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FACULTAD : INGENIERIA CARRERA PROFESIONAL: INGENIERIA ELECTRONICA CURSO : FISICA ELECTRONICA
FACULTAD
: INGENIERIA
CARRERA PROFESIONAL: INGENIERIA ELECTRONICA
CURSO
: FISICA ELECTRONICA

SEMESTRE ACADÉMICO : 2011Ii

  • I DATOS GENERALES

    • 1.1 Nombre de la asignatura

SÍLABO

: FÍSICA ELECTRÓNICA

  • 1.2 Código

: CIEN-177

NRC: 2185

  • 1.3 Ciclo de estudios

: IV

  • 1.4 Créditos

: 04

  • 1.5 Total de horas semestrales

: 80

  • 1.6 Nº de horas por semana

: Teoría: 03 Práctica: 02 Total: 05

  • 1.7 Fecha de inicio

: 15 DE AGOSTO

  • 1.8 Fecha de Culminación

: 14 DE DICIEMBRE

  • 1.9 Duración

: 17 SEMANAS

  • 1.10 Prerrequisitos

: 05 FISICA 3

  • 1.11 : Dr. ROLDAN LOPEZ JOSE ANGEL : jroldanl@upao.edu.pe

Profesores Correo electrónico

II

FUNDAMENTACIÓN:

La presente asignatura de naturaleza teórico - práctica ofrece al estudiante de Ingeniería Electrónica, los conocimientos básicos del funcionamiento de los dispositivos electrónicos. Se basa en el estudio y control de las propiedades electrónicas de determinados sólidos, con el fin de formar dispositivos complejos que transportan o almacenan cargas eléctricas. Los conocimientos alcanzados por la física electrónica han jugado un papel muy importante en la evolución de la utilización de los semiconductores en la electrónica. Los dispositivos semiconductores han alcanzado un nivel de perfeccionamiento e importancia económica, que excedió las más altas expectativas de sus inventores. La industria electrónica ofrece permanentemente dispositivos de mejor comportamiento, consiguiendo penetrar en mercados nunca antes considerados. Sin embargo, para mantener esta iniciativa de crecimiento, es necesaria una amplia comprensión del funcionamiento interno de los dispositivos semiconductores por parte de los diseñadores modernos de circuitos electrónicos y sistemas.

III

SUMILLA

Estructura de la materia. Sólidos cristalinos. Sólidos amorfos. Red Cristalina. Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas. Física de los Semiconductores. Dispositivos Semiconductores: Diodos. Fotodiodos. Células Solares. LED. Diodos Láser. Transistor Bipolar. Transistor Unipolar. Física de los cristales líquidos. Aplicaciones a la electrónica. Tecnología de dispositivos microelectrónicos. Nanoelectrónica. Estos tópicos se desarrollarán en cuatro unidades de aprendizaje, que son:

UNIDAD 01: Red Cristalina. Teoría Cuántica de los Electrones en Redes Periódicas.

UNIDAD 02:

Física de los Semiconductores.

UNIDAD 03:

Diodos Semiconductores.

UNIDAD 04:

Transistores. Física de los Cristales Líquidos. Nanoelectrónica

IV

COMPETENCIAS DE LA ASIGNATURA

4.1.- Da un conocimiento básico de las características y propiedades fundamentales de la materia condensada de interés para la electrónica. 4.2.- Proporciona al estudiante las herramientas teóricas básicas para la comprensión de los principios de funcionamiento de los principales dispositivos electrónicos modernos, de tal manera que le permita desarrollar en forma práctica los montajes de los circuitos electrónicos. 4.3.- Presenta y examina en forma concisa los términos, conceptos, ecuaciones y modelos que se emplean habitualmente en la descripción del comportamiento operativo de los dispositivos electrónicos de estado sólido. 4.4.- Familiariza al estudiante con la Física interna de un dispositivo electrónico, para aplicarla al diseño.

