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Diodo tnel resonante

Actualmente se est desarrollando una nueva generacin de dispositivos basados en efectos cunticos, donde los electrones pueden atravesar barreras de potencial an cuando clsicamente no podran hacerlo. Estos dispositivos de efecto cuntico son ms rpidos y consumen menos potencia que los convencionales. En este sentido, los dispositivos basados en el efecto tnel resonante en heteroestructuras semiconductoras han sido muy estudiados debido a su posible aplicacin en diseos electrnicos ultrarrpidos. Consisten en una lmina delgada de GaAs (10-50) colocada entre dos lminas de Al1-xGaxAs, donde x se suele escoger entre 0.3 y 0.5. El conjunto se encuentra en contacto con GaAs altamente dopado, como indica la Figura 1.

Figura 1: Dispositivo cuntico para estudiar el efecto tnel resonante.

Dado que la estructura de bandas en ambos semiconductores es diferente, se produce un desajuste entre los bordes de las bandas de conduccin -y tambin de las de valencia-, de forma que los electrones que intentan pasar de uno a otro semiconductor se encuentran con una barrera de potencial, como aparece en la Figura 2(a). El ancho de la barrera se elige de manera que los electrones en el GaAs no puedan atravesarla fcilmente por efecto tnel, a menos que su energa E coincida con E0, que es la energa de los electrones confinados en la lmina intermedia de GaAs (efecto tnel resonante). Habitualmente la energa E es una cantidad fija en cada dispositivo y coincide con la energa de Fermi, EF. Para producir el efecto tnel resonante entonces hay que variar el nivel E0, y esto se puede lograr aplicando una diferencia de potencial en el dispositivo, como aparece indicado en la Figura 2(b). De esta manera, al ir variando la diferencia de potencial V, deberemos observar un mximo muy acentuado de la corriente que atraviesa el dispositivo cuando estemos en condiciones de resonancia. Para explicar cuantitativamente este comportamiento debemos evaluar el coeficiente de transmisin para los electrones, ya que la corriente tnel a nivel de Fermi es

proporcional a dicho coeficiente cuando la temperatura es muy baja y no existen otros mecanismos de dispersin, como los fonones o los defectos de la heteroestructura. Una forma de evaluar el coeficiente de transmisin es resolver la ecuacin de Schrdinger para el potencial de la Figura 2, utilizando la aproximacin de masa efectiva. Encontrar la solucin exacta cuando se aplica un campo elctrico constante, no obstante, es una tarea laboriosa ya que aparecen las funciones de Airy. Por ello algunos autores utilizan la aproximacin WKB, pero sta slo es vlida si el potencial vara lentamente en distancias del orden de la longitud de onda del electrn. La forma entonces de obtener unos resultados fiables de manera sencilla es recurrir al clculo numrico.

Figura 2: Perfil del borde de la banda de conduccin en el dispositivo de efecto cuntico (a) sin voltaje y (b) con voltaje aplicado. E denota la energa del electrn incidente y E0 la energa del nivel del pozo. Consideremos la ecuacin de Schrdinger con el potencial de la Figura 2, y supondremos que existe un campo elctrico uniforme aplicado al dispositivo y que el momento transversal del electrn es nulo, (1)

donde m* es la masa efectiva del electrn -admitiremos que la masa efectiva es la misma en las distintas regiones del dispositivo- y L es la anchura total de las dos barreras y el pozo de potencial (llamado pozo cuntico). La diferencia de energa potencial entre ambos contactos es V. Las energas y los potenciales estn referidos al borde de la banda de conduccin al lado izquierdo de las barreras. V(z)es el potencial en el dispositivo sin polarizar, que es nulo en GaAs y vale V0= 0.25eV en el Al1-xGaxAs, para una concentracin de Al del 30%. Para resolver numricamente esta ecuacin dividimos el intervalo [0,L] en N segmentos iguales de longitud s=L/N, y definimos zn=ns, donde n es un nmero entero. La versin discretizada de la ecuacin (1) resulta ser (2)

Esta ecuacin puede ser resuelta recursivamente empleando la matriz de transferencia, y obtener as el coeficiente de transmisin en funcin de la energa para cada potencial aplicado, T(E,V). Una vez calculado dicho coeficiente, se puede determinar la corriente mediante la expresin (3)

donde la integral se calcula numricamente mediante la regla del trapecio.

Desarrollo del ejercicio


El sistema elegido para hacer el estudio del transporte de electrones es una doble barrera de GaAs-Al1-xGaxAs, donde la fraccin del Al vara entre 0 y 0.45. Pulsando sobre el botn se accede a un programa permite calcular tanto el coeficiente de transmisin en funcin de la energa para un cierto voltaje aplicado (grfica de la izquierda) como la corriente en funcin del voltaje aplicado a la heteroestructura polarizada (grfica de la derecha). Se pueden seleccionar los parmetros ms relevantes, como las anchuras de pozos y barreras, fraccin de Al, y valor del voltaje aplicado para calcular el coeficiente de transmisin, adems de la energa de Fermi y temperatura para calcular la caracterstica I-V.