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Tema 1-3 Transistores

Transistores bipolares

Los transistores bipolares son dispositivos de tres terminales. Estn constituidos por dos semiconductores P y uno N E (transistor PNP) o por dos semiconductores N y uno P (transistor NPN). Los terminales reciben el nombre de emisor, base y E colector. Se construyen con el emisor muy dopado, la base muy poco dopada y estrecha y el colector con dopado y anchura intermedios.

B
P N PP

B
N NN P PN

Transistores bipolares.
Colector (P) Base (N) Emisor (P) Base (P) Emisor (N) Colector (N)

PNP
SMBOLOS SMBOLOS

NPN

Transistores bipolares. NPN en activa. Corrientes.

Sea un transistor npn, al que polarizamos de la siguiente forma: Unin emisor-base en directa, unin colector base en inversa.
VEB VCB IB
P

IE

VEB
N

VCB

+
N

IC

Transistores bipolares. NPN en activa. Corrientes.

Los portadores mayoritarios, electrones, del emisor (N), pasan a la base (P) debido a la polarizacin directa de la unin B-E. Es la corriente IE.. Al llegar a la base donde son minoritarios, la polarizacin inversa de la unin C-B favorece su paso hacia el colector (N). Es la corriente IC. Solamente unos pocos se pierden por el terminal de base lo que produce una corriente muy pequea. Es la corriente IB. Existen tres corrientes: IE, IC e IB. Se debe cumplir la 1 ley de Kirchhoff: IE+IB+IC = 0 IB << IC ICIE

Transistores bipolares. Configuraciones


Un terminal es comn a entrada y salida. De los tres terminales que tiene un transistor, dos actan como terminales de entrada (control). Dos de los tres terminales actan como terminales de salida.

ie

is
+ +

Entrada

Ve

Cuadripolo

Vs

Salida

Transistores bipolares. Configuraciones


IC

Emisor
IE

(N)

Colector (N)
IC

B
IB

B (P)

VBE VCB

VCE

VEB
BASE BASECOMN COMN

EMISOR EMISORCOMN COMN

Transistores bipolares Configuracin en emisor comn


IC
El Elterminal terminalcomn comn es esel elemisor emisor
La La corriente corriente de deentrada entradaes es II BB(controla (controla la la corriente de corriente de salida C)) salidaII
C

B IB E

Para ,, la Para controlar controlar IC IC la fuente fuente de de tensin tensin de de entrada tiene BE entrada V V tiene BE que aportar la que aportar la corriente corrienteIB I
B

VCE
IE

VBE

La La corriente corriente de de salida salida es es II C


C

La La tensin tensin de de entrada es entrada es V BE V


BE

La La tensin tensin de de salida CE salidaes esV V


CE

Configuracin Configuracinemisor emisorcomn comn en enactiva activa

Transistores bipolares Configuracin en emisor comn


La corriente de entrada IB es muy pequea Existe una relacin entre la corriente de salida IC y la corriente de entrada IB, la llamaremos o hFE. Se define como:

= h FE

IC = IB

SLO SLOVLIDA VLIDAEN ENACTIVA ACTIVA

Transistores pnp

En transistores pnp todas las corrientes y tensiones son de signo contrario a las de un npn. Se siguen manteniendo todas las relaciones que se cumplen en un npn.

Caractersticas de salida de un transistor npn en emisor comn


IC [mA] 40
Saturacin Activa

IB= 400A IB= 300A IB= 200A IB= 100A IB=0A


0

30 20 10 2

4
Corte

6 VCE [V]

Curvas Curvas de de salida salida

Caractersticas de salida de un transistor npn en emisor comn


Tres zonas: activa, saturacin y corte Activa: corresponde a la parte horizontal de las caractersticas. En ella se verifica: IC = IB, el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por corriente, es un amplificador. Saturacin: Es la zona a la izda. del codo de las caractersticas. En ella: IC < IB. La corriente de colector no crece aunque crezca IB. VCE es de unas dcimas de voltio. La unin B-E y la unin C-B deben estar polarizadas en directa. El transistor se comporta como una resistencia. Corte: El transistor est cortado, IB=0, IC=0, IE=0

Transistor npn. Zonas de funcionamiento


activa IC corte saturacin IC

R
VCB
IB P VBE N N
IE

R
VCB
P V VEB N IB N V

R
VCB
P VBE N N
IE

VCB > 0 VBE > 0 IC = IB

IC = 0, IE = 0 IB = 0

IC< IB VBE > 0

VCB < 0 (VCE 0)

Recta de carga.
Recta Rectade decarga carga
200 10 K IB C B VCE 2V E 6V IC

IC [mA] 40 30 20 10
0

IB= 400A IB= 300A IB= 200A IB= 100A IB=0A 2 4 6 VCE [V]
Pto. Pto.de detrabajo trabajo

= =100 100

Aplicando Aplicandola laley leyde detensiones tensionesde de Kirchhoff Kirchhoffaala lamalla mallade desalida: salida: -V +I.RC+6V =0 CE -V CE+I.R C+6V = 0 6V= I=-I C CE+I C.R C 6V=V V +I .R I=-I
C CE C

V 0V CE= V CE= 0V II C = =0 0
C

II 6V/200 =30mA C= C= 6V/200 =30mA V CE = V =6V 6V


CE

Curvas Curvas de de salida salida

Punto de trabajo.

Se llama transistor recta de encuentre

punto de trabajo del a cualquier pto. de la carga en el que se trabajando el transistor.

IDEAL IDEAL

200 10 K IB C B

IC 6V VCE

2V

2V = 0,2mA 10K Si el transistor est en activa : I C = I B = 100 0,2mA = 20mA IB = Veremos el valor de VCE : VCE = 6V I C R C = 6V 20mA 0,2K = 2V 0V < VCE < 6V transistor en activa. El pto. de trabajo es I C = 20mA, I B = 0,2mA, VCE = 2V

Transistor en conmutacin

El transistor trabaja en conmutacin cuando pasa del corte a la saturacin sin pasar por la zona activa. Ocurre cuando a su entrada le aplicamos dos tensiones diferentes que lo llevan al corte o a la saturacin. En estas condiciones se comporta como un interruptor.

Modelos equivalentes del BJT


B IB VBE = 0 I + C hFEIB C B IB VCE IC V =0 CE C

Activa Activa
B

Saturacin Saturacin

MODELO MODELO IDEAL IDEAL

Corte Corte

Modelos equivalentes del BJT.


B IB + hFEIB IC + C B IB VCE + VBE IC 0,2 V VCE + C

VBE

Activa Activa
B

Saturacin Saturacin
C

NO NO IDEAL IDEAL
E

Corte Corte