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UNIVERSIDAD POLITCNICA DE MADRID
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS INDUSTRIALES

APORTACIONES AL DISEO DE FUENTES DE
ALIMENTACIN CONMUTADAS DE ALTA
FRECUENCIA Y BAJA POTENCIA PARA
TRANSMISIN DE ENERGA EN APLICACIONES
SIN CONTACTO

TESIS DOCTORAL

CRISTINA FERNNDEZ HERRERO
Ingeniero Industrial por la Universidad Politcnica de Madrid

Para la obtencin del Grado de Doctor Ingeniero Industrial

2004

DEPARTAMENTO DE AUTOMTICA, INGENIERA
ELECTRNICA E INFORMTICA INDUSTRIAL
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS INDUSTRIALES

APORTACIONES AL DISEO DE FUENTES DE
ALIMENTACIN CONMUTADAS DE ALTA
FRECUENCIA Y BAJA POTENCIA PARA
TRANSMISIN DE ENERGA EN APLICACIONES
SIN CONTACTO

AUTOR: CRISTINA FERNNDEZ HERRERO
Ingeniera Industrial por la Universidad Politcnica de Madrid
DIRECTORES:
JOS ANTONIO COBOS MRQUEZ
Doctor Ingeniero Industrial por la Universidad Politcnica de Madrid
SCAR GARCA SUREZ
Doctor Ingeniero Industrial por la Universidad Politcnica de Madrid

Agradecimientos
Quera mostrar mi agradecimiento a todos los miembros de la Divisin de Ingeniera
Electrnica (UPM-DIE), que hace ocho aos me brindaron la fantstica oportunidad
de incorporarme a su grupo de investigacin. A mis directores de tesis, con los que
he tenido tanta vinculacin desde que empec mi estancia en la DIE, y que siempre
me han apoyado en mi carrera y me han transmitido su entusiasmo. A los profesores
de la DIE, que me ensearon su saber hacer y el gusto por la docencia. Al personal
no docente de la DIE y los profesores del CECAS, que me han prestado su ayuda de
muy diversas maneras. A mis compaeros de doctorado, por su amistad y apoyo
tcnico. A mis nuevos compaeros de la Universidad Carlos III, por su paciencia y
aliento en la fase final de realizacin de este trabajo. A mi familia y mi marido, por
respaldarme y proporcionarme todo apoyo emocional que necesitaba desde el
principio hasta el final.
Adems quera dejar constancia de mi agradecimiento a las empresas Philips Hearing
Implants y Cochlear Ltd., que facilitaron los medios econmicos para que este trabajo
de investigacin se llevase a cabo.
Muchas gracias a todos.

ndice i
ndice
1. Introduccin...........................................................................................3
1.1 Las aplicaciones sin contacto.....................................................................................4
1.2 Ejemplos de aplicaciones sin contacto.....................................................................6
1.2.1 Electrodomsticos ...........................................................................................8
1.2.2 Aplicaciones industriales y vehculos elctricos ..........................................9
1.2.3 Implantes en el cuerpo humano..................................................................11
1.3 Problemtica general de las aplicaciones sin contacto.........................................18
1.3.1 El transformador en las aplicaciones sin contacto ...................................26
1.3.1.1 El coeficiente de acoplamiento del transformador.............................. 26
1.3.1.2 Medida de las inductancias parsitas del transformador ..................... 30
1.3.2 La topologa del convertidor continua-continua.......................................32
1.4 Objetivos de la tesis...................................................................................................35
2. Diseo de transformadores para aplicaciones sin contacto................ 41
2.1 Descripcin de los transformadores para aplicaciones sin contacto.................42
2.1.1 Restricciones de diseo.................................................................................44
2.1.2 Caso particular: implantes en el interior del cuerpo humano .................45
2.2 Metodologa de trabajo.............................................................................................47
2.2.1 Mtodos analticos .........................................................................................47
2.2.1.1 Clculo de la inductancia de un devanado sin ncleo magntico...... 48
2.2.1.2 Clculo de la resistencia de un devanado sin ncleo magntico........ 53
2.2.2 Mtodos basados en las herramientas de elementos finitos....................56
2.2.2.1 Modelo simplificado para componentes magnticos sin ncleo
magntico.................................................................................................. 59
2.2.2.2 Clculo de la energa y las prdidas........................................................ 60
2.2.2.3 Clculo de los campos electrostticos ................................................... 64
2.2.2.4 Clculo del modelo .................................................................................. 64
2.2.3 Validacin del mtodo elegido.....................................................................65
2.3 Anlisis de sensibilidad de distintos parmetros constructivos de los
transformadores sin ncleo......................................................................................70
ii ndice

2.3.1 Influencia de la tecnologa............................................................................72
2.3.2 Influencia de las dimensiones de las pistas ................................................75
2.3.3 Influencia de las dimensiones del devanado..............................................80
2.3.4 Influencia del nmero de capas ...................................................................91
2.4 Influencia de la posicin de la caja de titanio para implantes en el cuerpo
humano........................................................................................................................96
2.5 Influencia de la inclusin de un ncleo magntico ........................................... 103
2.6 Planteamiento de la asimetra del componente magntico.............................. 112
2.7 Efecto del desplazamiento lateral......................................................................... 122
2.8 Extensin del problema a otras dimensiones..................................................... 129
2.8.1 Ejemplo 1: devanados con una sola espira ............................................. 130
2.8.2 Ejemplo 2: devanados con ms de una espira........................................ 132
2.9 Procedimiento de diseo para transformadores en aplicaciones sin contacto
................................................................................................................................... 134
2.10 Reglas de diseo...................................................................................................... 138
3. Anlisis de topologas para aplicaciones con transferencia de energa
sin contacto ........................................................................................143
3.1 Importancia de la topologa en las aplicaciones de transferencia de energa sin
contacto.................................................................................................................... 144
3.2 Clasificaciones de las topologas resonantes utilizadas para aplicaciones sin
contacto.................................................................................................................... 146
3.2.1 Comparacin atendiendo a la ganancia de tensin................................ 146
3.2.2 Comparacin segn el nmero de interruptores ................................... 150
3.3 Resumen de algunas topologas resonantes empleadas en aplicaciones de
transferencia de energa sin contacto................................................................... 151
3.4 Anlisis de topologas de convertidores CC/CC resonantes........................... 155
3.5 Topologas con tanque resonante serie en el secundadio y rectificador de
media onda............................................................................................................... 164
3.5.1 Modelado del convertidor con tanque resonante serie y rectificador de
media onda................................................................................................... 166
ndice iii
3.5.1.1 Modelo del convertidor con tanque resonante serie, rectificador de
media onda y etapa inversora con un solo interruptor...................... 183
media onda y etapa inversora en medio puente................................. 189
3.5.2 Anlisis del convertidor con tanque resonante serie y rectificador de
media onda................................................................................................... 193
3.5.2.1 Comparacin de las etapas inversoras propuestas............................. 194
3.5.2.2 Consideraciones acerca del diseo del tanque resonante serie......... 197
3.5.2.3 Efecto de las capacidades parsitas de los diodos.............................. 199
3.5.2.4 Efecto del acoplamiento del transformador....................................... 203
3.5.2.5 Efecto de la variacin de carga............................................................. 205
3.5.3 Conclusiones respecto al diseo del convertidor CC/CC con tanque
resonante serie en el secundario y rectificador de media onda............ 207
3.6 Topologas con tanque resonante paralelo en el secundario y rectificador de
media onda............................................................................................................... 209
3.6.1 Modelado del convertidor con tanque resonante paralelo y rectificador
de media onda.............................................................................................. 210
3.6.1.1 Modelo del convertidor con tanque resonante paralelo, rectificador de
3.6.2 Anlisis del convertidor con tanque resonante paralelo y rectificador de
media onda................................................................................................... 240
3.6.2.1 Comparacin de las etapas inversoras................................................. 241
3.6.2.2 Efecto de la capacidad parsita del diodo rectificador ...................... 243
3.6.2.3 Efecto del acoplamiento del transformador....................................... 245
3.6.2.4 Efecto de la variacin de la carga......................................................... 247
resonante paralelo en el secundario y rectificador de media onda...... 248
3.7 Conclusiones............................................................................................................ 249
4. Aplicacin industrial de muy baja potencia: el implante de cclea.. 253
4.1 Introduccin al implante de cclea...................................................................... 254
4.2 Restricciones de diseo.......................................................................................... 257
4.3 Topologas empleadas para implantes de cclea ............................................... 258
4.4 Autonoma del implante de cclea....................................................................... 259
4.5 Diseo de la fuente de alimentacin de un implante de cclea empleando la
topologa con nico interruptor y tanque resonante serie................................ 262
iv ndice

4.5.1 Prototipo I: diseo sin aplicar todas las restricciones ........................... 263
4.5.2 Prototipo II: diseo aplicando algunas restricciones ............................ 267
4.5.3 Prototipo III: diseo final aplicando todas las restricciones................ 272
4.5.4 Comparacin entre un implante de cclea comercial y el diseo
propuesto cumpliendo con todas las restricciones de diseo.............. 276
4.5.5 Conclusiones acerca del diseo con tanque resonante serie y
rectificador de media onda ........................................................................ 279
topologa con nico interruptor y tanque resonante paralelo.......................... 279
4.6.1 Descripcin de la fuente de alimentacin del implante de cclea
comercial ...................................................................................................... 280
4.6.2 Prototipo IV: primer diseo propuesto para la fuente de alimentacin
....................................................................................................................... 286
4.6.3 Diseo del transformador de bajo acoplamiento .................................. 301
4.6.4 Prototipo V: diseo final ........................................................................... 304
propuesto ..................................................................................................... 309
4.6.6 Conclusiones acerca del diseo con tanque resonante paralelo y
rectificador de media onda ........................................................................ 313
4.7 Conclusiones acerca de los dos diseos propuestos ......................................... 315
4.8 Comparacin de los diseos propuestos con los existentes en el estado de la
tcnica....................................................................................................................... 318
5. Conclusiones...................................................................................... 323
5.1 Aportaciones originales en el presente trabajo de investigacin..................... 323
5.2 Trabajos futuros...................................................................................................... 326
Referencias............................................................................................... 329
Anexo I: Hojas de clculo para el diseo de transformadores de bajo
acoplamiento
Anexo II: Hoja de clculo de Mathcad para el diseo de convertidores
CC/CC con tanque resonante serie y rectificador de media onda
Planteamiento y resumen de la tesis v
Planteamiento y resumen de la tesis
Este trabajo de investigacin est centrado en el diseo y modelado de fuentes de
alimentacin para aplicaciones de transferencia de energa sin contacto por medio de
acoplamiento inductivo. Se trata de aplicaciones en las que se requiere un
aislamiento elctrico y aislamiento fsico entre dos partes diferenciadas de la fuente
de alimentacin, y el nexo energtico entre la fuente de energa y la carga lo
constituye un transformador. Los devanados de este transformador estn separados,
puesto que cada uno de ellos est en una parte diferente de la fuente de
alimentacin. Existen mltiples razones para precisar una fuente de alimentacin de
este tipo, como es evitar la exposicin de electrodos a un medio peligroso,
proporcionar energa a cargas en movimiento, eliminar conectores de cargadores o
facilitar la alimentacin de implantes situados en el interior del cuerpo humano.
Las aplicaciones de transferencia de energa sin contacto son muy variadas, pero este
trabajo de investigacin se va a centrar en las aplicaciones porttiles que requieren
manejar una potencia muy baja (milivatios), si bien las aportaciones tericas son
aplicables a especificaciones muy diversas. Ms concretamente, se van a construir
prototipos y analizar en detalle las fuentes de alimentacin para un implante
auditivo. Esta aplicacin tiene ciertas particularidades debido a que la parte
correspondiente al devanado secundario est situada en el interior del cuerpo
humano. Por lo tanto, los devanados primario y secundario del transformador estn
separados por la piel y el tejido del paciente, que tienen un grosor que puede variar
entre 1mm y 12mm, de modo que el coeficiente de acoplamiento del transformador
generalmente es menor que 0,5. El consumo de este tipo de implantes, es decir, la
potencia que tiene que suministrar la fuente de alimentacin, vara entre 5mW y
15mW, dependiendo del tipo de implante.
Al ser porttiles, el parmetro clave que se va a manejar en toda la tesis es la
autonoma del sistema, es decir, el tiempo de duracin de las bateras. Se trata de
que el usuario no tenga que cambiarlas o recargarlas a menudo, con las
consiguientes ventajas de abaratamiento de coste de mantenimiento del equipo,
alivio del medio ambiente por la reduccin de bateras desechadas y minimizacin
del tiempo invertido por el usuario en el mantenimiento del sistema.
Para aumentar la autonoma del sistema se puede reducir su propio consumo y
aumentar el rendimiento de la fuente de alimentacin que extrae la energa de la
batera y la suministra a la carga. El consumo del equipo es inherente a la aplicacin
y no se va a considerar en el mbito de estudio de esta tesis. Este trabajo de
investigacin se va a centrar en la mejora del diseo de los convertidores CC/CC
vi Planteamiento y resumen de la tesis

para estas aplicaciones. Para mejorar el rendimiento de la fuente de alimentacin se
identifican dos puntos fundamentales:
El diseo del transformador que acta de nexo energtico entre la fuente de
energa y la carga. Este transformador tiene unas peculiaridades propias de la
aplicacin, como son la gran separacin que puede existir entre los devanados,
por estar en partes fsicamente independientes. Esta gran separacin por un
medio no magntico hace que el coeficiente de acoplamiento sea muy bajo.
Dicho en otras palabras, es necesario generar una gran energa en primario para
obtener una corriente dada en secundario. Para generar la energa en primario es
precisa una corriente alta que origina ms prdidas en el convertidor, de modo
que el rendimiento de este tipo de convertidores siempre es bajo.
El diseo de la topologa de la etapa de potencia, encargada de realizar la
conversin energtica. Para absorber las inductancias de dispersin en el
funcionamiento normal del circuito y evitar prdidas de energa,
tradicionalmente se emplean topologas resonantes.
En el captulo primero se encuadra el tema de estudio de esta tesis, se describe ms
en detalle la motivacin del trabajo de investigacin, se describen algunas de las
aplicaciones existentes y se proporcionan ideas bsicas acerca del transformador y el
convertidor CC/CC, que se van a desarrollar con detalle en los siguientes captulos.
Las principales aportaciones de la tesis estn estructuradas en los captulos 2, 3 y 4.
En ellas se trata la metodologa de diseo del transformador, el anlisis, modelado en
gran seal y simulacin de la etapa de potencia y la validacin experimental de las
conclusiones extraidas mediante el diseo, prueba, construccin y medida de varios
prototipos.
El estudio en detalle del componente magntico se aborda en el captulo segundo.
El diseo del transformador es de una gran importancia para el rendimiento de la
fuente de alimentacin. Se trata de minimizar las resistencias de los devanados,
para reducir las prdidas hmicas, y de aumentar el coeficiente de acoplamiento,
para optimizar la transferencia de energa. Es importante resaltar que la mejora en el
acoplamiento origina los siguientes efectos:
1. Se incrementa la cantidad de energa que se transfiere entre devanados con
respecto a la que se almacena en el circuito magntico. Por lo tanto, el
rendimiento de la conversin mejora.
2. Como consecuencia de la mejora del rendimiento, para sistemas alimentados
desde bateras, las vida de las mismas se alarga; o para la misma vida de las
bateras, stas pueden ser ms pequeas, reduciendo el tamao del sistema.
3. El funcionamiento global del circuito mejora, lo que hace posible su
optimizacin y reduccin de tamao.
Planteamiento y resumen de la tesis vii
En primer lugar se acota el tipo de transformadores en los que va a estar centrada la
tesis, que son aquellos con los devanados en estructura plana (con forma de espiral)
y enfrentados entre s. Una vez definido el tipo de transformador, se analiza el
estado de la tcnica. Se concluye que para poder disear el componente ptimo para
cada aplicacin, nivel de potencia y frecuencia de funcionamiento, resultara de
especial utilidad poder disponer de un modelo que tuviese en cuenta su geometra
y los efectos de la frecuencia (redistribucin de la corriente en los conductores por
los efectos pelicular y proximidad). En la literatura existen estudios acerca del
clculo analtico de la inductancia de devanados en el aire y de acoplamiento entre
espiras en este medio. Estos estudios pueden resultar muy tiles en ciertas
circunstancias, pero slo son vlidos para ciertas geometras y no permiten calcular
la resistencia considerando los efectos de la alta frecuencia.
De este modo se llega a la necesidad de modelar el componente magntico
empleando herramientas de elementos finitos. Puesto que en general en este tipo
de aplicaciones no se emplea ncleo magntico sino aire, el sistema es totalmente
lineal y perfectamente apropiado para este tipo de herramientas. El modelo
empleado est basado en un modelo existente, pero eliminando la parte
correspondiente al ncleo magntico. Se explica en detalle la obtencin del modelo,
puesto que en l va a estar basada la metodologa de diseo del transformador. Se
han validado las modificaciones realizadas sobre el mismo mediante la comparacin
entre medidas experimentales y simulaciones de algunos diseos de componentes
magnticos.
Empleando el modelado mediante elementos finitos se ha realizado un completo
anlisis de sensibilidad del transformador, considerando distintas posibilidades
constructivas: forma y dimensiones de los devanados, dimensiones de las pistas y
espaciado entre las mismas, nmero de capas ptimo, ventajas de la inclusin de
ncleo magntico, etc. El anlisis de sensibilidad se realiza comprobando el efecto de
los parmetros constructivos en el valor del coeficiente de acoplamiento del
transformador y sus prdidas, as como su influencia para las distintas separaciones
entre el devanado primario y secundario. A partir de los resultados derivados de
este anlisis se extraen unas reglas de diseo, para calcular el acoplamiento, las
resistencias y las inductancias de los devanados. Este anlisis y las reglas de diseo
obtenidas a partir de l constituyen una de las aportaciones originales de esta
tesis.
El captulo tercero se centra en el anlisis de las topologas apropiadas para las
aplicaciones sin contacto. Hay muchas topologas resonantes propuestas en el
estado de la tcnica. Primero se clasificarn estas topologas atendiendo a dos
posibles criterios (ganancia de tensin y nmero de interruptores) con el objeto de
comparar sus ventajas e inconvenientes ms importantes y las aplicaciones y niveles
de potencia para las que han sido tpicamente empleadas. En esta tesis se pretende
viii Planteamiento y resumen de la tesis

profundizar en los convertidores sintonizados, con un solo tanque resonante serie o
paralelo en el secundario del transformador de bajo acoplamiento.
El modelado de estos convertidores para aplicaciones de transferencia de energa
sin contacto con nica sintona y considerando las capacidades parsitas de la
etapa rectificadora es un trabajo original de esta tesis. Este modelado es
imprescindible para reproducir el funcionamiento del convertidor. Las aplicaciones
que se van a considerar en esta tesis se caracterizan por una corriente de salida muy
baja (1mA-10mA). Las capacidades parsitas de los diodos rectificadores tienen un
importante papel en el comportamiento del convertidor. El tiempo que se emplea en
cargar y descargar estas capacidades con tan baja corriente no es despreciable, y las
capacidades parsitas del rectificador pueden influir en la frecuencia de resonancia
del circuito. Para obtener el modelo se realiza un anlisis detallado del
funcionamiento del convertidor y se plantean las ecuaciones que modelan su
comportamiento empleando la aproximacin del primer armnico.
Empleando el modelo propuesto se evalan ciertos efectos que pueden resultar muy
importantes para el convertidor: efecto de la variacin del coeficiente de
acoplamiento, efecto de variacin de la carga, diseo del tanque resonante,
influencia de la etapa rectificadora, influencia de la etapa inversora, etc. Una vez
analizadas las topologas serie y paralelo, se trata de discernir las ventajas de una
respecto a otra en cuanto al rendimiento, la fiabilidad y el control, parmetros todos
estos muy importantes para este tipo de aplicaciones. El anlisis de cada topologa,
la extraccin de reglas de diseo y la comparativa entre ellas son aportaciones de
esta tesis.
Todas las reglas de diseo deducidas de los distintos anlisis y los modelos
empleados han sido utilizados para construir dos diseos diferentes de fuentes de
alimentacin para sendos implantes auditivos, cuyos resultados se recogen en el
captulo cuarto. En ambos casos se han construido varios prototipos y se han
realizado pruebas sobre ellos para calcular su rendimiento, la potencia de entrada y
la autonoma que se puede conseguir para cada uno de los casos propuestos.
Adems, los resultados obtenidos se comparan con los datos de fuentes de
alimentacin actualmente comercializadas. La importancia de los diseos finales
obtenidos es que estn orientados hacia una aplicacin comercial, que se caracteriza
por su baja autonoma y un gran nmero de restricciones, lo que dificulta su diseo.
Al tratarse de un implante en el interior del cuerpo humano debe cumplirse con una
serie de requisitos propios de estas aplicaciones: pequeo tamao, alta fiabilidad,
biocompatibilidad, etc.
En el captulo quinto se resumen todas las conclusiones extradas en los captulos
anteriores, se destacan las aportaciones realizadas en esta tesis doctoral y se sugieren
una serie de actividades futuras cuya realizacin complementara este trabajo de
investigacin.
Planteamiento del problema de la transferencia de energa sin contacto 1
Captulo 1
Introduccin al problema de la transferencia de energa en
aplicaciones sin contacto
ndice
1. Introduccin
1.1 Las aplicaciones sin contacto
1.2 Ejemplos de aplicaciones sin contacto
1.2.1 Electrodomsticos
1.2.2 Aplicaciones industriales y vehculos elctricos
1.2.3 Implantes en el cuerpo humano
1.3 Problemtica general de las aplicaciones sin contacto
1.3.1 El transformador en las aplicaciones sin contacto
1.3.1.1 El coeficiente de acoplamiento del transformador
1.3.1.2 Medida de las inductancias parsitas del transformador
1.3.2 La topologa del convertidor continua-continua
1.4 Objetivos de la tesis
Captulo 1
1. Introduccin
En este captulo se plantea una introduccin a la transferencia de energa sin
contacto, considerando la problemtica de este tipo de aplicaciones y definiendo los
objetivos que van a marcar la investigacin desarrollada en esta tesis. Los principales
puntos que van a tratarse son:
Explicacin de lo que se considera una aplicacin sin contacto, y cmo este
concepto va ms all del aislamiento elctrico, incluyendo un aislamiento fsico
entre partes de la fuente de alimentacin.
Comentarios acerca de las razones por las que puede ser necesario o beneficioso
transferir energa sin establecer un contacto entre la fuente de energa y la carga,
bien sea por razones de seguridad o por comodidad. Enumeracin de distintas
aplicaciones con estos sistemas de alimentacin y explicacin detallada de los
implantes en el cuerpo humano, que es la aplicacin en torno a la cual giran los
resultados experimentales obtenidos a lo largo de este trabajo de investigacin.
Planteamiento detallado de la problemtica general, explicando cul es la razn
por la que este tipo de transferencia de energa es tan ineficiente, las dificultades
de diseo de la fuente de alimentacin y la importancia del componente
magntico. Este elemento es imprescindible en el tipo de sistemas de
alimentacin que se van a tratar, basados en el acoplamiento inductivo. Se
mostrarn algunos ejemplos para dar una idea del orden de magnitud de
potencias y rendimientos considerados en esta tesis.
Se aportar informacin sobre las dos partes diferenciadas en las que se va a
dividir este trabajo, que son el transformador y la topologa de la fuente de
alimentacin.
- Para el transformador se dar una idea del rango de acoplamiento en el
que se pueden manejar estas aplicaciones y se plantear un modelo clsico
y sencillo del transformador, que va a ser empleado para algunos anlisis
matemticos posteriores. Adems, se describir cmo afecta el bajo
acoplamiento, de modo que hay ciertas suposiciones que se hacen en otro
tipo de transformadores con coeficiente de acoplamiento prximo a la
unidad y comportamiento ms ideal que aqu no pueden realizarse. Por
4 Planteamiento del problema de la transferencia de energa sin contacto

ejemplo, la relacin de transformacin no coincide con la relacin de
vueltas y los resultados obtenidos de los ensayos de circuito abierto y
cortocircuito no son la inductancia magnetizante y la de dispersin
respectivamente, como habitualmente se consideran.
- En cuanto al convertidor, la solucin ms comn consiste en emplear
topologas resonantes para absorber las altas inductancias de dispersin
del transformador. Tambin se expondrn algunos ejemplos existentes en
el estado de la tcnica para comprobar en qu medida puede penalizar el
rendimiento un bajo acoplamiento entre los devanados del transformador.
Por ltimo, y basndose en lo anteriormente expuesto, se plantearn los temas
abordados en este trabajo de investigacin, y que se expondrn en los siguientes
captulos.
1.1 Las aplicaciones sin contacto
En primer lugar hay que centrar exactamente el tema de estudio de esta tesis, para lo
que se precisa una explicacin acerca de lo que se est llamando transferencia de
energa sin contacto.
La transmisin de informacin sin soporte fsico, es decir, de forma inalmbrica, es
una realidad en nuestros das. Sin duda nuestra sociedad aprecia la independencia
que proporcionan los telfonos mviles, y as el mercado de las telecomunicaciones
inalmbricas ha prosperado de forma extraordinaria. Sin embargo, la transferencia
de energa sigue hacindose en general de forma que limita la movilidad: el telfono
mvil requiere ser conectado a la red elctrica para recargar sus bateras, deteniendo
momentneamente esa sensacin de independencia. Ante este ejemplo queda
patente el hecho de que para el usuario sera de gran inters que la transferencia de
energa se realizase sin tener que establecer contacto, de forma transparente y no
precisara su intervencin consciente. Pero el consumo de la energa de los telfonos
mviles actuales hace imposible que puedan funcionar sin bateras, debido a la alta
potencia que necesitan para transmitir (10W).
Sin embargo en ciertas aplicaciones la transferencia de energa sin contacto es factible
y puede resultar no solo interesante o conveniente, sino imprescindible. Por ello se
est avanzando en la investigacin en sistemas de alimentacin que no requieren
establecer contacto entre la fuente de energa y la carga, llamadas de transferencia de
energa sin contacto, y que concentran toda la energa en un espacio fsico muy
concreto: una habitacin, una superficie, etc.
Las ms importantes razones para recurrir a una fuente de alimentacin de estas
caractersticas son:
Obviar la exposicin de electrodos a un medio gaseoso o hmedo. Es muy
importante deshacerse del conector elctrico cuando se est trabajando en un
medio que puede entraar peligro, donde hay que evitar el riesgo de que salte
una chispa al desenchufar el conector: debajo del agua, en un medio hmedo, en
una mina con peligro de filtraciones de gas, etc. Algunas de estas aplicaciones
pueden ser vehculos submarinos, vehculos para minas o cepillos de dientes.
Aumentar la fiabilidad de cargadores de batera eliminando los conectores
mecnicos (telfonos mviles), ya que stos son potenciales puntos de fallo al
desoldarse o ganar holgura.
Proporcionar independencia total a cargas que deben permanecer en constante
movimiento (robots). Cuando la carga es un objeto en movimiento, la existencia
de cableado estorba sus movimientos, como en el caso de robots o vehculos.
Resulta idneo garantizar que el equipo va a estar perfectamente alimentado con
independencia del lugar que ocupe en el espacio, de modo que tenga una
movilidad completa en un entorno determinado.
Alimentar mltiples cargas de muy bajo consumo. Los microsistemas
constituyen un tema de mxima actualidad. Si se emplean muchos
microsistemas, proporcionar alimentacin a cada uno de ellos puede precisar un
cableado complejo y con alto coste de mantenimiento. Un claro ejemplo seran
las redes de microsensores en ambientes industriales.
Facilitar ergonoma y salud al usuario de sistemas implantados dentro del
cuerpo humano. Existen ciertos dispositivos que precisan ser implantados
dentro del cuerpo humano para solucionar alguna carencia del paciente. Para
proporcionar energa a estos implantes desde una batera situada fuera del
cuerpo al implante situado en el interior del mismo, interesa no perforar la piel,
para evitar riesgos de infeccin, proporcionar al paciente mayor comodidad y
mejorar su esttica.
Transferir energa sin contacto elctrico se puede realizar mediante acoplamiento
capacitivo o acoplamiento inductivo. El primero de ellos necesita una superficie
mucho mayor para transferir la misma energa, y por tanto en general se opta por
emplear el acoplamiento magntico. Para ello se utiliza un transformador
magntico, que es uno de los elementos clave en estas fuentes de alimentacin, que
funciona como nexo energtico entre la fuente energa y la carga. Por tanto, la fuente
de alimentacin est dividida en dos partes con independencia fsica, de modo que
cada uno de los devanados del componente magntico est en cada una de estas
partes: el primario junto a la fuente de energa y el secundario junto a la carga.
Cuando los devanados primario y secundario estn suficientemente cerca se produce
el acoplamiento magntico y se transfiere energa a la carga (figura 1-1).

Realmente la transferencia de energa sin contacto elctrico ya se realiza en todas las
fuentes de alimentacin con aislamiento galvnico, puesto que ste lleva implcito la
no existencia de contacto elctrico entre la fuente de energa y la carga. Pero los
devanados del transformador que proporciona el aislamiento casi siempre
comparten un ncleo magntico que no permite su separacin fsica.
Por tanto, al decir transferencia de energa sin contacto se habla de aislamiento
elctrico y aislamiento fsico entre dos partes diferenciadas de la fuente de
alimentacin. Esta tesis va a estar orientada a la transferencia de energa sin
contacto mediante acoplamiento inductivo.
k
Tensin de
entrada
Carga
Circuitos de
conmutacin
Rectificador
k
Tensin de
entrada
Carga
Circuitos de
conmutacin
Rectificador

Figura 1-1. Esquema general de la fuente de alimentacin de un sistema sin contacto
Al estar los devanados primario y secundario del transformador en distinto medio
no pueden estar entrelazados y el acoplamiento entre ellos es bajo. En muchos casos
los devanados estn separados por una distancia grande comparada con su tamao,
de modo que una gran parte del flujo magntico se pierde (flujo disperso). Esto
significa que para obtener una corriente fija en el secundario es necesaria una gran
corriente en el primario, con las consiguientes prdidas en las resistencias. De este
modo, la transferencia de energa es muy ineficiente.
En resumen, el motivo principal para requerir la transferencia de energa sin contacto
es eliminar cables y conectores, y proporcionar al usuario un sistema de
alimentacin cmodo, seguro y transparente. La contraprestacin es una prdida de
autonoma del sistema al reducirse su rendimiento. Los sistemas de alimentacin
de las aplicaciones sin contacto se caracterizan por:
Transformador con bajo acoplamiento.
Bajo rendimiento.
Poca autonoma en sistemas alimentados desde bateras.
1.2 Ejemplos de aplicaciones sin contacto
Por tratarse de un concepto tan general, los ejemplos de aplicaciones sin contacto son
innumerables. Desde hace muchos aos, electrodomsticos de uso extendido como
cepillos de dientes elctricos estn funcionando con estos sistemas (figura 1-2.a).
Mientras el cepillo est depositado en su lugar de reposo, que est conectado a la red
elctrica, se carga su batera. De este modo puede utilizarse el cepillo con bateras
recargables en lugar de desechables, y de una forma segura al eliminar riesgos por
no exponer partes metlicas conductoras al entorno hmedo.
En aplicaciones como el cepillo de dientes elctrico, que son claramente sin contacto,
el problema que ha sido descrito de ineficiencia de la transmisin de energa no
supone un gran inconveniente debido a dos razones:
El hecho de que la fuente de energa sea la red elctrica, el consumo del
electrodomstico sea bajo y la frecuencia de utilizacin sea tambin baja.
El equipo no es porttil y la densidad de potencia no es un parmetro crtico: el
transformador puede adoptar casi cualquier forma y se puede emplear material
magntico para favorecer el acoplamiento. De ah el volumen y peso del
cargador del equipo.
A) CEPILLO ELCTRICO

B) MQUINA DE AFEITAR [ABE00]

Figura 1-2. Ejemplos de pequeos electrodomsticos con cargadores de bateras sin contacto
Sin embargo, en los ltimos tiempos han proliferado otras aplicaciones porttiles en
las que el consumo, la comodidad, el tamao y el peso son fundamentales, y que
adems pueden beneficiarse del concepto de transmisin de energa sin contacto,
como los cargadores de bateras o los implantes en el cuerpo humano.
Esta tesis har un especial hincapi en los implantes en el cuerpo humano, por ser de
todas las aplicaciones mencionadas la que impone ms restricciones, ya que exige
garantizar la fiabilidad del equipo y la salud del paciente.
El inicio de esta tesis se encuentra en los proyectos HELP-CI (High Efficient Power
Link for a Cochlear Implant) y HELP-CI2, llevados a cabo por la Divisin de Ingeniera
Electrnica (Universidad Politcnica de Madrid UPM) en colaboracin con las
empresas Philips Hearing Implants (Blgica) y Cochlear Ltd. (Australia),
respectivamente. El objetivo de estos proyectos fue mejorar las fuentes de

alimentacin que en ese momento se estaban desarrollando para los implantes de
cclea fabricados por las compaas mencionadas. En el marco de estos proyectos, la
autora de esta tesis desarroll la mayor parte de sus investigaciones acerca de las
fuentes de alimentacin sin contacto, pero los resultados obtenidos son vlidos para
otras aplicaciones de baja potencia empleando transformadores con bajo
acoplamiento.
Es por ello que antes de exponer la problemtica de la transferencia de energa sin
contacto se va a completar una breve descripcin de algunas aplicaciones de estas
caractersticas en distintos rangos de potencia, desde los milivatios de algunos
implantes en el cuerpo hasta los kilovatios de los vehculos elctricos, pasando por
los vatios de los pequeos electrodomsticos y algunos rganos artificiales.
1.2.1 Electrodomsticos
El auge de la telefona mvil y de equipos porttiles como agendas electrnicas o
PDAs (Personal Digital Assistant), ha conducido a que muchos consumidores tengan
varios cargadores de bateras, en algunos casos voluminosos y relativamente
pesados, que incomodan su desplazamiento. Los diseadores de fuentes de
alimentacin han tendido a superar esta limitacin con nuevos cargadores en los que
el tamao ha sido cada vez ms reducido y el peso cada vez ms liviano. Pero no han
eliminado el conector mecnico de unin entre el cargador y el equipo, que es un
punto de fallo muy comn del aparato. Aunque no han cuajado en el mercado,
existen algunas propuestas de cargadores de telfonos mviles sin contacto
[JANG00, CHOI01], como la mostrada en la figura 1-3.
Devanados
realizados
sobre PCB
Circuito
cargador
de bateras
Devanado primario
Devanado secundario
Devanados
realizados sobre PCB
Devanados
realizados
sobre PCB
Circuito
cargador
de bateras
Devanado primario
Devanado secundario
Devanados
realizados sobre PCB

Figura 1-3. Cargador sin contacto de la batera de un telfono mvil [CHOI01]
Como en el ejemplo del cepillo de dientes, hay desarrolladas fuentes de alimentacin
que transfieren la energa sin contacto para otros pequeos electrodomsticos, sobre
todo empleados en el bao, lugar de riesgo potencial debido al contacto con el agua.
En la figura 1-2.b se ha representado el esquema de una mquina de afeitar y el
cargador de su batera [ABE00]. El primario del transformador est situado en el
cargador y el secundario en la mquina, y se emplea un circuito resonante con
condensadores en primario y secundario, como puede observarse en la figura.
1.2.2 Aplicaciones industriales y vehculos elctricos
La movilidad del equipo al que hay que suministrar la energa es una caracterstica
importante para decantarse por un sistema de alimentacin sin contacto. Eliminar los
cables del equipo sera muy beneficioso para los robots de montaje o los vehculos
elctricos, cuya movilidad puede estar restringida debido al cableado. Esos cables
conducen la alimentacin y adems seales de control. Puede llegarse a una
situacin como la mostrada en la figura 1-4.a, donde el nmero de cables hace una
idea de la inmovilidad del equipo, su complejidad y la dificultad para repararlo en
caso de avera o reconfigurarlo.
En el estado de la tcnica existen diversas propuestas para todo tipo de cargas
mviles: vehculos bajo el agua [FEEZOR01], robots [ADACHI99, SCHEIBLE02,
SCHUTZ02], vehculos para tierra [SATO97, ESSER95, SUGIMORI98] y vehculos
para trabajar en minas [KLONTZ95].
Adems de estas propuestas hay dos sistemas para cargas mviles muy interesantes,
que ya estn desarrollados y en funcionamiento, como son un robot fabricado por la
empresa ABB y el sistema de alquiler de coches elctricos LISELEC, desarrollado por
el grupo PSA-Peugeot.
El modelo de robot propuesto por ABB para Volvo fue mostrado por primera vez al
pblico en la Feria de Hannover de 2002, donde cre mucha expectacin. Este robot
carece de cables gracias a un sistema de alimentacin sin contacto, comunicaciones
inalmbricas, nuevos algoritmos de control y estrictas medidas de seguridad
[KJESBU02, SCHEIBLE02, SCHUTZ02]. El robot debe permanecer en un recinto
cerrado dentro del cual se genera un campo magntico. El acoplamiento entre el
primario, que consiste en unos grandes devanados alrededor del recinto, y el
secundario, que es solidario con el robot, es variable y depende de la posicin que
ocupe el robot en el espacio.
A) SISTEMA CON CABLES

B) SISTEMA SIN CABLES

Figura 1-4. Sistemas de fabricacin con y sin cables [KJESBU02]

En la figura 1-4 se puede apreciar el contraste entre un sistema con cables (a) y sin
cables (b). Adems de favorecer la movilidad del equipo, las ventajas de eliminar los
cables en este tipo de aplicaciones son mltiples: eliminacin de los costes de
cableado, reduccin de los costes de ingeniera y mantenimiento, necesidad de
menos elementos, eliminacin de la poca fiabilidad de los cables en los giros de los
robots, facilidad para reconfigurar las lneas de produccin, ausencia de electrodos
expuestos, aislamiento inherente, etc.
En cuanto a los coches, repostar es una tarea que precisa la intervencin humana,
pero desde el punto de vista del individuo es una actividad ingrata, que entraa
cierto riesgo y constituye una prdida de tiempo. Esta tarea podra evitarse en los
coches elctricos si la transferencia de energa se realizase sin contacto, de modo
transparente para el usuario.
Esta filosofa ha sido aplicada por el grupo PSA-Peugeot para desarrollar el proyecto
de alquiler de coches elctricos LISELEC, activo en La Rochelle (Francia) desde
septiembre de 1999 (figura 1-5). Actualmente hay seis estaciones de recarga de los
vehculos elctricos de alquiler colocadas en lugares estratgicos de la poblacin
como la estacin de tren, la universidad, el centro cultural, el complejo deportivo y el
centro comercial. Al formalizar el alquiler, el usuario recibe una tarjeta vlida para
cualquier vehculo en cualquiera de las estaciones mencionadas. Slo tiene que
montarse en el coche de su eleccin si tiene el semforo en verde, lo que supone que
la batera est cargada y el coche en perfectas condiciones. Cuando el usuario quiere
aparcar el coche, no tiene ms que buscar otra estacin LISELEC y estacionar en una
plaza libre. La batera del coche se carga automticamente porque en el suelo del
aparcamiento est el primario de la fuente de alimentacin, mientras que en el
propio coche est el secundario de la misma.
A) ESQUEMA DE LAS ESTACIONES DE
RECARGA DE BATERAS [WEB1]
Introduccin
de una contrasea
Tarjeta
con chip
inteligente
Estacin
LISELEC
Introduccin
de una contrasea
Tarjeta
con chip
inteligente
Estacin
LISELEC

B) VEHCULO ELCTRICO TULIP [WEB2]

Figura 1-5. Sistema LISELEC y coche TULIP, de PSA-Peugeot
1.2.3 Implantes en el cuerpo humano
Las aplicaciones biomdicas siempre han resultado atractivas debido al lgico inters
que suscitan los temas relacionados con la salud humana y la mejora de la calidad de
vida de las personas. Adems, este campo esta actualmente en expansin y cada vez
es mayor el nmero de aparatos mdicos que precisan ser implantados, debido a la
comodidad de solucionar un problema en el cuerpo actuando directamente all
donde se produce y de un modo totalmente transparente para el usuario.
Las ideas de reemplazar partes del cuerpo humano sin daar su conjunto y realizar
implantes para actuar desde el interior del cuerpo, surgi en el siglo XX, cuando se
desarrollaron suficientemente la medicina y la tecnologa. Sin embargo, los primeros
estudios del fenmeno de la bioelectricidad y la estimulacin elctrica del cuerpo
datan del siglo XVIII, realizados por Luigi Galvani y Alessandro Volta [GARCIA01].
El desarrollo de sistemas implantados es muy complejo, porque precisa del concurso
de muchos campos de estudio: medicina (comprensin de los fenmenos del cuerpo
humano), ciruga (implantacin de los electrodos o el implante propiamente dicho),
ingeniera, informtica y electrnica (seal y potencia). Es por ello que no se han
producido progresos significativos en los sistemas implantados hasta que todas estas
disciplinas avanzaron lo suficiente.
Desde mediados del siglo XX se han desarrollado nuevos sistemas capaces de suplir
parcialmente ciertas deficiencias del cuerpo humano: rganos artificiales (riones,
hgado, corazn) [NISHIMURA93, JOUNG96, GHAHARY90, DIAZ02], estimulacin
muscular para permitir el movimiento de parapljicos, neuroestimulacin para
supresin del dolor o control del Parkinson, control urogenital, miembros artificiales,
ojo artificial, implante de cclea [ZIERHOFER90, FDEZ03], marcapasos, etc. Algunas
de estas aplicaciones estn representadas grficamente en la figura 1-6.
A la espera de futuros sistemas cuya fuente de energa sea el propio cuerpo
(movimiento de la respiracin, palpitacin de las arterias, calor del cuerpo), todos
estos sistemas tienen en comn la necesidad de alimentar el sistema electrnico
implantado va quirrgica en el interior del cuerpo humano a partir de una fuente
de energa situada en el exterior, normalmente unas bateras que el individuo puede
llevar consigo.
Los primeros implantes conseguan la energa conectando directamente la carga a la
batera mediante un cable que perforaba la piel. Pero sta no es la mejor solucin,
debido a los riesgos de infeccin y riesgos de problemas psicolgicos a los que se ve
sometido el paciente, sin contar con la deficiencia esttica. En la figura 1-7 puede
apreciarse una foto de un paciente con un implante de retina. En este caso es
necesario procesar muchos datos en el exterior del cuerpo, que necesitan ser
enviados al interior del cuerpo para estimular adecuadamente el nervio visual. Por

ello se emplea de un sistema percutneo en el que la seal y la potencia se transmiten
mediante un conjunto de cables que perforan la piel de la cabeza.
IMPLANTE DE RETINA
[WEB3]

CORAZN ARTIFICIAL [WEB4]

BRAZO ARTIFICIAL [WEB5]

NARIZ BINICA [WEB6]

ESTIMULADOR DE LA MDULA
ESPINAL [WEB7]

IMPLANTES DE CCLEA Y
DEL ODO MEDIO [WEB8]

Figura 1-6. Ejemplos de aparatos mdicos que precisan implantes en el cuerpo humano

Figura 1-7. Ejemplo de un implante de retina con alimentacin percutnea [WEB9, WEB10]
Sin embargo, el sistema idneo de transferencia de energa desde el exterior hasta el
interior del cuerpo sera sin perforar la piel, es decir, va transcutnea. ste es un
sistema de transferencia higinico y muy discreto, que no incomoda al paciente, pero
tiene como contrapartida una penalizacin en el rendimiento, ya que se trata de
transferir energa empleando acoplamiento inductivo. El primario del transformador
est situado fuera del cuerpo y el secundario en el interior, junto a la electrnica que
constituye la carga. La figura 1-8 representa un esquema de un sistema de
alimentacin de un implante en el que se pueden observar qu partes estn en el
exterior del cuerpo y cules tienen que ser implantadas. El primario y el secundario
el transformador estn separados por piel y tejidos, de modo que el coeficiente de
acoplamiento es bajo.
En un sistema alimentado desde bateras, como el mostrado en la figura 1-8, un bajo
rendimiento afecta mucho, de modo que el tamao de las bateras resulta mayor o
tienen que reponerse o recargarse ms a menudo, con repercusin en tiempo y coste
para el paciente, y medioambiental debido al nmero de bateras desechadas.
k
Batera Implante
Circuitos de
conmutacin
Rectificador
Exterior del cuerpo Interior del cuerpo P
I
E
L

Y

T
E
J
I
D
O
S
k
Batera Implante
Circuitos de
conmutacin
Rectificador
Exterior del cuerpo Interior del cuerpo P
I
E
L

Y

T
E
J
I
D
O
S

Figura 1-8. Sistema de alimentacin de un implante a partir de una batera externa
El sistema de la figura 1-9 tambin est alimentado desde bateras, pero adems tiene
una batera recargable interna que se carga a partir de la exterior, y que sirve como
resguardo en caso de falta de la exterior. Este sistema es propio de sistemas
implantados crticos que nunca pueden estar inactivos, pues la vida del paciente
depende de ellos, como es el caso de un corazn artificial.
Debido a su particular situacin en el interior del cuerpo humano, los implantes
estn sometidos a unas restricciones de diseo mayores que otras aplicaciones,
especialmente para garantizar la salud del paciente. Estas restricciones tambin
afectan a la fuente de alimentacin, y dificultan an ms su diseo.
Para garantizar que los implantes cumplen con las restricciones y no son dainos
para el ser humano, antes de introducir un nuevo producto en el mercado hay que
someterlo a muchas pruebas. En los Estados Unidos de Amrica, la FDA (Food and
Drug Administration) es la encargada de certificar, antes de su incorporacin al
mercado, que un producto no es perjudicial para el ser humano ni a corto ni a largo
plazo. El producto debe someterse a un estricto control que abarca pruebas en
laboratorio, ensayos con animales y finalmente ensayos con seres humanos. Debido a
este largo proceso de incorporacin a la industria, los avances realizados en este

campo no son rpidamente canalizados al mercado, sino que un prototipo
experimental puede tardar aos en ser comercializado. Es por ello que una empresa
de implantes slo incorpora al mercado productos que supongan mejoras muy
significativas respecto a productos anteriores.
Batera
interna
recargable
Unidad de
control interna
Paquete de
bateras
exterior
Sistema de transferencia
de energa transcutneo
Corazn artificial
Sistema de
corazn artificial
AbioCor
Batera
interna
recargable
Unidad de
control interna
Paquete de
bateras
exterior
Sistema de transferencia
de energa transcutneo
Corazn artificial
Sistema de
corazn artificial
AbioCor

Figura 1-9. Corazn artificial: implante con batera interna [WEB11]
Algunas de las restricciones de diseo ms importantes son:
Biocompatibilidad: todo sistema implantado tiene que ir encerrado en un
recipiente especial de material biocompatible (silicona, material cermico, titanio,
etc). Si no se garantizase la estanqueidad del contenedor, podran producirse
infecciones variadas que amenazaran la vida del individuo, como meningitis en
el caso de implantes en la cabeza.
Tamao: considerando la situacin del implante en el interior del cuerpo, su
tamao no debe ser muy grande. En cuanto a la parte situada en el exterior del
cuerpo, tambin debe ser diseada para resultar lo ms pequea y compacta
posible. La esttica es un tema a veces menospreciado, pero resulta fundamental
en este tipo de aplicaciones. Es muy comn que los pacientes no quieran ponerse
los implantes, an sabiendo que benefician su salud, si stos son voluminosos y
les distinguen claramente de individuos sanos. El diseo de toda la electrnica
del implante tiene que ser realizado con el claro objetivo de minimizar el tamao
del sistema total.
Peso: el implante siempre debe ser llevado en el cuerpo, por lo que
evidentemente, al igual que no debe ser de gran tamao, no debe tener un gran
peso. En general, casi todo el peso y el tamao de la parte externa del equipo est
concentrado en las bateras, y por ello es muy importante reducirlas.
Estas tres restricciones combinadas hacen que los ncleos de material magntico no
sean muy empleados en este tipo de aplicaciones, ya que no son biocompatibles,
resultan voluminosos, pesados y adems son frgiles.
El objetivo de la investigacin en este tipo de sistemas de alimentacin
transcutneos, que han supuesto una gran mejora de la calidad de vida de las
personas implantadas, se centra en aumentar el rendimiento de la conversin
energtica para reducir el tamao de las bateras (reduccin de volumen y peso) y
aumentar la autonoma.
Ejemplo: el implante de cclea
El funcionamiento del implante de cclea va a explicarse con ms detalle, puesto
que como resultados experimentales de esta tesis se van a desarrollar dos fuentes
de alimentacin para esta aplicacin de transferencia de energa sin contacto, para
validar los modelos y los criterios de diseo, que son aportaciones originales.
El implante de cclea es un sistema mdico que supone un gran avance para las
personas con sordera severa o total en los dos odos, ya que les permite percibir el
sonido exterior al estimular directamente sus nervios auditivos.
Para entender el funcionamiento de un implante de cclea, primero hay que conocer
las bases de la audicin natural. El sonido se percibe desde el exterior por medio del
pabelln auditivo (oreja). La membrana del tmpano empieza a vibrar y esta
vibracin mecnica se va transmitiendo, como si se tratase de una cadena, desde los
huesecillos (martillo, yunque y estribo) hasta el lquido que rellena la cclea. La
cclea (o caracol) tiene forma de espiral, y en su interior estn la membrana basilar y
el rgano de Corti, donde se encuentran las clulas nerviosas responsables de
convertir la vibracin mecnica del fluido de la cclea en seales elctricas que
interpreta el cerebro.
Existe una teora sencilla acerca del funcionamiento de la cclea llamada teora del
lugar, en la que se basa el funcionamiento del implante de cclea. Segn esta teora,
la cclea acta como un analizador de Fourier natural, descomponiendo el sonido en
armnicos, ante cada uno de los cuales reacciona una parte diferente de la cclea. Los
armnicos de alta frecuencia hacen vibrar la membrana basilar a la entrada de la
cclea (base), mientras que las bajas frecuencias se desplazan hacia el centro de la
espiral (vrtice). Este concepto se encuentra representado grficamente en la figura
1-10, donde no solo se ha representado la cclea en su estado normal, en forma de
espiral, sino que tambin se ha representado desenrollada. Mediante este grfico se
ha pretendido representar la distribucin de sensibilidad de las clulas nerviosas del
rgano de Corti a la vibracin del fluido: altas frecuencias en la base, bajas en el
vrtice.
Si la cadena de audicin falla en alguno de los puntos intermedios, o la persona tiene
las clulas nerviosas estropeadas, existe una deficiencia auditiva y el individuo

padece sordera. Dependiendo del grado de esta minusvala, se podr suplir con una
u otra solucin. Las sorderas leves se pueden superar con audfonos pequeos que
no tienen ninguna parte implantada y simplemente amplifican el sonido del exterior.
A medida que la sordera es ms profunda existen otras soluciones, como los
implantes en el odo medio, y cuando se trata de una sordera profunda es probable
que el paciente deba recurrir al implante de cclea. El problema de este sistema es
que se trata de un mtodo totalmente invasivo y la implantacin debe realizarse va
quirrgica, lo que entraa riesgos. Adems, el odo interno queda completamente
daado y sin posibilidades de recurrir a otra solucin.

Altas
frecuencias
Bajas
frecuencias
Seales de
los nervios
Altas
frecuencias
Bajas
frecuencias
Seales de
los nervios
Figura 1-10. Representacin de la cclea [WEB12]
A) ESQUEMA DE LA PARTE EXTERIOR DEL IMPLANTE
Micrfono
Devanado
primario
(emisor)
Procesador de voz
Micrfono
Devanado
primario
(emisor)
Procesador de voz

B) PARTE IMPLANTADA EN EL INTERIOR DEL CUERPO
Devanado
secundario
(receptor)
Imn
Caja biocompatible
donde est encerrada
la circuitera
Vector de electrodos
http://sonoguy.tripod.com/ idchip.html
Devanado
secundario
(receptor)
Imn
Caja biocompatible
donde est encerrada
la circuitera
Vector de electrodos
http://sonoguy.tripod.com/ idchip.html

Figura 1-11. Implante para estimular la cclea
La figura 1-11 muestra las partes de un implante de cclea. Una parte del equipo es
exterior (a), y consta de un micrfono para recoger el sonido, que se coloca detrs de
la oreja, y una caja que contiene el procesador de voz, donde se procesan las seales
recibidas y se lleva el paquete de bateras. Tambin incluye el devanado primario del
transformador.
La parte implantada est representada en la figura 1-11.b, y como puede verse se
implanta va quirrgica en un lateral de la cabeza, por debajo de la piel y por encima
del hueso. Consiste en el devanado receptor (secundario del transformador
transcutneo), una caja de material biocompatible donde estn encerrados los
circuitos electrnicos que hay que alimentar, y un vector de electrodos. Este vector se
enrolla en el interior de la cclea y es el encargado de la estimulacin. Segn la
posicin del electrodo dentro de la espiral de la cclea, su estimulacin
corresponder a los sonidos graves o a los agudos.
A) SISTEMA PARA TRANSMISIN DE LA
INFORMACIN DEL SONIDO
1
2
3
4
1
2
3
4

1. El micrfono del exterior recibe el sonido, y
convierte la seal acstica en elctrica.
2. Esta seal es procesada y tratada
adecuadamente en el procesador de voz.
3. La seal es transmitida al interior del cuerpo
por medio del transformador transcutneo u
otro sistema como un emisor-receptor de
infrarrojos.
4. La circuitera implantada recibe e interpreta la
seal recogida por el receptor y los electrodos
estimulan el nervio auditivo.
B) SISTEMA PARA LA TRANSFERENCIA DE
ENERGA DE FORMA TRANSCUTNEA
1
2
3
1
2
3

1. La energa se obtiene del paquete de bateras
situado en el procesador de voz. El tamao de
estas bateras puede reducirse si se mejora el
rendimiento del sistema.
2. La energa se transfiere al interior del cuerpo
por medio del transformador transcutneo.
3. El implante recibe el nivel de tensin de
alimentacin adecuado.
Figura 1-12. Esquema del sistema de seal y de potencia del implante de cclea
Para transferir la energa desde el paquete de bateras situado en el procesador de
voz hasta el implante en el interior del cuerpo se emplea acoplamiento inductivo. Es

por ello que el implante de cclea es una tpica aplicacin de transferencia de energa
sin contacto: el primario del transformador transcutneo permanece en el exterior del
cuerpo y debe situarse aproximadamente por encima del secundario del
transformador, situado en el interior del cuerpo. Ambos devanados no pueden
entrelazarse y estn separados por la piel y los tejidos. Como no puede saberse con
exactitud la colocacin del secundario, en la mayora de los modelos de implante hay
un imn en cada devanado para mantenerlos alineados y por tanto mejorar el
acoplamiento.
En la figura 1-12 pueden observarse los dos sistemas que actan simultneamente en
un implante de cclea. Por un lado, el sistema correspondiente al tratamiento y
transmisin de la seal, que dota de funcionalidad al implante (figura 1-12.a).
Simultneamente, el sistema de alimentacin tiene que estar transfiriendo energa
para asegurar que el implante recibe la tensin adecuada y est funcionando
correctamente. Este esquema, mostrado en la figura 1-12.b, se corresponde con el
representado en la figura 1-8.
El trabajo desarrollado en esta tesis permite mejorar el rendimiento de la fuente de
alimentacin del implante de cclea y aumentar su autonoma, pero los resultados
obtenidos son vlidos para otros sistemas de transferencia de energa sin contacto.
El objetivo principal al disear la fuente de alimentacin es minimizar el tamao de
las bateras y mejorar la autonoma del sistema.
1.3 Problemtica general de las aplicaciones sin contacto
Segn lo visto hasta ahora, el precio a pagar por la comodidad y la fiabilidad de
utilizar una fuente de alimentacin sin contacto, eliminando cables y conectores, es
un mayor consumo del sistema y una reduccin de la autonoma cuando la fuente de
energa es una batera. Por tanto, el principal objetivo a la hora de disear un
convertidor de este tipo ser reducir las prdidas de potencia del sistema.
A) PROCESADOR DE VOZ PARA LLEVAR
COLGADO (BODY-WORN)
B) PROCESADOR DE VOZ PARA
LLEVAR DETRS DE LA OREJA
(BTE, BEHIND-THE-EAR)
C) IMPLANTE
DENTRO DEL
CUERPO

Figura 1-13. Varios tipos de procesadores de voz para el mismo implante [WEB14]
La mejora del rendimiento y la reduccin de las prdidas de potencia podran
repercutir de varias formas en el sistema:
Reduccin del tamao de la fuente de alimentacin.
Reduccin del tamao de las bateras.
Renovacin o recarga de las bateras con menor frecuencia.
Para ilustrar estos efectos, se va emplear el ejemplo de un implante de cclea
comercial de Cochlear Ltd. [WEB13]. La figura 1-13 muestra dos procesadores de voz
de un implante de cclea (a) y (b), ambos capaces de funcionar con el mismo equipo
implantado (c). El primero de ellos (a) es grande y est pensado para llevar colgado
de la cintura o en la espalda (body-worn). Emplea bateras de mayor tamao y en
conjunto resulta poco discreto desde el punto de vista esttico. Sus ventajas ms
importantes son que las bateras son recargables y el sistema dispone de ms
autonoma. El procesador de la figura 1-13.b es claramente ms pequeo y discreto, y
dispone de la misma funcionalidad que el otro pero en el tamao de un audfono
(BTE, Behind-The-Ear). Su desventaja es que emplea pilas de botn que hay que
reponer muy a menudo, por lo que resulta de caro mantenimiento.
Como ha podido comprobarse a travs de este ejemplo, la reduccin del consumo
de energa del sistema puede repercutir en una reduccin de su tamao (fuente de
alimentacin y bateras) o una significativa mejora de la autonoma si se conserva
el tamao.
Para reducir las prdidas de potencia del sistema se puede actuar sobre dos
variables: el consumo de energa de la carga y las prdidas de potencia de la fuente
de alimentacin.
A) CARGA ALIMENTADA CON UNA
TENSIN DE 7V
=60%
5k
7V
Ps=9,8mW Pe=19,6mW
=60%
5k
7V
Ps=9,8mW Pe=19,6mW

B) CARGA ALIMENTADA CON UNA
TENSIN DE 6V
=50%
5k
6V
Ps=7,2mW Pe=14,4mW
=50%
5k
6V
Ps=7,2mW Pe=14,4mW

Figura 1-14. Reduccin del consumo del sistema reduciendo el consumo de la carga
Respecto al consumo de energa de la electrnica que constituye la carga, una de las
medidas que se puede adoptar es reducir su tensin de alimentacin, si es posible.
En la figura 1-14 se puede ver un ejemplo de la reduccin en el consumo energtico
del sistema al cambiar la tensin de alimentacin desde 7V hasta 6V en una carga
con comportamiento resistivo. Adems, se ha supuesto un menor rendimiento de la
fuente de alimentacin para el caso de proporcionar menos potencia. Aun con 10
puntos menos de rendimiento en la fuente de alimentacin, el consumo global es

menor cuando la tensin es menor (14,4mW frente a 19,6mW), y por tanto la
autonoma del sistema ser mayor.
Pero en el estudio que se va a llevar a cabo va a considerarse que no se tiene acceso
al diseo de la carga, por lo que su consumo es un dato de partida: la potencia a
suministrar por la fuente de alimentacin. Por tanto, se trata de reducir las prdidas
de la fuente de alimentacin, mejorando su rendimiento para una potencia dada.
Actuando en este sentido pueden tomarse cuatro medidas importantes, que han sido
resumidas en la figura 1-15, pero se pueden observar en un esquema ms detallado
en la figura 1-21. Todas estas posibilidades van a ser objeto de un detallado estudio
en esta tesis, y a continuacin slo se van a describir brevemente.
Objetivo:
reducir la energa
consumida por el sistema
reducir el consumo
en la carga
reducir prdidas en la
fuente de alimentacin
aumentar el
acoplamiento del
transformador
reducir las
resistencias de
los devanados
elegir la topologa
de potencia
adecuada
reducir el valor eficaz
de las corrientes
circulantes
Objetivo:
reducir la energa
reducir el consumo
en la carga
aumentar el
acoplamiento del
transformador
reducir las
resistencias de
los devanados
elegir la topologa
de potencia
adecuada
reducir el valor eficaz
de las corrientes
circulantes

Figura 1-15. Medidas a tomar para reducir el consumo energtico del sistema
Aumentar el acoplamiento del transformador.
Volviendo al problema central de este tipo de aplicaciones, debido a que los
devanados del transformador no pueden entrelazarse y estn separados, el
coeficiente de acoplamiento entre ellos es bajo. El bajo acoplamiento implica que
para obtener la energa necesaria en el secundario hay que manejar mucha
energa en primario. Esto se traduce en que por el devanado primario circula una
corriente grande que provoca muchas prdidas por efecto Joule en los
conductores.
Al aumentar el coeficiente de acoplamiento, la corriente necesaria en primario
para obtener una determinada corriente de secundario es menor, de modo que se
reducen las prdidas.
Para aumentar el acoplamiento del transformador, hay que centrarse en el
estudio del diseo del componente magntico, planeando una adecuada
estrategia de devanado y determinando si habra que utilizar ncleo de material
magntico para favorecer la concentracin de las lneas de flujo magntico.
Sin embargo, en este tipo de aplicaciones, y a pesar de que pueda haber ncleo
magntico, los devanados estn separados por un material no magntico y las
lneas de flujo inevitablemente se abren, penalizando el acoplamiento,
independientemente de la presencia o ausencia de ncleo magntico. Este efecto
es comparable al de un ncleo magntico con un gran entrehierro, como puede
comprobarse en el ejemplo representado en la figura 1-16. En esta figura pueden
observarse las lneas de flujo magntico de un transformador con dos devanados
separados por una gran distancia y ncleo de material magntico en ambos
devanados.
Primario, ncleo de FERRITA
Secundario, ncleo de FERRITA
Separacin
entre
devanados
E
j
e

d
e

s
i
m
e
t
r
a
Separacin
entre
devanados
E
j
e

d
e

s
i
m
e
t
r
a

Figura 1-16. Lneas de flujo para un transformador con ncleo de ferrita
Reducir las resistencias de los devanados.
Las prdidas en los conductores, especialmente las del primario debido a la alta
corriente circulante, pueden reducirse si se trabaja con resistencias menores, ya
que las prdidas vienen dadas por la siguiente ecuacin:

