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ELECTRONICA DE

POTENCIA I
Universidad Francisco de Paula Santander
Facultad de Ingenieras
Ingeniera Electrnica
Ingeniera Electromecnica
1
UNIDAD I
CONCEPTOS BASICOS DE
ELECTRONICA DE POTENCIA
2
1.1 NATURALEZA Y APLICACIONES DE LA
ELECTRONICA DE POTENCIA
La Electrnica de Potencia es
un saber de la ingeniera, que
utiliza los conceptos, mtodos y
teoras de la
Electrnica(analgica y digital),
la Teora de Control y la
Electrotecnia(circuitos,
medidas, y mquinas elctricas,
sistemas de distribucin y
transmisin), para convertir y
controlar la energa elctrica
disponible, generalmente
alterna trifsica o monofsica
con diferentes niveles de
voltaje, en la clase de energa
requerida por la carga.
Electrnica
De
Potencia
Circuitos
Semiconductores
componentes
Electrnica
Y
Dispositivos
La electrnica de potencia moderna se origina ,con la invencin del SCR
en 1958 por General Electric. En aos sucesivos aparecen el TRIAC y
otros thyristores, y se desarrollan los transistores de potencia (BJT,
MOSFET, IGBT). Finalizando la dcada de los 80s aparece el MCT.
Los circuitos de control se optimizan en la dcada de los 90s con las
tecnologas FPGA y ASIC.
El propsito de la electrnica de potencia se obtiene mediante los
sistemas de electrnica de potencia, que se caracterizan por una alta
eficiencia.
La alta eficiencia repercute en ahorro en el consumo de energa, y
adems las bajas prdidas de potencia permiten reducir el volumen y el
peso del sistema de electrnica de potencia(S.E.P.)
Fig 1.01 La Electrnica de Potencia(6).
3
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.2 SISTEMA DE ELECTRONICA DE POTENCIA (SEP)
Energa
elctrica
disponible
Filtro
De
Entrada
Convertidor
Circuito de
potencia
Filtro
De
Salida
Actuadores
De los DSP
Circuito de Control Transductores
Carga
Flujo de
Potencia
Energa elctrica
modificada y
controlada
Fig. 1.02 Diagrama de bloques de un SEP(5)
1.2.2 FUNCIONES Y ELEMENTOS DE LOS BLOQUES DE UN SEP
1.2.1 DIAGRAMA DE BLOQUES
DENOMINACION FUNCION ELEMENTOS
Filtro de Entrada
Reducir la cantidad de
armnicos de corriente en la
fuente y minimizar las
interferencias
electromagnticas.
Capacitores
Inductores
Convertidor
(circuito de potencia)
Transformar la naturaleza de la
energa elctrica, utilizando
dispositivos semiconductores
de potencia(DSP) como
interruptores.
Thyristores
Transistores de potencia
Hbridos
Filtros de Salida
Adecuar la forma de onda de
voltaje del convertidor, al
requerido por la carga
Capacitores
Inductores
Actuadores de los DSP
Adecuar en potencia las
seales de control ,a los
requerimientos de los DSP.
Transformador de pulso
Optoacopladores
Transistores
Circuito de control Implementar la estrategia de
control del convertidor
Microcontroladores
Electrnica discreta
Transductores
Transformar las variables
mecnicas, elctricas,
trmicas, etc, de la carga ,en
seales elctricas.
Transformadores de
instrumentos
Termistores
Tacmetros
Encoders
Carga
Transformar la energa
elctrica en energa mecnica,
qumica, lumnica, trmica.
Motores
Hornos
Lmparas
4
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.3 FUENTES DE ENERGIA PRIMARIA
1.3.1 RED DE SUMINISTRO DE VOLTAJE ALTERNO
a)Acometida subterrnea(10)
b) Acometida area(10)
Fig 1.03 Acometidas en baja tensin
Se dispone de una red de voltaje
alterno de f= 60 hz, en los pases
americanos con diferentes niveles
de voltaje; En baja tensin se
normalizan los siguientes voltajes;
120, 120/240, 208/120.480/227
voltios.
La alimentacin en baja tensin se
realiza mediante acometida area o
subterrnea. Los conductores
areos de la acometida, van desde
un poste hasta el contador
elctrico.
En la acometida subterrnea, se
conectan los conductores a las
lneas reas de distribucin, y se
bajan por una tubera hasta tierra,
y se llevan en forma subterrnea
hasta el contador.
En las instalaciones industriales se
dispone a travs de una
subestacin de 13,2 o 34,5kv, de
voltajes en media tensin de
440/254 o 480/277v. El valor lmite
de perturbacin del voltaje es 10%
del valor nominal, el de la
frecuencia es 1Hz y el
desequilibrio admitido es 2%.
5
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1.3.2 BATERIAS
a) Estructura fsica
c) Circuito equivalente para el
modo activo (fuente)(6).
Fig. 1.04 Circuitos equivalentes
de la batera de cido plomo.
b) Circuito equivalente para
el modo pasivo (carga)(6).
Rdes
Son fuentes de energa recargables.
Las ms comunes son las de plomo
cido y la de nquel cadmio; por
consideraciones econmicas, la
ms utilizada es la de plomo-cido,
conformada por un nodo de bixido
de plomo, ctodo de plomo y
electrolito de cido sulfrico diluido
en agua.
El circuito equivalente para modo
pasivo lo conforman: Vint= Potencial
electroqumico interno; depende de
la temperatura y la concentracin
del electrolito; Rdes ,modela el
proceso de descarga interna; Rint ,
modela la resistencia del electrolito
y la estructura interna (celdas) ,
depende de la temperatura y
concentracin del electrolito. Cint
modela la capacitancia de las
placas; Rw y Lw, son la resistencia y
la inductancia de los cables
externos.
En el circuito equivalente en modo
activo, Vint representa la fuerza
electromotriz interna de la batera,
de naturaleza, electroqumica ;
depende de la temperatura y de la
concentracin del electrolito. Un
valor tpico de Rint= 0,1, para la
batera de 12 voltios. Lw tiene valor
de 500nH/m, cuando la relacin D/r
= 10; D= distancia entre cables, r =
radio de cable.
6
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1.3.3 GENERADOR EOLICO(2)
Fig. 1.05 Elementos de un
aerogenerador.(2)
Fig. 1.06 Conexin del
aerogenerador a la red
(2)
Se utiliza la energa del viento,
para generar energa elctrica.
Los elementos de un
aerogenerador son:
Palas del rotor (PR): El diseo, es
similar al ala de un avin, su
longitud depende de la potencia
(20 metros para 600Kw).
Caja de transmisin (CT) o tren
de engranajes, multiplica por casi
50 la velocidad de las palas. La
tendencia es a eliminarlas para
reducir peso y mejorar eficiencia.
El generador asncrono (GA) o
generador de induccin: la
potencia actual es de hasta 4Mw.
La conexin del aerogenerador a
la red (Fig. 1.06), se realiza
rectificando el voltaje trifsico del
generador elico, y acoplando el
voltaje DC mediante un
convertidor DC/AC(inversor), a la
red alterna de suministro elctrico.
El control del proceso de
acoplamiento se hace mediante
un microprocesador
7
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1.3.4 GENERADOR FOTOVOLTAICO
Fig. 1.07 Panel solar
Fig.1.08 Sistema de
generacin fotovoltaico(2)
A. P.
G. A.
G. F.
Cargas
C. A.
Cargas
C. D.
Red C. A.
Bateras
Utiliza la energa solar para
generar energa elctrica (DC),
mediante muchas celdas solares
asociadas en serie y en paralelo.
La tecnologa actual de las
celdas es en base a
semiconductores, y la eficiencia
es del 14 al 20%. Se investiga la
utilizacin de materiales
orgnicos.
Una limitacin del sistema es su
costo superior, con respecto a
otras alternativas de generacin.
Un elemento esencial del sistema
de generacin fotovoltaico (Fig.
1.08) es el acondicionador de
potencia (A.P.) cuyas funciones
son la conversin CD/CA y la
regulacin de carga de la batera.
El generador auxiliar (GA)
,mayoritariamente es un grupo
electrgeno, que sirve de
respaldo al generador fotovoltaico
(GF) y las bateras tienen como
funcin, regular la produccin de
energa de acuerdo a la
demanda.
8
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dt
dv
C
dt
) Cv ( d
dt
dq
c i = = =
1.04 MODELAMIENTO DE COMPONENTES ELECTRICOS Y
MAGNETICOS
1.04.1 EL CAPACITOR
1.04.1.1 GENERALIDADES
a) Geometra del capacitor
de placas paralelas
Fig. 1.09 El capacitor
V
Q
d
A
C =
e
=
El capacitor est conformado por 2
placas conductoras, separadas por un
material dielctrico, en donde se
establece una polarizacin dielctrica. El
valor de la capacitancia ideal es:
(1.01)
= Permitividad elctrica del aislamiento.
A = rea de las placas paralelas.
d = distancia entre placas.
Q = carga elctrica de cada placa.
V = Voltaje aplicado a las placas.
= Conductividad del dielctrico
La corriente que un capacitor intercambia
con un circuito es:
(1.02)
Se conocen tres clases de capacitores:
De dielctrico normal, electrolticos y de
doble capa.
El capacitor real difiere del ideal en 4
aspectos: ,
a)Existe i para V = Vdc.
b)Existe una L que puede generar
resonancia.
c)Se descarga naturalmente, al
desconectarlo de la fuente
c) Presenta prdidas de potencia.
9
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1.04 MODELAMIENTO DE COMPONENTES ELECTRICOS Y
MAGNETICOS
1.04.1.2 MODELO CIRCUITAL DEL CAPACITOR(6)
a) Circuito equivalente
general de un capacitor
b) Circuito serie normalizado
Fig. 1.10 Modelo circuital
del capacitor
) 03 . 1 (
C
tan
2
C
f
R
2
1
R ESR
w
W
o
~
e
+ =
) L 04 . 1 ( ESL
W
=
) 05 . 1 (
w
1
X
ESR
tan
c
= = o
C L
1
w
W
>
Las caractersticas reales del capacitor
se representan, en el circuito
equivalente general (fig1.10 a).
Rw y Lw modelan la resistencia e
inductancia, de los alambres
conductores de conexin.
Rf modela la resistencia de fuga,
responsable de la descarga del
capacitor y C es la capacitancia.
Mediante asociaciones serie y paralelo
del circuito equivalente general, se
puede reducir al circuito equivalente
serie normalizado(fig 1.10 b)
ESR=Resistencia equivalente serie
ESL=Inductancia equivalente serie
=ngulo de prdidas=Diferencia entre
el desfase ideal de la corriente(90) y
el desfase real
Para el capacitor se
comporta como un inductor
10
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.04 MODELAMIENTO DE COMPONENTES ELECTRICOS Y
MAGNETICOS
1.04.1.3 CLASES DE CAPACITORES
a) Electrolticos
b)Plstico
Fig. 1.10 Clases de capacitores
Los capacitores se caracterizan por los
siguientes valores nominales : Cn, Tole
rancia de Cn, Vn, Vp, In , Ifuga, y factor de
prdidas(tan ).
Los capacitores electrolticos tienen
como dielctrico xido de aluminio(fig
1.10a) o de tntalo. Tienen valores altos
de ESL, y ESR(Rf es baja) , y su voltaje
nominal es hasta de 500V, con
capacitancias de cientos de F. Son de
baja confiabilidad y se aplican en filtros
DC de entrada y salida, y en procesos
que requieran tiempos cortos de
almacenamiento de energa.
Los de plstico tienen alta resistencia de
aislamiento (pequeas corrientes de
fuga) y alta temperatura. Dependiendo
de la armadura, pueden ser tipo
M(metal) o MKT(metal vaporizado).Los
metalizados de poliester (fig 1.10 b)
presentan bajos valores de C (hasta
10F)y valores altos de Vn (40Kv).Se
aplican en filtros DC, para suprimir los
transitorios de conmutacin. El MKT se
utiliza en aplicaciones hasta de 600 V
Los metalizados de polipropileno tienen
valores altos de Vn e In y se aplican en
convertidores resonantes.
Los cermicos(fig1.10c) tienen un rango
de C entre 1p y 1F, pero varan
considerablemente con la temperatura,
voltaje y el tiempo
c)Crmico
11
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1.4.2 EL TRANSFORMADOR
1.4.2.1 ASPECTOS CONSTRUCTIVOS Y OPERACIONALES
a) Circuito
b) Modelo del circuito
magntico
Fig. 1.11 El transformador
Se forma con 2 circuitos elctricos,
acoplados con un circuito de material
ferromagntico de permeabilidad .
El flujo encadenado ()al circuito 1 de
N1 espiras es
(1.06)
= flujo mutuo
= flujo de dispersin del devanado 1
Para el circuito 2
(1.07)
Aplicando la ley de Ampere , al circuito
magntico sobre la trayectoria media
lm , se obtiene:
(1.08)
(1.09)
Reluctancia del circuito magntico
A=rea seccional del circuito magntico
El circuito equivalente de la ecuacin
1.09 se muestra en la fig. 1.11b
1 d
m
1 1 1
N
1
u + u = u u =
m
u
1 d
u
2 2
N
2
u =
2 d
m
2
u + u = u
m
i
1
N
m m
A
m
BA
2
i
2
N
1
i
1
N
m
B
= 9 u =

= + =

}

=
}

s
ds . J
l
dl . H
m
1
i
1
N
2
i
2
N
m
9
m
u
12
= 9
m
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1.4.2 EL TRANSFORMADOR
1.4.2.1 ASPECTOS CONSTRUCTIVOS Y OPERACIONALES
a) Circuito
c) Circuito equivalente
Fig. 1.11 El transformador
Se define: (1.10)
De 1.06 y 1.10
(1.11)
De la ley de Faraday
De ec. 1.10 y 1.11
Se define
(1.13 a)
Por analoga se obtiene:
(1.13b)
1 d 1
N )
2
i
2
N
1
i
1
N (
m
1
N
1
u + +
9
=
1
i
1 d
L
1 d 1
N = u
dt
2
di
m
2
N
1
N
dt
1
di
)
1 d
L
m
2
1
N
(
1
V
9
+ +
9
=
m
2
1
N
m
L
9
=
1 d
L
m
L
11
L + =
m
2
N
1
N
12
L
9
=
dt
2
di
12
L
dt
1
di
)
1 d
L
m
L (
1
V + + =
13
dt
2
di
12
L
dt
1
di
)
11
L (
1
V + =
dt
2
di
22
L
dt
1
di
)
21
L (
2
V + =
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRNICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFP
) 12 . 1 (
dt
2
d
2
N
2
V ;
dt
1
d
1
N
dt
1
d
1
V
|
=
u
=

=
De 1.14 y 1.15
(1.16)
En el primario se refleja la impedancia
del secundario, multiplicada por el
cuadrado de la relacin de
transformacin ( )
El transformador permite el cambio de la
impedancia
2
a
2
Z
2
2
I
2
V
2
2
I
2
V
1
I
1
V
1
Z a a
a
a
= = = =
1.4.2.2 EL TRANSFORMADOR IDEAL
1.4.2.3 ACOPLAMIENTO DE IMPEDANCIAS
Fig. 1.12 Modelo circuital
del transformador ideal.
Fig. 1.13 Transformacin
de impedancias.
1
i
2
i
2
V
1
V
2
N
1
N
a = = =
Conductor ideal: ; ;Material magntico
ideal:
Los puntos de polaridad ( ), representan los
puntos del transformador, cuyos potenciales
tienen simultneamente la misma polaridad.
Si
De 1.09 (1.14)
De 1.12 (1.15)
Las ecuaciones 1.14 y1.15,son el modelo
matemtico del transformador ideal
0
m
i 0
m
y
m
L 9
2 1
; 0
2
d
1
d u = u u = u
1
i
2
i
2
N
1
N
a = =
2
V
1
V
2
N
1
N
a = =
0
cu
r =
=
14
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.4.2.4 MATERIAL MAGNETICO REAL
1.4.2.5 MODELO DEL TRANSFORMADOR DE PERMEABILIDAD FINITA
Fig. 1.13 Curva de magnetizacin.
Fig. 1.14 Flujos con finito.
Fig. 1.15 Modelo circutal
con finito.
Se modela el transformador con material
magntico real( finito), pero sin prdidas
de energa en el hierro (se ignoran
corrientes parsitas y el fenmeno de
histresis ) y conductor elctrico ideal.).
De 1.09
(1.18)
(1.19)
(1.20)
Si los voltio-segundo ( ) , que se
aplican al primario, durante medio ciclo
sobrepasan un lmite, B se incrementa
hasta alcanzar la saturacin(condicin de
corto circuito)
0
d
L ,
m
i finito
m
finito = 9 =
1
N
2
i
2
N
1
i
1
N
m
i
+
=
}
= = dt '
1
V
m
L
1
m
i
dt
m
di
m
L '
1
V
}
=
}
= 2
T
0
dt '
1
V
A
1
N
1
Bs
0
dB
dt
dB
A
1
N '
1
V
0
m
L

m
i
}
dt
1
V
+

1
v
+

2
v
) t (
2
i
) (
1
t i
m
u
1 d
u
2 d
u
El material magntico real ( finito) se
caracteriza por la curva B-H (lnea
media de la curva de histresis).B es
proporcional al Voltaje inducido y H a
Im;
(1.17)
es variable.
La curva se linealiza a una recta de
pendiente promedio, y otra de
pendiente nula,(saturacin (Bs))
H
B
A
A
=
1
V
2
V
'
2
V
'
1
V
1 d
L
1
N
2
N
'
1
i
2
i
m
i
15
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
2 d
L
1.4.2. 6 TRANSFORMADOR DE PULSOS (1)
a) Circuito equivalente.
b) Circuito equivalente a BF.
c) Circuito equivalente a HF.
d) Formas de Onda
Fig. 1.16 Transformador de pulsos.
Se utiliza para aislar elctricamente
el circuito de control, del circuito de
potencia de un convertidor de E.P.
Generalmente el nmero de espiras
del primario, es igual al del
secundario.
La funcin del transformador es la
de transmitir el pulso de control, y
convertirlo en un pulso de disparo
del dispositivo semiconductor.
El voltaje aplicado al transformador
durante el tiempo que dure la seal
de control,debe satisfacer la
ecuacin 1.20 ,para que el ncleo no
se sature
(1.21)
Al aplicarle el pulso, el
transformador se comporta de
acuerdo al circuito equivalente para
alta frecuencia (HF), y pasado el
perodo transitorio, la salida del
transformador corresponde al
circuito equivalente de baja
frecuencia.(BF)
C1 y C2 son capacitancias propias
de cada bobinado, y Ca es la
capacitancia interdevanado.
sat
B
t
0
dt
1
v
A
1
N
1
s }
16
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.4.3 EL INDUCTOR
1.4.3.1 ASPECTOS CONSTRUCTIVOS Y OPERACIONALES
Un inductor es un circuito elctrico
(bobina), arrollado sobre un ncleo
magntico, de lminas de acero al
silicio (baja frecuencia), o ferrita
(alta frecuencia). Los ncleos
pueden ser de diferente forma:
toroidal, E-E, EI, C, etc.
Aplicando la ley de Ampere al
inductor toroidal(fig 1.18).
(1.22)
Definicin :
(1.23)
Ley de Faraday :
(1.24)
L se opone a los cambios
temporales de i (inercia
electromagntica) .
Si :
La saturacin del ncleo
magntico equivale a cortocircuitar
el inductor
}

}
=

s
ds J dl H
m
m
B
Ni
m
H

= =
m
n
A
2
N
i
n
NBA
i
L

= =

=
) i ( f L ) B ( f = =
dt
di
L
dt
dB
NA
dt
d
) t ( V
L
= =

=
0 V 0
dt
dB
) saturacin ( Bs B
L
= =
Fig. 1.17 Ncleos Magnticos
Fig. 1.18 Inductor Toroidal
17
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.4.3.2 COMPORTAMIENTO DEL INDUCTOR
1.4.3.2.1 EXCITACIN SENOIDAL
Fig. 1.19 Excitacin senoidal
Fig.1.20 Excitacin alterna cuadrada
1.4.3.2.2 EXCITACIN ALTERNA CUADRADA
(1.25)
La relacin VL/f debe ser
constante para impedir la
saturacin
}
=
wt
0
) wt ( d ) wt ( sen
n
wNA
V 2
B
wt cos
m
B wt cos
n
fNA 2
V 2
=
t

=
m
B
n
fNA 44 . 4 V V
L
= =
s
B
m
B s
a) Circuito
b) Formas de onda
v(t) = V 0 < t < T/2
(-V) T/2 < t < T
para
(1.26)
t dt
d
) t ( V ) t ( V
L
A
A
~

= =
min
max
= A
2
T
t = A
max
2 = A
max
B
n
NA
max
=
) t ( v
2
T
max
B
n
NA 2
V .
L
= ~
max
B f
n
NA 4 V
L
=
18
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
dt
dB
n
NA ) wt ( Vsen 2 ) t ( v = =
1.4.6.3 PERDIDAS DE POTENCIA EN COMPONENTES
MAGNETICOS
PERDIDAS POR HISTERESIS
PERDIDAS POR CORRIENTES PARASITAS
Fig. 1.21 Lazo de histresis
PERDIDAS EN EL COBRE
Fig. 1.22 Corrientes parsitas
Fig. 1.23 Efecto Piel
Las generan las corrientes inducidas
dentro del ncleo ferromagntico, por
el flujo variable del componente
magntico. Para reducir las prdidas,
se incrementa la resistividad del
material magntico(se adiciona silicio).
En alta frecuencia se utilizan cermicas
magnticas (ferritas).
Se generan por efecto Joule en la
resistencia del conductor. La resistencia
vara con la frecuencia (efecto
piel).Debido a la inductancia interna de
los hilos centrales del conductor, la
corriente se concentra en la periferia del
conductor ,al aumentar la frecuencia.
Se genera por el proceso de inversin
no elstico de los dipolos magnticos,
al invertirse H.
W disipada por ciclo = (volumen del
ncleo)*(rea del lazo de histresis)
* Volumen ncleo (1.27)
1.6 < < 2.0
o
=
m
B f
h
K
h
P
o
19
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.4.6.4 MODELO CIRCUITAL DEL INDUCTOR
Fig. 1.24 Modelo Circuital
1.4.6.5 CALCULO DE LA INDUCTANCIA SIN ENTREHIERRO
Fig1.25 Caracterizacin del ncleo.
Wa=LwHw
An = rea seccional del ncleo
WaAn = rea producto
:modela las prdidas en el cobre
del inductor(efecto Joule).
: modela las prdidas en el ncleo
magntico, debido a los fenmenos
de histresis y corrientes parsitas.
= f ( , ,frecuencia)
L: modela el almacenamiento de
energa en el campo magntico.
L = f (geometra, i)
cu
R
n
R
n
R
m
B
(1.28)
= rea del conductor de cobre
= Factor de utilizacin de la ventana
De 1.28
;
(1.29)
Bm=f(im)(curva de magnetizacin)
De 1.28 y 1.29
(1.30)
El rea-producto del ncleo,
determina la inductancia mxima,
que se puede obtener con un ncleo.
I
J
u
K
a
W
cu
A
u
K
a
W
N = =
I
n
NBA
I
N
I
L =
|
=

