodo lser en funcin de la corriente aplicada. Se aprecia enseguida que la pendiente correspondiente a la accin lser es mucho mayor que la correspondiente a un led.

Figura 1: Potencia de emisin de un diodo lser en funcin de la corriente aplicada. El umbral e corriente para el efecto lser viene determinado por la interseccin de la tangente de la curva con el eje X que indica la corriente (esta es una buena aproximacin) Cuando el umbral de corriente es bajo, se disipa menos energa en forma de calor, con lo que la eficiencia del lser aumenta. En la prctica, el parmetro importante es la densidad de corriente, medida en A/cm2, de la seccin transversal de la unin p-n.

Dependencia de los parmetros del diodo lser de la temperatura: Uno de los problemas bsicos de los diodos lser es el aumento del umbral de corriente con la temperatura. Los operativos a bajas temperaturas requieren bajas corrientes. A medida que la corriente fluye por el diodo, se genera calor . Si la disipacin no es la adecuada , la temperatura aumenta, con lo que aumenta tambin el umbral de corriente. Adems, los cambios en temperatura afectan a la longitud de onda emitida por el diodo lser. Este cambio se ilustra en la figura 2., y se compone de dos partes: 1. Un aumento gradual de la longitud de onda emitida proporcional al aumento de temperatura , hasta que : 2. Se produce un salto a otro modo longitudinal de emisin

Figura 2: cambio de la longitud de onda emitida en funcin de la temperatura

Debido a estas variaciones con la temperatura , se necesitan diseos especiales para poder conseguir una emisin continua de alta potencia.

Procedimiento: Para la realizacin de la prctica se necesit el siguiente material:

Dioso semiconductor lser QFBGLD980-150 (wavelenght stabilized lser diode), Figura 3.

Figura 5: Diodo Semiconductor.

Fotodetector PM20A power fiber meter, Figura 4.

Figura 6: Fotodetector.

Fuente de alimentacin para lser semiconductor (lser diodo controller) LDC220, Figura 5.

Figura 7: Fuente de alimentacin.

Fibra ptica

Por medio de la fuente LDC220 se excit el diodo lser. Al Diodo semiconductor se le conect una fibra ptica de aproximadamente 2 metros. Al final de la fibra ptica se coloc un fotodetector PM20A. A fin de poder observar la respuesta del lser con respecto a la temperatura, se elev la excitacin del lser gradualmente de cero a 119 mA. Se hizo una prueba, la grfica de los valores obtenidos en sta se muestran a continuacin, Figura 8:

Figura 8: REpuesta del lser semiconductor.

Conclusiones: En la grfica podemos observar que corrienten necesaria para que el lser comiense a emitir es paproximadamante 15 miliamperes, a partir de ah el comportmiento del lser puede tomarse como lneal. Podemos observar que a los 85 miliamperes se el comportamiento del laser fue variante y se estaviliz a los 95 miliamperes, esto pudo haber ocurrido debido a un calentamiento en el lser. Recordando que este lser semicondutor tiene un funcionamiento ideal a cero grados K.