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PRIMITIVAS DE SPICE SINTAXIS DE SPICE TIPOS DE ANLISIS: Anlisis en DC Anlisis en AC Anlisis transitorio Anlisis a distintas temperaturas ELEMENTOS: Resistencias Condensadores Bobinas Bobinas acopladas Fuentes independientes Fuentes variables con el tiempo: Pulso Sinusoidal Exponencial Lineal a tramos Modulada en frecuencia Fuentes controladas DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: Diodo de unin p-n Transistor BJT Transistor JFET Transistor MOSFET SUBCIRCUITOS LNEAS DE CONTROL: Anlisis en DC: .OP .DC .TF .SENS Anlisis en AC: .AC .NOISE .DISTO Anlisis transitorio: .IC .TRAN .FOUR Control de Salida PROBLEMAS EN LA SIMULACIN ANEXO
SPICE: Primitivas
PRIMITIVAS DE SPICE
SPICE es un simulador elctrico que reproduce el comportamiento (I, V) de circuitos formados por los siguientes elementos o primitivas: 1. Resistencias 2. Condensadores (lineales o no (polinmicos)) 3. Inductores (lineales o no) 4. Fuentes independientes de tensin e intensidad 5. Cuatro tipos de fuentes dependientes (lineales o no)
VCVS (de tensin controlada por tensin) VCCS (de intensidad controlada por tensin) CCVS (de tensin controlada por intensidad) CCCS (de intensidad controlada por intensidad)
6. Dispositivos semiconductores
Diodos BJT NPN BJT PNP JFET canal P JFET canal N MOSFET canal P MOSFET canal N
7. Lneas de transmisin
SPICE: Primitivas
EJEMPLO:
R1 10k
V1 = 5V
10k
0
R2
Ejemplo de circuito. Esta es la linea de TITULO. * * Esta linea es un COMENTARIO. * V1 1 0 5V R1 1 2 10K R2 2 0 10k * * .OP .END
SPICE: Primitivas
FICHERO DE SALIDA DE SPICE
**** 10/16/93 13:15:46 ******* Evaluation PSpice (January 1991) ******* Ejemplo de circuito. Esta es la linea de TITULO. **** CIRCUIT DESCRIPTION
**************************************************************** * * Esta linea es un COMENTARIO. * V1 1 0 5V R1 1 2 10K R2 2 0 10k * * .OP .END ** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE =27.000 DEG C ****************************************************************
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
1)
5.0000
2)
2.5000
TOTAL POWER DISSIPATION 1.25E-03 WATTS ** OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG C **************************************************************** JOB CONCLUDED TOTAL JOB TIME
1.59
SPICE: Sintaxis
s Lnea de ttulo y lnea de nal: Son obligatorias. Acotan el conjunto de lneas que constituyen la descripcin del circuito y de la simulacin. s Lneas de elementos: Existe una por elemento. Denen la topologa de interconexionado del elemento y el valor del mismo. s Lneas de modelo: Existe una por cada modelo distinto que se considere. Especican los parmetros del modelo en cuestin. s Lneas de comentarios: Son transparentes para SPICE. Se inicia con *. s Lneas de control: Permiten especicar el tipo de anlisis a realizar y las condiciones del mismo.
Dpto. Electrnica y Electromagnetismo - Univ. de Sevilla 5
SPICE: Sintaxis
P = 1E-12
Se ignoran: 1) Las letras que haya detrs de un nmero y no sean factores de escala. 2) Las letras que sigan a un factor de escala. Ejemplo: 1000V = 1E3 = 1KV = 1000.0 VOLT
s Continuacin de una lnea: Aadiendo el smbolo + al principio del siguiente rengln. Ejemplo de circuito. Esta es la linea + de TITULO. * Esta linea es un + COMENTARIO. V1 1 0 5V R1 1 2 10K R2 2 0 10k .OP .END
SPICE: Sintaxis
La primera letra del nombre es: R (resistencias) C (condensadores) L (bobinas) K (bobinas acopladas) T (lneas de transmisin) V (fuentes independientes de tensin) I (fuentes independientes de intensidad) G (VCCS) E (VCVS) F (CCCS) H (CCVS) D (diodos) Q (BJTs) J (JFETs) M (MOSFETs) X (subcircuitos)
s Para especicar los dispositivos semiconductores se necesita adems una lnea de modelo.
