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Primero Ingeniera Electrnica

Diseo de Circuitos y Sistemas Electrnicos

Tema

EL PAR DIFERENCIAL
1. El par diferencial MOS en gran seal 2. Anlisis de pequea seal 3. Desapareamientos 4. Cargas Activas 5. Anlisis en frecuencia 6. El par diferencial Bipolar
DICIEMBRE 1998
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1. EL PAR DIFERENCIAL MOS EN GRAN SEAL


V DD

RL i1

vO1
vI1

M1 M 2 S IB

RL i2 vO 2

M1 y M2 idnticos Si v I 1 = v I 2 entonces
i1 = i2 =

IB

vI 2

Si v I 1 > v I 2 i1 > i 2 , por tanto, la seal se procesa en modo diferencial

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Anlisis de gran seal

Definimos: v ID = v I 1 v I 2 ; v ICM = entonces


v I 1 = v ICM + v ID ; vI2 2

vI1 + vI 2 2 v = v ICM ID 2

En la salida v O D = v O 1 v O 2 = (i 2 i1 ) R L = i O D R L Tenemos que plantear las ecuaciones del circuito para obtener i O D = i1 i 2 en funcin de v ID = v I 1 v I 2
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Ecuaciones del circuito

Supuestos M1 y M2 en saturacin:
1
' n C ox W 2 L I + iO D i1 = B 2 I iO D i2 = B 2

v ID = v I 1 v I 2 = v GS 1 v GS 2 =

i1

i2

Adems
i O D = i1 i 2 I B = i1 + i 2

Sustituyendo,

' n C ox W v = I B L ID
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1+

iO D i 1 OD IB IB
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Resolviendo las ecuaciones

Elevando dos veces al cuadrado y despejando:


i1 , 2 I = B 2
' n C ox v W I B ID 2 IB L

v 2 1 ID V E FF
i2 0

Si v ID =

2 V E F F entonces i1 I B

Si v ID < < 2 V E F F entonces


i1 , 2 I B 2
' n C ox v W I B ID 2 IB L
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Funcin de transferencia

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Tensiones mnimas funcionamiento

V DD

vO1
M1 M 2

vO 2
vI 2
M3

En el caso ms favorable (la fuente de polarizacin I B es un espejo simple): Entrada v IC M | M IN V S S


M 1, M 2 3 = V OM + VGS |M V IN 0 .1 5 + 1 = 1.1 5 V

vI1

Salida

v O C M | M IN V S S = 2 V O V 0 .3 V
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2. ANLISIS PEQUEA SEAL


Entrada
En

Diferencial.

este caso, i1 = i 2 por lo que la tensin en el nodo S, fuente de M1 y M2, permanece constante ( v S = 0 ) , independ. de la ro u t de I B v od 2 g m v id 2
+

v id 2

Add =

rd s
Circuito mitad equivalente para seal diferencial

RL

= g m (rd s || R L ) gm RL
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v od v id

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Entrada no diferencial
RL
v o1 v o 2

RL
+

v i1

vi2

vs
g m (v i 1 v s )

rb

g m (v i 2 v s )

g m (v i 1 v s ) + g m (v i 2 v s ) = v s g b gm v + v i 2 v ic m vs = 2 g m + g b i1

Sustrato a fuente y R L < < rd s

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Entrada en modo comn


RL
v ocm
Sustrato a fuente y R L < < rd s

v ic m

g m (v ic m v s )

vs
Circuito mitad equivalente para seal modo comn

v o c m = g m (v ic m v s )R L v s = g m (v ic m v s ) 2 rb

rb

Acc =

v ocm gm RL R = L 1 + 2 g m rb 2 rb v ic m

Importancia de rb elevada
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3. DESAPAREAMIENTOS

Causas: tolerancias de fabricacin. Para un nmero elevado de muestras puede ser considerado aleatorio.
R L 1, 2 = R L RL 2 ; VT ; K ' W K n C ox L

Ante desapareamiento, v O D ( v I 1 = v I 2 ) 0. Se define tensin de offset a la entrada:


V O FF = vOD (v I 1 = v I 2 ) Add
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Tolerancias

IB I 2 RL R L V O FF = B 2 gm RL I I 2 K K K : i1 , 2 = B 1 V O FF = B 2 gm K K VT V T : V T 1, 2 = V T V O FF = V T 2 I B 2 RL K sumando V V = + + O FF T gm RL K RL V K = VT + E FF + 2 RL K R L : vOD (v I 1 = v I 2 ) =
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Influencia : R L

VT

Rechazo al modo comn: CMRR

v id

v icm

Un efecto muy negativo del desapareamiento son las ganancias cruzadas, especialmente v A cd = od v icm Se define Add v od A cd A C M R R = dd A cd A cd v ocm De la definicin de V O F F y A cc C M R R se deduce que son inversamente proporcionales
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Ejemplo con R L
RL v o1 gm = RL + 1 + 2 g m rb 2 v icm RL vo2 gm = RL 1 + 2 g m rb 2 v icm

A cd

RL 2 rb

RL Como A d d = g m R L entonces, C M R R = 2 g m rb RL adems, I 2 RL C M R R V O F F = I B rb V O FF = B gm RL


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4. CON CARGAS ACTIVAS

Para aumentar la ganancia, cargas activas. El circuito a) requiere una realimentacin de modo comn. El circuito b) no, pero su salida es no diferencial.