2
ef s conductore
I R P = ( 1-1)
Por tanto una medida inmediata a tomar sera disear el componente magntico
de forma que se minimice la resistencia de sus devanados.
Es muy importante reparar en el hecho de que el rendimiento del transformador
depende a la vez de los dos parmetros mencionados: resistencia y
acoplamiento. Cul de ellos pesa ms en la eficiencia depende de las condiciones
de funcionamiento del transformador, pero en ningn caso puede descuidarse
ninguno de los dos. En general, cuando circulan altas corrientes conviene
esforzarse en reducir las resistencias de los devanados. Y cuando se trabaja con
altas tensiones, el esfuerzo debe invertirse en aumentar el acoplamiento del
transformador para reducir las corrientes.
En la figura 1-17 se han planteado dos casos de transformadores, en rgimen
sinusoidal a 1MHz, proporcionando la misma tensin y la misma potencia a la
carga (7V, 5mW), por lo que en cada caso ha sido necesaria una tensin de
entrada diferente. Ambos transformadores tienen la misma inductancia propia

de los devanados, pero se ha cambiado el acoplamiento y las resistencias. Sin
embargo, en los dos casos se necesita la misma potencia de entrada (30mW).
A) DISEO CON MAYOR ACOPLAMIENTO Y MAYORES RESISTENCIAS
3 6
5k 10H 20H
8,25V
1MHz
k =60%
7V
P
e
=30mW P
s
=4,9mW =16,5%
3 6
5k 10H 20H
8,25V
1MHz
k =60%
7V
P
e
=30mW P
s
=4,9mW =16,5%

B) DISEO CON MENOR ACOPLAMIENTO Y MENORES RESISTENCIAS
2 4
5k 10H 20H
10V
1MHz
k =50%
7V
P
e
=30mW P
s
=4,9mW =16,5%
2 4
5k 10H 20H
10V
1MHz
k =50%
7V
P
e
=30mW P
s
=4,9mW =16,5%

Figura 1-17. Ejemplos de transformadores que consiguen el mismo rendimiento pero tienen distintos
acoplamientos y resistencias de los devanados
La conclusin que puede extraerse de esta comparacin es que un transformador
puede tener el mismo rendimiento que otro con resistencias mayores. Del mismo
modo, un transformador puede tener el mismo rendimiento que otro con menor
acoplamiento. Por tanto, siempre hay que tratar de minimizar resistencia y
maximizar acoplamiento. Pero si las tendencias son en sentidos opuestos y para
aumentar acoplamiento hay que aumentar resistencia, es necesario estudiar el
caso con detalle o llegar a un compromiso entre ambos.
A) RESISTENCIA EN LOS
DEVANADOS
R
p
, R
s
f
R
p
, R
s
f

B) PRDIDAS EN LOS
DEVANADOS
f
opt
f
P
devanados
f
opt
f
P
devanados

Figura 1-18. Prdidas en los devanados
Con el objeto de reducir la resistencia de los devanados, trabajar en baja
frecuencia resulta beneficioso porque se evita la redistribucin de la corriente
debida a los efectos de la alta frecuencia (efectos pelicular y proximidad), de
modo que la resistencia es ms parecida a la de continua y por tanto es menor
(figura 1-18.a).
Reducir las corrientes eficaces.
Puesto que las prdidas son iguales a la resistencia por el cuadrado de la
corriente eficaz, otra forma de minimizar las prdidas es reducir la corriente.
Como el valor de continua de la corriente del primario no puede reducirse, pues
est fijado por la potencia y la tensin de entrada (figura 1-19), lo que hay que
reducir es su valor de alterna. Para una tensin fija, reducir el valor de la
corriente supone aumentar la impedancia, y ello puede hacerse aumentando la
inductancia de los devanados o subiendo la frecuencia.
Convertidor CC-CC
s s
P V ,

=
e
s
med e
V
P
I
,
Convertidor CC-CC
s s
P V ,

=
e
s
med e
V
P
I
,

Figura 1-19. Corriente de entrada de la fuente de alimentacin sin contacto
Incrementar la inductancia puede conseguirse mejorando la caracterstica
magntica del medio, por ejemplo aadiendo ferrita, o dando ms vueltas a los
devanados. Pero al dar ms vueltas aumentara la longitud del conductor y se
producira un aumento de la resistencia, con lo que habra efectos contrapuestos.
Es por ello que el conseguir la inductancia determinada, maximizando el
acoplamiento y minimizando la resistencia, es una tarea complicada, y conseguir
unas reglas sencillas que ayuden al diseo del componente magntico resulta
muy til. Estas reglas de diseo del transformador constituyen una de las
aportaciones originales de esta tesis.
Al poder existir tendencias contrapuestas, las prdidas en funcin de la
frecuencia pueden tener un mnimo, de modo que existe una frecuencia de
funcionamiento en el que las prdidas son mnimas y en la que resulta
interesante trabajar (figura 1-18.b).
Elegir adecuadamente la topologa de potencia.
Segn lo visto hasta ahora, el rendimiento del sistema de potencia completo
incluye el rendimiento de la etapa de conmutacin, del circuito de control, de la

etapa rectificadora y del transformador. Por tanto, para optimizar la fuente de
alimentacin y reducir las prdidas del sistema es necesario mejorar el
rendimiento tanto del convertidor (inversor, rectificador, control, etc.) como
del transformador.
La figura 1-20 muestra el esquema de un convertidor continua-continua de un
implante de cclea comercializado por la empresa australiana Cochlear Ltd., que
proporciona una tensin de 9V a una carga que consume 12mW. Se trata de un
puente completo con dos tanques resonantes, uno serie en primario y otro
paralelo en secundario. En este tipo de aplicaciones de transferencia de energa
sin contacto lo ms comn es trabajar con topologas de tipo resonantes, para
absorber el efecto de las grandes inductancias de dispersin.
Circuito disparo
e interruptores
Transformador
Rectificador
12mW
9V
3V
f=5MHz
Separacin entre los
devanados=3mm
Circuito disparo
e interruptores
Transformador
Rectificador
12mW
9V
3V
f=5MHz
Separacin entre los
devanados=3mm

6mW
23%
1mW
4%
2mW
8%
17mW
65%
Transformador
Varios
Rectificador Circuito disparo e interruptores
6mW
23%
1mW
4%
2mW
8%
17mW
65%
Transformador
Varios
Rectificador Circuito disparo e interruptores

Figura 1-20. Desglose de prdidas de potencia de las distintas etapas de la fuente de alimentacin de un
implante de cclea comercializado por Cochlear Ltd. cuando los devanados estn separados 3mm
A la vista del desglose de prdidas de potencia que se muestra en el diagrama de
la figura 1-20, la mayor parte de las prdidas en este caso estn concentradas en
el circuito de disparo y los interruptores, es decir, en la etapa inversora. Al
disear el inversor se tuvo especial cuidado en que no existiese conduccin
cruzada en la conmutacin de los interruptores principales. Sin embargo, el
diseo de la etapa de control no fue tan optimizado, y es ah donde se produce la
mayora de las prdidas.
Es probable que la topologa empleada no sea la ms adecuada para esta
aplicacin con esta frecuencia de conmutacin y en estos mrgenes de potencia.
Al trabajar en alta frecuencia puede ser interesante minimizar el nmero de
interruptores. Adems la generacin de pulsos aislados de masa para disparar la
rama de arriba del inversor en puente completo complica el diseo e implica ms
prdidas. Por supuesto, determinar cul es la topologa ms adecuada en cada
caso depende de la aplicacin, de la potencia manejada y de la frecuencia.
Analizando el desglose de prdidas en la parte concerniente a la etapa de
potencia, se puede extraer otra conclusin importante: gran parte de las prdidas
estn concentradas en el transformador de bajo acoplamiento: 6mW, lo que
supone 23% del total. Este resultado es especialmente malo considerando que los
devanados estn separados 3mm, cuando su separacin puede variar entre 1mm
y 12mm.
Objetivo:
reducir la energa
reducir el consumo
en la carga
aumentar el
acoplamiento
reducir la
resistencia
eleccin de la
topologa
reducir las
corrientes eficaces
diseo del
transformador
material
magntico
estrategia de
devanado
bajar
frecuencia
subir
frecuencia
subir
inductancia
resonante
aumentar el
nmero de
vueltas
Efectos
contrapuestos
Efectos
contrapuestos
DISEO TRANSFORMADOR
DISEO
TOPOLOGA
Objetivo:
reducir la energa
reducir el consumo
en la carga
aumentar el
acoplamiento
reducir la
resistencia
eleccin de la
topologa
reducir las
corrientes eficaces
diseo del
transformador
material
magntico
estrategia de
devanado
bajar
frecuencia
subir
frecuencia
subir
inductancia
resonante
aumentar el
nmero de
vueltas
Efectos
contrapuestos
Efectos
contrapuestos
DISEO TRANSFORMADOR
DISEO
TOPOLOGA

Figura 1-21. Resumen de la problemtica general del diseo de los sistemas sin contacto
La figura 1-21 resume todas las medidas que se han propuesto para mejorar la
autonoma del sistema. Al observar un panorama global de todas ellas, se repara en
que yendo por distintos caminos en algunos casos se llega a la misma conclusin,
como la importancia del diseo del componente magntico, el aumento el
acoplamiento y la reduccin de las corrientes.
Sin embargo, en otros casos se llega a propuestas contradictorias, lo que obliga a
adoptar un compromiso entre una opcin y otra para mejorar el rendimiento, como

elegir apropiadamente la frecuencia para no tener grandes corrientes y adems
trabajar con resistencias suficientemente pequeas.
En realidad todas estas propuestas pueden analizarse en dos grandes bloques que
resumiran todo el contenido del esquema anterior:
Diseo del transformador de la aplicacin sin contacto: criterios para
maximizar acoplamiento sin aumentar resistencia, cmo minimizar el tamao
del componente, influencia de los parmetros constructivos, etc.
Eleccin y diseo de la topologa de potencia: cmo minimizar el efecto del bajo
acoplamiento, a qu frecuencia trabajar para obtener las corrientes adecuadas,
reduccin de las prdidas de conmutacin, etc.
A continuacin se explicarn las caractersticas ms significativas de los
transformadores y las topologas que se emplean para transferir energa en las
aplicaciones sin contacto. Estas indicaciones son importantes debido a las
particulares caractersticas de estas aplicaciones, y sern utilizadas en el estudio que
se realiza en esta tesis.
1.3.1 El transformador en las aplicaciones sin contacto
Como ya se ha dicho, la caracterstica principal de los transformadores para
aplicaciones sin contacto es el bajo coeficiente de acoplamiento. Por ello estos
transformadores tienen ciertas particularidades en las que a veces no se repara
debido a la costumbre de emplear transformadores con alto acoplamiento. A
continuacin se van a exponer algunas de estas particularidades.
1.3.1.1 El coeficiente de acoplamiento del transformador
Para dar una idea de la magnitud del acoplamiento del transformador en una
aplicacin de este tipo, en la figura 1-22 se muestran unas fotos de los devanados del
transformador de la fuente de alimentacin de un implante de cclea. En esta figura
tambin hay una grfica del acoplamiento entre los devanados de este transformador
al variar la separacin entre los mismos (no se emplea ncleo magntico). Como
puede observarse, en el mejor de los casos el acoplamiento es de 47%, cuando los
devanados estn separados la menor distancia considerada, que es 1mm. Sin
embargo, el acoplamiento puede disminuir hasta un 12% para la separacin mayor,
que es 12mm.
Estos valores representan un gran contraste respecto a los transformadores
convencionales. Por ejemplo, un transformador construido sobre un ncleo de ferrita
EE, con devanados no entrelazados situados en la pata central de modo que el
primario est en la parte superior y el secundario en la inferior, puede alcanzar un
coeficiente de acoplamiento en torno al 99%.
DEVANADO PRIMARIO

DEVANADO SECUNDARIO

47
34
26
21
16
12
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 2 4 6 8 10 12 14
Separacin entre devanados (mm)
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
47
34
26
21
16
12
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 2 4 6 8 10 12 14
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)

Figura 1-22. Devanados primario y secundario y acoplamiento medido en el transformador de un
implante de cclea al varia la separacin entre los devanados
Cuando se considera que la relacin de transformacin es muy semejante a la
relacin de vueltas de los devanados, es porque el flujo disperso es muy pequeo y
las resistencias de los devanados son de bajo valor. En las aplicaciones sin contacto,
debido al bajo acoplamiento de los transformadores, la relacin de transformacin
es muy diferente a la relacin de vueltas.
Para comprender lo que sucede en los transformadores con muy bajo acoplamiento,
hay que recurrir al diagrama de flujos del transformador representado en la figura
1-23. El significado de las variables marcadas en esta figura es el siguiente
[ELECTRO91]:
v
1
m
v
2
i
1
i
2
s1

s2
v
1
m
v
2
i
1
i
2
s1

s2

Figura 1-23. Diagrama de flujos de un transformador con dos devanados

s1
, flujo disperso del primario: se trata del flujo magntico creado por la
corriente i
1
circulante por el devanado primario y que no es compartido con el
secundario.

s2
, flujo disperso del secundario: de modo similar al caso anterior, se trata del
flujo creado por la corriente i
2
y no compartido con el primario.

m
, flujo magnetizante: es el flujo magntico creado por cualquiera de las dos
corrientes y compartido por ambos devanados.
Por tanto, el flujo total
1
al que est sometido el devanado primario, es igual al flujo
que comparte con el secundario (
m
) ms la parte del flujo propio no compartida
(
s1
):

m s
+ =
1 1
( 1-2)
De modo equivalente, el flujo total
2
al que est sometido el devanado secundario
se puede expresar como:

m s
+ =
2 2
( 1-3)
Por otra parte, las ecuaciones que definen el comportamiento de las bobinas ideales
son:

dt
d
N v
1
1 1

= ( 1-4)

dt
d
N v
2
2 2

= ( 1-5)
Combinando las ecuaciones anteriores se obtienen las siguientes:

dt
d
N
dt
d
N v
m s

+
=
1
1
1 1
( 1-6)

dt
d
N
dt
d
N v
m s

+
=
2
2
2 2
( 1-7)
A la vista de estas expresiones, y despreciando las prdidas resistivas que existen en
el componente real, en los transformadores con alto coeficiente de acoplamiento la
relacin de transformacin es igual a la relacin de vueltas porque el flujo disperso
es prcticamente nulo y casi todo el flujo es compartido, es decir:
Cuando 0
1

s
y 0
2

s
, se cumple:
2
1
2
1
N
N
v
v
= ( 1-8)
Pero para los transformadores analizados en esta tesis, la expresin anterior no es
vlida porque los flujos dispersos pueden tener valores incluso mayores o iguales
que el flujo magnetizante. Por ello la relacin entre las tensiones de entrada y salida
no coincide con la relacin entre el nmero de vueltas de los devanados
La figura 1-24 representa un modelo simple de transformador. En l estn incluidas
las inductancias de dispersin de primario L
d1
y secundario L
d2
, que representan los
flujos de dispersin de los devanados primario y secundario respectivamente, y la
inductancia magnetizante L
m
, que representa el flujo comn a ambos devanados. El
modelo adems incluye un transformador ideal con la relacin de vueltas del
transformador a modelar. Al ser la inductancia magnetizante L
m
una representacin
del flujo comn, en el modelo puede colocarse en el lado del primario o del
secundario del transformador. Para los clculos posteriores se considera la
inductancia magnetizante vista desde el devanado primario, tal cual se muestra en la
figura 1-24.
i
1
L
d1
L
d2
i
2
L
m
N
1
:N
2
v
1
v
2
i
1
L
d1
L
d2
i
2
L
m
N
1
:N
2
v
1
v
2

Figura 1-24. Modelo simple de transformador
Debido a la linealidad supuesta por considerar los componentes ideales, se cumplen
las siguientes ecuaciones [ELECTRO91]:

1
1 1
1
i
N
L
s
d

= ( 1-9)

2
2 2
2
i
N
L
s
d

= ( 1-10)

2
1
2
1
1
i
N
N
i
N
L
m
m

= ( 1-11)
Sustituyendo estas expresiones en las ecuaciones ( 1-6) y ( 1-7) y operando se llegara
a las ecuaciones que definen el comportamiento del transformador en funcin de las
inductancias de dispersin, la magnetizante y el nmero de vueltas de cada
devanado:
( )
dt
di
N
N
L
dt
di
L L v
m m d
2
1
2 1
1 1
+ = ( 1-12)

dt
di
N
N
L
dt
di
N
N
L L v
m m d
1
1
2 2
2
1
2
2 2
+
(
(
|
|
.
|
\
|
+ = ( 1-13)

Por ltimo, el coeficiente de acoplamiento del transformador k es una medida
entre la energa compartida por ambos devanados y la energa total generada, de
modo que:

( )
(
(
+
|
|
.
|
\
|
+
=
2
2
1
2
1
1
2
d m d m
m
L
N
N
L L L
N
N
L
k ( 1-14)
Como ya se ha recalcado en subapartados anteriores, el coeficiente de acoplamiento
del transformador es crtico para el rendimiento de la fuente de alimentacin en
aplicaciones de transferencia de energa sin contacto.
1.3.1.2 Medida de las inductancias parsitas del transformador
El mtodo habitual de medir las inductancias de dispersin y la inductancia
magnetizante de un transformador es realizar ensayos de circuito abierto y ensayos
de cortocircuito desde los distintos devanados del transformador.
Transformador con alto coeficiente de acoplamiento:
Cuando los devanados estn bien acoplados, se cumple que el flujo disperso es
mucho menor que el comn, de modo que las inductancias de dispersin son
despreciables frente a la magnetizante y por tanto la inductancia obtenida del
ensayo de abierto desde primario L
oc1
es prcticamente igual a la magnetizante
(figura 1-25).
Cuando
m d
L L <<
1
, se cumple que
m oc
L L
1
( 1-15)
L
d1
L
d2
L
m
N
1
:N
2
Ensayo de circuito
abierto desde el
primario
L
oc1
L
d1
L
d2
L
m
N
1
:N
2
Ensayo de circuito
abierto desde el
primario
L
oc1

Figura 1-25. Ensayo de circuito abierto desde primario
Para el mismo transformador, con un alto coeficiente de acoplamiento, a partir
del ensayo de cortocircuito (figura 1-26) puede obtenerse la inductancia de
dispersin total referida al primario:

2
2
1
2 1 1
|
|
.
|
\
|
+
N
N
L L L
d d sc
( 1-16)
L
d1
L
d2
L
m
N
1
:N
2
Ensayo de cortocircuito
desde el primario
L
sc1
L
d1
L
d2
L
m
N
1
:N
2
Ensayo de cortocircuito
desde el primario
L
sc1

Figura 1-26. Ensayo de cortocircuito desde primario
Transformador con bajo coeficiente de acoplamiento:
Si los devanados no estn bien acoplados, los resultados que se obtienen de los
ensayos son distintos a los anteriores, ya que la inductancia magnetizante y las
inductancias de dispersin tienen valores comparables y no puede despreciarse
unas frente a la otra.
En el ensayo de circuito abierto, la inductancia medida obtenida L
oc1
es igual a la
magnetizante ms la dispersin del devanado desde el que se mide.

m d oc
L L L + =
1 1
( 1-17)
Cuanto menor sea el acoplamiento del transformador, ms parecida ser la
inductancia medida en este ensayo a la inductancia propia del devanado, y
menor ser la inductancia magnetizante.
El resultado obtenido del ensayo de cortocircuito es igual a la dispersin del
devanado desde el que se mide en serie con el paralelo de la magnetizante y la
dispersin del otro devanado:

2
2
1
2
2
2
1
2
1 1
|
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
+ =
N
N
L L
N
N
L L
L L
d m
d m
d sc
( 1-18)
Para un acoplamiento muy pequeo, este valor sera bastante similar al obtenido
en el ensayo de circuito abierto.
Segn lo anterior, en general para caracterizar las inductancias parsitas de un
transformador de dos devanados seran necesarios tres ensayos. Lo ms sencillo sera
realizar dos ensayos de circuito abierto, desde cada uno de los devanados, y un
ensayo de cortocircuito desde uno de ellos. Por tanto, para calcular los valores de las

inductancias de dispersin y la magnetizante (L
d1
, L
m
y L
d2
) habra que plantear un
sistema de tres ecuaciones con tres incgnitas.
Si adems no se pudiese despreciar el efecto de las resistencias, el nmero de ensayos
sera el mismo, pero habra que considerar la impedancia medida como un valor
complejo, es decir, la parte real (resistencia) y la imaginaria (inductiva).
Como ha podido comprobarse, los componentes magnticos empleados en las
aplicaciones de transferencia de energa sin contacto son muy particulares.
Adems, su influencia en el rendimiento es muy importante: en el ejemplo de la
figura 1-20, sus prdidas suponan un 23% de las prdidas totales en la fuente de
alimentacin. Es por ello que en este trabajo de investigacin se ha realizado un
gran esfuerzo por extraer una serie de conclusiones del anlisis de estos
transformadores que se resuman en unas sencillas reglas para facilitar y mejorar
su diseo [FDEZ02_1].
1.3.2 La topologa del convertidor continua-continua
La eleccin de la topologa del convertidor continua-continua es clave para optimizar
el rendimiento de la fuente de alimentacin. Hay muchos factores relacionados con
la topologa que pueden penalizar gravemente las prdidas, como el nmero de
interruptores, el tipo de rectificador, el modo de control, etc.
En un convertidor de pulso cuadrado como el de retroceso de la figura 1-27, cuando
el interruptor se abre, se enva un pulso energtico del primario al secundario del
transformador, y el resto de la energa se pierde en la inductancia de dispersin,
donde se almacena la energa propia de cada devanado y que no comparte con los
otros. As aparecen unas caractersticas sobretensiones en la tensin drenador-fuente
del interruptor.

Figura 1-27. Tensin caracterstica drenador-fuente del convertidor de pulso cuadrado
Como en las aplicaciones sin contacto se comparte muy poco flujo magntico, las
inductancias de dispersin son incluso mayores que la magnetizante, y con un
convertidor de pulso cuadrado se perdera mucha energa y las sobretensiones que
apareceran al abrir el interruptor seran muy importantes.
La solucin ms extendida para absorber este efecto es recurrir a una topologa
resonante, donde la inductancia de dispersin forma parte activa del funcionamiento
del convertidor. Se trata de incorporar condensadores adecuadamente para producir
resonancias con las inductancias de dispersin, de modo que la energa almacenada
no se pierde, sino que va cambiando de un elemento resonante a otro. De este modo
no aparecen picos en la tensin drenador-fuente. En el convertidor de la figura 1-28,
la forma de la tensin drenador-fuente es debida a la resonancia entre la inductancia
vista desde primario con la capacidad en paralelo con el interruptor.

Figura 1-28. Tensin caracterstica drenador-fuente del convertidor resonante
Sin embargo, el tener mucha energa reactiva fluyendo de unos elementos a otros
supone que en este tipo de circuitos puede haber una corriente alterna de valor
importante circulando, lo cual influye mucho en las prdidas. El diseo de la etapa
de potencia debe tener en cuenta este hecho, optimizando el circuito para no tener
ms energa circulante de la necesaria.
Una vez decidida la utilizacin de una topologa resonante, hay que escoger cul es
la adecuada teniendo en cuenta varios factores:
Optimizar la conmutacin en todos los semiconductores: debido a la alta
frecuencia de funcionamiento, si se consiguiese conmutacin a tensin cero se
obtendra una importante reduccin de las prdidas de conmutacin al no
convivir tensin y corriente.
Topologa sencilla, con pocos componentes: si el tamao es crtico, es
importante que haya pocos componentes, y resultara especialmente interesante
no tener que aadir ningn elemento magntico aparte del imprescindible
transformador, ya que los elementos reactivos suelen ser los ms voluminosos
en los circuitos electrnicos.
Reaccin ante la variacin de acoplamiento: desde el punto de vista de la
topologa, la posicin relativa entre los devanados es indiferente. Lo importante
es saber la variacin de acoplamiento entre los devanados que puede haber y
asegurar que en cualquier condicin de trabajo se van a poder proporcionar la
tensin y la potencia adecuadas a la carga.

En la figura 1-29 se han resumido algunos resultados de rendimiento conseguidos
con distintas soluciones topolgicas y que estn presentes en el estado de la tcnica
para aplicaciones con transferencia de energa sin contacto. Se muestra un amplio
rango de potencias que abarca desde los mili vatios de los implantes de cclea hasta
los vatios de un adaptador de alterna o un marcapasos [FDEZ02_2]. En el captulo 3
de esta tesis se van a comentar algunas de las topologas de convertidores CC/CC
empleadas por los autores referenciados.
Para cada una de los resultados mostrados en la figura 1-29 se han aportado los
valores de rendimiento mximo y mnimo conseguidos en distintas condiciones de
funcionamiento, as como el coeficiente de acoplamiento entre los devanados
existente en cada caso. Observando los resultados de rendimiento se puede
comprobar que los valores obtenidos son bastantes ms bajos que en otras
aplicaciones tpicas de la electrnica de potencia.
En general los mejores resultados se consiguen para los mejores acoplamientos.
Tambin cuanto menor es la potencia ms difcil es conseguir un alto rendimiento,
pues 1mW de prdidas tiene ms peso en el resultado final. Adems, slo una parte
de las prdidas de potencia aumentan con la potencia transmitida, mientras que hay
unas ciertas prdidas fijas que permanecen constantes, y que es muy difcil reducir.
25%
k=10%
48%
k=40%
12mW
68%
k=95%
50mW
50%
k=70%
69.4%
k=85%
340mW
Implante de cclea,
sin ncleo
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Marcapasos,
ncleo de
material amorfo
47%
V
in
=230V
AC
3.3W
35%
V
in
=310V
AC
12W 48W 40W
77%
k=16%
77%
k=85%
72%
k=39%
50%
k=10%
62%
k=32%
Ordenador
porttil, ncleo
de ferrita
Adaptador de
alterna, sin ncleo
Marcapasos,
ncleo de ferrita
Marcapasos,
ncleo de ferrita
Potencia de salida
0
100
28.3%
k=17%
[ZIERHOFER90]
[KANAI00]
[NISHIMURA93]
[CHOI01]
[JOUNG96]
[GHAHARY90]
Campo de aplicacin
de esta tesis
25%
k=10%
48%
k=40%
12mW
68%
k=95%
50mW
50%
k=70%
69.4%
k=85%
340mW
Implante de cclea,
sin ncleo
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Marcapasos,
ncleo de
material amorfo
47%
V
in
=230V
AC
3.3W
35%
V
in
=310V
AC
12W 48W 40W
77%
k=16%
77%
k=85%
72%
k=39%
50%
k=10%
62%
k=32%
Ordenador
porttil, ncleo
de ferrita
Adaptador de
alterna, sin ncleo
Marcapasos,
ncleo de ferrita
Marcapasos,
ncleo de ferrita
Potencia de salida
0
100
28.3%
k=17%
[ZIERHOFER90]
[KANAI00]
[NISHIMURA93]
[CHOI01]
[JOUNG96]
[GHAHARY90]
Campo de aplicacin
de esta tesis

Figura 1-29. Valores de rendimiento conseguidos para distintas aplicaciones y distintos valores del
rendimiento
Cabe resaltar que en trminos de autonoma, siempre es mejor hablar de potencia de
entrada que de rendimiento o de prdidas, puesto que influye el consumo de la
carga. En la figura 1-30 se han comparado dos topologas para una misma aplicacin.
La topologa para un implante de cclea de 7mW consigue un rendimiento mximo
de 42% [FDEZ03]. Esta topologa est basada en el convertidor clase E (figura 1-30.a),
y su utilizacin es una propuesta de esta tesis que se explicar con detalle ms
adelante. La topologa de Zierhofer [ZIERHOFER90] tambin est basada en el clase
E (figura 1-30.b), y tiene un rendimiento de 48% para un consumo de 12mW. Ambos
convertidores trabajan en condiciones similares: sin ncleo magntico, similares
separaciones entre los devanados y con materiales biocompatibles. Los valores del
acoplamiento son diferentes porque en el primer diseo se ha optado por tener un
acoplamiento bastante insensible a cambios de posicin de los devanados, mientras
que en el diseo de Zierhofer [ZIERHOFER90] se ha tendido a conseguir un
acoplamiento mximo aunque ms variable.
A) PROPUESTA PARA IMPLANTE DE CCLEA
DE 7mW

B) PROPUESTA DE ZIERHOFER PARA
IMPLANTE DE CCLEA DE 12mW

Figura 1-30. Convertidores propuestos para transferencia de energa sin contacto
Comparando los resultados para el acoplamiento mximo en cada caso:
Diseo propuesto (figura 1-30.a):
mW P mW P mW P y
in prdidas out
67 , 16 , 67 , 9 7 % 42 = = = =
Diseo de Zierhofer (figura 1-30.b):
mW P mW P mW P y
in prdidas out
25 , 13 12 % 48 = = = =
Puede comprobarse que con el diseo propuesto se han reducido las prdidas en la
fuente de alimentacin y adems, como la potencia de entrada es menor, dispone
mayor autonoma que el diseo de Zierhofer [ZIERHOFER90].
1.4 Objetivos de la tesis
A partir del planteamiento de la problemtica de la transferencia de energa sin
contacto, se van a establecer los objetivos marcados para esta tesis.

El objetivo fundamental es aportar criterios de diseo tanto del transformador
como del convertidor CC/CC para minimizar las prdidas, con la intencin de
reducir tamao y aumentar la autonoma del sistema en las aplicaciones ya citadas.
Como se ha ido comprobando a lo largo de este captulo, en el rendimiento del
convertidor influyen especialmente el transformador de bajo acoplamiento y la
topologa elegida. La tesis ha sido planteada en dos partes bastante diferenciadas,
cada una de ellas orientada a uno de estos dos temas.
En cuanto al transformador para transferencia de energa sin contacto, se han
obtenido unas reglas de diseo con el objeto de obtener las inductancias necesarias
maximizando el acoplamiento y minimizando la resistencia. Para ello se ha realizado
un anlisis completo de estos transformadores que incluye los siguientes puntos:
Modificacin de un modelo ya existente, orientndolo a componentes
magnticos sin ncleo. Este modelo se obtiene mediante simulaciones de
elementos finitos y considera los efectos de la frecuencia y de la geometra.
Validacin del modelo propuesto: Construccin de algunos componentes
magnticos sin ncleo y modelado de los mismos y comparacin entre los
resultados obtenidos de medidas con el componente real y simulacin del
modelo, para ensayos de pequea y gran seal. Cuantificacin de los errores
cometidos y validacin del modelo.
Anlisis de sensibilidad de los parmetros constructivos del transformador:
tamao de los devanados, tamao de las pistas, nmero de capas.
Influencia de la inclusin de un ncleo magntico para favorecer el
acoplamiento.
Anlisis de la penalizacin de emplear materiales biocompatibles para
aplicaciones sin contacto en las que la transferencia de energa se realice al
interior del cuerpo humano: estudio del efecto de la posicin de la caja de titanio
que contiene los circuitos electrnicos implantados.
Estudio de la sensibilidad del coeficiente de acoplamiento al desplazamiento
lateral entre los devanados, empleando para ello simulaciones de elementos
finitos con herramientas que permiten analizar los campos tridimensionales.
Extensin de los resultados obtenidos a otras dimensiones, para comprobar que
las anteriores aportaciones son vlidas para otros transformadores distintos de
los simulados, pero en los que se ha conservado una cierta relacin en las
dimensiones.
Planteamiento de una metodologa de diseo, basada en una conjuncin de
tcnicas analticas y simulacin con herramientas de elementos finitos.
Propuesta de unas sencillas reglas que sirvan de gua durante el proceso de
diseo.
OBJETIVO TESIS:
obtencin criterios diseo para reducir las
prdidas de potencia de la fuente de
alimentacin en aplicaciones con
transferencia de energa sin contacto
REGLAS DISEO
TRANSFORMADOR
Adaptacin de un modelo ya existente
a transformadores sin ncleo
Validacin experimental del modelo
propuesto
Anlisis de sensibilidad de los
parmetros constructivos del
transformador, basndose en el modelo
propuesto
tamao devanados
dimensiones conductores
nmero de capas
Influencia ncleo material magntico
Influencia utilizacin materiales
biocompatibles
Extensin de los resultados a otras
dimensiones
Estudio de la tolerancia a
desplazamientos laterales
ESTUDIO TOPOLOGAS
CONVERTIDORES CC/CC
Presentacin de una topologa con un
solo interruptor y tanque resonante en
secundario, basada en el clase E
Clculo de la impedancia equivalente
de distintos rectificadores considerando
el efecto de las capacidades parsitas
de los diodos
Estudio analtico de algunos
convertidores empleando tcnicas de
alterna
Diseo, construccin y pruebas
prototipos
Validacin experimental del estudio
analtico
Aplicacin particular: fuente de
alimentacin de un implante de cclea
Comparacin entre algunas topologas
OBJETIVO TESIS:
obtencin criterios diseo para reducir las
prdidas de potencia de la fuente de
alimentacin en aplicaciones con
REGLAS DISEO
TRANSFORMADOR
Adaptacin de un modelo ya existente
a transformadores sin ncleo
Validacin experimental del modelo
propuesto
Anlisis de sensibilidad de los
parmetros constructivos del
transformador, basndose en el modelo
propuesto
tamao devanados
dimensiones conductores
nmero de capas
Influencia ncleo material magntico
Influencia utilizacin materiales
biocompatibles
Extensin de los resultados a otras
dimensiones
Estudio de la tolerancia a
desplazamientos laterales
ESTUDIO TOPOLOGAS
CONVERTIDORES CC/CC
Presentacin de una topologa con un
solo interruptor y tanque resonante en
secundario, basada en el clase E
de distintos rectificadores considerando
el efecto de las capacidades parsitas
de los diodos
Estudio analtico de algunos
convertidores empleando tcnicas de
alterna
Diseo, construccin y pruebas
prototipos
Validacin experimental del estudio
analtico
Aplicacin particular: fuente de
alimentacin de un implante de cclea
Comparacin entre algunas topologas

Figura 1-31. Resumen de los puntos a tratar en este trabajo de investigacin
En relacin con las topologas del convertidor continua-continua, el trabajo de
investigacin se ha centrado en analizar las topologas resonantes ya existentes y
proponer otras, intentando cumplir el objetivo de minimizar prdidas, pero adems
reduciendo tamao.
Se presta especial atencin a las fuentes de alimentacin de muy baja potencia (orden
de milivatios) y con restricciones de biocompatibilidad, culminando con el diseo de
el convertidor para un implante de cclea.
Para el estudio de las topologas se han seguido los siguientes pasos:

Presentacin de una topologa de un solo interruptor, con tanque serie en el
secundario y basada en el convertidor clase E, como alternativa para las
aplicaciones sin contacto.
Estudio de la influencia de las capacidades parsitas de los diodos rectificadores
en el tanque resonante, y obtencin de una impedancia equivalente R-C para
distintos rectificadores.
Estudio analtico de otros convertidores que ya han sido utilizados en
aplicaciones de transferencia de energa sin contacto. Inclusin del efecto de los
parsitos del rectificador.
Diseo, construccin y pruebas de algunos de los convertidores estudiados para
la aplicacin particular de un implante de cclea (muy baja potencia), uno de
ellos cumpliendo con las restricciones de biocompatibilidad.
Comparacin entre los resultados obtenidos experimentalmente, mediante
simulacin y por mtodos analticos.
Todos estos puntos descritos, se resumen grficamente en la figura 1-31.

Diseo de transformadores para aplicaciones con transferencia de energa sin contacto 39
Captulo 2
Diseo de transformadores para aplicaciones con
ndice
2. Diseo de transformadores para aplicaciones sin contacto
2.1 Descripcin de los transformadores para aplicaciones sin contacto
2.1.1 Restricciones de diseo
2.1.2 Caso particular: implantes en el interior del cuerpo humano
2.2 Metodologa de trabajo
2.2.1 Mtodos analticos
2.2.1.1 Clculo de la inductancia de un devanado sin ncleo magntico
2.2.1.2 Clculo de la resistencia de un devanado sin ncleo magntico
2.2.2 Mtodos basados en las herramientas de elementos finitos
magntico
2.2.2.2 Clculo de la energa y las prdidas
2.2.2.3 Clculo de los campos electrostticos
2.2.2.4 Clculo del modelo
2.2.3 Validacin del mtodo elegido
2.3 Anlisis de sensibilidad de distintos parmetros constructivos de los
transformadores sin ncleo
2.3.1 Influencia de la tecnologa
2.3.2 Influencia de las dimensiones de las pistas
2.3.3 Influencia de las dimensiones del devanado
40 Diseo de transformadores para aplicaciones con transferencia de energa sin contacto

2.3.4 Influencia del nmero de capas
2.4 Influencia de la posicin de la caja de titanio para implantes en el cuerpo
humano
2.5 Influencia de la inclusin de un ncleo magntico
2.6 Planteamiento de la asimetra del componente magntico
2.7 Efecto del desplazamiento lateral
2.8 Extensin del problema a otras dimensiones
2.8.1 Ejemplo 1: devanados con una sola espira
2.8.2 Ejemplo 2: devanados con ms de una espira
2.9 Procedimiento de diseo para transformadores en aplicaciones sin contacto
2.10 Reglas de diseo
Captulo 2
2. Diseo de transformadores para aplicaciones sin
contacto
Al ser el transformador la pieza clave para la transmisin de energa en aplicaciones
sin contacto, resulta de extremo inters su optimizacin, pudiendo tener control en la
etapa de diseo sobre la inductancia y la resistencia de los devanados y el
acoplamiento entre los mismos.
En este captulo se van a analizar los componentes magnticos utilizados en las
aplicaciones sin contacto con el objetivo de extraer conclusiones que faciliten su
diseo.
El captulo est estructurado del siguiente modo:
Descripcin de los transformadores para aplicaciones sin contacto. Se ha acotado
el tipo de transformadores que van a estudiarse en esta tesis, y que son aquellos
con estructura plana en la que primario y secundario estn enfrentados y
separados por una gran distancia comparada con su tamao.
Descripcin de un modelo obtenido exclusivamente a partir de simulaciones con
herramientas de elementos finitos. Con este modelo se pueden calcular con
precisin los elementos parsitos del transformador, considerando los efectos de
la frecuencia y la geometra. El modelo propuesto ha sido validado gracias a los
buenos resultados obtenidos de la comparacin entre simulaciones y medidas.
Exposicin detallada del anlisis realizado, considerando distintas posibilidades
constructivas de los transformadores: forma y dimensiones de los devanados,
dimensiones de las pistas y espaciado entre las mismas, nmero de capas
ptimo, inclusin de un ncleo magntico, etc. En todos los casos se prestar
especial atencin a los transformadores sin ncleo, por ser ampliamente
utilizados en estas aplicaciones, pero tambin se analizar el efecto de la
inclusin de un ncleo de material magntico y los beneficios que puede
reportar para la transferencia de energa. El anlisis se realizar comprobando el
efecto de los parmetros constructivos sobre el coeficiente de acoplamiento y las
prdidas y su influencia para distintas separaciones entre el devanado primario
y el secundario.

A partir de las conclusiones extradas del anlisis de sensibilidad, se propone
una metodologa de diseo, vlida no slo para los transformadores analizados
en particular, sino extrapolables a otros componentes magnticos de similares
caractersticas. Este procedimiento permite disear el componente magntico
teniendo control sobre el acoplamiento entre los devanados, la resistencia y la
inductancia de los mismos.
El empleo del modelo basado en anlisis por elementos finitos para transformadores
sin ncleo magntico, el anlisis de sensibilidad de los transformadores para
aplicaciones sin contacto, el procedimiento de diseo de transformadores y las guas
de diseo que se proponen, constituyen una aportacin original de esta tesis.
2.1 Descripcin de los transformadores para aplicaciones sin
contacto
Tal como se ha descrito en el planteamiento del problema, este trabajo de
investigacin se centra en la transmisin de energa desde la fuente de alimentacin
hasta la carga va inductiva en aplicaciones sin contacto. Dicha transmisin de
energa de forma inductiva se realiza mediante el empleo de un componente
magntico que crea un flujo magntico que enlaza los devanados, estando el
primario en el lado de la fuente de alimentacin y el secundario en el de la carga.
Decir que este componente magntico es un transformador resulta un tanto
optimista, ya que en un transformador la mayor parte de la energa es transferida
desde el devanado primario al secundario. Sin embargo, en las aplicaciones sin
contacto el componente magntico los devanados estn separados una distancia
grande por un medio no magntico, por lo que la transferencia de energa entre los
devanados es mucho ms difcil y el coeficiente de acoplamiento es bajo.
En el apartado anterior ya se justificaron los efectos que suponen la mejora en el
diseo del transformador al reducir la resistencia de sus devanados y aumentar el
coeficiente de acoplamiento entre los mismos: incremento de la cantidad de energa
que se transfiere entre los devanados con respecto a la que se almacena en el circuito
magntico y mejora del rendimiento de la conversin, aumento de la autonoma de
las bateras y reduccin de tamao.
El principal grado de libertad con el que se cuenta para optimizar el componente
magntico es la adecuada seleccin de la estrategia de devanado y de parmetros
constructivos tales como dimensiones de los conductores y dimensiones del propio
devanado.
Los transformadores sin contacto pueden tener mltiples formas dependiendo de su
aplicacin. Algunos transformadores para aplicaciones sin contacto se muestran en la
figura 2-1. Como puede comprobarse, casi todos los casos tienen distinta estructura,
ya que en todos ellos se ha buscado la solucin ms apropiada para la aplicacin en
concreto, siempre con el objeto optimizar la transferencia de energa.
A) CORAZN ARTIFICIAL [MATSUKI92]

B) SISTEMA DE TRANSFERENCIA DE DATOS
[SAKAMOTO95]

C) VEHCULO GUIADO [KLONTZ95]

D) ESTACIN DE POTENCIA SIN CABLES [MURAKAMI96]

E) TRANSFORMADOR TRANSCUTNEO [ZHAO99]

F) TRANSFORMADOR TRANSCUTNEO
[NISHIMURA94, NISHIMURA01]

Figura 2-1. Transformadores para aplicaciones sin contacto
El transformador para aplicaciones sin contacto en el que se va a basar esta tesis es
aquel en el que los devanados son planos y estn enfrentados, y que debido a su
estructura es de los mencionados anteriormente el que consigue ms bajos
coeficientes de acoplamiento. La estructura sera similar a la del transformador para
un corazn artificial [MATSUKI92] y el transformador transcutneo
[NISHIMURA01]. En la figura 2-2 se ha representado un esquema del mismo.

Devanado
secundario
Devanado
primario
Separacin
entre
devanados
Devanado
primario
Devanado
secundario
Devanado
secundario
Devanado
primario
Separacin
entre
devanados
Devanado
primario
Devanado
secundario

Figura 2-2. Estructura de los transformadores a analizar en esta tesis
2.1.1 Restricciones de diseo
Para una cierta aplicacin, stas son las restricciones de diseo ms comunes:
1. Las inductancias de primario y secundario dependen de la topologa
empleada y del diseo en particular.
2. El radio mximo permitido de los devanados, y que limita su tamao, viene
determinado por la aplicacin. En sistemas porttiles o en implantes en el
cuerpo es importante que el sistema sea pequeo y discreto.
3. En ciertos casos, el radio mnimo interno tambin viene determinado por la
aplicacin. Por ejemplo, cuando se emplea un imn para mantener alineados
los devanados interno y externo, debe preverse espacio suficiente para el imn
en el centro de los devanados.
4. Si el transformador se realiza sobre una PCB, la tecnologa de PCB empleada
limita las dimensiones de las pistas: separacin entre pistas, ancho mnimo,
grosor mximo y otros parmetros.
5. La resistencia de los devanados debe ser la menor posible y el acoplamiento lo
mayor posible para reducir prdidas.
6. Dependiendo de la aplicacin dependen los materiales que pueden utilizarse.
En una aplicacin biomdica, los materiales que pueden utilizarse dentro del
cuerpo humano estn restringidos a la lista de materiales biocompatibles. Pero
tambin existen otras restricciones relacionadas con el peso, el volumen o la
robustez del equipo.
7. Cuando la separacin o el alineamiento entre los devanados primario y
secundario puede variar en un rango importante, de modo que el coeficiente
de acoplamiento puede ser muy variable, hay dos posibilidades a la hora de
disear el transformador:
- Si el convertidor puede compensar las variaciones de acoplamiento, el
transformador debe disearse para obtener el acoplamiento mayor posible.
- Si el convertidor no puede compensar las variaciones de acoplamiento,
sera interesante disear un transformador lo ms insensible posible a la
separacin, aunque para cada distancia posible entre los devanados el
acoplamiento no fuera mximo.
Como puede comprobarse, los transformadores para aplicaciones sin contacto estn
sometidos a mltiples restricciones, lo que dificulta an ms su optimizacin para
mejorar la transferencia de energa, que es el objetivo fundamental del diseo. Es por
ello que el anlisis de sensibilidad del componente magntico a las distintas
variables constructivas puede resultar muy til para mejorar el rendimiento
general del sistema de alimentacin.
Pero si los transformadores para aplicaciones sin contacto se ven sometidos a
muchas restricciones, en el caso de transformadores para aplicaciones biomdicas,
estas restricciones son mucho ms abundantes y severas.
2.1.2 Caso particular: implantes en el interior del cuerpo humano
Los implantes en el cuerpo humano son unas aplicaciones sin contacto interesantes
por producir un beneficio directo en el ser humano al tratar de un tema bsico como
es la salud. Desde el punto de vista del transformador, esta aplicacin tiene mucho
inters debido al especial cuidado con el que hay que disear el componente
magntico y las mltiples restricciones de diseo existentes, que se describirn en
este apartado.
En los orgenes de los implantes en el cuerpo humano, la transferencia de energa se
realizaba de modo percutneo, esto es, perforando la piel y permitiendo la existencia
de un cable que conectaba de modo permanente la parte implantada con la fuente de
alimentacin situada en el exterior. Aparte de la incomodidad para el paciente y su
deficiencia esttica, este mtodo de alimentacin supona un constante riesgo de
infeccin que amenazaba su salud. Por ello la transferencia de energa empleando
acoplamiento magntico supuso un gran avance para los sistemas mdicos
implantados. La transferencia de energa transcutnea, es decir, a travs de la piel
intacta, no supone ms que mejoras para el paciente implantado en cuanto a
comodidad, esttica y salud. Su mayor desventaja es una menor eficiencia, lo que
supone al paciente una menor autonoma, es decir, tener que cambiar o recargar sus
bateras ms a menudo.
Por tanto, en las aplicaciones mdicas sin contacto ms modernas, la energa se
transfiere por medio de un transformador transcutneo, de modo que el primario del
mismo est situado fuera del cuerpo y el secundario dentro. Ambos devanados estn
separados por piel y tejido.

El diseo del transformador transcutneo es muy complejo debido a sus especiales
caractersticas:
La distancia entre los devanados es diferente para cada paciente, puesto que se
trata de la piel y tejido corporal. El gran rango de posibles separaciones, y que no
pueden ser medidas a priori, dificulta la optimizacin del componente. En la
mayora de los casos, la separacin es bastante grande comparada con el tamao
de los devanados y el acoplamiento es muy bajo (menor del 50%). Por ejemplo,
en el caso de un implante de cclea, situado en la cabeza, la separacin entre los
devanados puede variar entre 1mm y 12mm, mientras que el dimetro exterior
del devanado es menor que 35mm.
Los devanados interno y externo pueden desalinearse con facilidad al moverse el
paciente. Esto empeora sensiblemente el acoplamiento. Para evitar los
desplazamientos relativos entre los devanados y asegurar la posicin ptima,
algunos modelos tienen un imn en el centro de cada devanado, que los
mantiene alineados.
La parte implantada (devanado secundario y circuito electrnico) debe cumplir
con la normativa existente de biocompatibilidad. En lo que respecta al
transformador transcutneo, el devanado secundario debe estar construido con
un material biocompatible como oro o platino y aislado del medio mediante un
recubrimiento de silicona. Materiales como la ferrita, que mejoraran la
transferencia de energa, no pueden ser utilizados porque no son biocompatibles,
aunque en ocasiones s se utilizan ciertos materiales amorfos que cumplen con la
normativa pero aportan menos ventajas magnticas [NISHIMURA01]. En cuanto
al circuito electrnico, debe estar encerrado en una caja especial para aislarlo, y
tradicionalmente este contenedor est realizado con materiales cermicos o
aleaciones de titanio.
Debido a su emplazamiento en el interior del cuerpo humano, el tamao del
implante no puede ser muy grande. Sin embargo, tambin existen restricciones
para la parte externa porque los pacientes no quieren llevar grandes aparatos
que les puedan diferenciar de las personas sanas y prefieren pasar
desapercibidos. Esto puede llevarles incluso a no utilizar el implante si no se
sienten seguros y no cumple con sus requisitos estticos, generalmente
relacionados con el tamao. La construccin de devanados lo ms pequeos y
discretos posibles es por tanto prioritaria.
En muchos implantes es necesaria una comunicacin entre el exterior del cuerpo
y el interior. Por ejemplo, en un implante de cclea hay que transmitir al
implante la informacin relativa al sonido. A veces esta informacin se transmite
empleando el transformador transcutneo, pero tambin existen otros sistemas
como los diodos infrarrojos.
2.2 Metodologa de trabajo
En este apartado se muestra el mtodo de trabajo seguido para realizar un completo
anlisis de los transformadores en los que se va a centrar esta tesis (figura 2-2). Para
ello se van a comentar los mtodos analticos existentes, y a la vista de sus
limitaciones se describir el modelo que va a emplearse para el anlisis de
sensibilidad, basado en simulaciones con una herramienta de elementos finitos.
Las ventajas de la simulacin frente al prototipado son comnmente conocidas. En
este caso, y debido al gran nmero de posibilidades constructivas de los
transformadores, todo el anlisis de sensibilidad se ha basado en modelos obtenidos
utilizando la herramienta de elementos finitos Maxwell [MAXWELL8.0]. La
construccin y medida de todos los transformadores considerados no habra sido
posible debido al grandsimo nmero de casos estudiados. Como se demostrar en
sucesivos apartados, el mtodo de trabajo propuesto es suficientemente preciso y no
resta validez al anlisis, ya que el comportamiento de los modelos generados se
ajusta con suficiente exactitud a los transformadores construidos.
2.2.1 Mtodos analticos
Sera tremendamente til contar con un mtodo analtico fiable y preciso para el
clculo de inductancias, resistencias y acoplamiento de devanados para los
transformadores dedicados a aplicaciones sin contacto. Pero obtener un modelo
general supondra resolver las ecuaciones de Maxwell para unas condiciones y una
geometras muy complicadas, lo que representa una extrema complejidad y es
virtualmente imposible.
Slo en ciertas condiciones se pueden hacer una serie de hiptesis que simplifican el
problema y facilitan la obtencin de un modelo menos general pero de igual modo
vlido para los sistemas que satisfacen las condiciones impuestas. Tal es el caso de
las aproximaciones unidimensionales, que reducen el sistema a uno unidimensional,
simplificando mucho las ecuaciones de Maxwell y acortando el tiempo de generacin
del modelo. Pero la aproximacin unidimensional slo puede darse en las siguientes
condiciones [PRIETO99, PERNIA95]:
La variacin del campo magntico sucede en una direccin principal, siendo
nulo o constante en las otras dos, lo que implica la utilizacin de un ncleo
magntico que concentre las lneas de campo (figura 2-3.a).
Cada capa est compuesta de vueltas del mismo devanado y llenando la altura
de la ventana en su totalidad si el componente magntico tiene una estrategia de
devanado concntrica, o todo el ancho de la ventana si la estrategia de devanado
es por capas (en ingls, topdown).