SPICE: Anlisis
ANLISIS EN AC
s Respuesta frecuencial en pequea seal: Circuito linealizado alrededor del punto de trabajo y considerando entrada sinusoidal (.AC) s Anlisis de ruido: Las fuentes de ruido se calculan automticamente (.NOISE) s Anlisis de distorsin: Se superponen en la entrada una o varias seales de distintas frecuencias (.DISTO)
SPICE: Anlisis
ANLISIS EN TRANSITORIO
s Anlisis temporal de variables de salida: Se pueden especicar distintas excitaciones: pulsos, exponenciales, sinusoidales, etc. (.TRAN) s Anlisis de Fourier: Distintas componentes de Fourier de la salida para una entrada sinusoidal (.FOUR)
SPICE calcula el punto de trabajo del circuito antes que cualquier otro tipo de anlisis para:
SPICE: Elementos
ELEMENTOS PASIVOS
RESISTORES:
Rxxxxxxx N+ NVALOR <TC=TC1 <TC2>>
N+ + Rxxxxxxx=VALOR () NTC1 y TC2 son coecientes opcionales de temperatura (nulos por defecto) VALOR (T) = VALOR (T0) 1 + TC1(T-T0) + TC2(T-T0)2
CONDENSADORES Y BOBINAS:
Cxxxxxxx Lxxxxxxx N+ N+ NNVALOR VALOR <IC=val> <IC=val>
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SPICE: Elementos
N+ + q = f (V) = N-
N+
Ci V i
i=0
+ = f (I) = N-
Li I i
i=0
BOBINAS ACOPLADAS:
Kxxxxxxx Lyyyyyyy Lzzzzzzz VALOR
N+ Lyyyyyyy N-
N+ Lzzzzzzz N-
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SPICE: Elementos
FUENTES INDEPENDIENTES
Se pueden dar dos situaciones bsicas de especicaciones:
s Caso A: N+ + + NN+ valor AC valor DC/TRAN cte. valor AC Nvalor DC/TRAN cte.
En el anlisis en DC o en transitorio se anula la fuente de AC. En el anlisis en AC ste se realiza sobre el punto de trabajo determinado por el valor de la fuente de DC.
s Caso B: N+ + valor AC + DC/TRAN f(t) N Para anlisis transitorio la fuente es variable en el tiempo y se anula la de AC. El anlisis en DC se hace con f(0). El anlisis en AC, ste se hace sobre el punto de trabajo resultante con f(0). N+ valor AC NDC/TRAN f(t)
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SPICE: Elementos
Tanto en el caso A como en el B el formato es el mismo: Vxxxxxxx N+ N- <<DC> Valor DC/TRAN> <AC <ACMAG <ACPH>>> Ixxxxxxx N+ N- <<DC> Valor DC/TRAN> <AC <ACMAG <ACPH>>> DC y AC delimitan qu parte de la informacin corresponde a la fuente DC/TRAN y cul a la fuente de AC. DC es opcional, normalmente slo se usa cuando se va a hacer un barrido del valor de la fuente (.DC). s VALORES POR DEFECTO: Valor DC/TRAN AC Si hay fuente de AC: ACMAG ACPHASE = = 1 0o = = 0 no hay fuente de AC
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SPICE: Elementos
V2
Esta forma de onda se repite cada t = PERIODO. Si algn parmetro se omite o se pone a cero SPICE asume los siguientes VALORES POR DEFECTO: PARMETRO V1 (valor inicial) V2 (valor nal) TD (tiempo de retraso) TR (tiempo de subida) TF (tiempo de bajada) PW (tiempo a V2) PERIODO VALOR DEF. obligatorio obligatorio 0.0 TSTEP TSTEP TSTOP TSTOP UNIDAD VoA VoA s s s s s
donde TSTEP y TSTOP son parmetros del anlisis transitorio (Ver formato de la lnea de control .TRAN).