=
m
I
m
B
n
NA
max
L =
I
m
I
m
JB
u
K
n
A
a
W
max
L =
u
K
cu
A
N
w
H
w
L
a
W = =
cu
A
u
K
n
R
L
i
V
cu
R
dt
di
L
L
V =
w
L
w
H
n
A
20
n
R
cu
R
V
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.5 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES IDEALES
1.5.1 DIODOS - TIRISTORES
Tabla 1.01 Smbolo, Caracterstica v-i ideal de dodos y tiristores.
DISPOSI
TIVOS
SIMBOLO
CARACTERISTICAS V-I
IDEAL
CONDICIONES
OPERATIVAS COMO
INTERRUPTOR
DIODO
SCR
TRIAC
GTO
MCT
g
i
0
0
0
>
<
>
AK
V
AK
V
AK
V
0
0
0
=
>
<
GK
V
GK
V
GK
V
0
0
0
=
=
>
i
i
i
off
S
off
S
on
S
0
0
0
>
>
>
AK
V
AK
V
AK
V
0
GK
i
0
GK
i
0
GK
i
=
<
>
0
0
0
=
=
>
i
i
i
off
S
off
S
on
S
0
0
=
>
i
i
0
0
<
>
AK
v
AK
v
off
S
on
S
0
0
>
>
AK
v
AK
v
0
0
=
>
GK
i
GK
i
0
0
=
>
i
i
0
2 1
V
0
2 1
V
0
2 1
V
<

>

<

MT MT
MT MT
MT MT
0
0
0
=
>
>
i
i
i
off
S
on
S
on
S
0
g
i
0 g
i
0 g
i
0
g
i
0
g
i
=
>
<
>
<
21
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
i
1.5.2 TRANSISTORES DE POTENCIA
Tabla 1.02 Smbolo, Caracterstica v-i ideal de transistores
DISPOSITIVO
S
SIMBOLO
CARACTERISTICAS V-I
IDEAL
CONDICIONES
OPERATIVAS COMO
INTERRUPTOR
BJT(NPN)
MOSFET
CANAL N
IGBT
SIT
0
0
s
>
B
i
B
i
0
0
=
>
C
i
C
i
off
S
on
S
0
0
s
>
GS
V
GS
V
0
0
=
>
D
i
D
i
off
S
on
S
off
S
on
S
off
S
on
S
0
0
s
>
GE
V
GE
V
0
0
=
>
C
i
C
i
0
0
s
>
GS
V
GS
V
0
0
=
>
D
i
D
i
22
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
Tabla 1.03 Caracterstica de control de dispositivos semiconductores.
1.5.3 CARACTERISTICAS DE CONTROL DE
LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA(14)
23
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.6 CIRCUITOS EXCITADOS POR FUENTES CONTINUAS
1.6.1 CIRCUITO RC
b) Forma de onda de Vc.
a) Circuito.
Fig. 1.26 Circuito RC.
(1.31)
(1.32)
RC
t
S
V
R
V
RC
t
R
S
V
i
e
e

=
|
.
|

\
|

=
RC
t
1
S
V
C
V e
( )
}
= + + = = 0 t V idt
C
1
iR V E
C S
0 ) 0 t (
c
V = =
Si
( )
t

=
t
1
S
V
C
V e
Definicin: =Constante de t RC =
En t=0+ el capacitor se comporta
como un corto circuito.
t

=
t
e
R
Vs
i
R
Vs
Im =
Para
Se considera ,el fin del
proceso transitorio
En , el capacitor se compor
ta como un circuito abierto
Im
3
10 7 i , 5 t
Im 368 , 0 i , t

= t =
= t =
t = 5 t
t = 5 t
Para t = , Vc = 0.632Vs t
c) Forma de onda de
c
i
24
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
Fig. 1.27 Circuito RL
1.6.2 CIRCUITO RL
Se considera el fin del
proceso transitorio.
En , el inductor se comporta
como un corto circuito.
Vs
3
10 7
L
V , 5 t
Vs 368 , 0
L
V , t

= t =
= t =
t = 5 t
t = 5 t
t

=
t
S
V
L
V e
Si
(1.33)
(1.34)
Definicin: Constante de tiempo
Para
En t=0+ el inductor se comporta como
circuito abierto.
( )
t
L
R
1
S
V
R
V e

=
( ) 0 0 = = t i
( )
t
L
R
1
R
S
V
i e

=
t
L
R
S
V
L
V e

=
R
L
= t
t = t
Im 632 , 0 )
t
e 1 Im( i =
t

=
R
Vs
Im =
Para
) 0 t ( i
dt
di
L iR Vs E = + + = =
25
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
a)Circuito
b)Forma de onda de i
c)Forma de onda de vL
c) Forma de onda de Vc.
a) Circuito.
b) Forma de onda de i.
Fig. 1.28 Circuito LC.
) 0 t ( Vc idt
C
1
dt
di
L
S
V E =
}
+ + = =
( ) 0 0 = = t i
( ) 0 0 = = t Vc
El circuito oscila con una frecuencia
angular de .
Se transfiere la energa del campo
magntico del inductor a la del
capacitor y viceversa.
(1.35)
(1.36)
(1.37)
En , se invierte el voltaje
en el inductor, y el voltaje en el
capacitor es la suma del voltaje de la
fuente, ms el del inductor.
LC
1
Wo =
t
o
senw
L
C
Vs i =
t
o
w cos Vs
L
V =
) t
o
w cos 1 ( Vs Vc =
2
LC
t
t
=
1.6.3 CIRCUITO LC

26
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.6.4 CIRCUITO LC DE FUNCIONAMIENTO LIBRE
Fig. 1.29 Circuito LC oscilante.
a) Circuito.
b) Forma de onda de i, Vc,VL
Este circuito se utiliza para el
apagado forzado de los SCR,
cuado se utilizan en circuitos de
corriente continua.
0
C
V
L
V = +
0 idt
C
1
dt
di
L = } +
( )
o
C
V 0 t
C
V = =
s
Vc
Is
sC
1
) s ( LsI 0
0
+ + =
( )
LC
1
2
s L
0
C
V
Is
+
=
LC
1
2
0
w =
t
o
w cos
Co
V
L
V Vc = =
( ) t
o
senw
L
C
o
c
V t i =
L
C
o
c
V
m
I =
( ) t
senw
o
m
I t i =
= Frecuencia angular de oscilacin
(1.38)
(1.39)
o
w
+

27
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.7 MODELAMIENTO DE INTERRUPTORES
1.7.1 CARACTERISTICAS DE UN INTERRUPTOR IDEAL
1.7.2 CARACTERISTICAS DE UN INTERRUPTOR REAL
1.7.3 CARACTERISTICAS DE UN INTERRUPTOR EN CONMUTACION
S abierto( i = 0 para cualquier Vab).
S cerrado( Vab. = 0 para cualquier i).
Fig. 1.31 Interruptor real.
Fig. 1.30 Interruptor ideal.
El interruptor conmuta a una frecuencia de
conmutacin (fc)
(1.40)
Se define relacin de trabajo (D).
(1.41)
ton = tiempo que dura S cerrado
toff = (1 D )Tc (1.42)
toff= tiempo que dura S abierto.
c
T / 1 fc =
T
c
on
t
D =
S abierto; i muy pequeo para
S cerrado;, pequeo para
Los interruptores se caracterizan por
valores nominales de voltaje y corriente,
que no se pueden sobrepasar. Los
semiconductores de potencia se
comportan en un SEP, como
interruptores reales.
nom V
ab
V s
nom I i s
ab V
28
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
Fig. 1.32. Interruptor
conmutado
1.8 CIRCUITOS CONMUTADOS CON EXCITACIN CONSTANTE
1.8.1 CIRCUITO RESISTIVO
1.8.2 CIRCUITO CAPACITIVO
Fig. 1.33 Circuito resistivo
Fig. 1.34 Circuito capacitivo .
a) Circuito no operativo.
b) Circuito modificado
Al cerrar S (1.44)
Al abrir S, desaparece el camino para la
corriente, y el voltaje de la fuente tiende a
infinito.
Se debe modificar el circuito, adicionando un
resistor en paralelo a la fuente de corriente.
El voltaje en el capacitor no es peridico,
sino que crece indefinidamente.
t
C
I
idt
C
1
C
V =
}
=
} = ) (
Tc
0
dt
R
V
c
T
1
R
V
DE
R
V = ) (
(1.43)
= ) (
R
V Voltaje medio en el resistor
29
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.8.3 CIRCUITO INDUCTIVO
Al cerrar S
Si
(1.45)
Al abrir S en t = t1
La corriente desaparece sbitamente
(1.46)
El circuito no es operativo (colapsa el
aislamiento)
Se adiciona en antiparalelo con el
inductor, un dodo (dodo de rueda libre)
para que la corriente sea una funcin
continua ( di/dt es de valor finito).El
dodo provee un camino alterno para la
corriente
La corriente en el inductor crece
indefinidamente ,al aumentar el tiempo.
Este comportamiento no ocurre en la
realidad.
) 0 t (
+
=
E
dt
di
L V
L
= =

dt
di

L
V
;
1
t
L
E
)
1
t t ( i =

=
0 )
1
t t ( i =
+
=
0 ) 0 t ( i =

=
t
L
E
i =
Fig. 1.35 Circuito inductivo
a) Circuito no operativo
b) Circuito modificado
c) Forma de onda de iL
30
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.8.4 R L CONMUTADO
El dodo de rueda libre provee continuidad
en la corriente al abrir S. En regimen
permanente la conmutacin peridica del
interruptor , hace que las variables corriente
y voltaje ,sean peridicas
(1.47)
El voltaje promedio del inductor en rgimen
permanente es nulo.
Aplicando Kirchhoff para voltajes promedios
(1.48)
Para
(1.49)
Para
(1.50)
C
DT t 0 s s
DTc t ; R i E
t
i
L
L
L
= A > < ~
A
A
> >=< < + > =< >= < R i
R
V V DE
d
V
L L
R
DE
L
i >= <
L
C
DT ) D 1 ( E
i
L

~ A
C
T t
C
DT s s
Tc ) D 1 ( t ; R i
t
i
L
L
L
= A > < ~
A
A
L
) D 1 ( DET
i
C
L

= A
a) Circuito.
b) Formas de onda
Fig. 1.36 Circuito R L
31
}
+
>= < = =
}
+
+ =
T t
t
0 V LT di L
T t
t
dt V
T) (t i (t) i
L L L
L L
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.8.5 CIRCUITO RC
Fig. 1.37 Circuito R C
conmutado
b) Formas de onda en
rgimen permanente
a) Circuito
La conmutacin del interruptor hace
que las variables de corriente y
voltaje sean peridicas, con perodo
igual al de conmutacin
(1.51
La corriente promedia en un
capacitor ,en rgimen permanente
es nula. Aplicando Kirchhoff de
corrientes, para valores promedios
Para
(1.52)
(1.53)
( )
}
+
= ) ( = = }
+
=
+ =
T t
t
0
c
i T
c
dV C
T t
t
dt
c
i
dt
c
dV C
c
i
T t
c
V ) t ( V
C
2
DIR
2
R i
c
V
d
V
DI i
c
i
d
i
2 R
2 R
= ) ( = ) ( = ) (
= ) ( + ) ( = ) (
C
I ) D 1 (
c
DT
c
V
i
t
c
V
C ;
c
T t
c
DT
C
c
DT ) D 1 ( I
c
V
2
R
d
V
I
t
c
V
C
2 R

= A
> < =
A
A
s s

= A
> <
=
A
A
c
DT t 0 s s
32
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
Se define por perodo de una seal
peridica, al intervalo de tiempo en el
cual la variable adquiere el mismo
valor
v(t) = v (t + T)
T = perodo
La seal bipolar es positiva y
negativa ,dentro del perodo.
Se define valor medio de la seal a
(1.55)
Si la seal es simtrica con respecto
al eje de las abscisas, el valor medio
es nulo.
Se define valor eficaz o rms a
(1.56)
El valor eficaz se asocia a la
transferencia de energa
Para la seal alterna cuadrada
(1.57)
Para la seal senoidal
(1.57b)
medio Valor
T
0
Vdt
T
1
V
}
= >= <
} =
T
0
dt
2
v
T
1
e
V
2
m
V
e
V =
V
e
V =
1.9 CARACTERISTICAS DE SEALES
1.9.1 SEALES PERIODICAS BIPOLARES
Fig. 1.38 Seal peridica bipolar
a) Seal alterna cuadrada
b) Seal senoidal
33
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.9.2 SEAL PERIODICA UNIPOLAR
Fig. 1.39 Seal peridica unipolar
}
= >= <
T
0
0 ) dt ( i
T
1
i
El valor medio se asocia con
transferencia de carga
Si (1.58)
i=Componente alterna de i sobre
<i>.
Factor de rizado
Factor de forma
La modulacin del ancho de
pulso(PWM), se refiere al control
del valor promedio local de una
variable conmutada ( )
Duracin del pulso=dTc
Para la fig 1.40 d(relacin de
trabajo) vara de acuerdo a una
ley senoidal. En rojo se muestra
En los convertidores de E.P.
conmutados a alta frecuencia ,las
variables presentan componentes
de AF debido a la conmutacin ,y
de BF debido a los cambios de la
carga o de la fuente
) t ( i i i
'
+ > =<
) 59 . 1 (
i
'
e
I
R
F
> <
=
) 60 . 1 (
i
e
I
f
F
> <
=
34
1.9.3 SEAL PERIODICA PWM
Fig 1.40 Seal peridica PWM
) 61 . 1 (
t
T
s
t
d ) (
v
T
s
1
v
A A
}

t t =
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
v
A
v
A
v
A
1.10 CIRCUITOS CON EXCITACIN SENOIDAL Y CARGA LINEAL
1.10.1 CIRCUITO R-L
REGIMEN TRANSITORIO
Si
(1.62)
(1.63)
REGIMEN PERMANENTE
(1.64)
Se define potencia activa o real ,a la
potencia promedio consumida en el circuito
(1.65)
<p> se asocia a la transferencia de energa
}
= ) (
T
0
) t ( p
T
1
p
wt 2 sen sen
2
m
I
m
V
|
| = =
| =
) wt 2 cos 1 ( cos
2
m
I
m
V
s
i
s
v ) t ( p
) wt ( sen
m
I
s
i
)
R
wL
(
1
tg
2
R
2
) wL ( z
) wt ( sen
Z
m
V
L
Rt
e ) sen
Z
m
V
o
I (
s
i

= | + =
| +

| + =
dt
di
L iR senwt
m
V
s
V + = =
Io ) 0 t ( i = =
35
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
| = ) ( cos I V p
e e
a)Circuito
b)Formas de onda
Fig.1.40.Circuito R-L con
Excitacn senoidal
s
E
1.10 CIRCUITOS CON EXCITACIN SENOIDAL Y CARGA LINEAL
1.10.1 CIRCUITO R-L
La potencia reactiva q(t) se expresa por
(1.66)
<q(t)> = 0 (No aporta a la transferencia de
energa.).
La demanda de q(t), se asocia a la
generacin de campos magnticos
(1.67)
La corriente atrasa al voltaje.
El diagrama fasorial del circuito (fig 1.40 c)
muestra la posicin relativa de la corriente
en el circuito, en relacin con el voltaje en un
plano complejo
Se define potencia aparente(S)
(1.68)
(1.69)
Kp = Factor de potencia
EL tringulo de potencias(fig.1.40 d) muestra
la relacin entre las tres potencias
| = =

=
| + | = + =
cos
S
P
p
K
*
s
I
s
V S
sen
e
I
e
jV cos
e
I
e
V jQ P S
L
) fasor ( )
j
(
e
I
s
I
}
jwt j
m
I { imag ) wt ( sen
m
I
s
i
e
e e
|
=

|
= | =
wt 2 sen sen
e
I
e
V ) t ( q | =
36
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
c)Diagrama fasorial
d)Tringulo de potencias
Fig.1.40 Circuito R-L con
Excitacin senoidal
1.10.2 CIRCUITO R - L - C
a) Circuito
b) Diagrama fasorial
d) Tringulo de potencias
Fig. 1.41 Circuito R LC ccn
excitacin senoidal
REGIMEN PERMANENTE
(1.70)
(1.71)
Los requerimientos de potencia reactiva
del capacitor y del inductor son opuestos
en el tiempo(contrafase).El inductor retorna
potencia reactiva a la fuente cuando el
capacitor la solicita .
(1.72)
(1.73)
Los requerimientos de reactivos de una
carga R L, asociados a la generacin del
campo magntico(B), se pueden proveer
mediante los reactivos demandados por un
capacitor ,asociados a la generacin de l
campo elctrico(E.)En E.P. ocurren
situaciones, en las cuales la demanda de
reactivos no esta asociada a la generacin
de campo elctrico o magntico.
R
c
X
L
X
1
tg ;
c
X )
L
JX R ( Z
R
i
L
i
s
i
dt
c
i
C
1
dt
L
di
L R
L
i
) wt ( sen
Z
m
V
s
i
senwt
m
V Vs

= | + =
+ =
} = +
| =
=
=
2
)
c
Q
L
Q (
2
P
P
cos
P
)
c
Q
L
Q (
tg
+
= |

= |
i
L
i
C
i
S
i
L
|
S
J (Q
L
Q
C
)
JQ
L
JQ
C
s
E
37
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
Fig. 1.42 Formas de onda
de un circuito no lineal con
excitacin no senoidal.
1.11 FLUJO DE POTENCIA EN REDES NO LINEALES Y
EXCITACIN NO SENOIDAL
Solamente las componentes de igual frecuencia de la corriente y el
voltaje, contribuyen a la transferencia de energa.
+ u | + u | + =
}
t
=
o t
}
t
=
}
t
=
} }
= = >= <
)
2 2
cos(
2
2
I
2
V
)
1 1
cos(
2
1
I
1
V
o
I
o
V
i
P
con
0
2
0
dx ) nx cos( ) mx ( sen
mn
2
0
dx ) mx cos( ) nx cos(
2
0
dx ) mx ( sen ) nx ( sen
T
0
dt
i
I
i
V
T
1
pdt
T
1
i
P P
0 m n
mn=
1 m = n
(1.76)
(1.77)
( )
2
m
B
2
m
A
m
V ;
m
B
m
A
1
t an
m
1 m
m
mwt sen
m
I
o
I
1 m
mwt ( sen
m
B ) mwt cos(
m
A
o
I
i
i
2
n
B
2
n
A
n
V
n
B
n
A
1
tan
n
1 n
)
n
nwt ( sen
n
V
o
V
1 n
) nwt ( sen
n
B ) nwt cos(
n
A
o
V
i
V
+ =

= u

=
u + + =

=
) + ( + =
+ =

= |

=
| + + =

=
+ + =
(1.74)
(1.75)
38
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.12 FACTOR DE POTENCIA Y DISTORSION DE CIRCUITOS CON
FUENTES SENOIDALES Y CARGAS NO LINEALES
En una carga no lneal, si la excitacin
(voltaje) es senoidal, la respuesta
(corriente) no es senoidal ,y si la potencia
de la carga es pequea comparada con la
fuente, la distorsin de la corriente afecta
muy poco al voltaje.
) 78 . 1 ( S K
d
K
1
cos
e
I
1
I
e
VI S
p
K P
T
0
1
cos
1
VI dt
s
i
s
v
T
1
P P
)
n
nwt ( sen
n
I
0 n
2
s
i
) wt ( Vsen 2
s
v

= = =
} | = = >= <
| +

=
=
=
Fig. 1.43 Formas de onda de un
circuito no lineal y excitacin
senoidal
39
) 81 . 1 ( 1
2
d
K
1
2
1
I
1 n
n
I
cos armni de total Distorsin THD
) 80 . 1 ( fuente la de eficaz Corriente
1 n
2
n
I
e
I
distorsin de Factor
e
I
1
I
d
K
) 79 . 1 ( nto desfasamie de Factor
1
cos K
) a 78 . 1 ( potencia de Factor S P
p
K
=
=
= =

=
=
=
| =
|
=

INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS


1.13 FILTROS
1.13.1 FILTRO DE ENTRADA
a) Diagrama de bloques
b) Formas de onda
Fig. 1.44 Filtro de entrada
1.13.2 FILTRO DE SALIDA
a) Diagrama de bloques
b) Formas de onda
Fig. 1.45 Filtro de salida de un
SEP.
La naturaleza de la carga y el
modo de operacin del convertidor,
distorsionan la corriente de
entrada( ) al convertidor
(THD 0) que demanda de la
fuente, lo que produce armnicos
de corriente que generan
interferencia electromagntica y
una condicin de transferencia de
energa indeseable para la fuente.
El filtro de entrada ideal debe
producir una corriente en la fuente
( ) libre de armnicos (THD = 0),
para evitar la interferencia
electromagntica en los equipos
adyacentes, y mejorar la
transferencia de energa,
reduciendo el THD y el factor de
potencia
e
i
s
i
El voltaje de salida del convertidor
(Vd ) presenta una forma de onda
con un diferente de cero.
En algunos convertidores la
carga requiere un voltaje continuo
( = 0), en otros un voltaje
senoidal , y el filtro de salida ideal,
debe transformar el voltaje de
salida del convertidor, al voltaje
ideal requerido por la carga.
R
F
R
F
40
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
La serie de Fourier de es :
Los interruptores P cierran cuando se
inicia el semiciclo positivo, y los N con
el semiciclo negativo.
Los interruptores P y N son
complementarios (Dp+Dn=1) y (Dp=
Dn)
El voltaje promedio en la carga es
(1.82)
t
>= <
}
t
t
= ) (
V 2
m
d
V
0
) wt ( d ) wt ( sen
V
m
1
d
V
) nwt ( cos
.. 4 , 2 n
) 1 n )( 1 n (
1
V 4
m
V 2
m
d
V

=
+ t

t
=
(1.83)
El armnico dominante es n=2.Para
minimizar ste armnico se utiliza un
Filtro LC
La funcin de L es atrapar los arm
nicos de voltaje y la funcin de C es
servir de by-pass a los armnicos
de corriente , para minimizar el factor
de rizado en la carga
El clculo de L y C se har en la
unidad III
1.14 TOPOLOGIAS DE CIRCUITOS CONVERTIDORES
1.14.1 CONVERTIDOR CA/CD NO CONTROLADO CON
CUATRO INTERRUPTORES
a )Circuito
b) Forma de onda
c) Convertidor con filtro LC
Fig. 1.46 Convertidor CA/CD no
controlado.
d
V
N
N
P
P
wt sen
m
V
ac
V =
R
d
v
+

d
v

+
dc
V
ac
V
N
N
P
P
C
L
41
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
La serie de Fourier de es :
Cada fuente transporta corriente
solamente durante un semiciclo.
La operacin de este convertidor es
idntica al convertidor que utiliza 4
interruptores .En la prctica las dos
fuentes en serie se obtienen con un
transformador, cuyo secundario
tenga una derivacin
(tap)intermedio(fig.1.47 a)
Se requieren dos fuentes
conectadas en serie(dos
arrollamientos iguales del
secundario) y dos interruptores un
P y un N(fig. 1.47 a).Al iniciarse el
semiciclo positivo cierra P, y al
iniciarse el semiciclo negativo
cierra N. Las fuentes trabajan
alternadamente .
(1.82)
t
>= <
}
t
t
= ) (
=
V 2
m
d
V
0
) wt ( senwtd
s
V
1
d
V
) wt ( sen
V
m
ac
v
) nwt ( cos
.. 4 , 2 n
) 1 n )( 1 n (
1
V 4
m
V 2
m
d
V