A) CON NCLEO DE FERRITA
E
j
e
d
e

s
i
m
e
t
r
a
Ncleo de ferrita E
j
e
d
e

s
i
m
e
t
r
a
Ncleo de ferrita

B) SIN NCLEO (EN EL AIRE)
E
j
e
d
e

s
i
m
e
t
r
a
E
j
e
d
e

s
i
m
e
t
r
a

Figura 2-3. Lneas de flujo de un componente magntico con y sin ncleo
El componente magntico empleado en las aplicaciones sin contacto no satisface las
condiciones anteriores en ningn caso. Lo ms comn tratndose de implantes en el
cuerpo humano es utilizar transformadores sin ncleo magntico en los que las
lneas de campo se abren como en la figura 2-3.b. Pero aunque se tratara de un
transformador con ncleo magntico, primario y secundario estn tan separados por
un medio no magntico que las lneas de flujo se abren y la distribucin de las lneas
de campo magntico tampoco sigue una dimensin predominante.
En el caso de un componente magntico tradicional con ncleo magntico, la
inductancia es fcilmente calculable con el nmero de vueltas y la reluctancia del
ncleo, facilitada por el fabricante. Sin embargo, en el caso de ausencia de ncleo, la
inductancia del devanado depende no solo del nmero de vueltas, sino tambin de
la disposicin espacial de las mismas. Como se puede observar en la figura 2-3.b, en
el aire las lneas de flujo se abren y es difcil calcular la longitud efectiva del camino
magntico.
2.2.1.1 Clculo de la inductancia de un devanado sin ncleo magntico
Como ya se ha comentado, calcular la inductancia de un componente magntico sin
ncleo no es una tarea sencilla. Aun as hay varios trabajos que consiguen hacerlo en
ciertas condiciones y para ciertas geometras. Casi todos estn basados en frmulas
con integrales elpticas o funciones de Bessel, complicadas de resolver en el pasado,
pero factibles en la actualidad gracias a los ordenadores y los mtodos numricos.
Clculo de la inductancia mutua entre dos espiras en el aire con ejes
paralelos.
Este caso corresponde al de la figura 2-4.a. El clculo puede realizarse utilizando el
mtodo empleado por Zierhofer en [ZIERHOFER96] y equivalente al utilizado por
Soma en [SOMA87]. Esta frmula no incluye el radio del conductor R porque en todo
momento se est suponiendo que el conductor es un filamento, es decir, que su radio
R es mucho menor que el de la espira a (R/a<<1).
A) DEVANADOS CON ESPIRAS DE
FILAMENTOS Y EJES PARALELOS
a
2
a
1
b
1
d
a
2
a
1
b
1
d

B) ESPIRAS COAXIALES PLANAS
a
int
a
ext
b
int
b
ext
d
h
a
h
b
w
b
w
a
a
int
a
ext
b
int
b
ext
d
h
a
h
b
w
b
w
a

Figura 2-4. Parmetros geomtricos de las espiras en el aire
La inductancia mutua entre dos espiras puede calcularse como:
dx e
ab
x J
a
b
x J
b
a
x J ab d b a M
ab
d
x
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
0
0 1 1 0
) , , , (

( 2-1)
Donde a y b son los radios de las espiras, z la distancia entre los devanados, la
distancia entre los ejes de los devanados y J
0
y J
1
las funciones de Bessel de orden
cero y primer orden respectivamente.
Esta frmula resulta muy interesante porque considera que los ejes de los devanados
estn desplazados, al variar el parmetro . En el caso de alineamiento perfecto, es
decir, cuando = 0, la ecuacin anterior tendra la siguiente solucin:

(

|
.
|
\
|
= = ) (
2
) (
2
) , 0 , , (
0

E K ab d b a M ( 2-2)
Donde K() y E() son las integrales elpticas completas de primera y segunda clase,
respectivamente, y puede calcularse como:

( )
2 2
4
d b a
ab
+ +
= ( 2-3)
De este modo, la inductancia propia L
a
de un devanado con N
a
vueltas, cada una de
ellas de radio a
i
(i=1,2,, N
a
) se calculara como:

=
=
= = + = = =
a a a
N
i
N
j i
i
N
j i
j
j i i i a
d a a M d a a M L
1 1 1
) 0 , 0 , , ( ) 0 , 0 , , ( ( 2-4)

La inductancia mutua M
ab
entre dos devanados sera igual a:

= =
=
a b
N
i
N
j
j i ab
d b a M M
1 1
) , , , ( ( 2-5)
Ventajas del mtodo:
9 Clculo sencillo de la inductancia propia y mutua y por tanto del acoplamiento
de espiras de seccin circular con radio del conductor despreciable frente al
radio de la espira.
Desventajas del mtodo:
8 La limitacin ms evidente de este trabajo es que las espiras tienen que ser muy
similares a filamentos para conseguir buenos resultados, por lo que no puede ser
aplicado a espiras planas.
Clculo de la inductancia mutua entre dos espiras en el aire con seccin
rectangular mediante el mtodo del filamento equivalente.
Para conseguir resultados ms generales y calcular la inductancia mutua entre dos
espiras de seccin rectangular habra que integrar la frmula de los filamentos en
toda la seccin del conductor. Sin embargo, Hurley y Duffy [HURLEY95],
apoyndose en el trabajo de Grover [GROVER46], proponen sustituir las espiras
rectangulares por los filamentos equivalentes adecuados, de modo que se podra
calcular la inductancia mutua aplicando la siguiente ecuacin:
dk e ka J kb J b a z b a M
z k
= ) ( ) ( ) , , (
1
0
1 0
( 2-6)
Donde J
1
es la funcin de Bessel de primer orden y primera clase y a y b son los
radios de los filamentos equivalentes a las espiras de seccin rectangular. Esta
ecuacin es equivalente a ( 2-1), pero sin considerar desplazamientos laterales entre
los devanados (=0).
Una primera aproximacin podra ser suponer el filamento en el centro de la
seccin, que sera equivalente a suponer uniforme la distribucin de corriente en
ella. Por tanto los radios de los filamentos equivalentes seran:

2
int ext
a a
a
+
= y
2
int ext
b b
b
+
= ( 2-7)
Pero aun sin considerar los efectos de la frecuencia, en las espiras planas la corriente
no se distribuye uniformemente y esta aproximacin puede llevar a un gran error
cuanto mayor sea el ancho de la pista. Debido a la notable diferencia que puede
existir entre el radio interior y el exterior, la resistencia a lo largo de la seccin vara,
siendo menor hacia el centro y mayor hacia el extremo.
Por tanto, debido a la redistribucin de corriente en la seccin del conductor, resulta
mucho ms exacto situar los filamentos equivalentes en la media geomtrica entre el
radio interior y el exterior de cada espira:

int
a a a
ext
= y
int
b b b
ext
= ( 2-8)
En cuanto al parmetro z que aparece en la ecuacin ( 2-6), su clculo difiere segn la
posicin relativa de las espiras:
Clculo de la inductancia propia de la espira: z puede calcularse como la
distancia media geomtrica
*
de la espira respecto a s misma, que puede
aproximarse por: ( ) h w z + 2235 , 0 [GROVER46].
Clculo de la inductancia mutua entre espiras en el mismo plano: 0 = z .
Clculo de la inductancia mutua entre espiras en distinto plano:
- Si el radio interior y el exterior de las espiras es similar, z debe calcularse
como la distancia media geomtrica entre ambas. En el caso de dos espiras
separadas una distancia d, y ambas con los mismos radios, el mismo ancho
de pista w y el mismo grosor de pista h, z podra calcularse empleando la
siguiente frmula:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
(
+ + + + + + + +
=
2
2 2 2
2
2235 , 0 ln 2 2235 , 0 ln 2 2235 , 0 ln 2
exp
h
d h w d h d w d d h w d h
z

( 2-9)
- Si el radio de las espiras es diferente, z puede aproximarse por la distancia
de separacin vertical entre las espiras: d z = .
Para conseguir buenos resultados al calcular la inductancia mutua entre dos espiras
en el mismo plano no es suficiente con aplicar la ecuacin ( 2-6). En este caso hay que
utilizar el mtodo de Lyle, en el que cada seccin se reemplaza por dos filamentos
equivalentes, cuyos radios son:

*
En ingls, Geometric Mean Distance, GMD [MAXWELL98]:

= ' ' ) log( dy dx dy dx r GMD


12 24
1
2 2
2
2
2 , 1
a a
a
a
h w
R
h
a r

|
|
.
|
\
|
+ = y
12 24
1
2 2
2
2
4 , 3
b b
b
b
h w
R
h
b r

|
|
.
|
\
|
+ =
( 2-10)
Donde a y b pueden reemplazarse por la aproximacin del centro o de la media
geomtrica, h
a
y h
b
son la altura de las pistas y w
a
y w
b
la anchura de las pistas del
devanado a y del devanado b respectivamente. Aplicando este mtodo, la
inductancia mutua entre las dos espiras es igual a la media aritmtica de la
inductancia mutua entre los filamentos equivalentes de cada seccin:

4
24 23 14 13
M M M M
M
ab
+ + +
= ( 2-11)
Aplicando este mtodo del filamento equivalente, la inductancia propia L
a
de un
devanado con N
a
vueltas con radios equivalentes a
i
(i=1,2,, N
a
) calculados como
media aritmtica o media geomtrica se calculara como:

=
=
+ + =
a a a
N
i
N
j i
i
N
j i
j
ij j i a a i i a
z a a M h w a a M L
1 1 1
) , , ( )) ( 2235 , 0 , , ( ( 2-12)
Ventajas del mtodo:
9 Clculo sencillo de la inductancia propia y mutua y por tanto del acoplamiento
de espiras de seccin rectangular, basndose en una aproximacin de cada espira
a un filamento equivalente.
8 Para conseguir buenos resultados, las espiras no deben tener una anchura de
pista demasiado grande (w relativamente pequeo).
Clculo de la inductancia mutua entre dos espiras en el aire con seccin
rectangular considerando la distribucin de corriente.
Adems de describir la simplificacin anterior, Hurley y Duffy proponen en
[HURLEY95] calcular las inductancias de componentes magnticos planos
considerando la distribucin de corriente no uniforme en la seccin del conductor
plano. Se asume una variacin inversa entre la densidad de corriente J y el radio r, y
que la variacin a lo alto de la seccin del conductor es despreciable debido al escaso
grosor de la pista. Por tanto la expresin de la densidad de corriente J es:

r
K
r J = ) ( ( 2-13)
Y la corriente total I en la seccin es:

=
max
min
) (
a
a
dr r J h I ( 2-14)
Con esta hiptesis, llegan a la siguiente frmula para el clculo de la inductancia de
dos espirales coaxiales en el aire (figura 2-4.b):
dk e h k h k Q a k a k S b k b k S
a
a
b
b
h h
M
d k
b a ext ext
ext ext
a b
ab

|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|

=

) , ( ) , ( ) , (
ln ln
0
int int
int int
0

( 2-15)
Donde:

k
r k J r k J
r k r k S
ext
ext
) ( ) (
) , (
int 0 0
int

= ( 2-16)
= = =
(

+
+
>
(
|
.
|
\
|
|
.
|
\
| +

=

2 1
2 1 2 1 2 1
2
2 1
, 0
1 2
2 2
cosh
2
cosh
2
) , (
h h h d si
k
e
h
k
h h
d si
h h
k
h h
k
k
h k h k Q
h k

( 2-17)
Siendo J
0
la funcin de Bessel de primera clase de orden cero. El significado de los
dems parmetros (a
ext
, a
int
, b
ext
, b
int
, h
a
, h
b
) es el mostrado en la figura 2-4.b.
Ventajas del mtodo:
9 Las frmulas presentadas para calcular la inductancia en espiras planas con
seccin rectangular conducen a unos resultados bastante exactos, como se
muestra en la referencia [HURLEY95].
8 La resolucin de la ecuacin ( 2-15) no es en absoluto sencilla. Pese a que las
herramientas matemticas actuales pueden resolver ecuaciones de este tipo, la
integral entre 0 e infinito del coseno hiperblico presenta serios problemas de
convergencia.
2.2.1.2 Clculo de la resistencia de un devanado sin ncleo magntico
Gracias a las frmulas anteriores es posible calcular la inductancia de un devanado
con forma de espiral y seccin rectangular. El siguiente paso es obtener una ecuacin
para calcular la resistencia de estos devanados. Las referencias mencionadas no

proponen mtodos de analticos para calcularla: la tarea de calcular las prdidas en
los devanados en alta frecuencia es ardua debido a la redistribucin de corriente
originada por el efecto pelicular y el efecto proximidad. Existe alguna aproximacin
en la que se reduce el problema a uno unidimensional, pero ya se ha explicado que
para las aplicaciones sin contacto no es posible hacer esta simplificacin debido a la
distribucin espacial de las lneas de flujo. Por tanto, y aunque no es una solucin
aceptable cuando se trabaja en altas frecuencias, se realizar el clculo exacto de la
resistencia en continua de un devanado en espiral y con seccin rectangular.
r
int
h
w
s
r
ext
r
int
h
w
s
r
ext

r
dr
w
h
r
int
r
ext
r
dr
w
h
r
int
r
ext

Figura 2-5. Parmetros necesarios para calcular la resistencia en continua de un devanado en espiral
con seccin rectangular
Para una espira, este clculo sera como se muestra en las siguientes ecuaciones.
Partiendo de la conductancia de un elemento diferencial de rea dA se llega al
clculo de la resistencia total de la espira R.
Diferencial de conductancia:
r
dr h
r
dA
dG

= = ( 2-18)
Conductancia:
|
|
.
|
\
|
=
int
ln
int
r
r
h
r
dr h
G
ext
r
r
ext
( 2-19)
Resistencia:
|
|
.
|
\
|
= =
int
ln
1
r
r
h
G
R
ext
( 2-20)
El significado de r, dr y los otros parmetros puede observarse en la figura 2-5. es la
resistividad del material conductor.
Como puede observarse, la resistencia vara de forma exponencial con el radio a lo
largo de la seccin rectangular. Ahora se comprende la propuesta de [HURLEY95] en
la que se sustituan las espiras por filamentos equivalentes de radio la media
geomtrica, dividiendo la seccin de la espira en dos partes que llevan la misma
corriente.
En el caso de una espiral de N vueltas, se podra aproximar a N espiras de distintos
radios. Pero cuanto mayor es la separacin entre las vueltas de la espiral, menos
parecido ser el resultado al clculo de la resistencia integrando directamente en el
camino de la espiral.
La ecuacin de la espiral en polares r(), con el ngulo en radianes es:

+ =
2
) (
int
s r r ( 2-21)
Para calcular la longitud de la espiral, hay que integrar la anterior ecuacin entre 0 y
2N, siendo N el nmero de vueltas de la espiral
s N r N d s r l
N
espiral
+ =
+ =

2
int
2
0
int
2 )
2
(
( 2-22)
Para calcular la resistencia en continua se seguirn los mismos pasos que cuando se
hizo para una sola espira, es decir, se empezar por la conductancia de un diferencial
de espiral y luego se integrar para toda la espiral:
Diferencial de conductancia:

espiral
l
dr h
l
dA
dG

= = ( 2-23)
Integrando en la seccin de la espiral para calcular la inductancia total:

|
|
.
|
\
|
+
+

=
+
=

s N r N
s N r N
N
h
dr
s N r N
h
G
ext
r
r
ext
2
int
2
2
2
2
ln
2 2
int

( 2-24)
Por tanto, la resistencia en continua de una espiral es:

|
|
.
|
\
|
+
+ +

=
s N N r
s N N w r
h
N
R
2
int
2
int
2
2 ) (
ln
2

( 2-25)
El uso de esta frmula puede resultar til, pero siendo consciente de que tiene sus
limitaciones y el error en alta frecuencia puede ser muy grande.
Conclusiones acerca de los modelos analticos
En las aplicaciones sin contacto los devanados se encuentran bastante separados
por un medio no magntico. Por ello las lneas de campo magntico no estn

concentradas, no hay caminos magnticos predominantes y la longitud efectiva
del camino magntico no puede determinarse con facilidad. Sin embargo, se han
propuesto algunas soluciones para el clculo analtico de la inductancia de
espiras en el aire en ausencia de otro material magntico, por directa resolucin
para casos particulares de las ecuaciones de Maxwell. En la figura 2-6 se resumen
las principales ventajas e inconvenientes de cada uno de los mtodos descritos.
CLCULO ANALTICO DE LA
INDUCTANCIA DE ESPIRAS EN EL AIRE
Espiras de seccin circular Espiras de seccin rectangular
Considerando la distribucin
de corriente
Aproximacin de los filamentos
; Mtodo sencillo
: El radio del conductor tiene
que ser mucho menor que el
de la espira
; Mtodo sencillo
: Las pistas tienen que tener
poco ancho para conseguir
buenos resultados
; Excelentes resultados
: Dificultad en la resolucin de
la integral. Es necesario
hacer un estudio del lmite
superior
CLCULO ANALTICO DE LA
INDUCTANCIA DE ESPIRAS EN EL AIRE
Espiras de seccin circular Espiras de seccin rectangular
Considerando la distribucin
de corriente
Aproximacin de los filamentos
; Mtodo sencillo
: El radio del conductor tiene
que ser mucho menor que el
de la espira
; Mtodo sencillo
: Las pistas tienen que tener
poco ancho para conseguir
buenos resultados
; Excelentes resultados
: Dificultad en la resolucin de
la integral. Es necesario
hacer un estudio del lmite
superior

Figura 2-6. Resumen del clculo analtico de la inductancia mutua y propia de espiras en el aire
Debida a la alta frecuencia de funcionamiento de las fuentes de alimentacin
conmutadas en las que van integradas estos componentes magnticos, existe una
redistribucin de la corriente en la seccin de los conductores. Esta
redistribucin es debida a los efectos llamados proximidad y pelicular, y
dificulta mucho el clculo de la resistencia real de los conductores a alta
frecuencia. Los mtodos analticos descritos proponen para estimar con precisin
la resistencia el anlisis por elementos finitos. Evidentemente, esto resta utilidad
al clculo analtico de la inductancia, puesto que la simulacin es siempre
necesaria para concretar el clculo de las impedancias mutuas y propias.
Las propuestas descritas no proponen un modelo del componente magntico
vlido para un rango de frecuencias, sino que calculan los valores de inductancia
y resistencia a frecuencias concretas.
Las expresiones obtenidas tienen un campo de aplicacin limitado porque slo
son vlidas para ciertas geometras: espiras de seccin redonda cuyo dimetro
sea mucho menor que el de la espira o espiras planas coaxiales de seccin
rectangular.
2.2.2 Mtodos basados en las herramientas de elementos finitos
Una vez consideradas las limitaciones de los mtodos analticos para calcular las
impedancias mutuas y propias de los transformadores con las caractersticas de los
estudiados, se pasa a considerar el anlisis por elementos finitos [PLEITE96].
Utilizando las herramientas de elementos finitos puede obtenerse un modelo muy
preciso de la parte lineal del componente magntico, considerando los efectos
producidos por la frecuencia y la geometra de los devanados (efecto pelicular, efecto
proximidad) y el aire que los rodea (ventana, entorno, entrehierro).
En todos los modelos presentes en la literatura, se presta especial atencin a la
simulacin del ncleo magntico debido a la dificultad de modelar su
comportamiento no lineal. Para considerar los efectos no lineales, como la histresis
y la saturacin, es necesario realizar un modelo analtico del ncleo. Hay muchos
modelos propuestos como los de Jiles-Atherton o Preisach [TAKACH95].
En este caso, como en las aplicaciones sin contacto es muy comn la ausencia de
ncleo magntico, la obtencin del modelo sera mucho ms simple, puesto que slo
es necesario utilizar la herramienta de elementos finitos ya que todo el componente
presenta un comportamiento lineal.
Z
1
(s)
Z
12
(s) Z
12
(s)
Z
2
(s)
C
1
C
12
C
off12
Z
core
(s)
Z
1
(s)
Z
12
(s) Z
12
(s)
Z
2
(s)
C
1
C
12
C
off12
Z
core
(s)

Figura 2-7. Modelo de un componente magntico con dos devanados y un ncleo no lineal
El modelo elegido para este trabajo de investigacin est basado en el propuesto por
Asensi en [ASENSI94]. Consiste en un conjunto de impedancias dependientes de la
frecuencia que tienen en cuenta los efectos geomtricos y de la frecuencia, adems de
un conjunto de condensadores que representan los efectos capacitivos. En la figura
2-7 se representa este modelo para un transformador con dos devanados. Z
11
(s),
Z
22
(s) y Z
12
(s) representan las prdidas y la energa magntica en los devanados pero
no en el ncleo. Las prdidas y la energa del ncleo estn incluidas en Z
core
(s).
Extendiendo el modelo a un transformador con n devanados, hay una sola
impedancia Z
core
(s), mientras que hay 2n impedancias que representan la energa y
prdidas en los devanados: Z
ii
(s) y Z
ij
(s) (i = 1...n, j =1...n). Las impedancias Z
ii
y Z
ij

son calculadas mediante anlisis por elementos finitos y la impedancia Z
core
es
obtenida analticamente.
Z
ii
representa las prdidas y la energa en todo el componente menos el ncleo
(devanados, ventana, entrehierro) cuando circula corriente por el devanado i.

Z
ij
representa las prdidas y la energa en todo el componente menos el ncleo
(devanados, ventana, entrehierro) cuando circula corriente por simultneamente
por los devanados i y j.
Z
core
representa las prdidas y la energa slo en el ncleo [TAKACH95].
Para obtener un modelo vlido en todo un rango de frecuencias hay que realizar
simulaciones a distintas frecuencias utilizando los elementos finitos. Se obtienen un
conjunto de valores Z
ii
y Z
ij
correspondientes a cada frecuencia. En la figura 2-8.a se
representan los resultados obtenidos desglosados en la resistencia R
ij
y la inductancia
L
ij
para distintas frecuencias. El siguiente paso es hallar una red equivalente de
impedancias que se comporte segn los valores obtenidos a cada frecuencia. Esa red
de impedancias se implementa usando las redes de Foster representadas en la figura
2-8.b. El problema de optimizacin que hay que resolver para encontrar esta red y
ajustar el modelo (figura 2-8.c) se encuentra descrito en detalle en [ASENSI94].
A) RESULTADOS CON LA HERRAMIENTA DE ELEMENTOS FINITOS
Frecuencia
R
ij
Frecuencia
L
ij
Frecuencia
R
ij
Frecuencia
L
ij

B) REDES DE FOSTER

C) AJUSTE DE LA CURVA DEL MODELO
R
ij
L
ij
Frecuencia Frecuencia
R
ij
L
ij
Frecuencia Frecuencia

Figura 2-8. Ajuste de la curva del modelo utilizando las redes de Foster
La figura 2-8 muestra toda la secuencia de obtencin del modelo, desde las
simulaciones resueltas en puntos de frecuencia discretos hasta la obtencin de una
malla equivalente.
Este modelo resulta suficientemente exacto y apropiado para la simulacin de
fuentes de alimentacin conmutadas de pulso cuadrado. En estos casos, la tensin en
el transformador es tpicamente cuadrada, por lo que es una seal con mltiples
armnicos, y un modelo del transformador a una nica frecuencia resultara
extremadamente pobre e inexacto. Gracias a que el modelo es vlido para un rango
de frecuencias amplio, se consideran los principales armnicos de la forma de onda.
Hoy en da existen herramientas capaces de realizar un anlisis de elementos finitos
considerando una seal no-sinusoidal, como el Maxwell EMpulse. Pero los resultados
as obtenidos slo son vlidos ante ese particular estmulo, por lo que su campo de
aplicacin es limitado, no se pueden extraer conclusiones generales acerca del diseo
magntico y por tanto este mtodo no ha sido utilizado en esta tesis.
magntico
Como ya se ha mencionado, para el anlisis realizado en esta tesis se ha realizado
una simplificacin del modelo propuesto en [ASENSI94]. En el caso de ausencia de
ncleo magntico todo el componente presenta un comportamiento lineal, por lo que
el modelo entero puede obtenerse a partir de simulaciones realizadas con la
herramienta de elementos finitos. Por tanto hay que incluir toda la energa y las
prdidas del componente en las impedancias Z
ii
y Z
ij
y eliminar la impedancia que
modela el ncleo (Z
core
). El modelo de capacidades se mantiene invariante (figura
2-9).
Z
1
(s)
Z
12
(s) Z
12
(s)
Z
2
(s)
C
1
C
12
C
off12
Z
1
(s)
Z
12
(s) Z
12
(s)
Z
2
(s)
C
1
C
12
C
off12

Figura 2-9. Modelo simplificado de un componente magntico con dos devanados
Este modelo tambin sera vlido para componentes magnticos con ncleo
magntico, aunque despreciando sus efectos no lineales, que en ciertas aplicaciones
pueden no ser importantes. Cuando el usuario modifica la geometra de un ncleo
comercial o mecaniza su propio ncleo magntico, conoce las propiedades del
material magntico, como permeabilidad, permitividad y resistividad. Sin embargo,
los valores del rea y la longitud efectivos no son conocidos, por lo que no es fcil
obtener un modelo analtico del ncleo. Si se incluyeran la energa y las prdidas del
ncleo en las impedancias Z
ii
y Z
ij
, podra emplearse el modelo mostrado en figura
2-9.
El significado de las impedancias Z
ii
y Z
ij
es por tanto:

Z
ii
(s) considera la energa y las prdidas en todo el componente magntico
(devanados, ventana y ncleo magntico y entrehierro si los hubiera) debidas a
la circulacin de corriente por el devanado i mientras los otros devanados
permanecen en circuito abierto. Por lo tanto, R
ii
representa no slo las prdidas
propias del devanado i, sino tambin las inducidas en los otros devanados al
circular corriente por l y las debidas a corrientes inducidas en el ncleo
magntico si es que lo hay.
Z
ij
(s) considera la energa y las prdidas en todo el componente magntico
(devanados, ventana y ncleo magntico y entrehierro si los hubiera) cuando la
corriente circula por ms de un devanado. Por tanto, cuando solo circula
corriente por el devanado i, pese a que todas las prdidas y la energa estn
representadas en la impedancia Z
ii
, aparece una cada de tensin debida a la
impedancia Z
ij
, como sucede en el componente real.
Para obtener el modelo hay que realizar una serie de ensayos con la herramienta de
elementos finitos que se describen con detalle a continuacin.
2.2.2.2 Clculo de la energa y las prdidas
Para calcular la energa magntica y las prdidas hay que realizar ciertos ensayos a
distintas frecuencias. En estos ensayos se consideran los efectos de la geometra y la
redistribucin de corriente que hay en la seccin del conductor debido a la
frecuencia.
Para explicar los ensayos necesarios a cada frecuencia, se ha escogido un ejemplo de
un transformador sin ncleo y con dos devanados, como se muestra en las siguientes
figuras de la tabla 2-1, la tabla 2-2 y la tabla 2-3. En ellas E es la energa, B la
induccin magntica, H el campo magntico, P las prdidas, J la densidad de
corriente y la conductividad de los devanados. El eje de simetra de los devanados
est en la parte izquierda de la figura, y se han marcado con dos crculos blancos la
nica espira de cada uno de los devanados. La superior corresponde al devanado
que se ha considerado el primario del transformador y la inferior (de menor
dimetro) es la del secundario.
Los ensayos realizados son:
Ensayo 1: se introduce corriente por el devanado 1 dejando el secundario en
circuito abierto, como se muestra en la tabla 2-1. Sin embargo, aunque la
circulacin neta de corriente por el secundario sea nula, se inducen ciertas
corrientes por el mismo, y por tanto hay unas prdidas adicionales que tambin
estn incluidas en la impedancia
1 1 11
L j R Z + = , que es la que se obtiene con
este ensayo a la frecuencia elegida.
TABLA 2-1
ENSAYO 1: ABIERTO DESDE EL PRIMARIO
Energa cuando circula corriente por el primario Prdidas cuando circula corriente por el primario
1A
0A
1A
0A

1A
0A
1A
0A

=
volumen el todo
dv H B E
*
1 1 1
2
1
r r

( 2-26)
dv J J P
s conductore
*
=
1 1 1
1
r r

( 2-27)
2
1 1 1
2
1
I L E = ( 2-28)
2
1 1 1
I R P =
( 2-29)

TABLA 2-2
ENSAYO 2: ABIERTO DESDE EL SECUNDARIO
Energa cuando circula corriente por el secundario Prdidas cuando circula corriente por el
secundario
0A
1A
0A
1A

0A
1A
0A
1A

=
volumen el todo
dv H B E
*
2 2 2
2
1
r r

( 2-30)
dv J J P
s conductore
=
*
2 2 2
1
r r

( 2-31)
2
2 2 2
2
1
I L E = ( 2-32)
2
2 2 2
I R P =
( 2-33)

Ensayo 2: equivalente al ensayo 1, pero en esta ocasin se introduce corriente por
el devanado secundario dejando el primario en abierto. As se obtiene la
impedancia
2 2 22
L j R Z + = a la frecuencia a la que se haya realizado el
ensayo (tabla 2-2).
Ensayo 3: se introduce corriente simultneamente por los devanados primario y
secundario. Conocidas Z
11
y Z
22
a la frecuencia del ensayo, puede obtenerse
12 12 12
L j R Z + = segn se muestra en la tabla 2-3.

TABLA 2-3
ENSAYO 3: CORRIENTE POR LOS DOS DEVANADOS
Energa cuando circula corriente por el primario y el secundario a la vez
1A
1A
1A
1A

= + + =

dv H H B B E
volumen el todo
*
2 1 2 1 3
) ( ) (
2
1
r r r r

dv H B
volumen el todo
=
*
1 1
2
1
r r
dv H B
volumen el todo
+
*
2 2
2
1
r r
= + +

dv H B H B
volumen el todo
) (
2
1
*
1 2
*
2 1
r r r r

2
1 1
2
1
I L =
2
2 2
2
1
I L +
2 1 12
I I L +
Prdidas cuando circula corriente por el primario y el secundario a la vez
1A
1A
1A
1A

= + + =

dv J J J J P
s conductore
*
2 1 2 1 3
) ( ) (
2
1
r r r r

dv J J
s conductore
=
*
1 1
1
r r
dv J J
s conductore
+
*
2 2
1
r r
= + +

dv J J J J
s conductore
) (
1
*
1 2
*
2 1
r r r r

2
1 1
I R =
2
2 2
I R +
2 1 12
2 I I R +

La suma de los ensayos 1 y 2 no proporcionara toda la energa. En las siguientes
ecuaciones se puede comprobar que no se obtendran los trminos cruzados L
12
y R
12

y por tanto el resultado no sera completo:

+ = +
volumen el todo volumen el todo
dv H B dv H B E E
2 2 1 1 2 1
2
1
2
1
r r r r
( 2-34)

2
2 2
2
1 1 2 1
2
1
2
1
I L I L E E + = + ( 2-35)
Extendiendo la explicacin anterior a un componente magntico con n devanados,
para calcular las resistencias y las inductancias del modelo a una cierta frecuencia
hay que obtener los siguientes valores a partir de los anlisis con la herramienta de
elementos finitos:
Resistencia propia del devanado i:
dv J J
I
R
s conductore
*
i i ii

=
r r
1 1
2
( 2-36)
Resistencia mutua entre los devanados i y j:
dv ) J J J J (
I
R
s conductore
*
i j
*
j i ij

+
=
r r r r
1
2
1
2
( 2-37)
Inductancia propia del devanado i:
dv H B
I
L
volumen el todo
i i ii

=
*
2
1
r r
( 2-38)
Inductancia mutua entre los devanados i y j:
( ) dv H B H B
I
L
volumen el todo
*
i j
*
j i ij

+
=
r r r r
2
2
1
( 2-39)
Estas integrales difieren de las utilizadas en el modelo de [ASENSI94] en el dominio
de integracin. En su caso, al modelar el ncleo magntico aparte, se excluye del
dominio de integracin para el clculo de las prdidas y la energa.
Cuando hay n conductores con resistividades diferentes
k
, el clculo de la
resistencia sera diferente:

=
=
n
k
k conductor
*
i i
k
ii
dv J J
I
R
1
2
1 1
r r
( 2-40)

=
+
=
n
k
k conductor
*
i j
*
j i
k
ij
dv ) J J J J (
I
R
1
2
1
2
1
r r r r
( 2-41)

2.2.2.3 Clculo de los campos electrostticos
El clculo de los condensadores del modelo a partir del ensayo electrosttico est
explicado en detalle en [PRIETO95]. Este mtodo se ha seguido exactamente para
calcular las capacidades del modelo, ya que es independiente de la presencia o no de
ncleo magntico.
2.2.2.4 Clculo del modelo
Una vez conocidos los valores de Z
ii
y Z
ij
a distintas frecuencias discretas, se
procedera a obtener un modelo basado en redes de Foster vlido para todo el
margen de frecuencia considerado. Se empleara el mtodo descrito con anterioridad,
explicado grficamente en la figura 2-8, y resolviendo para ello el problema de
optimizacin detallado en [ASENSI94].
En este caso se ha empleado la herramienta de modelado de componentes
magnticos PEmag, que ya tiene implementada esta utilidad [PEMAG4.0].
Ventajas del modelo elegido
9 El modelo empleado considera los efectos producidos por la frecuencia (efectos
pelicular y proximidad) y tiene en cuenta la geometra de los devanados.
9 El mtodo de obtencin del modelo y el modelo en s mismo son independientes
de la geometra del transformador y de la herramienta de elementos finitos
empleada. Por tanto para obtenerlo podra emplearse una herramienta de
elementos finitos para campos bidimensionales o tridimensionales.
9 El modelo se obtiene fcilmente a partir de los resultados proporcionados por la
herramienta de elementos finitos.
9 Al ser vlido en un rango de frecuencias amplio, el modelo puede
implementarse en algn simulador elctrico y emplearse para simular un
convertidor cualquier, incluso de pulso cuadrado, ya que se consideraran los
armnicos de alta frecuencia.
9 La simplificacin realizada en el modelo lo hace idneo para utilizarlo en
componentes magnticos sin ncleo magntico. Como ya se ha dicho, cuando el
componente incluye ncleo magntico, el modelo tambin es vlido, pero tiene
ciertas limitaciones fundamentales:
Limitaciones del modelo al aplicarlo a componentes magnticos con
ncleo de material magntico
8 No considera los efectos no lineales del ncleo magntico, es decir, se desprecian
la histresis y la saturacin.
8 La obtencin de una red de impedancias Z
ii
y Z
ij
vlidas para todo un rango de
frecuencias es difcil. La parte resistiva de estas impedancias incluye las prdidas
del ncleo, y por tanto la resistencia aumenta mucho la frecuencia, ya que las
prdidas en el ncleo son muy dependientes de la frecuencia. Sin embargo, la
energa almacenada en el mismo es bastante insensible a la frecuencia y por tanto
la componente inductiva permanece bastante constante. La resolucin del
problema multivariable de optimizacin puede ser difcil y encontrar una red de
Foster equivalente, con un error aceptable, no es posible en todos los casos.
8 El modelo es muy sensible a pequeos cambios en la resistividad del ncleo.
Esto es muy importante porque debido a tolerancias en el material, la
resistividad real del ncleo no coincide exactamente con la del catlogo, y esta
sensibilidad de modelo puede hacerlo bastante inexacto en algunos casos.
2.2.3 Validacin del mtodo elegido
Para comprobar la validez del modelo se han construido una serie de componentes
magnticos. Partiendo de su descripcin fsica se ha obtenido un modelo de cada
componente segn el mtodo descrito y se han realizado los mismos ensayos al
modelo y al componente real. A continuacin se presentan los resultados de
comparar las medidas y las simulaciones para los distintos componentes probados.
Comparacin simulacin-medidas de una bobina con cable y sin ncleo
La bobina construida consta de un devanado plano, en forma de espiral, realizado
con cable de cobre. En la tabla 2-4 hay una foto de la bobina que se ha simulado,
construido y medido. Los resultados de comparar las medidas y las simulaciones
pueden observarse en la tabla 2-5 y la figura 2-10. El error obtenido al utilizar el
modelo es menor que el 2% para frecuencias menores de 1MHz, y slo se hace ms
importante a partir de 3MHz aproximadamente. Esta frecuencia resulta elevada para
este diseo porque la profundidad pelicular del conductor a 10MHz es de 21m,
mientras que su radio es de 60m.
El incremento del error con la frecuencia es esperable: a medida que aumenta la
frecuencia es necesario un mallado mucho ms fino de la herramienta de elementos
finitos para conseguir el mismo error. A veces, por limitaciones de los ordenadores,
es necesario permitir ms error en el anlisis para evitar un mallado excesivamente
fino y llevar a buen trmino la simulacin. Adems, empiezan a notarse los efectos
capacitivos por encontrarse ms cerca de la frecuencia de resonancia. Pequeos
errores en la frecuencia de resonancia conllevan grandes errores en el modelo.

TABLA 2-4
DATOS DE LA BOBINA CON CABLE
Tipo de devanado Cable en carrete
Nmero de vueltas 11
Material del conductor Cobre
Tamao conductor Circular, dimetro: 0,12mm
Radio exterior devanado 17,5mm
Radio interior devanado 15,5mm

TABLA 2-5
COMPARACIN SIMULACIN-MEDIDAS PARA UNA BOBINA DE CABLE
Inductancia Resistencia
Frecuencia
(Hz)
Medidas
(H)
Simulacin
(H)
Error (%)
Medidas
()
Simulacin
()
Error (%)
1k 11,23 10,57 6 1,995 2,024 -1
10k 11,00 10,57 4 1,996 2,024 -1
100k 10,96 10,57 4 2,004 2,025 -1
1M 10,95 10,58 3 2,209 2,157 2
10M 11,62 11,34 2 8,003 9,808 23

0
2
4
6
8
10
12
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Medidas
Simulaciones
0
2
4
6
8
10
12
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Medidas
Simulaciones
Medidas
Simulaciones

9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
Medidas
Simulaciones
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
Medidas
Simulaciones
Medidas
Simulaciones

Figura 2-10. Resistencia e inductancia de una bobina con cable y sin ncleo
Comparacin simulacin-medidas de una bobina en PCB sin ncleo
El siguiente componente construido es una bobina sobre una placa de circuito
impreso, cuya descripcin fsica puede observarse en la tabla 2-6.
TABLA 2-6
DATOS DE LA BOBINA EN PCB
Datos primario
Tipo de devanado PCB
Nmero de vueltas 17
Material del conductor Cobre
Tamao conductor Rectangular: 240m x 35m
Radio exterior devanado 17,5mm
Radio interior devanado 11mm

TABLA 2-7
COMPARACIN SIMULACIN-MEDIDAS PARA UNA BOBINA EN PCB
Frecuencia
(Hz)
Medidas
(H)
Simulacin
(H)
Error (%)
Medidas
()
Simulacin
()
Error (%)
1k 11,52 11,54 0 1,320 1,588 20
10k 11,52 11,54 1 1,322 1,588 20
100k 11,42 11,54 1 1,333 1,590 19
1M 11,40 11,54 1 1,598 1,764 10
10M 12,16 12,14 0 5,128 4,997 -3

0
1
2
3
4
5
6
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
Medidas
Simulaciones
0
1
2
3
4
5
6
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
Medidas
Simulaciones
Medidas
Simulaciones

11,3
11,4
11,5
11,6
11,7
11,8
11,9
12,0
12,1
12,2
Medidas
Simulaciones
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
11,3
11,4
11,5
11,6
11,7
11,8
11,9
12,0
12,1
12,2
Medidas
Simulaciones
Medidas
Simulaciones
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)

Figura 2-11. Resistencia e inductancia del ensayo de abierto desde el primario para el transformador
El error en la resistencia es importante a baja frecuencia (tabla 2-7), lo que indica que
probablemente la descripcin fsica del componente no se ajusta exactamente a la
realidad. En este tipo de componentes es habitual que la seccin real del conductor
sea menor que la esperada debido al proceso de deposicin del conductor. En
cualquier caso, y pese a este error, puede comprobarse que los resultados obtenidos
mediante la simulacin se ajustan bastante a las medidas (figura 2-11).

Comparacin simulacin-medidas con un transformador para aplicacin
sin contacto sin ncleo
Se ha construido un transformador con devanados planos y enfrentados,
caractersticos de las aplicaciones sin contacto en las que se centra este anlisis. Sus
datos estn reflejados en la tabla 2-8.
TABLA 2-8
DATOS DE LOS DEVANADOS DEL TRANSFORMADOR PARA APLICACIN SIN CONTACTO
Datos primario Datos secundario
Tipo de devanado Cable en espiral Cable en carrete
Nmero de vueltas 11 2
Conductor Cobre, circular, dimetro: 0,12mm PtIr, circular, dimetro: 0,5mm
Radio exterior devanado 17,5mm 15mm
Radio interior devanado 15,5mm 13mm

TABLA 2-9
COMPARACIN SIMULACIN-MEDIDAS PARA UN TRANSFORMADOR PARA APLICACIN SIN CONTACTO
Ensayo de abierto desde el primario
Frecuencia
(Hz)
Medidas
(H)
Simulacin
(H)
Error (%)
Medidas
()
Simulacin
()
Error (%)
1k 11,28 11,51 2 1,302 1,419 9
10k 11,06 11,51 4 1,308 1,419 9
100k 10,88 11,51 6 1,397 1,421 2
1M 10,70 11,51 8 1,969 1,621 -18
10M 11,67 12,59 8 8,476 5,413 -36
Ensayo de cortocircuito desde el primario
Frecuencia
(Hz)
Medidas
(H)
Simulacin
(H)
Error (%)
Medidas
()
Simulacin
()
Error (%)
1k 11,27 11,51 2 1,299 1,419 9
10k 11,09 11,48 3 1,311 1,429 9
100k 10,40 10,74 3 1,590 1,743 10
1M 10,06 10,40 3 2,149 2,114 -2
10M 10,68 11,22 5 8,371 6,484 -23

Este transformador podra emplearse para una fuente de alimentacin de un
implante, ya que el devanado secundario, que correspondera a la parte implantada,
est realizado con un cable de aleacin biocompatible (PtIr). Para las medidas
realizadas, los devanados se han mantenido separados una distancia de 5mm.
Los resultados de las medidas y las simulaciones para los ensayos de circuito abierto
y cortocircuito desde el primario se muestran en la tabla 2-9, la figura 2-12 y la figura
2-13.
El error cometido al modelar la inductancia es menor que el 8% para todas las
frecuencias consideradas. Sin embargo, al modelar la resistencia se comete un error
mayor. En la medida de circuito abierto desde el devanado primario, hasta una
frecuencia de 1MHz el error no supera el 18%, y en las de cortocircuito se mantiene
menor del 10% hasta 5MHz.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Medidas
Simulaciones
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Medidas
Simulaciones
Medidas
Simulaciones
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)

10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
Medidas
Simulaciones
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
Medidas
Simulaciones
Medidas
Simulaciones
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)

Figura 2-12. Resistencia e inductancia del ensayo de circuito abierto desde el primario
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Medidas
Simulaciones
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Medidas
Simulaciones
Medidas
Simulaciones
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)

10,0
10,2
10,4
10,6
10,8
11,0
11,2
11,4
11,6
11,8
12,0
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Medidas
Simulaciones
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
10,0
10,2
10,4
10,6
10,8
11,0
11,2
11,4
11,6
11,8
12,0
1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Medidas
Simulaciones
Medidas
Simulaciones
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)

Figura 2-13. Resistencia e inductancia del ensayo de cortocircuito desde el primario
Con este transformador tambin se ha realizado un ensayo en gran seal. En la
figura 2-14 se representan el esquema empleado y la tensin medida a la salida del
transformador. La prueba se ha realizado a una frecuencia de 5MHz y con una carga
resistiva de 4,3 que tambin ha sido modelada. El modelo tambin se ajusta muy
bien al transformador real en el ensayo de gran seal.

R=4,3
V
e
=20V
f=5MHz
Separacin entre
devanados 5mm
T
1
V
s
R=4,3
V
e
=20V
f=5MHz
Separacin entre
devanados 5mm
T
1
V
s

-0,6
-0,4
-0,2
0
0,2
0,4
0,6
T
e
n
s
i
n

(
V
)
Medidas
Simulacin
Tiempo
-0,6
-0,4
-0,2
0
0,2
0,4
0,6
T
e
n
s
i
n

(
V
)
Medidas
Simulacin
Medidas
Simulacin
Tiempo
Figura 2-14. Ensayo de gran seal para el transformador de prueba 2
Conclusiones acerca del modelo basado en anlisis por elementos
finitos
Se ha propuesto un modelo basado en [ASENSI94], que se calcula
exclusivamente a partir de ciertas simulaciones con una herramienta de
elementos finitos. Se trata de un modelo lineal, apropiado para los
transformadores tpicos de aplicaciones de transferencia de energa sin contacto,
generalmente sin ncleo de material magntico. Este modelo es vlido para un
amplio rango de frecuencias y tiene en cuenta los efectos de la geometra y de la
frecuencia (efecto pelicular y efecto proximidad).
Se ha validado el modelo propuesto comparando los resultados obtenidos
mediante simulacin y medidos en el componente magntico real. De la
comparacin entre las medidas y las simulaciones se deduce que el modelo
escogido es suficientemente preciso y los resultados deducidos a partir de l
sirven perfectamente para el estudio de los transformadores para aplicaciones
sin contacto mediante modelos obtenidos a partir de anlisis por herramientas
de elementos finitos. Aplicando los modelos obtenidos se podrn extraer reglas
para el diseo de los componentes magnticos de modo que se reduzcan las
prdidas en la fuente de alimentacin en la que est incluido el componente.
2.3 Anlisis de sensibilidad de distintos parmetros constructivos
de los transformadores sin ncleo
Como la aplicacin de mtodos analticos slo podra arrojar informacin del
componente magntico a baja frecuencia, en este trabajo de investigacin se ha
otorgado una importancia especial a la realizacin de un anlisis de sensibilidad a
multitud de parmetros constructivos que afectan su acoplamiento y sus resistencias,
y en definitiva su rendimiento. El objetivo de realizar este anlisis exhaustivo es
extraer una serie de reglas de diseo de transformadores para aplicaciones de
transferencia de energa sin contacto. La aplicacin de estas reglas permitir
minimizar las resistencias y maximizar el acoplamiento del componente
magntico por medio de su geometra.
En el estado de la tcnica existe algn anlisis de sensibilidad a distintos parmetros
de los transformadores sin ncleo y con bajo acoplamiento. Sin embargo, no son tan
completos como el que constituye una de las aportaciones originales de esta tesis ni
incluyen el efecto de la variacin de la separacin entre los devanados. Tang
[TANG00] realiz un estudio de transformadores sin ncleo utilizando elementos
finitos para la aplicacin particular de transformadores de pulsos para disparar
MOSFETs e IGBTs. En su caso primario y secundario son exactamente iguales, cada
uno de ellos realizado en una cara de una PCB y separados por el grosor de la
misma. Las limitaciones del estudio de Tang son:
8 No se estudia la posibilidad de que primario y secundario no sean iguales.
8 No se estudia el acoplamiento en funcin de la separacin de los devanados.
8 No se extraen conclusiones vlidas para cualquier otro diseo y/o aplicacin.
El anlisis de sensibilidad de esta tesis tambin se ha realizado a partir del caso
particular de un transformador transcutneo para un implante de cclea. En el
anlisis se han realizado modificaciones sobre el devanado primario manteniendo
fijo el secundario. Pero como se ver en el apartado 2.8, las conclusiones extradas de
este anlisis podrn extrapolarse a transformadores sin ncleo vlidos para cualquier
otra aplicacin siempre que se conserven las dimensiones relativas.
En este caso, el devanado secundario es el mismo del transformador descrito en la
tabla 2-8. Su dimetro exterior se ha fijado en el valor mximo posible para la
aplicacin (30mm), y se ha construido con hilo de una aleacin especial (PtIr),
devanando dos vueltas dentro de un carrete de silicona y sin incluir material
magntico, cumpliendo con todas las restricciones de biocompatibilidad. La
transferencia de potencia se encuentra en el rango de los milivatios.
Para esta aplicacin concreta, en la que el implante de cclea est posicionado dentro
de la cabeza, la separacin entre los devanados puede variar aproximadamente entre
1mm y 12mm, dependiendo del paciente
. Esto supone que la relacin entre la

separacin de los devanados y el radio externo del devanado secundario vara desde
0,03 hasta 0,40. En el peor caso, el radio externo es solo 2,5 veces que la separacin
entre los devanados.
En la figura 2-15.b se observa la gran separacin entre los devanados cuando sta
alcanza su valor mximo especificado. Observando la figura, que est a escala, puede

En el anlisis por elementos finitos, la permeabilidad magntica del material situado entre
los devanados, es decir, del tejido corporal y la piel, ha sido considerada igual a la del aire. Por
tanto, la permeabilidad magntica relativa ha sido considerada igual a la unidad.

intuirse el bajo acoplamiento de estos transformadores y la gran variacin de
acoplamiento que habr entre el caso a) y el caso b).
A) MXIMA SEPARACIN ENTRE
DEVANADOS
1mm
30mm
Primario
Secundario
1mm
30mm
Primario
Secundario

B) MXIMA SEPARACIN ENTRE
DEVANADOS
12mm
30mm
Primario
Secundario
12mm
30mm
12mm
30mm
Primario
Secundario

Figura 2-15. Representacin del transformador con la separacin mnima (1mm) y mxima (12mm)
entre los devanados
El anlisis de sensibilidad que se presenta como aportacin original de esta tesis,
pretende analizar la influencia en el coeficiente de acoplamiento y la resistencia de
los siguientes factores:
Tecnologa: devanado con cable de seccin circular sobre carrete o realizado
sobre placa de circuito impreso.
Dimensiones de las pistas: en devanados con forma de espiral, influencia del
ancho de las pistas y la separacin entre las mismas.
Dimensiones de los devanados: radio exterior y radio interior del devanado.
Nmero y conexin de las capas.
Posicin de la caja de titanio que asla los circuitos electrnicos implantados en el
cuerpo humano.
Utilizacin de ncleo de material magntico.
2.3.1 Influencia de la tecnologa
Se ha realizado una comparacin entre dos transformadores con primarios
fabricados con diferentes tecnologas. Uno de ellos tiene cable de cobre redondo
devanado en un carrete, de modo que todas las vueltas estn muy juntas y poco
extendidas. El otro est fabricado en una PCB, por lo que existe una pequea
separacin entre las pistas, y adems el devanado est extendido. Ambos
transformadores se encuentran representados en la figura 2-16.
Zierhofer, basndose en el mtodo analtico de los filamentos, ya extrajo alguna
conclusin acerca del coeficiente de acoplamiento en este tipo de anlisis
[ZIERHOFER96]. Su conclusin fue que era mejor extender las vueltas a lo largo del
dimetro del devanado en lugar de agruparlas en el exterior. Sin embargo, no hace
mencin a la resistencia y los efectos capacitivos, que s se consideran en el siguiente
estudio.
A) DEVANADO EN CARRETE B) DEVANADO PLANO EN UNA PCB
D
ext,2
=29,5mm
D
int,2
=26mm
D
int,1
=31mm
D
ext,1
=32mm
Secundario
Carrete de silicona
Separacin entre los
devanados
Primario
Carrete de plstico
D
ext,2
=29,5mm
D
int,2
=26mm
D
int,1
=31mm
D
ext,1
=32mm
Secundario
Carrete de silicona
Separacin entre los
devanados
Primario
Carrete de plstico

Carrete de silicona
D
ext,1
=35mm
Primario
PCB
D
ext,2
=29,5mm
D
int,2
=26mm
Secundario
Separacin entre los
devanados
Carrete de silicona
D
ext,1
=35mm
Primario
PCB
D
ext,2
=29,5mm
D
int,2
=26mm
Secundario
Separacin entre los
devanados

Figura 2-16. Representacin de los transformadores con diferentes diseos del primario
En el caso de la espiral se necesitan ms vueltas para conseguir la misma inductancia
doce en lugar de diez (figura 2-17). Esto es debido a que la longitud de las espiras
interiores es menor que en el caso del primario devanado en un carrete.
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
100 1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
Carrete 10 vueltas
PCB 12 vueltas
PCB 10 vueltas
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
100 1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
Carrete 10 vueltas
PCB 12 vueltas
PCB 10 vueltas
Carrete 10 vueltas
PCB 12 vueltas
PCB 10 vueltas

R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
100 1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
2
4
6
8
10
12
Carrete 10 vueltas
PCB 10 vueltas
PCB 12 vueltas
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
100 1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
100 1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
2
4
6
8
10
12
Carrete 10 vueltas
PCB 10 vueltas
PCB 12 vueltas
Carrete 10 vueltas
PCB 10 vueltas
PCB 12 vueltas

Figura 2-17. Inductancia y resistencia del devanado primario utilizando diferentes tecnologas
En cuanto a la resistencia, es ms fcil reducir la resistencia en baja frecuencia
utilizando cable, porque se puede conseguir ms seccin que en una PCB (figura
2-17). Sin embargo, los efectos de la alta frecuencia son ms notables utilizando
carrete, porque el efecto proximidad es ms importante. Adems los efectos
capacitivos son mucho ms importantes debido precisamente a esa proximidad de

las espiras entre s. La frecuencia de resonancia del devanado primario ser por tanto
ms baja empleando carrete que un devanado plano sobre placa de circuito impreso.
Como ya se esperaba segn [ZIERHOFER96], con el devanado primario en PCB
tambin se consigue un mayor acoplamiento en todo el margen de posibles
separaciones entre los devanados. Esto es lgico, considerando que el acoplamiento
no depende del nmero de vueltas, sino de radio interior y exterior del devanado,
como se comprobar en el apartado siguiente.
En la figura 2-18.a se recogen datos de acoplamiento de los transformadores
simulados, en los que se puede apreciar que, en todo el margen de separaciones
consideradas, se consigue mayor acoplamiento con el devanado extendido. En la
figura 2-18.b se confirma este hecho con medidas sobre transformadores construidos.
A) RESULTADOS SIMULACIONES
0
10
20
30
40
50
60
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Separacin entre los devanados (mm)
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Carrete 10 vueltas
PCB 10 vueltas
PCB 12 vueltas
0
10
20
30
40
50
60
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Carrete 10 vueltas
PCB 10 vueltas
PCB 12 vueltas
Carrete 10 vueltas
PCB 10 vueltas
PCB 12 vueltas

B) RESULTADOS MEDIDAS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 2 4 6 8 10 12 14
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Primario en carrete
Primario en PCB
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 2 4 6 8 10 12 14
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Primario en carrete
Primario en PCB
Primario en carrete
Primario en PCB

Devanado primario
Devanado secundario
PCB
10 vueltas
Carrete
10 vueltas
PCB
12 vueltas
Devanado primario
Devanado secundario
PCB
10 vueltas
Carrete
10 vueltas
PCB
12 vueltas

Devanado primario
Devanado secundario
Devanado primario
Devanado secundario

Figura 2-18. Datos de acoplamiento basados en simulaciones y en medidas para distintos
transformadores con carrete y PCB
De este modo, construir los devanados en PCB aporta mltiples ventajas, como
poder extender fcilmente la superficie ocupada por los devanados para maximizar
el acoplamiento y reducir los costes de fabricacin para grandes tiradas.
Resumen acerca de la tecnologa
Construyendo los devanados planos y en forma de espiral, se consigue
maximizar el acoplamiento del transformador, de modo que para el ejemplo
propuesto se aumenta el acoplamiento en quince puntos cuando primario y
secundario estn muy prximos (1mm), y en cuatro puntos cuando estn muy
separados (9mm).
Para conseguir la misma inductancia es necesario dar ms vueltas al extender el
devanado en espiral.
La resistencia de un devanado en espiral a alta frecuencia es menor, debido a que
se reduce el efecto proximidad por estar las vueltas ms separadas. Tambin se
reducen los efectos capacitivos por el mismo motivo. En el caso estudiado el
devanado en carrete proporciona una resistencia en continua ms baja (1,8
frente a 4). Sin embargo, a partir de 3MHz la resistencia es menor con el
devanado en espiral.
2.3.2 Influencia de las dimensiones de las pistas
Una vez que ha sido determinado que se optimiza el acoplamiento devanando
primario y secundario en forma de espiral, el anlisis va a estar centrado en
devanados planos realizados sobre placas de circuito impreso. Sin embargo, en el
anlisis el devanado secundario se ha manteniendo fijo, siendo el descrito en el
apartado anterior y en la tabla 2-8.
En la figura 2-19 se muestran los distintos parmetros constructivos que se van a
analizar a continuacin: ancho (w) y espaciado (s) de las pistas y radio interior (R
int
) y
exterior (R
ext
) del devanado. Todas las simulaciones han sido realizadas para
diferentes separaciones entre los devanados (1, 3, 5, 7 y 9mm) y variando el nmero
de vueltas (N) del devanado primario (de 1 a 12 vueltas) con el devanado secundario
fijo.
La tecnologa de PCB empleada impone un ancho mnimo de la pista y una
separacin mnima entre pistas. En el caso considerado, la separacin mnima entre
pistas es 150m y el ancho de las pistas 150m.
Radio
interior
Rint
Radio
exterior
Rext
Espaciado
entre
pistas s
Ancho de
la pista w
Radio
interior
Rint
Radio
exterior
Rext
Radio
interior
Rint
Radio
exterior
Rext
Espaciado
entre
pistas s
Ancho de
la pista w
Radio
interior
Rint
Radio
exterior
Rext

Figura 2-19. Parmetros constructivos que pueden variarse en un devanado realizado sobre PCB
Las simulaciones realizadas se han estructurado en tres grupos diferentes segn las
variaciones realizadas sobre el devanado primario:

1. Variando el radio interior R
int
, manteniendo la separacin (s=150m) entre
pistas, el ancho de las pistas (w=150m) y el radio exterior del devanado
(R
ext
=17,5mm). El acoplamiento de los modelos obtenidos en este caso se
muestra en la figura 2-20, y como puede observarse vara hasta veinte puntos
al variar el nmero de vueltas. Sin embargo, a medida que se aumenta la
separacin entre los devanados, el acoplamiento es ms insensible al diseo
del primario. Para la mxima separacin entre devanados (9mm), la variacin
es de cinco puntos.
Devanado primario:
variando: N, Rint
constantes: w, s
Devanado secundario:
constante
0
10
20
30
40
50
60
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1 vuelta
2 vueltas
3 vueltas
4 vueltas
5 vueltas
6 vueltas
7 vueltas
8 vueltas
9 vueltas
10 vueltas
11 vueltas
12 vueltas
1 vuelta
12 vueltas
Devanado primario:
variando: N, Rint
constantes: w, s
constante
0
10
20
30
40
50
60
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1 vuelta
2 vueltas
3 vueltas
4 vueltas
5 vueltas
6 vueltas
7 vueltas
8 vueltas
9 vueltas
10 vueltas
11 vueltas
12 vueltas
1 vuelta
2 vueltas
3 vueltas
4 vueltas
5 vueltas
6 vueltas
7 vueltas
8 vueltas
9 vueltas
10 vueltas
11 vueltas
12 vueltas
1 vuelta
12 vueltas

Figura 2-20. Acoplamiento variando el radio interior y manteniendo constantes el ancho y el espaciado
de las pistas
2. Variando la separacin entre las pistas s, con un ancho de pista constante
(w=150m) y los radios exterior (R
ext
=17,5mm) e interior (R
int
=13,4mm)
constantes. Al mantener constantes las dimensiones exterior e interior del
devanado el acoplamiento se hace mucho ms insensible al nmero de vueltas
(figura 2-21). Para la separacin mnima entre los devanados (1mm), la
variacin es de cinco puntos, y para la separacin mxima (9mm) tres puntos.
0
10
20
30
40
50
60
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2 vueltas
3 vueltas
4 vueltas
5 vueltas
6 vueltas
7 vueltas
8 vueltas
9 vueltas
10 vueltas
11 vueltas
2 vueltas
11 vueltas
Devanado primario:
variando: N, s
constante: w, Rint, Rext
constante
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
0
10
20
30
40
50
60
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2 vueltas
3 vueltas
4 vueltas
5 vueltas
6 vueltas
7 vueltas
8 vueltas
9 vueltas
10 vueltas
11 vueltas
2 vueltas
3 vueltas
4 vueltas
5 vueltas
6 vueltas
7 vueltas
8 vueltas
9 vueltas
10 vueltas
11 vueltas
2 vueltas
11 vueltas
Devanado primario:
variando: N, s
constante: w, Rint, Rext
constante
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)

Figura 2-21. Acoplamiento variando el espaciado entre pistas y manteniendo constantes el ancho de la
pista y las dimensiones interior y exterior del devanado
3. Variando el ancho de las pistas w, manteniendo constantes el espaciado
(s=150m) y los radios exterior (R
ext
=17,5mm) e interior (R
int
=13,4mm). En este
caso, el coeficiente de acoplamiento es absolutamente insensible al nmero de
vueltas ya que todas las curvas coinciden, como aparece en la figura 2-22.
Como se observa comparando los acoplamientos obtenidos en los distintos grupos
de simulaciones (figura 2-20, figura 2-21 y figura 2-22), el coeficiente de acoplamiento
aumenta a medida que el rea ocupada por los conductores se hace mayor y los
conductores estn enfrentados lo ms posible al devanado secundario.
Es muy importante remarcar que el acoplamiento no depende del nmero de vueltas
si el rea ocupada por los devanados es la misma. Esta independencia del coeficiente
de acoplamiento y el nmero de vueltas se refleja claramente en la figura 2-22.

0
10
20
30
40
50
60
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2 vueltas
11vueltas
2 vueltas
3 vueltas
4 vueltas
5 vueltas
6 vueltas
7 vueltas
8 vueltas
9 vueltas
10 vueltas
11 vueltas
Devanado primario:
variando: N, w
constante: s, Rint, Rext
constante
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
0
10
20
30
40
50
60
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2 vueltas
11vueltas
2 vueltas
3 vueltas
4 vueltas
5 vueltas
6 vueltas
7 vueltas
8 vueltas
9 vueltas
10 vueltas
11 vueltas
0
10
20
30
40
50
60
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2 vueltas
11vueltas
0
10
20
30
40
50
60
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2 vueltas
11vueltas
2 vueltas
3 vueltas
4 vueltas
5 vueltas
6 vueltas
7 vueltas
8 vueltas
9 vueltas
10 vueltas
11 vueltas
2 vueltas
3 vueltas
4 vueltas
5 vueltas
6 vueltas
7 vueltas
8 vueltas
9 vueltas
10 vueltas
11 vueltas
Devanado primario:
variando: N, w
constante: s, Rint, Rext
constante
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)

Figura 2-22. Acoplamiento variando el ancho de la pista y manteniendo constantes el espaciado entre
pistas y las dimensiones interior y exterior del devanado
Ejemplo de diseo
Se ha realizado un sencillo ejemplo comparando tres diseos de transformadores. Se
trata de comprobar qu transformador tiene mejores caractersticas para la
transferencia de energa, es decir, cul tiene mayor acoplamiento y menor resistencia
a una frecuencia de 5MHz para una inductancia de los devanados primario y
secundario dada.
Para el ejemplo se han considerado para el primario los devanados diseados
anteriormente y se ha mantenido fijo el diseo del devanado secundario, segn est
descrito en la tabla 2-8. Por sus dimensiones, las caractersticas del devanado
secundario y la frecuencia de funcionamiento el transformador diseado es
caracterstico de un implante de cclea.
En la figura 2-23 se han representado la inductancia y la resistencia en funcin del
nmero de vueltas para los tres grupos de simulaciones antes comentados a una
frecuencia de 5MHz. De cada uno de estos grupos se ha escogido un diseo del
devanado primario con una inductancia aproximada de 2,9H.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 2 4 6 8 10 12 14
Nmero de vueltas
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
Diseo 1
Variando Rint
Diseo 2
Variando s
Diseo 3
Variando w
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 2 4 6 8 10 12 14
Nmero de vueltas
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
Diseo 1
Variando Rint
Diseo 2
Variando s
Diseo 3
Variando w
0
1
2
3
4
5
0 2 4 6 8 10 12 14
Nmero de vueltas
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
Diseo 1
Variando Rint
Diseo 2
Variando s
Diseo 3
Variando w
0
1
2
3
4
5
0 2 4 6 8 10 12 14
Nmero de vueltas
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
Diseo 1
Variando Rint
Diseo 2
Variando s
Diseo 3
Variando w
Figura 2-23. Inductancia y resistencia para distintos diseos del devanado primario variando el ancho y
el espaciado de las pistas
El primer diseo tiene las vueltas concentradas en el radio exterior, el segundo tiene
las pistas ms espaciadas y el tercero tiene las pistas ms anchas. Como ya se
coment al hablar de la tecnologa, en los diseos 2 y 3 es necesario un nmero de
vueltas mayor para conseguir la misma inductancia, porque la longitud media del
devanado es menor. Para una tecnologa dada, la inductancia propia de un
devanado se puede modificar variando el nmero de vueltas. A mayor nmero de
vueltas, mayor inductancia (figura 2-23).
TABLA 2-10
DISTINTOS DISEOS DEL PRIMARIO PARA UN SECUNDARIO FIJO A 5MHZ
Separacin entre
devanados
Diseo 1:
variando Rint
Diseo 2:
variando s
Diseo 3:
variando w
Nmero de vueltas 6 7 7
Inductancia (H) 2,867 2,984 2,927
Resistencia () 2,412 2,597 1,440
Acoplamiento (%) 1mm 44 53 53

En cuanto a la resistencia, es claramente mejor el devanado con pistas anchas (diseo
3) incluso aun necesitando una vuelta ms que en el diseo 1.

La tabla 2-10 muestra el nmero de vueltas, la inductancia y la resistencia a 5MHz de
los tres diseos del devanado primario propuestos. La mejora en resistencia por
ensanchar las pistas es del 40%.
En cuanto al acoplamiento, los diseos 2 y 3 estn a la par, con un acoplamiento
mayor que el diseo 1 para todos los casos de separacin entre los devanados
considerados, como ya era previsible de las explicaciones anteriores.
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Diseo 1
Diseo 2
Diseo 3
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Diseo 1
Diseo 2
Diseo 3

Figura 2-24. Acoplamiento conseguido con tres diseos distintos del devanado primario
Por tanto, el mejor diseo es el nmero 3 por satisfacer la condicin de la
inductancia, maximizar el acoplamiento en todos los casos y minimizar la resistencia.
Resumen acerca de la influencia de las dimensiones de las pistas
Se ha comprobado que el acoplamiento no depende ni de la inductancia ni del
nmero de vueltas, sino tan solo de la geometra. Por ello es importante definir
la corona que puede ocupar el devanado, es decir, sus dimensiones mxima y
mnima.
Una vez definida el rea de la corona que puede ocupar el devanado se deben
calcular el nmero de vueltas para conseguir la inductancia especificada. Pero es
importante proporcionar a las pistas el mayor ancho posible para reducir la
resistencia.
Aplicando estos criterios de diseo, en el ejemplo considerado se conseguan
mejoras de hasta diez puntos en el coeficiente de acoplamiento y una reduccin
en la resistencia del 40% (de 2,4 a 1,4).
2.3.3 Influencia de las dimensiones del devanado
Como ya se ha comentado, la inductancia de un devanado sin ncleo depende del
nmero de vueltas y de la geometra del devanado. Con cualquier nmero de vueltas
se puede conseguir la inductancia especificada cambiando las dimensiones interior y
exterior de un devanado en forma de espiral. Pero de todos los posibles diseos del
devanado con una misma inductancia, habr uno que optimice la transferencia de
energa y minimice las prdidas (mximo acoplamiento y pequea resistencia).
En los siguientes anlisis el objetivo ser extraer conclusiones acerca de las
dimensiones ptimas de los devanados. En el apartado anterior se concluy que para
el acoplamiento es beneficioso que el devanado est construido en forma de espiral,
es decir, que est extendido y gran parte del primario est enfrentada al secundario.
Pero: el radio exterior tiene que ser lo mayor posible o existe un valor a partir del
cual no mejora el acoplamiento y s empeora la resistencia?
Para responder estas cuestiones se han realizado una serie de simulaciones variando
los radios exterior e interior del devanado. Todas ellas tienen en comn que se ha
fijado la inductancia del primario, modificando las dimensiones y el nmero de
vueltas de modo apropiado. El devanado secundario se ha mantenido constante e
igual al de apartados anteriores, es decir, el descrito en la tabla 2-8.
Las simulaciones se han agrupado en tres categoras, segn la variable modificada:
Manteniendo el radio exterior constante modificando el radio interior.
Manteniendo el radio interior constante modificando el radio exterior.
Manteniendo el radio medio constante: una vez estudiados por separado los
efectos de las dimensiones exterior e interior, se trata de cuantificar el efecto de
variar las dos dimensiones simultneamente. Para ello se ha mantenido el
primario centrado respecto al secundario y se han modificado apropiadamente el
nmero de vueltas y los radios exterior e interior para mantener la inductancia
elegida.
Efecto del radio interior del devanado (radio exterior constante)
En este grupo de simulaciones se han diseado diferentes devanados primarios,
manteniendo fijo el radio exterior en 16,3mm. Todos los diseos tienen
aproximadamente una inductancia de 6H, cada uno de ellos con un nmero de
vueltas diferente. La figura 2-25 muestra cmo efectivamente se ha mantenido
constante la inductancia para todos los diseos. La separacin entre pistas se ha
mantenido fija en 150m, variando el ancho de las pistas todo lo necesario para
ocupar la superficie de la corona correspondiente. Para mantener fijos la inductancia
y el radio exterior, cuanto ms vueltas tiene el devanado, menor es el radio interior y
ms anchas son las pistas.

