Ao de la Inversin para el Desarrollo Rural y la Seguridad Alimentaria

UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

CARRERA: INGENIERIA DE SISTEMAS

MONOGRAFA: UNION P-N

CURSO CICLO TUTOR ALUMNOS

: FSICA ELECTRNICA : IV CICLO : RAUL ROJAS REATEGUI : JORGE ALFREDO OCONNOR GUZMN

2013

CONMUTACIN DEL DIODO

Es importante minimizar la corriente inversa y la tensin umbral, un diodo de unin se puede usar como interruptor, el tiempo que existe entre conexin y desconexin tiene que ser cero, el diodo debe tener muy pocas cargas fijas o portadores con un tiempo de vida muy corto, para fabricar diodos de conmutacin se aade el semiconductor un metal que sea eficaz para disminuir los portadores;

A una frecuencia baja un diodo normal se puede conmutar cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que incrementa la frecuencia el tiempo de conmutacin el tiempo puede ser muy bajo, poniendo en peligro el dispositivo de diodos

Diodos de silicio

En la applet podemos editar los parametros , parametros circuito , aparecera una ventada donde podemos editar los numeros ; tension directa ( vf) , la tension inversa ( vr) y ohm y parametros de diodo donde podemos cambiar la tension de disrupcion , zona dipolar , difusion huecos , difusion electrones

Diodo de union PN polarizado

Una polarizacion es p-n directa se da cuando la region p tiene la potencial mayor que la region n .

En la figura se debe desconectar el polo positivo de la bateria al anodo del diodo y el polo negativo al catodo

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin. El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu. As, se reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que, como vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin, tal y como se muestra en la figura siguiente.

En la applet podemos ver la union polarizada donde podemos seleccionar y deseleccionar las casilas de recombinacion , electrones , arrastre , difusion , huecos

La ley de Shockley Es un dispositivo de 2 terminales que tiene 2 estados estables, uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja impedancia Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor la caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado apagado al de conduccin, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar la tensin de conmutacin, denominada Vs. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado apagado, se disminuye la corriente hasta la corriente de mantenimiento, denominada Ih. En ese instante el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). La tensin inversa de avalancha es denominada Vrb.

En la applet podemos observar el flujo de corriente de la unin, podemos seleccionar recombinacin, corrientes, parmetros