=
+ t

t
=
(1.83)
1.14 TOPOLOGIAS DE CIRCUITOS CONVERTIDORES
1.14.2 CONVERTIDOR CA/CD NO CONTROLADO CON DOS
INTERRUPTORES
a )Circuito
b) Forma de onda
Fig. 1.47 Convertidor CA/CD no
controlado con 2 interruptores
42
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
d
v
1.14.3 CONVERTIDOR CA/CD CONTROLADO
a) Circuito
b) Forma de onda del
voltaje de salida.
c) Forma de onda de corriente
en la fuente.
Fig. 1.48 Convertidor CA/CD
controlado.
Los interruptores P cierran en wt = ,
despus de iniciado el semiciclo positivo,
y los interruptores N cierran en wt = ( +
).
Los interruptores P y N son
complementarios (Dp +Dn=1) ,y tienen
idntica relacin de trabajo(Dp= Dn)
S
(1.84)
Para menor a 90, Vd es positivo y la
energa fluye de CA a CD, en regimen
permanente(Rectificador).Para menor a
180y mayor a 90 ,Vd es negativo y la
energa fluye de CD a CA en regimen
transitorio(Inversor)
La naturaleza altamente inductiva de la
carga( ) distorsiona la corriente
de la fuente alterna, trasformndola en
una corriente alterna rectangular.
Los interruptores deben tener capacidad
para soportar voltaje bipolar.
o
t
=
}
o + t
o
t
= ) (
~
t
>
cos
m
V
2
) wt ( d ) wt ( sen
m
V
1
d
V
d
I
d
i
w
2
10
R
L
R 20 wL t ))
s
i
43
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.14.4 CONVERTIDOR CD/CA CONMUTACION A BAJA FRECUENCIA
a) Circuito
b) Voltaje de salida.
Fig. 1.49 Convertidor CD/CA
conmutado a baja frecuencia.
a
V
a
i
Si es de baja frecuencia ,los
interruptores conmutan a baja frecuencia.
Los interruptores deben tener capacidad
bidireccional de corriente.
(1.85)
El estado = 0 (S1 y S3,o S2 y S4
cerrados) tiene una duracin de 2.
Si se pueden ignorar los
armnicos de
(1.86)
(1.87)
(1.88)
depende de la naturaleza de la carga.
es la variable de control de la
potencia
w
2
R
L t
>>
t
o
=
}
o t
o
t
=
2
1
dc
V ) wt ( d
2
dc
V
2
ac
V
1
cos
2
cos
2
R
2
) wL (
2
2
Vdc 8
P
1
cos
2
1
a
I
1
a
V
P P
cos
dc
V 4
) wt ( d senwt
dc
V 2
1 a
V
2
0
) wt ( senwtd
a
V
1
1
Va ;
2
R
2
) wL (
1
a
V
1
a
I
R
wL
1
tan
1
);
1
wt ( sen
1
Ia
a
i
u o
+ t
=
= u = = ) (
o
t
= }
o t
o
t
=
}
t
t
=
+
=

= u u =
1
u
c)Formas de onda
44
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
wt
1.14.5 CONVERTIDOR CD/CA CON MODULACION DEL ANCHO DE PULSO
a) Circuito de potencia
b) Formas de onda en la
carga(5)
c) Formas de onda del
circuito de control(5)
Fig. 1.50 Convertidor
CD/CA PWM
Los interruptores S1 yS2
conmutan a alta frecuencia con una
relacin de trabajo(d) variable
segn una ley senoidal.S3 y S4
conmutan a baja frecuencia.S1
funciona con S4 y S2 con S3
d(t) = K |sen(wt)| (1.89)
K = magnitud de modulacin. Es la
amplitud de la seal rectificada de
sen(wt) del circuito de control
La frecuencia del voltaje en la
carga es la de conmutacin de S3 y
S4
La forma de onda de Va esta
conformada por pulsos, cuya
duracin vara con una ley
senoidal, lo que determina que el
valor promediado durante el tiempo
que dura el pulso(valor promedio
local) es senoidal El inductor
acta como filtro para la corriente
de alta frecuencia. La amplitud de
la fundamental del voltaje en la
carga, se vara con K.
Todos los interruptores deben tener
capacidad bidireccional de
corriente, para permitir el flujo de
potencia reactiva de la carga a la
fuente.
1
S
2
S
3
S
4
S
va
+

L R
45
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
va
va
1.14.6 CONVERTIDOR CD/CA RESONANTE
Utiliza dos interruptores conmutados y
un filtro resonante(L-C) en serie con la
carga ,cuya funcin de trasferencia vara
significativamente con la frecuencia.
(1.90)
w=Frecuencia de conmutacin de los
interruptores = frecuencia angular del
voltaje en la carga
(1.91)
(1.92)
=Amplitud de la componente
fundamental.
Variando w se regula la potencia
entregada a la carga.
Esta topologa se utiliza con alta
frecuencia de conmutacin, para
aplicacin en hornos de induccin.
jwCR LC
2
w 1
jwC
) jw ( Y
jwC
jwCR LC
2
w 1
jwC
1
jwL R Z
+
=
+
=
+ + =
DC
DC
V
4
1 a
V
ac
V
) resonancia (
o
w
LC
1
w Si
R ) jw ( Y
a
V
ac
V
)
6 , 3 , 1 n
nwt ( sen
n
V 4
a
V
t
= ~
= =
=

=
t
=
1 a
V
46
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
a)Circuito
b)Formas de onda
Fig.1.51 Convertidor CD/CA
resonante
1.14.7 CONVERTIDORES CD/CD ALTA FRECUENCIA
1.14.7.1 CONVERTIDOR CD/CD DIRECTO
D es la relacin de trabajo de y por ser
complementario, la relacin de trabajo
de es 1 D.
Si la transferencia de energa es de 1
hacia 2, se infiere: .
Se denomina convertidor directo, por
que hay un camino para la corriente DC
entre el puerto 1 y el 2.
(1.93)
(convertidor reductor.)Si el flujo
de energa es de 2 a 1, el convertidor es
elevador.
Para minimizar el rizado de corriente en
el puerto de entrada ( ), se coloca un
capacitor a la entrada, y para minimizar
el rizado del voltaje de salida ( ) ,se
coloca un inductor en serie con la carga.
Para minimizar el tamao del filtro (L, C),
se utilizan altas frecuencias de
conmutacin, en el orden de decenas de
Khz,. Una aplicacin tpica de este
convertidor(fly-back) es en la fuente de
poder de TV, computadoras etc.
1
S
0
2
i
2
v 0
1
i
1
v < >
0
2
i 0
2
V ; 0
1
i 0
1
V < > > >
0 . 1 D 0 ;
1
DV
2 s
V
2
V
,
2
V
2
V
L
V
2 s
V
s s >= =<
>= >=< < + > <
1
V
2
V <
1
i
2
v
47
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
2
S
a)Circuito
b)Formas de onda
Fig.1.52Convertidor CD/CD
directo
1.14.7.2 CONVERTIDOR CD/CD INDIRECTO
No existe un camino para la corriente
DC, entre el puerto 1 y el 2.
Si la transferencia de energa es del
puerto 1 al 2, se infiere
De la forma de onda de ,se infiere:
(1.94)
El convertidor invierte el voltaje;
Si (elevador)
Si (reductor)
L atrapa los armnicos de voltaje,
para que no aparezcan en el puerto
de salida (V2).
y forman un bypass a las
armnicas de corriente, para que no
aparezcan en el puerto de entrada(
C1 contribuye a reducir la impedancia
del puerto 1. El convertidor cambia de
reductor a elevador variando la
relacin de trabajo.
D 1
D
1
V
2
V
0 T ) D 1 (
2
V DT
1
V

=
= +
0
2
i
2
v 0
1
i
1
v < >
L
V
i
1
1
C
2
C
1
V
2
V 5 , 0 D
1
V
2
V 5 , 0 D
< s
> >
48
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
2 s
i
1.14.7.2 CONVERTIDOR CD/CD CON ENCADENAMIENTO CA
a) Diagrama de bloques
Fig. 1.54 Convertidor CD/CD con
encadenamiento en CA.
Los convertidores de alta
frecuencia de conmutacin
tienen un lmite para el
voltaje de salida, debido al
parmetro de esfuerzos
(Vpico * Ipico) de los
semiconductores.
Para obtener relaciones
altas entre el voltaje de
salida al de entrada, se
utiliza.
a) Un convertidor CD/CA
b) Un transformador para
cambiar el nivel de
voltaje y aislar
elctricamente la salida
de la entrada.
c) Un convertidor CA/CD
La desventaja es el mayor
costo por duplicidad de
semiconductores, filtros y
sistemas de control.
DC
DC
AC
AC

+
1
V

+
1 N
V
2 : 1 N N
2 N
V
2
V
49
b)Formas de onda
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1.14.8 CONVERTIDORES CA/CA
1.14.8.1 CONVERTIDOR CA/CA CONTROLADOR CA
a) Circuito
b) Forma de onda
c) Factor de potencia
Fig. 1.55 Controlador CA
El controlador CA es la topologa
ms simple del convertidor
CA/CA. Se modifica el voltaje
eficaz de C.A. en la salida,
eliminando pedazos simtricos del
semiciclo positivo y del negativo
del voltaje de entrada.
(1.95)
Para carga resistiva
(1.96)
,el ngulo de disparo,es un factor
operativo.
La frecuencia del voltaje de salida
es la misma frecuencia de
entrada.La potencia reactiva que
demanda este sistema, no est
asociada a la generacin de
campos magnticos.
Las aplicaciones tpicas del
controlador son para regular la luz
incandescente (dimmer) y para
controlar la velocidad de
pequeos motores universales
(mquinas de coser, herramientas
porttiles)
)
2
2
(
1
2
) (
2 2
2
2
o
o t
t
t
o
t
sen
s
V
wt wtd sen
s
V
o
V
+ =
}
=
o
t t
o
2
2
1
1 sen
S
P
p
K + = =
50
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
d
v
d
v
p
k
o
Si se controla el ngulo, al cual se cierran los interruptores () de
acuerdo a una ley senoidal , = K senwt, la forma de onda de Vd se
muestra en la fig 1.52c.El valor promedio local resulta una senoidal
t
2
w
2
V
d
V sen =
1.14.8.2 CONVERTIDOR CA/CA CICLOCONVERTIDOR
Si los interruptores P estn
sincronizados con el inicio
del semiciclo positivo y los
N con el inicio del semiciclo
negativo ( = 0), la forma
de onda de Vd se muestra
en la fig1.55b.
Si el filtro cumple con V2 es casi senoidal
1
w
2
R
L
2
w
2 t
>> >>
t
a) circuito
c) Formas de onda con variando senoidalmente
Fig. 1.56 Cicloconvertidor
b)Forma de onda con =0
51
Utiliza una topologa
idntica al convertidor
CA/CD. Para que V2 sea
positivo, se cierran los
interruptores P cuando V1
es positivo, y los
interruptores N cuando V1
es negativo. El voltaje V2
ser negativo si se cierran
los interruptores P cuando
V1 es negativo y los N
cuando V1 es positivo.
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
t
1
w
1
V
ac
v sen =
d
v
Utiliza un convertidor CA/CD, y un
convertidor CD/CA encadenados
en CD, por un capacitor o por una
batera. Si el encadenamiento DC
utiliza un capacitor, V2 y w2 son
diferentes de V1 y w1.
S el convertidor se utiliza como
variador de velocidad de motores
polifsicos de induccin, V2 y w2
deben ser variables, y se debe
mantener constante la relacin
V2/w2 ,para impedir la saturacin
del circuito magntico del motor,
en el caso que se utilice el control
escalar para la variacin de la
velocidad
S el encadenamiento DC utiliza
una batera, y si V1=V2 , el
convertidor se denomina UPS
(sistema de potencia no
interrumpida) , y se utiliza para
alimentar las cargas crticas de
una instalacin elctrica ,que
requieren de una confiabilidad de
100%, en la continuidad de la
energa (rea de quirfanos de un
hospital, sala de computacin,
etc).
1.14.8.3 CONVERTIDOR CA/CA CON ENCADENAMIENTO CD
a) Diagrama de bloques
b) Formas de onda.
Fig. 1.57 Convertidor CA/CA con
encadenamiento CD.
52
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
El convertidor de electrnica de
potencia se conforma por una matriz de
interruptores ,que se implementan por
dispositivos semiconductores de
potencia .La implementacin de un
interruptor por un dispositivo
semiconductor, se realiza de acuerdo al
siguiente procedimiento:
a) Se definen para el interruptor la
polaridad del voltaje (Vs) y la
corriente (is ).
b) Se determina del circuito en donde
se ubica el interruptor, el grfico
Vs is
c) Se compara el grfico Vs is del
interruptor, con los grficos Vd id ,
de los diferentes dispositivos
semiconductores disponibles.
Para el caso del interruptor N, de un
convertidor CD/CD directo reductor,
se muestra el grfico iN VN del
interruptor, y el grfico iD VD de
un dodo con polarizacin directa. Al
compararlos se concluye, que el
grfico iN vN corresponde al de un
dodo con polarizacin inversa
c) id vd de un dodo con
polarizacin directa
b) iN vN del interruptor N
a) Circuito
1.15 IMPLEMENTACION DE UN INTERRUPTOR POR UN DISPOSITIVO
SEMICONDUCTOR(5)
Fig. 1.58 Implementacin del
interruptor N en un convertidor
CD/CD directo reductor.
53
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
BIBLIOGRAFIA
1 Gualda J.A. y otros ELECTRONICA INDUSTRIAL TECNICAS DE
POTENCIA . Edicin 1992 Editorial Alfa Omega
2)Segui S.,Gimeno F. J. y otros ELECTRONICA DE POTENCIA
Fundamentos Bsicos 2004 Editorial Alfa Omega
3)Dewan S. B.; Straughen A..POWER SEMICONDUCTOR CIRCUITS
1975 Editorial John Wiley
4)JaiP.Agrawal POWER ELECTRONIC SYSTEMS.Theory and
design.2001 .Editorial Prentice -Hall
5) Kassakian J.G ;Schlecht M.F;Verghese G.C PRINCIPLES OF
POWER ELECTRONICS 1995 Editorial Addison- Wesley
6) Krein P.T.ELEMENTS OF POWER ELECTRONICS 1998.Editorial
Oxford University Press.
7)Erickson R.W. Maksimovic D. FUNDAMENTALS OF POWER
ELECTRONICS.200. Editorial Kluwer Academic Publishers 2003
8)Mohan N.; Undeland T.M.;Robbins W.P. POWER ELECTRONICS
2003 Editorial John Wiley & sons Inc
9)R.G. Hoft(editor) SCR APPLICATONS HANBOOK 1974. International
Rectifier
10)Leiva L.F.MANUAL DE INSTALACIONES ELECTRICAS2004
DOMICILIARIAS Editada por Schneider Electric
11)Rashid M. H. POWER ELECTRONICS:CIRCUITS,DEVICES,AND
APPLICATIONS 1993.Editorial Prentice-Hall
54
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
12)Rashid M.H.(editor) POWER ELECTRONIC HANDBOOK
1993.www.rapidshare.com/filea/97921259.septiembre 24 2008
13)Indian Institute of Technology POWER ELECTRONICS
pdf.www.onlinefreebooks.net.Julio 13 ,2008
14)Williams B. POWER ELECTRONICS DEVICES
DRIVERS,APPLICATIONS AND PASSIVE COMPONENTS Editorial Mc.
Graw-Hill.1992
55
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
ACTIVIDADES
TEORIA
1)Describir la naturaleza y el propsito de la Electrnica de Potencia
2)Dibujar el diagrama de bloques de un SEP, y explicar la funcin de
cada bloque y enumerar los elementos que lo conforman.
3)Por qu se normalizan los valores eficaces de los voltajes en las
redes de servicio?Cual es el criterio para utilizar estos voltajes?
4)Dibujar e interpretar los circuitos equivalentes en modo activo y pasivo
de la batera cido-plomo
5)Dibujar y analizar la conexin de un aerogenerador a la red de
servicio elctrico.
6Qu es un panel solar?Cmo se conecta un sistema fotovoltaico con
la red de servicio elctrico?
7)Cmo se define un capacitor ideal?Cuales son las diferencias con el
capacitor real?
8)Dibujar e interpretar el circuito equivalente general del capacitor real y
deducir a partir de este circuito el equivalente serie. Proponer un
procedimiento experimental para determinar el circuito equivalente,
9)Qu es el ngulo de prdidas de un capacitor?Cmo se define?
10)Describir aspectos constructivos ,caractersticas y aplicaciones de los
capacitores de :a)Electrolticos. b) Plstico. c)Cermica.
11)Cules son los flujos magnticos que se originan en un
transformador?Por qu se originan? Qu representan?
12)Qu se entiende por corriente de magnetizacin de un
transformador?Cmo se define?Qu representa?
13)Escribir para el primario y el secundario de un transformador, las
ecuaciones que describen su comportamiento desde la teora circuital
14)Dibujar e interpretar el modelo circuital del transformador ideal.
15)Qu se entiende por acoplamiento de impedancias?
16)Dibujar e interpretar la curva de magnetizacin de un material
magntico real.
17)Dibujar e interpretar el modelo circuital de un transformador ,con
permeabilidad finita e ignorando las resistencias. Proponer un
procedimiento experimental para determinar el circuito equivalente
56
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
ACTIVIDADES
TEORIA
18)Qu situacin conduce a la saturacin del transformador?Cules
son las consecuencias?
19)Interpretar la forma de onda del voltaje en el secundario de un
transformador de pulsos ,utilizando el circuito equivalente del
transformador de pulsos.
20)Deducir el valor de la inductancia de un toroide.
21)Deducir la cada de voltaje en inductor excitado por :a)Un voltaje
alterno senoidal;b)Un voltaje alterno cuadrado
22)Definir para un componente magntico: a)Prdidas por histresis
;b)Prdidas por corrientes parsitas, c)Prdidas en el cobre.
23)Para cada una de las prdidas anteriores , se pide determinar los
factores que las determinan, e indicar las soluciones que pueden
aminorarlas.
23)Dibujar e interpretar el modelo circuital de un inductor real. Proponer
un procedimiento experimental ,para determinar el circuito equivalente
del inductor real.
24)Demostrar que el Area-producto de un ncleo, es directamente
proporcional a la inductancia del inductor construido sobre ese ncleo.
25)Dibujar e interpretar la caracterstica v-i de los siguientes
semiconductores de potencia: SCR, Triac, GTO, MCT,IGBT,MOSFET
canal n; BJT pnp.
26)Dibujar e interpretar la caracterstica de control de los siguientes
semiconductores :SCR,GTO,MCT,IGBT
27)Cules son las diferencias entre el interruptor real y el ideal?.
28)Cmo se caracteriza a un interruptor conmutable?
30)Demostrar que en un circuito conmutado, el valor promedio del
voltaje en un inductor y el valor promedio de la corriente en un
capacitor ,son nulos.
31)Para el circuito R- L conmutado (fig 1.36a), se pide demostrar que la
variacin de corriente en la carga, es menor al aumentar la frecuencia de
conmutacin.
57
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
ACTIVIDADES
TEORIA
32)Para formas de onda peridicas se pide :a)Definir
:1)Perodo;2)Voltaje eficaz;3)Voltaje promedio;4)Factor de rizo;5)Factor
de forma;6)Valor promedio local de una variable conmutada PWM;
b)Indicar una aplicacin para cada uno de los conceptos definidos en
a).c)Cul es la relacin entre el factor de forma y el factor de rizado?
33)Demostrar que en un circuito R-L con fuente alterna senoidal, la
potencia reactiva no transfiere energa.
34)Por qu es posible compensar los requerimientos de potencia
reactiva de un inductor ,con los requerimientos de potencia reactiva de
un capacitor.?
35)Deducir paso a paso, la ecuacin 1.77.
36)Definir para un SEP los siguientes conceptos: a)Factor de potencia;
b)Factor de distorsin; c)Distorsin total de armnicas.
37)Deducir la relacin entre el THD y Kd de un circuito.
38)Por qu en un SEP se deben instalar filtros a la entrada y salida del
convertidor?Cul es la funcin de estos filtros?
39)Para el convertidor CA/CD no controlado de 4 interruptores ,se pide
:a)Justificar que los interruptores se pueden implementar por dodos.
b)Determinar el factor de rizo y de forma ,del voltaje de salida.
40)Para el convertidor CA/CD no controlado de 2 interruptores (fig 1.47
a)se pide determinar: a) el factor de potencia de la fuente; b)Cmo se
puede implementar las 2 fuentes utilizando un transformador?
41)Para el convertidor CA/CD controlado(fig 1.48 a) se pide:a)Describir
la operacin. b)Determinar los semiconductores que pueden
implementar los interruptores. c)Por qu el circuito funciona como
inversor durante un tiempo limitado?Qu se debera hacer para que
trabaje en rgimen permanente?
42)Para el convertidor CD/CA conmutado a baja frecuencia(fig 1.49a) se
pide :a)Describir la operacin. b)Determinar los semiconductores que
pueden implementar los interruptores, c) Deducir y analizar la expresin
para la potencia trasferida por el convertidor
43)Para el convertidor CD/CA PWM(fig 1.50a) se pide :a)Describir la
operacin. b)Cmo se puede variar la magnitud del voltaje de alterna?
Justificar la respuesta.
58
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
ACTIVIDADES
TEORIA
45)Para el convertidor CD/CA resonante(fig 1.51a) se pide :a)Describir
la operacin. b)Deducir los semiconductores que pueden implementar
los interruptores. c)Cul es el orden de las frecuencias a utilizar ?Por
qu?
46)Para el convertidor CD/CD directo(fig 1.52 a) se pide: a)Deducir la
relacin entre el voltaje de salida y el de entrada. b)Deducir los
semiconductores que pueden implementar a los interruptores.
47)Para el convertidor CD/CD indirecto (fig 1.53 a) se pide: a)Indicar la
razn para la denominacin de indirecto. b)Deducir la relacin voltaje de
salida al voltaje de entrada. c)Determinar los semiconductores que
pueden implementar a los interruptores.
48)Cul es la frecuencia utilizada en el convertidor CD/CD con
encadenamiento CA(fig 1.54 a)?Por qu?
49)Para el convertidor CA/CA tipo controlador CA(fig 1.55 a) se pide
a)Deducir el semiconductor qie puede implementar al interruptor.
b)Determinar la potencia reactiva del convertidor? c)Cmo es posible
que si la carga es resistiva, exista una potencia reactiva?
50)Para el convertidor CA/CA cicloconvertidor (fig 1.56 a) se pide
:a)Describir la operacin b)Deducir que tipo de semiconductor se puede
utilizar como interruptor.
51 En que casos se utiliza un convertidor CA/CA con encadenamiento
en CD?
59
44)Hacer un anlisis comparativo entre el convertidor CD/CA, PWM y el
de baja frecuencia de conmutacin.
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
1)Se requiere de un inductor de las
siguientes caractersticas :
L=50mH;f=9khz;V=20Vrms. (Excitacin
senoidal)
Se propone para construir este
inductor un ncleo toroidal, de
material pulverizado anlogo al
molypermalloy de MAGNETICS,de
permeabilidad relativa de 125 , y
densidad de campo magntico
mxima (Bmax) de 0.15 T y con la
siguiente geometra:
Dimetro exterior=26.9 mm.
Dimetro interno=11.1mm.
Espesor=0.4mm.
Area seccional rectangular
El bobinado se construye con un
factor de utilizacin de 0.4 y se
selecciona una densidad de corriente
para el alambre magneto de 500
A/(cm)2.
Se pregunta:
a)Sirve el ncleo propuesto para
resolver el problema?
b)Cul es el calibre del conductor a
utilizar en el bobinado?
c)Cuntas espiras debe tener la
bobina?
d)Si se utiliza este inductor como
filtro (se conecta en serie ,cual es el
valor de la inductancia ?
60
PROBLEMAS
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
Problema 1
2)La caracterstica de placa de un
transformador de lminas de acero al
silicio, muestra la siguiente
informacin:500 VA,208/24 V,60hz.
Se mide la corriente de vaco y
resulta de 0.2 A. La corriente en el
primario al ocurrir un cortocircuito en
el secundario es de 240 A , se pide:
a)Dibujar el circuito equivalente del
transformador ignorando las
resistencias. Indicar los valores de los
parmetros del circuito equivalente.
b)Argumentar por qu se requiere
conocer los puntos de polaridad del
transformador.
c)Sugerir un procedimiento para
determinar los puntos de polaridad del
transformador.
d)Cul es el mximo valor de voltio-
segundo que se le puede aplicar al
trasformador si se asume que la
densidad de campo magntico de
operacin es el 80% del valor de
saturacin
61
PROBLEMAS
+