0
1
2
3
4
Radio interior de la espira (mm)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
)
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Resistencia continua
Resistencia alterna
Rint secundario
0
1
2
3
4
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
)
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Resistencia alterna
Rint secundario
Resistencia alterna
Rint secundario

I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
H
)
5,85
5,90
5,95
6,00
6,05
6,10
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Aprox. 6H
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
H
)
5,85
5,90
5,95
6,00
6,05
6,10
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Aprox. 6H

Figura 2-25. Resistencia e inductancia variando el radio interior del devanado primario para distintos
diseos
La grfica de la figura 2-26 representa el acoplamiento para los distintos diseos
considerados, modificando la separacin entre el devanado primario y el secundario.
La parte inferior de la figura 2-26 muestra todos los devanados primarios que se han
diseado, cada uno de ellos representado en un color diferente, y con el eje de
simetra en el lado izquierdo del dibujo.
0
10
20
30
40
50
60
70
0 5 10 15
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o
(
%
)
Separacin 1mm
Separacin 3mm
Separacin 5mm
Separacin 7mm
Separacin 9mm
Maximo acoplamiento
Rint secundario
fijo
N=20
N=19
N=18
N=17
N=16
N=15
N=14
N=13
N=12
N=11
Devanado primario:
variando: N, w, Rint
constante: L, s, Rext
0
10
20
30
40
50
60
70
0 5 10 15
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o
(
%
)
Separacin 1mm
Separacin 3mm
Separacin 5mm
Separacin 7mm
Separacin 9mm
Maximo acoplamiento
Rint secundario
Separacin 1mm
Separacin 3mm
Separacin 5mm
Separacin 7mm
Separacin 9mm
Maximo acoplamiento
Rint secundario
fijo
N=20
N=19
N=18
N=17
N=16
N=15
N=14
N=13
N=12
N=11
Devanado primario:
variando: N, w, Rint
constante: L, s, Rext

Figura 2-26. Acoplamiento variando el radio interior del devanado primario para distintos diseos y
variando la separacin entre los devanados primario y secundario
El acoplamiento no es muy sensible a las variaciones del radio interior. Adems, es
menos sensible cuanto mayor es la separacin entre los devanados: la variacin de
acoplamiento para todos los diseos realizados, considerando una separacin de
9mm, es de 1%. Considerando el mximo acoplamiento que se consigue para todas
las separaciones, los mejores resultados se obtienen para el devanado con 14 vueltas,
que es el ms centrado respecto al secundario. Este devanado tambin es en este caso
uno de los de menor resistencia propia (figura 2-25).
Efecto del radio exterior del devanado (radio interior constante)
Para estudiar el efecto del radio exterior se ha modificado ste manteniendo
constante el radio interior en el mejor valor encontrado en el apartado anterior
(9,3mm). La inductancia de todos los devanados primarios diseados es
aproximadamente igual a 6H. cada uno de ellos con un nmero de vueltas
diferente. Al aumentar el radio exterior se ha reducido el nmero de vueltas para
mantener la misma inductancia. Como en el caso anterior, la separacin entre pistas
se ha mantenido en 150m y el ancho de las pistas se ha ido variando.
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
0 10 20 30 40 50
Resistencia alterna
Rext secundario
Radio exterior de la espira (mm)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
0 10 20 30 40 50
Resistencia alterna
Rext secundario
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)

5,4
5,5
5,6
5,7
5,8
5,9
6,0
0 10 20 30 40 50
Aprox. 6H
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
H
)
5,4
5,5
5,6
5,7
5,8
5,9
6,0
0 10 20 30 40 50
Aprox. 6H
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
H
)

Figura 2-27. Resistencia e inductancia variando el radio exterior del devanado primario para distintos
diseos
La figura 2-28 es similar a la figura 2-26, con los devanados representados en la parte
inferior del dibujo y en la parte superior una grfica del acoplamiento en funcin del
radio exterior del devanado, que es la variable en este caso. Del mismo modo se han
considerado separaciones entre devanados variables entre 1mm y 9mm.
El acoplamiento es muy insensible al cambio de diseo cuando la separacin entre
los devanados es grande. Sin embargo, para distancias pequeas el acoplamiento
vara mucho de un diseo a otro cuando los devanados estn prximos: para una
separacin entre los devanados igual a 1mm, el acoplamiento que se consigue con el
menor devanado primario es igual a 59%, mientras que con el mayor primario se
consigue 33%.

0
10
20
30
40
50
60
70
0 10 20 30 40 50
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o
(
%
)
fijo
N=13
N=12
N=11
Devanado primario:
variando: N, w, Rext
constante: L, s, Rint
Separacin 1mm
Separacin 3mm
Separacin 5mm
Separacin 7mm
Separacin 9mm
Mximo acoplamiento
Rint secundario
0
10
20
30
40
50
60
70
0 10 20 30 40 50
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o
(
%
)
fijo
N=13
N=12
N=11
Devanado primario:
Separacin 1mm
Separacin 3mm
Separacin 5mm
Separacin 7mm
Separacin 9mm
Mximo acoplamiento
Rint secundario
Separacin 1mm
Separacin 3mm
Separacin 5mm
Separacin 7mm
Separacin 9mm
Mximo acoplamiento
Rint secundario

Figura 2-28. Acoplamiento variando el radio exterior del devanado primario para distintos diseos y
variando la separacin entre los devanados primario y secundario
Por tanto, existen unas dimensiones del devanado primario para las que se produce
el mximo acoplamiento, y estas dimensiones dependen de la separacin entre los
devanados: para un secundario fijo, cuanto mayor es la separacin entre los
devanados, mayor debe ser el radio exterior del primario.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 10 20 30 40 50 60
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
)
Resistencia alterna
Rext secundario
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 10 20 30 40 50 60
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
)
Resistencia alterna
Rext secundario
Resistencia alterna
Rext secundario

I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
H
)
19,4
19,6
19,8
20,0
20,2
20,4
0 10 20 30 40 50 60
Aprox. 20H
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
H
)
19,4
19,6
19,8
20,0
20,2
20,4
0 10 20 30 40 50 60
Aprox. 20H

Figura 2-29. Resistencia e inductancia variando el radio exterior del devanado primario con 20H para
distintos diseos
fijo
0
10
20
30
40
50
60
70
0 10 20 30 40 50 60
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o
(
%
)
N=24
N=23
N=22
N=21
N=20
Devanado primario:
Separacin 1mm
Separacin 3mm
Separacin 5mm
Separacin 7mm
Separacin 9mm
Maximo acoplamiento
Rint secundario
fijo
0
10
20
30
40
50
60
70
0 10 20 30 40 50 60
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o
(
%
)
N=24
N=23
N=22
N=21
N=20
Devanado primario:
Separacin 1mm
Separacin 3mm
Separacin 5mm
Separacin 7mm
Separacin 9mm
Maximo acoplamiento
Rint secundario

Figura 2-30. Acoplamiento variando el radio exterior del devanado primario para distintos diseos con
20H y variando la separacin entre los devanados primario y secundario
En las simulaciones anteriores el salto entre un radio exterior y el siguiente era muy
grande debido a que de otro modo no se poda mantener la inductancia de 6H. Para
hacer este salto ms fino se repitieron las simulaciones variando el radio exterior con
el mismo radio interior pero para una inductancia de primario de 20H (figura 2-29),
de modo que el salto entre un radio y el siguiente al variar el nmero de vueltas
fuera mucho menor.
Como ya se vio en un apartado anterior, el valor de la inductancia no afecta al
coeficiente de acoplamiento, sino que lo hacen las dimensiones del devanado. Al ser
los cambios de radio exterior ms finos el objetivo es estudiar ms detalladamente la
variacin de este parmetro. Las conclusiones extradas son las mismas: hay un radio
ptimo para cada separacin entre los devanados, y para un secundario fijo, cuanto
mayor es la separacin entre los devanados, mayor tiene que ser el devanado
primario (figura 2-30).
Este efecto se puede ilustrar mediante los diagramas de energa obtenidos de la
simulacin mediante elementos finitos. En la figura 2-31 se han comparado dos
transformadores diferentes: al devanado secundario es el mismo en ambos casos,
pero el primario tiene distintas dimensiones. Para una separacin entre los
devanados de 1mm, cuando el radio interior del primario es R
1
, se observa que el
secundario recibe una energa aproximadamente igual a 0,2J. Sin embargo, cuando el

radio interior del devanado primario es R
1
, que es mayor que R
1
, la energa que
recibe el secundario es ligeramente menor (0,15J). Pero si los devanados estn
separados una distancia de 9mm, el devanado secundario recibe ms energa cuando
el devanado primario es mayor, es decir, su radio interior R
1
: 10mJ frente a 5mJ.

A) ENERGA CUANDO LOS DEVANADOS ESTN SEPARADOS 1mm
0,5 J
0 J
0,25 J
0,5 J
0 J
0,25 J

Primario
Secundario
R
1
Primario
Secundario
R
1

Primario
Secundario
R
1
> R
1
Primario
Secundario
R
1
> R
1

B) ENERGA CUANDO LOS DEVANADOS ESTN SEPARADOS 9mm
0,05 J
0 J
0,025 J
0,05 J
0 J
0,025 J
Primario
Secundario
R
1
Primario
Secundario
R
1

Primario
Secundario
R
1
> R
1
Primario
Secundario
R
1
> R
1

Figura 2-31. Energa cuando circula corriente por el devanado primario, para distintas configuraciones
del transformador y distintas separaciones entre los devanados (1mm y 9mm)
Efecto de la variacin del radio interior y del exterior
Una vez estudiados los efectos de variar el radio exterior y el radio interior por
separado, se va a proceder a modificarlos simultneamente. Para ello se va a
mantener constante el radio medio del devanado primario, R
m
en la figura 2-32, e
igual al radio medio del devanado secundario. As el primario se mantiene centrado
respecto al secundario.
Se han probado distintos diseos del devanado primario manteniendo constante la
inductancia (6H en la figura 2-33) y la separacin entre las espiras (150m),
variando apropiadamente el ancho de la pista y el nmero de vueltas.
La figura 2-32 representa el acoplamiento en funcin de los radios exterior e interior
del devanado para distintas separaciones entre primario y secundario (1, 3, 5, 7 y
9mm). Debajo de la grfica hay un dibujo de los distintos diseos del primario
estudiados, de modo que se observa fcilmente las diferencias entre unos y otros.
0
10
20
30
40
50
60
70
0 5 10 15 20 25 30
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
fijo
R
m
N=17
N=16
N=15
N=14
N=13
N=12
N=11
Devanado primario:
variando: N, w, Rint, Rext
constante: L, s, Rm
Separacin 1mm
Separacin 3mm
Separacin 5mm
Separacin 7mm
Separacin 9mm
Mximo acoplamiento
Rint. secundario
Rext. secundario
0
10
20
30
40
50
60
70
0 5 10 15 20 25 30
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
fijo
R
m
N=17
N=16
N=15
N=14
N=13
N=12
N=11
Devanado primario:
variando: N, w, Rint, Rext
constante: L, s, Rm
Separacin 1mm
Separacin 3mm
Separacin 5mm
Separacin 7mm
Separacin 9mm
Mximo acoplamiento
Rint. secundario
Rext. secundario
Separacin 1mm
Separacin 3mm
Separacin 5mm
Separacin 7mm
Separacin 9mm
Mximo acoplamiento
Rint. secundario
Rext. secundario

Figura 2-32. Acoplamiento variando el radio exterior del devanado primario para distintos diseos con
6H y variando la separacin entre los devanados
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
)
Resistencia alterna
Rint secundario
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
)
Resistencia alterna
Rint secundario
Resistencia alterna
Rint secundario

I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
H
)
5,75
5,80
5,85
5,90
5,95
6,00
6,05
0 2 4 6 8 10 12 14
Aprox. 6H
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

p
r
i
m
a
r
i
o

(
H
)
5,75
5,80
5,85
5,90
5,95
6,00
6,05
0 2 4 6 8 10 12 14
Aprox. 6H

Figura 2-33. Resistencia e inductancia variando el radio exterior del devanado primario con 6H para
distintos diseos
Cuando la separacin entre los devanados es mayor, para maximizar el
acoplamiento se necesita un mayor tamao del devanado primario. De hecho, para
cada separacin existen unas dimensiones ptimas del devanado primario. Por tanto,

si la aplicacin requiere una separacin variable entre los devanados (considerando
un devanado secundario fijo), las dimensiones del devanado primario deben
decidirse como un compromiso para beneficiar el acoplamiento para pequeas o
grandes separaciones.
La decisin debe tomarse considerando tambin la resistencia de los devanados, que
est representada en la figura 2-33. En este caso, la menor resistencia se consigue con
el devanado de once vueltas, que es el que presenta mayor acoplamiento cuando los
devanados estn separados 1mm.
Ejemplo de diseo
Una vez realizados los estudios anteriores ya se han obtenido unas sencillas
conclusiones acerca de cmo afectan las dimensiones del devanado.
Para determinar qu devanado de los anteriores consigue maximizar el acoplamiento
y minimizar la resistencia, se han extrado los mejores resultados de los tres
apartados anteriores para tres separaciones entre los devanados primario y
secundario: el valor intermedio 5mm y los valores extremos 1 y 9mm. Por ejemplo,
en la figura 2-34 se han representados los tres diseos que consiguen el mximo
acoplamiento cuando la separacin es de 1mm. Todos los resultados extrados estn
agrupados en la tabla 2-11.
Variando el radio interior
Variando los radios interior y exterior
fijo
Variando el radio exterior
E
j
e

s
i
m
e
t
r
a
Variando el radio interior
Variando los radios interior y exterior
fijo
Variando el radio exterior
E
j
e

s
i
m
e
t
r
a

Figura 2-34. Representacin de los tres diseos ya estudiados que consiguen el mximo acoplamiento
En los tres casos considerados, el diseo que consigue el mximo acoplamiento es el
que mantiene el primario centrado respecto al secundario, es decir, las simulaciones
comentadas en el apartado al analizar el efecto conjunto del radio interior y el
exterior. Estos resultados estn marcados en negrita en la tabla 2-11 y representados
grficamente en la figura 2-35. Por tanto, cuando la aplicacin requiere una
separacin variable entre los devanados, como en un implante de cclea, hay que
llegar a un compromiso entre optimizar el acoplamiento para las pequeas
separaciones o para las grandes. Para ello es importante no olvidar el parmetro de
la resistencia, y hay que valorar si el beneficio que se va a conseguir en el
acoplamiento es a costa de una resistencia muy alta.
TABLA 2-11
RESUMEN DE LAS SIMULACIONES QUE CONSIGUEN EL MXIMO ACOPLAMIENTO
Separacin entre devanados: 1mm
Simulacin
Radio interior
(mm)
Radio exterior
(mm)
Ancho pista
(m)
Acoplamiento
(%)
Resistencia
primario ()
Efecto radio interior 10,75 16,3 325 59 2,4
Efecto radio exterior 9,3 16,3 400 58 2,3
Efecto ambos radios 9,5375 17,5125 475 59 2,2
Simulacin
Radio interior
(mm)
Radio exterior
(mm)
Ancho pista
(m)
Acoplamiento
(%)
Resistencia
primario ()
Simulacin
Radio interior
(mm)
Radio exterior
(mm)
Ancho pista
(m)
Acoplamiento
(%)
Resistencia
primario ()

R
m
fijo
Primario para separacin 9mm
E
j
e

s
i
m
e
t
r
a
R
m
fijo
R
m
fijo
E
j
e

s
i
m
e
t
r
a

Figura 2-35. Representacin de los diseos que consiguen un mximo acoplamiento para distintas
separaciones entre el primario y el secundario
En la figura 2-36 se ha representado el acoplamiento en funcin de la separacin
entre los devanados para los tres diseos seleccionados previamente (en negrita en la
tabla 2-11). Como puede observares, el acoplamiento no vara prcticamente nada
cuando los devanados estn bastante separados.
Sin embargo, al observar estos resultados (tabla 2-12), se puede deducir que con las
dimensiones se puede controlar la variacin del acoplamiento en funcin de la
separacin de los devanados:
Cuando la topologa en la que est integrado el componente magntico es capaz
de absorber las variaciones del coeficiente de acoplamiento, el diseo ms
interesante es el que optimiza el acoplamiento para las pequeas separaciones.
La razn es que las diferencias en el acoplamiento para estas separaciones son

muy grandes dependiendo del diseo, mientras que para grandes separaciones
prcticamente no hay diferencias en acoplamiento.
Cuando la topologa en la que est integrado el componente magntico no puede
absorber las variaciones de acoplamiento, lo ms lgico sera escoger el diseo
que optimiza el acoplamiento para la mayor separacin. De este modo el
acoplamiento sera mucho ms insensible a variaciones de la separacin. Como
puede observarse en la figura 2-36, el diseo que maximiza el acoplamiento para
9mm corresponde a la curva ms plana.
Sin embargo, hay que comentar que este diseo de 9mm puede resultar
excesivamente voluminoso, ya que exige un radio exterior muy grande. Adems,
la resistencia es mucho ms alta que en los otros diseos, 3,3 frente a 2,5
(tabla 2-12). Por tanto, podra ser mucho ms adecuado seleccionar un diseo
ms conservador, que optimice el acoplamiento para una separacin intermedia
como 5mm, de modo que la curva del acoplamiento siga siendo bastante plana,
las separaciones grandes sigan estando favorecidas, el tamao del devanado no
sea excesivo y la resistencia del devanado no sea demasiado alta.
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Mejor primario para separacin 1mm
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)

Figura 2-36. Acoplamiento en funcin de la
separacin entre los devanados
TABLA 2-12
ACOPLAMIENTO (%) PARA LOS DISEOS
SELECCIONADOS
Separacin
devanados
(mm)
Diseo
para 1mm
Diseo
para 5mm
Diseo
para 9mm
1 59 56,2 51,4
3 43,7 43,7 41,3
5 33,1 34 33,5
7 25,6 27,2 27,2
9 20,1 21,8 22

Resumen acerca de las dimensiones de los devanados
Las dimensiones ptimas de los devanados dependen de la distancia que van a
estar separados. No porque uno de los devanados sea muy grande va mejorar el
acoplamiento con el otro si es mucho menor.
Sin embargo, si las dimensiones de uno de los devanados no se pueden cambiar
debido a las especificaciones (el secundario en el ejemplo considerado), para
mejorar el acoplamiento el otro devanado debe hacerse ms grande cuanto
mayor sea la distancia de separacin. Esto se pudo comprobar a la vista del
diagrama de energas obtenido con la herramienta de elementos finitos. Cuando
la distancia entre los devanados es variable hay que llegar a un compromiso en
las dimensiones del devanado, puesto que si se hace pequeo favorecer mucho
el acoplamiento en las distancias pequeas, y si se hace mayor penalizar las
distancias pequeas pero favorecer las grandes.
2.3.4 Influencia del nmero de capas
Hasta ahora se ha considerado el diseo en espiral en una nica capa. Pero hay
circunstancias en las que podra resultar interesante o incluso imprescindible
aumentar el nmero de capas, para conseguir mayor inductancia o para reducir la
resistencia del devanado. A continuacin se estudia la posibilidad de emplear ms
de una capa en el devanado primario manteniendo fijo el diseo del secundario
(descrito en la tabla 2-8).
Efecto de las capas en serie
Puede haber dos razones primordiales por las que interese aadir capas en serie:
En ciertas aplicaciones los radios interior y exterior del devanado pueden estar
acotados. En esas circunstancias, y debido a las limitaciones que impone la
tecnologa sobre el ancho de las pistas y la separacin entre las mismas, puede
que no sea posible dar el nmero de vueltas necesario para obtener la
inductancia especificada. No quedara otro remedio que utilizar ms capas
ponindolas en serie.
Incluso aunque se pudieran dar suficientes vueltas para conseguir la inductancia
deseada en la corona delimitada para ello, cabra otra posibilidad: conseguir la
inductancia con dos devanados en serie de menos vueltas y ms anchas, para
tratar de favorecer la resistencia.
Para comprobar el efecto de las capas en serie sobre la inductancia y sobre la
resistencia se han realizado las simulaciones de los transformadores representados
en la figura 2-37 y descritos a continuacin:
1. El devanado primario est construido en una sola capa con 28 vueltas para
obtener la inductancia especificada, que est en torno a 22H. Este
transformador va a servir de referencia para mostrar las ventajas e
inconvenientes de poner capas en serie.
2. El devanado primario est realizado con 2 capas en serie de 15 vueltas cada
una. El ancho de estas pistas es mayor que en el transformador anterior. Las
dos capas estn separadas por una PCB de grosor 200m.
3. Este transformador es igual que el anterior, con la nica diferencia de que la
separacin entre las capas del devanado primario, que es de 600m en lugar

de 200m. Se ha aumentado la separacin para estudiar si hay algn beneficio
en la resistencia por reducirse el efecto proximidad entre capas contiguas o si
se reducen los efectos capacitivos.
1) 28 VUELTAS EN UNA
CAPA

2) 2 CAPAS EN SERIE DE 15
VUELTAS SEPARADAS 200m
PCB 200m PCB 200m

3) 2 CAPAS EN SERIE DE 15
VUELTAS SEPARADAS 600m
PCB 600m PCB 600m

Figura 2-37. Transformadores simulados para comprobar el efecto de las capas en serie en el primario
Los resultados obtenidos del modelado de estos transformadores se muestran en la
figura 2-38 y la figura 2-39. La inductancia en baja frecuencia en los tres casos es
cercana al valor de 22H, que era el objetivo perseguido (figura 2-38.a). Sin embargo
a alta frecuencia se hacen notables los efectos capacitivos (figura 2-38.b). Estos efectos
son importantes en los devanados construidos con dos capas, mientras que en el caso
del de una capa la resonancia todava no puede observarse a 10MHz.
A) INDUCTANCIA ENTRE 100HZ Y 1MHZ
21,0
21,5
22,0
22,5
23,0
23,5
24,0
24,5
25,0
25,5
100 1k 10k 100k 1M
Frecuencia (Hz)
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
24,0H
23,4H
21,5H
1 capa, 28v.
2 capas serie de 15v., 200m
21,0
21,5
22,0
22,5
23,0
23,5
24,0
24,5
25,0
25,5
100 1k 10k 100k 1M
Frecuencia (Hz)
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
24,0H
23,4H
21,5H
1 capa, 28v.
1 capa, 28v.

B) INDUCTANCIA ENTRE 1MHZ Y 10MHZ
1M 10M
Frecuencia (Hz)
-800
-600
-400
-200
200
400
600
800
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
0
1 capa, 28v.
1M 10M
Frecuencia (Hz)
-800
-600
-400
-200
200
400
600
800
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
0
1 capa, 28v.
1 capa, 28v.

Figura 2-38. Inductancia a distintos intervalos de frecuencia para diseos con distinto nmero de capas
en serie en el primario
En cuanto a la resistencia, al construir las pistas ms anchas se ha reducido
considerablemente la resistencia de continua del devanado primario, desde 3,24 al
emplear una capa hasta 1,59 al emplear dos capas. Este efecto puede observarse en
la figura 2-39.a, donde se ha representado la parte real del ensayo de circuito abierto
desde primario.
Sin embargo, al aadir capas aumentan los efectos capacitivos y la frecuencia de
resonancia del devanado primario es mucho ms baja, como puede observarse en el
tramo entre 1MHz y 10MHz de la figura 2-39.b. Cuanto ms prximas estn las
capas, mayores son las capacidades y ms baja la frecuencia de resonancia.
A) RESISTENCIA ENTRE 100HZ Y 1MHZ
0
1
2
3
4
5
6
100 1k 10k 100k 1M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
3,24
1,59
1 capa, 28v.
0
1
2
3
4
5
6
100 1k 10k 100k 1M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
3,24
1,59
1 capa, 28v.
1 capa, 28v.

B) RESISTENCIA ENTRE 1MHZ Y 10MHZ
1M 10M
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
1 capa, 28v.
1M 10M
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
1 capa, 28v.
1 capa, 28v.

Figura 2-39. Resistencia a distintos intervalos de frecuencia para diseos con distinto nmero de capas
en serie en el primario
La aparicin en escena de los efectos capacitivos hace que cobre importancia el modo
en que estn conectadas las dos capas del devanado. Se han simulado los dos
transformadores anteriores con devanado primario multicapa, cambiando las
conexiones del primario. La conexin original se ha denominado configuracin 1 y
la nueva conexin configuracin 2. Ambas estn representadas grficamente en la
tabla 2-13.
TABLA 2-13
CONFIGURACIONES POSIBLES PARA UN DEVANADO CON DOS CAPAS CONECTADAS EN SERIE
Configuracin 1 Configuracin 2
A B
C D
0
V/2
V/2 V
A B
C D
0
V/2
V/2 V V/2 V

VAC = V/2
VBD = V/2
A B
C D
V
V/2
V/2
0
A B
C D
V
V/2
V
V/2
V/2
0

VAC = V
VBD = 0

A la vista de la figura 2-40, los efectos capacitivos son ms importantes empleando la
configuracin 2, de modo que la frecuencia de resonancia del devanado es ms baja,
lo que le hace menos vlido para trabajar a alta frecuencia. Obviamente, la frecuencia
de resonancia tambin es menor cuanto ms prximas estn las capas. As la

frecuencia de resonancia es 3,38MHz cuando la separacin entre las capas en serie es
de 200m, y 5,37MHz cuando la separacin es 600m.
DEVANADO 22H, 15 VUELTAS POR CAPA, DOS
CAPAS EN SERIE SEPARADAS 200m
DEVANADO 22H, 15 VUELTAS POR CAPA,
DOS CAPAS EN SERIE SEPARADAS 600m
Configuracin 1
Configuracin 2
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
3,38MHz 3,89MHz
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
Frecuencia (Hz)
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
1M 10M
5,37MHz
6,16MHz
Configuracin 1
Configuracin 2
Configuracin 1
Configuracin 2
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
3,38MHz 3,89MHz
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
3,38MHz 3,89MHz
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
Frecuencia (Hz)
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
1M 10M
5,37MHz
6,16MHz
Frecuencia (Hz)
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
1M 10M
5,37MHz
6,16MHz
Figura 2-40. Configuraciones posibles para un devanado con dos capas conectadas en serie
Resumen sobre la conexin de capas en serie
Cuando no se puede conseguir la inductancia especificada en las dimensiones
determinadas para el devanado porque no se pueden conseguir las vueltas
necesarias, hay que recurrir a emplear capas conectadas en serie.
Al emplear capas conectadas en serie aumentan los efectos capacitivos del
devanado, y la frecuencia de resonancia es mucho menor que cuando se
consigue la misma inductancia en una sola capa. Para el ejemplo analizado, la
frecuencia de resonancia para el devanado de 21H en una sola capa era mayor
que 10MHz. Sin embargo, al emplear dos capas la frecuencia de resonancia era
3,7MHz. Para las aplicaciones consideradas en esta tesis la frecuencia de
funcionamiento del transformador suele estar por encima de los megahercios,
por lo que esa configuracin multicapa no sera posible.
Efecto de las capas en paralelo
La conexin de capas en paralelo tiene como objetivo la reduccin de la resistencia
propia del devanado (descrito en la tabla 2-8). Como en el caso anterior, se han
simulado tres transformadores, representados grficamente en la figura 2-41, en los
que el primario es diferente y el secundario permanece constante. El primero de
estos transformadores es igual al transformador 1 del caso anterior, con 28 vueltas en
una sola capa; el segundo y el tercero tienen dos capas exactamente iguales a la del
primero, pero conectadas en paralelo y separadas por una placa de circuito impreso
de 200m y 600m, respectivamente.
1) 28 VUELTAS EN UNA
CAPA

2) 28 VUELTAS, 2 CAPAS EN
PARALELO SEPARADAS 200m
PCB 200m PCB 200m

3) 28 VUELTAS, 2 CAPAS EN
PARALELO SEPARADAS 600m
PCB 600m PCB 600m

Figura 2-41. Transformadores simulados para comprobar el efecto de las capas en paralelo en el primario
La inductancia conseguida es aproximadamente la misma en los tres casos, y muy
prxima al objetivo de 22H (figura 2-42.a). Se observa que al poner capas en
paralelo la inductancia disminuye ligeramente, por lo que se necesitara alguna
vuelta ms para mantenerla.
A) INDUCTANCIA ENTRE 100HZ Y 10MHZ B) RESISTENCIA ENTRE 100HZ Y 10MHZ
20,0
20,5
21,0
21,5
22,0
22,5
23,0
23,5
100 1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
21,5H
20,6H
20,4H
1 capa de 28v.
2 capas paralelo de 28v., 200m
20,0
20,5
21,0
21,5
22,0
22,5
23,0
23,5
100 1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
21,5H
20,6H
20,4H
1 capa de 28v.
1 capa de 28v.

0
2
4
6
8
10
12
14
100 1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
3,12
1,74
1 capa de 28v.
0
2
4
6
8
10
12
14
100 1k 10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
3,12
1,74
1 capa de 28v.
1 capa de 28v.

Figura 2-42. Inductancia y resistencia para diseos con distinto nmero de capas en paralelo en el
primario
En cuanto a la resistencia (figura 2-42.b), a baja frecuencia es claramente beneficioso
poner capas en paralelo para reducir la resistencia propia del devanado y disminuir
las prdidas. Sin embargo, este hecho slo es vlido a baja frecuencia, ya que a alta
frecuencia empiezan a aparecer otros efectos. Aunque en este caso los efectos
capacitivos no son tan importantes como al tener los devanados en serie, la
capacidad propia del devanado siempre es mayor en el caso de utilizar ms de una
capa. Los valores de la capacidad propia del devanado primario obtenidos del
modelo son 0,85pF para el devanado de una sola capa, 1,02pF cuando son dos capas
en paralelo separadas 200m y 1,21pF cuando las capas estn separadas 600m.
Resumen sobre la conexin de capas en paralelo
Apilar capas conectadas en paralelo es til para reducir la resistencia en baja
frecuencia. Sin embargo, al igual que suceda al emplear capas conectadas en

serie, los efectos capacitivos son ms importantes y la frecuencia de resonancia es
menor, por lo que no pueden ser empleados en aplicaciones que trabajen a muy
alta frecuencia.
Consideraciones en cuanto al acoplamiento
Para concluir con el estudio del nmero de capas, se ha calculado el acoplamiento de
todos los transformadores anteriores. Como era de esperar, y debido a que se
conservan los radios interior y exterior, el acoplamiento es el mismo en todos los
casos (figura 2-43).
0
10
20
30
40
50
60
70
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
28v., 1 capa
15v., 2 capas serie, 200m
28v., 2 capas paralelo, 200m
0
10
20
30
40
50
60
70
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
28v., 1 capa

Figura 2-43. Acoplamiento variando para diseos con los mismos radios interior y exterior de los
devanados, pero distinto nmero de capas en primario
2.4 Influencia de la posicin de la caja de titanio para implantes en
el cuerpo humano
En algunas aplicaciones biomdicas, como los implantes en el cuerpo humano, el
secundario de la fuente de alimentacin y otros circuitos electrnicos tienen que estar
encerrados en contenedores especiales biocompatibles que los aslen del medio, por
ser ste el cuerpo humano. La biocompatibilidad del contenedor minimiza el riesgo
de rechazo del implante por parte del paciente y reduce la posibilidad de contraer
infecciones. Existen muchos materiales biocompatibles, cada uno de ellos con unas
caractersticas diferentes. Adems, los contenedores pueden tener distintas formas y
posiciones respecto al devanado implantado (devanado secundario). Cada
configuracin tiene sus ventajas y sus inconvenientes:
Contenedor de titanio: en principio es el ms seguro, puesto que no puede
romperse por impacto, de forma que su contenido no puede dispersarse. Otra
ventaja es que el titanio es un material de probada biocompatibilidad utilizado
desde hace muchos aos en aplicaciones biomdicas. La mayor desventaja es
que, al ser un material metlico situado prximo al devanado secundario, el
campo magntico se distorsiona y adems se inducen corrientes en la caja
metlica, lo que ocasiona variaciones de acoplamiento, prdidas adicionales y
reduccin del rendimiento de la fuente de alimentacin.
Contenedor cermico: puesto que los materiales cermicos son no conductores y
su permeabilidad magntica es comparable a la del aire, no hay problemas de
influencia en el campo magntico, corrientes inducidas o prdidas adicionales.
Su mayor desventaja es su fragilidad, ya que pueden romperse por impacto.
Adems, cada nuevo material cermico tiene que someterse a estrictos controles
de biocompatibilidad antes de ser usado en aplicaciones biomdicas, lo que
retrasa mucho su incorporacin al mercado.
La figura 2-44 muestra dos ejemplos de implantes de cclea comerciales, uno de ellos
con la electrnica en un contenedor de titanio situado al lado del devanado
secundario y el otro con la electrnica y el devanado encerrados dentro de una caja
de material cermico. A la hora de vender sus implantes, las empresas especifican
claramente el material del contenedor, y muchas de ellas utilizan como estrategia
comercial destacar las ventajas de sus propios sistemas, como la robustez de la caja
de titanio y la pasividad frente a campos magnticos o elctricos de la caja cermica.
Mediante el modelado del componente magntico va a tratar de estudiarse la
influencia de la caja de titanio en el comportamiento del transformador, y muy
especialmente su influencia en el acoplamiento y las prdidas, que repercutir en el
rendimiento de la fuente de alimentacin.
A) IMPLANTE DE CCLEA CON CAJA DE
TITANIO EN EL LATERAL DEL DEVANADO
SECUNDARIO : COCHLEAR

B) IMPLANTE DE CCLEA CON EL
DEVANADO SECUNDARIO DENTRO DE UNA
CAJA CERMICA: CLARION

Figura 2-44. Ejemplos de implantes de cclea comerciales con caja de titanio y con caja cermica
El titanio es un material biocompatible con las siguientes caractersticas magnticas y
elctricas:
Permitividad relativa
r
=1

Permeabilidad relativa
r
1
Conductividad = 2,1 10
6
S/m
Por tanto, debido a su permeabilidad relativa cercana a la unidad, se comporta
prcticamente como si fuese aire desde el punto de vista magntico. Pero debido a la
conductividad del material, en presencia de un campo magntico se inducen
corrientes que se oponen al campo existente, de modo que se produce una
redistribucin de las lneas de flujo creadas por el devanado y una redistribucin de
las corrientes en la seccin del conductor. En la figura 2-45 se muestra el grfico de la
densidad de corriente en una caja de titanio situada debajo de un devanado. Casi
todas las corrientes inducidas, cuyo valor neto es cero, estn distribuidas en el
exterior de la caja, y la mayor concentracin se produce en la esquina ms cercana al
devanado.
Devanado
Caja de titanio
5,5 10
5
0
2,75 10
5
J (A/m
2
)
E
j
e

d
e

s
i
m
e
t
r
a
Devanado
Caja de titanio
5,5 10
5
0
2,75 10
5
J (A/m
2
)
5,5 10
5
0
2,75 10
5
J (A/m
2
)
5,5 10
5
0
2,75 10
5
J (A/m
2
)
E
j
e

d
e

s
i
m
e
t
r
a

Figura 2-45. Densidad de corriente en la caja de titanio
A) SIN TITANIO
Devanado Devanado

B) CON CAJA DE TITANIO DEBAJO DEL DEVANADO
Devanado
Caja de titanio
Devanado
Caja de titanio

Figura 2-46. Lneas de flujo con y sin titanio
La modificacin de las lneas de flujo origina una disminucin de la inductancia y un
aumento de las prdidas en presencia del titanio. Las lneas de flujo con y sin caja de
titanio pueden compararse en la figura 2-46, y puede observarse la deformacin de
las mismas debida a la presencia del contenedor metlico.
En la figura 2-47 se han representado las tres configuraciones que van a estudiarse:
sin caja de titanio, con la caja de titanio debajo del devanado y con la caja de titanio
situada en el lateral del devanado. Esta ltima situacin sera equivalente a la del
implante de cclea fabricado por la empresa Cochlear que se mostr en la figura
2-44.a.
A) DEVANADO SIN CAJA DE
TITANIO
B) DEVANADO CON CAJA
DE TITANIO DEBAJO
C) DEVANADO CON CAJA DE
TITANIO EN EL LATERAL
Devanado cobre
1 vuelta
Devanado cobre
1 vuelta

Devanado cobre
1 vuelta
Caja de titanio
Devanado cobre
1 vuelta
Caja de titanio

Devanado cobre
1 vuelta
Caja de titanio
Devanado cobre
1 vuelta
Caja de titanio

Figura 2-47. Configuraciones sin y con caja de titanio
Para valorar el efecto del titanio en la resistencia y la inductancia del devanado se
han simulado las anteriores configuraciones utilizando la herramienta de elementos
finitos. La configuracin mostrada en la figura 2-47.c, con la caja de titanio en el
lateral del devanado secundario, claramente no es axisimtrica, de modo que no
puede resolverse mediante aproximaciones bidimensionales. Por ello ha sido
necesario recurrir a una herramienta para el anlisis por elementos finitos de campos
tridimensionales. Con este tipo de herramientas es ms difcil obtener resultados
precisos debido a la complicacin del mallado tridimensional. Para simplificar el
mallado se ha considerado tan solo el devanado secundario, y con una estructura
muy simple: una nica espira de cobre y una caja de titanio maciza cilndrica
colocada en diversas posiciones respecto al devanado.
Para comprobar la validez de los resultados obtenidos con la herramienta de
elementos finitos tridimensional, se han simulado tambin con la herramienta
bidimensional los casos a) y b), que tienen simetra axial. La comparacin entre los
resultados obtenidos con ambas herramientas se observa en la tabla 2-14. Los
resultados son muy similares en ambos casos, lo que lleva a la conclusin de que la
herramienta para campos tridimensionales tambin proporciona unos resultados
suficientemente precisos.

TABLA 2-14
COMPARACIN ENTRE LOS RESULTADOS OBTENIDOS CON UNA HERRAMIENTA DE ELEMENTOS FINITOS
BIDIMENSIONAL (2D) Y UNA TRIDIMENSIONAL (3D) A 100KHZ: SIMULACIONES DEL DEVANADO
SECUNDARIO CON Y SIN CAJA DE TITANIO
Problemas
axisimtricos:
Sin caja de titanio Con caja de titanio debajo
2D 3D Error 2D 3D Error
Inductancia (nH) 66,4 67,0 +0,9% 56,4 59,0 +4,5
Resistencia () 10,816 10,764 -0,5 12,152 11,71 -3,7

Los resultados al simular los tres casos descritos (devanado secundario sin titanio y
con caja de titanio en dos posiciones) obtenidos con la herramienta de elementos
para campos tridimensionales, se han representado grficamente en la figura 2-48.
Como ya se esperaba, y debido a los razonamientos anteriores, la inductancia
disminuye y la resistencia aumenta con la presencia del titanio. A la vista de los
resultados, claramente hay que evitar la presencia de la caja de titanio debajo del
devanado, porque penaliza mucho el resultado: la inductancia se reduce en un 12% y
la resistencia aumenta un 8,8%. Sin embargo, incluir la caja de titanio en el lateral del
devanado no afecta demasiado, ya que las variaciones son, tanto para la inductancia
como para la resistencia, menores del 0,4%.
67,0
59,0
66,7
50
55
60
65
70
Sin caja de
titanio
Caja de titanio
debajo
Caja de titanio
en el lateral
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
n
H
)
-0,4%
-12,0%
67,0
59,0
66,7
50
55
60
65
70
Sin caja de
titanio
Caja de titanio
debajo
Caja de titanio
en el lateral
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
n
H
)
-0,4%
-12,0%

10,76
11,71
10,78
10,2
10,4
10,6
10,8
11,0
11,2
11,4
11,6
11,8
Sin caja de
titanio
Caja de titanio
debajo
Caja de titanio
en el lateral
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
m
)
+8,8%
+0,2%
10,76
11,71
10,78
10,2
10,4
10,6
10,8
11,0
11,2
11,4
11,6
11,8
Sin caja de
titanio
Caja de titanio
debajo
Caja de titanio
en el lateral
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
m
)
+8,8%
+0,2%

Figura 2-48. Inductancia y resistencia del devanado secundario sin y con caja de titanio
Al deformarse las lneas de flujo magntico por situar la caja de titanio debajo del
devanado, su inclusin tambin afecta al acoplamiento. Para observar la penalizacin
en el coeficiente de acoplamiento, se han obtenido los modelos de un transformador
axisimtrico sin caja de titanio y con caja de titanio debajo del devanado secundario,
variando la separacin entre los devanados (configuraciones anlogas a la a) y la b)
de la figura 2-47). Por ser axisimtrico, las simulaciones del transformador completo
se han realizado con la herramienta de elementos finitos para campos
bidimensionales.
En la figura 2-49 se comprueba que el acoplamiento se ve severamente penalizado
por la caja de titanio, llegando a haber una diferencia de diez puntos cuando los
devanados estn muy prximos (1mm), y reducindose ligeramente esta diferencia a
medida que aumenta la separacin, hasta llegar a una diferencia de cinco puntos
para una distancia de separacin entre los devanados igual a 9mm.
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Sin caja de titanio
Con caja de titanio
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Sin caja de titanio
Con caja de titanio
Sin caja de titanio
Con caja de titanio

Figura 2-49. Acoplamiento del transformador sin caja de titanio y con caja de titanio situada debajo del
devanado secundario
La inductancia y la resistencia obtenidas del ensayo de circuito abierto desde el
devanado primario se muestran en la figura 2-50. La resistencia medida desde el
primario cuando hay caja de titanio se parece ms a la medida sin titanio a medida
que aumenta la separacin entre los devanados y por tanto el primario est ms lejos
de la caja. Hay que recordar que la resistencia medida en este ensayo de abierto
cuantifica las prdidas en todo el componente (devanado primario, devanado
secundario y caja de titanio) cuando circula corriente por el devanado primario.
Cuando la separacin entre los devanados es pequea el devanado primario est
ms prximo a la caja de titanio. En este caso, la circulacin de corriente por el
devanado primario provoca ms corrientes inducidas en la caja de titanio que
cuando la separacin es mayor. Por ello, cuando se considera la caja de titanio, la
resistencia medida en el ensayo de circuito abierto es 865 para una separacin entre
los devanados de 1mm y 818 cuando la separacin es 9mm, frente a 816 cuando
no se considera el titanio.
0
1
2
3
4
5
6
7
0 2 4 6 8 10
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
Sin caja de titanio
Con caja de titanio
0
1
2
3
4
5
6
7
0 2 4 6 8 10
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
H
)
Sin caja de titanio
Con caja de titanio
Sin caja de titanio
Con caja de titanio

810
820
830
840
850
860
870
0 2 4 6 8 10
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
m
)
Sin caja de titanio
Con caja de titanio
810
820
830
840
850
860
870
0 2 4 6 8 10
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
m
)
Sin caja de titanio
Con caja de titanio
Sin caja de titanio
Con caja de titanio

Figura 2-50. Inductancia y resistencia del ensayo de circuito abierto desde el devanado primario para
dos casos: sin caja de titanio y con caja de titanio situada debajo del devanado secundario

En cuanto a los campos magnticos, la deformacin de las lneas de campo
producida por la caja de titanio es la causa de que la inductancia medida desde el
devanado primario sea siempre menor con caja de titanio que sin ella (4H frente a
6,1H). La separacin entre los devanados tiene un pequeo efecto sobre la
inductancia, de modo que cuando la distancia es 1mm la inductancia es 4H y
cuando la separacin es 9mm, la inductancia es 4,3H.
En la figura 2-51 se recogen las medidas correspondientes al ensayo de circuito
abierto desde el devanado secundario. Como la distancia entre la caja de titanio y el
devanado secundario permanece constante, la resistencia obtenida en el ensayo de
circuito abierto no es muy sensible al variar la separacin entre los devanados (92,4
para 1mm, 93,1 para 9mm). Pero por supuesto la resistencia es mayor con presencia
de caja de titanio (92,4) que sin ella (90,5). La inductancia es menor cuando se
incluye la caja de titanio (209nH) que en su ausencia (249nH).
205
210
215
220
225
230
235
240
245
250
255
0 2 4 6 8 10
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
n
H
)
Sin caja de titanio
Con caja de titanio
205
210
215
220
225
230
235
240
245
250
255
0 2 4 6 8 10
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

(
n
H
)
Sin caja de titanio
Con caja de titanio
Sin caja de titanio
Con caja de titanio

90,0
90,5
91,0
91,5
92,0
92,5
93,0
93,5
0 2 4 6 8 10
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
m
)
Sin caja de titanio
Con caja de titanio
90,0
90,5
91,0
91,5
92,0
92,5
93,0
93,5
0 2 4 6 8 10
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
m
)
Sin caja de titanio
Con caja de titanio
Sin caja de titanio
Con caja de titanio

Figura 2-51. Inductancia y resistencia del ensayo de circuito abierto desde el devanado secundario para
dos casos: sin caja de titanio y con caja de titanio situada debajo del devanado secundario
Resumen acerca de la caja de titanio
La inclusin de una caja de titanio en las proximidades de un devanado origina
una disminucin de la inductancia de los devanados, debida a la deformacin de
las lneas de flujo, y un aumento de la resistencia de los devanados, debido a las
corrientes inducidas en el titanio:
- Si la caja de titanio se sita debajo del ncleo, en el caso analizado
(transformador caracterstico de un implante de cclea) se produce una
reduccin del coeficiente de acoplamiento de diez puntos cuando los
devanados estn muy prximos (1mm), siendo esta diferencia menor
cuando estn ms separados (9mm). Las inductancias de primario y
secundario se ven reducidas hasta un 34% en el peor caso (de 6,1H a 4H
en el devanado primario). En cuanto a la resistencia de los devanados, en
el peor caso se produce un aumento de 6%.
- El efecto de la caja de titanio se minimiza si sta se sita en un lateral y no
debajo del devanado. Al analizar el efecto de la caja de titanio sobre un
devanado con una sola espira, se comprob que si se situaba el titanio en
un lateral, la inductancia slo se reduca un 0,4% y la resistencia se
aumentaba un 0,2%.
El rendimiento de la fuente de alimentacin se ver penalizado al incluir una caja
de titanio debajo del devanado secundario, tanto por el aumento de las
resistencias de los devanados como por la disminucin del acoplamiento entre
los devanados.
2.5 Influencia de la inclusin de un ncleo magntico
Pese a la insistencia en los componentes magnticos sin ncleo debido a su empleo
comn en aplicaciones de transferencia de energa sin contacto (y especialmente en
implantes), existen algunas en las que se podra emplear un ncleo magntico para
mejorar el acoplamiento entre los devanados e incluso pensando en reducir las
prdidas, puesto que seran necesarias menos vueltas para conseguir la misma
inductancia. La separacin existente entre los devanados sera equivalente a un gran
entrehierro.
Incluso en este tipo de aplicaciones en los que indefectiblemente tanto flujo se escapa
por el aire debido a la gran separacin entre los devanados, el ncleo magntico
puede proporcionar mltiples ventajas:
Mayor permeabilidad, lo que ayuda a conseguir ms inductancia con menos
vueltas y por tanto menos material conductor.
Conduccin del flujo magntico, lo que llevara a una mejora en el
acoplamiento y por tanto un aumento del rendimiento.
Apantallamiento del flujo magntico y consiguiente reduccin del EMI.
La figura 2-52 muestra las lneas de flujo de tres transformadores: sin ncleo de
material magntico (a), con ferrita en el primario (b) y con ferrita en primario y
secundario (c). Los tres grficos estn en la misma escala, y tambin se ha indicado el
valor del flujo en el secundario cuando circula corriente por ambos devanados a la
vez, lo que puede dar una idea del acoplamiento. Como era de esperar, el caso en el
que menos lneas de flujo llegan al secundario es cuando no se emplea material
magntico (43nWb frente a 57nWb y 87nWb).
Por tanto, la utilizacin de material magntico puede proporcionar ciertas ventajas,
como favorecer el acoplamiento. Pero tambin presenta ciertas desventajas que a
veces resultan tan importantes como para evitar su utilizacin: no biocompatibilidad,
coste, volumen del transformador, fragilidad de la ferrita, ser incompatible con la

utilizacin de un imn para mantener los devanados alineados (saturara la ferrita),
etc.

A) TRANSFORMADOR SIN NCLEO MAGNTICO
Primario, AIRE
Secundario, AIRE
Separacin
entre
devanados
43nWb
Primario, AIRE
Secundario, AIRE
Separacin
entre
devanados
43nWb

B) TRANSFORMADOR CON NCLEO MAGNTICO EN EL PRIMARIO
Secundario, AIRE
Separacin
entre
devanados
57nWb
Secundario, AIRE
Separacin
entre
devanados
57nWb

ESCALA: LNEAS
DE FLUJO [WB]

C) TRANSFORMADOR CON NCLEO MAGNTICO EN PRIMARIO Y
SECUNDARIO
Separacin
entre
devanados
87nWb
Separacin
entre
devanados
87nWb

Figura 2-52. Lneas de flujo en un componente sin y con ncleo magntico cuando circula corriente a la
vez por ambos devanados
Vista la importancia que puede tener la utilizacin de un ncleo magntico cuando
no existen restricciones para no hacerlo, se procede a acotar su campo de utilizacin
y estudiar su efecto.
Comparativa de transformadores con y sin ncleo magntico
Se va a proceder al anlisis de la inclusin de un ncleo magntico de ferrita. El
estudio se ha realizado entre 100kHz y 1MHz porque es el rango de frecuencia en el
que la ferrita puede aportar ms ventajas. Para ello se va a comparar el
comportamiento del componente magntico con ncleo de ferrita y sin l.
A) DEVANADO SIN NCLEO MAGNTICO
L=12H
B) DEVANADO CON NCLEO DE FERRITA
L=12H
D
2
=41,4mm
D
3
=12,9mm
21 vueltas
D
2
=41,4mm
D
3
=12,9mm
21 vueltas

D
1
=42mm
D
2
=41,4mm
D
3
=12,9mm
h
2
h
1
h
1
=1,5mm
h
2
=0,625mm
15 vueltas
D
1
=42mm
D
2
=41,4mm
D
3
=12,9mm
h
2
h
1
h
1
=1,5mm
h
2
=0,625mm
15 vueltas

Grosor de la PCB = 600m
Alto de la pista h = 35m
Espaciado entre pistas s = 150m
Ancho de la pista w = 535m
Grosor de la PCB = 600m
Alto de la pista h = 35m
Espaciado entre pistas s = 150m
Ancho de la pista w = 800m
D
1
=42mm
D
3
=12,9mm
D
1
=42mm
D
3
=12,9mm

D
1
=42mm
D
3
=12,9mm
D
1
=42mm
D
3
=12,9mm

Figura 2-53. Descripcin de los devanados sin ncleo magntico y con ncleo de ferrita
Se han diseado dos devanados con la misma inductancia (12H) y las mismas
dimensiones, siendo su dimetro exterior igual a 41,4mm y el interior 12,9mm, pero
uno con ncleo magntico y otro sin l. En la figura 2-53 se representa un esquema
de ambos devanados. En ambos casos se ha empleado la misma tecnologa de
circuito impreso, con un grosor de la pista de 35m. La separacin entre las pistas se
ha fijado en el mnimo permitido por la tecnologa escogida, que es 150m. Una vez
determinado el nmero de vueltas necesario para obtener la inductancia de 12H
con las dimensiones del devanado fijadas, se ha modificado el ancho de las pistas
para que ocupen la mayor superficie posible. Cuando no se emplea ncleo
magntico (figura 2-53.a), son necesarias 21 vueltas y el ancho de la pista es 535m.

Cuando se emplea ncleo magntico de ferrita 3F3 con las dimensiones
determinadas en la figura 2-53.b, se precisan slo 15 vueltas y por tanto su ancho
puede ser mayor, e igual a 800m. El material magntico elegido es el 3F3 de Philips
porque es el que presenta menos prdidas en el rango de frecuencia indicado. Las
caractersticas del material estn descritas en la figura 2-54.

Material: 3F3
Permitividad relativa
r
=100000
Permeabilidad relativa
r
= 2000
Conductividad = 0,5 S/m
3F3
3C96
3F35
3F45
3F5
4F1
3F4
3C94
3C90
80000
60000
40000
20000
0
10
-2
10
-1
Frecuencia (MHz)
1 10
t x B
max
(Hz T)
3F3
3C96
3F35
3F45
3F5
4F1
3F4
3C94
3C90
80000
60000
40000
20000
0
10
-2
10
-1
Frecuencia (MHz)
1 10
t x B
max
(Hz T)

Figura 2-54. Forma y caractersticas del ncleo magntico
El anlisis que se muestra a continuacin es una comparacin entre tres
configuraciones de transformadores, que se han representado en la figura 2-55. El
primer transformador considerado no tiene ncleo magntico, el segundo tiene
ncleo slo en un devanado (que se considera el primario del transformador) y el
tercero tiene ncleo de ferrita tanto en primario como en secundario.
En el anlisis se ha variado la separacin entre los devanados para ver cmo afecta
esta variacin a la inductancia, la resistencia y el acoplamiento.
A) SIN NCLEO MAGNTICO
B) FERRITA SOLO EN
PRIMARIO
C) FERRITA EN PRIMARIO Y
SECUNDARIO
21 vueltas
21 vueltas
Separacin
entre los
devanados
21 vueltas
21 vueltas
Separacin
entre los
devanados

15 vueltas
21 vueltas
Separacin
entre los
devanados
15 vueltas
21 vueltas
Separacin
entre los
devanados

15 vueltas
15 vueltas
Separacin
entre los
devanados
15 vueltas
15 vueltas
Separacin
entre los
devanados

Figura 2-55. Configuraciones con y sin ncleo magntico
Como era predecible, el acoplamiento mejora al emplear ferrita, y esta mejora es
notable para todas las separaciones entre los devanados que se han considerado
(entre 1mm y 9mm). La figura 2-56 y la tabla 2-15 resumen todos los datos obtenidos
en cuanto al coeficiente de acoplamiento. Al emplear ferrita tanto en primario como
en secundario, la mejora es significativa y podra considerarse una mejora media de
doce puntos respecto al caso sin ncleo magntico (quince puntos de mejora para
una separacin entre los devanados igual a 5mm, al pasar de 69,2% a 54,1%). Al usar
ferrita slo en uno de los devanados tambin se consigue aumentar el acoplamiento,
especialmente para grandes separaciones, donde la mejora es de cuatro puntos
respecto al caso de aire: 39,1% frente a 35,2%.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Aire
Ferrita en un lado
Ferrita en dos lados
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Aire
Ferrita en un lado
Aire
Ferrita en un lado

Figura 2-56. Coeficiente de acoplamiento con y
sin ncleo de ferrita
TABLA 2-15
ACOPLAMIENTO (%) PARA LOS DISEOS
ANALIZADOS
Separacin
devanados
(mm)
Aire-
aire
Ferrita-
aire
Ferrita-
ferrita
1 87,2 86,7 95,4
3 68,2 71,7 83,2
5 54,1 58,8 69,6
7 43,4 48,0 57,0
9 35,2 39,1 46,2
Como se ha ido remarcando a lo largo de esta tesis, para mejorar el rendimiento del
transformador hay que conseguir maximizar acoplamiento y minimizar la resistencia
propia de los devanados. Por tanto tambin se ha estudiado el efecto de la ferrita
sobre las resistencias propia y mutua de los transformadores (figura 2-57). Incluir la
ferrita para mejorar el acoplamiento supone aadir al transformador un material
sobre el que se inducen corrientes debido al campo magntico, lo que supone un
aumento de las prdidas y por consiguiente de la resistencia.
A) RESISTENCIA DE CIRCUITO ABIERTO
DESDE PRIMARIO (FRECUENCIA=1MHz)
B) RESISTENCIA MUTUA
(FRECUENCIA=1MHz)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 2 4 6 8 10
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
Aire
Ferrita en un lado
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 2 4 6 8 10
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
Aire
Ferrita en un lado
Aire
Ferrita en un lado

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 2 4 6 8 10
Aire
Ferrita en un lado
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 2 4 6 8 10
Aire
Ferrita en un lado
Aire
Ferrita en un lado
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)

Figura 2-57. Resistencia en circuito abierto y resistencia mutua con y sin ncleo de ferrita a 1MHz

Es muy difcil extraer conclusiones respecto a la mejora en rendimiento de los
transformadores a la vista de los resultados del coeficiente de acoplamiento (figura
2-56) y de la resistencia (figura 2-57) mostrados, ya que los efectos son contrapuestos.
Para dar un valor aadido al anlisis se ha calculado el rendimiento de los
transformadores ante una seal sinusoidal a una frecuencia determinada. Este
clculo se ha realizado de una forma analtica utilizando los modelos obtenidos a
partir del anlisis con la herramienta de elementos finitos despreciando los efectos
capacitivos. En la figura 2-58 se puede observar el esquema empleado para el clculo
del rendimiento, junto a una representacin del modelo del transformador utilizado,
que es el descrito en el apartado 2.2.2.1. Las ecuaciones que rigen el comportamiento
del transformador son:

=
=
2 22 1 12 2
2 12 1 11 1
i Z i Z v
i Z i Z v
( 2-42)
Tensin de salida v
2
Potencia de salida P
s
Frecuencia f
Tensin de entrada v
1
T1
R
v
1
v
2
i
1
i
2
Tensin de salida v
2
s
Frecuencia f
Tensin de entrada v
1
T1
R
v
1
v
2
i
1
i
2

Z
1
Z
12
Z
12
Z
2
v
1
v
2
i
1
i
2
R
T1
Z
1
Z
12
Z
12
Z
2
v
1
v
2
i
1
i
2
R
T1

Figura 2-58. Ensayo de gran seal sobre el modelo del transformador
La comparacin de rendimiento se ha realizado con los transformadores
proporcionando una misma tensin y potencia de salida, de modo que para caso la
tensin y la potencia de entrada son diferentes. Imponiendo una tensin v
2
y una
carga a la salida R, de modo que se cumple
2 2
i R v = , puede llegarse a unas
expresiones sencillas para conocer la tensin y la corriente de entrada:

( )
R
v
Z
Z R Z Z
v
2
12
2
12 22 11
1

= ( 2-43)

R
v
Z
Z
v
i
2
12
1
1
2
= ( 2-44)
La potencia cedida por la fuente y la consumida por la carga pueden calcularse como
la parte real del producto de la tensin eficaz por la corriente eficaz conjugada. Como
las tensiones y corrientes sinusoidales de entrada y salida ya son conocidas, es fcil
obtener el rendimiento del componente magntico.
En la figura 2-59 hay tres grficas del rendimiento en funcin de la frecuencia para
los tres casos considerados: sin ncleo magntico (aire-aire), con ferrita en uno de los
devanados (ferrita-aire) y con ferrita en los dos devanados (ferrita-ferrita). En este
caso particular la tensin sinusoidal de salida se ha fijado en 5V de pico, siendo la
potencia activa recibida por la carga de 15mW. Las fuentes de alimentacin de
implantes de cclea tienen valores similares a los escogidos. Todos los anlisis se han
realizado variando la separacin entre los devanados (1mm 9mm).
Los mejores resultados de rendimiento se consiguen cuando se usa ferrita: con el
transformador de ferrita a 100kHz se consigue un rendimiento de 30% para la menor
separacin entre los devanados (1mm), mientras que con el transformador sin ncleo
magntico o con ncleo slo en el primario el rendimiento no supera el 8%. El
rendimiento del transformador de ferrita a 1MHz puede variar entre 82% y 40%,
dependiendo de la separacin entre los devanados, mientras que sin ncleo
magntico la variacin es entre 65% y 25% y con ferrita en primario entre 70% y 34%.
A) AIRE-AIRE B) FERRITA-AIRE C) FERRITA-FERRITA
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100k 1MEG
Frecuencia (Hz)
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1mm
3mm
5mm
7mm
9mm
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100k 1MEG
Frecuencia (Hz)
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1mm
3mm
5mm
7mm
9mm
1mm
3mm
5mm
7mm
9mm

1mm
3mm
5mm
7mm
9mm
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100k 1MEG
Frecuencia (Hz)
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1mm
3mm
5mm
7mm
9mm
1mm
3mm
5mm
7mm
9mm
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100k 1MEG
Frecuencia (Hz)
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)

1mm
3mm
5mm
7mm
9mm
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100k 1MEG
Frecuencia (Hz)
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1mm
3mm
5mm
7mm
9mm
1mm
3mm
5mm
7mm
9mm
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100k 1MEG
Frecuencia (Hz)
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)

Figura 2-59. Rendimiento en funcin de la frecuencia para distintas separaciones entre los devanados,
siendo la tensin de salida igual a 5V y la potencia de salida igual a 15mW
En la figura 2-60 se han representado estos mismos datos de otra forma,
superponindolos todos considerando las bandas de rendimiento obtenidas por cada
configuracin al variar la separacin entre los devanados. Por tanto, para cada grupo
de transformadores, la lnea superior corresponde a la menor separacin entre los
devanados (mximo rendimiento a 1mm) y la inferior a la mayor separacin entre los
devanados (mnimo rendimiento a 9mm). As puede observarse que la mejora
aportada por el ncleo magntico es mayor cuando los devanados estn ms juntos
que cuando estn ms separados. Esto es lgico, porque cuando los devanados estn
ms separados, la influencia de la ferrita de concentrar las lneas de flujo magntico
es mucho menor, ya que el material no magntico que separa los devanados abre
mucho estas lneas. Por ejemplo, a una frecuencia de 500kHz para una separacin
entre los devanados de 9mm empleando ncleo magntico se consigue una mejora
en el rendimiento de catorce puntos (24% frente a 10%). Sin embargo, para una
separacin de 1mm la mejora es de treinta y tres puntos (75% frente a 42%).