14
SPICE: Elementos
5V
0V
10 15
35 40 50 60 65
135 140
o bien: PULSE (0V PULSE (0V pulse (0 5V 5V 5 10N 10NS 10n 5N 5NS 5n 5N 5NS 5n 20N 20NS 20n 50N) 50NS) 50n)
15
SPICE: Elementos
VA
V0 t 0 TD
V0 + VAe-(t-TD)THETA sen[2FREQ(t-TD)] s VALORES POR DEFECTO: PARMETRO V0 (offset) VA (amplitud) FREQ (frecuencia) TD (retraso) THETA (factor de amortiguamiento) VALOR DEF. obligatorio obligatorio 1/TSTOP 0.0 0.0
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SPICE: Elementos
t 0 Se describe por: V1 si 0 < t < TD1 V1 + (V2-V1)(1 - e-(t-TD1)/TAU1) TD1 < t < TD2 si t TD2 TD1 TD2
si
V1 + (V2-V1)(1 - e-(t-TD1)/TAU1) + (V1-V2)(1 - e-(t-TD2)/TAU2) s VALORES POR DEFECTO: PARMETRO V1 (valor inicial) V2 (valor del pulso) TD1 (retraso de subida) TAU1 (cte. de tiempo de subida) TD2 (retraso de bajada) TAU2 (cte. de tiempo de bajada) VALOR DEF. obligatorio obligatorio 0.0 TSTEP TD1+TSTEP TSTEP
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SPICE: Elementos
V2 V1 V0 T0 T1 T2 T3 t
s VALORES POR DEFECTO: PARMETRO V (valor) TD1 (retraso del valor V) VALOR DEF. 0.0 TSTEP UNIDAD VoA s
EJEMPLO
1 2
PWL (0 PWL (0
0 0
10n 10n
0 0
0)
5V
5V
0V
10 15
35 40
0V t (ns)
10 15
35 40
t (ns)
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SPICE: Elementos
VA
V0
s VALORES POR DEFECTO: PARMETRO V0 (offset) VA (amplitud) FC (frecuencia de portadora) MDI (ndice de modulacin) FS (frecuencia de seal) 1/TSTOP Hz VALOR DEF. obligatorio obligatorio 1/TSTOP UNIDAD VoA VoA Hz
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SPICE: Elementos
VALOR
VALOR
I
VALOR
N+
N-
VNAM N+
VALOR
+ VNAM -
I2 N-
VALOR
2 = --I 1
20
2 = ---V
SPICE: Elementos
donde ND indica el nmero de variables de control y (NC1+, NC1-), (NC2+, NC2-), ..., son pares de nudos entre los que estn denidas dichas variables. VCCS: El mismo formato anterior cambiando la E inicial por G. CCVS: Hxxxxxxx N+ N- <POLY(ND)> VN1 <VN2 ...> + P0 <P1 ...> <IC=val> donde VN1, VN2, ..., son nombres de fuentes de tensin donde se miden las intensidades de control.
CCCS: El mismo formato anterior cambiando la H inicial por F. <POLY(ND)> = <P1 ...> = <IC = ...> = por defecto dimensin 1. por defecto nulos. Si slo se especica un coeciente y la dimensin es 1, el valor se asigna a P1. por defecto nulos.
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DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
s Su descripcin requiere dos lneas: Una lnea de elemento donde se especica la topologa y algunos parmetros. Una lnea de control donde se especica el modelo. Varios dispositivos semiconductores del mismo tipo pueden compartir el mismo modelo.
LNEA DE ELEMENTO
DIODO DE UNIN:
Dxxxxxxx N+ N- MNAME <AREA> <OFF> <IC=V(0)> <M=val> I N+ + V VALORES POR DEFECTO: AREA = Factor multiplicativo de rea (escala el valor de corrientes, resistencias y capacidades) (AREA=1). Dispositivo en ON para condiciones iniciales, anlisis DC. V(0) = 0 M = Multiplicidad (no de dispositivos iguales conectados en paralelo) (M=1). N-
s Se pueden especicar dos tipos distintos de condiciones iniciales: Mediante la opcin OFF, para mejorar la convergencia en DC. Condiciones iniciales IC, para el anlisis transitorio.
