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MOSFET de Potencia

Un transistor MOSFET es una barra de silicio con un sector oxidado (el xido de silicio se conoce vulgarmente como vidrio) sobre el que se produce un metalizado. Este metalizado est por lo tanto aislado de la barra de silicio pero suficientemente cercano como para cambiar la magnitud de la corriente circulante por la barra.

Existen diferentes versiones de MOSFETs en funcin del tipo de barra de silicio (canal tipo P y canal tipo N) y del funcionamiento del dispositivo, ya que existen MOSFET de ensanchamiento de canal y otros de estrechamiento del canal (los primeros tiene una resistencia intrnseca alta, que se reduce al aplicar tensin a la compuerta y los segundos tienen una resistencia intrnseca baja, que aumenta al aplicar tensin a la compuerta). Los cuatro tipos se individualizan por el smbolo, la flecha hacia el canal significa tipo N y la flecha hacia el lado contrario al canal significa tipo P.

El dispositivo MOSFET es perfectamente capaz de amplificar seal elctrica y de hecho existen amplificadores de potencia basados en ellos; sin embargo se les utiliza como interruptor con posiciones de cierre o apertura dejando la funcin de amplificacin de potencia en manos de transistores Darlington complementarios que tambin presentan excelentes caractersticas de excitacin (alta impedancia de entrada aunque no tan elevada como los MOSFET).

El comportamiento del MOSFET es bastante distinto al de un bipolar. El MOSFET tiene sus 3 electrodos (pines) llamadas DRAIN, GATE y SOURCE (drenaje, compuerta y fuente). Se utiliza aplicando tensin de entre 0 y 12V entre G y S. El G es un capacitor (del orden del pcofaradio) que tiene conectada una placa al pin y la otra placa a la pastilla interna con un dielctrico de oxido de silicio en el medio. El D y el S se encuentran elctricamente aislados y fsicamente prximos al capacitor de G. Al colocarle tensin entre G y S el capacitor se cargar y acumular cargas en la pastilla interna. De esta manera, dichas cargas unirn elctricamente al D y al S comenzando la circulacin de corriente. As con la Vgs (tensin entre G y S) se controla la ID (I de drenaje). Debido a su estructura, la caracterstica de salida del MOSFET es una resistencia que cambia su valor funcin de Vgs. Cuando el MOSFET est saturado, se especifica la RDSon en vez de la Vsat. Esto es un problema en potencias sumamente grandes. La solucin dio origen a los IGBT.

La distancia entre placas del capacitor de G es de algunos pocos micrones lo que hace al G sumamente frgil a las tensiones estticas. Por ello se obtienen los mejores resultados de los MOSFET evitando las tensiones estticas excesivas.

Las caractersticas de conmutacin son muy buenas. El hecho que en el G se muevan pocas cargas hace que el tiempo entre encendido y apagado sea sumamente corto; al igual que a la inversa. La curva en la conmutacin es una recta, ya que mientras la VDS disminuye, inyecta cargas en el G a travs del capacitor CDG.

Su coeficiente trmico positivo, les permite ser paralelizados sin precaucin alguna ya que a medida que su temperatura se eleva, aumenta la RDSon bajando la ID y aumentando en el otro MOSFET del paralelo. La estabilizacin del sistema es inmediata y sin riesgos de embalajes trmicos.

La principal ventaja del MOSFET es la prcticamente nula energa requerida en la G para manejarlo, adems de su velocidad de conmutacin. Si comparamos con un equivalente bipolar, que en corrientes grandes pueden tener un hfe tpico de 8 o menos, el MOSFET no requiere prcticamente energa para manejarlo correctamente, mientras que en el bipolar es considerable.

Mostramos a continuacin un dibujo del esquema de polarizacin del MOSFET comparado con un bipolar y su construccin interna.

INTRODUCCION
Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el concepto bsico de los FET se conoca ya en 1930, estos dispositivos slo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la dcada de los 60. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. Adems su proceso de fabricacin es tambin ms simple. Adems, existe un gran nmero de funciones lgicas que pueden ser implementadas nicamente con transistores MOS (sin

resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrnica digital.