Sin embargo resulta curioso observar que, al representar el rendimiento como una
funcin del acoplamiento (figura 2-61) las curvas obtenidas son muy similares para
las tres configuraciones. Esto significa que, para una misma separacin entre los
devanados, la influencia de la ferrita se resume en que se consigue un mayor
acoplamiento.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100k 1MEG
Frecuencia (Hz)
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Ferrita-ferrita
Ferrita-aire
Aire-aire
1mm
9mm
1
m
m
1
m
m
9
m
m
9
m
m
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100k 1MEG
Frecuencia (Hz)
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Ferrita-ferrita
Ferrita-aire
Aire-aire
1mm
9mm
1
m
m
1
m
m
9
m
m
9
m
m
Figura 2-60. Rendimiento en funcin de la
frecuencia (tensin de salida 5V y potencia de salida
15mW)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
25 35 45 55 65 75 85 95
Acoplamiento (%)
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Aire
Ferrita-aire
Ferrita-ferrita
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
25 35 45 55 65 75 85 95
Acoplamiento (%)
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Aire
Ferrita-aire
Ferrita-ferrita
Aire
Ferrita-aire
Ferrita-ferrita
Figura 2-61. Rendimiento en funcin del
acoplamiento a una frecuencia de 1MHz
(tensin de salida 5V y potencia de salida
15mW)
En la figura 2-62 se han comparado la inductancia propia y mutua de los devanados
estudiados. En el caso del transformador con ferrita en el primario y sin ferrita en el
secundario, se ha considerado la inductancia propia del devanado con ferrita.
Cuando la separacin entre los devanados es pequea, las inductancias son mucho
mayores empleando ferrita en los dos lados que en los otros casos, en los que son
parecidas. Esto es as porque cuando primario y secundario estn muy prximos los
devanados no se pueden considerar de forma independiente: la ferrita de los
devanados se comporta como un ncleo completo con un entrehierro grande, y por
tanto un devanado es afectado por la ferrita del otro. Dicho de otro modo, gran parte
del camino magntico se cierra por el ncleo magntico y la reluctancia es
significativamente ms baja, por lo que se consiguen mayores inductancias. Gracias a
esta menor reluctancia son necesarias menos vueltas para conseguir la misma
inductancia.
En el caso de un transformador con ncleo magntico slo en uno de los devanados,
la inductancia del devanado sin ncleo vara con la separacin entre los devanados,
porque la influencia del ncleo magntico viene dada por su proximidad. Cuando la
distancia de separacin de los devanados es de 1mm, la inductancia propia es mayor
que cuando la distancia es 9mm. Sin embargo, el devanado con ncleo magntico
tiene una inductancia propia insensible a la separacin entre los devanados, como
puede apreciarse en la figura 2-62 (13H).
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

p
r
o
p
i
a

(
H
)
Aire
Ferrita en un lado
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

p
r
o
p
i
a

(
H
)
Aire
Ferrita en un lado
Aire
Ferrita en un lado

0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

m
u
t
u
a

(
H
)
Aire
Ferrita en un lado
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a

m
u
t
u
a

(
H
)
Aire
Ferrita en un lado
Aire
Ferrita en un lado

Figura 2-62. Inductancia propia y mutua con y sin ncleo de ferrita a 1MHz
Esta sensibilidad de la inductancia a la separacin entre los devanados no es
beneficiosa en ciertos casos. Cuando la aplicacin exige una distancia fija entre los
devanados puede ser muy positivo emplear un ncleo de ferrita porque se mejora el
rendimiento. No obstante, cuando la aplicacin exige una distancia variable entre los
devanados, la variacin de inductancia se convierte en una dificultad aadida al
diseo de la fuente de alimentacin. En esos casos sera mejor recurrir a emplear
ncleo magntico slo en uno de los devanados de la fuente. Con ello se mejorara el
rendimiento respecto al caso de ncleo de aire y se reducira la sensibilidad de la
inductancia a la separacin entre devanados respecto al caso de ncleo de ferrita.
Escoger en cul de los devanados se empleara la ferrita y en cul no se empleara
nada depende de mltiples factores: restricciones de tamao y peso en alguna de las
partes de la fuente de alimentacin, posicin del tanque resonante, si alguna de estas
partes se va a ver sometida a vibraciones o a posibles golpes, si interesa conseguir la
inductancia con menos vueltas en uno de los devanados en concreto, etc.
Resumen acerca de la influencia del ncleo magntico
La presencia de un ncleo magntico en el componente magntico para una
aplicacin de transferencia de energa sin contacto puede aportar ventajas
debido a su conduccin del flujo magntico y la menor reluctancia del camino
magntico. Por ello el acoplamiento entre los devanados aumenta y son
necesarias menos vueltas para conseguir la misma inductancia que en un
transformador con ncleo de aire.
El ncleo magntico consigue un importante efecto de apantallamiento con la
consiguiente reduccin del EMI.
Pese a las ventajas que puede proporcionar, el ncleo magntico no puede
emplearse en todas las aplicaciones, ya que algunas incluyen restricciones de
biocompatibilidad, peso, volumen, no pueden emplearse materiales frgiles o se
emplea un imn para mantener alineado los devanados primario y secundario

(el campo creado por el imn modificara el punto de operacin del material
magntico y lo saturara).
El ncleo magntico mejora el rendimiento del componente magntico debido al
aumento de acoplamiento entre los devanados, que llega a ser de doce puntos
cuando los devanados estn separados 5mm. Este incremento del rendimiento es
especialmente perceptible a baja frecuencia, donde para el ejemplo estudiado
llega a ser de treinta puntos.
Cuando se emplea ncleo magntico, la inductancia de los devanados es muy
sensible a la separacin que existe entre los mismos. Esto hace que no sea
interesante emplearlo en aplicaciones en las que la distancia entre los devanados
es variable, ya que complica el diseo de la fuente de alimentacin.
Emplear material magntico tan solo en uno de los devanados puede ser una
excelente opcin en muchos casos: mejora el rendimiento del componente
magntico respecto al caso sin ncleo, es un compromiso para reducir peso y
volumen del componente, el lado del material magntico est apantallado y
puede emplearse en aplicaciones donde solo uno de los devanados tenga
restricciones de biocompatibilidad (el devanado sin ncleo magntico). En
aplicaciones como los implantes de cclea podra emplearse en el devanado
primario, que no est sometido a restricciones de biocompatibilidad. Sin
embargo, la inductancia del devanado secundario (sin ncleo magntico) es
sensible a la separacin del otro devanado, es decir, a la cercana del ncleo
magntico: cuanto menor sea esta distancia, mayor ser la inductancia del
devanado.
2.6 Planteamiento de la asimetra del componente magntico
Segn los resultados obtenidos hasta ahora se pueden extraer las dos conclusiones
siguientes:
En un componente magntico sin ncleo, la inductancia depende del nmero de
vueltas y de la geometra del devanado (ver apartado 2.3.2).
Si uno de los devanados tiene sus dimensiones acotadas y el otro no, el
devanado acotado se tiene que hacer lo ms grande y extendido posible dentro
de sus cotas. El devanado no acotado se puede hacer mayor, pero existe un radio
exterior ptimo a partir del cual el acoplamiento no mejora y la resistencia
aumenta demasiado (ver apartado 2.3.3).
Tomando en consideracin estos dos puntos, se han diseado dos devanados con la
misma inductancia (6H) pero distintas dimensiones y distinto nmero de vueltas,
como se muestra en la tabla 2-16. Si se combinasen formando un transformador, el
coeficiente de acoplamiento k sera el mismo independientemente de cul de los
devanados actuase de primario y cul de secundario. Sin embargo, el flujo enlazado
por cada devanado no es igual, por lo que la inductancia de dispersin no sera la
misma para ambos devanados.
TABLA 2-16
DIMENSIONES DE LOS DEVANADOS ESTUDIADOS CON INDUCTANCIA IGUAL A 6H
Devanado 1 Devanado 2
Nmero de vueltas 16 13
Ancho de la pista (m) 510 200
Alto de la pista (m) 35 35
Espacio entre vueltas (m) 150 150
Radio exterior del devanado (mm) 13,3 13,45
Radio interior del devanado (mm) 5,9 9,05
Radio medio del devanado (mm) 11,1 11,2

DISEO A: UN DEVANADO
GRANDE Y OTRO PEQUEO

DISEO B: DOS DEVANADOS
GRANDES

DISEO C: DOS DEVANADOS
PEQUEOS

Figura 2-63. Diseos de transformadores considerados, con la misma inductancia propia de los
devanados (6H)
Para estudiar esa asimetra del componente magntico y analizar su posible
influencia en la transferencia de energa, se han combinado estos dos devanados
formando tres diseos distintos de transformadores:
Si las dimensiones de uno de los devanados estuvieran acotadas (dimetro
exterior mximo y dimetro interior mnimo fijados), el mejor diseo sera el A,
en el que el otro devanado se ha hecho un poco mayor (figura 2-63.a).

Si se permitiera un tamao mayor, el mejor diseo sera el B, que enfrenta ms
proporcin de devanado y consigue el mximo acoplamiento, al hacer los
devanados del mayor tamao posible y extendidos (figura 2-63.b).
Si las dimensiones de ambos devanados estuvieran acotadas (dimetro exterior
mximo y dimetro interior mnimo) habra que emplear el diseo C, que
lgicamente tendra el peor acoplamiento de los diseos propuestos, por tener
las vueltas ms concentradas (figura 2-63.c).
El acoplamiento conseguido por estos diseos al variar la separacin entre los
devanados puede observarse en la figura 2-64. Efectivamente, el orden en el que se
consigue ms acoplamiento sera diseo B), A) y C).
0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Devanados asimtricos
(primario mayor que
secundario), DISEO A
Devanados iguales
(extendidos y grandes)
Devanados iguales
(concentrados y pequeos)
DISEO B
DISEO C
0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C

Figura 2-64. Acoplamiento para los tres diseos de transformadores considerados
Para explicar la asimetra del diseo A, hay que encontrar un modelo que la
represente. Por ejemplo, el modelo de la figura 2-65.a no lo hace. Desde el punto de
vista de este modelo, el transformador A es completamente simtrico, ya que en el
caso considerado las inductancias de los devanados L
1
y L
2
son iguales y la
inductancia mutua M es nica. Este sencillo modelo, vlido para analizar otro tipo de
factores, no es por tanto til para los propsitos perseguidos.
A) MODELO SIMTRICO
M
L
1
L
2
M
L
1
L
2

B) MODELO ASIMTRICO
L
d1
L
d2
L
m
N
1
:N
2
L
d1
L
d2
L
m
N
1
:N
2

Figura 2-65. Modelos del transformador
Sin embargo, el modelo representado en la figura 2-65.b es igualmente sencillo pero
s considera las asimetras del transformador. Este modelo ya fue comentado en el
captulo 2, al describir ciertas particularidades de los transformadores para
aplicaciones sin contacto, como el bajo acoplamiento, la no correspondencia entre la
relacin de tensiones y la relacin de vueltas, la diferencia en los ensayos de
cortocircuito y circuito abierto, etc.
El significado de los parmetros de este transformador es el siguiente: L
d1
y L
d2
son
las inductancias de dispersin de primario y de secundario respectivamente, de
forma que representan la energa que es generada por un devanado y no es
compartida por lo otro. L
m
es la inductancia magnetizante y representa la energa
compartida por ambos devanados. Adems hay un transformador ideal cuya
relacin de transformacin es la relacin de vueltas entre los devanados N
1
:N
2
.
La relacin entre ambos modelos viene dada por las ecuaciones de la tabla 2-17.
TABLA 2-17
ECUACIONES QUE RELACIN EL MODELO SIMTRICO Y EL ASIMTRICO DEL TRANSFORMADOR
Paso del modelo asimtrico al simtrico Paso del modelo simtrico al asimtrico
m d
L L L + =
1 1

2
1
1 1
N
N
M L L
d
=
m d
L L L + =
2 2

2
1
2 2
N
N
M L L
d
=
1
2
N
N
L M
m
=
2
1
N
N
M L
m
=

De modo que para el primer modelo, el coeficiente de acoplamiento viene dado por:

2 1
L L
M
k = ( 2-45)
Y para el segundo modelo, segn la expresin ya mostrada en el captulo 2, el
coeficiente de acoplamiento puede calcularse de la siguiente manera:

( )
(
(
+
|
|
.
|
\
|
+
=
2
2
1
2
1
1
2
d m d m
m
L
N
N
L L L
N
N
L
k ( 2-46)

Como ya se ha comentado, pese a que los dos devanados tengan la misma
inductancia, el flujo enlazado por ambos devanados no es igual. Existen unos
coeficientes (k
1
y k
2
) que representan una medida del aprovechamiento de los flujos
de dos bobinas acopladas, por lo que son unos parmetros que cuantifican la
asimetra del componente magntico perfectamente. La media geomtrica de estos
coeficientes k
1
y k
2
es igual al coeficiente de acoplamiento:

2 1
k k k = ( 2-47)
Para entender bien el significado de k
1
y k
2
y cuantificar su valor en funcin de
parmetros conocidos del transformador hay que prestar atencin al diagrama de
flujos del transformador y a las ecuaciones que rigen su comportamiento.
En el captulo 2 se representaron en un diagrama sencillo los flujos magnticos a los
que estn sometidos los devanados del transformador, y se plantearon los conceptos
de flujo disperso (
s1
,
s2
) y flujo magnetizante (
m
). En este caso va a desglosarse el
flujo magntico que experimenta cada uno de los devanados de otro modo,
prestando atencin a la corriente que origina el campo magntico.
Antes de nada, es importante remarcar que cuando el medio magntico es de
caracterstica lineal, el flujo a travs de una seccin cualquier debido a la accin
conjunta de las corrientes i
1
e i
2
es igual a la suma de los flujos en esa seccin debidos
a cada intensidad actuando independientemente [ELECTRO91]. En el caso estudiado
no cabe duda de que el medio se comporta linealmente, ya que se trata del aire.
u
1
1

m

2
u
2
i
1
i
2
11

22
12
21
s1

s2
u
1
1

m

2
u
2
i
1
i
2
11

22
12
21
s1

s2

Figura 2-66. Diagrama de flujos de un transformador con dos devanados
En la figura 2-66 se ha representado un transformador con dos devanados
(denominados 1 y 2) y los flujos que experimenta cada devanado, aparte de los flujos
disperso y magnetizante ya mencionados. El significado de estos flujos, centrando la
atencin en el devanado 1, es el siguiente:
1
= flujo medio por espira concatenado por el devanado 1 y debido a la circulacin
tanto de i
1
como de i
2
.
11
= parte de
1
debida a la circulacin de i
1
.
12
= parte de
1
debida a la circulacin de i
2
.
Por tanto, el flujo disperso
s1
del devanado 1 ser igual a una fraccin de
11
que
ser menor cuanto mejor acoplados estn los devanados.
A la vista del grfico se cumple que:

12 11 1
+ = ( 2-48)

21 22 2
+ = ( 2-49)
De este modo, el significado de la ecuacin ( 2-48) sera que el flujo que enlaza el
devanado 1 es igual un flujo creado por la circulacin de corriente (i
1
)que circula por
el propio devanado ms otro flujo debido a la circulacin de corriente (i
2
)por el otro
devanado.
La expresin de los coeficientes k
1
y k
2
en funcin de los flujos es: [ELECTRO91]:

11
21
1
= k y
22
12
2
= k ( 2-50)
De estas ecuaciones puede deducirse el significado de los coeficientes. Centrando la
atencin en k
1
, este parmetro representa la relacin entre flujos magnticos creados
por la circulacin de la corriente i
1
. Cuando k
1
adopta su mximo valor, que es la
unidad, quiere decir que todo el flujo creado por la circulacin de i
1
es enlazado por
ambos devanados y desde el punto de vista del devanado primario, la transferencia
de energa es completamente eficaz: toda la energa magntica se transfiere. Por tanto
al parmetro k
1
podra llamarse acoplamiento desde primario. Del mismo modo k
2

puede denominarse acoplamiento desde secundario.
Para expresar estas frmulas ( 2-50) en funcin de la inductancia magnetizante L
m
y
las inductancias de dispersin L
d1
y L
d2
, hay que centrarse en las ecuaciones del
transformador.
Las ecuaciones que definen el comportamiento de las bobinas son:

dt
d
N v
1
1 1

= y
dt
d
N v
2
2 2

= ( 2-51)
Combinando las ecuaciones ( 2-48) y ( 2-49) con estas ltimas expresiones:

dt
d
N
dt
d
N v
12
1
11
1 1

+
= ( 2-52)

dt
d
N
dt
d
N v
22
2
21
2 2

+
= ( 2-53)
Y debido a que se ha supuesto un comportamiento lineal del medio magntico se
cumple:

1 1 11 1
i L N =
( 2-54)

2 12 12 1
i M N =
( 2-55)

1 21 21 2
i M N =
( 2-56)

2 2 22 2
i L N =
( 2-57)
Por tanto, las ecuaciones ( 2-52) y ( 2-53) pueden escribirse de la siguiente forma:

dt
di
M
dt
di
L v
2
12
1
1 1
+ = ( 2-58)

dt
di
L
dt
di
M v
2
2
1
21 2
+ = ( 2-59)
Como se demuestra en [CORSON94] basndose en la simetra de la ecuacin de
Neumann, la inductancia mutua M es la misma independientemente del devanado
desde el que se considere:

21 12
M M = ( 2-60)
De modo que se llega a las ecuaciones que definen el comportamiento del modelo
simtrico del transformador (figura 2-65.a):

dt
di
M
dt
di
L v
2 1
1 1
+ = ( 2-61)

dt
di
L
dt
di
M v
2
2
1
2
+ = ( 2-62)
Combinando las ecuaciones anteriores, ya puede hallarse una expresin de los
coeficientes k
1
y k
2
en funcin de las inductancias:

2
1
1
1
1 1
2
1
11
21
1
n
n
L
M
n
i L
n
i M
k = =
= ( 2-63)

1
2
2
2
2 2
1
2
22
12
2
n
n
L
M
n
i L
n
i M
k = =
= ( 2-64)
Las expresiones para calcular los coeficientes k
1
y k
2
y el acoplamiento k para los dos
modelos considerados estn reflejadas en la tabla 2-18.
TABLA 2-18
COEFICIENTE DE ACOPLAMIENTO Y COEFICIENTES K
1
Y K
2

General Modelo simtrico Modelo asimtrico
11
21
1
= k
2
1
1
1
n
n
L
M
k =
1
1
L
L
k
m
=
22
12
2
= k
1
2
2
2
n
n
L
M
k =
2
1
2
2
2
|
|
.
|
\
|
=
n
n
L
L
k
m

2 1
k k k =
2 1
L L
M
k =
( )
(
(
+
|
|
.
|
\
|
+
=
2
2
1
2
1
1
2
d m d m
m
L
n
n
L L L
n
n
L
k

Combinando las frmulas de la tabla 2-17 y la tabla 2-18, el modelo asimtrico del
transformador puede representarse en funcin de L
1
, L
2
y los coeficientes k
1
y k
2
,
resultando el modelo mostrado en la figura 2-67.

1 1 1
) 1 ( L k L
d
= ( 2-65)

2 2 2
) 1 ( L k L
d
= ( 2-66)

2
1
2 2 1 1
n
n
L k L k L
m
= = ( 2-67)

(1-k
1
)L
1
k
1
L
1
N
1
:N
2
(1-k
2
)L
2
(1-k
1
)L
1
k
1
L
1
N
1
:N
2
(1-k
2
)L
2

Figura 2-67. Modelo del transformador basado en los coeficientes k
1
y k
2

ste es un modelo clsico ya existente del transformador. La aportacin original de
esta tesis va a ser emplearlo para caracterizar la asimetra de los transformadores y
estudiar cmo afecta esta asimetra a la tolerancia al desplazamiento. De este modo
puede que no sea suficiente estudiar slo el coeficiente de acoplamiento k, sino que el
parmetro a maximizar podra ser k
1
o k
2
.
Retomando el problema de partida, en el que se consideraban tres diseos de
transformadores con la misma inductancia en los devanados primario y secundario
pero distinta geometra, se ha obtenido su modelo mediante la herramienta de
elementos finitos y se ha calculado el coeficiente de acoplamiento k y los coeficientes
k
1
y k
2
.
En la tabla 2-19 se han resumido los resultados obtenidos para los diseos simulados.
En los casos en los que los devanados son iguales, el coeficiente de acoplamiento k es
igual a los coeficientes k
1
y k
2
debido a la simetra del transformador. Como ya se
mostr con anterioridad, el acoplamiento es mayor en el caso de los devanados
iguales, extendidos y grandes. Este resultado era fcilmente predecible despus de
todo el anlisis llevado a cabo hasta ahora (figura 2-64).
TABLA 2-19
COEFICIENTE DE ACOPLAMIENTO Y COEFICIENTES K
1
Y K
2
PARA LOS DISEOS CONSIDERADOS

DISEO A
(primario grande y
secundario pequeo)
DISEO B
Devanados iguales
(extendidos y
grandes)
DISEO C
Devanados iguales
(concentrados y
pequeos)
Separacin entre
devanados (mm)
k1 (%) k2 (%) k (%) k1 (%), k2 (%), k (%) k1 (%), k2 (%), k (%)
1 92,55 61,42 75,39 83,90 77,31
3 67,57 44,66 54,93 61,75 54,93
5 50,19 33,14 40,78 46,45 36,92
7 37,94 25,06 30,84 35,52 27,22
9 29,12 19,22 23,66 27,54 20,56
12 20,13 13,28 16,35 19,25 13,97

0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

d
e
s
d
e
p
r
i
m
a
r
i
o

(
%
)
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C
0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

d
e
s
d
e
p
r
i
m
a
r
i
o

(
%
)
0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

d
e
s
d
e
p
r
i
m
a
r
i
o

(
%
)
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C

Figura 2-68. Acoplamiento desde primario k
1
conseguido por los diseos considerados
0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

d
e
s
d
e
s
e
c
u
n
d
a
r
i
o

(
%
)
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C
0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

d
e
s
d
e
s
e
c
u
n
d
a
r
i
o

(
%
)
0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

d
e
s
d
e
s
e
c
u
n
d
a
r
i
o

(
%
)
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C

Figura 2-69. Acoplamiento desde secundario k
2
conseguido por los diseos considerados
TABLA 2-20
MODELOS DE ALGUNOS DE LOS DISEOS CONSIDERADOS A 1MHZ
R
1
L
d1
L
d2
R
2
L
m
N
1
:N
2
R
1
L
d1
L
d2
R
2
L
m
N
1
:N
2

Separacin entre
los devanados
R
1
() L
d1
(H) L
m
(H) N
1
N
2
R
2
() L
d2
(H)
Diseo A 1,45 0,4 5,5 16 13 2,4 2,3
Diseo B 1,45 1 5 16 16 1,45 1
1
m
m

Diseo C 2,4 1,4 4,6 13 13 2,4 1,4
Diseo A 1,45 3 3 16 13 2,4 4
Diseo B 1,45 3,2 2,8 16 16 1,45 3,2
5
m
m

Diseo C 2,4 3,8 2,2 13 13 2,4 3,8
Diseo A 1,45 4,2 1,7 16 13 2,4 4,8
Diseo B 1,45 4,3 1,6 16 16 1,45 4,3
9
m
m

Diseo C 2,4 4,8 1,2 13 13 2,4 4,8


Sin embargo, el coeficiente k
1
es mayor en el caso en el que el devanado 1 es mayor
que el devanado 2, de modo que una mayor parte de la energa generada por el
devanado 1 es compartida con el devanado 2 y la inductancia magnetizante vista
desde el primario tambin es mayor para este diseo (figura 2-68). Por otra parte, el
coeficiente k
2
est ms penalizado para el transformador asimtrico por ser el
devanado 2 de menor tamao (figura 2-69). Por tanto la transferencia de energa del
primario al secundario se ve favorecida, mientras que la de secundario a primario
est penalizada.
En la tabla 2-20 se muestran los modelos equivalentes de los transformadores
analizados, obtenidos a partir de los datos ya expuestos. Para completar el modelo se
han incluido las resistencias de los devanados. Una de las limitaciones ms
importantes de este modelo es su validez para una nica frecuencia, razn por la que
no ha sido utilizado en los anlisis previos de este captulo. Los datos en la tabla 2-20
estn obtenidos a la frecuencia de 1MHz.
Una vez planteada la asimetra del transformador se estudiar su influencia en la
tolerancia al desplazamiento lateral.
2.7 Efecto del desplazamiento lateral
Hasta ahora se ha considerado que el origen de la variacin del acoplamiento en
algunas aplicaciones de transferencia de energa sin contacto era la separacin
variable de los devanados, pero mantenindose stos siempre perfectamente
alineados (coaxiales). Sin embargo, si los devanados no estn fijados en una posicin
determinada por algn mtodo mecnico, en general pueden adoptar libremente
otras posiciones relativas que igualmente afectan al acoplamiento.
Como ya se coment al plantear los mtodos analticos presentes en el estado de la
tcnica, existen ciertas frmulas que consideran los posibles desplazamientos entre
los devanados.

=
12
2 1 0
4 r
l d l d
M
r r
( 2-68)
A partir de la frmula de Neumann ( 2-68), Soma obtiene una expresin para el
clculo de la inductancia mutua en cuatro posibles casos de desplazamiento
[SOMA87] y plantea una serie de ideas que se comentan a continuacin.
Se distinguen cuatro tipos de posiciones relativas entre los devanados primario y
secundario, las cuales ha sido representadas en la figura 2-70. Los devanados pueden
permanecer perfectamente alineados (a), lo cual sera la posicin ptima, o
desplazarse entre s, de modo que sus ejes permanecen paralelos (b) o no (c, d). El
significado de los parmetros que se indican en los dibujos es el siguiente:
a, b = radios de los devanados
d = distancia entre devanados
= desplazamiento lateral
= desplazamiento angular
a) Perfectamente
alineados
b) Desplazamiento lateral
c) Desplazamiento
angular
d) Combinacin de
desplazamiento lateral y
angular
a
b
d
a
b
d

a
b
d
a
b
d

a
b
d
a
b
b
d
a
b
d
a

Figura 2-70. Combinaciones de posibles situaciones entre los devanados primario y secundario
De todas estas combinaciones de posiciones se obtendra un rango de acoplamientos
mximo y mnimo, de modo que para una aplicacin concreta, el acoplamiento no
solo depende de la separacin entre los devanados, sino tambin de su
desplazamiento [SOMA87].
Hay que tener en cuenta que desde el punto de vista de la topologa de la fuente de
alimentacin, lo que verdaderamente importa es el rango de acoplamientos posibles
y las resistencias e inductancias que se consigue en cada uno de los casos, y no la
geometra que adopta el transformador para conseguirlos.
Por tanto, para fijar el rango de acoplamientos para un transformador: el
acoplamiento mximo se obtendra para la separacin mnima y alineamiento
perfecto y el acoplamiento mnimo para la separacin mxima con desplazamiento
lateral entre los devanados. Obviamente, la separacin mxima y el desplazamiento
lateral mximo son valores impuestos por el diseo: las distancias mximas para las
que se garantiza que la fuente de alimentacin seguir funcionando adecuadamente,
es decir, proporcionando la energa suficiente a la carga.
Para estudiar el efecto del desplazamiento lateral se han considerado los mismos
transformadores analizados en el apartado, y cuya descripcin ya fue facilitada
(tabla 2-16). Como en el anlisis de la inclusin de la caja de titanio, se ha tenido que
recurrir a la herramienta de anlisis por elementos finitos de campos
tridimensionales (3D), ya que el problema del desplazamiento es claramente
tridimensional, al estar los ejes de los devanados desplazados.
Como ya se ha visto, el acoplamiento no depende del nmero de vueltas, sino de la
geometra y del espacio ocupado por los mismos. Por tanto, para estudiar el

acoplamiento basta con simular una nica espira que ocupe la misma corona que el
devanado. Si las espiras del devanado son suficientemente anchas, los resultados
deberan ser muy parecidos (ver apartado 2.3.2). Eso es lo que se ha hecho para
simplificar el problema al mximo y poder llegar a obtener resultados con un error
aceptable utilizando la herramienta 3D. Los transformadores originales y los
transformadores simulados estn representados en la figura 2-71.
DISEO A: UN DEVANADO
GRANDE Y OTRO PEQUEO

DISEO B: DOS DEVANADOS
GRANDES

DISEO C: DOS DEVANADOS
PEQUEOS

Figura 2-71. Diseos de transformadores considerados y los transformadores que han sido simulados
Sobre estos transformadores se ha realizado un desplazamiento de los devanados
manteniendo los ejes paralelos, situacin similar a la mostrada en la figura 2-70.b. Se
han considerado tres desplazamientos laterales diferentes:
Devanados perfectamente alineados (=0), que se corresponde con el caso
estudiado en el apartado anterior, cuyos resultados ya se expusieron.
Una situacin intermedia (=3mm).
Un desplazamiento mximo en el que en todos los transformadores analizados
existe una zona de uno de los devanados que ya no est enfrentada con el otro
devanado (=6mm).
En los grficos de la figura 2-72 pueden observarse los coeficientes de acoplamiento
obtenidos del anlisis realizado para los tres diseos propuestos. Como los
transformadores son los mismos del apartado anterior, el dato conocido es que el
acoplamiento para un alineamiento perfecto es mayor para el diseo B, al que sigue
el diseo A, siendo el C el peor (figura 2-64).
En los tres casos puede comprobarse que al aumentar el desplazamiento lateral entre
los devanados el acoplamiento disminuye. Adems esta disminucin no tiene una
relacin lineal con la separacin entre los ejes, como por otra parte puede deducirse
de forma intuitiva. Por ejemplo, centrndose una separacin de 1mm entre los
devanados, en el diseo A el acoplamiento disminuye 7 puntos al pasar de
alineamiento perfecto a 3mm de desplazamiento (de 75% a 68%). Sin embargo, al
pasar de este ltimo caso a un desplazamiento igual a 6mm, el acoplamiento
disminuye 16 puntos (de 68% a 52%).
En todos los casos el acoplamiento resulta tanto ms insensible al desplazamiento
lateral cuando ms lejanos estn los devanados. Como ya se ha podido comprobar en
todos los anlisis realizados hasta el momento, al aumentar la separacin de los
devanados disminuye la sensibilidad del acoplamiento a la geometra del
transformador.
DISEO A
(prim. grande y sec. pequeo)
DISEO B
Devanados iguales
DISEO C
Devanados iguales
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
0mm
3mm
6mm
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
0mm
3mm
6mm
0mm
3mm
6mm
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
0mm
3mm
6mm
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
0mm
3mm
6mm
0mm
3mm
6mm
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
0mm
3mm
6mm
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
0mm
3mm
6mm
0mm
3mm
6mm
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Figura 2-72. Comparacin entre las variaciones en el coeficiente de acoplamiento con distintos
desplazamientos laterales para los tres diseos considerados
0 2 4 6 8 10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
k
1
(
%
)
0mm
3mm
6mm
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
k
1
(
%
)
0mm
3mm
6mm
0mm
3mm
6mm

0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
k
2
(
%
)
0 2 4 6 8 10
0mm
3mm
6mm
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
k
2
(
%
)
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
0mm
3mm
6mm
0mm
3mm
6mm

Figura 2-73. Coeficientes k
1
y k
2
para el diseo asimtrico A (primario grande y extendido, secundario
pequeo y concentrado)

Tambin en el apartado anterior se pudo concluir que en el caso de los devanados
asimtricos (diseo A), el coeficiente k
1
siempre est ms favorecido que el k
2
, siendo
el devanado 1 el grande y con las vueltas extendidas y el devanado 2 el menor y con
las vueltas concentradas en el exterior. k
1
tambin permanece mayor que k
2
al
desplazar lateralmente los ejes de los devanados (figura 2-73).
Para estudiar qu diseo es ms insensible al desplazamiento, se han comparado
todos los resultados obtenidos y se ha calculado la variacin que se produce en el
coeficiente de acoplamiento al separar los ejes de los devanados.
DISEO A
DISEO B
Devanados iguales
DISEO C
Devanados iguales
1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
7,6
7,1
6,1
5,5
5,0
Desalineamiento 3mm
Perfectamente alineados
Variacin (%)
1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
7,6
7,1
6,1
5,5
5,0
Desalineamiento 3mm
Variacin (%)
Desalineamiento 3mm
Variacin (%)

1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
8,4
6,9
6,0
5,4
4,9
Desalineamiento 3mm
Variacin (%)
1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
8,4
6,9
6,0
5,4
4,9
Desalineamiento 3mm
Variacin (%)
Desalineamiento 3mm
Variacin (%)

1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
16,0
9,9
7,3
6,4
5,4
Desalineamiento 3mm
Variacin (%)
1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
16,0
9,9
7,3
6,4
5,4
Desalineamiento 3mm
Variacin (%)
Desalineamiento 3mm
Variacin (%)

Devanado
secundario
Devanado
primario
Devanado
secundario
Devanado
primario

Devanado
primario
Devanado
secundario
Devanado
primario
Devanado
secundario
Devanado
secundario
Devanado
primario
Devanado
secundario
Devanado
primario

Figura 2-74. Comparacin entre las variaciones en el coeficiente de acoplamiento para alineamiento
perfecto y un desplazamiento lateral intermedio (3mm) para los tres diseos considerados
Esta comparativa se muestra en las figuras siguientes. La figura 2-74 y la figura 2-76
son similares, de modo que en su parte superior hay un diagrama de barras por cada
diseo (A, B y C). Cada diagrama representa el acoplamiento para distintas
distancias entre los devanados (1, 3, 5, 7 y 9mm). Adems, en cada figura se han
considerado dos casos de alineamiento: alineamiento perfecto (=0mm) y
desplazamiento lateral intermedio (=3mm) en la figura 2-74; alineamiento perfecto
(=0mm) y mximo desplazamiento lateral (=6mm) en la figura 2-76. Sobre cada
dato se indica la variacin porcentual en el acoplamiento que supone pasar de un
desplazamiento a otro. Debajo de los diagramas de barras hay una vista de los
devanados del transformador, para comprobar la posicin relativa que adoptan sus
devanados.
Cuando el desplazamiento lateral entre los devanados es de 3mm, situacin que se
ha considerado intermedia entre las estudiadas, puede comprobarse que el diseo B
sigue siendo el que consigue el mximo acoplamiento (figura 2-75). En este sentido,
la construccin de devanados grandes y extendidos sigue siendo beneficiosa.
Sin embargo, si se estudia la variacin que se produce en el acoplamiento al pasar de
la situacin de alineamiento perfecto a la de desplazamiento de 3mm, la menor
variacin se produce para el diseo A: 7,6% de variacin frente a 8,4% del diseo B
cuando la separacin es 1mm. Esto se puede comprobar a la vista de los datos de la
figura 2-74. La razn es que pese al desplazamiento de los ejes, el devanado
secundario, que es de menor tamao que el primario, contina completamente
enfrentado a l, como puede observarse en la misma figura.
DESPLAZAMIENTO LATERAL INTERMEDIO = 3mm
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C

Figura 2-75.Acoplamiento en funcin de la separacin de los devanados para los tres diseos
considerados y un desplazamiento igual a 3mm
Por tanto, para aplicaciones de transferencia de energa sin contacto en las que la
separacin entre los devanados es constante y el desplazamiento es pequeo, puede
ser interesante un diseo del transformador en el que los devanados tengan diferente
dimetro. De este modo la variacin en el acoplamiento ser mnima y el diseo de la
fuente de alimentacin ms sencillo. En este caso tiene que asegurarse que para el
desplazamiento lateral mximo permitido el devanado pequeo contina enfrentado
el grande.
Sin embargo, en aplicaciones en las que la fuente de alimentacin puede absorber
variaciones del coeficiente de acoplamiento, lo que interesa siempre es conseguir el

diseo de mximo acoplamiento, que se obtiene que con el diseo B de devanados
grandes y extendidos.
DISEO A
1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
23,7
20,3
18,1
16,0
14,7
Desalineamiento 6mm
Variacin (%)
1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
23,7
20,3
18,1
16,0
14,7
Desalineamiento 6mm
Variacin (%)
Desalineamiento 6mm
Variacin (%)

DISEO B
Devanados iguales
1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
21,4
19,0
17,2
15,4
14,1
Desalineamiento 6mm
Variacin (%)
1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
21,4
19,0
17,2
15,4
14,1
Desalineamiento 6mm
Variacin (%)
Desalineamiento 6mm
Variacin (%)

DISEO C
Devanados iguales
1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
31,8
24,5
20,4
17,1
15,1
Desalineamiento 6mm
Variacin (%)
1
3
5
7
9
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
31,8
24,5
20,4
17,1
15,1
Desalineamiento 6mm
Variacin (%)
Desalineamiento 6mm
Variacin (%)

Devanado
secundario
Devanado
primario
Devanado
secundario
Devanado
primario

Devanado
primario
Devanado
secundario
Devanado
primario
Devanado
secundario

Devanado
primario
Devanado
secundario
Devanado
primario
Devanado
secundario
Figura 2-76. Comparacin entre las variaciones en el coeficiente de acoplamiento para alineamiento
perfecto y mximo desplazamiento lateral (6mm) para los tres diseos considerados
En el caso en el que el desplazamiento lateral alcanza el valor mximo que se ha
considerado, que es 6mm, el diseo B tambin es el que consigue un mximo
acoplamiento (figura 2-77). Adems consigue la menor variacin en el acoplamiento
al pasar de alineamiento perfecto a desplazamiento mximo, situacin que se recoge
en la figura 2-76: 21,4% frente a 23,7% del diseo A para una separacin entre los
devanados de 1mm. Tambin puede observarse en el dibujo de los transformadores
que se encuentra en la misma figura, las posiciones que han adoptado los devanados.
En el caso del diseo A, el devanado secundario ya no se enfrenta en su totalidad al
primario, y la superficie enfrentada es menor a la del diseo B. Para el diseo B, al
ser una corona de mayor dimetro exterior y menor dimetro interior, la superficie
enfrentada entre los devanados es muy grande, y por ello es el componente
magntico que presenta mayor acoplamiento. En el diseo C la superficie enfrentada
es muy pequea. Esto supone que con el diseo B se podra permitir que los ejes de
los devanados estuviesen ms desalineados y an as se conseguira mayor
acoplamiento que los diseo A y C.
Por tanto, cuando pueden producirse desplazamientos muy grandes entre primario
y secundario, lo ms interesante es emplear devanados grandes y con las vueltas
extendidas a lo largo del radio, de modo que siempre permanezca la mayor
superficie posible del devanado primario enfrentada a la del secundario.
DESPLAZAMIENTO LATERAL MXIMO = 6MM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C
(primario mayor que
Devanados iguales
Devanados iguales
DISEO B
DISEO C

Figura 2-77. Acoplamiento en funcin de la separacin de los devanados para los tres diseos
considerados y un desplazamiento lateral igual a 6mm
Resumen acerca del desplazamiento lateral
En aplicaciones con una separacin fija entre los devanados y desplazamientos
laterales permitidos muy pequeos puede disearse un transformador con poca
variacin del coeficiente de acoplamiento. En ese caso, uno de los devanados
debe ser mayor que el otro, de modo que para la situacin de mximo
deslizamiento continen con sus superficies enfrentadas.
En aplicaciones con un rango amplio de separaciones entre los devanados y una
tolerancia relativamente grande al desplazamiento lateral, conviene realizar los
devanados grandes y con un radio interior muy pequeo, con sus vueltas
repartidas a los largo del radio y con un ancho lo mayor posible.
2.8 Extensin del problema a otras dimensiones
En la introduccin a este captulo se mencion que las conclusiones y las reglas de
diseo extradas eran extrapolables a otros componentes magnticos siempre que se
conservasen adecuadamente las dimensiones. De inmediato surge la siguiente duda:
Cmo se modifican apropiadamente las dimensiones? Hay que mantener el rea
dentro de la espiras? O es la longitud de la espiral lo que hay que mantener?

En efecto no es lo mismo tener dos devanados de 10mm de dimetro separados 1mm
de distancia que dos devanados de 1m de dimetro separados 1mm. Intuitivamente
la respuesta sera que con el devanado mayor, conservando la estructura del
transformador y la separacin entre los devanados, se conseguira el mayor
acoplamiento. Adems debido al estudio anterior se ha comprobado que justamente
es as, y con devanados grandes se consigue mayor acoplamiento.
Mediante simulaciones se ha comprobado que al multiplicar todas las dimensiones
de los devanados por un factor de escala se conserva el acoplamiento, por lo que las
conclusiones extradas en los anteriores anlisis para optimizar el acoplamiento,
seguiran siendo vlidas. A continuacin se presentan los dos anlisis realizados para
extraer esta conclusin.
2.8.1 Ejemplo 1: devanados con una sola espira
En este primer ejemplo se han simulado los componentes magnticos representados
en la figura 2-78, que tienen una nica espira tanto en el devanado primario como en
el secundario. A partir de un diseo inicial, se han modificado todas sus dimensiones
multiplicndolas por un coeficiente entre 2 y 8, incluida la separacin entre los
devanados, la altura y anchura de las pistas.
Los diseos considerados son los siguientes (en todos los casos las dimensiones de la
PCB de primario y secundario son las mismas):
Tamao 1:
- Ancho de la pista = w = 100m
- Alto de la pista = h = 35m
- Radio del devanado primario = R
1
= 6mm
- Radio del devanado secundario = R
2
=9mm
- Separacin entre los devanados = d = 3mm
Tamao genrico n:
- Ancho de la pista = n w
- Alto de la pista = n h
- Radio del devanado primario = n R
1

- Radio del devanado secundario = n R
2

- Separacin entre los devanados = n d
De modo que al factor de escala n se le han dado los valores 2, 4 y 8.
R
1
R
2
d
R
1
R
2
d

2R
1
2R
2
2d
2R
1
2R
2
2d

4R
1
4R
2
4d
4R
1
4R
2
4d

Figura 2-78. Transformadores con una espira en cada devanado modificando linealmente todas sus
dimensiones
Los resultados obtenidos de la simulacin de estos transformadores se recogen en la
figura 2-79. En los cuadros blancos se representa el valor que alcanza la variable y en
los de color la proporcin que hay entre el valor de referencia (tamao 1) y al aplicar
el factor de escala.
A) INDUCTANCIA PROPIA DEVANADO
PRIMARIO
B) INDUCTANCIA PROPIA DEVANADO
SECUNDARIO
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
p
r
i
m
a
r
i
o

(
n
H
)
0
40
80
120
160
1 2 4 8
Factor de escala
18,4nH
7,83
3,97
2
36,9nH
73,1nH
144,2nH
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
p
r
i
m
a
r
i
o

(
n
H
)
0
40
80
120
160
1 2 4 8 1 2 4 8
Factor de escala
18,4nH
7,83
3,97
2
36,9nH
73,1nH
144,2nH

I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
s
e
c
u
n
d
a
r
i
o

(
n
H
)
0
50
100
150
200
250
1 2 4 8
Factor de escala
30,6nH
7,86
3,97
2
61,4nH
240,8nH
121,6nH
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
s
e
c
u
n
d
a
r
i
o

(
n
H
)
0
50
100
150
200
250
1 2 4 8
Factor de escala
0
50
100
150
200
250
1 2 4 8
Factor de escala
1 2 4 8
Factor de escala
30,6nH
7,86
3,97
2
61,4nH
240,8nH
121,6nH

C) INDUCTANCIA MUTUA ENTRE LOS
DEVANADOS
D) ACOPLAMIENTO EN FUNCIN DE LAS
DIMENSIONES
0
5
10
15
20
25
1 2 4 8
Factor de escala
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
m
u
t
u
a

(
n
H
)
3nH
8,07
4,14
2
6nH
12,4nH
24,2nH
0
5
10
15
20
25
1 2 4 8
Factor de escala
0
5
10
15
20
25
1 2 4 8
Factor de escala
1 2 4 8
Factor de escala
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
m
u
t
u
a

(
n
H
)
3nH
8,07
4,14
2
6nH
12,4nH
24,2nH

0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 2 4 6 8 10
Factor de escala
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
12,6%
12,6%
13,2%
13,0%
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 2 4 6 8 10
Factor de escala
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
12,6%
12,6%
13,2%
13,0%

Figura 2-79. Inductancia y acoplamiento variando linealmente todas las dimensiones del componente
magntico con una espira en cada devanado
As puede verse que la inductancia aumenta linealmente con la longitud del
devanado. En todos los casos la inductancia correspondiente a un tamao genrico n,

es n veces la inductancia correspondiente al tamao 1. Adems el acoplamiento
permanece constante en todos estos casos.
En cuanto a la resistencia, en la figura 2-80 puede observarse que a baja frecuencia se
cumplen las relaciones esperadas entre las resistencias. La resistencia en continua
correspondiente al factor de escala n (R
tamao n
) de uno solo de los devanados puede
calcularse como:

n
R
h n w k
R n
rea
longitud
R
tamao
n tamaa
1
1
2
=

= =

( 2-69)
Siendo R
tamao 1
la resistencia en continua correspondiente al tamao 1. Por tanto,
cuanto mayor sea el tamao, si se conservan proporcionalmente las dimensiones,
menor ser la resistencia de continua porque la seccin del conductor tambin es
mayor. Sin embargo, hay que tener en cuenta que los efectos de la alta frecuencia son
mucho ms importantes cuanto mayor es la seccin. El efecto pelicular hace que para
un conductor grueso la resistencia empiece a aumentar a una frecuencia mucho
menor que para un conductor fino.
0
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,35
0,40
1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
Factor de escala 1
Factor de escala 2
Factor de escala 4
Factor de escala 8
0
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,35
0,40
1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
Factor de escala 1
Factor de escala 2
Factor de escala 4
Factor de escala 8
Factor de escala 1
Factor de escala 2
Factor de escala 4
Factor de escala 8

Figura 2-80. Resistencia del primario en abierto variando linealmente todas las dimensiones del
componente magntico con una espira en cada devanado
2.8.2 Ejemplo 2: devanados con ms de una espira
Para comprobar que efectivamente se conserva el acoplamiento del transformador si
se aumentan linealmente todas las dimensiones del mismo, se ha realizado una
ltima serie de simulaciones de un transformador cuyos devanados tienen ms de
una espira. Los transformadores analizados estn dibujados en la figura 2-81.
Como puede verse, el devanado primario tiene tres vueltas y el secundario tiene dos
vueltas. Ambos estn construidos sobre una PCB cuyas dimensiones son las mismas
tanto para primario como para secundario.
R
1
R
2
d
R
1
R
2
d
2R
2
2d
2R
1
2R
2
2d
2R
2
2d
2R
1

4R
1
4R
2
4d
4R
1
4R
2
4d

Figura 2-81. Transformadores con ms de una espira en cada devanado modificando linealmente todas
sus dimensiones
Las dimensiones de los transformadores que se han considerado son:
Tamao 1:
- Ancho de la pista = w = 100m
- Alto de la pista = h = 35m
- Espaciado entre pistas = s = 100m
- Radio del devanado primario = R
1
= 6mm
- Radio del devanado secundario = R
2
=9mm
- Separacin entre los devanados = d = 3mm
Tamao genrico n:
- Ancho de la pista = n w
- Alto de la pista = n h
- Espaciado entre pistas = n s
- Radio del devanado primario = n R
1

- Radio del devanado secundario = n R
2

- Separacin entre los devanados = n d
Como en el caso anterior, al factor de escala n se le han dado los valores 2, 4 y 8.
Efectivamente se obtienen las mismas conclusiones que para los transformadores con
devanados de una sola espira: el acoplamiento permanece constante si se varan
linealmente todas las dimensiones del transformador y la inductancia vara
linealmente con la longitud del devanado. Todos estos resultados pueden
observarse en la figura 2-82.

A) INDUCTANCIA PROPIA DEVANADO
PRIMARIO
B) INDUCTANCIA PROPIA DEVANADO
SECUNDARIO
0
200
400
600
800
1000
1200
1 2 4 8
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
p
r
i
m
a
r
i
o

(
n
H
)
Factor de escala
128nH
7,93
3,99
2
255nH
1013nH
510nH
0
200
400
600
800
1000
1200
1 2 4 8
0
200
400
600
800
1000
1200
1 2 4 8
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
p
r
i
m
a
r
i
o

(
n
H
)
Factor de escala
128nH
7,93
3,99
2
255nH
1013nH
510nH

0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1 2 4 8
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
s
e
c
u
n
d
a
r
i
o

(
n
H
)
104nH
7,93
3,99
2
208nH
828nH
417nH
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1 2 4 8
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1 2 4 8
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
s
e
c
u
n
d
a
r
i
o

(
n
H
)
104nH
7,93
3,99
2
208nH
828nH
417nH

C) INDUCTANCIA MUTUA ENTRE LOS
DEVANADOS
D) ACOPLAMIENTO EN FUNCIN DE LAS
DIMENSIONES
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1 2 4 8
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
m
u
t
u
a

(
n
H
)
Factor de escala
19,9nH
7,98
4
2
39,7nH
158,7nH
79,4nH
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1 2 4 8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1 2 4 8
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
m
u
t
u
a

(
n
H
)
Factor de escala
19,9nH
7,98
4
2
39,7nH
158,7nH
79,4nH

0
4
8
12
16
20
0 2 4 6 8 10
Factor de escala
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
17,22%
17,21%
17,23%
17,33%
0
4
8
12
16
20
0 2 4 6 8 10
Factor de escala
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o

(
%
)
17,22%
17,21%
17,23%
17,33%

Figura 2-82. Inductancia y acoplamiento variando linealmente todas las dimensiones del componente
magntico con ms de una espira en cada devanado
2.9 Procedimiento de diseo para transformadores en aplicaciones
sin contacto
Soma propuso en [SOMA87] un mtodo de diseo del componente magntico para
aplicaciones sin contacto, en el cual el nico objetivo es maximizar el acoplamiento, y
para ello se propone construir los devanados lo mayores posibles y conseguir la
inductancia requerida variando el nmero de vueltas. La resistencia se obvia ya que
no hay frmulas para calcularla analticamente y es necesario recurrir a las
herramientas de anlisis por elementos finitos para obtenerla.
Pero en los apartados previos se ha mostrado que en muchos casos no es tan fcil
como parece y unas reglas tan sencillas no son vlidas o resultan de aplicacin
limitada debido a mltiples motivos que se resumen a continuacin:
No slo afecta el acoplamiento en el rendimiento del sistema, sino que las
resistencias son claves y deben ser optimizadas. Por tanto de nada vale conseguir
un alto acoplamiento si para ello es necesario aumentar excesivamente la
resistencia de los devanados. En los estudios existentes no se consideran las
resistencias porque no existen frmulas analticas para calcularlas en alta
frecuencia y no se emplea el anlisis por elementos finitos.
Cuando el tamao mximo de uno de los devanados est limitado, no por hacer
el otro lo mayor posible se maximiza el acoplamiento. Existe un tamao de
devanado ptimo a partir del cual no se mejora el acoplamiento y la resistencia
empeora.
A veces no es posible conseguir la inductancia requerida en una sola capa debido
a restricciones constructivas y es necesario emplear ms de una capa
conectndolas en serie.
En muchas aplicaciones para transferencia de energa sin contacto es posible
emplear ncleo magntico, y su influencia no haba sido estudiada hasta ahora
para transformadores con muy bajo acoplamiento.
Basndose en las conclusiones extradas de los anlisis anteriores, y como aportacin
original de esta tesis, se propone una metodologa para el diseo de los
transformadores para aplicaciones con transferencia de energa sin contacto, es
decir, con una separacin relativamente grande entre los devanados primario y
secundario.
El procedimiento de diseo es el siguiente:
1. Construir devanados planos y en espiral
Construyendo los devanados planos y en forma de espiral se consiguen mejores
resultados de acoplamiento y resistencia, aunque para conseguir la misma
inductancia que en un devanado en carrete son necesarias ms vueltas (si ambos
tienen el mismo dimetro exterior).
2. Optimizacin del acoplamiento
El mejor mtodo para mejorar el acoplamiento del componente magntico es
emplear un ncleo de material magntico. Con ncleo magntico se consigue un
acoplamiento mayor que sin ncleo para una misma separacin entre los devanados.
Adems se produce un efecto de apantallamiento y se necesitan menos vueltas para
conseguir la misma inductancia, por lo que las pistas pueden hacerse ms anchas
para reducir la resistencia. Las ventajas del ncleo magntico son especialmente
importantes a baja frecuencia. Sin embargo, tiene el inconveniente de que la
inductancia es muy dependiente de la separacin entre los devanados, lo que
dificulta el diseo de la fuente de alimentacin en aplicaciones donde los devanados
pueden variar su separacin. Adems, en ciertas aplicaciones no puede emplearse

ncleo magntico debido a restricciones de biocompatibilidad, peso, volumen,
fragilidad, etc.
Otra opcin, vlida en algunas aplicaciones, es emplear ncleo magntico tan solo
en uno de los devanados. De este modo se consigue aumentar el acoplamiento
respecto al caso de aire y la inductancia en el devanado con ncleo es insensible a la
separacin de los devanados.
Esta tesis se centra en los transformadores sin ncleo magntico porque son los ms
comunes en aplicaciones de implantes en el cuerpo humano. En estas aplicaciones se
suele emplear un imn para mantener alineados los devanados. Adems, el
devanado secundario, situado en el interior del cuerpo, tiene que ser biocompatible.
La opcin de ncleo magntico en el primario tambin ha sido analizada en esta tesis
al desarrollar los prototipos, pero eliminando el imn.
En cuanto a la estrategia de devanado ms apropiada, como ya se ha dicho lo mejor
es recurrir a la forma de espiral fabricada sobre una placa de circuito impreso. Es
cierto que lo mejor es construir los devanados lo mayores posibles [SOMA87], pero
no menos importante es extender las vueltas a lo largo del radio del devanado y
que ocupen el mayor rea posible para favorecer tanto acoplamiento como
resistencia.
En cuanto a las dimensiones de los devanados (dimetros interior y exterior), si solo
uno de los devanados tiene sus dimensiones acotadas, este devanado debe
construirse lo mayor posible. Para maximizar el acoplamiento, el diseo del dimetro
exterior del otro devanado depende del rango de distancias que estn separados. En
general el dimetro exterior debe ser mayor cuanto mayor sea la separacin entre los
devanados:
Si los devanados estn separados una distancia fija, no por hacer el devanado no
acotado muy grande se consigue mayor acoplamiento, sino que existe un tamao
ptimo a partir del cual el acoplamiento no mejora y la resistencia aumenta
mucho. Estas dimensiones ptimas deben determinarse por iteracin, calculando
el coeficiente de acoplamiento como se describir a continuacin.
Si debido a la aplicacin la distancia entre devanados puede variar, las
dimensiones deben determinarse como un compromiso entre mejorar el
acoplamiento para pequeas separaciones, para grandes o para la nominal. Este
compromiso debe adoptarse en funcin de los requisitos de rendimiento de la
fuente de alimentacin.
Una vez determinadas las dimensiones de los devanados y para determinar si el
rango de acoplamientos conseguidos con el transformador diseado es apropiado, el
coeficiente de acoplamiento debe calcularse analticamente.
Puesto que el acoplamiento no depende del nmero de vueltas, se deben calcular las
inductancias propias y mutua de los devanados, considerando que slo tienen una
espira cuyas dimensiones exterior e interior son las fijadas. La inductancia mutua
debe calcularse para todas las posibles separaciones entre los devanados primario y
secundario.
Para calcular la inductancia debe aplicarse el mtodo analtico para el clculo de la
inductancia de espiras realizadas con devanados planos sobre placa de circuito
impreso [HURLEY95], explicado con detalle en el apartado 2.2.1.1, y basado en la
siguiente frmula:
dk e ) h k , h k ( Q ) a k , a k ( S ) b k , b k ( S
a
a
ln
b
b
ln h h
) d , b , a ( M
d k
b a int ext int ext
int
ext
int
ext
a b

|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|

=

0
0

( 2-70)
Por tanto el coeficiente de acoplamiento podra calcularse como:

) , b , b ( M ) , a , a ( M
) d , b , a ( M
k
0 0
= ( 2-71)
Siendo d la distancia de separacin entre los devanados.
3. Clculo de la inductancia
Una vez determinada la geometra de cada devanado (radios interior y exterior), la
inductancia slo depende del nmero de vueltas.
Si para las dimensiones fijadas no es posible dar el nmero de vueltas para obtener la
inductancia necesaria, habr que emplear capas conectadas en serie. En estos casos es
necesario comprobar antes que el valor de la frecuencia de resonancia no est
prximo a la de funcionamiento. El modo de conexin de los devanados en serie y la
separacin entre las capas es importante para minimizar los efectos capacitivos y
determinar la frecuencia de resonancia.
Para hacerlo hay que aplicar la ecuacin de [HURLEY95], de modo que la
inductancia total del devanado sera igual a:

=
=
+ =
a a a
N
i
N
j i
i
N
j i
j
ij j i i i a
) z , a , a ( M ) , a , a ( M L
1 1 1
0 ( 2-72)
En este caso z
ij
sera la distancia vertical que separa las espiras, suponiendo que se
hayan usado varias capas en serie. Si el devanado fuese plano y en una sola capa,
z
ij
=0.

Debido a la complejidad de las ecuaciones, para calcular el nmero de vueltas N
a
se
propone un proceso iterativo. Conocidas las dimensiones del devanado se trata de ir
aumentando el nmero de vueltas hasta que se consiga la inductancia especificada,
ocupando las dimensiones especificadas para el devanado.
4. Minimizacin de la resistencia
Para reducir la resistencia en baja frecuencia, lo mejor es conectar capas en
paralelo. Otra opcin es conectar en serie capas con menos vueltas y pistas ms
anchas, pero la frecuencia de resonancia es todava ms baja que en el conexionado
en paralelo. Como ya se ha dicho, siempre que se emplea ms de una capa es
imprescindible comprobar cul es la frecuencia de resonancia del componente.
Para ello hay que obtener el modelo de capacidades del componente empleando la
herramienta de elementos finitos.
Dependiendo de la frecuencia de conmutacin de la fuente de alimentacin puede
ser ms interesante emplear una sola capa (si es posible dar el nmero de vueltas
para conseguir la inductancia especificada). En este caso se debe intentar que los
devanados tengan tanto material conductor como sea posible. Dependiendo de la
frecuencia, los efectos proximidad y pelicular pueden hacerse presentes, pero incluso
si se producen, las pistas anchas y prximas son ms adecuadas que las estrechas y
separadas (para un mismo nmero de vueltas). Esta opcin tambin es la ms
beneficiosa en trminos de acoplamiento.
Una vez diseado el componente magntico, para calcular su resistencia, su
inductancia y sus capacidades con precisin, debe recurrirse a modelar el
componente empleando anlisis por elementos finitos, del modo descrito en el
apartado 2.2.2.
En el Anexo I se propone un programa de Matlab para calcular todos los diseos
posibles de devanados primario y secundario, conocidas sus dimensiones mximas y
mnimas, y las inductancias requeridas. El programa proporciona el acoplamiento
conseguido con todas las combinaciones de primario y secundario, de modo que se
puede elegir el diseo no slo atendiendo al coeficiente de acoplamiento, sino que se
podra escoger un diseo con peor acoplamiento pero menor resistencia, de modo
que su rendimiento fuese mayor. Gracias a este programa slo es preciso modelar
con la herramienta de elementos finitos para calcular con precisin su resistencia en
alta frecuencia un nmero reducido de componentes magnticos.
2.10 Reglas de diseo
Una vez propuesto una metodologa de diseo para transformadores en aplicaciones
de transferencia de energa sin contacto, a continuacin se proporcionan unas guas
de diseo sobre las dimensiones de los devanados, el coeficiente de acoplamiento,
etc.
Si la aplicacin conlleva pequeos desplazamientos laterales y la variacin del
acoplamiento debe ser pequea, es mejor construir un devanado con su
dimetro exterior mayor que el otro. Pero hay que asegurar que para el
desplazamiento lateral mximo, los devanados continan con sus superficies
enfrentadas.
Existen aplicaciones en las que no se puede utilizar ncleo magntico por las
siguientes razones:
- Se utiliza un imn para mantener primario y secundario alineados, de
modo que el punto de operacin del material magntico se modifica por el
campo magntico constante impuesto por el imn y se satura.
- Existen restricciones de biocompatibilidad debido a que alguno de los
devanados est situado en el interior del cuerpo humano.
- Tambin hay otras razones como coste, tamao excesivo del ncleo
magntico, fragilidad de la ferrita, etc.
Si se pretende conseguir un rendimiento de la fuente de alimentacin
relativamente insensible a la separacin entre los devanados hay que centrarse
en conseguir el mayor acoplamiento posible para las separaciones ms grandes.
De este modo el acoplamiento mximo que se conseguir no es tan bueno, pero
la curva de acoplamiento en funcin de la separacin de los devanados ser ms
plana.
Si el componente magntico va integrado en una topologa que no puede
absorber variaciones de acoplamiento y la distancia entre los devanados es
variable, desde el punto de vista del control sera ms sencillo que el
acoplamiento fuese lo ms insensible posible a la distancia entre los devanados y
al desalineamiento. Para ello habra que hacer como en el caso anterior, es decir,
optimizar el acoplamiento para los casos ms desfavorables.
Si la frecuencia de conmutacin de la fuente de alimentacin, y por tanto la
frecuencia de operacin del componente magntico, est fijada en el rango de
los megahercios no se recomienda emplear ms de una capa. Al emplear ms de
una capa, tanto con conexin en serie como en paralelo, los efectos capacitivos se
hacen ms importantes. En los casos analizados con ms de una capa, esta
frecuencia es menor de 10MHz.
En las aplicaciones de transferencia de energa sin contacto que precisan un
contenedor para los circuitos electrnicos, como en las aplicaciones
biomdicas, conviene emplear contenedores plsticos o cermicos que no
modifiquen el campo magntico. Sin embargo, en algunos casos se opta por la

utilizacin de un contenedor metlico, como una caja de titanio. Los materiales
metlicos cercanos no solo provocan prdidas adicionales debido a las corrientes
inducidas, sino que reducen el acoplamiento al originar una distorsin de las
lneas de campo magntico. Entonces, con el objeto de mejorar el rendimiento del
componente magntico conviene situar el contenedor metlico en un lateral del
devanado, y nunca debajo.
Anlisis de topologas para aplicaciones con transferencia de energa sin contacto 141
Captulo 3
Anlisis de topologas para aplicaciones con transferencia
de energa sin contacto
ndice
3. Anlisis de topologas para aplicaciones con transferencia de energa
sin contacto
3.1 Importancia de la topologa en las aplicaciones de transferencia de energa sin
contacto
3.2 Clasificaciones de las topologas resonantes utilizadas para aplicaciones sin
contacto
3.2.1 Comparacin atendiendo a la ganancia de tensin
3.2.2 Comparacin segn el nmero de interruptores
3.3 Resumen de algunas topologas resonantes empleadas en aplicaciones de
3.4 Anlisis de topologas de convertidores CC/CC resonantes
3.5 Topologas con tanque resonante serie en el secundadio y rectificador de
media onda
3.5.1 Modelado del convertidor con tanque resonante serie y rectificador de
media onda
media onda y etapa inversora con un solo interruptor
142 Anlisis de topologas para aplicaciones con transferencia de energa sin contacto

media onda y etapa inversora en medio puente
3.5.2 Anlisis del convertidor con tanque resonante serie y rectificador de
media onda
3.5.2.1 Comparacin de las etapas inversoras propuestas
3.5.2.2 Consideraciones acerca del diseo del tanque resonante serie
3.5.2.3 Efecto de las capacidades parsitas de los diodos
3.5.2.4 Efecto del acoplamiento del transformador
3.5.2.5 Efecto de la variacin de carga
resonante serie en el secundario y rectificador de media onda
3.6 Topologas con tanque resonante paralelo en el secundario y rectificador de
media onda
3.6.1 Modelado del convertidor con tanque resonante paralelo y rectificador
de media onda
3.6.2 Anlisis del convertidor con tanque resonante paralelo y rectificador de
media onda
3.6.2.1 Comparacin de las etapas inversoras
3.6.2.2 Efecto de la capacidad parsita del diodo rectificador
3.6.2.3 Consideraciones acerca del diseo del tanque resonante paralelo
3.6.2.5 Efecto de la variacin de la carga
resonante paralelo en el secundario y rectificador de media onda
Captulo 3
3. Anlisis de topologas para aplicaciones con
Este captulo se centra en el anlisis de algunas topologas de potencia resonantes
tpicamente empleadas como convertidores CC/CC en aplicaciones de transferencia
de energa sin contacto. Su contenido es el siguiente:
En primer lugar se plantear de nuevo la importancia de la eleccin adecuada de
la topologa de potencia y el diseo correcto de la misma para maximizar el
rendimiento de la fuente de alimentacin. Se proporcionan algunas ideas bsicas
para elegir la topologa: minimizacin de las prdidas, fiabilidad, tamao, etc.
Descripcin de las topologas ya existentes en el estado de la tcnica y
clasificacin de las mismas atendiendo a dos puntos fundamentales: el nmero
de interruptores, relacionado con la potencia que puede manejar la topologa y
con las prdidas de conmutacin, y la curva de ganancia del circuito, relacionada
con el comportamiento de la topologa ante variaciones en el acoplamiento del
transformador.
Comparacin de algunas de las topologas existentes en el estado de la tcnica en
trminos de la potencia que manejan, las restricciones de cada una de ellas, las
tensiones aplicadas, el tamao del transformador, el medio en el que trabajan,
etc. Gracias a esta comparacin se plantea el panorama existente en el estado de
la tcnica y se conocen las limitaciones y ventajas de cada propuesta.
Descripcin de la metodologa tradicional empleada para analizar los circuitos
resonantes, basada en un anlisis de alterna clsico segn la propuesta de
Steigerwald [STEIGER88]. Estudio del rectificador con ms detalle para
sustituirlo por una impedancia equivalente en lugar de por una resistencia
equivalente, como es lo ms habitual. El anlisis con la impedancia equivalente
tiene una gran importancia para el diseo del convertidor debido a la influencia
de las capacidades parsitas de los diodos rectificadores en la frecuencia de
resonancia y en la corriente circulante. Gracias al anlisis realizado empleando
esta impedancia se podr cuantificar su efecto en el funcionamiento de la
topologa.