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NPN
NB +
NC + NS VCE -
PNP
NB +
NC + NS VCE -
VBE -
VBE -
NE
AREA = 1 Dispositivo en ON para condiciones iniciales, anlisis DC. VBE y/o VCE = 0 M = 1
TRANSISTOR JFET:
Jxxxxxxx ND NG NS MNAME + <IC=VDS,VGS> <M=val> <AREA> <OFF>
CANAL N
NG +
ND + VDS NS
CANAL P
NG +
ND + VDS NS
VGS -
VGS -
VALORES POR DEFECTO: AREA = 1 Dispositivo en ON para condiciones iniciales, anlisis DC. VDS y/o VGS = 0 M = 1
Dpto. Electrnica y Electromagnetismo - Univ. de Sevilla 23
NMOS
NG +
VGS
ND + + NS NB VDS -
PMOS
NG +
VGS
ND + + NS NB VDS -
VBS
VBS
VALORES POR DEFECTO: L, W = Longitud y anchura del canal. Por defecto se especican mediante tarjeta de control .OPTIONS. (L=100m, W=100m) = Areas de las difusiones de fuente y drenador en m2. Tambin especicables mediante lnea de control .OPTIONS. (AD=0, AS=0) = Permetro de las uniones de drenador y fuente. (PD=0, PS=0)
AD, AS
PD, PS
NRD, NRS = Nmero equivalente de cuadrados de las difusiones de drenador y fuente. (NRD=1, NRS=1) Dispositivo en ON para condiciones iniciales, anlisis DC. VDS, VGS y/o VBS = 0 M = 1
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LNEA DE MODELO
Se usa para especicar los modelos de los dispositivos semiconductores .MODEL MNAME MNAME: TIPO: TIPO <PAR1=val, PAR2=val ...>
Nombre del modelo Especica el dispositivo semiconductor D NPN PNP NJF PJF NMOS PMOS DIODO BJT BJT JFET JFET MOSFET MOSFET
PAR1, PAR2 ...: Parmetros del modelo cuyo valor se va a especicar. Por defecto SPICE asigna un conjunto de valores. PARMETROS DEL MODELO DEL DIODO
NOMBRE 1 2 3 4 5 6 7 8 9 IS RS N TT CJ0 VJ M EG XTI PARMETRO Saturation current Parasitic resistance Emission coefcient Transit time Zero-bias pn junction capacitance Junction potential Junction grading coefcent Activation energy IS temperature exponent Flicker noise coefcient Flicker noise exponent Forward-bias depletion cap. coeff. Reverse breakdown voltage Reverse breakdown current V A eV s F V UNID. A VAL. DEF. 1.0E -14 0.0 1.0 0.0 0.0 1.0 0.5 1.11 3 0 1 0.5 1E-10
25
10 KF 11 AF 12 FC 13 BV 14 IBV
50
18 MJ 19 CJSW 20 MJSW
26
Type of gate material: 1.0 +1 opp. to substrate -1 same as substrate 0 Al gate Metallurgical junction depth Lateral diffusion Surface mobility Critical eld for mobility degradation (LEVEL= 2 only) Critical eld exponent in mobility degradation (LEVEL= 2 only) Transverse eld coef (mobility) (deleted for LEVEL= 2) Maximum drift velocity of carriers Total channel charge (xed and mobile) coefcient (LEVEL= 2 only) Flicker noise coefcient Flicker noise exponent Coefcient for forward-bias depletion capacitance formula Width effect on threshold voltage (LEVEL= 2 and 3) Mobility modulation (LEVEL= 3 only) Static feedback (LEVEL= 3 only) Saturation eld factor (LEVEL= 3 only) V-1 m/s m m cm2/(Vs) V/cm 0.0 0.0 600 1.0E 4 0.0 0.0 0.0 1.0 0.0 1.0 0.5 0.0 0.0 0.0 0.2 1.0 0.1 1.0 0.5 1U 0.8U 700 1.0E4 0.1 0.3 5.0E4 5.0 1.0E-26 1.2
27
SPICE: Subcircuitos
SUBCIRCUITOS
Son circuitos denidos como un conjunto de elementos en el chero de entrada y que pueden ser llamados y colocados como un dispositivo ms dentro de un circuito ms complejo.