  • V PROGRAMACIÓN POR UNIDADES DE APRENDIZAJE UNIDAD 01: RED CRISTALINA. TEORIA CUANTICA DE LOS ELECTRONES EN REDES PERIODICAS

Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje:

Describe los aspectos básicos de la estructura electrónica de la materia. Describe a los sólidos cristalinos y analiza los métodos para la determinación de las estructuras cristalinas por difracción de rayos X. Analiza el efecto de la periodicidad sobre la estructura de bandas y clasifica de esta manera los sólidos en metales, semiconductores y aisladores.

Duración: 04 Semanas. Del 21 de Marzo al 16 de Abril

Programación de contenidos o saberes

N°de Contenidos Contenidos Contenidos sema Conceptuales Procedimentales Actitudinales na Introducción general. -Reconoce como está Estructura de
N°de
Contenidos
Contenidos
Contenidos
sema
Conceptuales
Procedimentales
Actitudinales
na
Introducción
general.
-Reconoce
como
está
Estructura
de
la
constituida la materia.
materia.
Estado
condensado.
-Clasifica
a
los
sólidos
Clasificación
de
los
por su tipo de enlace y
01
sólidos por su tipo de
enlace.
Sólidos
distingue a los sólidos
amorfos y cristalinos
amorfos.
Sólidos
Muestra interés por
conocer como esta
constituida la materia,
participando
activamente con
preguntas.
Demuestra interés y
responsabilidad para
cristalinos.
identificar
un
-Distingue
los
diferentes
sistemas
cristalinos
y
02
Red cristalina. Planos
cristalinos. Índices de
Miller. Red recíproca.
Determinación de
clasifica a
las
redes de
Bravais.
problema y establecer
soluciones
Muestra interés por
conocer como se
clasifican los sólidos
cristalinos.
estructuras cristalinas .Identifica los diferentes Demuestra interés y por difracción de métodos para determinar responsabilidad para
 

estructuras cristalinas

.Identifica los diferentes

Demuestra interés y

por

difracción

de

métodos para determinar

responsabilidad para

Rayos-X.

 

las estructuras cristalinas.

identificar

un

 

problema y establecer soluciones

 

Algunos aspectos de la mecánica cuántica.

-Analiza algunos aspectos de la mecánica cuántica y

Muestra interés por conocer los aspectos

El teorema de Bloch.

establece la diferencia

fundamentales de la

El

modelo de

con la mecánica clásica.

mecánica cuántica.

03

Kroning-Penney.

 

Demuestra interés y responsabilidad para

 

identificar

un

problema y establecer

soluciones

 

La

aproximación

de

-Analiza los diferentes

Muestra interés por

los

electrones

modelos de los electrones

tratar de comprender

cuasilibres.

 

La

en un potencial periódico.

como es que se

aproximación

de

los

-Clasifica a los sólidos

clasifican los sólidos

electrones

 

basados en su estructura

por su estructura de

fuertemente

ligados.

electrónica de bandas de

bandas de energía.

04

Estados

localizados

energía.

Demuestra interés y

del

electrón

en

un

responsabilidad para

cristal.

Clasificación

identificar

un

de

los

sólidos

problema y establecer

basados

en

la

soluciones

estructura electrónica de bandas.

Evaluación: Evaluación del trabajo grupal. Evaluación de progreso. Al final de cada temática, mediante la participación activa en las discusiones y en la solución de problemas.

PRIMERA PRÁCTICA CALIFICADA

UNIDAD 02:

FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES

Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje:

Describe el comportamiento de los semiconductores en términos de la teoría de bandas para explicar las características eléctricas de estos materiales. Comprende como contribuyen los portadores de carga en los fenómenos de transporte de los semiconductores. Describe los procesos de generación – recombinación de los portadores de carga en los semiconductores.