QU ES?
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente total. Uno de los motivos que impuls su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensin, Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequea corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutacin. Su velocidad permite disear etapas con grandes anchos de banda minimizando, as, lo que se denomina distorsin por fase. La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia. Tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain):

PRINCIPIO DE OPERACION

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.

El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta. En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta. Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.

APLICACION

El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFETs y los JFETs y ellas son: En la regin activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificacin muy lineal. El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFETs de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la regin de modo de vaciamiento (-Vg) a la regin de modo de enriquecimiento (+Vg). Capacitancia en el MOSFET

Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET. stas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. Cada valor de capacitancia es una funcin no lineal del voltaje. El valor para Cgs tiene solamente una variacin pequea, pero en Cgd, cuando uDG haya pasado a travs de cero, es muy significativa. Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condicin dada de operacin. Encendido En la mayora de los circuitos con MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rpido como sea posible para minimizar las prdidas por conmutacin. Para lograrlo, el circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rpidamente el voltaje de gatillo al valor requerido. Apagado Para apagar el MOSFET, el voltaje gate-fuente debe reducirse en accin inversa como fue hecho para encenderlo. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los arreglos del circuito externo. rea segura de operacin El rea segura de operacin de el MOSFET est limitada por tres variables que forman los lmites de una operacin aceptable. Estos lmites son: 1. Corriente mxima pulsante de drenaje 2. Voltaje mximo drenaje-fuente 3. Temperatura mxima de unin. Prdidas del MOSFET Las prdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la seleccin de un dispositivo de conmutacin. La eleccin no es sencilla, pues no puede decirse que el MOSFET tenga menores o mayores prdidas que un BJT en un valor especfico de corriente. Las prdidas por conmutacin en el encendido y apagado juegan un papel ms importante en la seleccin. La frecuencia de conmutacin es tambin muy importante.

CONCLUSIONES
1.El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutacin presenta una gran versatilidad de trabajo;este puede reemplazar dispostivos como el jfet. 2.los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones 3.Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. 4.gracias a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la

tensin aplicada a la compuerta.

Lo fundamental sobre MOSFET de potencia


Por RoMaNo, publicado el 12 de julio de 2011 en Electrnica

Los transistores MOSFET son utilizados masivamente en el mundo como conmutadores gracias a sus caractersticas de tamao, facilidad de uso y bajo consumo de energa, lo cual los convierte en el ladrillo constructor de los circuitos integrados digitales de hoy en da, estando presentes en prcticamente todos los dispositivos electrnicos en grandes nmeros. Sin embargo, este artculo est orientado a los hermanos ms grandes de los minsculos transistores que hacen funcionar el procesador del PC que est usando, los MOSFET de potencia. Estos transistores comparten todas las caractersticas de sus hermanos pequeos, permitiendo conmutaciones muy veloces y un bajo consumo de energa, pero con capacidad para manejar grandes tensiones y corrientes.

Fsicamente todos los MOSFET lucen casi iguales, en la imagen he dibujado uno canal n. Constructivamente se trata de un semiconductor con dopaje tipo P (sustrato) en el cual se crean dos zonas de dopaje N (en verde) separadas por una cierta distancia. Sobre el semiconductor se agrega una capa de xido, el cual es aislante. En rojo se ven los contactos metlicos del transistor. Al aplicar un voltaje positivo entre la fuente y la compuerta no se produce conduccin pues la compuerta est fsicamente aislada del semiconductor. Sin embargo, en la parte superior del semiconductor tipo P (justo bajo la compuerta) se produce una acumulacin de electrones producto de la atraccin elctrica generada por el voltaje de la compuerta. Si este voltaje es lo suficientemente grande (positivo), la acumulacin de electrones forma un canal que une ambas zonas de tipo N, donde los portadores mayoritaros son los electrones, permitiendo as la

conduccin elctrica entre Drain y Source. Es claro que al quitar el voltaje de la compuerta la conduccin desaparece inmediatamente.