(conjunto de elementos y/o otros subcircuitos) .ENDS s FORMA DE INVOCARLOS: Xzzzzzzz N1 N2 ... NOMBRE <NOMBRE>
No hay lmite a la complejidad o tamao de un subcircuito. Cada vez que se invoca un subcircuito, SPICE inserta en el lugar de las lneas de llamada las lneas correspondientes a dicho subcircuito. Dentro de la denicin del subcircuito pueden existir otros subcircuitos y estos a su vez pueden contener otros. Los nudos denidos en un subcircuito tienen carcter local, salvo el nudo 0 que es global. Dentro de la denicin del subcircuito no se pueden usar lneas de control y s de modelo.
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VA VB VC
x X1 y z X2
{ X3 | ~ VD
Vcc=5V Vcc=5V | V1 V2 Vo V1 x V2 y D1 D2 + V3 R1 5k z R2 5k | Ro 5k { Vo
G1(V3)=1+V3+V32+V33
CIRCUITO COMBINACIONAL * * Descripcin del circuito * X1 1 2 4 NAND X2 2 3 5 NAND X3 4 5 7 NAND VA 1 0 DC 5 VB 2 0 DC 0 VC 3 0 DC 4.5 * * Fin de la descripcin del circuito *
* Subcircuito NAND * .SUBCKT NAND 1 2 4 D1 3 1 MOD1 D2 3 2 MOD1 R1 5 3 5K R2 3 0 5K Ro 5 4 5K G1 4 0 POLY 3 0 1 1 1 1 VCC 5 0 DC 5 .MOD MOD1 D .ENDS NAND * .END
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LNEAS DE CONTROL
Permiten especicar el anlisis a realizar sobre el circuito, indicando asimismo cmo cambiar parmetros de carcter general. .NOMBRE ....
Distinguiremos varios tipos de tarjetas de control: Asociadas al anlisis en DC. Asociadas al anlisis en AC. Asociadas al anlisis TRANSITORIO. No asociadas a ningn anlisis en particular.
ASOCIADAS AL ANLISIS EN DC
.OP
Adems de calcular el punto de trabajo (por defecto), da informacin de los modelos en pequea seal de los dispositivos.
.DC
.DC NOMBRE1 + <NOMBRE2 VALC1 VALC2 VALF1 VALF2 VALI1 VALI2>
NOMBRE1 y NOMBRE2 son fuentes independientes. Mediante esta lnea se ordena que se haga un anlisis en DC para cada valor de las fuentes NOMBRE comprendido entre VALC y VALF en incrementos VALI. Si se especican dos fuentes, la primera es barrida sobre su rango para cada valor de la segunda.
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ASOCIADAS AL ANLISIS EN DC
.NODESET
.NODESET V(NUMNOD)=VAL V(NUMNOD)=VAL ....
Establece condiciones iniciales en los nudos para que SPICE los use en el anlisis en DC. Puede ser imprescindible para asegurar la convergencia de astables o biestables.
.TF
.TF VARSAL VALENT
Ordena calcular, alrededor del punto de trabajo: la relacin en pequea seal VARSAL/VALENT la impedancia de entrada la impedancia de salida
.SENS
.SENS OV1 <OV2 ...>
OV1, OV2, ..., son variables de salida. SPICE calcula la sensibilidad en pequea seal para cada variable indicada respecto a cada parmetro del circuito.
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ASOCIADAS AL ANLISIS EN AC
.AC
.AC .AC .AC DEC OCT LIN NO NO NO FCOM FCOM FCOM FFIN FFIN FFIN
Ordenan un anlisis en AC desde una frecuencia FCOM hasta FFIN con la siguiente variacin: DEC: Se toman NO frecuencias por dcada. OCT: Se toman NO frecuencias por octava. LIN: Variacin lineal, siendo NO el nmero total de frecuencias tomadas.
.NOISE
.NOISE OUTV INSRC NUMS
Ordena el anlisis de ruido en el circuito. OUTV = INSRC = Tensin de salida que dene el punto de suma. Nombre de una fuente independiente que es la referencia de entrada del ruido. Indica el intervalo entre resultados.