1
v
+

2
v
) t (
2
i
) (
1
t i
m
u
1 d
u
2 d
u
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
Problema 2
3)Para el circuito de la figura adjunta,
E=100V , R=20,D=0.4 y Tc=1ms. Se
pide responder:
a)Cul es la funcin del dodo?Qu
ocurrira si no existiera?
b)S el rizado pico-pico de la
corriente(i) es del 5%Cual debeser
el valor de la inductancia?
c)Cual es la potencia disipada en el
circuito?
4)Para el convertidor CA/CD
controlado de la figura adjunta, vs=
Vm senwt se pide determinar el factor
de potencia de la fuente para:
a)L muy grande
b)L muy pequeo
5)El Sistema de Electrnica de
Potencia de la figura adjunta,
presenta las siguientes variables de
corriente y voltaje:
Se pide determinar: a) El factor de
potencia;b) La distorsin total de
armnicas
62
PROBLEMAS
) nwt ( sen
1 n
n
80
i ); wt ( sen .. 2 120 v

=
t
= =
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
Problema 3
Problema 4
Problema 5
6)En el convertidor DC/DC de la fig
adjunta,el flujo de energa es del lado
2al1.L=10mH;V2=100V;I2=20A;V1=16
0V.Los interruptores conmutan a
20Khz, y la variacin del voltaje en el
puerto de salida es del 5%. Se pide:
a)Deducir los semiconductores que
pueden implementar a los
interruptores. b) Determinar las
relaciones de trabajo de los
interruptores. c)Determinar la mxima
variacin de corriente en el puerto de
entrada. d)Valor de la capacitancia.
7)Para el convertidor resonante de la
figura adjunta, L=159H; C=0.25C;
Vdc=100 ;R=5.
Se pide determinar para la frecuencia
de resonancia: a)Potencia entregada
a la carga. b)Amplitud de la tercera
armnica del voltaje en la carga.
Si la frecuencia de conmutacin es
tres veces la de resonancia ,cuanto
vale la potencia entregada a la carga
63
PROBLEMAS
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
Problema 6
Problema 7
8)En el convertidor AC/DC de la figura
adjunta, Vs=170sen(120t)V;R=5.La
corriente en la carga debe ser
constante. Los interruptores P cierran
en wt=30, y los N en wt=210. Se
pide: a)Cul debe ser el valor
mnimo de la inductancia? b)Cul es
el valor de potencia transferida a la
carga. c)Cul es el valor de la
potencia aparente en la fuente?
9)El convertidor CD/CA de baja
frecuencia de conmutacin (60 hz) de
la figura adjunta, presenta los
siguientes parmetros: Vdc=100V;
L=500mH;R=5;2=/6.
Se pide determinar: a) Potencia
transferida a la carga. b)Deducir el
tipo de semiconductor para
implementar los interruptores
64
PROBLEMAS
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS
Problema 8
Problema 9
Unidad II
DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA
65
DIODO
Fig 2.01 . Smbolos
de los dispositivos
semiconductores.
2.0.1 CLASIFICACIN
La electrnica de potencia utiliza los
dispositivos semiconductores como
interruptores, operando en un estado de
alta impedancia (Bloqueo) y en otro de baja
impedancia (Conduccin).
Se clasifican de acuerdo a su naturaleza
constructiva en:
Dodos, Transistores, Thyristores e Hbridos
entre tecnologas de transistor BJT con
MOSFET, y tecnologa transistor-thyristor
Los dispositivos bipolares pueden ser
De dos capas (dodo), tres capas (BJT) o
cuatro capas (SCR).
El dispositivo unipolar ms utilizado es el
MOSFET canal N. Aventaja al dispositivo
bipolar al no presentar el fenmeno de
recuperacin inversa
Segn el tipo de control se clasifican en :
Dispositivos controlados por voltaje (dodo).
Dispositivos controlados a la conduccin por
un pulso de corriente (SCR, TRIAC) o un
pulso luminoso (LASCR).
Dispositivos controlados a la conduccin y al
bloqueo por un pulso de corriente (GTO).
Dispositivo controlado ala conduccin y al
bloqueo por un pulso de voltaje(MCT)
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
66
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
GTO
SCR
LASCR
TRIAC
c) transistores
d) Hbridos
Fig. 2.01. Smbolos de
los semiconductores.
Dispositivos controlados a la conduccin por un
pulso de voltaje negativo, y al bloqueo por un
pulso de voltaje positivo (mos controlled tiristor
- MCT).
El MCT es un dispositivo hbrido conformado
por un SCR y dos MOSFET(fig 2.01 d).Su
aplicacin se ha limitado debido a la
competencia del MOSFET
Dispositivos controlados a la conduccin y al
bloqueo ,por una seal continua de corriente
(BJT) o de voltaje (MOSFET-IGBT).
El IGBT(insulated gate bipolar transistor) es un
dispositivo hbrido de tecnologa BJT y
MOSFET.
Los tiristores (SCR, GTO-TRIAC, LASCR)
tienen capacidad para soportar voltajes
bipolares ,y los transistores soportan voltaje
unipolar.
Solamente el TRIAC tiene capacidad para
controlar corriente bidireccional.
Debido a problemas como el de la segunda
ruptura,y al fenmeno de recuperacin inversa,
el BJT no se utiliza en los nuevos SEP ,y se
sustituyen en bajo voltaje por MOSFET y en
voltaje ms altos por IGBT
2.0.1 CLASIFICACIN
67
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
BJT
MOSFET
MCT
IGBT
2.0.2 DIODO DE POTENCIA
a) Estructura Fsica
b) Smbolo.
c) Caracterstica v-i
Fig. 2.02. Dodo de potencia.
Con polarizacin directa, el dodo
comienza a conducir despus del
voltaje umbral (~ 1v) y la corriente se
rige por un modelo lneal y no
exponencial, como en el dodo de
seal.El lmite operativo en regimen
permanente con polarizacin inversa,
es el voltaje inverso de ruptura(VRRM)
Se clasifican en
Dodos de uso general (t
rr
~ 25s,
I
f
<1000A, 50V<V
r
<5kV); dodos de
recuperacin rpida (t
rr
~ 5s, I
f
<100A,
50V<V
r
<3kV); diodos Schottky (V
r
<
100V, 10A< I
f
<300A), alta velocidad
de conmutacin.
Se diferencia del dodo de pequea
seal, en el bajo dopado y gran
profundidad de la regin N, lo que
permite tener un alto valor de voltaje
de ruptura inversa,del orden de Kv, y
gran capacidad de corriente, del
orden de cientos de amperios, pero
con mayor caida de voltaje, y mayor
tiempo de conmutacin de conduccin
a bloqueo (tiempo de recuperacin
inversa =t
rr
).
2.0.2.1 GENERALIDADES
68
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.02.2 CARACTERISTICAS NOMINALES
a) Valores tpicos de voltaje
b) Valores tpicos de corriente
c) Fenmeno de recuperacin inversa
Fig. 2.03 Parmetros del diodo
V
RWM
= Voltaje inverso mximo de
trabajo
V
RRM
= Voltaje inverso mximo
repetitivo
V
RSM
= Voltaje inverso mximo no
repetitivo
V
F
= Cada de voltaje con
polarizacin directa
I
F
= Corriente con polarizacin directa
I
F(AV)
= Corriente media directa
I
F(RMS)
= Corriente eficaz directa
I
FRM
= Corriente mxima repetitiva
I
FSM
= Corriente mxima no repetitiva
I
RR
= Corriente inversa mxima
Cuando se invierte sbitamente la
polaridad de un dodo, ste continua
conduciendo debido al movimiento
de portadores minoritarios, hasta
que desaparecen por accin de la
difusin y recombinacin.
trr= Tiempo de recuperacin inversa
trr = Tiempo desde el instante en
que i pasa por cero,hasta que
alcanza el 10% del valor inverso
mximo
(2.01)
RR
I
rr
t
2
1
s
Q ~
69
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.02.3 CONEXIN SERIE DE LOS DIODOS
a) Circuito
b) Caracterstica v-i
Fig. 2.04 Conexin Serie
de diodos
Si el voltaje de la fuente (Vs ) es superior al
voltaje inverso mximo no repetitivo del dodo
(V
RSM
), se deben conectar en serie varios
dodos (n)
(2.02)
0.81.0 (Factor de seguridad)
Debido a las tolerancias del proceso de
fabricacin , las caractersticas v-i de un
grupo de dodos, presenta con
polarizacin inversa diferentes corrientes
de fuga ,comprendidas dentro de un valor
mnimo y uno mximo, y con polarizacin
directa diferentes caidas de voltaje de
conduccin
El dodo D1 de menor corriente inversa,
soporta el mayor voltaje inverso -V
D1
(Fig 2.03b) y se reduce su vida til
esperada. Para equilibrar en rgimen
permanente los voltajes inversos, se
conectan resistores en paralelo con los
dodos. Para rgimen transitorio se
conecta una red R-C, para equilibrar los
voltajes durante el proceso de apagado
RSM
V
s
V
n
o
>
70
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.02.3.1 CALCULO DEL RESISTOR PARALELO
a)Resistor en paralelo con
los dodos
Fig. 2.05 Conexin Serie
de dodos
D
1
= Dodo de menor corriente inversa
D
2
= D
3
= D
n
=Dodo de mayor corriente
inversa
I
D1
< I
D2
= I
D3=
I
Dn
V
D1
=voltaje de bloqueo(inverso) mximo
permitido.
I
D
= I
D2
- I
D1=
I
1
- I
2
Vs=
voltaje inverso de la fuente
Vs
= v
D1
+ v
D2
+..+ v
Dn
v
s
=v
D1
+ (n-1) v
D2
v
s
= v
D1
+ (n-1) I
2
R
v
s
= v
D1
+ (n-1)( I
1
- I
D
)R
v
s
=n v
D1
- (n-1) I
D
R
(2.03)
Si se asume I
D
= I
D2
, se obtiene una
solucin conservadora
d
I ) 1 n (
s
V
1 d
nV
R
A

s
71
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03 DIODOS BIDIRECCIONALES DE DISPARO CONTROLADOS POR
VOLTAJE
a) Simbolo y curva v-i del dac(12)
b) Smbolo y caracterstica v-i
del sidac(6)
Fig. 2.06 EL dac y el sidac
El DIAC(dodo bilateral de
disparo) es un dispositivo
semiconductor de tres capas,
de baja corriente y bajo voltaje,
que se comporta como
interruptor bilateral.Puede
conmutarse de apagado (off) a
encendido(on) con polaridad
positiva o negativa aplicada a
sus nodos, dependiendo de la
magnitud del voltaje(fig 2.06 a)
S VA1-A2 >VBO (del orden de 30
a 40 V) el dac conduce(on),
igual ocurre si el voltaje es
negativo (la caracterstica v-i es
simtrica con respecto al origen)
(fig2.06 a)
S VA1-A2 <VBO, el dac conduce
la corrriente IBR muy
pequea(corriente de fuga), y se
considera que no conduce (off).
El SIDAC(fig 2.06b) es un
interruptor bidireccional de
silicio, desarrollado por
MOTOROLA , similar al DIAC,
con la diferencia que el voltaje
de ruptura(VBO) vara entre 104
y 280 V, por lo que permite
manejar aplicaciones de alta
energa.
La fig 2.06 b) muestra la
caracterstica v-i y el smbolo
del SIDAC
72
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03 RECTIFICADOR DE SILICIO CONTROLADO (SCR)
a) Estructura Fsica(9)
b) Smbolo.
c) Caracterstica v-i
Fig. 2.07. Rectificador de
silicio controlado.
El SCR es un dispositivo semiconductor
de 4 capas, 3 uniones p-n J
1
, J
2
, J
3
,y tres
terminales nodo (A), Ctodo (K) y
Compuerta (G).
Si 0< V
AK
<V
FBD
, J
2
se polariza
inversamente y I
AK
es muy pequea
(corriente de fuga).Si se aplica una
corriente en la compuerta( IGT) durante un
cierto tiempo(tgt),J2 se polariza en directo y
el SCR conduce
Si V
AK
V
FBD
el SCR conduce por efecto
avalancha(se destruye)
Si V
BR(RBD)
<V
AK
<0, J
1
y J
3
se polarizan en
inverso, I
AK
pequea (fuga).
ig= Pulso de corriente de compuerta
tg = Duracin del pulso ig
tgt= Tiempo de encendido del SCR
IL= Corriente de enganche, corriente
nodo - ctodo requerida para mantener al
SCR en conduccin, una vez se remueve
ig.
IH= Corriente de mantenimiento ;corriente
requerida para no bloquear al SCR.
Si VAK>VTM, ig=IGT, tg>tgt, iAK >iL, el SCR
conduce.
Si iAK<IH el SCR se bloquea.
2.03.1 CARACTERSTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(9)
73
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.2 CARACTERISTICAS NOMINALES DE LOS SCR
SIMBOLO DEFINICIN
di/dt Mxima variacin temporal de la
corriente ,que no destruye al SCR
I
T(RMS)
El valor eficaz de corriente mxima
que puede conducir
I
T(AV)
El valor promedio mximo de corriente
P
GM
Potencia instantnea mxima entre
ctodo y compuerta
P
G(AV)
Potencia promedio en un ciclo mxima
disipada entre G y K
V
GRM
Voltaje de pico inverso entre G y K
V
DRM O
VFBD Voltaje mximo directo repetitivo, que
no hace conducir
V
RRM O
V
RBD
Voltaje mximo inverso permitido
V
TM
Cada mxima de voltaje entre A y K
I
GT
Corriente de compuerta requerida
para conducir
V
GT
Voltaje DC de compuerta ,para
Producir I
GT
t
gt
Tiempo de encendido. Se mide desde
el inicio del pulso hasta que V
AK
= V
TM
t
q
Tiempo de apagado
dv/dt Valor de la variacin temporal del
voltaje que produce la conduccin.
74
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.3 MODELAMIENTO DEL SCR
a) Estructura bsica del SCR(9).
b)Circuito equivalente en
rgimen permanente(9)
Fig2.08.Modelamiento
del SCR
La estructura de un SCR se puede
visualizar como dos transistores
complementarios: Q1 (pnp) y Q2 (npn).
Aplicando la ecuacin de Ebers-Moll
Ic1=
1
I
A
+I
CBO1
Ic2=
2
I
K
+I
CBO2
I
K
= I
A
+I
G
= Ganancia de corriente
I
CBO
= Corriente inversa de la unin
colector-base
Del circuito equivalente (Fig. 2.05b)
I
A
=I
C1
+I
C2
I
A
=
1
I
A
+
2
I
K
+I
CBO1
+I
CBO2
(2.06)
I
A
+I
G
=I
K
(2.07)
Sustituyendo 2.07 en 2.06
IA=[
2
I
G
+I
CBO1
+I
CBO2
]/[1-(
1
+
2
)] (2.08)
=f(I
E
); es directamente proporcional a
I
E
S se aplica un pulso de i en G I
G

I
A

1
,
2
I
A

1
,
2
y se
genera una realimentacin positiva , que
hace conducir al SCR .
75
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.3 MODELAMIENTO DEL SCR
c) Circuito equivalente en
rgimen transitorio(14)
Fig. 2.09 Modelamiento
del SCR.
Asociada a toda unin p-n, se
presentan dos capacitancias de la
unin: Cj, presente con polarizacin
inversa al formarse la regin de
vaciamiento, y Cd la capacitancia de
difusin, presente con polarizacin
directa, debido a los cambios que
ocurren en los portadores mayoritarios
y minoritarios en la conduccin.
Al modelar el SCR en rgimen
transitorio, se incorporan las tres
capacitancias(fig 2.09). Si VAK>0,(la
unin J2 se polariza inversamente), Cj2
(capacitancia significativa) origina ij2 y
contribuye a I
CBO1
y I
CBO2
Si dv/dt es alta , i
j2
I
CBO1
, I
CBO2

1
,
2
I
A

1
,
2
y se genera
una realimentacin positiva, y el SCR
conduce.Este es un proceso de
conduccin indeseado
G
A
I
1
Q
2 j
i
2 j
C
3 j
C
2 j
V
G
I
A
2
o
K
1
o
1 j
C
2
Q
K
I
AK
V
2 j
V
) 09 . 2 (
dt
2 j
dv
2 j
C
dt
2 j
dC
2 j
V
2 j
i
=
+ =
76
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.4 ENCENDIDO DEL SCR
El encendido del SCR puede ser por:
Aplicacin de i
g
en compuerta
Por alta temperatura (corriente
inversa)
Por luz (LASCR)
Por alto voltaje (avalancha)
Por dv/dt alto.
Caractersticas ideales de i
g
(Fig.
2.10 a)
Amplitud de sobreactivacin
(IM>3IGT)para reducir el tiempo de
encendido, y minimizar las prdidas
de conmutacin.
Tiempo corto de subida del flanco
(t
r
) para minimizar tiempo de
encendido.
Estabilizacin despus de pocos
microsegundos, a un valor que
garantice el encendido del SCR (I
GT
)
Duracin del pulso (t
g
) hasta que i
T
i
L,
en la prctica t
g
t
gt
.
Se define tiempo de encendido, al
intervalo de tiempo entre el instante
en que i
g
alcanza el 10% de I
gt
,y el
instante en que i
AK
alcanza el 90% de
su valor de rgimen permanente.
a) Forma de onda ideal de I
g
b) Forma de onda de I
T
Fig. 2.10 Encendido del SCR
77
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
i
G
I
T
I
GT
I 1 . 0
GT
I
T
9 . 0
I
T
1 . 0
t
d
t
on
t
r
2.03.5 APAGADO DEL SCR (CONMUTACION)
El SCR se apaga cuando IAK<IH ,debido
a que el exceso de portadores en las
cuatro capas desaparece, por el proceso
de recombinacin. El proceso de
apagado del SCR presenta, igual que en
el dodo, el fenmeno de recuperacin
inversa.
La conmutacin del SCR se denomina
natural, cuando IAK decae a un valor
inferior a IH ,debido a la naturaleza de la
fuente(alterna). En este proceso se
define tiempo de apagado(tq), al
intervalo entre el paso por cero de la
corriente y el instante en que se puede
aplicar al SCR voltaje directo, sin que
este conduzca(fig 2.11b).
Si la fuente es contnua ,la conmutacin
se realiza disminuyendo la corriente a un
valor inferior a IH, bien sea transfiriendo
la corriente de carga a otra trayectoria,
reducindola a IH
Se reconocen 6 mtodos para la
conmutacin forzada. La fig 2.12
muestra la conmutacin clase C. Se
asume SCR2 encendido y C se carga
con la polaridad mostrada. Al conducir
SCR1,el capacitor se descarga y reduce
la corriente del SCR2 apagndolo.
a) Circuito.
b) Formas de onda(14).
Fig. 2.11 Conmutacin Natural
Fig. 2.12Conmutacin forzada
Clase C(5).
1 SCR 2 SCR
78
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
a) circuito
b) Caracterstica v-i(9)
La unin GK presenta un bajo
voltaje de ruptura inverso y cada
significativa de voltaje en
conduccin(dodo de mala
calidad).El fabricante especifica
un lmite superior e inferior de la
caracterstica v-i de la unin.
Cada thyristor,para operacin
confiable, se caracteriza por
lmites operativos mximos (fig
2.13b):
,Vgmax, Igmax,Pgav/Max
y mnimos:
Vgmin,Igmin
El rea segura de trabajo de
accionamiento de la compuerta
es bcdefgh(fig 2.13b), y el punto
de operacin se encuentra sobre
la lnea de carga(S1-S2) dada por
la ecuacin:
Vg=E- RgIg ( 2.10)
La utilizacin ptima se obtiene
desplazando la lnea de carga
hacia la curva Pgav/Max (lnea cf),
de la cual se determinan los
valores ptimos.
Para pulsos superiores a 100s,
se utiliza la curva Pgav/Max
Rg se determina del valor IGT.El
dodo protege a la unin GK de
voltajes inversos altos(fig 2.13
a).Se debe proteger la unin
contra ,Igmax,
Fig 2.13 Circuito de compuerta
2.03.6 CIRCUITO DE COMPUERTA(9)
79
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
R
g
V
g
i
g
E
A
K
2.03.7 INTERFASES DE DISPARO
INTRODUCCION
El circuito de potencia donde se aplican
los thyristores funcionan con voltajes
superiores a 120V.
El circuito de control conformado por
microcontroladores o elementos de
electrnica discreta, genera pulsos de
control a bajo voltaje ,generalmente 5V
con baja capacidad de corriente,
generalmente en el orden de
miliamperios.
Los requerimientos de corriente y
voltaje de los thyristores para su
activacin (VGT,IGT) generalmente son
superiores a la salida del circuito de
control.
Por lo anterior se requiere de una
interfase entre el circuito de control y el
circuito de potencia(fig. 2.14), que
realice las siguientes funciones:
a)Aislar los voltajes altos del circuito de
potencia ,del bajo voltaje del circuito de
control.
b)Adecuar los niveles de voltaje y
corriente del circuito de control, a los
requeridos para el disparo del tiristor
La interfase puede ser de naturaleza
magntica (Transformador de pulsos ) u
ptica (Optoacopladores)
En algunos circuitos, por ejemplo el
regulador de luz incandescente(dimmer)
que utiliza un elemento de control(dac),
que opera a voltaje comparable al del
circuito de potencia, no utiliza la
interfase
Fig 2.14 Interfase de disparo
80
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.7 INTERFASES DE DISPARO
2.03.7.1 TRANFORMADORES DE PULSO
El transformador de pulsos(a=1) se
utiliza para aislar el circuito de control
del circuito de potencia, y adecuar los
niveles de voltaje y corriente del
circuito de control a los requeridos del
thyristor (VGT,IGT)
En la fig 2.15 a),al activar el circuito de
control la compuerta del mosfet, fluye
una corriente en el primario del
transformador, limitada inicialmente por
R1//R2 y posteriormente por R2 (al
cargarse el capacitor).El secundario
del transformador aplica el voltaje y
corriente requeridos en la compuerta
del SCR,para activarlo
Al desactivarse el mosfet, el
transformador se desmagnetiza a
travs de D1 y Dz ; D2 impide el paso
del pulso negativo. La utilizacin del
dodo zener, permite incrementar la
frecuencia de conmutacin del
transformador.El resistor R3 provee
cierto nivel de inmunidad contra el
ruido(voltaje inducido), para impedir un
disparo indeseado del SCR
Desventajas: a)Requerimiento de
fuente externa; b)Limitacin en la
frecuencia de conmutacin;c)Gran
nmero de componentes
Ventajas :buen nivel de aislamiento
b)Circuito de disparo
b)Formas de onda
Fig 2.15 Transformador de pulsos
81
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.7.2 OPTOACOPLADORES
b)Conexin de
optoacoplador(6)
a)Optoacopladores
Fig 2.16 Optoacopladores
El optoacoplador (fig 2.16 a)es un circuito
integrado conformado por un dispositivo
fotoemisor(ILED),que genera una radiacin
infrarroja,la cual se canaliza por una gua
de onda,a un dispositivo fotoreceptor
(fototransistor;fotoSCR;fototrac), el cual se
activa,y cierra el circuito de
disparo(compuerta), que enciende un
thyristor.
El aislamiento entre el dodo fotoemisor y
los terminales del fotoreceptor es hasta de
7.5 Kv pico.Algunos optoacopladores (ECG
3049)incorporan un circuito detector del
cruce del voltaje por el punto cero, para redu
cir el EMI(interferencia electromgnetica) .
minimizando las corrientes impulsivas del
circuito(contactor de estado slido).Los
optoacopladores se utilizan en E.P.. para
aislar el circuito de control del circuito de
potencia. La conexin se muestra en la
fig.2.16b.
La corriente que activa el fotododo es If, y
circula entre los terminales 1 y 2.La funcin
de R(fig 2.16b) es limitar la corriente del
fotoreceptor. Si el trac de potencia abre, y
el voltaje de la fuente es mximo(Vp) y se
descarga Cs.
R=Vp/Ip (2.11)
Ip es la mxima corriente pico repetitiva del
driver(fotoreceptor).S R es muy grande,
puede introducir un retardo de fase no
deseado
82
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.7.3 DISEO DEL CIRCUITO DE DISPARO CON T.P.
Se requiere disparar un SCR que tiene
las siguientes caractersticas de
compuerta: (VGT,IGT).Se requiere disear
un circuito de disparo utilizando un
transformador de pulsos.
De la caracteristica de la corriente de
compuerta(Fig 2.17b) se obtiene para el
inicio de la conduccin
(2.12)
Al estabilizarse la corriente
(2.13)
Al abrir el transistor
En el secundario se tiene(a=relacin de
transformacin) :
(2.14)
(2.15)
R3 mejora la inmunidad al ruido(300)
a)Circuito(9)
Fig 2.17 Circuito de disparo con
Transformador de pulsos
I
GT
5
2
R
1
R
R
2
*
R
1
)
V
mosfet
V
p
12 (
I
p
=
+