Duración:04 Semanas. Del 18 de Abril al 14 de Mayo

Programación de contenidos o saberes N°de Contenidos Contenidos Contenidos seman Conceptuales Procedimentales Actitudinales a Densidad de
Programación de contenidos o saberes
N°de
Contenidos
Contenidos
Contenidos
seman
Conceptuales
Procedimentales
Actitudinales
a
Densidad de estados.
Funciones de
-Distingue los
semiconductores
05
distribución.
Concentración de
portadores de carga.
intrínsecos y
extrínsecos
Muestra interés por la
solución de los
problemas físicos
aplicados a la
electrónica.
Semiconductores intrínsecos y extrínsecos. 06 Fenómenos de transporte en desequilibrio estacionario. Conducción por arrastre y difusión.
Semiconductores
intrínsecos y
extrínsecos.
06
Fenómenos de
transporte en
desequilibrio
estacionario.
Conducción por
arrastre y difusión.
Efecto Hall.
-Analiza los fenómenos
de transporte en los
semiconductores.
Muestra interés por
comprender los
fenómenos de
transporte en los
semiconductores.
Proceso de
generación y
recombinación de
portadores de carga.
Campo eléctrico
interno. Pseudoniveles
-Describe los
fenómenos de
transporte en
desequilibrio dinámico
Muestra interés por
comprender
los
procesos
de
generación-
en los semiconductores.
-Analiza los diferentes
07
y psedopotenciales de
Fermi. Fenómenos de
transporte en
desequilibrio dinámico.
Ecuaciones de
continuidad. Ecuación
de Poisson.
procesos de
recombinación, y por
solucionar problemas
físicos aplicados a la
generación-
electrónica
reconbinación en los
semiconductores.
PRIMER EXAMEN PARCIAL
08

Evaluación: Evaluación del trabajo grupal. Evaluación de progreso. Al final de cada temática, mediante la participación activa en las discusiones y en la solución de problemas

UNIDAD 03: DIODOS SEMICONDUCTORES

Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje:

Describe y comprende las propiedades de la unión p-n en equilibrio y

polarizada. Deduce la expresión matemática de la característica intensidad-voltaje de un diodo. Describe el funcionamiento de los diferentes dispositivos optoelectrónicos y conoce sus aplicaciones más importantes en la industria electrónica actual.

Duración: 04 Semanas. Del 16 de Mayo al 11 de Junio

Programación de contenidos o saberes

N 0 CONCEPTUALES PROCEDIMENTALES ACTITUDINALES La unión pn en equilibrio. -Describe la unión pn en Muestra
N 0
CONCEPTUALES
PROCEDIMENTALES
ACTITUDINALES
La unión pn en equilibrio.
-Describe la unión pn en
Muestra
interés
por
La unión pn polarizado.
equilibrio y polarizada.
comprender
el
09
funcionamiento de la unión
pn.
Ecuación del diodo.
Fenómenos de ruptura
10
-Deduce la ecuación del
diodo.
-Analiza los diferentes
fenómenos de ruptura.
Muestra
interés
por
la
solución
de
los
problemas
físicos
aplicados
a
la
electrónica.
Modelos del diodo para
pequeña señal. El diodo en
conmutación. Unión metal-
semiconductor. Diodos
Schottky
-Analiza los modelos del
diodo para pequeña
señal.
Muestra
interés
por
la
solución
de
los
problemas
físicos
aplicados
a
la
11
-
Describe
la
unión
electrónica.
metal-semiconductor.
12
Dispositivos
optoelectrónicos:
Fotodiodos, Células
Solares, LED, Diodos
láser.
-Describe y analiza los
Dispositivos
optoelectrónicos.
Muestra interés por
comprender el
funcionamiento de los
Dispositivos
optoelectrónicos.
Evaluación: Evaluación del trabajo grupal. Evaluación de progreso. Al final de cada
temática, mediante la participación activa en las discusiones y en la
solución de problemas.

SEGUNDA PRÁCTICA CALIFICADA

UNIDAD 04: TRANSISTORES. FISICA DE LOS CRISTALES LIQUIDOS. NANOELECTRONICA.

Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje:

Describe y comprende el funcionamiento de los diferentes tipos de

transistores. Deduce las curvas características intensidad-voltaje de los transistores.