NUMS =
Se calcula el ruido equivalente en la entrada y la salida indicadas. Se escribe la contribucin de cada generador de ruido a intervalos de frecuencia indicados por NUMS.
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+ VIN -
RS1
RE
VEE
PAR DIFERENCIAL SIMPLE * * Alimentaciones y entradas * VCC 7 0 12 VEE 8 0 -12 VIN 1 0 AC 1 * * Descipcion del circuito * RS1 1 2 1K RS2 6 0 1K Q1 3 2 4 MOD1 Q2 5 6 4 MOD1 RC1 7 3 10K RC2 7 5 10K RE 4 8 10K * * Modelos y tarjetas de control * .MODEL MOD1 NPN BF=50 VAF=50 + IS=1.E-12 RB=100 CJC=.5PF TF=.6NS .AC DEC 10 1 100MEG .PRINT AC VM(5) VP(5) .END
33
34
36
VM(5)
VP(5)
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ASOCIADAS AL ANLISIS EN AC
.DISTO
.DISTO RLOAD <INTER <SKW2 <REFPWR <SPW2 >
Ordena un anlisis de distorsin como parte del anlisis en AC. Se consideran dos frecuencias distintas: la nominal F1 del anlisis AC F2 = SKW2F1
Se pueden obtener las siguientes medidas de distorsin: HD2 magnitud a 2F1 con F2 ausente HD3 magnitud a 3F1 con F2 ausente SIM2 magnitud a F1+F2 DIM2 magnitud a F1-F2 DIM3 magnitud a 2F1-F2 RLOAD = Nombre de una resistencia de carga en la que se calculan los productos de potencia de distorsin. = Intervalo de frecuencias donde se da el resumen de la contribucin de todos los dispositivos no-lineales a la distorsin total.
INTER
REFPWR = Nivel de potencia de referencia usado en el clculo de productos de distorsin. SPW2 = Amplitud de F2
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Especica condiciones iniciales para el anlisis transitorio. stas se usan si se especica la opcin UIC; en caso contrario las condiciones iniciales se establecen mediante un anlisis en DC.
.TRAN
.TRAN TSTEP TSTOP <TSTART <TMAX <UIC >
Especica las condiciones del anlisis transitorio: TSTEP Incremento temporal para imprimir resultados TSTOP Tiempo nal TSTART Tiempo inicial (para imprimir) (por defecto = 0) TMAX Mximo incremento temporal para anlisis interno. Dene el mnimo TSTEP. (por defecto es (TSTOP-TSTART)/50) UIC Indica que se usen las condiciones iniciales especicadas en .IC
.FOUR
.FOUR FREQ OV1 <OV2 OV3 ...>
Se pide un anlisis de Fourier como parte del anlisis transitorio. OV1, OV2, OV3, ..., son nombres de variables de salida. El anlisis se realiza sobre datos del intervalo: TSTOP-Periodo < t < TSTOP, Periodo=1/FREQ
TIPO: Tipo de anlisis (AC, DC, TRAN, NOISE, DISTO). OV1, ..., son los nombres de variables de salida. Pueden ser: Tensiones en nudos o entre dos nudos. (Ej.: V(5), V(7,3)) Intensidades en fuentes independientes de tensin. (Ej.: I(Vcc), I(Vin)) Para el anlisis en AC: VR o IR Parte real VI o II Parte imaginaria VM o IM Mdulo VP o IP Fase VDB o IDB Decibelios (20log10(Mdulo)) Ejemplos: VR(5), IM(Vin), VDB(7)
(Li,Hi) representan la variable OVi dentro de esa escala. Si no se indica se supone autoescalado. Ejemplos: .PLOT TRAN V(17,5) I(Vin) V(17)
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Especica las temperaturas a las que el circuito ser simulado. T1, T2, T3, ..., son temperaturas en grados centgrados (oC). Si se omite entonces la temperatura de simulacin es la especicada con TNOM en la lnea de control .OPTIONS. (Si sta a su vez se omite, la temperatura por defecto es de 27oC)
.WIDTH
.WIDTH IN=NCOLUM OUT=NCOLUM
.OPTIONS
.OPTIONS OPT1 OPT2 ... (o OPT=OPTVAL ...)