Anlisis de las topologas resonantes con tanque resonante serie y paralelo y
rectificador de media onda, empleando la metodologa ya mencionada y las
impedancias equivalentes calculadas.
Propuesta de un modelo para los convertidores para aplicaciones sin contacto
con tanque resonante serie en el secundario y con tanque resonante paralelo en el
secundario. Para obtener el modelo es necesario el clculo de la impedancia
equivalente del rectificador. Clculo de las curvas de ganancia de tensin y las
curvas de rendimiento en funcin de la frecuencia de conmutacinpara distintas
potencias.
Validacin del modelo. Comparacin de los resultados obtenidos con el modelo
analtico con otros obtenidos mediante simulacin con un simulador comercial
de los mismos circuitos.
Estudio de la influencia en el rendimiento y la tensin de salida del convertidor
de la etapa inversora, el diseo del tanque resonante, las capacidades parsitas
de los diodos rectificadores, la variacin en el acoplamiento del transformador y
la variacin de la carga.
Son aportaciones originales de este trabajo de investigacin la comparacin
exhaustiva entre las topologas empleadas por otros autores, la obtencin de una
impedancia equivalente del rectificador en los casos de muy baja potencia, el anlisis
de las topologas que se ha realizado empleando la impedancia equivalente
calculada, los modelos de las topologas serie y paralelo con inversores de un solo
interruptor y en medio puente, la comparacin entre las topologas anteriores y la
utilizacin del convertidor con nico interruptor y tanque resonante serie.
Entre todas estas aportaciones se concede ms importancia a la obtencin de la
impedancia equivalente al rectificador para el anlisis basado en el primer armnico.
Gracias a la obtencin de esta impedancia se puede cuantificar el efecto que se
produce en la frecuencia de resonancia, el rendimiento y la tensin de salida debido
a las capacidades parsitas de los diodos rectificadores. Este efecto cobra especial
importancia en las aplicaciones consideradas debido a la baja corriente con la que se
est trabajando, del orden de miliamperios.
3.1 Importancia de la topologa en las aplicaciones de transferencia
de energa sin contacto
Al plantear el problema de la transferencia de energa sin contacto (captulo 1) y
conocer las dificultades asociadas a este tipo de aplicaciones, se lleg a la conclusin
de que era tarea primordial dedicar esfuerzos a reducir las prdidas del sistema. Ello
repercute en una reduccin del tamao del sistema y un aumento de la autonoma.
Por tanto, el objetivo primordial de esta tesis es proporcionar unas reglas de diseo
generales para fuentes de alimentacin en aplicaciones de transferencia de energa
sin contacto, con el propsito de tener un criterio para minimizar sus prdidas.
Para conseguir este propsito se pueden analizar varios puntos fundamentales de la
fuente de alimentacin, como son el diseo del transformador, la eleccin de la
topologa de potencia y los accionamientos de los interruptores.
En el captulo anterior se realiz un completo anlisis de sensibilidad del
transformador a ciertos parmetros constructivos del mismo, de modo que se
plante un procedimiento de diseo que permite optimizar el acoplamiento,
minimizar la resistencia de los devanados y conseguir la inductancia especificada.
Pese a las mejoras que se puedan realizar en el transformador y el aumento de
acoplamiento que se pueda conseguir, las inductancias de dispersin de los
devanados siguen siendo muy grandes. Por ello se emplean topologas resonantes
que incorporan estas inductancias parsitas del transformador en su forma de
operacin, de modo que no se pierde la energa almacenada en ellas, sino que se
transfiere de un elemento resonante a otro.
La eleccin de una topologa adecuada y la realizacin de un diseo correcto de la
misma son imprescindibles por tanto para minimizar las prdidas de la fuente de
alimentacin y mitigar el efecto del transformador de bajo acoplamiento. Por
supuesto, la adecuacin de la topologa a la aplicacin en concreto depende de las
tensiones aplicadas, las condiciones de carga, la posibilidad de frecuencia fija o
variable y otros muchos factores como las restricciones asociadas a la aplicacin.
En el captulo 1 ya se mencionaron brevemente una serie de puntos claves para elegir
una topologa apropiada, que se desarrollan a continuacin:
La minimizacin de las prdidas de conmutacin puede conseguirse si se tiene
conmutacin a tensin cero en todos los semiconductores. Si se consigue
conmutacin a tensin cero puede incrementarse la frecuencia de conmutacin.
Centrndose en aplicaciones porttiles, es importante que la topologa no incluya
demasiados componentes que impliquen un tamao excesivo si no estn
justificados por una mejora del funcionamiento, como componentes magnticos
adicionales, circuitos de disparo complicados para los semiconductores
controlados, elevado nmero de interruptores, etc. Por tanto es importante que
la fuente de alimentacin sea sencilla y con pocos componentes.
La fuente de alimentacin debe ser fiable y debe funcionar en todas las
condiciones de trabajo especificadas. Debido a la propia naturaleza de estas
aplicaciones y la independencia entre la parte del primario y del secundario, en
general hay que ser capaz de asimilar un acoplamiento variable originado por
desplazamientos de los devanados o variaciones en la separacin entre los
mismos. En algunas aplicaciones estas tolerancias de posicin entre los

devanados son especialmente grandes. Por ejemplo, en las aplicaciones
biomdicas los devanados pueden estar separados por una distancia variable,
dependiente del grosor de la piel y los tejidos de cada paciente, por lo que no hay
un nico acoplamiento determinado, sino que este coeficiente puede variar en un
gran margen en el que la fuente de alimentacin tiene que ser capaz de trabajar
adecuadamente.
Basndose en todas estas premisas en este captulo se pretende obtener unos
modelos en gran seal de dos convertidores resonantes CC/CC. Empleando estos
modelos se puede analizar profundamente el funcionamiento de las topologas para
optimizar su diseo con el fin de conseguir minimizar las prdidas, considerando las
particularidades de las aplicaciones para transferencia de energa sin contacto, y muy
especialmente las de muy baja potencia.
Existe un gran abanico de topologas existentes que son habitualmente empleadas en
aplicaciones de transferencia de energa sin contacto. El estado de la tcnica recoge
muchas de ellas que se pasan a describir en el apartado siguiente.
3.2 Clasificaciones de las topologas resonantes utilizadas para
aplicaciones sin contacto
Por tratarse la transferencia de energa sin contacto de un concepto tan amplio y que
incluye tantas y variadas aplicaciones, se han propuesto soluciones muy diversas,
cada una de ellas capaz de resolver los problemas que en concreto se plantearon para
esa aplicacin determinada.
Debido a esta generalidad, la clasificacin de las topologas existentes presenta una
gran complicacin. Sin embargo, buscando las similitudes entre las topologas ms
habituales, en este trabajo de investigacin se proponen dos clasificaciones
diferentes:
Atendiendo a la ganancia de tensin, relacionado con el comportamiento de la
topologa ante variaciones del coeficiente de acoplamiento del transformador.
Atendiendo al nmero de interruptores, relacionado con la potencia que es
capaz de manejar el convertidor.
A continuacin se plantean estas clasificaciones y se describen brevemente algunas
de las soluciones ya presentes en el estado de la tcnica como topologas para
convertidores CC/CC en aplicaciones de transferencia de energa sin contacto.
3.2.1 Comparacin atendiendo a la ganancia de tensin
Una de las formas de clasificar las topologas empleadas en aplicaciones de
transferencia de energa sin contacto es fijndose en la forma de la curva de la
ganancia de tensin, que relaciona la tensin de entrada del convertidor con la de
salida. Mediante esta curva se puede obtener informacin acerca del
comportamiento del convertidor resonante frente a variaciones en el coeficiente de
acoplamiento del transformador.
La diferencia entre unos y otros circuitos viene dada por el nmero de tanques
resonantes.
Circuitos con una sola sintona.
Estos circuitos se caracterizan por tener un solo tanque resonante, formado solo
en primario [NISHIMURA93, KIM01] o solo en secundario [PEDDER99,
HIRAI00, GHAHARY90, ABE00, KANAI00, AYANO02]. El tanque puede ser
serie o paralelo. Las ventajas e inconvenientes de uno u otro tipo de resonancia
son las comentadas en [STEIGER88], salvando que en esta referencia no se han
incluido comentarios acerca del efecto del rectificador en la resonancia o el efecto
de la variacin del coeficiente de acoplamiento del transformador.
La forma de la curva de la ganancia de tensin en estas topologas tiene
solamente un mximo y es muy sensible a variaciones en la frecuencia, el
acoplamiento o la carga. Esta opcin es muy apropiada cuando el convertidor
puede controlarse variando la frecuencia, debido a su sensibilidad a este
parmetro.
Frecuencia
T
e
n
s
i
n
d
e

s
a
l
i
d
a
(
V
)
0
5
10
15
20
k=30%
k=40%
k=50%
k=60%
f
1
f
2
Frecuencia
T
e
n
s
i
n
d
e

s
a
l
i
d
a
(
V
)
0
5
10
15
20
k=30%
k=40%
k=50%
k=60%
f
1
f
2

Figura 3-1. Tensin de salida en funcin de la frecuencia en un circuito resonante con una nica
sintona
En la figura 3-1 se ha representado la forma tpica de la tensin de salida de una
topologa con nica resonancia, representada en funcin de la frecuencia de
funcionamiento para varios coeficientes de acoplamiento k. Como puede
observarse, si se trabaja a la frecuencia marcada como f
1
, la tensin de salida es el
doble cuando el coeficiente de acoplamiento es igual a 30% que cuando es igual a
60%. Esta diferencia es todava ms acusada si se trabaja a la frecuencia f
2
. Por

tanto resulta imprescindible la existencia de un lazo de control de la tensin de
salida para compensar el efecto de la variacin de acoplamiento.
Puede observarse un ejemplo de convertidor con una nica sintona en la figura
3-2, que corresponde al circuito diseado por Kanai et al. [KANAI00] para
alimentar un equipo porttil.
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1
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2 R
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Figura 3-2. Convertidor propuesto por Kanai y basado en un convertidor de retroceso
M
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L
3

Figura 3-3. Convertidor propuesto por Zierhofer y Hochmair, basado en un clase E
Circuitos con doble sintona.
Son topologas con dos tanques resonantes sintonizados a distintas frecuencias.
Por tanto tienen dos condensadores formando los tanques resonantes con las
inductancias de primario y secundario del transformador [ZIERHOFER90,
ZIERHOFER91, JOUNG96, KIM01, KIM96, GALBRAITH87, SCHUDER71]. La
curva de la ganancia de tensin tiene una caracterstica forma de U
[DONALD83]. En la figura 3-3 aparece el circuito con dos resonancias propuesto
por Zierhofer y Hochmair [ZIERHOFER90], empleado en aplicaciones de muy
baja potencia como en las que est centrada esta tesis (12mW).
En la figura 3-4 se ha representado la tensin de salida en funcin de la
frecuencia para un convertidor con doble tanque resonante, uno en primario y
otro en secundario. Como puede observarse, en el centro de la U las curvas de
tensin son muy planas y por ello el circuito no es muy sensible a variaciones en
la frecuencia de funcionamiento. Adems, para la frecuencia marcada como f
1
, la
tensin de salida no vara en un margen demasiado grande incluso para grandes
variaciones del coeficiente de acoplamiento [DONALD88].
Un circuito de este tipo es especialmente til cuando la carga no requiere una
tensin de alimentacin excesivamente precisa, sino que se permite un margen
de valores en los que funciona. En estos casos, si la frecuencia de conmutacin
coincide aproximadamente con la frecuencia central de la U, el circuito trabaja
correctamente incluso a pesar de variaciones en la carga, y no es necesario cerrar
el lazo de control de la tensin de salida.
Frecuencia
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e
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s
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k=40%
k=50%
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Frecuencia
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k=30%
k=40%
k=50%
k=60%
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1

Figura 3-4. Tensin de salida en funcin de la frecuencia en un circuito resonante con doble sintona
Este tipo de circuitos de doble resonancia plantea un problema. La tensin
proporcionada por el convertidor CC/CC depende del coeficiente de
acoplamiento, por lo que la carga tiene que poder alimentarse con un rango de
tensiones. Esto supone una penalizacin en la autonoma de los sistemas
porttiles que se alimentan de bateras. Para explicar este efecto se puede
retomar un ejemplo que se coment en el captulo 1 y que se ha ilustrado de
nuevo en la figura 3-5. El convertidor CC/CC representado alimenta una carga
resistiva de 5k. Cuando la tensin de salida es 7V, el consumo de la carga es
9,8mW, y cuando la tensin de salida es 6V el consumo es 7,2mW. Como se ha
supuesto el mismo rendimiento en ambas situaciones, la potencia de entrada
tambin es mayor cuanto mayor es la tensin de salida: 19,6mW frente a

14,4mW. Por tanto, desde el punto de vista de la autonoma del sistema, es mejor
proporcionarle a la carga resistiva la menor tensin de alimentacin permitida.
A) TENSIN DE SALIDA 7V
=50%
5k
6V
P
s
=7,2mW P
e
=14,4mW
=50%
5k
6V
P
s
=7,2mW P
e
=14,4mW

B) TENSIN DE SALIDA 6V
=50%
5k
7V
P
s
=9,8mW P
e
=19,6mW
=50%
5k
7V
P
s
=9,8mW P
e
=19,6mW

Figura 3-5. Consumo para un convertidor CC/CC con carga resistiva y distintas tensiones de
alimentacin
3.2.2 Comparacin segn el nmero de interruptores
En uno de los ejemplos que se analiz en el captulo 1, correspondiente a la fuente de
alimentacin de un implante de cclea comercial, se comprob que el rendimiento de
la fuente de alimentacin era muy bajo debido a que haba muchas prdidas en los
interruptores y los accionamientos de los mismos. Este hecho pareca indicar que la
topologa escogida, con inversor en puente completo, no era adecuada para la
aplicacin de tan baja potencia que requiere una alta autonoma. Por tanto, establecer
una clasificacin de topologas atendiendo al nmero de interruptores puede resultar
muy interesante:
Un solo interruptor.
En este tipo de convertidores se consigue conmutacin a tensin cero en el
interruptor principal, por lo que las prdidas por conmutacin son casi nulas. Sin
embargo, el interruptor sufre esfuerzos de tensin y corriente mayores que con
topologas de muchos interruptores, por lo que es un dispositivo de peores
caractersticas.
La mayora de los convertidores CC/CC con nico interruptor presentes en la
literatura estn basados en la topologa clase E, como el propuesto por Zierhofer
y Hochmair para aplicaciones de muy baja potencia [ZIERHOFER90,
ZIERHOFER91, TROYK92]. Este convertidor est representado en la figura 3-3, y
sus mayores ventajas son que el rendimiento es bastante insensible a variaciones
en el coeficiente de acoplamiento del transformador y que el circuito es auto-
oscilante con frecuencia variable entre 10 y 11,5MHz.
Otra alternativa presente en el estado de la tcnica, propuesta por Kanai et al.
[KANAI00] est basada en un convertidor de retroceso, y se muestra en la figura
3-2. La aplicacin para la que fue diseado originalmente este convertidor
implicaba transferir energa a equipos porttiles. La energa empleada era solar,
y el objetivo era proponer fuentes de energa alternativas para cargadores de
batera en lugares donde no pudiera accederse a la lnea elctrica.
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Figura 3-6. Tanque resonante en el secundario
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Figura 3-7. Convertidor con doble sintona formada por dos tanques resonantes serie, uno en primario y
otro en secundario
Ms de un interruptor.
La mayora de las topologas propuestas tienen una etapa inversora en medio
puente [JANG00, KIM01] o en puente completo [NISHIMURA93,
NISHIMURA01, GHAHARY90, JOUNG96, VALTCHEV95]. La mayor
desventaja de estas configuraciones es las altas prdidas por conmutacin y la
complejidad del circuito de disparo para los interruptores aislados de masa.
Los convertidores en la figura 3-6 y la figura 3-7 ([GHAHARY90] y [JOUNG96]
respectivamente) han sido empleados para transferir hasta 48W de potencia a
travs de la piel de individuos con un corazn artificial.
3.3 Resumen de algunas topologas resonantes empleadas en
aplicaciones de transferencia de energa sin contacto
Al leer los artculos publicados acerca de topologas para aplicaciones con
transferencia de energa sin contacto, puede observarse que en general no se realiza
una comparacin entre las topologas existentes que confirme la bondad de la

escogida para la aplicacin en concreto. Existen por tanto mltiples topologas para
mltiples aplicaciones, cada una con unos requisitos en particular.
A continuacin se presenta una recopilacin de las topologas ms comunes y los
resultados que se han obtenido con cada una de ellas. Para ello, en la tabla 3-1 y la
tabla 3-2 se comparan las soluciones y se aportan distintos datos de relevancia:
Referencia: primer autor del artculo, tipo de etapa inversora y tipo de tanque/s
resonante/s.
Separacin entre los devanados: rango de posibles distancias entre el devanado
primario y el secundario.
Caractersticas del transformador: si el componente magntico tiene o no ncleo
de material magntico y qu material se emplea, dimensiones exteriores de los
devanados.
Coeficiente de acoplamiento: acoplamientos mnimo y mximo que la fuente de
alimentacin tiene que ser capaz de absorber.
Potencia de salida de la fuente de alimentacin, es decir, potencia consumida por
la carga.
Frecuencia de conmutacin: puede ser un rango de frecuencias si el convertidor
es controlado mediante frecuencia variable.
Rendimiento: datos ms significativos del rendimiento conseguido al emplear la
topologa.
La figura 3-8 compara grficamente los resultados de rendimiento de las tablas
anteriores. Se comparan los rendimientos obtenidos para distintos niveles de
potencia y se indican algunas de las caractersticas ms importantes de la aplicacin.
Parte de la informacin de esta figura ya se coment en el captulo 1, al indicar el
rango de potencias en el que se centran los estudios de esta tesis.
En esta figura se puede observar la disparidad entre unas aplicaciones y otras, el
coeficiente de acoplamiento tan diferente que se consigue de unos casos a otros. Por
tanto, a la vista de estos resultados no se puede concluir de qu topologa es la ms
adecuada para una determinada aplicacin o para un determinado nivel de potencia.
Sin embargo, s se pueden realizar las siguientes observaciones:
Los ms altos rendimientos se consiguen cuanto la potencia de funcionamiento
es mayor [JOUNG96]: 77% para una potencia de salida variable entre 12W y
18W.
En aplicaciones de muy baja potencia (milivatios) se emplean topologas con
estructuras inversoras de un nico interruptor [ZIERHOFER90, KANAI00].
Cuando no se emplea ncleo magntico, la frecuencia de conmutacin es mucho
ms elevada: 10MHz en [ZIERHOFER90].
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Cuando la estructura inversora empleada es en medio puente o puente
completo, la frecuencia de conmutacin es ms baja que cuando se emplea un
nico interruptor, y no se alcanzan los megahercios.
Una vez planteados algunos de los convertidores resonantes CC/CC presentes en el
estado de la tcnica para las aplicaciones de transferencia de energa, en los
siguientes apartados de esta tesis se analizarn en profundidad convertidores
orientados a muy baja potencia (marcado en la figura 3-8), con los objetivos de
reducir las prdidas de potencia y buscar una solucin sencilla y de reducido
tamao.
De forma original se presenta el modelo analtico de los convertidores CC/CC
resonantes de nica sintona con tanque resonante serie y con tanque resonante
paralelo, basado en el primer armnico e incluyendo los efectos capacitivos del
rectificador. Adems se compararn dos etapas inversoras para cada uno de estos
convertidores: con un nico interruptor y en medio puente.
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48%
40
12mW
68%
k=95
50mW
50%
k=70
69,4%
k=85
340mW
47%
V
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=230V
AC
3.3W
35%
V
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=310V
AC
12W 48W 40W
77%
k=16
77%
k=85
72%
k=39
50%
k=10
62%
k=32
A
u
t
o
r
:

Z
i
e
r
h
o
f
e
r
A
p
l
i
c
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c
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n
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m
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t
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n
c
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o

f
e
r
r
i
t
a
28,3%
k=17
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Potencia de salida
25%
k=10
48%
40
12mW
68%
k=95
50mW
50%
k=70
69,4%
k=85
340mW
47%
V
e
=230V
AC
3.3W
35%
V
e
=310V
AC
12W 48W 40W
77%
k=16
77%
k=85
72%
k=39
50%
k=10
62%
k=32
A
u
t
o
r
:

Z
i
e
r
h
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r
A
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m
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r
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n
c
l
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o

f
e
r
r
i
t
a
28,3%
k=17

Figura 3-8. Valores de rendimiento conseguidos para distintas aplicaciones y distintos valores del
rendimiento
3.4 Anlisis de topologas de convertidores CC/CC resonantes
En la bibliografa hay numerosos estudios analticos de los circuitos resonantes
CC/CC ms comunes: serie, paralelo y serie-paralelo. Steigerwald [STEIGER88]
escribi un artculo que ha sido referenciado en casi toda la literatura posterior y que
presenta las ventajas y desventajas de los mencionados tanques resonantes. Pero lo
ms importante de este artculo es que propone una metodologa sencilla y general
para el anlisis de los circuitos resonantes, basada en tcnicas clsicas de alterna. Esta
metodologa es empleada habitualmente para analizar cualquier circuito resonante, y
precisamente el anlisis de las topologas resonantes realizado en esta tesis se ha
basado en la aplicacin de las tcnicas de alterna.
La razn para poder emplear este tipo de anlisis de alterna en los circuitos
resonantes es que las formas de onda son casi sinusoidales. A la vista de la curva de
ganancia representada en la figura 3-1, la red resonante tiene el efecto de actuar
como un filtro pasa-banda, amortiguando los armnicos de mayor y de menor
frecuencia. Si el circuito est operando en una frecuencia de conmutacin prxima a
la de resonancia y el factor de calidad es suficientemente alto, las formas de las ondas
se aproximarn a sinusoides y el anlisis del primer armnico aportar resultados
suficientemente precisos.
El esquema general de un circuito resonante es el mostrado en la figura 3-9,
constituido por una etapa inversora cuya fuente de energa es una fuente de tensin
continua, un tanque resonante formado por impedancias (bobinas, resistencias y
condensadores) y una etapa rectificadora que convierte la tensin alterna en la
tensin continua que alimenta la carga (de comportamiento resistivo).
Para poder aplicar las tcnicas clsicas de alterna hay que sustituir cada una de las
partes no lineales del convertidor (circuito de conmutacin y rectificador) por un
sistema lineal equivalente a la frecuencia a la que se realiza el anlisis.
v
T
() v
rect
()
ETAPA
RECTIFICADORA
TANQUE
RESONANTE
ETAPA
INVERSORA
V
e
R
carga
+
-
V
s
v
T
() v
rect
()
ETAPA
RECTIFICADORA
TANQUE
RESONANTE
TANQUE
RESONANTE
ETAPA
INVERSORA
ETAPA
INVERSORA
V
e
R
carga
+
-
V
s

Figura 3-9. Esquema de un convertidor CC/CC resonante
La etapa inversora se sustituye por una fuente de tensin sinusoidal cuya frecuencia
de funcionamiento es igual a la frecuencia de funcionamiento del circuito, y cuya
amplitud es igual al primer armnico de la tensin que se aplica al tanque resonante.
Conociendo este dato, el primer armnico de las tensiones y corrientes presentes en
el circuito resonante es fcilmente calculado mediante un anlisis de alterna clsico.

La resistencia de carga que se usa en el anlisis de alterna no es igual a la resistencia
de carga de la fuente de alimentacin. La impedancia equivalente (Z
eq
) se calcula
como el cociente entre el valor eficaz de los primeros armnicos de la tensin (V
rect
) y
la corriente (I
rect
) a la entrada del rectificador
*
. Al tratarse de ondas sinusoidales, el
cociente de los valores eficaces es igual al de los valores de pico:

rect
rect
eq
I
V
Z = ( 3-1)
Para explicar el motivo de la sustitucin del rectificador por una impedancia
equivalente puede considerarse a modo de ejemplo el rectificador en la figura 3-10.
Calculando las series de Fourier correspondientes a la tensin v
rect
y la corriente i
rect

de entrada al rectificador:

+ =
k
k rect
) t k ( sen V
V
) t ( v
2
0
( 3-2)
) t ( sen I ) t ( i
rect
+ = ( 3-3)
Al ser la corriente sinusoidal, slo tiene un armnico cuyo valor de pico coincide con
el valor de pico de la seal (I). Si se calcula la potencia consumida por el rectificador:

= =
T
rect rect rect
I V
dt ) t ( i ) t ( v
T
P
0
1
2
1
( 3-4)
Donde V
1
e I son iguales a los valores de pico del primer armnico de la tensin y la
corriente a la entrada del rectificador, respectivamente. Es decir:

rect
V V =
1
( 3-5)

rect
I I = ( 3-6)
Por tanto, se puede concluir lo siguiente respecto a la impedancia equivalente:
La tensin y la corriente en la impedancia equivalente son iguales al primer
armnico de la tensin y la corriente a la entrada de la etapa rectificadora.
La potencia consumida por la impedancia equivalente es la misma que la
consumida por el rectificador.
En el artculo de Steigerwald [STEIGER88], la impedancia equivalente considerada es
siempre una resistencia, porque el primer armnico de la tensin y el primer

*
El anlisis del primer armnico se realiza por medio de fasores. En esta tesis, para indicar los
fasores se han empleado letras cursivas.
armnico de la corriente a la entrada del rectificador estn en fase. En la figura 3-10
se presenta uno de los ejemplos resueltos en este artculo: la resistencia equivalente
del rectificador de doble onda con fuente sinusoidal de corriente, caso del circuito
resonante con tanque serie.
v
rect
rect rect
i I =
R
carga
+
-
V
s
V
s
V
rect
v
rect
I
p
I
p
i
rect
I
s
v
rect
rect rect
i I =
R
carga
+
-
V
s
V
s
V
rect
v
rect
I
p
I
p
i
rect
I
s

Figura 3-10. Formas de onda de tensin y corriente en un rectificador de doble onda con fuente de
corriente sinusoidal (convertidor resonante serie)
A la vista de las formas de onda mostradas en la figura, el clculo de la resistencia
equivalente se realiza del siguiente modo:
Clculo del primer armnico V
rect
de la tensin a la entrada del rectificador v
rect

en funcin de la tensin de salida V
s
:

s rect
V =
4
V ( 3-7)
Clculo del primer armnico I
rect
de la corriente a la entrada del rectificador i
rect
:
es igual al valor de pico I
p
de la fuente de corriente, por tratarse de una onda
sinusoidal.

p rect
I = I ( 3-8)
Sin embargo, el valor de pico I
p
es desconocido. Puede calcularse sabiendo que la
corriente de salida I
s
es igual al valor medio de la corriente despus del puente
de diodos.

p
p s
I
d sen I I

= =

2
) (
1
0
( 3-9)

p rect
I = I ( 3-10)
Clculo de la resistencia equivalente R
eq
como cociente de los valores anteriores:

a c eq
R R
arg 2
8
=
( 3-11)
Sin embargo, en el general tensin y corriente a la entrada del rectificador no tienen
por qu estar en fase. De hecho se comprobar que en los ejemplos considerados en
esta tesis existe un desfase entre la tensin y la corriente que hace que la impedancia
equivalente est formada por un condensador y una resistencia. Este desfase es
debido a que la forma de tensin a la entrada del rectificador no es cuadrada, ya que
el tiempo de carga y descarga de las capacidades parsitas de los diodos
rectificadores no es despreciable.
En el estado de la tcnica existe algn anlisis considerando la influencia de las
capacidades parsitas de la etapa rectificadora. Por ejemplo, en [IVENSKY99] se
calcul la impedancia equivalente de un rectificador en puente completo para un
convertidor clase D que inclua un transformador piezoelctrico. En [MARTIN02_1,
MARTIN02_2] tambin se consider el efecto capacitivo de la etapa rectificadora
para el tanque resonante LCC empleando el mtodo de la funcin descriptiva.
A) CONSIDERANDO SOLO UNA RESISTENCIA
EQUIVALENTE
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
T
e
n
s
i
n

d
e

s
a
l
i
d
a

(
V
) Carga 10k
Carga 1k
Carga 100
Carga 10
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
T
e
n
s
i
n

d
e

s
a
l
i
d
a

(
V
) Carga 10k
Carga 1k
Carga 100
Carga 10

B) CONSIDERANDO UNA IMPEDANCIA
EQUIVALENTE
10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
Carga 10k
Carga 1k
Carga 100
Carga 10
T
e
n
s
i
n

d
e

s
a
l
i
d
a

(
V
)
10k 100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
Carga 10k
Carga 1k
Carga 100
Carga 10
T
e
n
s
i
n

d
e

s
a
l
i
d
a

(
V
)

Figura 3-11. Tensin de salida para un convertidor resonante serie variando la carga
A la hora de modelar el comportamiento del convertidor, hay mucha diferencia entre
que el rectificador se pueda sustituir por una resistencia equivalente o por una
impedancia equivalente. Este ltimo caso complica el anlisis. La resistencia
equivalente solo depende de la resistencia de carga, mientras que la impedancia
depende no solo de la resistencia de carga sino tambin de la frecuencia de
funcionamiento y las capacidades parsitas de los diodo rectificadores.
En la figura 3-11 se ha representado la curva de la tensin de salida en funcin de la
frecuencia para un convertidor resonante serie con distintas cargas. En la figura
3-11.a se ha sustituido el rectificador por una resistencia equivalente calculada del
modo tradicional segn la ecuacin ( 3-20). Puede observarse que hay diferencia con
las de la figura 3-11.b. En este ltimo caso, para el clculo de la tensin de salida se
ha calculado la impedancia equivalente en cada frecuencia, de modo que en muchos
casos ser prcticamente una resistencia (las curvas coinciden para carga 10 y
100) mientras que en otros no es as. Cuando la carga es 10k la frecuencia de
resonancia es mucho mayor que la predicha mediante el anlisis clsico con
resistencia equivalente. De hecho la resonancia se produce a muy alta frecuencia
(ms de 4MHz) y el factor de calidad del tanque resonante es muy alto.
Por tanto, el efecto de la impedancia equivalente es ms notable a alta frecuencia y
con bajas potencias, es decir, justo para los funcionamientos en los que est
centrado este trabajo de investigacin. Por tanto este efecto no solo no es
despreciable sino que se ha hecho un esfuerzo por modelarlo en detalle para
cuantificar su influencia en el rendimiento del convertidor.
En resumen, las tcnicas de alterna pueden utilizarse para analizar los convertidores
resonantes considerando la componente fundamental de todas las formas de onda y
cargando el circuito resonante con una impedancia equivalente que considera los
efectos no lineales del rectificador.
V
e
V
T
() V
rect
()
Clculo de la
ganancia del
convertidor resonante
Clculo de la
ganancia del
Anlisis de la
etapa inversora
Anlisis de la
etapa inversora
Obtencin de una
impedancia equivalente
a la etapa rectificadora
Obtencin de una
) (
inv
G ) (
conv
G
Z
eq
()
v
T
() v
rect
()
ETAPA
RECTIFICADORA
TANQUE
RESONANTE
ETAPA
INVERSORA
V
e
R
carga
+
-
V
s
V
e
V
T
() V
rect
()
Clculo de la
ganancia del
Clculo de la
ganancia del
Anlisis de la
etapa inversora
Anlisis de la
etapa inversora
Obtencin de una
Obtencin de una
) (
inv
G ) (
conv
G
Z
eq
()
v
T
() v
rect
()
ETAPA
RECTIFICADORA
TANQUE
RESONANTE
ETAPA
INVERSORA
V
e
R
carga
+
-
V
s
v
T
() v
rect
()
ETAPA
RECTIFICADORA
TANQUE
RESONANTE
TANQUE
RESONANTE
ETAPA
INVERSORA
ETAPA
INVERSORA
V
e
R
carga
+
-
V
s

Figura 3-12. Pasos a seguir en el anlisis del convertidor CC/CC resonante

Pasos a seguir para el modelado del convertidor resonante empleando
tcnicas clsicas de alterna
El mtodo empleado en este trabajo de investigacin para realizar el anlisis de cada
una de las topologas resonantes de convertidores CC/CC consiste en los siguientes
pasos, representados grficamente en la figura 3-12:
1. Sustitucin de la etapa rectificadora no lineal por una impedancia equivalente
Z
eq
: la tensin y la corriente sinusoidales por esta impedancia tienen que ser
iguales al primer armnico de la tensin y la corriente a la entrada del
rectificador.
Para calcular la impedancia equivalente es necesario:
- Estudio detallado del funcionamiento del rectificador. Anlisis en
profundidad de las formas de onda de la tensin v
rect
y la corriente i
rect
de
entrada al rectificador.
- Bsqueda de los datos de los diodos rectificadores en las hojas de
caractersticas proporcionadas por los fabricantes (tensin de codo,
capacidades parsitas, resistencia) para analizar su influencia en las formas
de onda anteriores.
- Clculo analtico del primer armnico de la tensin V
rect
y la corriente de
entrada I
rect
al rectificador
.
- Clculo de la impedancia equivalente segn la ecuacin ( 3-1).

El primer armnico u
1
() de la seal u() es igual a:
) cos( ) ( ) (
1
+ =
u u
X sen R u
Y los coeficientes puede calcularse como:

2
0
) ( ) (
1
d sen u R
u

2
0
1
d ) cos( ) ( u X
u

Expresado a travs de su fasor U
1
:

u u
X j R + =
1
U
De modo que el mdulo del fasor U
1
es:

2 2
1 u u
X R + = U
Y el argumento:

u
u
R
X
) arg( =
1
U

2. Clculo de la ganancia del tanque resonante G
tanque
(): se trata de una sencilla
operacin con las impedancias del circuito resonante:
- Obtencin de un modelo en impedancias del transformador de bajo
acoplamiento, vlido para las frecuencias a las que se realiza el anlisis. Si
el anlisis se va a realizar a una sola frecuencia, el transformador puede
sustituirse por un sencillo modelo vlido para la frecuencia del anlisis, ya
que los armnicos de orden superior son amortiguados. Sin embargo, si se
quiere realizar un barrido en frecuencia, el transformador tendr que ser
sustituido por un modelo con impedancias vlido en todo el rango de
frecuencias, como el modelo presentado en el captulo anterior y
construido mediante redes de Foster.
- Clculo de la ganancia del tanque resonante G
tanque
() operando con las
impedancias del circuito.
- Si el anlisis se realiza considerando que se quiere proporcionar a la
resistencia de carga una tensin y una potencia determinadas, se trata de
calcular el primer armnico de la tensin de entrada V
T
necesario para ello:

) (
) (
) (
que tan
rect
T
G
V
V = ( 3-12)
- Clculo del primer armnico del resto de ondas en el circuito.
3. Anlisis de la etapa inversora y clculo de la ganancia total del convertidor
G
conv
(): estudio de la tensin continua que debe proporcionar la batera. En esta
etapa ya debe abandonarse el anlisis del primer armnico, ya que para evaluar
la ganancia de la etapa inversora hay que reconstruir las formas de onda. El dato
de partida es el primer armnico de la tensin a la salida de esta etapa.
- Estudio detallado del funcionamiento de la etapa inversora y obtencin de
ecuaciones que representen la tensin a la salida de esta etapa.
- Clculo analtico del primer armnico de la tensin a la salida de la etapa
inversora a partir de las ecuaciones anteriores. Este valor calculado tiene
que ser igual al mdulo de V
T
. Mediante esta igualdad puede calcularse el
valor de la tensin continua V
cc
necesaria para conseguir la tensin y
potencia de salida fijados.

cc
rect
conv
V
) (
) (

V
G = ( 3-13)
- Planteamiento del balance de potencias en el convertidor para calcular la
corriente continua suministrada por la batera I
cc
y poder calcular el
rendimiento:

cc cc
s s
I V
I V
= ( 3-14)
Todos estos puntos se han resumido grficamente en la tabla de la figura 3-13.
Caractersticas del mtodo analtico
Una vez descrito el mtodo que se va a seguir para el anlisis de algunas etapas
resonantes, resulta interesante remarcar algunas de las ventajas y caractersticas ms
importantes aportadas por el mtodo analtico:
9 Resulta de inmensa utilidad disponer de unas ecuaciones que proporcionan
resultados fiables e inmediatos acerca de la batera que se necesita para
suministrar energa a una carga determinada y permiten estimar el rendimiento
de esta conversin.
9 Al poderse estimar todas las tensiones y corrientes del circuito, se facilita el
dimensionado de los componentes.
9 Gracias a las ecuaciones se puede llegar a comprender mejor las ventajas e
inconvenientes de cada topologa, ya que para obtener estas frmulas es
necesario estudiar el funcionamiento del convertidor a fondo.
9 Se consigue un importante ahorro de tiempo al evitarse iteraciones que seran
necesarias en un proceso de simulacin, como modificar la tensin de entrada
hasta hallar el valor con el que se consigue la tensin de salida deseada. Adems
el resultado es inmediato y no hay que esperar a que la simulacin llegue al
rgimen permanente.
9 Se pueden cambiar mltiples parmetros del circuito con facilidad. Por tanto es
posible elaborar estudios de sensibilidad de la topologa a todos los elementos
del circuito con mucha sencillez. Esto resulta de especial inters para estudiar el
efecto del transformador en la topologa, y sobre todo para observar cmo afecta
la modificacin del coeficiente de acoplamiento a la transferencia de energa.
Pese a todas estas ventajas, se debe ser consciente de que el mtodo analtico tambin
presenta algunas limitaciones e inconvenientes:
8 La exactitud de los resultados depende del punto de trabajo (frecuencia prxima
a la de resonancia), el factor de calidad, la existencia de conmutacin a tensin
cero, etc. Todos estos puntos deben considerarse a la hora de evaluar la calidad
de los resultados obtenidos.
8 Para las simplificaciones que se han asumido al obtener las ecuaciones, los
resultados extrados deben ser lo suficientemente precisos. Es decir, cuando se
cumplan todas las hiptesis de partida, el error entre los resultados analticos y
los medidos debe ser aceptable.
8 Las topologas resonantes, pese a su aparente simplicidad, encierran un
complicado funcionamiento y el planteamiento de unas ecuaciones tan
complejas que resulta muy difcil extraer conclusiones sencillas de las mismas.
Para resolverlas pueden ser necesarias herramientas matemticas, pues en
algunos casos se trata de complicados sistemas de ecuaciones no lineales.
8 Los resultados dependen de la precisin de los datos de las hojas de catlogo
proporcionadas por los fabricantes de semiconductores. En los clculos se tienen
en cuenta algunos elementos tales como capacidades parsitas de los diodos
rectificadores o resistencia en conduccin de los MOSFETs. Es importante por
tanto que los valores proporcionados por el fabricante sean bastante exactos. Si
no se tiene certeza de la precisin de estos datos resulta interesante realizar un
anlisis de sensibilidad de la topologa al parmetro en cuestin.
PASO 1:
Impedancia equivalente
Estudio rectificador
Expresin analtica del primer armnico
de tensin V
rect
y corriente I
rect
a la
entrada del rectificador en funcin de la
tensin de salida V
s
y la carga R
carga
Caracterizacin diodos (cada de
tensin directa, capacidad parsita, etc)
Clculo impedancia equivalente Z
eq
PASO 2:
Ganancia tanque resonante
Modelo del transformador
Clculo de la ganancia del
tanque resonante G
tanque
Clculo del primer armnico de tensin
a la salida de la etapa i nversora V
T
Clculo del primer armnico de las
corrientes circulantes por el circuito
PASO 3:
Ganancia del convertidor
Estudio etapa inversora
Expresin analtica para calcular el
primer armnico de la tensin a la
salida de la etapa i nversora V
T
en
funcin de la tensin continua a la
entrada V
cc
Balance de potencias:
P
entrada
= Prdidas + P
salida
Clculo de la tensin V
cc
y la corriente
I
cc
continuas proporcionadas por la
batera
ESTUDIO FUNCIONAMIENTO TOPOLOGA
MODELADO ANALTICO TOPOLOGA
VALIDACIN MODELO
SIMULACIN EMPLEANDO EL MODELO
REGLAS DE DISEO
PASO 1:
de tensin V
rect
y corriente I
rect
a la
tensin de salida V
s
y la carga R
carga
eq
PASO 2:
tanque resonante G
tanque
T
PASO 3:
T
en
entrada V
cc
P
entrada
= Prdidas + P
salida
cc
y la corriente
I
cc
batera
PASO 1:
de tensin V
rect
y corriente I
rect
a la
tensin de salida V
s
y la carga R
carga
eq
PASO 2:
tanque resonante G
tanque
T
PASO 3:
T
en
entrada V
cc
P
entrada
= Prdidas + P
salida
cc
y la corriente
I
cc
batera
ESTUDIO FUNCIONAMIENTO TOPOLOGA
MODELADO ANALTICO TOPOLOGA
VALIDACIN MODELO
SIMULACIN EMPLEANDO EL MODELO
REGLAS DE DISEO

Figura 3-13. Metodologa a seguir para el anlisis de los convertidores resonantes CC/CC
En este trabajo de investigacin se ha realizado un especial esfuerzo por analizar
cada ecuacin y extraer una conclusin de la misma. De este modo el mtodo
analtico no tiene por qu resultar complejo, oscuro o confuso, sino que se
comprende que todas las ecuaciones extradas son necesarias, cul es su significado y
cules son sus limitaciones.

Conocer y asumir estas limitaciones del mtodo analtico redunda en una mejora de
la calidad de los resultados obtenidos, al saber valorarlos en su justa medida,
aceptarlos cuando se cumplen las condiciones adecuadas y cuestionar su validez en
otros casos.
3.5 Topologas con tanque resonante serie en el secundadio y
rectificador de media onda
Como se ha visto, el transformador de bajo acoplamiento constituye una parte
fundamental de los convertidores para transferencia de energa sin contacto. De
hecho, debido al bajo acoplamiento, la inductancia magnetizante del transformador
es comparable o menor que la inductancia de dispersin del secundario. Por ello una
parte importante de la corriente que circula por el primario del transformador
retorna a la fuente a travs de la inductancia magnetizante. Esto significa que para
proporcionar una potencia determinada a la salida existe una alta corriente
circulante que incrementa las prdidas. Este problema puede aliviarse reduciendo la
impedancia de la rama del secundario, para lo que se puede colocar un condensador
en serie con el devanado secundario, de modo que formen un tanque resonante serie
[GHAHARY90].
En la figura 3-14 se han resumido algunas de las ventajas y desventajas resumidas en
[STEIGER88] para los convertidores CC/CC con tanque resonante serie. Adems
pueden observarse las curvas de ganancia normalizadas para distintos valores del
factor de calidad, obtenidas todas ellas a partir del anlisis tradicional mediante
tcnicas de alterna, con el rectificador sustituido por una resistencia equivalente.

Ventajas:
9 La corriente decrece cuando la carga
decrece, de modo que el rendimiento
no disminuye mucho al hacerlo la
carga.
Desventajas:
8 No hay regulacin sin carga, porque la
curva de ganancia se hace no selectiva
(casi horizontal) a medida que se reduce
la carga.
8 El condensador de salida soporta un alto
rizado de corriente.
Figura 3-14. Ventajas y desventajas del convertidor resonante serie segn el anlisis propuesto en
[STEIGERWALD88]
Las topologas con tanque resonante serie que se van a analizar en esta tesis son las
mostradas en la figura 3-15 y la figura 3-16. Como puede observarse, ambas
topologas tienen el mismo tanque resonante y la misma etapa rectificadora. El
rectificador considerado es el de media onda debido a su reducido nmero de
componentes. No hay que olvidar que la aplicacin en torno a la cual gira esta tesis,
que es los implantes en el interior del cuerpo humano, tienen una importante
restriccin de tamao y nmero de componentes.
La primera topologa a analizar est basada en el convertidor clase E (figura 3-15). El
esquema de esta topologa fue publicado por primera vez por Redl y Sokal en una
revisin de topologas basadas en el convertidor clase E [REDL89]. El transformador
empleado en esa ocasin era un transformador convencional, con alto coeficiente de
acoplamiento. Sin embargo, los transformadores empleados en las aplicaciones con
transferencia de energa sin contacto tienen como caracterstica principal la pequea
inductancia magnetizante debido al bajo acoplamiento. El anlisis completo de esta
topologa con el transformador de bajo acoplamiento es una aportacin original de
esta tesis.
M
1
C
1
C
3
R
carga
V
cc
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
1
D
2
C
2
M
1
C
1
C
3
R
carga
V
cc
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
1
D
2
C
2

Figura 3-15. Convertidor CC/CC basado en el clase E con tanque resonante serie en el secundario
El convertidor en medio puente mostrado en la figura 3-16 tiene ms componentes
que el anterior. Adems, tiene la importante desventaja de que uno de los
interruptores no tiene la fuente referida a masa, lo que complica la etapa de control.
Algunos de los resultados obtenidos al emplear esta topologa ya se comentaron en
el apartado 3.3 [GHAHARY90]: se consegua un alto rendimiento (62%), pero la
potencia de salida era mucho ms elevada de la considerada (48W). Al considerar en
este trabajo de investigacin potencias de trabajo de milivatios, las prdidas que se
pueden producir en los accionadores
de los interruptores son significativas y

tendrn ms peso que en las aplicaciones de mayor potencia, como la mencionada.
Con el modelo del convertidor que se propone en este trabajo de investigacin, es
podr calcular el rendimiento de la etapa de potencia, pero no se podrn extraer
conclusiones del consumo de los accionadores.

En ingls, drivers.

D
1
M
1
C
1
M
2
C
4
C
2
C
3
R
carga
V
cc
k
L
1
L
2
+
-
V
s
D
2
D
1
M
1
C
1
M
2
C
4
C
2
C
3
R
carga
V
cc
k
L
1
L
2
+
-
V
s
D
2

Figura 3-16. Convertidor CC/CC de medio puente con tanque resonante serie en el secundario
El convertidor con tanque resonante serie e inversor en puente completo no se va a
analizar debido a dos motivos: se trata de una opcin complicada debido al nmero
de accionadores de los interruptores, y el beneficio que reportara el uso de esta
topologa solo sera perceptible a altas potencias, cuando este trabajo de
investigacin est centrado en muy bajas potencias.
3.5.1 Modelado del convertidor con tanque resonante serie y
Para obtener unas reglas de diseo simples sobre los convertidores, conseguir un
modelo analtico sencillo del convertidor resulta de mucha utilidad. Con este modelo
analtico debe poder obtenerse el rendimiento y la ganancia de tensin del
convertidor resonante, para poder determinar cul es el mejor diseo en funcin de
diferentes parmetros: rendimiento, tensin continua a la entrada, diseo del tanque
resonante, frecuencia de funcionamiento, etc.
Para modelar analticamente la topologa con tanque resonante serie y rectificador de
media onda se van a seguir los pasos descritos en la figura 3-13, relativos a la
obtencin de la impedancia equivalente, el clculo de la ganancia del tanque
resonante y el clculo de la ganancia total del convertidor.
PASO 1: Estudio del rectificador para la obtencin de la impedancia
equivalente
Para calcular la impedancia equivalente del rectificador hay que identificar las
formas de onda de tensin y corriente a la entrada de la etapa rectificadora, que es la
mostrada en la figura 3-15 y la figura 3-16.
En este caso, la corriente a la entrada del rectificador i
sec
() es la corriente por el
tanque resonante, que puede considerarse sinusoidal. Cuanto mayor sea el factor de
calidad del tanque, ms se parecer esta onda a una sinusoide y ms exacto ser el
anlisis de alterna. Su valor medio es nulo debido a la presencia del condensador
serie. A partir de ahora, la corriente resonante i
sec
en todos los casos va a ser
considerada como una sinusoide cuyo valor de pico es I
sec
:
) ( sen I ) ( i
sec sec
= ( 3-15)
En cuanto a la tensin a la entrada del rectificador v
rect
, para poder calcular su primer
armnico es necesario analizar el funcionamiento del rectificador en detalle.
Rectificador ideal: las capacidades parsitas de los diodos rectificadores
son despreciables
En primer lugar va a estudiarse un rectificador ideal como el mostrado en la figura
3-17.a. Las formas de onda ms caractersticas de tensin y corriente son las
mostradas en la figura 3-17.b.
A) RECTIFICADOR IDEAL
v
rect
( )
V
s
I
s
i
sec
() i
D1
( )
i
D2
( )
+
-
v
rect
( )
V
s
I
s
i
sec
() i
D1
( )
i
D2
( )
+
-

B) FORMAS DE ONDA
i
sec
( )
0
2
v
rect
( )
I
s
V
s
+V
d
i
D1
( )
-V
d
i
D2
( )
TRAMO I TRAMO II
i
sec
( )
0
2
v
rect
( )
I
s
V
s
+V
d
i
D1
( )
-V
d
i
D2
( )
TRAMO I TRAMO II

Figura 3-17. Esquema y formas de onda caractersticas del rectificador ideal
Analizando la tensin a la entrada del rectificador v
rect
() por tramos:
Tramo I: 0 <
Cuando la corriente i() es positiva, el diodo D
1
est polarizado y conduce toda
la corriente, de modo que la tensin a la entrada del rectificador es igual a V
s
+V
d
,
siendo V
s
la tensin de salida del convertidor y V
d
la tensin directa del diodo.

Tramo II: < 2
Cuando la corriente resonante es negativa, el diodo D
1
est inversamente
polarizado y no conduce, por lo que toda la corriente circula por D
2
. En este
tramo, la tensin a la entrada del rectificador es igual a la cada del diodo V
d
.
En este caso el ngulo de conduccin correspondiente al diodo D
1
, es decir, el
tiempo en el que el diodo D
1
est conduciendo, es igual a . El diodo est polarizado
en directa la mitad del ciclo resonante.
La corriente continua que llega a la carga, es decir, la corriente de salida I
s
, es igual al
valor medio de la corriente que circula por el diodo D
1
, llamada i
D1
():

sec
0
sec
2
0
1
) (
2
1
) (
2
1 I
d sen I d i I
D s
=
=

( 3-16)
Como puede observarse en la figura 3-17.b, la tensin y la corriente a la entrada del
rectificador estn en fase. Tambin lo estn sus primeros armnicos, por lo que el
rectificador puede sustituirse por una resistencia equivalente segn se muestra en la
figura 3-18.
v
rect
( )
i
sec
( )
R
carga
v
rect
( )
i
sec
( )
R
carga

R
eq
v
rect
( )
i
sec
( )
R
eq
v
rect
( )
i
sec
( )

Figura 3-18. Sustitucin del rectificador ideal por una resistencia equivalente
Para obtener una expresin analtica de esta resistencia, se calcula el primer
armnico de tensin y corriente de la forma que ya fue indicada en el apartado
anterior.
El fasor correspondiente al primer armnico de la tensin a la entrada del
rectificador V
rect
, considerando la cada directa del diodo V
d
, es:
( )
d s rect
V V + = 2
2
V ( 3-17)
En cuanto al primer armnico de la corriente, al ser sinusoidal, su mdulo es igual a
su valor de pico:

sec
I
rect
= I ( 3-18)
Escribiendo esta expresin en funcin de la corriente de salida segn la relacin
obtenida en ( 3-16):
=
s rect
I I ( 3-19)
Por tanto, el valor de la resistencia equivalente para un rectificador de media onda
con tanque resonante serie, expresado en funcin de la resistencia de carga es:

s
d
s
d s
rect
rect
eq
I
V
R
I
V V
R + =
+
= =
2 carga 2 2
4 2 2 2
I
V
( 3-20)
Si la corriente de salida es suficientemente grande y se puede despreciar la cada
directa del diodo V
d
, se obtiene la expresin:

carga eq
R R =
2
2
( 3-21)
A) RECTIFICADOR REAL
i
CD1
( )
v
rect
( )
V
s
I
s
i
sec
()
i
CD2
( )
i
D1
( )
i
D2
( )
+
-
i
CD1
( )
v
rect
( )
V
s
I
s
i
sec
()
i
CD2
( )
i
D1
( )
i
D2
( )
+
-

B) FORMAS DE ONDA
-
i
sec
( )
0
2
v
rect
( )
I
s
V
s
+V
d
i
D1
( )
-V
d
i
D2
( )
i
CD1
( )
i
CD2
( )
TRAMO I TRAMO III T.IV T.II
-
i
sec
( )
0
2
v
rect
( )
I
s
V
s
+V
d
i
D1
( )
-V
d
i
D2
( )
i
CD1
( )
i
CD2
( )
TRAMO I TRAMO III T.IV T.II

Figura 3-19. Esquema y formas de onda caractersticas del rectificador real

Rectificador real: las capacidades parsitas de los diodos rectificadores no
pueden despreciarse
No en todos los casos puede sustituirse el rectificador por una resistencia
equivalente. En ciertos casos la forma de onda de la tensin a la entrada del
rectificador dista mucho de ser cuadrada, pues los flancos tienen una pendiente
mucho menor. Para estudiar este efecto no se pueden despreciar las capacidades
parsitas del rectificador. De hecho este efecto aparece cuando la corriente de salida
es muy pequea y se necesita un tiempo no despreciable para cargar y descargar
las capacidades parsitas de los diodos. Tambin se observa este efecto cuando la
frecuencia de conmutacin es muy alta, por lo que la lentitud de los flancos cobra
especial importancia. Este anlisis es original de este trabajo de investigacin.
La figura 3-19.a muestra el esquema del rectificador representando cada diodo
rectificador como un diodo ideal en paralelo con su capacidad parsita. El
funcionamiento de este circuito va a analizarse por tramos, segn las formas de onda
reflejadas en la figura 3-19.b:
Antes que tramo I: - < 0
En un instante anterior a cero, cuando la corriente resonante sinusoidal es
negativa, el diodo D
2
est directamente polarizado y toda la corriente resonante
fluye a travs de l. Durante ese intervalo, la tensin a la entrada del rectificador
es igual a la tensin directa del diodo V
d
.
Tramo I: 0 < -
En el instante en el que la corriente se hace positiva ( = 0), el diodo D
2
deja de
conducir y la corriente circula por las capacidades parsitas de ambos diodos
rectificadores. Si la impedancia formada por la resistencia de carga en paralelo
con el condensador de salida es mucho menor que la capacidad parsita del
diodo, puede asumirse que la corriente que circula por cada capacidad parsita
es aproximadamente la mitad de la resonante.
Cuando sucede esto, la tensin a la entrada del rectificador evoluciona segn la
ecuacin:
( ) ( )
cos
C
I
V ) ( v
d
sec
d rect

+ = 1
2
cuando 0 ( 3-22)
Esta ecuacin depende fundamentalmente del valor de pico de la corriente
resonante I
sec
, de la capacidad parsita de los diodos rectificadores C
d
y de la
pulsacin . Cuando la corriente de pico es demasiado pequea, cuando las
capacidades parsitas de los diodos son demasiado grandes o cuando la
frecuencia es demasiado alta, el segundo sumando es muy pequeo y los flancos
de la tensin a la entrada del rectificador son lentos.
Tramo II: - <
Cuando la tensin a la entrada del rectificador se hace igual a la tensin de salida
ms la cada del diodo V
s
+V
d
, en el instante - , D
1
se polariza directamente y
toda la corriente circula por l. El ngulo de conduccin del diodo, es decir, el
ngulo durante el cual el diodo est polarizado directamente, se ha llamado .
En este tramo la tensin permanece fija en V
s
+V
d
.
Tramo III: < 2 -
Cuando la corriente resonante vuelve a cambiar de signo de positiva a negativa,
el diodo D
1
se polariza en inversa y la corriente circula por las capacidades
parsitas de los diodos rectificadores.
Al igual que en el tramo I, si la impedancia formada por la resistencia de carga
en paralelo con el condensador de salida es mucho menor que la capacidad
parsita del diodo, puede asumirse que la corriente que circula por cada
capacidad parsita es aproximadamente la mitad de la resonante.
En esos casos, la evolucin de la tensin a la entrada del rectificador sigue la
ecuacin:
( ) ( )
cos
C
I
V V ) ( v
d
sec
s d rect
+

+ = 1
2
cuando

2 ( 3-23)
sta depende de los mismos parmetros que la transicin anterior (tramo I) y se
pueden extraer las mismas conclusiones.
Tramo IV: 2 - < 2
Cuando la tensin alcanza el valor V
d
(instante 2 - ), la corriente circula por
el diodo D
2
, que est polarizado directamente, y el ciclo se repite.
Los diodos rectificadores conducen menos tiempo en este caso que para el
rectificador real. El ngulo de conduccin correspondiente al diodo D
1
es siempre
menor o igual que .
Resumen del anlisis del rectificador
Una vez se han analizado las formas de onda de tensin y corriente en la etapa
rectificadora, pueden extraerse las siguientes importantes conclusiones:
La energa es suministrada a la carga slo durante el tiempo que el diodo D
1
est
directamente polarizado, de modo que la corriente de salida es igual a la
corriente media por ese diodo:

( ) ) cos( 1
2
) (
2
1
) (
2
1
sec
sec
2
0
1

I
d sen I d i I
D s

( 3-24)
Para el caso ideal ( = ) se obtiene el valor calculado en ( 3-16).
Por tanto, para conseguir la misma corriente de salida, el valor de pico de la
corriente resonante debe ser mayor para un ngulo de conduccin pequeo
que en el caso ideal.
En la figura 3-20 se han representado la tensin a la entrada del rectificador, la
corriente por el tanque resonante y la corriente por el diodo D
1
considerando dos
ngulos de conduccin diferentes ( rad y /2 rad). Para proporcionar una
misma corriente de salida, las regiones sombreadas en la figura 3-20 deben tener
la misma rea. El rea que no est sombreada pero est debajo de la lnea
corresponde a la carga y descarga de las capacidades parsitas. Esta corriente
est siempre circulando pero no contribuye a la corriente de salida. Por tanto,
aumenta la proporcin de energa reactiva y el factor de calidad es mayor.
En el ejemplo anterior, la corriente resonante para un ngulo de conduccin
igual a /2 rad es el doble que cuando se est prximo al caso ideal y es rad
(20mA de pico frente a 10mA).
A) NGULO DE CONDUCCIN = RAD B) NGULO DE CONDUCCIN = /2 RAD
(CAPACIDADES PARSITAS DESPRECIABLES)
(CONSIDERANDO LAS CAPACIDADES
PARSITAS)
= rad
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
0 2 4 6 8 10
T
e
n
s
i
n

(
V
)
0 2 4 6 8 1
-25m
-15m
-5m
0
15m
25m
C
o
r
r
r
i
e
n
t
e
(
A
)
Corriente tanque
resonante
Corriente
diodo D
1
Tensin entrada
rectificador
5m
= rad
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
0 2 4 6 8 10
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
T
e
n
s
i
n

(
V
)
0 2 4 6 8 1
-25m
-15m
-5m
0
15m
25m
C
o
r
r
r
i
e
n
t
e
(
A
)
Corriente tanque
resonante
Corriente
diodo D
1
Tensin entrada
rectificador
5m
-25m
-15m
-5m
0
5m
15m
25m
0 2 4 6 8 1
= /2 rad C
o
r
r
i
e
n
t
e

(
A
)
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
0 2 4 6 8 1
T
e
n
s
i
n

(
V
)
Corriente
diodo D
1
Corriente tanque
resonante
Tensin entrada
rectificador
-25m
-15m
-5m
0
5m
15m
25m
0 2 4 6 8 1
= /2 rad C
o
r
r
i
e
n
t
e

(
A
)
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
0 2 4 6 8 1
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
0 2 4 6 8 1
T
e
n
s
i
n

(
V
)
Corriente
diodo D
1
Corriente tanque
resonante
Tensin entrada
rectificador
Figura 3-20. Corrientes por el tanque resonante serie para una misma corriente de salida y tensin a la
entrada del rectificador
Cuando el tiempo de carga y descarga de las capacidades parsitas de los diodos
rectificadores no es despreciable, la tensin est retrasada respecto a la corriente
y la impedancia equivalente al rectificador est formada por un condensador y
una resistencia.

v
rect
( )
i
sec
( )
R
carga
v
rect
( )
i
sec
( )
R
carga

i
sec
( )
v
rect
( )
R
eq
C
eq
i
sec
( )
v
rect
( )
R
eq
C
eq

Figura 3-21. Sustitucin del rectificador real por una impedancia equivalente, compuesta por una
resistencia y un condensador serie
El condensador del tanque resonante serie y la capacidad equivalente estn en
serie (figura 3-21). Por tanto, dependiendo del valor de la capacidad
equivalente, la frecuencia de resonancia puede verse afectada. En algunos
casos puede estar fijada por la etapa rectificadora en lugar de por el condensador
externo. Este punto es fundamental para el diseo el circuito.
A la vista del comportamiento del convertidor cuando la corriente de salida es
muy pequea, queda patente la importancia de cuantificar este efecto en el
clculo del rendimiento y la ganancia de la etapa de potencia, que es lo que se
pretende al proponer un modelo.
Del anlisis del rectificador tambin se desprende que para el ngulo - se cumple
lo siguiente:

( )

+ =
+ =
) cos( 1
2
) , (
) (
sec

d
d rect
d s rect
C
I
V v
V V v
( 3-25)
Esta igualdad no se cumple para el caso ideal, es decir, justo cuando es igual a .
Esto es debido a que para el caso ideal no se cumple la condicin de continuidad de
la funcin v
rect
(), ya que se trata de una funcin por tramos. Sin embargo, para
cualquier caso real el ngulo de conduccin siempre va a ser estrictamente menor
que . Por tanto la condicin de continuidad es vlida y las anteriores igualdades se
cumplen.