Conoce la física

de

los

cristales

líquidos

y

sus

aplicaciones a la

electrónica. Conoce las tendencias actuales en nanoelectrónica.

Duración: 04 Semanas.Del 13 de Junio al 09 de Julio

Programación de contenidos o saberes

N 0 CONCEPTUALES PROCEDIMENTALES ACTITUDINALES Transistor bipolar de unión. -Describe el Muestra interés por Funcionamiento del
N 0
CONCEPTUALES
PROCEDIMENTALES
ACTITUDINALES
Transistor bipolar de unión.
-Describe
el
Muestra interés por
Funcionamiento
del
funcionamiento
del
comprender
el
transistor
bipolar.
Curvas
transistor
bipolar
y
funcionamiento
del
características
I-V
de
los
analiza
la
curva
transistor bipolar,
y
por
13
transistores
bipolares.
característica I-V.
Modelos de pequeña señal.
solucionar problemas físicos
aplicados a la electrónica.
El
transistor
bipolar en
conmutación.
Transistores
unipolares
ó
-Describe
el
Muestra
interés
por
de efecto
de
campo.
funcionamiento de los
comprender
el
14
Capacidad
MOS
ideal.
transistores
efecto
de
funcionamiento
de
los
Capacidad
MOS
real.
campo y analiza la curva
transistores
efecto
de
Transistor
MOSFET.
característica I-V.
campo,
y
por
solucionar
Transistor JFET. Transistor MESFET. Física de los cristales líquidos. Aplicaciones a la Electrónica Tecnología de -Describe
Transistor JFET. Transistor
MESFET.
Física de los cristales
líquidos. Aplicaciones a la
Electrónica Tecnología de
-Describe la física de los
cristales
líquidos
y
analiza sus aplicaciones
15
dispositivos
microelectrónicos.
Tendencias actuales en
nanoelectrónica.
en
la
industria
electrónica.
-Analiza
y
discute
las
problemas físicos aplicados
a la electrónica.
Muestra interés por
investigar las tendencias
actuales en física
electrónica, y por solucionar
problemas físicos aplicados
a la industria electrónica.
tendencias
actuales
en
nanoelectrónica
16
EXAMEN FINAL
EXAMEN DE APLAZADOS
17

Evaluación: Evaluación del trabajo grupal. Evaluación de progreso. Al final de cada temática, mediante la participación activa en las discusiones y en la solución de problemas.

  • VI ESTRATEGIAS METODOLÓGICAS

La asignatura se desarrollara fomentando la interacción entre docente y estudiante a través de exposiciones de los temas que figuran en el contenido de cada unidad, utilizando el método deductivo-inductivo y desarrollando ejemplos de solución de los ejercicios y problemas para afianzar la comprensión de los tópicos a tratar. En cada unidad de aprendizaje se proporcionará un conjunto de problemas, que los estudiantes deben desarrollar con la orientación del profesor en las horas de práctica de problemas. Se propiciará la interacción entre estudiantes mediante la dinámica grupal y los trabajos de investigación.

  • VII MATERIALES EDUCATIVOS Y OTROS RECURSOS DIDÁCTICOS: Se hará uso de: Aulas, plumones, motas, proyector multimedia, transparencias, separatas, biblioteca general y biblioteca especializada de Ingeniería Electrónica, Internet.

    • VIII TÉCNICAS, INSTRUMENTOS E INDICADORES DE EVALUACIÓN: 8.1.Sistemas de evaluación:

La evaluación del curso se hará en base al sistema vigesimal (Nota Aprobatoria:

11-20; Nota Desaprobatoria: 01-10), usando los siguientes rubros:

a.- Prácticas calificadas: Son pruebas

escritas que se aplicaran de

acuerdo al cronograma semanal establecido anteriormente. b.- Exámenes parciales: Son pruebas objetivas que se aplicaran en la 8va. y 16va. Semana del ciclo de acuerdo al rol que se establece para el efecto. c.- Exámenes de aplazados: Es una prueba objetiva que se aplicara en la 17va Semana del ciclo según el rol que se establezca para el efecto. d.-Exposiciones de trabajos de investigación: Son trabajos de investigación de física aplicados a la electrónica.