Esta lnea permite al usuario cambiar determinadas opciones y permite ajustar el control del programa. Hay 32 opciones diferentes: Algunas opciones se usan para controlar la salida. (Ej.: NOPAGE, LIMPTS=x) Otras opciones se usan para controlar el tipo de anlisis que realiza SPICE. Otras para obtener convergencia, etc.
41
EFECTO
Resets the value of GMIN, the minimum conductance allowed by the program. The default value is 1.0E-12. RELTOL=x Resets the relative error tolerance of the program. The default value is 0.001 (0.1%). ABSTOL=x Resets the absolute current error tolerance of the program. The default value is 1pA. VNTOL=x Resets the absolute voltage error tolerance of the program. The default value is 1V. TRTOL=x Resets the transient error tolerance. The default value is 7.0. This parameter is an estimate of the factor by which SPICE overestimates the actual truncation error. CHGTOL=x Resets the charge tolerance of the program. The default value is 1.0E-14. PIVTOL=x Resets the absolute minimum value for a matrix entry to be accepted as a pivot. The default value is 1.0E-13. PIVREL=x Resets the relative ratio between the largest column entry and an acceptable pivot value. The default value is 1.0E-3. In the numerical pivoting algorithm the allowed minimum pivot value is determined by EPSREL=AMAX1(PIVREL*MAXVAL,PIVTOL) where MAXVAL is the maximum element in the column where a pivot is sought (partial pivoting). TNOM=x Resets the nominal temperature. The default value is 27oC (300 oK). ITL1=x Resets the dc iteration limit. The default is 100. ITL2=x Resets the dc transfer curve iteration limit. The default is 50. ITL5=x Resets the transient analysis total iteration limit the default is 5000. Set ITL5=0 to omit this test. DEFL=x Resets the value for MOS channel length; the default is 100.0m. DEFW=x Resets the value for MOS channel width; the default is 100.0m. DEFAD=x Resets the value for MOS drain diffusion area; the default is 0.0. DEFAS=x Resets the value for MOS source diffusion area; the default is 0.0.
Dpto. Electrnica y Electromagnetismo - Univ. de Sevilla 42
INVERSOR CMOS
Vout
VDD = 3.3V
5/0.35
Vin
2/0.35
Vout
10pF
Vin
Dpto. Electrnica y Electromagnetismo - Univ. de Sevilla 43
INVERSOR CMOS
VDD = 3.3V
Vin
5/0.35
Vin
2/0.35
****
v(out)/vin = -20.1737 input resistance at vin = 1.000e+20 output resistance at v(out) = 22.9795k
44
Vin
Vout
45
VdB(out)
Vp(out)
90o
(1)
(2)
(3)
ANLISIS EN AC: .NOISE **** total output noise voltage = 1.7394m volts
**** total equivalent input noise = 120.0657u
46
Vin
10mV 180o
Vout
200mV 1.75V
47
Vin
10mV 135o
Vout
142.5mV 1.75V
48
10mV
Vin
90o
Vout
1.75V
2.75mV
49
Vout
Vin
A = 50mV
Vout
50
Vout
Vin
A = 250mV
Vout
51
52
53
2) NUDOS FLOTANTES
R1 C1 C2
L1 V1 R >> C3
R2
V1
R >>
R >>
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3) LAZOS DE FUENTES Y/O INDUCTORES Lazos de resistencia cero: V, L, VCVS, CCVS R << V1 V2 L1 L2 V1 L1 V1 L1
Se permiten valores<0 de R, C y L
Vin
**** small-signal transfer characteristics v(2)/vin = 714.2857m input resistance at vin = -140.0000 output resistance at v(2) = -28.5714
Dpto. Electrnica y Electromagnetismo - Univ. de Sevilla 55
6) CIRCUITOS MLTIPLES
Fichero de entrada con varios circuitos PSpice simula todos por orden PROBE almacena slo los datos del ltimo
Vin (V)
Vout
3 2
Vin
1 0
t (s)
- .OP - .TRAN:
Usar .NODESET
Precisin relativa: RELTOL en .OPTIONS
RELTOL = 0.001 (0.1%, default) RELTOL = 0.01 (1%)
9) PRECISIN
.OPTIONS