De lo anterior se deduce que el tamao del canal depender fuertemente del nivel de tensin aplicado a la compuerta ya que mientras mayor sea, ms electrones habr en el canal, condicionando as la corriente que puede pasar. Adems, existe un efecto capacitivo de influencia no menor en muchos casos producto de la aislacin con xido de silicio, el cual puede ser crtico a la hora de necesitar conmutaciones rpidas. Es por esto que se requiere conocer las caractersticas particulares del MOSFET a usar y los requerimientos de la aplicacin a la hora de disear el circuito que lo controlar. Resistencia Drain-Source (Drenador-Fuente) Al estar encendido el MOSFET presenta un comportamiento resistivo que se modela por el parmetro RDS cuyo valor vara segn las condiciones de operacin. Se puede observar su comportamiento en el data sheet. A continuacin se presentan algunos grficos tpicos:

El primer grfico muestra que hasta cierto nivel de corriente en el drain la resistencia RDS se mantiene bastante baja y lineal, sin embargo, al exigir mayor corriente sta aumenta bruscamente subiendo el voltaje drain source y por consiguiente la potencia disipada por el MOSFET ponindolo en peligro de quemarse (el canal se est usando totalmente por lo que no puede circular ms corriente por l). Tambin se puede apreciar que dicho lmite vara fuertemente con diferentes tensiones en la compuerta (gate), por lo que mayores tensiones de disparo (voltaje en el gate) permiten mayor circulacin de corriente (ms tensin genera un canal ms ancho, con ms electrones). Una visin ms directa de RDS se puede apreciar en el segundo grfico en el que se ve cmo sta aumenta a medida que la corriente sube para diferentes valores de VGS (voltaje en el gate) y adems se puede obtener su valor. El otro factor a considerar para determinar las tensiones usadas en los disparos de un MOSFET es el voltaje de umbral en el gate (tercer grfico). Dicho umbral determina la tensin necesaria para formar el canal, por lo que una seal de apagado debe estar bajo este umbral y una de encendido sobre el mismo. Con estos parmetros se pueden determinar las tensiones necesarias para conmutar el MOSFET dada una aplicacin determinada. Tiempo de Conmutacin

Debido a la presencia de una capacidad entre el gate y source, adems de usar un nivel de tensin adecuado en el gate, se le debe entregar una cierta cantidad de carga para encenderlo satisfactoriamente. El tiempo que tarde en acumularse dicha carga determinar el tiempo de conmutacin del MOSFET. El siguiente grfico se puede encontrar en los data sheets e indica la carga necesaria para obtener la mxima circulacin de corriente dados un voltaje gate source y un nivel de tensin entre drain y source.

En el grfico, si se utiliza una tensin de 12V en el gate, es necesario adems entregarle aproximadamente 600nC de carga para obtener la conmutacin completa, lo cual se puede relacionar con el tiempo de encendido de la siguiente manera:

De lo anterior se puede obtener la corriente que debe ser capaz de entregar el driver del MOSFET para lograr un encendido en un intervalo de tiempo determinado. En el caso del ejemplo, si se desea obtener un tiempo de conmutacin de 300nS, entonces el driver debe ser capaz de entregar 2A al gate rpidamente (durante los primeros 300nS). Luego del peak de corriente inicial en el gate, sta se reducir casi por completo ya que est aislado por el xido de silicio, en este punto slo es necesario mantener la tensin, es por esto que cuando es necesaria una rpida conmutacin suelen utilizarse condensadores para proveer este peak a travs de su descarga, los cuales deben ubicarse fsicamente lo ms cerca posible del driver para reducir las inductancias de las pistas de la PCB permitiendo cargas y descargas ms rpidas.

Para el caso del apagado del MOSFET, el proceso es exactamente el mismo pero a la inversa, en este caso el condensador que se forma en el transistor debe descargarse, lo cual se hace comnmente a travs del driver, para ello suelen contar con salidas del tipo push-pull.