  • 8.2. Requisitos de Aprobación:

a.- Asistir regularmente a un mínimo de 70% de clases teóricas y prácticas. El alumno que no cumpla con estos requisitos será

inhabilitado por inasistencias. b.- Rendir las prácticas calificadas y los exámenes parciales programados. c.- La nota promocional (NP) se obtiene aplicando la siguiente formula:

PP i = ( EP i + T i + 2E i )/4

,

i = 1,2

NP = ( PP 1 + PP 2 )/2

EP 1 , EP 2 – Notas de Prácticas Calificadas. E 1, E 2 - Notas de Examen Parcial y Final. T 1, T 2 – Notas de Trabajos de Investigación. PP 1 , PP 2 – Notas del Primer y Segundo Promedio Parcial d.- La nota mínima aprobatoria es de once (11). La fracción igual o mayor que 0.5 en el promedio final se considera a favor del estudiante. e.- El contenido de la prueba de aplazados abarcara toda la asignatura. f.- Para tener derecho a rendir el examen de aplazados el alumno debe obtener una nota promocional mayor o igual que 07 (Art. 160 reglamento general).

IX

PROGRAMA DE CONSEJERÍA

La tutoría y consejería es una actividad académica que tiene como propósito de orientar y

apoyar a los estudiantes durante su proceso de formación profesional. Para este fin, consideraremos actividades para brindar al estudiante motivaciones adecuadas para desarrollar los estilos de aprendizaje.

  • X REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

    • 1. J.M. Albella, J.M. Martínez-Duart. Fundamentos de Electrónica Física y Microelectrónica. Addison-Wesley/U.A.M

..

1996.

  • 2. Rosado. Electrónica Física y Microelectrónica. Paraninfo S.A. Madrid
    1987.

  • 3. Van der Ziel. Electrónica Física del estado sólido. Edit. Pretice Hall. Internacional. España 1987.

  • 4. Juan F. Tisza. Los Dispositivos Electrónicos y sus Aplicaciones. UNI.

  • 5. Shalimova K.V. Fisica de los Semiconductores. Mir. Moscú. 1975

  • 6. McKelvey J.P. Fisica del Estado Sólido y de Semiconductores.Limusa.Mexico.1976.

  • 7. Kittel Charles. Introducción a la física del estado sólido. Editorial Reverte S.A. Barcelona 1982.

  • 8. Humberto Asmat A. Introducción a la Física del Estado Sólido. UNI.

  • 9. León E. G. Fisica de los Cristales. Limusa. Mexico. 1984.

    • 10. Beiser A. Conceptos de Física Moderna. Limusa.Mexico. 1997.

BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTARIA

Cooke

  • 1. M.J.

Semiconductor

Devices.

Prentice

Hall

International.N.York.1990.

  • 2. B. Adler, A.C. Smith, R.L.

R.

Longini. Introducción a la física de los

semiconductores. Edit. Reverte S. A. 1981.

  • 3. R. Boylestad , L. Nashelsky . Electrónica teoría de circuitos. Prentice Hall Hispanoamericana S. A. 1994.

  • 4. Neudek G.W. The PN Juntion Diode. Modular Series in Solid State

Devices. Vol.

II.

Ed.

por R.F. Pierret

y G.M. Neudek. Addison Wesley

Pub.Co. 1983.

  • 5. Neudek G.W. The Bipolar Juntion Transistor. Modular Series in Solid State Devices. Vol. III. Ed. por R.F. Pierret y G.M. Neudek. Addison Wesley Pub.Co. 1983.

  • 6. Pierret R.F. Field Effect Transistor. Modular Series in Solid State Devices. Vol. IV. Ed. por R.F. Pierret y G.M. Neudek. Addison Wesley Pub.Co. 1983.

INTERNET

  • 1. http://www.unicrom.com/

  • 2. http://www.evirtual.com.co

  • 3. http://www.elprisma.com