=
V
dodo
V V
p Z
+ =
I
GT
2
R
R
2
)
mosfet
V
V
p
12 (
I
p
=

=
dodo
V
V
a
V
p
GT
+ =
3
R
V
I
i
s
i
p
a
GT
GT
+ = =
b)Corriente de compuerta
83
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
t t
GT GS
>
t
2.03.8 CIRCUITOS SNUBBER DE VOLTAJE Y CORRIENTE(3)
2.03.8.1 CIRCUITO SNUBBER DE VOLTAJE
El circuito snubber de voltaje ,conformado
por un circuito serie Rs-Cs, protege contra
una conduccin indeseada del SCR ,por la
presencia de un alto dv/dt.
Se ignora la capacitacia de la union J2 del
SCR.Si la carga es resistiva (Lc pequea)
s
C ' R
t
e
'
R
V
s
i

=
s
R
c
R ' R + =
)
s
C ' R
t
e 1 ( V dt
s
i
s
C
1
c
V

= } =
s
C ' R
t
e
s
C ' R
V
dt
c
dV

=
El capacitor de la red snubber(Cs) ser:
max
)
dt
c
dV
( ' R
V
s
C > (2.16)
Utilizando Laplace se puede
demostrar que para Lc muy grande:
2
)
dt
c
dV
L(
2
V
s
C =
(2.17)
Rs limita la corriente descarga de Cs,
a travs del SCR.
Valores tpicos:
0.1uF<Cs<1uF 10<Rs<100
Cs
Rs
S
V
+

a) Circuito Snubber de
voltaje.
S
R
C
R ' R + =
+

V
+

S
C
V
b) Circuito equivalente para
S cerrado con ig=0 y SCR
ideal
Fig. 2.18 Circuito Snubber
de voltaje.
84
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
Cs
Rc
Lc
Lc
2.03.8.2 CIRCUITO SNUBBER DE CORRIENTE
El circuito snubber de corriente protege al
SCR contra un alto di/dt ,que puede originar
puntos calientes en el SCR y destruirlo.
El comportamiento del circuito sin snubber
de voltaje es:
max
)
dt
di
(
V
s
L
s
L
t
c
R
e
s
L
c
R
m
I
s
L
t
c
R
e
s
L
V
dt
di
)
s
L
t
c
R
e 1 (
c
R
V
i
>

=
(2.18)
El comportamiento del circuito con snubber
de voltaje es:
max
)
dt
di
(
s
R
s
R
c
R
V
s
L
s
R
c
R
s
R
c
R
V
s
R
V
c
R
V
m
I
+
>
+
= + =
(2.19)
Generalmente la inductancia propia del
circuito (conductores, dispersin de los
transformadores) es mayor a Ls.
V
C
R
S
R
S
C
S
L
C
R
s
s
S
L
+

+
i
a) Sin Snubber de voltaje.
b) Con Snubber de voltaje.
Fig 2.19 Circuito Snubber de
corriente.
85
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.9 CIRCUITOS DE DISPARO DEL SCR
2.03.9.1 OSCILADOR DE RELAJACION
Los pulsos cclicos requeridos para el
disparo de un SCR, se generan con
un oscilador de relajacin(fig .2.20a).
Se requiere de un elemento con
resistencia negativa(fig. 2.20b) entre
la regin de corte(v < Vs ;i < Is) y la
de conduccin(I > IH; v>VH).Al
cargarse el capacitor a Vs, el punto
de operacin de la rama ,R2-elemento
de resistencia negativa, pasa de 1 a
2(fig.2.20b) alcanzndose Ip
(corriente pico) ,y origina un pico de
voltaje(IpR2) ,que sirve para disparar
al tiristor. Este punto operativo no
puede mantenerse, debido a la
disminucin del voltaje en el capacitor,
y se desplaza al punto 4 ,cuando
vuelve a cargarse ,y el ciclo se repite.
El valor mximo de R1 debe permitir el
paso de la corriente lmite superior de
circuito abierto( Is) ,y el valor mnimo
debe permitir el paso de la corriente
lmite inferior de circuito cerrado( IH) .
R1MAX=(Vi-Vs)/Is (2.20)
R1MIN=(Vi-VH)/IH (2.21)
Para mantener Ip,R2C debe ser mayor
de 10 veces, el tiempo de
conmutacin.
a)Circuito oscilador
Fig 2.20 Oscillador de
relajacin
b)Curva v-i del elemento con
resistencia negativa
86
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.9.2 DISPOSITIVOS DE RESISTENCIA NEGATIVA
2.03.9.2.1 CARACTERISTICAS DEL UJT(9)
Fig 2.21 El UJT
El UJT es una barra tipo N de bajo
dopaje con 3 terminales
B1(base1),B2(base2) E(emisor)(fig
2.21 a).E se conecta en un punto
intermedio con una soldadura de
aluminio, que produce un dopaje
elevado de huecos,formando una
unin P-N.
Si VB2B1>o,circula una baja
corriente debido al valor
significativo de la resistencia, ya
que 4.7K <RB2B1<9.1K y el
voltaje del emisor es VB2B1.A se
define como relacin intrnseca y
vara entre 0.5 y 0.82..
S se aplica a E un voltaje menor a
VB2B1, el dodo PN se polariza
inversamente y el UJT trabaja en la
regin de corte(baja corriente).S
se aplica a E, VB2B1 +0.5v (Vp,fig
2.21c)la unin se polariza en
directo, y la fuente inyecta
electrones por B1 reduciendo REB1,
lo que aumenta la corriente entre
B2 y B1, reduciendo ms a RB2B1 y
se inicia una retroalimentacin
positiva, que origina la zona de
resistencia negativa(fig 2.21c),
hasta alcanzar la
saturacin(Vv,Iv).A partir de este
punto,el UJT se comporta como un
dodo normal .
a)Estructura
b)Smbolo
c)Caracterstica v-i
87
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
I
B
I
p
I
v
V
1 EB
V
v
Vp
2.03.9.2.2 OSCILADOR CON UJT
a)Circuito Oscilador(9)
b)Formas de onda(9)
Fig 2.22 Oscilador con UJT
) 22 . 2 ( )
t
e 1 .( Vcc
c
V
RC

=
Para que el circuito oscile, R debe
satisfacer las ecuaciones 2.20 y 2.21
con Vs=Vp , Is=Ip y VH=Vv,IH=Iv.
R2(fig 2.22 a) sirve para compensar la
variacin trmica de RB2B1, y su valor lo
da el fabricante. R1 determina el ancho
del pulso, y debe ser bajo, para acelerar
el proceso de descarga del capacitor;un
valor tpico es de 100
El voltaje en el capacitor vara entre VV y
Vp.Se ignora Vv por ser pequeo.La
ecuacin de carga del capacitor es:
) 24 . 2 ( )
Vp Vcc
Vcc
ln( RC
1
T

=
La ecuacin de descarga es:
) 23 . 2 ( )
t
p
V
c
V
C )
1 EB
R
1
R (
e
+

=
Para t=T1,Vc=Vp
Para t=T2,Vc=Vv(despreciable)
) 25 . 2 ( C
1
R 5 )
Vv
Vp
ln( C )
EB
R
1
R (
2
T ~ + ~
T=T1+T2 peroT2<<T1 entonces
) 26 . 2 ( )
1
1
ln( C R )
Vp Vcc
Vcc
ln( C R T
q
=

