CURSO: FSICA ELECTRNICA

TRABAJO: UNIN P N

DICENTE: ENRIQUE CRDENAS DAZ

DOCENTE: RAL ROJAS RETEGUI

AGOSTO DEL 2013

UNION P-N
Ingresa
a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_en_equilibrio_ y_polarizada/Applet3.html

PASOS: Al ingresar a sta pgina, se observar la siguiente imagen:

Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, sustituyndole algunos de los tomos de un semiconductor intrnseco por tomos con menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrin, normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al

semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
positivos, huecos).

Diodo de Unin PN Polarizado sin arrastre. difusin.

Diodo

de

Unin

PN

Polarizado

sin

Diodo de Unin PN Polarizado sin electrones. arrastre.

Diodo

de

Unin

PN

Polarizado

sin

Si cambiamos el voltaje en la Barra de Desplazamiento Vertical (-2.o V), observaremos:

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_de_Shockley/Appl et4.html

PASOS:

Al ingresar a sta pgina, se observar la siguiente imagen:

La ley de Shockley
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado apagado al de conduccin, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar la tensin de conmutacin, denominada Vs. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado apagado, se disminuye la corriente hasta la corriente de mantenimiento, denominada Ih. En ese instante el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). La tensin inversa de avalancha es denominada Vrb. Este dispositivo fue desarrollado por William Bradford Shockley tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor . Fueron fabricados por Clevite-Shockley. Diodo Shockley sin Recombinacin

Diodo Diodo Shockley sin Corrientes

Shockley sin Corrientes

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/DiodoConmutaApplet.ht ml PASOS: Al ingresar a sta pgina, se observar la siguiente imagen:

Los circuitos de ayuda a la conmutacin, tambin conocidos como Snubber, tienen la funcin de absorber la energa procedente de los elementos reactivos del circuito durante el proceso de conmutacin controlando parmetros tales como la evolucin de la tensin o corriente en el interruptor, o bien limitando los valores mximos de tensin que ha de soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los semiconductores al reducirse la degradacin que sufren debido a los aumentos de potencia disipada y de la temperatura de la unin.

Al hacer un clic en el botn PARMETROS CIRCUITO, Se observar la ventana que se encuentra hacia la Derecha. Podemos cambiar los datos en VR y VF, Cambiarn los resultados y tambin la grfica.

Al hacer un clic en el botn PARMETROS DIODO, se observar la ventana que se encuentra hacia la derecha. Podemos cambiar los datos los datos y, Cambiarn los resultados y tambin la grfica.

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