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Diodo de unión PN polarizado La ley de Shockley Conmutación del diodo

Autor: Oscar Jaime Gonzales Guzman

Diodo de unión PN polarizado POLARIZACIÓN DIRECTA DEL DIODO Cuando un semiconductor diodo lo polarizamos de forma directa conectándole una fuente de fuerza electromotriz o suministro eléctrico (como una batería. lo que ocasiona que se cree una diferencia en altura del “nivel de fermi” en la parte negativa del diodo. su lado“P” se vuelve más positivo. La situación que se produce se puede interpretar como: electrones moviéndose en un sentido y huecos moviéndose en sentido opuesto. POLARIZACIÓN INVERSA DEL DIODO . atravesarán la unión “pn” y saltarán de un hueco a otro en la parte positiva (P) hasta concluir finalmente su recorrido en el polo positivo de la fuente de suministro eléctrico. en dirección al polo positivo de la batería. así como los que se han difundido a través de la unión “pn”. los electrones de la parte negativa (N) que han sido elevados a la banda de conducción. en un diodo polarizado de forma directa. por ejemplo). En la ilustración se puede apreciar que la dirección de conducción de los electrones se establece desde la parte derecha o negativa del diodo hacia su parte izquierda o positiva. El movimiento que se observa hacia arriba de los electrones para alcanzar la “banda de conducción”. poseen más energía que los huecos presentes en la parte positiva (P). Esto facilita que los electrones libres en esa parte alcancen la “banda de conducción” y puedan atravesar la unión o juntura “p-n” pasando a llenar los “huecos” presentes al otro lado de la unión. De esa forma los electrones alcanzarán la banda de conducción. estableciéndose un flujo de corriente electrónica a través de la unión “p-n”. Por tanto. De esa forma los electrones se combinan sin esfuerzo con esos huecos. viene dado por el incremento de energía que les suministra la batería o fuente de energía electromotriz conectada al diodo.

Además. la diferencia de altura del “nivel de fermi” en la parte positiva “P” del diodo aumenta. el lado positivo “P” de la unión “pn” se vuelve negativo (debido a estar conectado al polo negativo de la batería). En la ilustración se pueden observar unas flechas indicando la dirección correspondiente al flujo electrónico tratando de acceder al diodo por su parte positiva sin lograrlo. bajo esas circunstancias los electrones presentes en la parte negativa carecerán de la suficiente energía para poder atravesar la unión “p-n”. mientras que en la parte negativa “N” disminuye. como se puede ver también. Por tanto. . pues al estar polarizado de forma inversa la “zona de deplexión” se amplía. En esas condiciones el “nivel de fermi”correspondiente a esa parte positiva crece en altura.Cuando el semiconductor diodo se polariza de forma inversa. impidiendo así que los electrones se puedan mover a través del cristal semiconductor.

La característica Tensión-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La impedancia del diodo desciende bruscamente. haciendo que la corriente que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensión. Este dispositivo fue desarrollado por William Bradford Shockley . se aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar la tensión de conmutación. dispuestas alternadamente. reduciendo. todavía más la corriente. la región de baja impedancia. . En ese instante el diodo aumenta su impedancia. cruzando la región II. se disminuye la corriente hasta la corriente de mantenimiento. Para volver al estado apagado. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la región III (Punto B). Está formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P. hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la región I (Punto A). denominada Ih.La ley de Shockley Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conducción o baja impedancia. Fueron fabricados por CleviteShockley. La región I es la región de alta impedancia y la III. Es un tipo de tiristor. Para pasar del estado apagado al de conducción. mientras aumenta la tensión en sus terminales. denominada Vs. La tensión inversa de avalancha es denominada Vrb.

y otro es el valor de la resistencia óhmica del cuerpo del diodo (llamada rb). O sea la resistencia dinámica . La resistencia dinámica posee dos componentes. La descarga rápida de la carga capacitiva está a través de un diodo del semiconductor y de una cascada de los transistores que actúan como elementos de la conmutación. una el valor de resistencia que presenta la juntura PN (llamado ru). Las corrientes de carga máximas para la carga se dibujan de una fuente capacitiva que carga se mantenga constantemente. Una impulsión simple del transistor TTL (+5v) funciona el interruptor. Los diodos a través de la ensambladura del emisor de base de estos diodos de la conmutación proporcionan la protección contra daño transitorio así como la reducción del tiempo requerido a la conducción del atajo de los transistores. Cuando en un diodo se le superpone a la continua una pequeña señal (o sea una señal alterna). una gráfica y otra analítica. Y como en el caso de la resistencia estática. El valor de dicha resistencia se la denomina resistencia dinámica del diodo. se la puede calcular de dos formas.Conmutación del diodo Una carga capacitiva se carga a través de un transistor de la serie. aparece para dicha señal una resistencia que depende del punto Q de funcionamiento.

predomina ru (ru>>rb). Gráficamente la resistencia dinámica representa la pendiente de la recta que pasa por el punto Q .es: rd=ru+rb Para valores chicos de corriente de polarización (o sea la corriente continua). y para valores grandes de corriente predomina rb (rb>>ru).