=
88
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2..03.9.3 EL PUT(9)
El transistor programable de
unijuntura(PUT) es un tiristor de 3
terminales: Anodo(A); ctodo(K) y
compuerta (G)(fig 2.23 a).Se diferencia
del SCR en que G se referencia con A
y no con K.S VAG>o, el PUT pasa del
estado de bloqueo al de conduccin.
Variando VG mediante un divisor de
voltaje(fig2.17b), se puede programar
la relacin intrnseca(). Los
parametros del equivalente Thevenin
son:
Vs=VBBR1 /(R1+R2) (2.27)
RG=R1R2/(R1+R2) (2.28)
Vp=Vs+VAG+IpRG (2.29)
Los PUT son sensibles a cambios en
Vs y RG .Fluye una corriente
inversa(negativa) de nodo para
VA<Vs, debido a una corriente de fuga
de la red de polarizacin a la red de
carga. Para corrientes menores a Ip el
dispositivo est bloqueado, y con una
corriente mayor, el dispositivo pasa a
la zona de resistencia negativa y luego
a la de conduccin. IGAO es la corriente
de compuerta a nodo, con ctodo
abierto
Para Ip<I<Iv ,el dispositivo opera en la
zona inestable de resistencia negativa,
y con Iv ocurre el voltaje mnimo(Vv)(el
dispositivo se comporta como dodo.
a)Smbolo y circuito equivalente
b)Circuito de programacin
y equivalente Thevenin
c)Caracterstica v-i
Fig 2.23 El PUT
89
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
Fig 2.24 Oscilador con PUT
2.03.9.3.1 OSCILADORES CON PUT
Para que el circuito oscile, RT debe
satisfacer las ecuaciones 2.20 y
2.21 .RT y CT conforman la red de
temporizacin, que determina el
tiempo entre la aplicacin del
voltaje(cierre del interruptor) y el
inicio del pulso
El perodo de los pulsos es igual al
del oscilador con UJT, con la
diferencia que es variable
=RB2/(RB1+RB2)
) 30 . 2 ))( R R /( R ln(
T
C
T
R T
)
1
1
ln(
T
C R T
2 B 1 B 1 B
T
+ =
=
q
=
El voltaje en el capacitor vara des
de Voff(Vv) hasta Von(Vp).(Fig
2.24b).Cuando el capacitor alcanza
Vp, se descarga a travs de RGK y
la compuerta del PUT ,y se
produce en RGK un pulso de
voltaje(fig 2.24c) el cual aparece
recortado por el voltaje de
conduccin del dodo compuerta
ctodo del SCR.S Vs es
continuo,el ciclo de carga y
descarga se repite indefinidamente
c)Pulso de salida
b)Voltaje en el capacitor
a)Circuito oscilador(6)
90
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.9.3.2 SINCRONIZACION DE LA FUENTE DEL OSCILADOR CON LA
FUENTE DE CORRIENTE ALTERNA
a)Circuito(6)
b)Forma de onda de Vs
Fig2.25.Sincronizacin del
pulso del oscilador con la
fuente
En los convertidores CA/CD
controlados por fase , se requiere
sincronizar los pulsos de salida, con
el voltaje alterno de la fuente .Se
requiere que la carga del capacitor
se inicie con el paso por cero del
voltaje de la fuente
Una posibilidad de realizar esta
sincronizacin se muestra en la fig
2.25a. El voltaje de la fuente se
rectifica(onda completa) y se recorta
por el dodo Zener(D1) y se obtiene
la forma de onda Vs(fig 2.25b).Dado
que Vp del PUT(Vs) cae a cero,
cada vez que el voltaje de la fuente
pasa por cero, se descarga CT al
final de cada semiciclo, y el inicio de
un nuevo semiciclo ocurre con CT
descargado.
Los valores de RT y CT controlan el
instante (ngulo de fase) al cual
ocurre el pulso.
El dodo Zener garantiza la
constancia del inicio del pulso, aun
al presentarse una perturbacin del
voltaje de la fuente.
Vs
91
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.9.3.3 APLICACIONES DEL OSCILADOR CON PUT
Fig 2.26 Control de media onda
a)Circuito
b)Formas de onda en la carga y en la
Compuerta para =90
La fig 2.26 a) muestra un
circuito de control de media
onda de un convertidor
CA/CD.
RD limita la corriente del
Zener, para no exceder su
capacidad disipativa(Pz).
D1 acta como zener,
nicamente en el semiciclo
positivo y en el semiciclo
negativo funciona como un
dodo normal. Suministra el
voltaje al circuito oscilador (
Vs) .
El valor de RD se determina
de la ecuacin 2.31
RD =(VRMS -0.7Vz)/Iz
(2.31)
VRMS =Voltaje eficaz de la
fuente
RT y CT fijan el perodo del
pulso del oscilador ,el cual
necesariamente no es el
perodo del pulso de
disparo(Por qu).
El control de la potencia
entregada a la carga ocurre
nicamente en el semiciclo
positivo.
La fig. 2.26b) muestra las
formas de onda del voltaje
en la carga y en la
compuerta para =90
2.03.9.3.3 .1 CONTROLADOR DE MEDIA ONDA
92
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.03.9.3.3 APLICACIONES DEL OSCILADOR CON PUT
Fig 2.27. Control de onda completa
a)Circuito
c)Voltaje en la carga
El circuito control del
convertidor CA/CD de onda
completa se realiza
adicionando un puente
rectificador, un transformador
de pulsos y sustituyendo al
SCR por un TRIAC(fig 2.27a).
RD y D6 permiten la
sincronizacin del voltaje de la
fuente con los pulsos del
oscilador.
R1 y R2 conforman el circuito
divisor de voltaje, para
programar el disparo del PUT.
El transformador de pulsos
aisla el neutro (120V) o la fase
(208 V), del terminal negativo
del circuito oscilador del PUT.
En este circuito, el
transformador de pulsos es una
mejor opcin como interfase de
disparo,comparado con el
optoacoplador.
La fig. 2.27b)muestra los pulsos
en la compuerta del triac y la
fig.2.27c),muestra el voltaje en
la carga
2.03.9.3.3 .1 CONTROLADOR DE ONDA COMPLETA
b)Pulsos en la compuerta del triac
93
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.04 TIRISTOR DE APAGADO POR COMPUERTA
2.04.1 CARACTERISTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(9)
Las principales diferencias
constructivas con el SCR son:
Interconexin de capas de
control (mas delgada) y
catdicas con incremento en
el permetro de las regiones
de puerta.
Ataque qumico para acercar
el contacto de puerta al centro
de las regiones catdicas.
Regiones que corto-
circuitan las regiones
andicas para acelerar el
apagado pero generan un
bajo voltaje de ruptura
inverso.
La caracterstica v-i en
polarizacin directa es similar
a la del SCR pero no as la de
polarizacin inversa.
La ganancia de corriente al
encendido es alta, del orden
de 200 y la de apagado es
baja del orden de 5 a 10.
a) Estructura Bsica.
b) Caracterstica v-i.
c) Smbolo.
Fig 2.28 Tiristor de apagado por
compuerta(GTO).
94
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.04.3 MODELAMIENTO DEL GTO(9)
Al aplicarle un pulso de corriente a la
compuerta los dos transistores
se saturan y el comportamiento es el
del SCR (ec 2.06).
Para bloquearlo se debe sacar de
saturacin a los dos transistores
aplicando una corriente de compuerta
negativa
( ) 0 >
GK
V
( )
0 < G
I
G
I
A
I
1 2 B
I o =
( )
A
I
1
1
1 B
I
2 C
I o =
2
2 C
I
2 B
I
|
<
No saturado
2
T
( )
2
1
2
2
o
o
= |
( ) ( )( )
A
I
2
2
1
1
1
2
2
1
2 C
I
2 B
I
o
o o
=
o
o
<
Sustituyendo
( )( )
2
A
I
2
1
1
1
G
I
A
I
1
o
o o
< o
( ) 1
2 1
2
A
I
G
I o + o
o
>
off
A
I
G
I
|
>
) 32 . 2 (
1
2 1
2
off
o + o
o
= |
Fig. 2.29 Modelamiento del GTO.
a)Corrientes al encender
95
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.04.4 ENCENDIDO Y APAGADO DEL GTO
Para entrar en conduccin se
necesita un alta variacin
temporal de la corriente de
compuerta, hasta alcanzar el
valor IGM necesario para poner
en conduccin todo el cristal. Si
slo entra en conduccin una
parte, y circula toda la corriente
el GTO se puede daar.
Una vez se establece la
conduccin, baja la corriente a la
requerida(IGT) para que el GTO
siga conduciendo.
La aplicacin de una corriente
negativa del orden de 0,1 a 0,2
IA bloquea al GTO, pero debe
mantenerse un voltaje negativo
para evitar la conduccin
espordica del GTO.
Para el proceso de encendido y
bloqueo se requieren circuitos
(snubber) de proteccin para la
conmutacin.
Fig. 2.30 Forma de onda de la corriente
de la compuerta del GTO.(15)
96
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.04.5 CIRCUITOS DE PROTECCIN EN LA
CONMUTACIN (SNUBBER)(8)
El circuito de proteccin al
encendido (snubber de
corriente) realiza una
funcin amortiguadora, al
limitar la variacin
temporal de la corriente
andica y evitando que IA
alcance valores muy altos
debido a la recuperacin
inversa del dodo de rueda
libre de la carga, lo que
destruira al GTO.
El circuito de proteccin al
apagado (snubber de
voltaje) limita la variacin
temporal del voltaje
nodo-ctodo evitando un
encendido indeseado del
GTO.
Las formas de onda de la
corriente de nodo y del
voltaje nodo-ctodo del
GTO se muestra en la fig
2.31 c)
a) Circuito.
b) Corrientes y voltajes al apagado.
Fig. 2.31 Conmutacin del GTO.
97
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.04.6 CIRCUITO DE DISPARO DEL GTO(9)
a)Diagrama de bloques
b)Circuito de la etapa de salida
Fig 2.32 Circuito de disparo del GTO
El circuito de disparo de un
GTO tiene los siguientes
objetivos :
1) Encender al GTO por
medio de un pulso de
corriente .de valor alto
2)Mantenerlo en conduccin
hasta que IA alcance su valor
nominal
3)Apagar el GTO con un
pulso muy grande de
corriente negativa .
4)Reforzar el estado de
bloqueo del GTO con un
voltaje negativo en la
compuerta.
La fig 2.32a) muestra el
diagrama de bloques del
circuito de disparo de un GTO
de alto voltaje.
La fig 2.32b) muestra el
circuito de la etapa de salida
del circuito de disparo. La
rama R2C2 genera el pico del
pulso positivo y R3C3 el pico
del pulso negativo.T2 se
conforma por muchos
transistores en paralelo y no
se coloca un resistor en serie,
debido a la alta corriente de
apagado.R3 debe ser baja
para obtener un voltaje de
bloqueo directo mnimo
98
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.05 TRIAC
El trac es un dispositivo semiconductor de
cinco capas y tres terminales: MT1 , MT2, G
(compuerta). Se conforma por dos SCR
complementarios: entre MT1 y MT2 hay un
PNPN(SCR1) en paralelo con un
PNPN(SCR2). La regin entre MT1 y G
consiste de dos dodos complementarios
,por lo que permite el disparo ,con una
seal positiva o negativa en la compuerta.
El trac es un dispositivo bidireccional de
corriente. Una seal aplicada entre G Y MT1
positiva o negativa, polariza en directo
cualquiera de los dos dodos
complementarios, ubicados entre G y MT1,
generando la retroalimentacin positiva de
uno de los dos SCR complementarios y
haciendo fluir la corriente entre MT2 Y MT1,
independientemente de la polaridad de MT1
.
Se utiliza MT1 como referencia para voltajes
y corrientes. La caracterstica v-i (fig2.33
c) muestra los 4 posibles cuadrantes de
operacin. Los ms sensibles son Q1:
MT2(+), G(+) y Q3: MT2(-), G(-).
La operacin confiable se reduce a 60hz,
debido al corto tiempo para recuperarse y
revertir el estado de bloqueo ,debido a la
conduccin bidireccional de corriente.
a) Estructura bsica(7)
b) Smbolo
c) Caracterstica v-i(7)
Fig. 2.33 El Trac .
2.05.1 CARACTERISTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(7)
99
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.05.2 CIRCUITOS DE DISPARO DEL TRIAC(12)
a)Circuito bsico
b)Con transformador de pulsos
c)Con optoacoplador
Fig 2.34 Circuitos de disparo del trac
El circuito bsico de disparo del
trac(fig 2.34a) utiliza una red RC,
para atrasar el instante en el cual
el voltaje en el capacitor alcanza
el voltaje de ruptura del dac, para
que ocurra la conduccin del
trac.Este circuito de disparo es
manual(variando el potencimetro)
y no alcanza a cubrir toda la
posible gama del ngulo de
disparo.
El circuito de la fig 2.34b)
acondiciona en corriente y voltaje
con un transformador de pulsos ,el
pulso proveniente del circuito de
control.El ngulo de disparo ideal
de este circuito cubre toda la
gama disponible.
El circuito de la fig 2.34c)utiliza un
optoacoplador, de la serie MOC
fabricados por MOTOROLA, para
aislar el circuito de control del
circuito de potencia.El pulso
proveniente del circuito de control
se aplica a los terminales 1y 2 y el
optoacoplador cierra el circuito de
la compuerta del trac el cual
conduce.La resistencia del circuito
de compuerta (R=300),limita la
corriente impusiva al valor mximo
permitido por el optoacoplador
100
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.06 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION(BJT)
El BJT ha sido desplazado en bajos
voltajes por el MOSFET, y en voltajes
altos por el IGBT, por problemas
como el de la segunda ruptura, el
tiempo de recuperacin inversa y la
baja ganancia de control, sin
embargo se estudia aun para
comprender el IGBT .
Los BJT utilizados eran del tipo NPN
debido a la mayor densidad de
corriente permitida. La operacin
como interruptor est modulada por
el valor y la rapidez de crecimiento
de la corriente de base (fig. 2.35b).El
encendido rpido se realiza
inyectando una corriente alta(Ib=Ic)
hasta que fluya la corriente de
colector y despus se reduce a
Ib=Ic/ f .Si f (ganancia forzada) es
baja ,tambin lo ser Vce y el
transistor est profundamente
saturado. El tiempo de recuperacin
inicial directo esta asociado al tiempo
de demora al encendido td(on)El
proceso de recuperacin inversa
origina un tiempo de demora al
apagado(td(off)).El tiempo de
almacenamiento es el requerido para
remover la carga interna.
La falla de segunda ruptura ocurre
por circunstancias trmicas cuando
el transistor opera a altas corrientes y
voltajes.
a) Estructura bsica
b) Corrientes de base y
colector
Fig. 2.35 El BJT.
2.06.1 CARACTERISTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(2)
101
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.06 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION(BJT)
El BJT es un dispositivo
controlado por corriente. Un
circuito de disparo (base drive) de
un BJT debe suministrar una
corriente suficiente para
mantener el transistor
conduciendo en condicin de
saturacin(Ib>Ic/ ).La ganancia
tpica de un BJT est en el orden
de 5 a 10.Para mejorar la
ganancia se utiliza la
configuracin Darlington
Adems de suministrar
permanentemente la corriente de
conduccin, el driver debe
generar inicialmente un pulso de
sobrecorriente con valor pico de
Ic de ser posible, para acelerar el
proceso de encendido(fig. 2.36
a).
Para apagar el transistor
rpidamente, se debe aplicar a la
base un pulso de corriente
negativa, para remover la carga
almacenada y reducir el tiempo
de almacenamiento.
El circuito de la fig. 2.36b) cumple
con los requerimientos de la
forma de onda de ib. El capacitor
permite el pulso positivo de
sobrecorriente para el encendido
y el negativo para el apagado
a) Forma de onda de ib.
b)Circuito de disparo emisor-
seguidor
Fig. 2.36 Encendido y
apagado del BJT
2.06.2 CARACTERISTICAS DE ENCENDIDO(2)
102
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.07 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
La fig. 2.37a) muestra una seccin
lateral simplificada, de un
MOSFET canal N. El sustrato es
tipo P de bajo dopaje y los
terminales S(source) Y D(drain)
tienen alto dopaje. S se aplica un
voltaje positivo entre G (gate) y S
el campo elctrico convierte al
sustrato P gradualmente en un
material N, dependiendo de la
magnitud del voltaje aplicado,
hasta que para un valor
umbral(Vth), el efecto de inversin
se extiende en la regin
adyacente a la compuerta,
formando un canal N entre S y D,
que permite la conduccin de
corriente. El campo elctrico
mejora el flujo y el MOSFET es
un dispositivo controlado por
voltaje.
Este dispositivo se puede
considerar como un resistor
controlado por voltaje ,dado que
Vgs modifica la resistencia entre S
y D(Rds) .La cada de voltaje entre
D y S genera un efecto que se
opone el efecto de Vgs y la
corriente alcanza un valor de
saturacin. La mayora de
MOSFET requieren de un Vgs
entre 8 y 12 V, para conducir con
baja resistencia
a) Estructura bsica
b) Caracterstica directa
Fig. 2.37 El MOSFET canal N
2.07.1 CARACTERISTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(2)
103
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.07 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
b) Modelo circuital
Fig. 2.38 Modelo del MOSFET
2.07.2 MODELAMIENTO(2)
a)Capacitancias asociadas
La capacitancia de un MOSFET
tiene 3 componentes: Cgs, Cgd,
Cds. (fig. 2.34a).
La compuerta debe cargar a
Cgd+Cgs=Ciss. Cgd puede
producir corrientes importantes por
la oscilacin rpida de Vd entre
voltaje alto y bajo. Cgs presenta
valores del orden de 2000pF.
Las conexiones y el
empaquetamiento de los
dispositivos de potencia introducen
inductancias en el modelo. En la
fig. 2.34a) se observa que en
paralelo con el canal N hay una
regin NPN. Esta regin conforma
un transistor bipolar parsito, en
paralelo con el FET. Para evitar un
encendido indeseado de este
transistor, se cortocircuita
internamente el sustrato con el
drenador y el transistor se convierte
en un diodo en antiparalelo con el
FET(reverse body diodo). Este
diodo determina el voltaje de
bloqueo del MOSFET.
Por ser el MOSFET un dispositivo
unipolar, no presenta el fenmeno
de recuperacin inversa.
La fig. 2.34b) muestra el modelo
circuital para rgimen permanente
y transitorio, con un voltaje de
encendido de 2Vth.
104
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.07 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
Fig. 2.39 Disparo del MOSFET
2.07.3 CIRCUITO DE DISPARO(2)
a)Circuito de disparo
El circuito de disparo (driver)
debe proveer los siguientes
requerimientos :
a)Voltaje de encendido del
mosfet (Vgs>2Vth).
b)Los requerimientos de
corriente originados por la
capacitancia Ciss.
c)En ocasiones cuando el
circuito del convertidor lo
determine ,se debe considerar
las necesidades de
aislamiento de los terminales
del MOSFET.
La figura 2.35a) muestra la
configuracin del circuito de
disparo. Una fuente que
representa la seal proveniente
del circuito de control ,que debe
proveer la carga de la
capacitancia de entrada del
MOSFET, y un voltaje superior
a 2Vth,El proceso de carga del
capacitor ,establece el lmite de
la frecuencia de conmutacin.
Actualmente los fabricantes de
circuitos integrados ofrecen una
amplia gama de drivers para
MOSFET e IGBT.La fig 2.35b
muestra la utilizacin del C .I.
HCPL 2211 para disparar un
MOSFET o un IGBT.
b)Circuito integrado
105
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.08 TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA
Fig. 2.40 IGBT
2.08.1 CARACTERISTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(2)
El MOSFET utiliza slo una
fraccin del material como canal
conductor, y por ello para igual
condicin nominal la densidad de
corriente del MOSFET es la quinta
parte del BJT.Esto hace al
MOSFET mas costoso, cuando se
requieren voltajes nominales altos
y bajas caidas de voltaje.Una
alternativa a este problema es la
conexin Darlington FET-BJT(fig
2.36 a).Esta solucin tiene como
inconveniente su baja velocidad de
conmutacin al apagado(no se
puede aplicar una polarizacin
negativa)) y el requerir una unin
adicional para la estructura NPN
del BJT y la NPN del MOSFET. El
IGBT se basa en la configuracin
Darlington mejorando la integracin
para minimizar los inconvenientes
mencionados(fig 2.36b).
Si se aplica un campo elctrico
entre G y E se genera un canal de
baja corriente en la regin P
superior ,que provee una corriente
de base en la regin N interna que
activa el BJT(PNP) el cual
conduce la corriente..El IGBT
presenta una regin
PNPN(thyristor) que puede
producir una accin de cerrojo si
fluye una corriente de compuerta al
thyristor.,lo cual se evita mediante
dopaje o estructuras extras.
b)Corte seccional
a)Darlington FET-BJT
106
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.08 TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA
Fig. 2.41 El IGBT
2.08.2 MODELAMIENTO(2)
Para los IGBT que se utilizan en
iinversores, los fabricantes
iincorporan un dodo en
antiparalelo. El modelo del IGBT se
muestra en la fig. 2.37 a).El
comportamiento dinmico del IGBT
es similar al del BJT .El proceso de
apagado del IGBT es mas lento
que el del MOSFET. Una fraccin
importante de la corriente del IGBT
se conduce por el canal del
MOSFET ya que la ganancia
efectiva del BJT es baja. Para
apagar el IGBT VGE debe llevarse a
0.Una vez que se descarga CGS,
el canal desaparece. Sin embargo
el flujo de corriente en el transistor
desaparece mas lentamente
debido a que los portadores de la
base desaparecen por accin de la
recombinacin. Esto genera un
perfil de corriente denominado
cola de corriente (Tail current ) que
se aprecia en la fig 2.37 b)
Valores tpicos de toff de 20s son
adecuados en inversores de baja
frecuencia pero no para
aplicaciones PWM. Es posible
reducir el toff a 500ns, pero se
incrementa la cada de voltaje
b)Corriente de apagado del IGBT
a)Modelo del IGBT
107
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
2.08.2 CIRCUITO DE DISPARO(13)
Se puede disparar un
MOSFET/IGBTmediant
e componentes
discretos o utilizando
drivers de C.I.La
utilizacin de C.I.
reduce el espacio
,ahorra tiempo de
diseo y reduce la
demora de propagacin
de la seal.Para el
disparo del
MOSFET/IGBT de altos
requerimientos de
corriente , se utilizan 2
transistores acoplados
NPN y PNP en
configuracin totem
pole para amplificar la
corriente de salida del
driver.IXDD408(fig2.38)
Rgon, y Rgoff controlan
los tiempos de
encendido y apagado
Los zener Z1 y Z2 se
aplican para proteger la
unin EG. Para
acelerar el apagado se
utiliza una fuente de
15/-5 V
Para los IGBT que no
demanden alta
corriente, se utiliza el
C.I. IXDD408(fig
2.38b).
Fig 2.42 Circuito de disparo(13)
a)IGBT de alta demanda de corriente y
aceleracin del proceso de encendido y
apagado(13)
b)IGBT de baja demanda de corriente(13)
108
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
BIBLIOGRAFIA
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http://iecon02.us.es/~leopoldo/Store/tsp_7.pdf
110
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
ACTIVIDADES
TEORIA
1) Clasificar a los semiconductores de potencia de acuerdo
a)Naturaleza constructiva.b)Tipo de control.c)Caracterstica operativa v-i
2)Cuales son las diferencias entre un dodo de potencia y uno de
seal?
3)Enumerar los parmetros operativos significativos del dodo de
potencia.
4)Describir el fenmeno de recuperacin inversa , e indicar como afecta
la operacin del dodo.
5)Por qu se conectan en paralelo ,con los dodos en serie,
,resistores?Qu caractersticas debe tener el resistor?
6)Cules semiconductores se comportan como interruptores
controlados por voltaje ?En qu se diferencia el DIAC del
SIDAC?Donde se aplican?
7)Qu es un SCR?Cuales son las condiciones que se deben cumplir
para que el SCR conduzca?Cual es la condicin para bloquear al
SCR?
8)Enumerar los parmetros operativos del SCR.
9)Analizar el modelo matemtico del SCR, e inferir las situaciones que
hacen conducir al SCR.
10)Dibujar el modelo circuital del SCR para regimen transitorio, y
justificar que un alto dv/dt puede producir una conduccin indeseada del
SCR.
12)Cules son las caractersticas ideales de la corriente de compuerta
del SCR?Dibujar la forma de onda que cumpla estas condiciones.
13)Definir tiempo de encendido del SCR.Para que se utiliza este
parmetro?
14)Definir conmutacin natural y forzada del SCR.
15)Analizar el circuito de conmutacin forzada clase C(fig 2.12) y
especificar la naturaleza y parmetros del capacitor.
16)Cmo se determina el valor de la resitencia de compuerta del
SCR(fig 2.13)?Cules son los valores mximo y mnimo de esta
resistencia?Por qu se conecta un dodo en antiparalelo con la
compuerta del SCR?
111
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
ACTIVIDADES
TEORIA
17) Para el circuito de disparo del SCR con transformador de pulsos(fig
2.11a)se pregunta cual es la funcin de los siguientes
elementos:D1,Dz;R1,R2,,D2,R3.
18)Qu es un optoacoplador?Cmo funciona?Para qu se
utiliza?Qu es un optoacoplador con cruce por voltaje cero?
19)Para el circuito de disparo del trac con optoacoplador con cruce por
cero ,se pregunta:Cmo se selecciona R?Cual es la funcin de Rs y
Cs?
20)Para qu sirve el circuito snubber de corriente y el de voltaje de un
SCR?
21Cmo se modificara la ec. 2.16 si se tiene en cuenta la capacitancia
del SCR(Cj2).
22)Cmo se define la resistencia negativa de un elemento?.Utilizando
la fig. 2.16 a), describa la operacin del oscilador de relajacin.Qu
ocurrira si R1 es mayor que el valor mximo establecido?S fuese
menor?
23)Describir la estructura del UJT y su operacin como elemento de
resistencia negativa.
24)Para el circuito oscilador de relajacin con UJT(fig 2.22 a), se pide
deducir la expresin para la frecuencia de oscilacin.
25)Utilizando el circuito de la fig 2.24 a) describa la operacin del
oscilador de relajacin con PUT.
26)Podra funcionar el circuito de la fig.2.26 a)sin el dodo Zener?Qu
inconvenientes tendra?
27)Modificar el circuito de la fig.2.23 a) utilizando optoacoplador.
28)Por qu en los circuitos de las figs. 2.26 a)y 2.27a),RT y CT no
afectan el perodo de los pulsos de disparo,pero si afecta el perodo del
oscilador?
29)Enumerar las diferencias constructivas entre el SCR y el GTO.
30)Deducir e interpretar la ecuacin 2.32
31)Dibujar y analizar la forma de onda de la corriente de compuerta del
GTO.
112
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
ACTIVIDADES
TEORIA
32)Enumerar las funciones del circuito de disparo de un GTO.
33)Utilizando la fig 2.33 a),justificar la caracterstica v-i del TRIAC.
34)Por qe si el circuito de disparo se conecta entre MT2 y G ,el TRIAC
no se activa?
35)Para el circuito de disparo del TRIAC de la fig 2.34a),se pregunta:
a)Cul es el valor mnimo de Rpot? b)Cul es el valor mximo del
ngulo de disparo?
36)Qu hace falta en el circuito de la fig. 2.34b)Para el correcto
funcionamiento del circuito?
37)En el circuito de la fig 2.34c), cual es el valor mximo del ngulo de
disparo
38)Interpretar las formas de onda de corriente de base y colector del
BJT(fig.2.31b)
39)Analizar el circuito de disparo del BJT(fig.2.36a)
40)Describir la naturaleza constructiva y la operacin del MOSFET.
41)Interpretar el modelo del MOSFET(fig.2.38a).
42Por qu es importante en el circuito de disparo del MOSFET el valor
de Cgs del MOSFET?
43)Describir la naturaleza constructiva y la operacin del IGBT.
44)Interpretar el modelo del IGBT
45)Analizar el circuito de disparo del IGBT (fig 2.42)
113
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD II.UFPS
UNIDAD III
CONVERTIDORES CA/CD NO
CONTROLADOS
114
La corriente continua se utiliza
en muchos procesos industriales
tales, como:
a)Procesos electroqumicos:
galvanizado, niquelado, cromado
etc , en los cuales el transporte
de carga elctrica va
acompaado de transporte de
carga.
b)Cargas accionadas por
motores de corriente continua.
c)Procesos de soldadura
Las fuentes de corriente directa
se obtienen de la fuente de
corriente alterna mediante
convertidores CA/CD. Para
obtener un voltaje continuo se
debe aplicar a la salida del
convertidor un filtro pasa bajo,
cuya naturaleza depende de la
magnitud de la carga.
La mayora de los procesos
operan bajo condiciones de
carga variable,
3.0.0 INTRODUCCION
3.0 CONVERTIDORES CA/CD NO CONTROLADOS
Fig 3.00 Procesos de voltaje DC
constante
115
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
a)Soldador
b)Tablero Rectificador
La conversin CA/CD ms elemental se
realiza utilizando un dodo.Al iniciarse el
semiciclo posititivo,el dodo ideal se
polariza en directo y conduce el voltaje de
la fuente a la carga.Por ser la carga
resistiva, la corriente est en fase con el
voltaje. Al comenzar el semiciclo negativo
el dodo se bloquea(polarizacin inversa) y
la corriente desaparece.
En la carga aparece nicamente el
semiciclo positivo de la fuente.
La corriente en la fuente circula
nicamente en el semiciclo positivo ,lo
que genera una alta distorsin sobre la
fuente , que se manifiesta en un alto
THD.El factor de rizado(FR) es alto:
Fig 3.01. Rectificador
monofsico con carga
resistiva
3.0.1 RECTIFICADOR MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVA
3.0 CONVERTIDORES CA/CD NO CONTROLADOS
a)Circuito(1)
b)Formas de onda(1)
t
=
}
t
t
>= <
Vs
) wt ( d ) wt ( sen
0
m
V
2
1
Vd
(3.01)
4
2
2
1
FR
t
=
(3.02)
El VRRM del dodo debe ser mayor que
Vm y el IFRM debe ser mayor a Vm/R.
Este rectificador es ampliamente utilizado
en las fuentes de poder de equipos
porttiles debido a su bajo costo
116
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
3.0.2 RECTIFICADOR MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVA-INDUCTIVA(2)
El dodo para conducir mira si la fuente lo
polariza en directo. Si conduce, no le
interesa la fuente, hasta que desaparezca la
corriente. Al iniciar el semiciclo positivo
conduce D e id crece con retardo respecto al
voltaje .En wt=,id>0 ,D conduce y aparece
en Vd una excursin negativa del voltaje(fig
3.02b).La corriente se obtiene de la solucin
de la siguiente ecuacin diferencial
Fig 3.02. Rectificador
monofsico con carga
resistiva-inductiva
) 05 . 3 (
L
Rt
e
Z
sen
s
V
d
i

=

) 03 . 3 (
dt
i
d
d
L
i
d
R Vs + =
a)Circuito(2)
c)Soluciones para id (2)
b)Forma de onda de Vd e Id (2)
La solucin particular(regimen permanente)
es
) 06 . 3 ( ) R , L ( f
v
d
2
1
v
d
) wt ( d ) wt ( sen
1
wt
0
V
s
>= <
t
>= <
}
) 04 . 3 ( ) wt ( sen
Z
s
V
d
i |
=
La solucin de regimen transitorio es:
La corriente se extingue en wt1 .Este valor
depende de L y R. El voltaje promedio
depende de wt1 y por lo tanto de la carga
La dependencia del voltaje con la carga es
una situacin indeseable.
117
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
3.0.3 RECTIFICADOR MEDIA ONDA CARGA RESISTIVA INDUCTIVA Y
DIODO DE RUEDA LIBRE(2)
Para hacer Vd independiente de la carga,
se ubica en antiparalelo con la carga un
dodo(D2,dodo de rueda libre )que impida
la excursin de Vd en la parte negativa.
Con dodos ideales D1 y D2 trabajan
alternadamente, s los dodos fuesen
reales, el fenmeno de recuperacin
inversa hace posible la conduccin
simultnea ,y se deben tomar medidas.
Al iniciar el semiciclo positivo, conduce
D1;D2 se polariza en inverso, y la fuente
alimenta la carga(id crece).
En wt=.la fuente polariza en directo a D2,
este bloquea a D1,y la carga(R) se
alimenta de la energa magntica del
inductor(id decrece)
) 07 . 3 ( L / Rt
Ae
Z
) wt ( sen
V
s
d
i
) wt 0 (
dt
d
di
L
d
Ri ) wt ( sen
V
s

+

=
t < < + =
) 08 . 3 (
e
) w / t (
) wt (
d
i
d
i
) 2 wt ( ; 0
dt
di
L
d
Ri
t
t

t = =
t < < t = +
Fig 3.03 Rectificador
media onda con carga
resistiva-inductiva y dodo
de rueda libre
a)Circuito(2)
b)Formas de onda(2)
El voltaje Vd=Vs/ no depende de la
carga
118
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
3.0.4 RECTIFICADOR MEDIA ONDA CARGA RESISTIVA INDUCTIVA
DIODO DE RUEDA LIBRE E INDUCTANCIA EN LA FUENTE(2)
Se considera la inductancia inherente a la
fuente(Lc).Si Ld/R10(2/w),la carga
demanda una corriente constante(Id).
Al terminar el semiciclo negativo, D2
conduce Id.Al iniciar el semiciclo positivo
se polariza en directo D1,pero la corriente
crece gradualmente debido a Lc.Se inicia
un proceso de conmutacin de la corriente
del dodo D2 al D1.El circuito equivalente
para el proceso de conmutacin(fig
3.04b)permite deducir:
El voltaje en la carga es 0 durante el
proceso de conmutacin,ya que conducen
ambos dodos. Al terminar el proceso en
wt =,toda la corriente de la carga la
conduce D1, y D2 se bloquea
) 09 . 3 ).....(
s
V
d
I
c
X
1 (
1
cos
c
wL
0
) wt ( d ) wt ( sen
s
V
d
I
0
i
d
1 D

=
}
}
) 10 . 3 )......(
s
V 2
d
I
c
X
1 (
s
V
Vd
2
) wt ( d ) wt ( sen
s
V
Vd

t
>= <
t
}
t

>= <
Fig.3.04 Rectificador
media onda con dodo
rueda libre e inductancia
en la fuente
a)Circuito
c)Formas de onda de Vd ,iD1 (2)
El voltaje Vd depende de la carga
b)Circuito equivalente(2)
119
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
a)Circuito(2)
3.0.5 RECTIFICADOR MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVACAPACITIVA
El dodo conduce si Vssen(wt)>Vd, esto
ocurre entre wt1<wt</2.La corriente de
la fuente(il ) crece para cargar el
capacitor y alimentar la carga(R) y se
interrumpe en wt=,cuando Vssen(wt)<Vd
.Para /2 <wt<2+wt1, el capacitor
alimenta la carga. El valor de wt1 se
obtiene de:
Fig.3.05 Rectificador
monofsico con carga
resistiva-capacitiva
) 11 . 3 (
wRC
) 2 / 3
1
wt (
wRC
) 2 / 1 wt (
e
s
V
) 2
1
wt (
c
V
) e (
1
sen
1
wt
)
1
wt ( sen
s
V
) 2
1
wt ( sen
V
s
t
t

=
t + =

=
t +
a)Circuito(2)
b)Forma de onda de Vd e I L
) 12 . 3 .........(
f
rpp
RV
DC
V
Vf R
DC
V
C
R
DC
V
T
V C
T
Q
t
Q
DC
I
R
I
=
A
=
=
A
=
A
=
A
A
= >= <
Un anlisis aproximado, pero ms
significativo, supone que el capacitor se
carga instantneamente con una corriente
impulsiva
El capacitor alimenta la carga durante
todo el perodo,entoces:
Dado que existe un lmite para C, tambin
lo hay para el producto RVrpp(Voltaje de
rizo pico-pico Resistencia).
( ) 0 ) 1 wt 2 / t
120
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
.
El rectificador de onda completa
tipo semipuente, consiste de un
transformador con derivacin
intermedia ,y 2 dodos(fig 3.06 a).
El primario tiene n1 espiras y el
secundario 2n2 espiras(N=n1/n2)
El voltaje en la carga (Vd) consiste
del semiciclo positivo ,y el
semiciclo negativo invertido de la
fuente(fig 3.06b).
La forma de onda de la corriente
es igual a la del voltaje(fig.3.06b)
El factor de potencia de la fuente
es:
3.06 RECTIFICADOR ONDA COMPLETA TIPO SEMIPUENTE (1)
Fig 3.06 Rectificador de onda
completa
a)Circuito(1)
b)Forma de onda de VLd(1)
c)Forma de onda de id e is(1)
) 13 . 3 (
V
s
0
Vd
s
) wt ( d ) wt ( sen
V 2
t
=
=
t
}
t
>= <
) 14 . 3 (
2
8
p
K
NR
s
V
.
2
s
NV
R
2
2
s
V 4
p
K
2
max s
i
max
1
s
v
d
i
d
V
p
K
fuente
S
carga
P
p
K
t
=
t
=