Una vez estudiada en detalle la etapa rectificadora, hay que analizar el circuito
resonante (figura 3-22.a). El anlisis va a realizarse para una tensin y potencia de
salida constantes. Por tanto, el objetivo es calcular el primer armnico de la tensin a
la salida de la etapa inversora V
T
necesario para obtener una tensin y una potencia
de salida determinadas, es decir, para conseguir un primer armnico de la tensin a
la entrada del rectificador V
rect
determinado (figura 3-22.b).
A) CIRCUITO A ANALIZAR
TANQUE
RESONANTE
ETAPA
INVERSORA
V
CC
R
carga
+
-
V
s
D
1
D
2
C
1
v
T
v
rect
i
rect
+
-
+
-
I
CC
TANQUE
RESONANTE
ETAPA
INVERSORA
V
CC
R
carga
+
-
V
s
D
1
D
2
C
1
v
T
v
rect
i
rect
+
-
+
-
I
CC

B) CIRCUITO A ANALIZAR MEDIANTE TCNICAS DE ALTERNA
V
T
prim
I
TANQUE
RESONANTE
V
rect
+
-
sec rect
I I =
V
T
prim
I
TANQUE
RESONANTE
V
rect
+
-
sec rect
I I =

Figura 3-22. Esquema general del circuito resonante con tanque serie en el secundario y rectificador de
media onda
Una vez analizado el comportamiento del rectificador, es fcil obtener ciertas
ecuaciones necesarias para el modelado del convertidor. Su obtencin se describe a
continuacin.
1. Clculo de la corriente resonante
Restando las ecuaciones ( 3-24) y ( 3-25) se obtiene una expresin del valor de pico de
la corriente resonante I
sec
en funcin de valores conocidos, como son la corriente de
salida I
s
, la tensin de salida V
s
y los datos del diodo (tensin directa V
d
y capacidad
parsita C
d
):
( )
d s d s
V V C I I + + = 2 ) (
sec
( 3-26)
A la vista de esta ecuacin, cuanto mayores sean las capacidades parsitas de los
diodos rectificadores o mayor sea la frecuencia de funcionamiento, mayor es la
corriente de pico por el tanque resonante. Como ya se haba comentado
anteriormente, en cualquiera de estas dos situaciones, el tiempo de carga y descarga
de las capacidades parsitas cobra ms importancia, la tensin evoluciona ms
lentamente, aparecen flancos de menor pendiente y el ngulo de conduccin del
diodo se reduce, por lo que se necesita una corriente resonante mucho mayor para
proporcionar la misma corriente de salida.
Interpretando la anterior ecuacin, tambin puede extraerse otra importante
conclusin: este efecto se notar ms o menos en funcin del valor de la corriente de
salida. Cuanto menor sea el valor de esta corriente, mayor ser la percepcin del
efecto, porque ms importancia cobrar el segundo sumando respecto al primero.
Esta conclusin lgicamente conduce a la siguiente pregunta: qu corriente puede
considerarse pequea? Esta pregunta puede responderse normalizando la anterior
ecuacin respecto a la corriente de salida (despreciando la tensin directa del diodo):

a c d norm
R C I
arg sec_
) ( + = ( 3-27)
Observando esta ecuacin, se puede extraer la conclusin de que en el caso ideal,
cuando las capacidades parsitas de los diodos rectificadores se pueden despreciar,
el valor de pico de la corriente resonante es igual a . Esto se encuentra en perfecta
concordancia con lo ya calculado en ( 3-19).
La figura 3-44 muestra el valor de pico normalizado de la corriente resonante
respecto a la frecuencia de operacin para distintos casos, con distintas tensiones de
salida y corrientes de salida. En efecto puede comprobarse que en bajas frecuencias,
el segundo sumando es pequeo y la corriente resonante es muy similar a la ideal.
Por tanto, la no idealidad del rectificador depende de la constante de tiempo
C
d
R
carga
.
1
10
100
1000
100k 1M 10M 100M
Frecuencia (Hz)
C
o
r
r
i
e
n
t
e

r
e
s
o
n
a
n
t
e
n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
1V, 10mA
10V, 10mA
10V, 1A
1V, 1A
1
10
100
1000
100k 1M 10M 100M
Frecuencia (Hz)
C
o
r
r
i
e
n
t
e

r
e
s
o
n
a
n
t
e
n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
1V, 10mA
10V, 10mA
10V, 1A
1V, 1A

Figura 3-23. Valor de pico de la corriente resonante normalizada en funcin de la frecuencia

En la tabla 3-3 se han calculado las constantes de tiempo que corresponden a cada
uno de los casos considerados de tensin y corriente de salida. Como puede
observarse, el caso ms desfavorable corresponde a la combinacin de mayor tensin
con menor corriente (10V-10mA): cargar las capacidades parsitas de 0 a 10V con esa
pequea corriente necesita ms tiempo que en el resto de casos considerados. En
efecto, este caso es el que presenta una corriente de pico ms elevada para todas las
frecuencias en la figura 3-44.
TABLA 3-3
VALORES DE LA CONSTANTE DE TIEMPO PARA DISTINTAS TENSIONES DE SALIDA Y CORRIENTE,
CONSIDERANDO UNA CAPACIDAD PARSITA DE LOS DIODOS RECTIFICADORES (C
d
=300pF)
Tensin de salida
V
s

Corriente de salida
I
s

Resistencia de carga
R
carga

Constante de tiempo
C
d
R
carga

1V 10mA 100 30ns
1V 1A 1 0,3ns
10V 10mA 100 300ns
10V 1A 1 3ns

2. Clculo del ngulo de conduccin de los diodos rectificadores
Al sumar las ecuaciones ( 3-24) y ( 3-25) se consigue una expresin para el clculo del
ngulo de conduccin del diodo D
1
, llamado , en funcin de la tensin de salida V
s
,
la corriente de salida I
s
y las caractersticas de los diodos rectificadores (tensin
directa V
d
y capacidad parsita C
d
).

( )
( )
|
|
.
|
\
|
+ +
+
=
s d s d
s d s d
I V V C
I V V C
cos a ) (

2
2
( 3-28)
0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
n
g
u
l
o

c
o
n
d
u
c
c
i
n

(
r
a
d
)
100k 1M 10M 100M
Frecuencia (Hz)
10V, 1A
1V, 1A
1V, 10mA
10V, 10mA
0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
n
g
u
l
o

c
o
n
d
u
c
c
i
n

(
r
a
d
)
100k 1M 10M 100M
Frecuencia (Hz)
10V, 1A
1V, 1A
1V, 10mA
10V, 10mA

Figura 3-24. ngulo de conduccin de los diodos rectificadores en funcin de la frecuencia
La variacin del ngulo de conduccin con la frecuencia para los casos considerados
se muestra en la figura 3-24. Los resultados son coherentes con los anteriormente
mostrados. Como se esperaba, el ngulo de conduccin decrece al aumentar la
frecuencia, al cobrar ms importancia el tiempo de carga y descarga de las
capacidades parsitas de los diodos rectificadores. Adems, en baja frecuencia el
diodo D
1
conduce la mitad del ciclo resonante, y el ngulo de conduccin es igual a
radianes.
La relacin entre el ngulo de conduccin y la corriente resonante se puede observar
muy bien en la figura 3-20, donde se muestra el efecto que causa la variacin del
ngulo de conduccin en la tensin y la corriente a la entrada de la etapa
rectificadora. Cuanto menor sea el ngulo de conduccin, mayor valor de pico de la
corriente resonante.
3. Clculo de la impedancia equivalente
Para hallar la impedancia equivalente hay que calcular el primer armnico de la
tensin y la corriente a la entrada del rectificador. Como ya se coment, al ser la
corriente de entrada al rectificador una seal sinusoidal, el mdulo de su primer
armnico coincide con su amplitud ( 3-18).
En cuanto al clculo del primer armnico de la tensin de entrada a la etapa
rectificadora, se han calculado su parte real R
v
e imaginaria X
v
basndose en las
ecuaciones en el dominio del tiempo obtenidas al analizar la etapa rectificadora.
( )
(
|
|
.
|
\
|
+
+ + =
2
1 2 2
1
2
) ( sen
) cos(
C
I
) cos( V V ) ( R
d
sec
d s v

( 3-29)

( )
(
|
.
|
\
|
+
+ + =
4
2
2
2 2
1 ) ( sen
) ( sen
C
I
) ( sen V V ) ( X
d
sec
d s v

( 3-30)
Al dividir estos valores entre el primer armnico de la corriente, ya se obtiene la
resistencia R
eq
y la reactancia X
eq
serie equivalentes:

( )
(
|
|
.
|
\
|
+
+ +
=
2
1 2 2
1
2
) ( sen
) cos(
C
I
) cos( V V
I
) ( R
d
sec
d s
sec
eq

( 3-31)
( )
(
|
.
|
\
|
+
+ +
=
4
2
2
2 2
1 ) ( sen
) ( sen
C
I
) ( sen V V
I
) ( X
d
sec
d s
sec
eq

( 3-32)
Si se sustituye en estas ecuaciones el ngulo de conduccin por el valor , que
corresponde al caso ideal, puede observarse que la reactancia X
eq
se anula, de modo

que la impedancia equivalente es una resistencia R
eq
cuyo valor es igual al que se
obtena a travs de la ecuacin ( 3-20), como era de esperar.
Las ecuaciones ( 3-31) y ( 3-32) pueden simplificarse haciendo uso de ( 3-25):
( ) ) (
2
1
) (
2

sen
C
R
d
eq

= ( 3-33)
( ) )) ( cos( )) ( ( ) (
2
1
) (

+

= sen
C
X
d
eq
( 3-34)
A) RESISTENCIA EQUIVALENTE NORMALIZADA
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a
e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
100k 1M 10M 100M
Frecuencia (Hz)
1V, 10mA
10V, 10mA
1V, 1A
10V, 1A
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a
e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
100k 1M 10M 100M
Frecuencia (Hz)
1V, 10mA
10V, 10mA
1V, 1A
10V, 1A

B) CAPACIDAD EQUIVALENTE
1E-10
1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
1E-5
1V, 10mA
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E0
C
a
p
a
c
i
d
a
d

e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e

(
F
)
100k 1M 10M 100M
Frecuencia (Hz)
10V, 10mA
1V, 1A
10V, 1A
1E-10
1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
1E-5
1V, 10mA
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E0
C
a
p
a
c
i
d
a
d

e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e

(
F
)
100k 1M 10M 100M
Frecuencia (Hz)
10V, 10mA
1V, 1A
10V, 1A

Figura 3-25. Resistencia y capacidad serie equivalentes en funcin de la frecuencia
Como ya se haba deducido al observar que la tensin est retrasada respecto a la
corriente, la impedancia equivalente puede representarse por una resistencia y un
condensador en serie, ya que la reactancia obtenida es negativa. El valor del
condensador equivalente es:

) ( X
) ( C
eq
eq

=
1
( 3-35)

( ) ( ) ) ( cos ) ( sen ) (
C
) ( C
d
eq

+

=
2
( 3-36)
En la figura 3-25 se han representado la resistencia equivalente y la capacidad
equivalente para los distintos casos considerados.
Puesto que el anlisis est realizado para una potencia de salida constante P
s
, la
resistencia equivalente disminuye al aumentar la frecuencia y por tanto aumentar el
valor de pico de la corriente resonante. No hay que olvidar que la impedancia
equivalente consume la misma potencia que el rectificador. Por tanto, siempre tiene
que cumplirse:

s s eq s
I V
I
R P = |
.
|
\
|
=
2
sec
2
) (
) (

( 3-37)
En cuanto a la capacidad equivalente, el menor valor corresponde al caso con mayor
constante de tiempo. El valor de la capacidad equivalente va a imponer una
importante restriccin al diseo, puesto que la frecuencia de resonancia puede verse
afectada al quedar en serie el condensador del tanque serie y la capacidad
equivalente. Este tema se discutir con detalle ms adelante, al estudiar el
convertidor empleando el modelo propuesto.
Como puede observarse en la figura 3-25.b, existe una cota inferior en la capacidad
equivalente. Esta cota mnima depende nicamente de la capacidad parsita de los
diodos rectificadores del siguiente modo:

d eq
C C = 2 ) ( ( 3-38)
En el ejemplo representado, la capacidad parsita de los diodos es igual a 300pF, y
por tanto la cota inferior es igual a 600pF.
Consideraciones acerca de la impedancia equivalente
El anlisis del primer armnico sustituyendo la etapa rectificadora por una
impedancia equivalente en lugar de la clsica resistencia equivalente es
imprescindible para las aplicaciones de muy baja corriente de salida como las
tratadas en esta tesis: debido a las bajas corrientes, los tiempos de carga y descarga
de las capacidades parsitas de los diodos rectificadores no son despreciables. Este
hecho afecta al funcionamiento del circuito de dos maneras:
En el circuito hay ms corriente circulante de la esperada cuando se desprecia el
efecto capacitivo del rectificador.

El rectificador puede afectar a la frecuencia de resonancia y el factor de calidad,
de modo que stos no vengan fijados por el tanque resonante externo.
PASO 2: Clculo de la ganancia del tanque resonante
4. Clculo de la ganancia del tanque resonante y del primer armnico de la
tensin de entrada
El primer armnico de la tensin de entrada al rectificador V
rect
ya se calcul
mediante las ecuaciones ( 3-29) y ( 3-30). Pero su mdulo tambin puede calcularse
empleando una expresin simple en funcin de valores ya obtenidos:
) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) (
sec
2 2
sec
I X R
eq eq eq rect
+ = = I Z V ( 3-39)
A travs del anlisis de alterna (figura 3-22.b) se puede obtener el primer armnico
de la tensin a la salida de la etapa inversora V
T
. Slo es necesario calcular la
ganancia del tanque resonante G
tanque
, que es fcil considerando que est formado por
redes de impedancias, pero depende de cada topologa en particular:

) (
) ( ) ( ) (
) (
) (
) (
tan
sec
2 2
tan

que
eq eq
que
rect
T
I X R
G G
V
V
+
= = ( 3-40)
5. Clculo del primer armnico de las corrientes en el circuito
Como ya se conocen las tensiones de entrada al tanque resonante y de salida, se
puede calcular el primer armnico de las formas de corriente en todas las
impedancias del tanque.
PASO 3: Clculo de la ganancia total del convertidor
6. Clculo de la tensin continua necesaria para proporcionar la tensin y
corriente de salida consideradas
Todo el anlisis anterior ha sido realizado empleando tcnicas clsicas de anlisis en
alterna, de modo que slo se consideraba el primer armnico de las seales presentes
en el circuito. Sin embargo, para calcular la tensin continua necesaria y por tanto la
ganancia total del convertidor (etapa inversora, tanque resonante, etapa
rectificadora), deben obtenerse algunas ecuaciones aadidas a las proporcionadas
por el anlisis del primer armnico. Estas ecuaciones dependen de la etapa inversora
empleada. Hasta este momento se conoce el primer armnico de la tensin a la salida
del inversor V
T
, que es necesario para calcular la tensin continua de entrada V
cc
.
En general, las ecuaciones necesarias, que van a obtenerse a continuacin, son:
Balance de potencias en el convertidor: la potencia de entrada es igual a la
potencia de salida ms las prdidas. Las prdidas pueden calcularse al conocerse
el primer armnico de corriente en los elementos resistivos.
Clculo analtico del primer armnico de la tensin a la salida del rectificador V
T

como una funcin de la tensin de entrada V
cc
.
Anlisis de continua en la etapa inversora.
D
1
C
2
C
3
R
carga
V
cc
k
L
1
L
2
+
-
V
s
D
2
ETAPA
INVERSORA
D
1
C
2
C
3
R
carga
V
cc
k
L
1
L
2
+
-
V
s
D
2
ETAPA
INVERSORA
ETAPA
INVERSORA

Figura 3-26. Esquema general del convertidor con tanque resonante serie en el secundario, rectificador
de media onda y transformador de bajo acoplamiento
Balance de potencia
Los valores de continua buscados dependen de la etapa inversora. Sin embargo, el
balance de potencias se va a plantear de modo general, independientemente de la
etapa inversora que se emplee.
El balance de potencia consiste en plantear que la potencia de entrada al circuito es
igual a la de salida ms las prdidas:
Prdidas P P
s e
+ = ( 3-41)
P
e
: potencia de entrada proporcionada por la fuente de energa, que en general
va a considerarse una batera cuya tensin es constante e igual a V
cc
, y la
corriente que proporciona es I
cc
.

cc cc e
I V P = ( 3-42)
P
s
: potencia consumida por la carga. En el apartado anterior se model el
rectificador de media onda partiendo de la base que se trataba de un anlisis con
tensin y potencia en la carga constantes. Este es por tanto un dato de partida
para completar el anlisis:

a arg c
s
s
R
V
P
2
= ( 3-43)

Prdidas: potencia perdida en los elementos del circuito, como las prdidas por
efecto Joule en las resistencias, las prdidas en los diodos, las prdidas de
conduccin y conmutacin en la etapa inversora, etc.
En la figura 3-27 se encuentra una explicacin grfica del balance de potencias,
sustituyendo el transformador por un modelo en T cuyos componentes dependen de
la frecuencia de operacin. En este caso es preciso considerar el valor de las
resistencias a la frecuencia del primer armnico (R
1
(), R
2
() y R
ms
()) y tambin el
valor de las resistencias de continua (R
1cc
, R
2cc
y R
mscc
).
En esta figura se han representado las potencias de entrada (proporcionada por la
batera) y de salida (consumida por la carga resistiva). Pero adems se han
representado las prdidas en todos los elementos resistivos del circuito y en los
interruptores del inversor (P
MOSFET
).
2 2
cc mscc ef _ m ms
I R ) ( I ) ( R +
2
1 ef
I R
ETAPA
INVERSORA
cc cc e
I V P =
a arg c
s
s
R
V
P
2
=
) (
MOSFET
P
2
1
2
1 cc cc ef _ prim
I R ) ( I ) ( R +
) ( ) (
2
sec_ 2

ef
I R
d
P
2 2
cc mscc ef _ m ms
I R ) ( I ) ( R +
2
1 ef
I R
ETAPA
INVERSORA
ETAPA
INVERSORA
cc cc e
I V P =
a arg c
s
s
R
V
P
2
=
) (
MOSFET
P
2
1
2
1 cc cc ef _ prim
I R ) ( I ) ( R +
) ( ) (
2
sec_ 2

ef
I R
d
P

Figura 3-27. Prdidas en el convertidor con tanque resonante serie en el secundario y rectificador de
media onda
Para calcular las prdidas es necesario calcular el valor eficaz de todas las corrientes
en el circuito. Como no se conoce el valor exacto de todas ellas se recurre al clculo
del valor eficaz del primer armnico de la corriente. Cuanto ms parecidas a una
sinusoide sean todas las corrientes, ms preciso ser el resultado obtenido.
+ + + = ) ( I ) ( R I R ) ( I ) ( R Prdidas
ef _ m ms cc cc ef _ prim

2 2
1
2
1

d MOSFET ef sec_ cc mscc
P ) ( P ) ( I ) ( R I R + + + +
2
2
2

( 3-44)
Anlisis y validacin del modelo para cada etapa inversora
Una vez planteado el balance de potencias, se va a proceder al estudio detallado de
cada etapa inversora. De este modo se completarn los modelos propuestos.
Tambin se proceder a su validacin, comparando los resultados obtenidos
analticamente aplicando el modelo propuesto con resultados obtenidos de
simulacin con una herramienta comercial (PSpice). En todos los casos considerados,
para simplificar la validacin del anlisis, se va a emplear un modelo en T del
transformador invariante con la frecuencia. Sin embargo, a la hora de calcular el
rendimiento en funcin de la frecuencia para un convertidor real, habra que
modelar el transformador teniendo en cuenta los efectos de la frecuencia, empleando
el modelo descrito en el captulo 2.
En el Anexo II se adjunta una hoja de clculo realizada con el programa Mathcad con
todas las ecuaciones que modelan el comportamiento del convertidor con tanque
serie (para el inversor con un solo interruptor). Con esta hoja de clculo y otras
similares se han conseguido todos los resultados analticos recogidos en este trabajo
de investigacin.
El circuito a estudiar est representado en la figura 3-28. La tensin en el interruptor
principal, cuando existe conmutacin a tensin cero
, tiene la forma representada en

la figura 3-28.a, medida con el osciloscopio sobre un circuito real. Para que exista
conmutacin a tensin cero, se sita un condensador en paralelo con el interruptor.
Para proseguir con el anlisis, se van a realizar las siguientes suposiciones:
Como interruptor principal va a considerarse un MOSFET.
Se supone que el condensador en paralelo con el interruptor se ha elegido de
forma adecuada para que haya conmutacin a tensin cero. De este modo
aproxima la forma de onda de la tensin drenador-fuente a una semi-sinusoide
(figura 3-28.b):

( )
< +
<
=

2 2 2
2 0 0
) (
d si d sen V
d si
v
p
c
( 3-45)
En esta expresin el valor V
p
corresponde al valor de pico de la sinusoide. Si esta
aproximacin resulta suficiente, el clculo va a resultar de gran inters por su
sencillez. Sin embargo, hay que tener presente que en algunos casos la forma de
onda de la tensin entre el drenador y la fuente podra no ajustarse a media
sinusoide. Si se quisiera reproducir la forma de onda exacta habra que estudiar el
funcionamiento del circuito por tramos, considerando en cada momento exacto el
estado de la etapa rectificadora. Pero de este modo los clculos se complicaran y
slo se obtendra una mejora marginal de la precisin.

Conmutacin a tensin cero: en ingls Zero Voltage Switching, cuyas siglas son ZVS.

A) MEDIDAS

M
1
C
1
C
3
R
carga
V
cc
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
1
D
2
C
2
M
1
C
1
C
3
R
carga
V
cc
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
1
D
2
C
2

B) APROXIMACIN
MEDIANTE MEDIA
SINUSOIDE

Figura 3-28. Convertidor CC/CC con nico interruptor, tanque resonante serie en el secundario,
rectificador de media onda y transformador de bajo acoplamiento (esquema, tensin drenador-fuente con
resultados experimentales y aproximacin mediante media sinusoide)
Clculo del primer armnico de la tensin de salida de la etapa inversora
Como se conoce la ecuacin de la forma de onda de la tensin drenador-fuente v
c
, se
puede calcular su primer armnico V
c
. Este valor depender de la tensin de pico de
la semi-sinusoide, V
p
en la ecuacin ( 3-45), y de la frecuencia de funcionamiento:
) , (
p c
V f = V ( 3-46)
V
cc
T
V
c
V
V
cc
T
V
c
V

Figura 3-29. Circuito para el anlisis del primer armnico en la etapa inversora basada en el clase E con
tanque resonante serie en el secundario
El primer armnico de la tensin a la salida del inversor V
T
es igual al primer
armnico de la tensin drenador-fuente V
c
desfasado 180. Esta relacin puede
comprobarse fcilmente a travs de la figura 3-29. Se cumple por tanto:
) ( ) (
c T
V V = ( 3-47)
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec
R
ms
L
ms
I
cc
= 0
R
1
I
cc
R
ms
I
cc
V
cc
V
c,med
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec
R
ms
L
ms
I
cc
= 0
R
1
I
cc
R
ms
I
cc
V
cc
V
c,med

Figura 3-30. Circuito para el anlisis en continua del convertidor basado en el clase E con tanque
resonante serie en el secundario
Anlisis de la corriente continua en el circuito
El condensador del tanque serie bloquea la circulacin de corriente continua por el
secundario del transformador de bajo acoplamiento, de modo que al realizar el
anlisis de continua puede considerarse slo el primario. Por tanto, y tal como est
representado grficamente en la figura 3-30, se cumple:

med c cc mscc cc cc cc
V I R I R V
, 1
+ + = ( 3-48)
Planteamiento del sistema de ecuaciones
La resolucin de todas las anteriores ecuaciones permite calcular la tensin y la
corriente de entradas necesarias para proporcionar una potencia determinada a una
carga resistiva.

+ + =
= =
+ =
med c cc mscc cc cc cc
p c T
s e
V I R I R V
continua corriente Anlisis
V f
inversor salida tensin armnico primer Clculo
Prdidas P P
potencias de Balance
, 1
:
) , ( ) ( ) (
:
:
V V
( 3-49)
El planteamiento en detalle de este sistema de ecuaciones se encuentra adjunto en el
Anexo II, junto con la hoja de clculo para resolverlo.
Clculo de la ganancia y el rendimiento del convertidor
Una vez conocida la tensin continua de entrada al circuito para una frecuencia de
operacin determinada V
cc
(), puede calcularse la ganancia total del circuito G
conv
,
incluyendo la ganancia de la etapa inversora y la ganancia del circuito resonante:

cc
s
conv
V
V
= G ( 3-50)
Como tambin se conoce la corriente continua de entrada al circuito I
cc
() para una
frecuencia de operacin determinada, puede calcularse el rendimiento
conv
como:

cc
s s
conv
I V
I V
=
cc
( 3-51)
A continuacin se comentarn los resultados obtenidos de rendimiento y ganancia
de tensin para el convertidor con tanque resonante serie y etapa con nico
interruptor. A travs de esos resultados se valorar la importancia de un preciso
modelado del rectificador, incluyendo las capacidades parsitas de sus diodos.
Validacin del modelo mediante PSpice
Para validar el mtodo analtico descrito correspondiente a una etapa inversora con
un nico interruptor, se ha simulado el circuito de la figura 3-31 empleando el
simulador elctrico comercial PSpice.
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec
R
ms
L
ms
V
cc
0,874 24,684
3,203
1660
28,76H 4,4nF 8,08H
25H
C
ZVS
D
1
D
2
C
1
1F
R
carga
C
d
C
d
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec
R
ms
L
ms
V
cc
0,874 24,684
3,203
1660
28,76H 4,4nF 8,08H
25H
C
ZVS
D
1
D
2
C
1
1F
R
carga
C
d
C
d

Figura 3-31. Convertidor con tanque resonante serie y rectificador de media onda simulado mediante
PSpice
La figura 3-32 y la figura 3-33 muestran la ganancia total y el rendimiento del
convertidor CC/CC, respectivamente. Con trazo continuo se han representado los
resultados analticos, mientras que los obtenidos mediante simulacin se han
marcado con puntos discretos. Como puede observarse, las simulaciones se han
realizado para tres frecuencias diferentes (760kHz, 1,15MHz y 2,63MHz) que son las
frecuencias a las que se obtiene el rendimiento mximo con las capacidades parsitas
de los diodos rectificadores consideradas (300pF, 100pF y 10pF).
Cuantificando los errores cometidos con la aproximacin del primer armnico, el
error mximo cometido en el clculo de la ganancia de tensin, corresponde al caso
de C
d
=300pF con una frecuencia de 750kHz, y es del 10% (2,12 frente a 2,38). Sin
embargo, en lo que respecta al rendimiento calculado, para todos los casos el error
entre los clculos analticos y el resultado conseguido con el PSpice es menor que 1%.
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
G
a
n
a
n
c
i
a

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
=300pF resultados analticos
C
d
C
d
C
d
=300pF resultados PSpice
C
d
C
d
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
G
a
n
a
n
c
i
a

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
G
a
n
a
n
c
i
a

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
=300pF resultados analticos C
d
C
d
d
C
d
d
C
d
=300pF resultados PSpice C
d
C
d
d
C
d
d

Figura 3-32.Ganancia total del convertidor CC/CC obtenida empleando un simulador elctrico
comercial y los mtodos analticos descritos

0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d

Figura 3-33.Rendimiento calculado del convertidor CC/CC obtenido empleando un simulador elctrico
En la figura 3-34 se comparan las formas de onda proporcionadas por el simulador
elctrico y por la hoja de clculo para uno de los casos analizados. La corriente
resonante no es demasiado sinusoidal porque el factor de calidad no es muy alto, y
pese a que el anlisis del primer armnico proporciona resultados correctos, la forma
de onda de la corriente no se puede reproducir exactamente.
A) FORMAS DE ONDA OBTENIDAS CON EL SIMULADOR ELCTRICO COMERCIAL
298,4us 298,6us 298,8us 299,0us 299,2us 299,4us 299,6us 299,8us
-20
-10
0
10
20
Tensin drenador-fuente
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
sec
()x1000
-20
-10
0
10
20
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
sec
()x1000

B) FORMAS DE ONDA OBTENIDAS MEDIANTE ELMTODO ANALTICO
20
10
0
10
20
8 0
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
sec
()x1000
20
10
0
10
20
8 0
20
10
0
10
20
8 0
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
sec
()x1000
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
sec
()x1000

Figura 3-34. Comparacin de las formas de onda obtenidas con simulador elctrico y empleando las
tcnicas analticas (C
d
= 10pF, frecuencia de conmutacin=2,63MHz) para el convertidor con tanque
serie e inversor de un solo interruptor
Considerando los errores cometidos, el modelo propuesto es suficientemente preciso
para calcular el rendimiento y la ganancia de tensin. Adems, la informacin que
proporciona tiene mucha importancia para el diseo del convertidor. Si se
despreciase el efecto de las capacidades parsitas de los diodos para el caso
analizado, las curvas de ganancia y rendimiento que se obtendran seran muy
similares a las obtenidas para una capacidad parsita igual a 10pF en la figura 3-32 y
la figura 3-33. Pero si los diodos empleados para el rectificador tuvieran realmente
una capacidad parsita igual a 300pF, los resultados que se obtendran seran muy
diferentes de los estimados, puesto que a 1MHz habra diez puntos de rendimiento
menos de los previstos y un ganancia 0,6 veces mayor. Hay que considerar que si la
frecuencia de resonancia del tanque resonante diseado fuera mayor que la del
ejemplo (1MHz), este efecto sera todava ms importante.
media onda y etapa inversora en medio puente
El convertidor est representado en la figura 3-16. Al igual que en el caso anterior, se
van a realizar ciertas suposiciones:
Los interruptores son MOSFETs.
Se tratan los casos de muy bajas corrientes, de modo que se desprecian las cadas
de tensin en el inversor debidas a la conduccin de los MOSFETs.
Se supone que los interruptores estn conmutando sin conduccin cruzada y hay
conmutacin a tensin cero.
Todo el anlisis que se va a seguir es muy similar al del subapartado anterior. En este
caso, la primera ecuacin que se va a plantear es el clculo del mdulo del primer
armnico de la tensin aplicada al transformador, sabiendo que es una tensin
cuadrada. La forma de onda de tensin que se aplica al transformador v
T
puede
deducirse fcilmente al observar la estructura en medio puente del inversor,
mostrada en la figura 3-35. Slo habra que calcular de forma analtica su primer
armnico en funcin de la tensin continua de entrada.
Adems, se puede realizar un anlisis de continua en el primario del transformador
de bajo acoplamiento:

cc mscc cc cc med T
I R I R V + =
1 ,
( 3-52)

R
1
L
d1
L
d2
R
2
R
ms
L
ms
R
1
I
cc
R
ms
I
cc
V
cc
V
T,med
R
1
L
d1
L
d2
R
2
R
ms
L
ms
R
1
I
cc
R
ms
I
cc
V
cc
V
T,med

Figura 3-35. Circuito para el anlisis del primer armnico en la etapa inversora en medio puente con
carga resistiva:

+ =
=
+ =
cc mscc cc cc med T
cc T
s e
I R I R V
continua corriente Anlisis
V f
inversor salida tensin armnico primer Clculo
Prdidas P P
potencias de Balance
1 ,
) (
:
) ( ) (
:
:
V
( 3-53)
Del mismo modo que se hizo para la etapa inversora con nico interruptor, la
ganancia total del circuito G
conv
es:

cc
s
conv
V
V
= G ( 3-54)
Y su rendimiento
conv
:

cc
s s
conv
I V
I V
=
cc
( 3-55)
Como en el caso anterior, a continuacin se va a validar el modelo y se van a valorar
los resultados obtenidos.
Validacin del modelo mediante PSpice
Tambin se ha validado el anlisis resultante de emplear una etapa inversora en
medio puente. Como se hizo en el caso de un nico interruptor, se ha simulado con
el PSpice el ejemplo de la figura 3-31, al que se le ha aadido la etapa inversora en
medio puente. La figura 3-36 y la figura 3-37 recogen los resultados de ganancia de
tensin y rendimiento, siendo el trazo continuo el correspondiente al mtodo
analtico y los puntos los resultados de las simulaciones a tres frecuencias discretas
(760kHz, 1,15MHz y 2,63MHz). Todo el anlisis se ha realizado para tres capacidades
parsitas de los diodos rectificadores (300pF, 100pF y 10pF). Las frecuencias
escogidas corresponden a aquellas en las que se consigue el mximo rendimiento
para cada una de las capacidades elegidas, como puede comprobarse al observar la
figura 3-37.
El mximo error entre los resultados analticos y los resultados del PSpice es de 9%
para la ganancia de tensin (C
d
=10pF a 2,6MHz, 0,42 frente a 0,38) y 5% para el
rendimiento (C
d
=300pF a 2,6MHz, 29,4% frente a 31%).
Al igual que suceda al emplear la estructura inversora con un solo interruptor,
empleando el mtodo analtico basado en las tcnicas de alterna se consiguen unos
resultados prcticamente iguales que los proporcionados por las simulaciones en
PSPice. Para comprobarlo con ms detalle, en la figura 3-38 se han representado las
formas de onda para uno de los casos considerados (C
d
= 10pF y frecuencia de
conmutacin 757kHz). Las formas de onda de la tensin drenador-fuente son muy
similares. En cuanto a la forma de la corriente resonante, una vez ms hay que tener
en cuenta que el anlisis realizado se considera solamente la componente
fundamental, mientras que en la simulacin con PSpice se tienen en cuenta todos los
armnicos.
G
a
n
a
n
c
i
a

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
G
a
n
a
n
c
i
a

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2

Figura 3-36.Ganancia total del convertidor CC/CC obtenida empleando un simulador elctrico

0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d

Figura 3-37.Rendimiento del convertidor CC/CC obtenido empleando un simulador elctrico comercial
y los mtodos analticos descritos
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
sec
()x100
8 0
-2
0
2
4
6
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
sec
()x100
8 0
-2
0
2
4
6

Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
sec
()x100
344.00us 345.00us 346.00us 347.00us 348.00us 343.19us
-2.0
0
2.0
4.0
6.0
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
sec
()x100
344.00us 345.00us 346.00us 347.00us 348.00us 343.19us
-2.0
0
2.0
4.0
6.0

d
= 100pF, frecuencia de conmutacin=757kHz) para el convertidor con tanque
serie e inversor en medio puente
Observando las diferencias obtenidas en los rendimientos y la ganancia de tensin
calculados para distintas capacidades parsitas de los diodos, la importancia del
rectificador en el funcionamiento del convertidor queda patente. Si se despreciasen
estas capacidades, existira una gran discrepancia entre los resultados reales
obtenidos con el convertidor y los esperados.
Conclusiones acerca de la validez del modelo propuesto para las topologas
con tanque resonante serie, rectificador de media onda y etapas inversoras
con un nico interruptor o en medio puente
Al anlisis y validacin de los modelos se les ha concedido una especial importancia
debido a que constituyen unas aportaciones originales de esta tesis, y su utilizacin
puede resultar de mucha utilidad para el diseo de convertidores CC/CC para
aplicaciones de transferencia de energa sin contacto.
Se ha comprobado que el error entre los resultados obtenidos mediante las
simulaciones y mediante el mtodo analtico es muy pequeo, puesto que las
discrepancias para el caso analizado son menores que el 1% en el clculo del
rendimiento y menores que el 10% en el clculo de la ganancia de tensin. Por ello el
anlisis realizado es suficientemente preciso siempre que se cumplan las
simplificaciones supuestas:
MOSFET como interruptor principal.
Frecuencia de operacin cercana a la frecuencia de resonancia.
Factor de calidad suficientemente elevado para que las formas de onda sean
suficientemente sinusoidales.
Conmutacin a tensin cero en el interruptor principal.
Aproximacin mediante media sinusoide de la tensin drenador-fuente en el
MOSFET en el caso del inversor con un nico interruptor.
3.5.2 Anlisis del convertidor con tanque resonante serie y
Una vez validado el modelo del convertidor, va a emplearse para realizar distintas
simulaciones de su comportamiento y extraer algunas conclusiones sobre el diseo
del convertidor con tanque resonante serie y rectificador de media onda. Para ello se
estudiarn los siguientes puntos:
Comparacin de la ganancia y el rendimiento obtenido con las dos etapas
inversoras analizadas.
Eleccin de los diodos rectificadores: criterios para elegir el diodo segn su
capacidad parsita.
Diseo del tanque resonante: determinacin de los lmites que existen a la hora
de disear el transformador de bajo acoplamiento y el condensador del tanque
resonante debido a la influencia en la resonancia de la etapa rectificadora.
Estudio de la variacin del acoplamiento del transformador de bajo
acoplamiento y de la variacin de la carga.

3.5.2.1 Comparacin de las etapas inversoras propuestas
Para la validacin del modelo propuesto se realizaron simulaciones con las distintas
etapas inversoras. En todos los casos las simulaciones se realizaron para obtener una
tensin y una potencia de salida determinadas. Por tanto el primer armnico de la
tensin a la entrada del transformador de bajo acoplamiento era el mismo
independientemente de la etapa inversora. Sin embargo, el clculo de la tensin y
corriente continuas de entrada depende de la topologa inversora.
A) TENSIN EN EL INTERRUPTOR PARA EL
INVERSOR CON NICO INTERRUPTOR
B) TENSIN A LA ENTRADA DEL
TRANSFORMADOR PARA EL INVERSOR EN
MEDIO PUENTE
M
1
V
cc
L
1
M
1
V
cc
L
1

M
1
C
1
M
2
C
4
V
cc
L
1
M
1
C
1
M
2
C
4
V
cc
L
1

V
cc
V
cc

+V
cc
/2
-V
cc
/2
+V
cc
/2
-V
cc
/2

Figura 3-39. Tensin a la salida de la etapa inversora para los dos casos considerados
Para la etapa inversora con un nico interruptor, el primer armnico a la salida de la
etapa inversora es igual al primer armnico de la tensin en el interruptor, como ya
se haba comentado al describir en detalle este inversor (figura 3-39.a). Por tanto,
para un ciclo de trabajo igual a 0,5 y despreciando las cadas de tensin debidas a
prdidas de potencia en elementos resistivos, el primer armnico de tensin puede
calcularse como:

cc cc T
V V = = 57 , 1
2
V ( 3-56)
Del mismo modo, y despreciando las cadas de tensin debidas a efectos resistivos, el
primer armnico a la salida de la etapa inversora en medio puente puede calcularse
como (figura 3-39.b):

cc cc T
V V = = 63 , 0
2
V ( 3-57)
Por tanto, puede comprobarse que la etapa inversora con un nico interruptor
proporciona una ganancia de tensin aproximadamente 2,5 veces mayor que la etapa
inversora en medio puente. Esto puede compararse empleando las simulaciones
realizadas para la validacin del modelo analtico. En la figura 3-40 se representan
las ganancias de tensin del convertidor resonante (tensin continua de
salida/tensin continua de entrada) para los casos analizados en el subapartado
anterior, en el que se consideraban distintas capacidades parsitas de los diodos
rectificadores. Las lneas de trazos corresponden a los convertidores con etapa
inversora en medio puente.
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
G
a
n
a
n
c
i
a

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Cd=300pF un solo interruptor
Cd=300pF medio puente
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
G
a
n
a
n
c
i
a

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)

Figura 3-40. Ganancia de tensin del convertidor CC/CC empleando las etapas inversoras consideradas
para un tanque resonante serie en secundario
De nuevo se van a comparar las simulaciones ya realizadas para distintas
capacidades parsitas de los diodos rectificadores. Como puede comprobarse en la
figura 3-41, los valores de rendimiento obtenidos con las dos etapas inversoras son
muy similares, al menos para los niveles de corriente y tensin manejados en esta
aplicacin.
Sin embargo, en el caso de etapa inversora con un nico interruptor, ste soporta una
tensin con un alto valor mximo (V
cc
) comparado con el inversor en medio puente
(V
cc
). Por tanto, el dispositivo tendr peores caractersticas (para un MOSFET, mayor
resistencia de conduccin R
dson
). Esto hace imprescindible comparar las dos etapas
inversoras desde el punto de vista del rendimiento. Pero adems, para calcular la
autonoma que se conseguira con cada topologa, tambin sera necesario incluir las
prdidas en los accionadores, puesto que en el caso de la etapa inversora en medio
puente puede tener mucha importancia.

0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)

Figura 3-41. Rendimiento calculado del convertidor CC/CC empleando las etapas inversoras
consideradas para un tanque resonante serie en secundario
Si se observa la corriente continua suministrada por la batera para mantener
constante la tensin y la potencia de salida, puede comprobarse que es mayor para el
caso del inversor con un nico interruptor (figura 3-42). Sin embargo, las prdidas
totales no son mayores porque tambin influye el valor de alterna de la corriente y
adems en el caso del medio puente hay dos interruptores.
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
C
o
r
r
i
e
n
t
e

c
o
n
t
i
n
u
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a

(
m
A
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
C
o
r
r
i
e
n
t
e

c
o
n
t
i
n
u
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a

(
m
A
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)

Figura 3-42. Corriente continua de entrada para las etapas inversoras consideradas para un tanque
resonante serie en secundario
Conclusiones respecto a las etapas inversoras analizadas
Para las potencias y tensiones de salida consideradas, el comportamiento de las
dos etapas inversoras desde el punto de vista del rendimiento es prcticamente
igual.
La ganancia del convertidor depende de la etapa inversora que se utilice. La
etapa inversora con un nico interruptor proporciona ms del doble de ganancia
que la etapa inversora en medio puente.
En igualdad de condiciones, la etapa con un nico interruptor presenta ventajas
de coste y sencillez: menos componentes y un circuito de accionamiento del
MOSFET ms sencillo (sin aislamiento de masa), pero el MOSFET tiene que ser
de mayor tensin (peores caractersticas).
En el caso del inversor con nico interruptor, el dispositivo tiene que soportar
mayor tensin y por tanto es de peores caractersticas. Esto hace que para las
mismas condiciones las prdidas en el interruptor sean mayores que para un
dispositivo en el medio puente. Sin embargo, en el caso del medio puente las
prdidas se multiplican por dos, al existir dos interruptores. Por tanto, las
diferencias entre uno y otro inversor vendrn dadas por la relacin entre el valor
de pico del primer armnico de la corriente circulante por los interruptores y el
valor de continua. Ser necesario hacer este anlisis de prdidas al realizar el
diseo de la etapa inversora.
Para el inversor con nico interruptor, el valor de la capacidad externa que se
coloca en paralelo con el interruptor es decisivo para garantizar la conmutacin a
tensin cero. La capacidad de salida del MOSFET y la capacidad del devanado
primario tambin influyen en la conmutacin.
La eleccin de una u otra etapa inversora tambin depende de la variable
mediante la cual se pretende controlar la tensin de salida. Si se pretende
cambiar el ciclo de trabajo, es mejor optar por una estructura en medio puente.
Con la etapa inversora de nico interruptor se puede variar la frecuencia de
funcionamiento, pero siempre se debe mantener constante el tiempo de apagado
del interruptor, para garantizar la conmutacin a tensin cero y reducir las
prdidas.
3.5.2.2 Consideraciones acerca del diseo del tanque resonante serie
El hecho de que el rectificador pueda afectar a la resonancia condiciona el diseo del
tanque resonante. En principio es deseable evitar la resonancia con las capacidades
parsitas de los diodos, ya que es muy difcil prever el valor de stas y puede existir
una gran dispersin en sus valores.
Para estudiar este efecto se han diseado tres tanques resonantes con distintos
factores de calidad considerando un convertidor CC/CC con tanque resonante serie
formado por un condensador en serie con una bobina (eliminando el transformador
de bajo acoplamiento). La tensin de salida considerada es 10V, la corriente 10mA, la
capacidad parsita de los diodos 300pF y se ha despreciado su cada directa. El
diseo se ha realizado empleando para los clculos la tradicional resistencia
equivalente obtenida mediante la ecuacin ( 3-20).
En la tabla 3-4 se muestran la capacidad y la inductancia del tanque resonante
necesarios para conseguir el factor de calidad determinado (Q=1, 10 y 100) y una
frecuencia de resonancia igual a 1MHz. Sin embargo, al aplicar en el anlisis la
impedancia equivalente, se observa que los resultados obtenidos no son iguales a los

esperados al despreciar la capacidad parsita de los diodos: la frecuencia de
resonancia es mayor de lo esperado y el factor de calidad tambin es mayor. En la
figura 3-43 se comparan la ganancia obtenida aplicando la resistencia equivalente
(ganancia ideal) y la calculada considerando los efectos capacitivos de los diodos
del rectificador (ganancia real) para dos factores de calidad diferentes.
TABLA 3-4
DATOS DEL TANQUE RESONANTE PARA UN DISEO REALIZADO EMPLEANDO RESISTENCIA EQUIVALENTE,
CON DISTINTOS FACTORES DE CALIDAD Y PARA QUE LA FRECUENCIA DE RESONANCIA FUESE 1MHZ
Q=1 Q=10 Q=100
Inductancia del tanque resonante (H) 32,25 322,5 3,225m
Capacidad externa del tanque resonante (F) 785,4p 78,54p 7,854p
Frecuencia de resonancia real (Hz) 1,25M 1,02M 1M
Factor de calidad real 4 26 257

A) FACTOR DE CALIDAD IDEAL = 1
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
s
n
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Ganancia ideal
Ganancia real
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
s
n
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Ganancia ideal
Ganancia real

B) FACTOR DE CALIDAD IDEAL = 100
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Ganancia ideal
Ganancia real
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Ganancia ideal
Ganancia real

Figura 3-43. Ganancias de tensin ideal y real para dos diseos con diferentes factores de calidad y una
frecuencia de resonancia de 1MHz
El efecto de la capacidad equivalente se hace ms patente cuanto menor es el factor
de calidad con el que se disea el tanque resonante: el factor de calidad real es cuatro
veces mayor que el esperado cuando Q=1 (4 frente a 1), y solo dos veces y media
mayor cuando Q=100 (257 frente a 100). La frecuencia de resonancia real es mayor
cuando Q=1 (1,25MHz frente a 1MHz), mientras que cuando Q=100 es la misma
(1MHz).
Para entender por qu se produce este hecho, hay que considerar que el valor real de
la capacidad resonante C
res
es:
)) 2 ( , min(
) 2 (
) 2 (
sec
sec
sec
res eq
res eq
res eq
res
f C C
f C C
f C C
C <
+

=
( 3-58)
Siendo C
sec
la capacidad el tanque serie y C
eq
la capacidad serie equivalente a la
frecuencia de resonancia.
A partir de esta ecuacin se deduce que la capacidad externa del tanque resonante
puede no estar fijando la frecuencia de resonancia como sera deseable. Si la
capacidad equivalente es mucho menor que la capacidad del condensador del
tanque resonante, la frecuencia de resonancia estar fijada por los diodos. Por otra
parte, si la capacidad del tanque es mucho menor que la equivalente, la frecuencia de
resonancia estar fijada por la capacidad del tanque.
En el ejemplo considerado, la capacidad equivalente del rectificador a 1MHz es igual
a 1,759nF. Comparando este nmero con los de la tabla 3-4, es fcil entender la
diferencia entre la ganancia real y la ganancia ideal para un factor de calidad igual 1.
Con este factor de calidad la capacidad del tanque serie (785,4pF) es muy similar a la
capacidad equivalente del rectificador, y la resonancia est muy afectada por los
diodos rectificadores.
Conclusiones respecto al diseo del tanque resonante
Para el diseo de un tanque resonante serie con alta frecuencia de resonancia y
baja corriente de salida, el factor de calidad siempre tiene que ser muy alto. De
este modo, la capacidad del tanque resonante puede disearse para que sea de
mucho menor valor que la capacidad equivalente de la etapa rectificadora y se
minimice su efecto sobre la resonancia. Si no se hiciese as, el funcionamiento del
convertidor sera dependiente de las capacidades parsitas de los diodos, que
son muy variables y poco controlables en la etapa de diseo.
3.5.2.3 Efecto de las capacidades parsitas de los diodos
Segn se ha comentado a lo largo de todo este captulo, las capacidades parsitas de
los diodos rectificadores pueden desempear un importante papel en el
funcionamiento de la etapa rectificadora y por tanto en el funcionamiento de todo el
circuito resonante. Esto es un gran problema en el diseo de los convertidores
CC/CC para aplicaciones de muy baja potencia o que trabajan a alta frecuencia. Se
pone en relieve que siempre hay que estudiar el efecto de las capacidades parsitas
de los diodos rectificadores y considerar su influencia en la resonancia. Al aumentar
la frecuencia de funcionamiento, el tiempo de carga y descarga de las capacidades se
hace comparable al perodo de conmutacin y se producen los efectos ya
mencionados: reduccin del ngulo de conduccin de los diodos y aumento del valor
de pico de la corriente resonante para obtener una misma corriente de salida.
Para comprobar el efecto de las capacidades parsitas de los diodos se ha estudiado
analticamente el valor de la corriente por el secundario, el ngulo de conduccin,
etc. para el convertidor de la figura 3-31, en el que se han considerado tres
capacidades parsitas de los diodos rectificadores: C
d
= 300pF, 100pF y 10pF.

0
0,02
0,04
0,06
0,08
0,10
0,12
0,14
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
o
r
r
i
e
n
t
e

(
A
)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
0
0,02
0,04
0,06
0,08
0,10
0,12
0,14
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
o
r
r
i
e
n
t
e

(
A
)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF

Figura 3-44. Valor de pico de la corriente resonante en funcin de la frecuencia para distintas
capacidades parsitas de los diodos rectificadores
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
n
g
u
l
o

(
r
a
d
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
n
g
u
l
o

(
r
a
d
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF

Figura 3-45. ngulo de conduccin de los diodos rectificadores en funcin de la frecuencia para
distintas capacidades parsitas de los diodos rectificadores
A) RESISTENCIA EQUIVALENTE
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
B) CAPACIDAD EQUIVALENTE
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
C
a
p
a
c
i
d
a
d

(
F
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Capacidad tanque resonante C
sec
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
C
a
p
a
c
i
d
a
d

(
F
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
sec
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
sec
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
Figura 3-46. Resistencia y capacidad serie equivalentes en funcin de la frecuencia para distintas
En la figura 3-44 y la figura 3-45 se han representado el valor de pico de la corriente
resonante y el ngulo de conduccin en funcin de la frecuencia para las distintas
capacidades parsitas de los diodos. El efecto es mucho mayor cuanto mayor es la
capacidad C
d
. Adems, cuanto mayor es C
d
el efecto empieza a apreciarse a menor
frecuencia porque el tiempo de carga y descarga de las capacidades es mayor (la
constante de tiempo C
d
R
carga
es mayor).
Por supuesto, la impedancia equivalente de la etapa rectificadora refleja estas
tendencias de la corriente y el ngulo de conduccin. Como ya se coment al obtener
la expresin analtica de la resistencia equivalente, para un anlisis con potencia de
salida constante, el valor de la resistencia equivalente ser menor cuanto mayor sea
la corriente resonante (figura 3-46.a).
La capacidad equivalente tambin se reduce al aumentar la frecuencia. Esto es un
gran problema para el diseo, puesto que la frecuencia de resonancia puede verse
afectada al quedar en serie el condensador del tanque serie y la capacidad
equivalente, segn el esquema que se mostr en la figura 3-21.
Resolviendo el anterior sistema para distintas frecuencias y con los datos del ejemplo
de partida, puede representarse la ganancia total del circuito en funcin de la
frecuencia como se muestra en la figura 3-47. En esta figura puede observarse el
efecto de estas capacidades en la frecuencia de resonancia y en el factor de calidad.
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
G
a
n
a
n
c
i
a

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
G
a
n
a
n
c
i
a

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF

Figura 3-47. Ganancia de tensin en funcin de la frecuencia
El rendimiento en funcin de la frecuencia ha sido representado en la figura 3-48
para una potencia de salida constante. Como puede observarse, el peor rendimiento
se consigue cuando la capacidad parsita de los diodos es mayor. Este resultado era
de esperar y tambin se deduce del estudio del valor de pico de la corriente
resonante y del ngulo de conduccin de los diodos rectificadores (figura 3-44 y
figura 3-24): cuanto mayores son las capacidades parsitas y mayor es la frecuencia,
mayor corriente se necesita para cargarlas y descargarlas, y por tanto hay ms
energa reactiva y se producen ms prdidas. Al haber ms energa reactiva
circulando, el factor de calidad es mayor cuanto mayor es la capacidad, como
puede deducirse por la forma de las funciones representadas en la figura 3-47.

0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF

Figura 3-48. Rendimiento en funcin de la frecuencia
Conclusiones respecto a la eleccin de los diodos de la etapa rectificadora
La eleccin del diodo rectificador es decisiva para determinar el funcionamiento
del convertidor resonante, puesto que puede afectar a la resonancia del
convertidor y cambiar su frecuencia de resonancia. Por ello resulta
imprescindible considerar el efecto de sus capacidades parsitas al modelar el
convertidor, para valorar su influencia.
Si no se tuvieran en cuenta las capacidades parsitas de los diodos rectificadores
en el diseo del convertidor, los resultados obtenidos al comprobar el diseo
seran muy diferentes de los esperados, de modo que el rendimiento sera ms
bajo y la ganancia de tensin mayor.
Los diodos rectificadores tienen que tener una capacidad parsita tanto ms baja
cuanto mayor es la resistencia de carga, para minimizar el tiempo de carga y
descarga y por tanto no influir en exceso en el comportamiento del convertidor.
Si no es as, el valor de pico de la corriente que circula por el tanque resonante
ser ms alto que en el caso ideal y se incrementarn las prdidas de potencia en
las resistencias.
El rendimiento del convertidor depende de las capacidades parsitas de los
diodos rectificadores y de la frecuencia de trabajo. Si se contemplan todas estas
dependencias simultneamente, en un grfico en tres dimensiones, el resultado
es el representado en la figura 3-49:
- Cuanto menores con las capacidades parsitas de los diodos rectificadores,
mayor es el rendimiento que se puede conseguir.
- Cuanto mayores son las capacidades parsitas de los diodos rectificadores,
ms baja es la frecuencia a la que se obtiene el mejor rendimiento.
0
4
x 10
-10
10
5
10
6
10
7
0
20
40
60
80
100
Frecuencia (Hz)
Capacidad parasita del diodo (F)
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)

Figura 3-49. Rendimiento calculado en funcin de la frecuencia y de la capacidad parsita de los diodos
rectificadores
Al presentar los convertidores existentes en el estado de la tcnica y establecer una
clasificacin de stos atendiendo a la ganancia de tensin, se mencion que los
convertidores resonantes con una sola resonancia eran muy sensibles a variaciones
en la frecuencia de funcionamiento, el acoplamiento y la carga. Estos dos ltimos
puntos van a estudiarse en este subapartado y el siguiente.
En el convertidor resonante de la figura 3-31 se ha modificado el coeficiente de
acoplamiento del transformador de bajo acoplamiento, para estudiar su efecto en la
ganancia de tensin y en el rendimiento.
En la figura 3-50 se muestran las curvas de ganancia de tensin para distintos
coeficientes de acoplamiento, siempre considerando que la tensin y la potencia de
salida son constantes e iguales a 5V y 15mW respectivamente. Como se esperaba, la
tensin es muy dependiente del acoplamiento del transformador y el convertidor no
es capaz de absorber la variacin. Por tanto se hace imprescindible un sistema de
control que regule y mantenga la tensin de salida en el valor adecuado. Para ello se
pueden plantear las siguientes opciones:

0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1

Figura 3-50. Ganancia de tensin del convertidor CC/CC con tanque resonante serie y rectificador de
media onda para transformadores con distintos acoplamientos
0
10
20
30
40
50
60
70
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
10
20
30
40
50
60
70
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)

Figura 3-51. Rendimiento calculado del convertidor CC/CC con tanque resonante serie y rectificador de
Control de la tensin de salida mediante la variacin de la frecuencia de
funcionamiento, con tensin de entrada fijada por la batera. En el caso
representado en la figura 3-50 no es posible absorber toda la variacin de
acoplamiento aplicando este mtodo de control. Si la tensin de entrada es fija y
se quiere mantener la tensin de salida igual a 5V, la ganancia de tensin es
constante, es decir, una recta horizontal. Pero en este caso ninguna recta
horizontal corta todas las curvas de ganancia del convertidor para los distintos
acoplamientos. Incluso si se considerase una variacin del coeficiente de
acoplamiento menor, la variacin en la frecuencia de funcionamiento tendra que
ser demasiado grande.
Control de la tensin de salida mediante la variacin de la tensin de entrada.
Para el ejemplo de la figura 3-50 sera la mejor solucin. Si la frecuencia de
conmutacin se fijase en 700kHz, se conseguira siempre el mejor rendimiento
posible de la etapa de potencia y la variacin de tensin no sera la mayor
posible, puesto que esa frecuencia no coincide con la de resonancia en todos los
casos. La desventaja de esta solucin es que al rendimiento del convertidor
CC/CC (figura 3-51) habra que aadir el rendimiento del pre-regulador, de
modo que las prdidas del sistema podran incrementarse en exceso.
Control de la tensin de salida mediante la variacin del ciclo de trabajo. Al
variar el ciclo de trabajo del convertidor se modifica el valor del primer armnico
de la tensin de salida de la etapa inversora, y por tanto se modifica la ganancia
del convertidor CC/CC.
Dependiendo de la etapa inversora que se est empleando puede ser ms interesante
emplear uno u otro tipo de control. Como ya se mencion al comparar las etapas
inversoras, cuando se emplea un solo interruptor el tiempo de apagado tiene que
permanecer constante para que siempre haya conmutacin a tensin cero, lo que
dificulta que se controle variando la frecuencia. En el captulo de resultados
experimentales se presentarn prototipos cuya tensin de salida se controla variando
la tensin de entrada del convertidor mediante un pre-regulador.
Conclusiones respecto al acoplamiento del transformador
Los convertidores CC/CC con nica sintona como el estudiado (tanque
resonante serie y rectificador de medio puente) no son capaces de absorber la
variacin de acoplamiento y por tanto precisan un lazo de control para mantener
la tensin de salida fija en el valor nominal. Algunos sistemas de control de la
tensin de salida que se han comentado son:
- Variacin de la frecuencia de funcionamiento.
- Variacin de la tensin de entrada mediante un pre-regulador.
- Variacin del ciclo de trabajo.
Desde el punto de vista del control, a la hora de disear el transformador para
un convertidor con nica sintona sera mejor mantener el acoplamiento lo ms
constante posible que tratar de optimizarlo para cada distancia de separacin
entre los devanados.
3.5.2.5 Efecto de la variacin de carga
Del mismo modo que los convertidores con nica sintona son muy sensibles a
variaciones en el acoplamiento, tambin lo son a variaciones en la carga.
Por supuesto el rendimiento es muy diferente segn la potencia con la que se est
trabajando. En la figura 3-52 se muestra el rendimiento del mismo convertidor
CC/CC para distintas potencias de salida. A medida que se va reduciendo la carga,
se va reduciendo el rendimiento del circuito.