V DD

vB

V DD M3 M4

vO1
vI1
a)

M3 M4

vO 2
vI 2
M1 M 2

v OUT
vI1
b) M3
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M1 M 2
M3

vI 2

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Anlisis del circuito b)

v id 2

Asumimos fuentes de M1 y M2 a sustrato, que la entrada es diferencial, M1=M2 y M3=M4, y una carga R L v v v g m 1 id v g s 4 g m 4 v g s 4 g m 2 id id 2 2 2
+

rA

rB

r A = rd s 1 || rd s 3 ||

1 gm3

= rd s 2 || rd s 4 ||

1 gm4

r B = rd s 4 || R L || rd s 2
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Ganancia de tensin y rout


v gs4 = g m 2 rA vd 2
v v v o u t = g m 2 d + g m 4 g m 2 r A d rB 2 2
Add = 1 g m 2 (1 + g m 4 r A ) v out gm2 = 2 1 rB vd g ds4 + g ds2 + G L ro u t = rd s 2 || rd s 4 = 1 + g ds4
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g ds 2

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5. ANALISIS EN FRECUENCIA

g m1

Suponemos ahora que la carga es capacitiva C L v v id v gs 4 g m 4 v gs4 g m 2 id 2 2

rA
r A = rd s 1 || rd s 3 ||
C A = C gd 1

CA
= rd s 2 || rd s 4 || 1

rB

CB

r B = rd s 4 || rd s 2 gm3 gm4 + C gs3 + C gs4 + C db1 + C db 3 + C gd 4 Adg 4

C B = C gd 2 + C gd 4 + C db 2 + C db 4 + C L
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Polos y Ceros

La funcin de transferencia tiene dos polos y un cero


1 rA C

p1 =

p2 =
A

1 rB C

z1 =
B

(1 +

g m 4rA

)p

En la prctica r B > > r A , pero dado el valor de C L , p 2 es el polo dominante. Como r A 1 g m 3 , z 1 2 p 2 , lo que se denomina un doblete

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6. EL PAR DIFERENCIAL BIPOLAR


V DD

RL i1

vO1
vI1

Q1 Q2 E I EE

RL i2 vO 2

vI 2

Anlisis dc Procediendo como el MOS i v ID = v BE 1 = V T ln C 1 IS i V T ln C 1 iC 2 iC 2 v B E 2 = V T ln IS Como i C 1 + i C 2 = I E E


I EE 1 + e v ID V T
iC 2 =

iC 1 =

I EE 1 + e + v ID V T
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Tensiones mnimas funcionamiento

Si Si

v ID = 4 V T
v ID < < 2 V T

entonces i1 I E E entonces i1 , 2

i2 0

I E E I E E v ID 2 2V T 2

Tensiones mnimas de funcionamiento:


Entrada:
1,Q 2 v IC M | M IN V E E = V OQV3 + V B E |Q M IN 0 .2 + 0 .8 = 1.0 V

Salida:

v O C M | M I N V E E = 2 V O V 0 .4 V
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Caracterstica de Transferencia

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Anlisis de pequea seal

Diferencias con MOS: rin finita y g m elevada Entrada diferencial


Add = v od = g m (ro || R L ) g m R L v id

rin d = 2 r
+ v i 2 ) v ic m

Entrada

no diferencial

ve =
Entrada

2 ( g m + 1 r ) + g e e

g m + 1 r

(v

i1

en modo comn

A cc =

v ocm gm RL = v ic m 1 + 2 ( g m + 1 r
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)r

ee

RL 2 re e
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Desapareamientos

; AE I S Causas: R L 1 , 2 = R L 2 Influencia I I EE 2 R L R L :v OD ( v I 1 = v I 2 ) = EE R L V OFF =

RL

gm

RL

I S : iC 1,2 =
Sumando

IS I EE I EE 2 I S 1 V O FF = 2 2IS gm IS

V O FF =

RL I EE 2 R L IS IS = VT + + gm IS IS RL RL
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Desapareamientos

Las variaciones dan lugar a un offset de corrientes


: i B 1,2 1 I EE 1 2 +1 2 1 I I O FF = I B 1 I B 2 E E = IB 2 + 1 2

Al igual que en el MOS se producen ganancias cruzadas. Para el caso de R L se tienen las mismas expresiones: RL C M R R V O F F = I E E re e C M R R = 2 g m ree RL
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Cargas Activas y anlisis frecuencia


V DD
Q3 Q4

Las mismas expresiones que el MOS para la ganancia diferencial y la resistencia de salida

v OUT
vI1
Q1 Q2 E I EE

Add

g ds4

gm2 + g ds2 + G L 1 + go4

vI 2

ro u t =

go2

Tambin para polos y ceros


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