> >< <


=
=
121
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
.
El rectificador de onda completa(fig
3.07a) est conformado por una
fuente senoidal , 2 rectificadores de
media onda:uno para el semiciclo
positivo(D1-D4) y otro para el
semiciclo negativo(D2-D3).Se consi
dera una carga altamente inductiva
El voltaje en la carga (Vd) son el
semiciclo positivo y el semiciclo
negativo invertido de la fuente(fig
3.07b).
Si en la carga, L/R10T(perodo de
Vd) ,id=Id(constante) y la corriente de
la fuente(is) es alterna rectangular(fig
3.07c)
El factor de potencia de la fuente es:
3.07 RECTIFICADOR MONOFASICO ONDA COMPLETA TIPO PUENTE
CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA
Fig 3.07 Rectificador de onda
completa
a)Circuito
b)Forma de onda de Vd
c)Forma de onda de Is
) 15 . 3 (
s
V 2
s
V
0
Vd
) wt ( d ) wt ( sen
t
=
t
}
t
>= <
) 16 . 3 (
2 2
p
K
2
)
d
I Vs (
d
I
s
V 2
p
K
2
Ise Vs
d
I Vd
fuente
S
carga
P
p
K
t
=

t
=

> <
= =
122
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
.
3.08 RECTIFICADOR MONOFASICO TIPO PUENTE CON INDUTANCIA
EN LA FUENTE(2)
Fig 3.08 Rectificador de onda
completa
a)Circuito(2)
b)Forma de onda de Vd
c)Forma de onda de Is
Se asume en la carga
L/R10T(perodo de Vd), para que la
corriente sea constante(Id). Para
wt=0(-) conducen D2 y D3 y la
corriente en la fuente es Is= -Id.
Para wt=0(+) se polarizan en directo
D1 y D4, y comienzan a conducir
gradualmente debido a Lc.Se incia el
proceso de conmutacin, que
termina en wt=,durante el cual
conducen los 4 dodos.
El voltaje en la carga es:
) 17 . 3 )......(
s
V
d
I
c
X 2
1 (
1
cos
c
wL
0
) wt ( sen
s
V I
d
I
d
i
s
d

=
}

}
) 18 . 3 ..( ).........
s
V
d
I
c
X
1 (
s
V 2
Vd
) wt ( d ) wt ( sen
s
V
Vd

t
>= <
t
}
t

>= <
El voltaje resulta regulado por la
carga, debido a la inductancia de la
fuente .La corriente en la fuente es
ms trapezoidal que rectangular
123
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
Fig 3.09 Rectificador trifsico
de tres pulsos
3.09 RECTIFICADOR TRIFASICO DE TRES PULSOS (2)
b)Forma de onda del voltaje
de salida
a)Circuito
Se considera un sistema trifsico de
secuencia a-b-c.
La fuente(Va) se define por
Van=Vssen(wt) y las otras estn
desfasadas(atrasadas) en el
tiempo120
Se conectan a cada una de las tres
fuentes, un dodo con su nodo
conectado al positivo de cada
fuente(rectificador positivo) .
El dodo que conduce, ser aquel
cuyo VAK sea el mayor de todos .
El dodo D1 conduce para:
30<wt<150
El dodo D2 conduce para
120<wt<270
El dodo 3 conduce para
270<wt<390
La forma de onda de salida (Vd),est
conformada por las crestas positivas
de los voltajes de las fuentes , a
medida que conducen D1,D2 y D3(fig
3.09b).Se generan tres pulsos en un
perodo de la fuente.
El valor promedio del voltaje de
salida es:
) 19 . 3 ( ..........
2
s
V 3 3
Vd
6
5
6
) wt ( d ) wt ( Van
3
2
1
d
V
t
>= <
}
t
t
t
>= <
124
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
Fig 3.10 Rectificador de seis pulsos
Se conectan en serie con una carga
altamente inductiva, modelada por
una fuente de corriente en modo
pasivo (Id), un rectificador trifsico de
tres pulsos positivo(nodos de los
dodos conectados al positivo de la
fuente)(Vd1) y uno negativo(ctodos
de los dodos conectados al positivo
de las fuentes)(Vd2)(fig. 3.10a)
El voltaje a los terminales de la carga
es:
Vd1 atrasa a (Vd2) en 60,y Vd
resulta ser una onda de perodo igual
a 60(6 pulsos en un perodo de la
fuente).
La tabla de conduccin del
rectificador se muestra en la fig.
3.10c).
Para /2<wt<5/6,conducen los
dodos D1 y D6 y se le aplica a la
carga el voltaje Vac.
El voltaje promedio en la carga es:
3.10 RECTIFICADOR TRIFASICO DE SEIS PULSOS (2)
2 d
V
1 d
V
d
V =
) 20 . 3 ...( ..........
s
V 3 3
Vd
) 30 wt ( sen
s
V 3 Vac
6
5
2
) wt ( d ) wt ( Vac
3
1
d
V
t
>= <
=
}
t
t
t
>= <
a)Circuito
c)Tabla de conduccin y forma de
onda de Vd
b)Formas de onda de Vd1 y Vd2
125
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
El circuito de 2 rectificadores de tres
pulsos en serie(fig 3.10), se puede
representar como un circuito tipo
puente(fig 3.11a)
La fuente del rectificador puede ser
un transformador estrella-estrella(fig
3.11a) o delta-estrella(fig 3.11b).Si se
conecta en estrella(fig 3.11a), el polo
negativo de la carga no se puede
conectar a tierra ,ya que su potencial
elctrico es diferente del potencial
del neutro de la fuente, el cual suele
conectarse a tierra.La corriente en la
fuente es la demandada por el
rectificador.La forma de onda de ia se
muestra en la fig 3.11a).La forma de
onda de la corriente de la fuente (iA )
es idntica a ia
Si la fuente se conecta en delta-
estrella, la corriente de la fuente(iA)
es escalonada, ya que es la
diferencia de 2 formas de onda(fig
3.11a) desfasadas 120 .Esta
corriente presenta un THD menor
que en la fuente estrella-estrella.
Por la razn anterior , la conexin
adecuada para reducir la distorsin
en la fuente, es utilizar la conexin
delta (primario)-estrella en el
secundario.
:
3.11 FORMAS DE ONDA DE LA CORRIENTE EN LA FUENTE DEL
RECTIFICADOR DE SEIS PULSOS
a) Fuente en estrella-estrella y
corriente de la fuente
b)Fuente en delta-estrella
Fig 3 .11 Corrientes en un
Rectificador de 6 pulsos
126
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
Un rectificador de 12 pulsos se
puede obtener, conectando en serie
2 rectificadores de 6 pulsos, si sus
voltajes de salida estn desfasados
30(fig3.12a).
Se conecta el rectificador superior a
la fuente ,a travs de un
transformador estrella-estrella y se
obtiene en la salida Vd1 .El
rectificador inferior se conecta con
un transformador delta-estrella ,y su
salida (Vd2) est adelantada 30 en
relacin a Vd1, debido a que la
conexin delta-estrella produce
voltajes en el secundario(a,b,c)
adelantados 30 con respecto a los
de la conexin estrella-
estrella(a,b,c) .
La conexin serie produce
Vd=Vd1+Vd2 (3.21))
El perodo de Vd es 30(12 pulsos
en un perodo de la fuente).En el
intervalo /6<wt</3,conducen los
dodos D1,D5,D7 y D11.
Vd=Vab+Vab
Vab=3V ssen(wt+30)
Vab= 3Vssen(wt+60)
Vd=3.346Vssen(wt+45)
:
3.12 RECTIFICADOR DE 12 PULSOS
b)Formas de onda de Vd (2)
Fig 3 .12 Rectificador de 12 pulsos
) 22 . 3 .......( ..........
s
V 310 . 3
d
V
) wt ( d
3
6
) 45 wt (
s
V 346 . 3
6
1
d
V sen
>= <
}
t
t
+
t
>= <
a)Circuito serie(2)
127
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
3.13 FILTROS AC Y DC PARA RECTIFICADORES
MONOFASICOS CON CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA
Las condiciones ideales de operacin de
un convertidor CA/CD son : a)Factor de
rizado en la carga :0;b) THD de la
corriente en la fuente:0.
El voltaje de salida del rectificador
monofsico Vd, (fig 3.13b) muestra un
alto factor de rizado y por ello debe
insertarse entre la salida del rectificador
y la carga un filtro DC(fig 3.13a) .La
funcin del filtro CD es reducir el factor
de rizado del voltaje en la carga. ir
Dado que la carga es altamente
inductiva, la corriente demandada por el
rectificador a la fuente (ir), es alterna
rectangular(fig3.13c) y lo ideal, es que la
corriente de la fuente tenga un
THD=0(senoidal).
El valor fundamental de la corriente ir
(4Id sen(wt)/) lo genera la fuente y los
armnicos son generados por el
conjunto carga filtro- rectificador
El filtro CA tiene como funcin minimizar
el THD de la corriente de la
fuente,mediante circuitos que sirvan de
by-pass a las armnicas de corriente de
orden 3 y limiten la de orden 5.Se inserta
el filtro CA entre la fuente y el rectificador
.
Fig 3.13 FiltrosAC/DC
a)Circuito
b)Formade onda de Vd
c)Forma de onda de ir
128
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
3.13.1 FILTRO CD CAPACITIVO PARA RECTIFICADOR
MONOFASICO(3)
.
Fig 3.14 Filtro DC capacitivo
a)Circuito
b)Forma de onda de Vd y del
voltaje de rizo
En el semiciclo positivo de la fuente, cuando
Vs>Vo(voltaje del capacitor) conducen los
dodos D1 y D2 y el capacitor se carga hasta
Vmax en el tiempo t1 .Un ciclo anlogo de
carga a travs de los dodos D3 y D4,
ocurre para el semiciclo negativo de la
fuente.S Vs<Vo,se polarizan en inverso
D1,D2 en el semiciclo positivo o D3,D4 en el
semiciclo negativo, y el capacitor se
descarga desde Vmax hasta Vmin, a travs de
R en el tiempo t2.Sea Vrpp, el voltaje de rizo
pico-pico
El voltaje de rizado VR(fig 3.14b)tiene un
valor eficaz de:
El factor de rizado (FR)en la carga es
C se selecciona de la ec. 3.23 y
automticamente queda determinado el FR,
ya que las ec.3.23 y 3.25 son dependientes
) 23 . 3 )(
fRC 4
1
1 (
m
V V
2
t
2
) afuente perododel ( T
2
t
1
t
RC 2
T
m
V
)
RC
2
t
( Vm
rpp
V ;
RC
2
t
1
RC
2
t
e
)
RC
2
t
e 1 (
m
V
min
V
max
V
rpp
V
DC
=
~ = +
= =

= =
) 24 . 3 (
fRC 3 4
m
V
3 2
rpp
V
Vac = =
) 25 . 3 (
) 1 fRC 4 ( 3
1
fRC 4
) 1 fRC 4 (
m
V
fRC 3 4
m
V
DC
V
Vac
FR

= =
129
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
3.13.2 FILTRO CD INDUCTIVO CAPACITIVO PARA
RECTIFICADOR MONOFASICO
.
Fig 3.15 Filtro inductivo
capacitivo
a)Circuito
b)Forma de onda de Vs
c)Circuito equivalente para los
armnicos
El circuito y la fuente (Vs) del circuito fitro-
carga se muestran en la fig 3.15 a y b
El voltaje de salida del rectificador(Vs) se
puede representar por una serie de Fourier
como:
El circuito equivalente para los armnicos(fig
3.15c).Para que el capacitor sirva de by-
pass ,para las armnicas de corriente se
debe cumplir:
por ser Vn(2wt)=5Vn(4wt),se considera
despreciable la armnica de orden 4 del
voltaje. Del circuito equivalente para
armnicos,el voltaje en la carga debido al
armnico 2 es :
El FR en la carga es:
) 26 . 3 (
4 , 2 n
..
) 1 n )( 1 n (
1
m
V 2
s
V
n
V V Vs
) nwt cos(
) nwt cos(
CD

=
+
+
t
=
+ =
) 27 . 3 (
nwC
10
2
) nwL (
2
R
L
Z
L L
> + =
) 28 . 3 (
LC
2
w 4 1 3
2
m
V 2
LC
2
w 4 1 2 3
m
V 4
V
Vac
FR
CD

=
t
t
= =
LC
2
w 4 1
1
3
m
V 4
LC
2
w 4 1
1
) w 2 (
n
V ) w 2 ( Von

t
=

=
El diseo del filtro se realiza con las ec.3.27
y 3.28
130
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
3.13.2 FILTRO CA PARA RECTIFICADOR MONOFASICO
El circuito rectificador-filtro-carga demandan
de la fuente, una corriente alterna
rectangular Ir (fig 3.16 b) la cual se puede
expresar por una serie de Fourier como:
La carga y el rectificador generan las
armnicas de corriente ,y esto se modela en
el circuito equivalente de la fig 3.16c),por la
fuente de corriente(In(nw))
Dado que las armnicas de orden 3 y 5 son
comparables en magnitud ,un solo filtro no
reduce efectivamente el THD en la fuente.
Lo deseable sera tener un circuito serie LC
resonante a n=3, para derivar la armnica
de corriente 3, en paralelo con el rectificador
y un filtro LC(fig. 3.16a) para derivar una
parte importante de la armnica 5 por el
capacitor(divisor de corriente).
Del circuito equivalente se puede deducir:
El THD en la fuente ser:
Las ec 3.30 y 3.31 permiten el diseo del
filtro para un THD determinado Fig 3.16 Filtro CA
a)Filtro para armnicas 3 y 5(2)
b)Forma de onda de Ir
) 29 . 3 (
n
I
.. 7 , 5 , 3 n
2
1
I 2
r
i
.. 7 , 5 , 3 n
n
d
I 4
)
d
I 4
r
i
) nwt ( sen ) wt ( sen
) nwt ( sen wt ( sen

=
+ =

=
t
+
t
=
) 30 . 3 ......( ..........
i
C
i
L
2
w
2
n 1
) nw (
n
I
) nw (
s
I

=
c)Circuito equivalente para
los armnicos de corriente
) 31 . 3 ..( ..........
2
1 s
I
) nw (
1 n
2
s
I
THD

=
=
131
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
BIBLIOGRAFIA
1)RashidM.H.(editor) POWER ELECTRONIC HANDBOOK 1993.
Consulta Internet Mayo 21 2009 www.rapidshare.com/filea/97921259.
septiembre 24 2008
2) Kassakian J.G;Schlecht M.F.; Verghese G.C. PRINCIPLES OF
POWER ELECTRONICS 1991 Editorial Addison Wesley.
3) Rashid M. H. POWER ELECTRONICS:CIRCUITS,DEVICES,AND
APPLICATIONS 1993.Editorial Prentice-Hall
4)JaiP. Agrawal POWER ELECTRONIC SYSTEMS Theory and
design.2001 Editorial Prentice Hall
5 )P T. Krein ELEMENTS OF POWER ELECTRONICS 1998.Editorial
Oxford University Pres Inc
6)Mohan N;Undeland T.M.;Robbins W.P. POWER ELECTRONICS
2003 Editorial John Wiley & sons Inc
7)INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY POWER ELECRONIC
pdf.www.onlinefreebooks.net.Julio 13 2008
132
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
ACTIVIDADES
TEORIA
1)Deducir la ec 3.02. .
2)El el circuito rectificador de media onda y carga R-L por que el dodo
contina conduciendo despues de wt=2.Es posible en este circuito
obtener wt1=2?Justificar la respuesta
3)Para el circuito rectificador de media onda con dodo de rueda libre se
pide graficar id para L/R=20/w
4)Cules son los efectos de la inductancia de la fuente en la operacin
de un rectifcador de media onda y dodo de rueda libre sobre:a)Voltaje
en la carga.b)THD de la corriente de la fuente.
5)Qu se entiede por proceso de conmutacin en un rectificador?
6)Por qu no se utiliza el filtro capacitivao con cargas de baja
rsistencia?
7)Deducir el factor de potencia de un arrollamiento secundario del
rectificador tipo semipuente.Cuanto vale N en este rectificador(fig 3.06
a)?
8)Hacer un anlisis comparativo entre el rectificador tipo puente y el
semipuente.Considerar los siguientes aspectos:Costos;Caractersticas
de los dodos;Situaciones de aplicacin.
9)Deducir la ecuacin 3.18.Analizar el efecto de la inductancia de la
fuente en la operacin del rectificador.
10)Por qu no tiene utilidad prctica el rectificador de tres pulsos?
11)Deducir la ecuacin 3.20 para 7/6<wt<9/6.
12)Deducir la forma de onda de la corriente de la fuente(iA). para la
conexin delta-estrella(fig 3.11b).
13)Deducir la ecuacin 3.22 para /3<wt</2.
14)Deducir para el rectificador de 12 pulsos la forma de onda de la
corriente de la fuente(iA).
15)En un convertidor CA/CD,cul es la funcin del filtro DC?Del filtro
AC?cmo realiza cada filtro su funcin?
16)Analizar e interpretar la ecuacin 3.25.Hacer un anlisis comparativo
entre la ecuacin 3.25 y la 3.12.
17)Cundo se utiliza un filtro DC tipo LC en lugar de uno C?
18)Deducir las ecuaciones 3.28 y 3.31
133
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
1)El circuito adjunto sirve para
limitar un rpido crecimiento
temporal de VQ(snubber de
voltaje).
Se pide deducir y graficar iL,Vc, y
VQ
2)La figura adjunta muestra el
circuito esquemtico de un
rectificador de onda completa tipo
semipuente. Cada una de las
fuentes representa uno de los
devanados del secundario del
transformador:
a)Asuma que Lc=0 y dibuje vd
b)Para 0<wt<2,se pide deducir
y dibujar iD1 y iD2.
134
PROBLEMAS
Problema 1(2)
Problema 2(2)
Problema 3(2)
3)El circuito adjunto se utiliza
para realizar una fuente dual de
voltaje por ejemplo
Se pide dibujar a Vd1 y Vd2,
indicando las magnitudes.
V 15
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
4)El circuito adjunto se conoce como
un doblador de voltaje y se utiliza con
frcuencia para proveer operacin con
doble voltaje.
Se pide :
Dibujar el circuito equivalente y
dibujar Vdc si el interruptor S est
1)abierto.2)Cerrado
5)Disear un rectificador para una
carga de R=24 w; V= 12V 3%;La
fuente es de 120 V,60 hz.El diseo
debe incluir:a)Caractersticas del
transformador;b)Parmetros de los
dodos;c)Parmetros del filtro
6)Para alimentar un motor DC de
50HP,200V, se requiere disear un
rectificador.El diseo debe incluir la
seleccin de la fuente de CA,el
modelamiento del motor , las
caractersticas nominales de los
dodos y la caracterstica nominal del
transformador
7)Se dispone de un sistema trifsico
de 440V,60hz,Se requiere alimentar
una carga de 20Kw, 240 Vdc.
Se propone para resolver el problema
un rectificador trifsico de 6 pulsos,
con un transformador delta-estrella.
Se pide determinar :
a)Las caractersticas nominales de los
dodos.b)Caractersticas nominales
del transformador delta-
estrella.c)Factor de potencia en la
fuente.d)THD de la corriente de la
fuente.e)Factor de rizo en la carga
135
PROBLEMAS
Problema 4(2)
Problema 7
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
8)Una manera alterna para
obtener el rectificador de 12
pulsos, se muestra en el circuito
adjunto,donde se conectan en
paralelo los rectificadores de 6
pulsos.
Se pide :
a)Dibujar Vd y calcular <Vd)
b)Determinar el valor eficaz de
la corriente para los dodos.
c)Determinar la forma de onda
de la corriente de la fuente
d)Hacer un anlisis comparativo
con el rectificador serie de 12
pulsos.
136
PROBLEMAS
Problema 8(2)
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD III . UFPS
UNIDAD IV
CONVERTIDORES CA-CD
CONTROLADOS
137
La mayora de actividades
industriales que utilizan corriente
continua, tales como los
procesos electroqumicos
(galvanizado,cromado,niquelado
carga de bateras ,etc) y los
accionamientos de motores,para
transporte de personas y carga,
requieren de fuentes variables
debido a las condiciones
cambiantes de la carga.
La solucin ms prctica para
esta situacin es utilizar un
convertidor CA/CD controlado y
adicionarle un filtro en caso de
ser necesario.
El convertidor CA/CD controlado
supone la utilizacin de un
dispositivo controlado a la
conduccin y al apagado .El
SCR es un dispositivo
controlado a la conduccin, y el
apagado ocurre de una manera
natural ,ya que la fuente alterna
hace reducir la corriente por
debajo de la corriente de
mantenimiento en cada
semiciclo. Por lo anterior se
estudiarn los convertidores
CA/CD, accionados por SCRs,
en sus modalidades monofsica
y trifsica
Fig 4.0.0 Aplicaciones de
Convertidores CA/CD
controlados
4.0.0 INTRODUCCION
CONVERTIDORES CA/CD CONTROLADOS
a)Cargador de bateras
b)Control de velocidad de motores DC
138
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
Se inicia el semiciclo positivo y se polariza en
directo el SCR, pero no conduce hasta
(ngulo de encendido),cuando se le aplica el
pulso de corriente en la compuerta.El SCR
conduce hasta wt=,cuando desaparece la
corriente, por ser la carga resistiva.
El voltaje promedio en la carga es:
Fig 4.01 Rectificador
controlado media onda con
carga resistiva
4.0.1 RECTIFICADOR CONTROLADO MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVA(1)
CONVERTIDORES CA/CD CONTROLADOS
a)Circuito(1)
b)Formas de onda(1)
) 01 . 4 ( ) cos 1 (
2
Vs
d
V
) wt ( d ) wt ( sen V
2
1
d
V
s
o +
t
>= <
}
t
o
t
>= <
El voltaje en la carga se puede controlar,
variando el ngulo de encendido o disparo.
El ngulo de encendido se mide con
referencia al ngulo de conduccin ,cuando
se sustituye el SCR por un dodo.
El rectificador monofsico controlado
presenta, al igual que el no controlado ,altos
niveles de distorsin en la fuente y valores
altos del factor de rizado en la carga
139
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
Se considera el rectificador
controlado tipo semipuente (fig 4.02
a),con una carga resistiva.Las
formas de onda de los pulsos de las
corrientes de compuerta de Q1 y Q2
se muestran el la fig 4.02 b).
En wt =, Q1 se polariza en directo
y al aplicarle el pulso de corriente en
la compuerta conduce y se aplica a
la carga el voltaje vs ,hasta que deja
de conducir Q1,porque su corriente
decae a 0(wt=)
En wt=2+, se encuentra
polarizado en directo Q2 y al
aplicarle el pulso de corriente en la
compuerta conduce y le aplica a la
carga el semiciclo negativo de vs
invertido,hasta que deja de conducir
Q2 ,porque su corriente decae a 0
El voltaje promedio en la carga es:
Fig 4.02 Rectificador
semipuente con carga
resistiva
4.0.2 RECTIFICADOR CONTROLADO TIPO SEMIPUENTE(6)
CONVERTIDORES CA/CD CONTROLADOS
a)Circuito(5)
b)Formas de onda
) 02 . 4 )( cos 1 (
Vs
d
V
) wt ( d ) wt ( sen
s
V
1
d
V
o +
t
>= <
}
t
o
t
>= <
140
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
Se asume una carga altamente
inductiva(Id).En wt=0, conducen Q3
y Q4 y estn apagados Q1 y Q2 .Al
iniciarse el semiciclo positivo(wt0) la
polaridad+ de la fuente se traslada a
travs de Q4 al negativo de la carga,
cuyo voltaje(Vd) inicia una excursin
negativa(fig4.03b) .En wt=, se
invierte la polaridad de Vd por accin
de Q1 y Q2, los que conducen por la
aplicacin de los pulsos de
corriente(Ig1,Ig2). Para <wt<(+)
ocurre un proceso anlogo.
El voltaje promedio en la carga (Vd)
es:
Si 0<</2, <Vd> es positivo,Id>o,la
carga consume potencia y el flujo de
energa es del lado CA a
CD(rectificador)en un proceso
permanente
S /2<<,<Vd> es negativo,Id
sigue siendo positivo(Id debe ser
positivo para que los SCR puedan
conducir),la carga genera energa,
que proviene de su campo mgnetico
y el flujo de energa es de CD a
CA(inversor) en un proceso
transitorio
4.03 RECTIFICADOR MONOFASICO CONTROLADO TIPO PUENTE
CON CARGA INDUCTIVA(1)
Fig 4.03Rectificador controlado
de onda completa
) 03 . 4 ( cos
s
V 2
d
V
) wt ( d ) wt ( sen
V
s
Vd
o
t
>= <
t
}
o + t
o
>= <
a)Circuito(1)
Formas de onda
141
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
b)Formas de onda(1)
.
Se asume un valor alto de L ,para
que la corriente en la carga(ig) sea
continua.
Se considera una carga con una
resistencia interna, por ejemplo una
batera.
Si la corriente es continua , el voltaje
Vd depende de la fuente alterna(fig
4.04b).
Si el valor de L es inferior a un valor
crtico , la corriente es discontinua y
durante el tiempo que dura la
discontinuidad el valor de vd es el de
la fuente DC(E)
El valor promedio de vd es, de la
ec.4.03:
Aplicando la ley de Kirchhoff de
voltajes a los valores promedios , se
obtiene el valor promedio de la
corriente en la carga
Si la carga es una batera E aumenta
con el tiempo de carga. Si es un
motor ,E depende de la velocidad del
motor ,y por tanto de la carga
mecnica que acciona el motor
4.06 RECTIFICADOR MONOFASICO CONTROLADO TIPO PUENTE
CON CARGA CON FUERZA ELECTROMOTRIZ
Fig 4.04.Rectificador controlado
de onda completa y carga con
fuerza electromotriz
a)Circuito(1)
b)Formas de onda de vd y ig
142
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
o
t
>= < cos
s
V 2
d
v
) 04 . 4 (
R
E
v
d
i
g
> <
>= <
.
Se asume en la carga
L/R10T(perodo de Vd), para que la
corriente sea constante(Id).
La corriente de la fuente es alterna
rectangular, debido a la ausencia de
inductancia en la fuente. La corriente
atrasa al voltaje por el ngulo de
disparo()(fig 4.05b)
El factor de potencia es :
Otra manera de determinar el factor
de potencia es:
4.04 FACTOR DE POTENCIA DEL RECTIFICADOR MONOFASICO ONDA
COMPLETA TIPO PUENTE(1)
Fig 4.05 Factor de potencia
en un rectificador de onda
completa
) 05 . 4 ( cos
2 2
p
K
2
)
d
I Vs (
d
I cos
s
V 2
p
K
2
I
s
V
d
I Vd
fuente
S
carga
P
p
K
s
o
t
=

t
o
=

> <
= =
) 06 . 4 ( cos 9 . 0 cos
d
I
2
d
I 4
p
K
cos K ;
s
I
1 s
I
d
K ; K
d
K
p
K
o = o
t
=
o =
u
=
u
=
|
|
|
|
|
.
|

\
|
a)Circuito(1)
Formas de onda(1)
143
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
El proceso de conmutacin es similar
al del circuito con dodos, con la
diferencia que la conmutacin no se
inicia en wt=0 sino en .
Para el proceso de conmutacin se
cumple:
La forma de onda del voltaje se
muestra en la fig.4.04b. De esta
figura se obtiene el valor del voltaje
promedio como:
Una consecuencia lgica de la
inductancia en la fuente, es la
regulacin del voltaje por la carga.La
forma de onda de la corriente es
similar a la del circuito con dodos.
4.05 RECTIFICADOR TIPO PUENTE CON INDUCTANCIA
DE CONMUTACION(1)
Fig 4.06 Rectificador puente con
Inductancia de conmutacin
) 07 . 4 ( )
s
V
d
I
c
X 2
(cos
1
cos
c
wL
) wt ( d ) wt ( sen
s
V
d
I
d
I
di
L
o o

=
}
+ o
o
=

}
| |
) 08 . 4 (
s
V
d
I
c
X
cos
s
V 2
d
V
) cos( cos
s
V
d
V
0
) wt ( d ) wt ( sen ) wt ( d ) wt ( sen
s
V
d
V
(
(

(
(

o
t
>= <
+ o + o
t
>= <
}
o
}
t
+ o
+
t
>= <
a)Circuito
b)Formas de onda
144
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
Se asume una carga altamente
inductiva(Id).En wt=0, conducen Q2
y D1 , no conducen Q1 y D2 ,e is= -Id.
Al iniciarse el semiciclo
positivo(wt0) la fuente polariza en
directo a D2 y bloquea a D1. La
corriente de la carga circula por D2-
Q2,is=0 y vd=0.
En wt=, se aplica el pulso de
corriente(Ig1) a Q1,la corriente de la
carga circula por la fuente a travs
de Q1 y D2.
El voltaje promedio en la carga (vd)
es:
El convertidor funciona nicamente
en el modo rectificador, ya que al no
existir una excursin en la parte
negativa del voltaje, Vd no puede
cambiar su polaridad.La forma de
onda de vd se muestra en la fig 4.07
b)
La corrriente de la fuente es nula
entre 0<wt<, cuando D2 y Q2 y se
comportan como dodos de rueda
libre.La forma de onda de is se
muestra en la fig 4.07c)
4.07 RECTIFICADOR MONOFASICO CONTROLADO TIPO SEMIPUENTE
CON CARGA INDUCTIVA
Fig 4.07 Rectificador controlado
tipo semipuente
a)Circuito(1)
b)Forma de onda de vd
) 09 . 4 ( ) 1 (cos
s
V
d
V
) wt ( d ) wt ( sen
s
V
Vd
+ o
t
>= <
t
}
o
t
>= <
c)Forma de onda de is
145
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
Se asume en la carga
L/R10T(perodo de Vd), para que la
corriente sea constante(Id).
La corriente de la fuente es alterna
rectangular ,pero es nula para
ya que conducen Q2 y D2(fig4.04b) y
debido a la ausencia de inductancia
de conmutacin
El valor eficaz de la corriente de la
fuente (is)es:
El factor de potencia es :
El factor de potencia es mayor que
en el tipo puente
4.08 FACTOR DE POTENCIA DEL RECTIFICADOR MONOFASICO ONDA
COMPLETA TIPO SEMIPUENTE
Fig 4.08 Factor de potencia
en un rectificador en semipuente
a)Circuito(1)
b)Forma de onda de is
) 10 . 4 (
) (
d
I
s
I
t
o t
=
o < < wt 0
) 11 . 4 ( ) cos 1 (
) (
2
p
K
) (
d
I
2
s
V
d
I ) cos 1 (
s
V
p
K
2
d
I Vs
d
I Vd
fuente
S
carga
P
p
K
o +
o t t
=
t
o t

o +
t
=

> <
= =
146
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
El proceso de conmutacin
(conduccin de todos los SCR )es
similar al del circuito tipo puente.
Para el proceso de conmutacin se
cumple:
La forma de onda del voltaje se
muestra en la fig.4.09b .De esta
figura se obtiene el valor del voltaje
promedio como:
Una consecuencia lgica de la
inductancia en la fuente, es la
regulacin del voltaje por la carga.La
forma de onda de la corriente es
idntica al circuito tipo puente.
Fig 4.09 Rectificador semipuente
con inductancia de conmutacin
a)Circuito(1)
b)Forma de onda de vd e is(1)
) 12 . 4 ( )
s
V
d
I
c
X 2
(
1
cos
c
wL
s
V
d
I
d
I
s
di
cos
) wt ( sen
o o

=
}
+ o
o
=
}

| |
) 13 . 4 (
s
V
d
I
c
X 2
s
V
d
V
)
s
V
d
V
s
V
1
d
V
cos 1
cos( 1
) wt ( d ) wt ( sen
(
(

+
t
>= <
t
>= <
t
+ o
t
>= <
o +
+ o +
}
4.09 RECTIFICADOR CONTROLADO SEMIPUENTE CON INDUCTANCIA
DE CONMUTACION(1)
147
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
El circuito de control debe
proveer una caracterstica
de control lneal , para que
la respuesta del control no
dependa del punto del
punto de operacin del
convertidor.
El pulso de disparo de los
thiristores, se obtiene de
comparar una seal con un
voltaje de control.
Para el rectificador media
onda y el semipuente, en
los que el voltaje de salida
es proporcional a
1+cos,(ec.4.01 y 4.09)el
pulso se obtiene de
comparar el voltaje de
control con la seal
1+cos(wt) (fig. 4.10b).
Para el circuito monofsico
puente y el trifsico de 6
pulsos ,en los que el voltaje
de salida es proporcional a
cos,(ec. 4.03 y 4.16),la
seal de comparacin debe
ser cos(wt.)
Algunos circuitos de control
comparan el voltaje de
control con una seal
rampa(fig.4.10a) y la
caracterstica de control no
es lneal
Fig 4.10 Tipos de control de convertidores
CA/CD
b)Control cosenoidal con offset(1)
4.10 CIRCUITOS DE CONTROL PARA RECTIFICADORES MONOFASICOS
4.10.1 INTRODUCCION
a)Control rampa
148
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
El ngulo de disparo tiene como
referencia, el ngulo el el cual
conduce el rectificador controlado, si
se sustituyen los SCR por
dodos.Para los rectificadores
monofsicos =0 ocurre en wt=0 y
puede variar entre 0 y .
El control tipo rampa obtiene el pulso
de disparo, de la comparacin de un
voltaje diente de sierra(vst=Kt) con un
voltaje continuo de control(Vc)
variable(fig 4.11a)
El voltaje diente de sierra debe iniciar
en wt=0(para obtener el pulso de
disparo con =0 al compararlo con
Vc=0) y debe terminar con una
amplitud Vcmax en wt=. Para que el
voltaje diente de sierra inicie en
wt=0,el generador diente de sierra se
debe activar mediante un detector de
cruce por 0, del voltaje de la fuente
reducido(voltaje de sincronizacin)
Este se obtiene mediante un
transformador o un divisor de voltaje
El ngulo de disparo ()se obtiene de
Este tipo de de control produce una
funcin de transferencia no lneal
Fig 4.11 Control tipo rampa
b)Forma de onda de la rampa
y los pulsos(3)
4.10 CIRCUITOS DE CONTROL PARA RECTIFICADORES MONOFASICOS
4.10.2 CONTROL TIPO RAMPA(3)
a)Circuito(39
) 14 . 4 ....( ..........
Vst
control
V
180 = o
149
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
Fig 4.11Control cosenoidal
4.07 CIRCUITOS DE CONTROL PARA RECTIFICADORES MONOFASICOS
4.10.3 CONTROL TIPO COSENOIDAL CON OFFSET
La figura 4.11 muestra
el diagrama de
bloques, del circuito de
control tipo cosenoidal,
de un rectificador
monofsico semipuente
de onda completa
Se deriva de la red de
potencia un voltaje
reducido(Vm) mediante
un transformador o un
divisor de voltaje
(monitoreo de fase de
alimentacin).
Se integra la seal
(desfasador de 90) y
se le adiciona un off-set
igual al valor mximo
de la onda alterna
derivada(Vm). A sta
seal se le adiciona la
seal invertida de ella
misma, y se obtiene la
seal total (fig
4.11b)que se debe
comparar con el voltaje
de control ,el cual debe
variar entre 0 y 2Vm.Del
comparador se obtiene
un pulso en y otro en
+.Estos pulsos se
aislan mediante un
optoacoplador y se
envan a la compuerta
de los SCR
a)Diagrama de bloques
b)Seal de entrada al comparador
150
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
Fig 4.12Control cosenoidal
4.07 CIRCUITOS DE CONTROL PARA RECTIFICADORES
MONOFASICOS
4.10.2 CONTROL TIPO COSENOIDAL PURO
La figura 4.12 muestra el
diagrama de bloques del
circuito de control tipo
cosenoidal de un
rectificador monofsico de
onda completa tipo puente
Se deriva de la red de
potencia un voltaje
reducido(Vm) mediante un
transformador o un divisor
de voltaje (monitoreo de
fase de alimentacin).
Se integra la seal
(desfasador de 90) de la
onda alterna derivada
(Vm).A esta seal se le
adiciona la seal invertida
de ella misma y se obtiene
la seal total (fig 4.12b)que
se debe comparar con el
voltaje de control ,el cual
debe variar entre Vm y
Vm.Del comparador se
obtiene un pulso en y
otro en +.Estos pulsos
se aislan mediante un
optoacoplador y se envan
a la compuerta de los SCR
a)Diagrama de bloques
b)Seal de entrada al comparador
151
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
Fig 4.13 Control de lazo cerrado
4.10.3 CIRCUITOS DE CONTROL DE LAZO CERRADO PARA
RECTIFICADORES MONOFASICOS TIPO PUENTE(2)
a)Control cosenoidal(2)
En el control cosenoidal , el
ngulo de disparo(),se
puede determinar grfica
mente como la interseccin
de la onda 2Vscos(wt)/,con
el valor promedio del voltaje
de salida(<vd>).
Si el voltaje de salida
desciende, el ngulo de
disparo aumenta y viceversa.
Lo anterior se puede utilizar,
para implementar un control
de lazo cerrado de tipo
proporcional, cuyo diagrama
de bloques se muestra en la
fig.4.13 b)
Se compara la onda
2Vscos(wt)/ con un voltaje
de control dado por k(Vref-
<vd>).k es la ganancia de
retroalimentacin, la cual no
puede ser muy grande para
que el circuito no oscile al
ocurrir cambios en la carga.
El voltaje promedio se
obtiene de la salida del
rectificador, a travs de un
filtro pasa-bajo .
b)Diagrama de bloques(2)
152
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
4.11 RECTIFICADOR TRIFASICO CONTROLADO DE SEIS PULSOS
4.11.1 VOLTAJE DE SALIDA
a)Circuito
Se asume una carga altamente
inductiva(L/R10T/6) para que Id sea
constante. Se define un sistema
trifsico de secuencia a-b-c.
S se sustituyen los SCR por
dodos(rectificador trifsico no
controlado) ocurre la conduccin para
=0(referencia para medir el ngulo
de disparo).En el dominio del tiempo
=0,corresponde a wt=60 para el
disparo de Q1 y Q6(Vab)
El voltaje en la carga es:
) 15 . 4 ( ) wt ( sen
s
V 3
ab
V
) 210 wt ( sen
s
V
cn
V
); 90 wt ( sen
s
V
bn
V ); 30 wt ( sen
s
V
an
V
=
=
= + =
) 16 . 4 ( cos
s
V
3 3
d
V
3 /
3
2
3
) wt ( d ) wt ( sen
ab
V
Vd
o
t
>= <
t
}
o +
t
o +
t
>= <
El voltaje de salida (vd) consiste de un
valor promedio(<vd>) y de un rizado
alterno de 6 veces la frecuencia de la
fuente.Las componentes armnicas se
obtienen del anlisis de Fourier
c)Tabla de conduccin
Fig 4.14.Rectificador trifsico
controlado
b)Forma de onda de vd(1)
153
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
Se asume una carga altamente
inductiva(L/R10T/6) para que Id sea
constante. Se define un sistema
trifsico de secuencia a-b-c.
En la fig 4.10 se muestran las
corrientes de lnea de la fuente (is)
para diferentes .En la fase a, is es
positiva para y
negativa para .
El valor eficaz Is es:
De 4.08
(4.19)
4.11 RECTIFICADOR TRIFASICO CONTROLADO DE SEIS PULSOS
4.11.2 CORRIENTES DE LA FUENTE Y FACTOR DE POTENCIA(3)
) 17 . 4 (
s
I
an
V 3
d
I
d
V
p
K
entrada de aparente Potencia
salida de activa Potencia
p
K
> <
=
=
Fig 4.15 Corriente de lnea del
Rectificador de 6 pulsos
a) Corrientes de lnea fase a(3)
) 18 . 4 (
3
2
d
I
360
120
2
d
I 2
s
I =

=
o
t
>= < cos
s
V
3 3
d
V
d
I 956 . 0
3
2
2
d
I
s
V
3
d
I
s
V 3 3
s
I
an
V 3
d
I
d
V
p
K =

=
> <
=
+ o < < + o 180 wt 60
+ o < < + o 360 wt 240
154
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
.
El ngulo de disparo tiene como
referencia al ngulo que conduce el
rectificador controlado, si se
sustituyen los SCR por dodos. Para
los rectificadores trifsicos =0
ocurre en wt=60 y puede variar
entre 0 y .
Cada SCR tiene un circuito de
control independiente.La seal de
sincronizacin(=0,wt=60) para Q1
es Vac(atrasa a Vab en 60).Para Q2
es Vbc,para Q3 Vba;para Q4
Vca;para Q5 Vcb y para Q6 es Vab.
Las seales de sincronizacin se
obtienen de un grupo de tres
transformadores, conectados en
delta(primario) estrella(secundario).El
voltaje del primario es el de la fuente
de potencia, y el secundario un
voltaje reducido por ejemplo 8 V
Cada voltaje de sincronizacin
alimenta un circuito de control tipo
rampa, para activar cada uno de los
6 SCR
Si se utiliza para el control un PIC, se
utiliza un solo transformador y un
circuito rampa para el pulso de Q1 ,y
los otros se programan 60 atrasados
Fig 4.16 Control rampa para
rectificador trifsico
4.11.3CIRCUITOS DE CONTROL TIPO RAMPA PARA RECTIFICADORES
TRIFASICOS (6) (7)
a)Circuito de voltajes de
sincronizacin
b)Circuito de control rampa para
cada SCR(3)
155
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
BIBLIOGRAFIA
1) Kassakian Verghese PRINCIPLES OF POWER ELECTRONICS
1995 Editorial Addison Wesley
2)P T. Krein ELEMENTS OF POWER ELECTRONICS 1998 Editorial
Oxford University Press
3)Mohan N;Undeland T.M.;Robbins W.P. POWER ELECTRONICS 2003
Editorial John Wiley & sons Inc
4)Rashid M. H. POWER ELECTRONICS:CIRCUITS,DEVICES,AND
APPLICATIONS 1993.Editorial Prentice-Hall
5)RashidM.H.(editor) POWER ELECTRONIC HANDBOOK
1993.www.rapidshare.com/filea/97921259.septiembre 24 2008
6) INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY POWER ELECRONIC
pdf.www.onlinefreebooks.net.Julio 13 2008
7)S.B. Dewan;G.R. Slemon;A. Straughen.POWER SEMICONDUCTOR
DRIVES.1984 Editorial John Wiley@sons .
8)JaiP. Agrawal POWER ELECTRONIC SYSTEMS Theory and
design.2001 Editorial Prentice Hall
156
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
ACTIVIDADES
TEORIA
1)Dibujar la caracterstica de control (variable controlada vs variable de
control) del rectificador controlado de media onda. Por qu no es
lneal? Cmo se linealiza?
2)Dibujar la forma de onda del voltaje de salida del rectificador
semipuente con carga altamente inductiva.
3)Describir la operacin del convertidor CA/CD controlado de onda
completa, como rectificador y como inversor
4)Cmo se podra apagar un rectificador monofsico onda completa
con carga altamente inductiva? Hacer un anlisis comparativo entre los
2 mtodos posibles.
5)Cmo se podra operar un rectificador onda completa, como inversor
en regimen permanente?
6)Hacer un anlisis comparativo entre un rectificador semipuente y uno
tipo puente.
7)Cul es la condicin limitante sobre el ngulo de disparo de un
rectificador onda completa?
8)Cmo afecta al factor de potencia de la fuente la presencia de un
inductor en la fuente de un rectificador tipo puente?Lo mejora o lo
empeora?
9)Por qu el rectificador semipuente no puede trabajar como inversor?
10)Hacer un anlisis comparativo entre un rectificador semipuente y uno
puente. Considere los siguientes aspectos: Costos, aspectos tcnicos,
y condiciones de aplicacin.
11)Cul es la funcin del circuito de control?Como se logra el objetivo
del circuito de control?Cuantos tipos de control se conocen?.
12)Explicar utilizando un diagrama de bloques ,el circuito de control tipo
rampa.
13)Explicar utilizando un diagrama de bloques, el circuito de control
cosenoidal con offset.
14) Explicar utilizando un diagrama de bloques, el circuito de control
cosenoidal puro.
15)Explicar utilizando un diagrama de bloques ,un circuito de control de
lazo cerrado para un rectificador monofsico de onda completa.
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INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
ACTIVIDADES
TEORIA
16)Deducir la tabla de conduccin del rectificador trifsico de 6 pulsos(fig
4.14c)
17)Hacer un diagrama de bloques ,indicando la funcin de cada
bloque,del circuito de control del rectificador trifsico de 6 pulsos.
158
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1)Para el rectificador controlado con
dodo de rueda libre de la figura se
pide :
a)Deducir y graficar el voltaje
promedio de salida (<vd>) en funcin
del ngulo de disparo().
b)Analizar si es posible el trabajo
como inversor.
2)Se sustituye en el circuito anterior el
dodo de rueda libre por un SCR.
Las formas de onda de las corrientes
de compuerta se muestran en la
figura adjunta.
Se pide:
a)Deducir y graficar la caracterstica
de control: vd en funcin del ngulo
de disparo.
b)Analizar si es posible el trabajo
como inversor.
3)Para el rectificador de onda
completa tipo semipuente, con carga
resitiva (fig 4.02) con N=10 ,Vs=170V
y f=60hz.se pide:
a)Dibujar la forma de onda de
corriente en la fuente.
b)Deducir el factor de potencia en un
devanado secundario.
c)Deducir el factor de potencia en la
fuente.
159
PROBLEMAS
Problema 1
Problema 2
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
4)Se utiliza un SCR con un
de la figura.
Se pide determinar el valor
mximo de voltaje al cual
puede operar como
inversor.
5)Para el rectificador
monofsico tipo puentecon
carga con f.e.m.(fig.4.04)
se pide dibujar la forma de
onda de vd ,para L<Lcritica
6)Las bateras de cido-
plomo que se utilizan en los
automviles presentan
cierta resistencia(resistencia
interna).Por ejemplo si se
cortocircuita una batera de
12V, circula una corriente
de 240 A y por lo tanto la
resistencia interna es de 50
m.
Se utiliza un convertidor
monofsico tipo puente
controlado,con L>Lcritica
como cargador de bateras
(Problema 6).La batera se
modela por una fuente ideal
de 72V en serie con una
resistencia de 0.24.Se
pide deducir y graficar ID en
funcin de
160
PROBLEMAS
Problema 4
Problema 5
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
8)El rectificador semipuente
trifsico de la figura adjunta,
alimenta una carga
altamente inductiva.Se pide
a)Determinar el valor del
voltaje promedio de salida.
b)Determinar el THD de la
corriente de la fuente.
.Describir la funcin de D1
161
PROBLEMAS
Problema 8
INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD IV. UFPS
7)Dada la capacidad de
Amperio-hora de una batera
,por ejemplo 400 A-H, se pide
disear un cargador para
estas bateras ,teniendo en
cuenta:a)Caracterstica de
corriente y voltaje durante la
carga.b) THD de la corriente