0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k

Figura 3-52. Rendimiento del convertidor CC/CC con tanque resonante serie, rectificador de media onda
y etapa inversora con un nico interruptor variando la resistencia de carga
Pero sin duda el mayor problema al variar la carga es controlar la tensin de salida y
mantenerla fija en su valor nominal, considerando que la ganancia del convertidor es
muy sensible a la resistencia de carga. Observando las curvas de ganancia en la
figura 3-53, puede comprobarse que variar la potencia de salida de 15mW a 1mW la
ganancia a la frecuencia de resonancia correspondiente vara de 2 a 10. Adems, al
reducir la carga, los efectos capacitivos de la etapa rectificadora se hacen ms
plausibles, y por tanto su efecto en la frecuencia de resonancia es mayor. De este
modo, al reducir la potencia de salida, la frecuencia de resonancia del convertidor
desplaza hacia la derecha, es decir, aumenta. Por lo tanto, si se conmuta con
frecuencia constante, como por ejemplo 800kHz, la variacin de la ganancia de
tensin al pasar de 15mW a 1mW es mucho menor.
0
2
4
6
8
10
12
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
2
4
6
8
10
12
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)

Figura 3-53. Ganancia del tanque resonante serie con rectificador de media onda variando la resistencia
de carga, sin considerar la etapa inversora
Aunque en esta tesis no se van a estudiar las distintas alternativas para controlar la
tensin de salida, es importante remarcar lo siguiente: gracias al modelo propuesto
y a las curvas de ganancia obtenidas en este anlisis, por simple medida de la
tensin en el devanado primario (en magnitud y fase) puede determinarse si la
variacin en la tensin de salida ha sido debida a una variacin del acoplamiento
o de la carga, y por tanto actuar en consecuencia con el sistema de control.
3.5.3 Conclusiones respecto al diseo del convertidor CC/CC con
tanque resonante serie en el secundario y rectificador de media
onda
El convertidor con tanque resonante serie en el secundario se emplea porque
minimiza la impedancia del secundario y por tanto facilita la transferencia de
potencia.
Al analizar el funcionamiento del convertidor con tanque resonante serie y
rectificador de media onda se ha comprobado que el valor de pico de la corriente
de secundario no depende del diseo del tanque resonante, sino tan solo de la
carga y las capacidades parsitas de los diodos rectificadores. As, cuando el
efecto de las capacidades parsitas es despreciable, el valor de pico de la
corriente resonante es igual a veces la corriente de salida.
La influencia de las capacidades parsitas de los diodos rectificadores en el
funcionamiento del convertidor depende la relacin entre la constante de tiempo
R
carga
C
diodo
y la frecuencia de conmutacin (siendo R
carga
la resistencia de carga y
C
diodo
la capacidad parsita de los diodos).
Para evitar el efecto de las capacidades parsitas hay que disear tanques
resonantes con factores de calidad muy altos. Para conseguir un alto factor de
calidad es necesario tener una alta inductancia en el devanado secundario y/o
una baja capacidad en el tanque resonante. Es muy beneficioso trabajar con una
capacidad muy baja en el secundario, ya que de ese modo se minimiza el efecto
de las capacidades parsitas de los diodos.
Los pasos a seguir a la hora de disear un convertidor CC/CC con tanque
resonante serie y rectificador de media onda son los siguientes:
1. Eleccin de los diodos rectificadores atendiendo a la tensin que tienen que
bloquear y la corriente que pasa por ellos. Adems hay que evaluar el
producto R
carga
C
diodo
para determinar cul es la mayor capacidad parsita de
los diodos permisible para que no afecte al funcionamiento del circuito.
2. Diseo del tanque resonante serie, sabiendo que tiene que tener un alto factor
de calidad para minimizar la influencia de las capacidades parsitas de los
diodos en la frecuencia de resonancia del convertidor. Para conseguir esto lo
mejor es trabajar con una capacidad del tanque resonante serie menor que la
capacidad serie equivalente a la frecuencia de resonancia.

3. Diseo del primario del transformador para conseguir la ganancia de tensin
adecuada
**
.
4. Una vez conocidas las inductancias necesarias para el funcionamiento del
circuito hay que disear el transformador aplicando las reglas de diseo
obtenidas en el captulo anterior, teniendo en cuenta las siguientes
recomendaciones:
- Coeficiente de acoplamiento alto, pero lo ms insensible posible a las
variaciones de la separacin entre los devanados, puesto que se est
tratando con convertidores resonantes con nica sintona.
- Capacidad del devanado primario lo menor posible para que pueda haber
- Resistencias de los devanados lo menores posibles para maximizar el
rendimiento de la fuente de alimentacin.

**
La influencia de la inductancia del devanado primario en la ganancia se comprobar en el
captulo de resultados experimentales, al trabajar con los prototipos diseados.
3.6 Topologas con tanque resonante paralelo en el secundario y
Al analizar el tanque resonante serie pudo comprobarse la importancia de obtener
un modelo preciso, que tuviese en cuenta los efectos capacitivos de la etapa
rectificadora, puesto que estos efectos originaban una mayor circulacin de corriente,
modificaciones en la frecuencia de resonancia y la ganancia de tensin y un
rendimiento menor del esperado. A continuacin va a plantearse el estudio del
convertidor CC/CC con tanque resonante paralelo en el secundario, siguiendo un
procedimiento similar al que se emple para el convertidor anterior, para comprobar
si la influencia de las capacidades parsitas del diodo rectificador es tan importante
en este caso.
Las ventajas e inconvenientes del tanque resonante paralelo, analizado en
[STEIGER88] siguiendo el procedimiento clsico (sustituyendo el rectificador por
una resistencia equivalente), se recogen en la figura 3-54.

Ventajas:
9 Permite control sin carga operando por
encima de la frecuencia de resonancia.
9 La proteccin de sobrecorriente es
inherente a la topologa, ya que la
bobina del tanque resonante limita la
corriente.
Desventajas:
8 La corriente que circula por el inversor y
el tanque resonante es relativamente
independiente de la carga. Por tanto
porcentaje alto de las prdidas es
independiente de la carga.
Figura 3-54. Ventajas y desventajas del convertidor resonante paralelo segn el anlisis propuesto en
[STEIGER88]
El anlisis de esta tesis se va a centrar en las topologas mostradas en la figura 3-55 y
la figura 3-56. Al igual que sucedi en el anlisis del convertidor con tanque
resonante serie, se trata de dos convertidores con el mismo tanque resonante paralelo
y la misma etapa rectificadora, con un solo diodo. Se diferencian en la etapa
inversora y, como en el convertidor anterior, se considerar el inversor con nico
interruptor y el inversor en medio puente.
El estudio de estos convertidores va a seguir los pasos ya descritos: descripcin del
funcionamiento de la etapa rectificador despreciando el efecto de las capacidades
parsitas de los diodos, descripcin del funcionamiento de la etapa rectificador
considerando el efecto de las capacidades parsitas de los diodos, obtencin de las

ecuaciones necesarias para modelar el funcionamiento del convertidor para el primer
armnico, validacin del modelo propuesto, anlisis de la topologa empleando el
modelo descrito y extraccin de conclusiones de diseo.
M
1
C
1
C
2
R
carga
V
cc
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
1
M
1
C
1
C
2
R
carga
V
cc
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
1
M
1
C
1
C
2
R
carga
V
cc
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
1

Figura 3-55. Convertidor CC/CC con nico interruptor y tanque resonante paralelo en el secundario
D
1 M
1
C
1
M
3
C
4
C
2
C
3
R
carga
V
cc
k
L
1
L
2
+
-
V
s
D
1 M
1
C
1
M
3
C
4
C
2
C
3
R
carga
V
cc
k
L
1
L
2
+
-
V
s

Figura 3-56. Convertidor CC/CC de medio puente con tanque resonante paralelo en el secundario
3.6.1 Modelado del convertidor con tanque resonante paralelo y
Al igual que se realiz para el tanque resonante serie, se trata de conseguir un
modelo analtico sencillo del convertidor para poder calcular el rendimiento y la
ganancia de tensin del convertidor resonante. Aplicando este modelo se pretende
facilitar el diseo del convertidor y poder maximizar su rendimiento, disear el
transformador de forma adecuada, escoger la frecuencia de funcionamiento, etc.
El modelo de la topologa con tanque resonante paralelo y rectificador de media
onda se va a obtener de modo similar a como se obtuvo el modelo del convertidor
con tanque resonante serie, es decir, siguiendo los pasos indicados en la figura 3-13.
Una vez obtenido y validado el modelo, se emplear para comprobar si los efectos de
la etapa rectificadora en este tipo de tanque resonante son tan importantes como en
el tanque resonante serie.
PASO 1: Estudio del rectificador para la obtencin de la impedancia
equivalente
Para analizar el funcionamiento del rectificador de media onda, en la figura 3-57.a se
han representado todas las corrientes presentes en el secundario del convertidor
resonante con tanque paralelo.
A) BALANCE DE LA CORRIENTE CONTINUA PRESENTE EN EL SECUNDARIO
s med , rect
I I =
0 =
med sec, C
I
s med sec,
I I =
s
I
i
D
( ) i
sec
( ) I
s
s med , rect
I I =
0 =
med sec, C
I
s med sec,
I I =
s
I
i
D
( ) i
sec
( ) I
s

B) CORRIENTE SINUSOIDAL POR EL SECUNDARIO DEL TRANSFORMADOR
i
sec
( )
s sec sec
I ) ( sen I ) ( i + =
sec
I
s
I
i
sec
( )
s sec sec
I ) ( sen I ) ( i + =
sec
I
s
I

Figura 3-57. Corriente por el lado secundario del transformador de bajo acoplamiento
La corriente de salida I
s
es igual al valor medio de la corriente por el diodo
rectificador i
rect
. Como el valor medio de la corriente por el condensador paralelo i
c

tiene que ser igual a cero, el valor medio de la corriente resonante tiene que ser igual
al valor medio de la corriente por el diodo rectificador y por tanto igual a la corriente
de salida I
s
. Por tanto, la ecuacin de la corriente por el secundario del transformador
de bajo acoplamiento i
sec
es (figura 3-57.b):

s sec sec
I ) ( sen I ) ( i + = ( 3-59)

Donde I
sec
es el valor de pico de la onda sinusoidal (sin su valor medio). Por ello el
primer armnico de i
sec
es:

sec sec
I = I ( 3-60)
La corriente de entrada al rectificador i
rect
no es sinusoidal. Para el rectificador de
media onda con tanque resonante serie en el secundario la corriente de entrada al
rectificador era sinusoidal, lo que simplificaba los clculos. En este caso el clculo de
la impedancia equivalente resulta ms complicado porque el clculo del primer
armnico de la corriente de entrada a la etapa rectificadora no es inmediato.
Rectificador ideal: la capacidad parsita del diodo rectificador es
despreciable
En la figura 3-58 se ha representado el circuito a analizar (secundario del
transformador de bajo acoplamiento, condensador del tanque paralelo y rectificador
de media onda con filtro por condensador) y las formas de onda ms caractersticas
del circuito. Analizndolas segn los tramos indicados en el dibujo:
Tramo I:
1
<
2

El diodo D
1
conduce cuando la corriente resonante i
sec
es positiva y la tensin a la
entrada del rectificador es igual a la tensin de salida V
s
ms la cada del diodo
V
d
. Esto sucede en el tramo en el que la fase adopta valores comprendidos entre
1
y
2
, de modo que la corriente por el diodo en este tramo es igual a la corriente
resonante. Siguiendo la notacin del caso anterior, el ngulo de conduccin del
rectificador o tiempo durante el cual el diodo est directamente polarizado se
identifica con la letra griega , es igual a:

1 2
= ( 3-61)
Tramo II:
2
< 2 +
1

Cuando la corriente por el diodo se hace negativa, el diodo D
1
deja de conducir y
la tensin a la entrada del rectificador v
rect
evoluciona segn la ecuacin:
( ) ( ) | |
2 2
1

+ + =
s sec
sec
d s rect
I ) cos( ) cos( I
C
V V ) ( v ( 3-62)
Donde C
sec
es la capacidad del tanque paralelo y los dems valores ya han sido
descritos: valor de pico de la sinusoide I
sec
, corriente de salida I
s
, ngulo de inicio
de conduccin del diodo
1
y ngulo de fin de conduccin del diodo
2
.
El diodo no volver a estar directamente polarizado hasta que esta tensin
alcance de nuevo la tensin de salida ms la cada del diodo V
s
+ V
d
, momento
en el que la fase ser igual a 2 +
1
.
A) RECTIFICADOR IDEAL
I
s
i
sec
( )
v
rect
( ) V
s
i
rect
( )
i
Csec
( )
I
s
i
sec
( )
v
rect
( ) V
s
i
rect
( )
i
Csec
( )

B) FORMAS DE ONDA
1

2
i
sec
( )
0
2
i
Csec
( )
i
D
( )
v
rect
( )
I
s
I
s
V
s
+V
d
TRAMO I TRAMO II
1

2
i
sec
( )
0
2
i
Csec
( )
i
D
( )
v
rect
( )
I
s
I
s
V
s
+V
d
TRAMO I TRAMO II
1

2
i
sec
( )
0
2
i
Csec
( )
i
D
( )
v
rect
( )
I
s
I
s
V
s
+V
d
TRAMO I TRAMO II

Figura 3-58. Esquema y formas de onda caractersticas del rectificador de media onda con tanque
resonante paralelo en el secundario despreciando la capacidad parsita del diodo rectificador
Como ya se haba comentado, el primer armnico I
rect
de la corriente de entrada al
rectificador i
rect
en este caso no se puede obtener de forma inmediata
.

La parte real R
i_ideal
y la parte imaginaria X
i_ideal
del primer armnico I
rect
de la corriente de
entrada al rectificador i
rect
son:

| |
(

+

+ =
2 2
) 2 ( ) 2 (
) cos( ) cos( ) (
1 2 2 1 sec
2 1 _

sen sen I I
R
s
ideal i

| |
(

+ =
2
) cos( ) cos(
) ( ) ( ) (
2
2
2
1 sec
1 2 _

I
sen sen
I
X
s
ideal i


Lo mismo sucede con el primer armnico V
rect
de la tensin a la entrada del
rectificador v
rect
, clculo

La resistencia equivalente R
eq_ideal
y la reactancia equivalente X
eq_ideal
: se pueden
expresar en funcin de la parte real y la parte imaginaria de tensin y corriente,
llamados R
v_ideal
, R
i_ideal
, X
v_ideal
y X
i_ideal
:

2
_
2
_
_ _ _ _
_
ideal i ideal i
ideal i ideal v ideal i ideal v
ideal eq
X R
X X R R
R
+
+
= ( 3-63)

2
_
2
_
_ _ _ _
_
ideal i ideal i
ideal i ideal v ideal i ideal v
ideal eq
X R
X R R X
X
+

= ( 3-64)
Estas expresiones son complicadas y pocas conclusiones se pueden extraer
directamente de ellas. Para facilitar su anlisis, en la figura 3-59 se han representado
las formas de onda de corriente i
rect
y tensin v
rect
a la entrada del rectificador junto
con sus respectivos primeros armnicos I
rect
y V
rect
. En el dibujo puede observarse
que existe un pequeo desfase entre los primeros armnicos de la corriente y la
tensin. Como la tensin est retrasada respecto a la corriente, la impedancia
equivalente es igual a un condensador y una resistencia (figura 3-60).

La parte real R
v_ideal
y la parte imaginaria X
v_ideal
del primer armnico V
rect
de la corriente de
entrada al rectificador i
rect
son:
| |
(

+ +

=
2
) cos( ) cos(
) ( ) ( 2 ) (
2
1
2
2
sec
sec
2 1 1 2
sec
_

C
I
sen sen
C
I
R
s
ideal v

| |
(

+

=
2
2
4
) 2 ( ) 2 (
) cos( ) cos( ) (
1 2 2 1
sec
sec
2 1
sec
_

sen sen
C
I
C
I
X
s
ideal v

El primer armnico de la tensin V
rect
puede expresarse en funcin del primer armnico de
corriente I
rect
:

) (
1
) (
_
sec
_

ideal i ideal v
X
C
R
=

( ) ) ( ) (
1
) (
sec _
sec
_

I R
C
X
ideal i ideal v

=

Tensin entrada
rectificador v
rect
1er armnico tensin
entrada rectificador V
rect
Tensin entrada
rectificador i
rect
1er armnico tensin
entrada rectificador I
rect
Tensin entrada
rectificador v
rect
1er armnico tensin
rect
Tensin entrada
rectificador i
rect
1er armnico tensin
rect
Tensin entrada
rectificador i
rect
1er armnico tensin
rect

Figura 3-59. Corriente y tensin a la entrada del rectificador y sus respectivos primeros armnicos
v
rect
( )
R
carga
i
rect
( )
v
rect
( )
R
carga
i
rect
( )

v
rect
( )
i
rect
( )
R
eq
C
eq
v
rect
( )
i
rect
( )
R
eq
C
eq

Figura 3-60. Sustitucin del rectificador de media onda ideal con tanque resonante paralelo por una
impedancia equivalente formada por resistencia y condensador
Como ya se ha comentado, la corriente de salida es igual al valor medio de la
corriente por el diodo D
1
, por lo que se cumple:
( )

+
=

2
1
2
1
2
1
2
0
d I ) ( sen I d ) ( i I
s sec rect s
( 3-65)
Esta condicin es equivalente a decir que la corriente media por el condensador del
tanque resonante tiene que ser igual a cero. Segn la figura 3-61, las reas A
1
y A
2

deberan ser iguales.
Resolviendo la integral anterior se obtiene una ecuacin que relaciona la corriente de
salida con el valor de pico de la corriente resonante I
s
y los ngulos de principio y fin
de la conduccin del diodo, llamados
1
y
2
respectivamente:
( 3-66)

i
Csec
( )
0
2
1

2
A
1
A
2
I
s
i
Csec
( )
0
2
1

2
A
1
A
2
I
s

Figura 3-61.La corriente media por el condensador resonante tiene que ser igual a cero
A) RECTIFICADOR REAL
I
s
i
sec
( )
v
rect
( )
V
s
i
rect
( )
i
Csec
( )
i
D
( )
i
CD
( )
+
-
I
s
i
sec
( )
v
rect
( )
V
s
i
rect
( )
i
Csec
( )
i
D
( )
i
CD
( )
+
-

B) FORMAS DE ONDA
1

2
i
sec
( )
0
2
i
Csec
( )
i
D
( )
v
rect
( )
I
s
I
s
V
s
+V
d
TRAMO I TRAMO II
i
CD
( )
1

2
i
sec
( )
0
2
i
Csec
( )
i
D
( )
v
rect
( )
I
s
I
s
V
s
+V
d
TRAMO I TRAMO II
i
CD
( )

Figura 3-62. Esquema y formas de onda caractersticas del rectificador de media onda con tanque
resonante paralelo en el secundario considerando la capacidad parsita del diodo rectificador
Rectificador real: la capacidad parsita del diodo rectificador no puede
despreciarse
La capacidad parsita del diodo rectificador no puede despreciarse en todos los
casos. Por tanto, ahora va a analizarse su influencia en el funcionamiento del circuito.
Esta influencia ser tanto mayor cuanto ms parecidas sean la capacidad externa
del tanque paralelo y la capacidad parsita del diodo rectificador.
El rectificador se ha representado en la figura 3-62.a, donde el diodo rectificador se
ha representado por un diodo ideal con un condensador en paralelo, para entender
su efecto. Las formas de onda que se van a analizar son las de la figura 3-62.b, y son
muy similares a las del caso ideal.
Tramo I:
1
<
2

Es exactamente igual al caso ideal. Cuando la corriente resonante i
sec
es positiva y
la tensin a la entrada del rectificador es igual a la tensin de salida V
s
ms la
cada del diodo V
d
, el diodo D
1
est directamente polarizado y por l circula toda
la corriente resonante. El ngulo de conduccin del rectificador es igual a:

1 2
= ( 3-67)
Tramo II:
2
< 2 +
1

2
es el ngulo en el que la corriente se hace negativa. En ese momento el diodo
deja de estar polarizado en directa y la corriente se reparte entre la capacidad del
tanque paralelo y la capacidad parsita del diodo rectificador. Si la impedancia
formada por la carga y el filtro por condensador es mucho menor que la
capacidad parsita del diodo, puede despreciarse esa impedancia. En ese caso, la
tensin a la entrada del rectificador v
rect
sigue la ecuacin:
( ) ( ) | |
2 2 sec
sec
) cos( ) cos(
) (
1
) (
+
+
+ + =
s
d
d s rect
I I
C C
V V v
( 3-68)
Donde C
sec
es la capacidad del tanque paralelo, C
d
la capacidad parsita del
diodo rectificador y los dems valores ya han sido descritos: I
sec
el valor de pico
de la sinusoide, I
s
la corriente de salida,
1
el ngulo de inicio de conduccin del
diodo y
2
el ngulo de fin de conduccin del diodo.
Cuando la tensin sea de nuevo igual a V
s
+ V
d
, en el instante 2 +
1
, el diodo
volver a estar directamente polarizado y el ciclo se repetir.
Conocidas las formas de onda, se pueden calcular la parte real R
i
y la parte
imaginaria X
i
del primer armnico I
rect
de la corriente de entrada al rectificador

i
rect
. Tambin pueden calcularse la parte real R

v
e imaginaria X
v
del primer
armnico V
rect
de la tensin a la entrada del rectificador v
rect
***
. Operando con estas
ecuaciones se pueden extraer ecuaciones para calcular analticamente los valores de
la resistencia equivalente R
eq
y la capacidad equivalente C
eq
.
De nuevo estas ecuaciones son demasiado complicadas como para obtener su
sentido sin una interpretacin grfica. Para hacerlo, se han representado las formas
de onda de tensin y corriente a la entrada del rectificador, as como sus primeros
armnicos (figura 3-59). A partir de ellas se extraern algunas conclusiones acerca
del funcionamiento del rectificador.
Tensin entrada
rectificador v
rect
1er armnico tensin
rect
Tensin entrada
rectificador i
rect
1er armnico tensin
rect
Tensin entrada
rectificador v
rect
1er armnico tensin
rect
Tensin entrada
rectificador i
rect
1er armnico tensin
rect

Figura 3-63. Corriente y tensin a la entrada del rectificador y sus respectivos primeros armnicos,
considerando la capacidad parsita del diodo rectificador
Resumen del anlisis del rectificador
La corriente de salida es igual al valor medio de la corriente que circula por el
diodo rectificador. La corriente que circula por el diodo es entre
1
y
2
igual a la

| |
sec
sec
1 2 2 1
sec
sec sec
2 1
sec
sec
2 2
) 2 ( ) 2 (
) cos( ) cos( ) ( I
C C
C sen sen
C C
C I
C C
C I
R
d
d
d d
s
i

+
+
(
+
+
+
=

| |
(

+
+
=
2
) cos( ) cos(
) ( ) ( ) (
2
2
2
1 sec
1 2
sec
sec

I
sen sen
C C
C I
X
d
s
i

***

| |
(

+ +

=
2
) cos( ) cos(
) ( ) ( 2 ) (
2
1
2
2
sec
sec
2 1 1 2
sec

C
I
sen sen
C
I
R
s
v

| |
(

+

=
2
2
4
) 2 ( ) 2 (
) cos( ) cos( ) (
1 2 2 1
sec
sec
2 1
sec

sen sen
C
I
C
I
X
s
v

corriente sinusoidal, y proporcional a la que circula por el condensador del
tanque paralelo. Como la corriente media por el condensador paralelo tiene que
ser igual a cero, la corriente de salida es igual al valor medio de la corriente que
circula por el diodo entre
1
y
2
:
( ) ( )
1 2 2 1
2 2

=
s sec
s
I
) cos( ) cos(
I
I ( 3-69)
Esta expresin es igual a la obtenida cuando se despreciaron los efectos
capacitivos, recogida en la ecuacin ( 3-66). Sin embargo, el valor de pico por el
secundario del transformador y el ngulo de conduccin (I
sec
,
1
y
2
) sern
distintos cuando se considera la capacidad parsita del diodo rectificador y
cuando no se considera sta.
A la vista de la figura 3-59 el primer armnico de la tensin est retrasado
respecto al de la corriente, y por ello la impedancia equivalente del rectificador
est formada por un condensador y una resistencia (figura 3-60).
v
rect
( )
R
carga
i
rect
( )
v
rect
( )
R
carga
i
rect
( )

v
rect
( )
i
rect
( )
R
eq
C
eq
v
rect
( )
i
rect
( )
R
eq
C
eq

Figura 3-64. Sustitucin del rectificador de media onda con tanque resonante paralelo, considerando la
capacidad parsita del diodo rectificador, por una impedancia equivalente formada por resistencia y
condensador
Cuanto mayor es la corriente que circula por la capacidad parsita del diodo,
mayor es el retraso del primer armnico de la tensin respecto al de la corriente.
Es decir, cuanto ms parecidas sean la capacidad del tanque resonante y la
capacidad parsita del diodo, la impedancia equivalente tendr mayor efecto
capacitivo.
Representando la impedancia equivalente como una resistencia R
eq
y un
condensador C
eq
en serie, se pueden extraer pocas conclusiones. Sin embargo,
para cada frecuencia existe una impedancia equivalente formada por una
resistencia R
eqp
y un condensador C
eqp
en paralelo. La relacin entre las
resistencias y las capacidades a una pulsacin es [ELECTRO91]:

2
2
1
1
|
|
.
|
\
|
=
eq
eq
eq
eqp
C
R
C
C
( 3-70)

2
2
2
1
eq
eq
eq
eqp
R
C
R
R
|
|
.
|
\
|
+
=

( 3-71)
A partir de ese modelo en paralelo es ms sencillo extraer conclusiones. Como el
condensador del tanque resonante serie y la capacidad equivalente estn en
paralelo, dependiendo del valor de la capacidad equivalente, la frecuencia de
resonancia puede verse afectada. En algunos casos puede estar fijada por la
etapa rectificadora en lugar de por el condensador externo. Este aspecto es muy
importante a la hora de disear el circuito y se estudiar ms adelante.
R
eq
C
eq
R
eqp
C
eqp
Para una
frecuencia f
R
eq
C
eq
R
eqp
C
eqp
Para una
frecuencia f

Figura 3-65. Impedancia equivalente como un condensador y una resistencia en serie o como un
condensador y una resistencia en paralelo
Al obtener un modelo analtico para el convertidor serie se comprob que se facilit
su anlisis, puesto que se podan estudiar fcilmente distintos parmetros
(acoplamiento, valores de las inductancias, diseo del tanque resonante, etc.) para
optimizar el diseo. Ese mismo objetivo se va a perseguir tambin para el
convertidor que se est analizando en este apartado, basado en el tanque resonante
paralelo con rectificador de media onda (figura 3-66.a). Todo el anlisis se va a
realizar para una potencia de salida constante, de modo que el objetivo es calcular el
primer armnico de la tensin a la salida de la etapa inversora V
T
necesario para
obtener una tensin de salida y alimentar una carga determinadas, es decir,
conseguir un primer armnico de la tensin a la entrada del rectificador V
rect

determinado (figura 3-66.b).
Los pasos que se van a seguir son equivalentes a los que se siguieron para obtener las
ecuaciones que modelaban el comportamiento del convertidor con tanque resonante
serie y rectificador de media onda. Sin embargo, las ecuaciones en el caso del
convertidor con tanque resonante paralelo son ms complicadas. Adems, para la
topologa que se est estudiando es necesario realizar un proceso iterativo, puesto
que como mostrar a continuacin, para calcular el rendimiento es necesario suponer
una corriente continua de entrada, y por tanto al final del anlisis ser necesario
verificar si la suposicin es correcta.
A) CIRCUITO A ANALIZAR
TANQUE
RESONANTE
ETAPA
INVERSORA
V
cc
R
carga
+
-
V
s
D
1
C
1
v
T
v
rect
i
rect
+
-
+
-
I
cc i
prim
TANQUE
RESONANTE
ETAPA
INVERSORA
V
cc
R
carga
+
-
V
s
D
1
C
1
v
T
v
rect
i
rect
+
-
+
-
I
cc i
prim

B) CIRCUITO A ANALIZAR MEDIANTE TCNICAS DE ALTERNA
V
T
prim
I
TANQUE
RESONANTE
V
rect
+
-
sec rect
I I =
V
T
prim
I
TANQUE
RESONANTE
V
rect
+
-
sec rect
I I =

Figura 3-66. Esquema general del circuito resonante con tanque paralelo en el secundario y rectificador
de media onda
1. Clculo de la corriente resonante y el ngulo de conduccin del diodo
rectificador
La figura 3-67 representa la corriente resonante y la corriente por el diodo
rectificador. Al analizar el funcionamiento del rectificador ya se coment que el
diodo conduce un ngulo , de forma que deja de conducir en el instante en el que la
corriente i
sec
se hace negativa. Ese momento corresponde a la fase
2
:
( ) 0 ) ( ) (
2 sec
= +
s
I sen I ( 3-72)

i
sec
( )
i
D
( )
I
s
0
2
= +
s sec
I ) ( sen I
1
1 2
=
I
s
i
sec
( )
i
D
( )
I
s
0
2
= +
s sec
I ) ( sen I
1
1 2
=
I
s

Figura 3-67. Corriente resonante, corriente por el diodo rectificador y ngulo de conduccin del diodo
para el tanque resonante paralelo con rectificador de media onda
La corriente de salida I
s
es igual a la corriente media que circula por el diodo cuando
ste est directamente polarizado, como se demostr en la ecuacin ( 3-66).
Por tanto se tienen dos ecuaciones con tres incgnitas: I
sec
,
1
y
2
. Para obtener una
tercera ecuacin se va a realizar un anlisis de continua en el secundario del
transformador de bajo acoplamiento. Para simplificar los clculos, se ha representado
el transformador mediante un modelo en T, representado grficamente en la figura
3-68. La tensin media por el condensador del tanque paralelo V
c,med
es igual a:
( )
s cc cc s mscc med c
I R I I R V + =
2 ,
( 3-73)
Es decir, la tensin media en el condensador del tanque paralelo es igual a la tensin
media en las resistencias R
2cc
y R
mscc
, que son las resistencias en continua del
secundario y de la rama magnetizante. Como ya se mencion, en esta ecuacin
aparece la corriente de entrada al circuito I
cc
, que es desconocida. Para facilitar la
obtencin del modelo, se propone suponer una corriente de entrada, obtener el
modelo, calcular el rendimiento y comprobar si la corriente de entrada que se obtiene
al final es igual a la supuesta. De no ser as, habra que iterar hasta que la diferencia
entre la supuesta y la obtenida fuese suficientemente pequea.
Para obtener una expresin del valor medio V
c,med
de la tensin en el condensador del
tanque paralelo v
rect
, hay que partir de la siguiente ecuacin:
( ) ( ) | |
+ +
+
+ +
+
=

2 ) cos( ) cos(
) (
1
) (
1 2 2 2 sec
sec
2 1
s
d
d s
d s
rect
I I
C C
V V
V V
v

( 3-74)
Calculando explcitamente el valor de la tensin media V
sec,med
en el condensador
resonante a partir de la anterior ecuacin, se obtiene:

( )
2
2
) ( 2
1
2
2 1
sec
sec,

+
+
+ + =
s
d
d s med
I
C C
V V V
( ) | | ) ( sen ) ( sen ) cos( I
) C C (
sec
d sec
2 1 2 1 2
2
2
1

+ +
+
+
( 3-75)
ETAPA
INVERSORA
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec R
ms
L
ms
D
1
C
1
R
carga
+
-
V
s
V
cc
) (
s cc ms
I I R
s
I R
2
I
cc
s cc
I I
s
I
s
I
s
I
V
sec,med
ETAPA
INVERSORA
ETAPA
INVERSORA
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec R
ms
L
ms
D
1
C
1
R
carga
+
-
V
s
V
cc
) (
s cc ms
I I R
s
I R
2
I
cc
s cc
I I
s
I
s
I
s
I
V
sec,med

Figura 3-68. Anlisis de continua en el secundario del transformador de bajo acoplamiento
Con esta expresin ya se completa el sistema de tres ecuaciones con tres incgnitas
necesario para calcular el valor de pico de la corriente resonante I
sec
y los ngulos de
inicio y fin de la conduccin del diodo rectificador, llamados
1
y
2
respectivamente.
Las tres ecuaciones son:

( ) ( )
( ) | |
( )
( )
+ =
+
+
+ + +
+ + +
+
= +
= +
s cc cc s mscc
s
d
d s
d
s
s
I R I I R
I
C C
V V
sen sen I
C C
dor transforma del undario el en continua de Balance
I I
salida de corriente la a igual es diodo el por media corriente La
I sen I
es fase la cuando conducir de deja diodo El
2
2
2 1
sec
2 1 2 1 2 sec
sec
1 2 2 1 sec
2 sec
2
2
2
) ( 2
1
) ( ) ( 2 ) cos(
) ( 2
1
sec
0 2 ) cos( ) cos(
0 ) (

( 3-76)
Este sistema es difcil de resolver analticamente para obtener una expresin de cada
una de las incgnitas. Sin embargo, empleando un programa matemtico es de
sencilla resolucin.

Al contrario que en el convertidor serie, para el clculo del ngulo de conduccin
del diodo y de la corriente de secundario interviene el valor del condensador del
tanque resonante, y no solamente la capacidad parsita de los diodos y la carga.
En este caso, para estudiar la interrelacin entre las incgnitas, se ha resuelto el
sistema anterior para un ejemplo particular. Se trata del convertidor cuyo esquema
est representado en la figura 3-69. Para simplificar el anlisis de los resultados, el
modelo del transformador empleado es un sencillo modelo en T que se considerar
constante con la frecuencia.
ETAPA
INVERSORA
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec
R
ms
L
ms
4,8 0,38
0,4
1660
4,9H
156pF
5,2H
2,7H
D
1
C
1
1F
R
carga
+
-
V
s
V
cc
ETAPA
INVERSORA
ETAPA
INVERSORA
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec
R
ms
L
ms
4,8 0,38
0,4
1660
4,9H
156pF
5,2H
2,7H
D
1
C
1
1F
R
carga
+
-
V
s
V
cc

Figura 3-69. Circuito a analizar con tanque resonante paralelo en el secundario y modelo del
transformador en T
Tensin entrada
rectificador v
rect
Corriente
secundario i
sec
I
s
3-
2
2
V
rect,min
2-
0
Tensin entrada
rectificador v
rect
Corriente
secundario i
sec
I
s
3-
2
2
V
rect,min
2-
0

Figura 3-70. Corriente por el secundario del transformador y tensin de entrada al rectificador para el
convertidor con tanque resonante paralelo y rectificador de media onda
Antes de interpretar los resultados es interesante comentar algunas de las ecuaciones
ya planteadas. Por ejemplo, a la vista de la figura 3-72, el valor mnimo de la tensin
a la entrada del rectificador v
rect
coincide con 3-
2
:
) 3 (
2 min ,
=
rect rect
v V ( 3-77)
Es decir:
( ) | |
2 2
2 3 2
1

+
+
+ + =
s sec
d sec
d s min , rect
I ) cos( I
) C C (
V V V ( 3-78)
Como
2
es mayor que y menor que 2, el coseno de
2
es negativo. Cuanto mayor
sea la corriente de salida I
s
, menor va a ser el tiempo en el que se alcanza la tensin
de salida (ngulo 2-) y por tanto mayor el ngulo de conduccin del diodo, .
T
e
n
s
i
n

e
n
t
r
a
d
a
r
e
c
t
i
f
i
c
a
d
o
r

(
V
)
-15
-10
-5
0
5
10
5V, 100mA
5V, 1mA
C
o
r
r
i
e
n
t
e

e
n
t
r
a
d
a
r
e
c
t
i
f
i
c
a
d
o
r

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
-410
-3
-210
-3
0
210
-3
410
-3
610
-3
810
-3
1010
-3
1210
-3
1410
-3
1610
-3
1810
-3
5V, 100mA
5V, 1mA
-0,03
-0,02
-0,01
0
0,01
0,02
0,03
0,04
5V, 100mA
5V, 1mA
C
o
r
r
i
e
n
t
e

s
e
c
u
n
d
a
r
i
o
t
r
a
n
s
f
o
r
m
a
d
o
r

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
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T
e
n
s
i
n

e
n
t
r
a
d
a
r
e
c
t
i
f
i
c
a
d
o
r

(
V
)
-15
-10
-5
0
5
10
5V, 100mA
5V, 1mA
C
o
r
r
i
e
n
t
e

e
n
t
r
a
d
a
r
e
c
t
i
f
i
c
a
d
o
r

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
-410
-3
-210
-3
0
210
-3
410
-3
610
-3
810
-3
1010
-3
1210
-3
1410
-3
1610
-3
1810
-3
5V, 100mA
5V, 1mA
-0,03
-0,02
-0,01
0
0,01
0,02
0,03
0,04
5V, 100mA
5V, 1mA
C
o
r
r
i
e
n
t
e

s
e
c
u
n
d
a
r
i
o
t
r
a
n
s
f
o
r
m
a
d
o
r

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a

Figura 3-71. Tensin de entrada al rectificador y corriente de entrada al rectificador normalizada
respecto a la corriente de salida
En la figura 3-71 se han representado la tensin de entrada al rectificador v
rect
y la
corriente de entrada al rectificador i
rect
, y la que circula por el secundario del
transformador i
sec
, ambas normalizadas respecto a la corriente de salida I
s
. Todas
estas magnitudes han sido representadas para dos corrientes de salida (1mA y

100mA) y una misma tensin de salida (5V). Los clculos han sido realizados para el
circuito de la figura 3-69 a una frecuencia de 5MHz.
En efecto puede comprobarse que cuanto mayor es la corriente de salida mayor es el
ngulo de conduccin del diodo rectificador. Por lo tanto, el valor de pico de la
corriente por el secundario del transformador normalizada es menor. Cuando la
corriente de salida es igual a 1mA, el ngulo de conduccin es muy pequeo e I
sec

tiene que ser muy grande. Observando el valor de pico de la corriente por el
secundario normalizada respecto a la corriente de salida (figura 3-71), se comprueba
que cuando la salida es 1mA, la corriente normalizada es ms de seis veces mayor
que para el caso de 100mA de salida.
Considerando distintas tensiones y potencias de salida, en la figura 3-72 se puede
observar la tendencia del valor de pico de la corriente por el secundario del
transformador. Cuanto menor es la corriente de salida y mayor es la tensin de
salida, ms rpidamente crece el valor de pico de la corriente. Por consiguiente,
menor es el ngulo de conduccin del diodo rectificador (figura 3-73).
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
o
r
r
i
e
n
t
e

s
e
c
u
n
d
a
r
i
o
t
r
a
n
s
f
o
r
m
a
d
o
r

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
1
10
100
10V, 100mA
5V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
o
r
r
i
e
n
t
e

s
e
c
u
n
d
a
r
i
o
t
r
a
n
s
f
o
r
m
a
d
o
r

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
1
10
100
10V, 100mA
5V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA

Figura 3-72. Valor de pico de la corriente resonante normalizada para el tanque resonante paralelo con
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
n
g
u
l
o

d
e

c
o
n
d
u
c
c
i
n

(
r
a
d
)
10V, 1mA
5V, 1mA
10V, 100mA
5V, 100mA
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
n
g
u
l
o

d
e

c
o
n
d
u
c
c
i
n

(
r
a
d
)
10V, 1mA
5V, 1mA
10V, 100mA
5V, 100mA

Figura 3-73. ngulo de conduccin de los diodos rectificadores para el tanque resonante paralelo con
Por simple observacin de las formas de onda de la corriente y la tensin de entrada
al rectificador, mostradas en la figura 3-71 es difcil extraer conclusiones acerca de los
desfases entre sus primeros armnicos, y por tanto definir tendencias en la
resistencia y la capacidad equivalentes. En la figura 3-74 y la figura 3-75 se han
representado estos valores para distintas tensiones y corrientes de salida. La
resistencia serie equivalente se ha representado normalizada respecto a la resistencia
de carga, para poder comparar con claridad todos los casos. Puede comprobarse que
los efectos capacitivos son ms importantes para el caso de ms corriente y menos
tensin (5V, 100mA).
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e
s
e
r
i
e

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
10V, 100mA
5V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e
s
e
r
i
e

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
10V, 100mA
5V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA

Figura 3-74. Resistencia equivalente serie normalizada para el tanque resonante paralelo con
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
a
p
a
c
i
d
a
d

s
e
r
i
e
e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e

(
F
)
10V, 100mA
5V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
a
p
a
c
i
d
a
d

s
e
r
i
e
e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e

(
F
)
10V, 100mA
5V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA

Figura 3-75. Capacidad equivalente serie para el tanque resonante paralelo con rectificador de media
onda
A partir de la resistencia y la capacidad serie equivalentes se han calculado la
resistencia y la capacidad paralelo equivalentes para cada una de las frecuencias
consideradas. Como puede observarse en la figura 3-76, la resistencia paralelo
equivalente, normalizada respecto a la resistencia de carga, es muy similar a la
propia resistencia de carga.

En cuanto a la capacidad paralelo equivalente C
eqp
, es mucho mayor cuanto mayor es
la corriente de salida y menor es la tensin de salida (figura 3-77). Al estar esta
capacidad equivalente en paralelo con la capacidad del tanque resonante, la
frecuencia de resonancia del circuito se ver afectada y ser ms baja de lo previsto.
0,984
0,986
0,988
0,990
0,992
0,994
0,996
0,998
1,000
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e
p
a
r
a
l
e
l
o

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
10V, 100mA
5V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA
0,984
0,986
0,988
0,990
0,992
0,994
0,996
0,998
1,000
0,984
0,986
0,988
0,990
0,992
0,994
0,996
0,998
1,000
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e
p
a
r
a
l
e
l
o

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
10V, 100mA
5V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA

Figura 3-76. Resistencia equivalente paralelo normalizada para el tanque resonante paralelo con
10
-8
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
a
p
a
c
i
d
a
d

p
a
r
a
l
e
l
o
e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e

(
F
)
10V, 100mA
5V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA
10
-9
10
-10
10
-11
10
-8
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
a
p
a
c
i
d
a
d

p
a
r
a
l
e
l
o
e
q
u
i
v
a
l
e
n
t
e

(
F
)
10V, 100mA
5V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA
10
-9
10
-10
10
-11

Figura 3-77. Capacidad equivalente paralelo para el tanque resonante paralelo con rectificador de media
onda
PASO 2: Clculo de la ganancia del tanque resonante
2. Clculo de la ganancia del tanque resonante y del primer armnico de la
tensin de entrada
El mdulo de la tensin de entrada al rectificador V
rect
puede calcularse empleando
mediante la siguiente expresin:

2 2 2 2
) ( X ) ( R ) ( X ) ( R ) ( ) ( ) (
i i eq eq sec eq rect
+ + = = I Z V
( 3-79)
Cuyo resultado debe ser igual a:

2 2
) ( ) ( ) (
v v rect
X R + = V ( 3-80)
Del mismo modo que se hizo para el tanque resonante paralelo hay que calcular la
ganancia del tanque resonante G
tanque
. Despus, el primer armnico de la tensin a la
salida de la etapa inversora V
T
se puede obtener aplicando anlisis de alterna:

) (
) ( ) ( ) ( ) (
) (
) (
) (
tan
2 2 2 2
tan

que
i i eq eq
que
rect
T
X R X R
G G
V
V
+ +
= = ( 3-81)
En la figura 3-78 se ha representado la ganancia de tensin del tanque resonante para
el ejemplo considerado. Todas las deducciones que se hicieron relativas al factor de
calidad y la frecuencia de resonancia se confirman a la vista de este grfico: cuanto
mayor es la corriente de salida y menor es la tensin de salida, mayor es el efecto
capacitivo y por lo tanto la frecuencia de resonancia disminuye respecto a la terica.
Para el ejemplo considerado, la frecuencia de resonancia terica est fijada en
4,8MHz, que prcticamente coincide con la que resulta cuando la corriente de salida
es igual a 1mA.
0,010
0,100
1
10
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
5V, 100mA
10V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA
0,010
0,100
1
10
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
5V, 100mA
10V, 100mA
10V, 1mA
5V, 1mA

Figura 3-78. Ganancia de tensin del tanque resonante
3. Clculo del primer armnico de las corrientes en el circuito
Conocidas todas las impedancias y las tensiones de entrada y salida de la red de
impedancias, puede calcularse el primer armnico de todas las formas de corriente.
PASO 3: Clculo de la ganancia total del convertidor
4. Clculo de la tensin continua necesaria para proporcionar la tensin y
corriente de salida consideradas

Recordando el procedimiento empleado para el tanque resonante serie, para calcular
la tensin continua de entrada V
cc
conocido el primer armnico de la tensin a la
salida del inversor V
T
es necesario plantear una serie de ecuaciones que dependen de
la etapa inversora que se est empleando:
Balance de potencias en el convertidor: la potencia de entrada es igual a la
potencia de salida ms las prdidas. Las prdidas pueden calcularse al conocerse
el primer armnico de corriente en los elementos resistivos.
Clculo analtico del primer armnico de la tensin a la salida del rectificador V
T

como una funcin de la tensin de entrada V
cc
.
Anlisis de la corriente continua circulante por todo el circuito.
Balance de potencia
El balance de potencias es muy similar al ya realizado para el convertidor con tanque
resonante serie, por lo que no se tratar con el mismo detalle. En la figura 3-79 se ha
representado un esquema indicando cmo debe realizarse el balance de potencias,
considerando la potencia de entrada P
e
, la de salida P
s
, las prdidas en los elementos
resistivos, las prdidas la etapa rectificadora P
d
y las prdidas en el inversor P
MOSFET
.
Hay que considerar el valor de las resistencias del modelo en T del transformador
tanto a la frecuencia del anlisis (R
1
(), R
2
() y R
ms
()) como en continua (R
1cc
, R
2cc
y
R
mscc
).
( )
2 2
s cc mscc ef _ m ms
I I R ) ( I ) ( R +
ETAPA
INVERSORA
cc cc e
I V P =
a arg c
s
s
R
V
P
2
=
) (
MOSFET
P
2
1
2
1 cc cc ef _ prim
I R ) ( I ) ( R +
2
2
2
2 s cc ef sec_
I R ) ( I ) ( R +
d
P
( )
2 2
s cc mscc ef _ m ms
I I R ) ( I ) ( R +
ETAPA
INVERSORA
ETAPA
INVERSORA
cc cc e
I V P =
a arg c
s
s
R
V
P
2
=
) (
MOSFET
P
2
1
2
1 cc cc ef _ prim
I R ) ( I ) ( R +
2
2
2
2 s cc ef sec_
I R ) ( I ) ( R +
d
P

Figura 3-79. Prdidas en el convertidor con tanque resonante paralelo en el secundario y rectificador de
media onda
Para calcular las prdidas es necesario calcular primero el valor eficaz del primer
armnico de las corrientes circulantes por el circuito. El clculo resultar tanto ms
exacto cuanto ms sinusoidales sean las corrientes.
+ + + = ) ( I ) ( R I R ) ( I ) ( R Prdidas
ef _ m ms cc cc ef _ prim

2 2
1
2
1

( )
d MOSFET ef sec_ s cc mscc
P ) ( P ) ( I ) ( R I I R + + + +
2
2
2
( 3-82)
Anlisis y validacin del modelo para cada etapa inversora
Siguiendo los mismos pasos que se llevaron a cabo con el convertidor con tanque
resonante serie, para completar el modelo se considerarn dos posibles etapas
inversoras: con un nico interruptor y con dos interruptores en medio puente. La
validacin del modelo propuesto se va realizar comparando resultados analticos con
resultados obtenidos de simulacin con la herramienta comercial PSpice.
3.6.1.1 Modelo del convertidor con tanque resonante paralelo, rectificador
de media onda y etapa inversora con un solo interruptor
El esquema de este convertidor puede observarse en la figura 3-80. Para proseguir
con su modelado se van a realizar una serie de suposiciones que ya se asumieron
tambin para el convertidor con tanque resonante serie:
El interruptor principal es un MOSFET.
Se produce conmutacin a tensin cero, y para ello hay que elegir
adecuadamente la capacidad en paralelo con el interruptor. La forma de onda de
la tensin drenador-fuente se aproxima a una semi-sinusoide:

( )
< +
<
=

2 2 2 ) (
2 0 0
) , (
d si d sen V
d si
v
p
c
( 3-83)
V
p
() es el valor de pico de la sinusoide. Esta aproximacin puede ser muy til
debido a la simplicidad de los clculos. Si la aproximacin no fuese suficiente, sera
necesario estudiar el funcionamiento del circuito por tramos.
M
1
C
1
C
2
R
carga
V
cc
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
1
M
1
C
1
C
2
R
carga
V
cc
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
1
M
1
C
1
C
2
R
carga
V
cc
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
1

Figura 3-80. Esquema del convertidor CC/CC con nico interruptor, tanque resonante paralelo en el
secundario, rectificador de media onda y transformador de bajo acoplamiento

Conocida la tensin drenador-fuente v
c
, se puede calcular su primer armnico V
c
,
que depende de la tensin de pico de la semi-sinusoide V
p
, y la frecuencia de
funcionamiento:
) , (
p c
V f = V ( 3-84)
El mdulo del primer armnico de la tensin a la salida del inversor V
T
es igual al
mdulo del primer armnico de la tensin drenador-fuente V
c
:
) ( ) (
c T
V V = ( 3-85)
V
cc
T
V
c
V
V
cc
T
V
c
V
V
cc
T
V
c
V

Figura 3-81. Circuito para el anlisis del primer armnico en la etapa inversora con nico interruptor,
tanque resonante serie en el secundario y rectificador de media onda
V
cc
R
1
L
d1
L
d2
R
2
R
ms
L
ms
R
1
I
cc
R
ms
(I
cc
-I
s
)
V
c,med
V
cc
R
1
L
d1
L
d2
R
2
R
ms
L
ms
R
1
I
cc
R
ms
(I
cc
-I
s
)
V
c,med
R
1
L
d1
L
d2
R
2
R
ms
L
ms
R
1
I
cc
R
ms
(I
cc
-I
s
)
V
c,med

Figura 3-82. Circuito para el anlisis en continua del convertidor basado en el clase E con nico
interruptor, tanque resonante serie en el secundario y rectificador de media onda
Al realizar el anlisis de continua en el devanando primario, se cumple:
( )
med , c s cc mscc cc cc cc
V I I ' R I ' R V + + =
1
( 3-86)
Reuniendo las anteriores ecuaciones, se forma un sistema de tres ecuaciones con tres
incgnitas: el valor de pico de la tensin drenador-fuente V
p
, la tensin continua de
entrada V
cc
y la corriente continua de entrada I
cc
:

( )
+ + =
= =
+ =
med , c s cc mscc cc cc cc
p c T
s e
V I I R I R V
: continua corriente Anlisis
) , V ( f ) ( ) (
: inversor salida tensin armnico primer Clculo
Prdidas P P
: potencias de Balance
1
V V
( 3-87)
Conocida la tensin continua de entrada al circuito para una frecuencia de operacin
determinada V
cc
(),la ganancia total del circuito G
conv
puede calcularse como:

cc
s
conv
V
V
= G ( 3-88)
Tambin puede calcularse el rendimiento de la fuente de alimentacin
conv
como:

cc cc
s s
conv
I V
I V
= ( 3-89)
Validacin del modelo mediante simulacin con PSpice
El circuito analizado para la validacin del modelo es el mostrado en la figura 3-83.
Los resultados obtenidos se han representado grficamente en la figura 3-84 y la
figura 3-85, que recogen la ganancia total y el rendimiento del convertidor CC/CC,
respectivamente. El trazo continuo corresponde a los resultados analticos y las
simulaciones realizadas en PSpice a los puntos discretos. Las simulaciones se han
realizado para tres frecuencias diferentes (2,63MHz, 3,3MHz y 4MHz), considerando
tres capacidades parsitas distintas para el diodo rectificador (300pF, 100pF y 10pF).

R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec
R
ms
L
ms
4,8 0,38
0,4
1660
4,9H
156pF
5,2H
2,7H
D
1
C
1
1F
R
carga
+
-
V
s
C
ZVS
V
cc
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec
R
ms
L
ms
4,8 0,38
0,4
1660
4,9H
156pF
5,2H
2,7H
D
1
C
1
1F
R
carga
+
-
V
s
C
ZVS
V
cc
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec
R
ms
L
ms
4,8 0,38
0,4
1660
4,9H
156pF
5,2H
2,7H
D
1
C
1
1F
R
carga
+
-
V
s
C
ZVS
V
cc

Figura 3-83. Esquema elctrico del convertidor con inversor de un solo interruptor, tanque resonante
paralelo y rectificador de media onda simulado mediante PSpice
La similitud entre los resultados analticos y los de simulacin es satisfactoria. Como
puede observarse, casi todos los puntos de simulacin estn sobre la curva de los
resultados analticos o muy prximos a ella.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d

Figura 3-84.Ganancia total del convertidor CC/CC con inversor de un solo interruptor, tanque
resonante paralelo y rectificador de media onda, obtenida empleando un simulador elctrico comercial y
los mtodos analticos descritos
Sin embargo, en la figura 3-84 hay dos puntos correspondientes a dos simulaciones
que estn bastante desplazados de los resultados analticos. Estos puntos han sido
marcados con un crculo rojo para poder apreciarlos con ms facilidad. La razn por
la que la estimacin de rendimiento no ha dado resultados satisfactorios es que no se
encontr ningn condensador C
ZVS
que proporcionase conmutacin a tensin cero.
Por lo tanto, las prdidas en conmutacin eran mayores en la simulacin y el
rendimiento menor. Sin considerar estos puntos singulares, el mayor error obtenido
en el clculo es 4% en el clculo del rendimiento cuando C
d
=300pF y la frecuencia de
funcionamiento es 4MHz (26,7% frente a 25,6%). El mayor error del clculo de la
ganancia de tensin (figura 3-85) tambin se produce en este caso, y es de 15% (0,44
frente a 0,52).
1
10
100
1000
T
e
n
s
i
n

d
e

e
n
t
r
a
d
a

(
V
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
1
10
100
1000
T
e
n
s
i
n

d
e

e
n
t
r
a
d
a

(
V
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d

Figura 3-85.Rendimiento calculado del convertidor CC/CC con inversor de un solo interruptor, tanque
resonante paralelo y rectificador de media onda, obtenido empleando un simulador elctrico comercial y
los mtodos analticos descritos
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
rect
()x100
-8,0
-4,0
0
4,0
8,0
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
rect
()x100
-8,0
-4,0
0
4,0
8,0

Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
rect
()x100
8 0
-8
-4
0
4
8
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
rect
()x100
8 0
-8
-4
0
4
8

d
= 100pF, frecuencia de conmutacin 2,63MHz) para el convertidor con tanque
paralelo e inversor de un solo interruptor
En la figura 3-86 se han representado las formas de onda de la tensin v
rect
y la
corriente i
rect
a la entrada del rectificador obtenidas con las hojas de Mathcad y con el
post-procesador del Orcad PSpice. Con el modelo propuesto, pese a su sencillez, se
consiguen seales muy similares a las del simulador comercial.

A la vista de estos resultados, conociendo las limitaciones y las aproximaciones
realizadas, el modelo analtico basado en las tcnicas de alterna resulta
suficientemente preciso siempre que se cumplan las hiptesis de partida
establecidas.
Adems puede extraerse otra importante conclusin: si para el anlisis no se
considera la capacidad parsita del diodo, los resultados que se obtienen
analticamente sern muy diferentes a los que se obtendrn realmente. Si se disea
el tanque resonante sin considerar este efecto y la capacidad parsita del diodo es
igual a 300pF, la curva de ganancia ser muy diferente de la curva ideal. La curva
ideal sera similar a la que en la figura 3-85 corresponde a una capacidad C
d
=10pF. La
frecuencia de resonancia sera menor de la esperada y el rendimiento a 4MHz
(frecuencia de resonancia terica) sera tres veces menor de lo previsto.
3.6.1.2 Modelo del convertidor con tanque resonante paralelo, rectificador
de media onda y etapa inversora con un solo interruptor
Para el convertidor con etapa inversora en medio puente, representado en la figura
3-87, se van a realizar las siguientes suposiciones:
Los interruptores son MOSFETs.
Se tratan los casos de muy bajas corrientes, de modo que se desprecian las cadas
de tensin en el inversor debidas a las resistencias en conduccin de los
MOSFETs.
Los interruptores estn conmutando sin conduccin cruzada y hay conmutacin
a tensin cero.
D
1 M
1
C
1
M
2
C
3
C
sec
C
2
R
carga
V
cc
k
L
1
L
2
+
-
V
s
D
1 M
1
C
1
M
2
C
3
C
sec
C
2
R
carga
V
cc
k
L
1
L
2
+
-
V
s

Figura 3-87. Esquema del convertidor CC/CC con nico interruptor, tanque resonante paralelo en el
secundario, rectificador de media onda y transformador de bajo acoplamiento
Realizando un anlisis de continua en el primario del transformador de bajo
acoplamiento:
) ( I R ) ( I R ) ( V
cc mscc cc cc med , T
+ =
1
( 3-90)
R
1
L
d1
L
d2
R
2
R
ms
L
ms
R
1
I
cc
R
ms
(I
cc
-I
s
)
V
cc
V
c,med
R
1
L
d1
L
d2
R
2
R
ms
L
ms
R
1
I
cc
R
ms
(I
cc
-I
s
)
V
cc
V
c,med

Figura 3-88. Circuito para el anlisis del primer armnico en la etapa inversora en medio puente con
carga resistiva.

+ =
+ =
) ( I R ) ( I R ) ( V
: continua corriente Anlisis
Prdidas P P
: potencias de Balance
cc mscc cc cc med , c
s e

1
( 3-91)
La ganancia total del circuito G
conv
es:

) ( V
V
) (
cc
s
conv
= G ( 3-92)
Y su rendimiento
conv
:

) ( I ) ( V
I V
) (
cc cc
s s
conv

= ( 3-93)

Validacin del modelo mediante simulacin con PSpice
Para validar el modelo del convertidor con etapa inversora en medio puente, se ha
realizado un proceso similar al ya descrito, de anlisis mediante la herramienta
matemtica Mathcad y simulacin con el PSpice.
El esquema del convertidor puede observarse en la figura 3-89, y el rendimiento y la
ganancia de tensin en la figura 3-90 y la figura 3-91 respectivamente. De nuevo los
resultados analticos se han marcado con trazo continuo y las simulaciones con
puntos discretos. La similitud en los resultados obtenidos mediante el mtodo
matemtico y por medio de la herramienta comercial es muy grande. Slo hay un
punto con un error mayor entre el rendimiento predicho y el simulado, y est
marcado dentro de un crculo rojo en la figura 3-90. Al observar las formas de onda
en la simulacin se comprob que no haba conmutacin a tensin cero y por ello se
incrementaban las prdidas por encima de lo previsto.
V
cc
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec
R
ms
L
ms
4,8 0,38
0,4
1660
4,9H
156pF
5,2H
2,7H
D
1
C
2
1F
R
carga
+
-
V
s
1F
1F
C
1
C
3
V
cc
R
1
L
d1
L
d2
R
2
C
sec
R
ms
L
ms
4,8 0,38
0,4
1660
4,9H
156pF
5,2H
2,7H
D
1
C
2
1F
R
carga
+
-
V
s
1F
1F
C
1
C
3

Figura 3-89. Esquema elctrico del convertidor con inversor en medio puente, tanque resonante paralelo
y rectificador de media onda simulado mediante PSpice
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d

Figura 3-90.Ganancia total del convertidor CC/CC con inversor en medio puente, tanque resonante
paralelo y rectificador de media onda, obtenida empleando un simulador elctrico comercial y los
mtodos analticos descritos
En cuanto a los errores mximos que se cometen, olvidando los puntos en los que no
hay conmutacin a tensin cero, al calcular el rendimiento el mayor error es 21%
(C
d
=300pF, frecuencia de conmutacin 4MHz, con el PSpice el rendimiento es 20% y
el estimado es 24%) y al calcular la ganancia de tensin 7% (C
d
=300pF, frecuencia de
conmutacin 3,3MHz, con el PSpice la ganancia es 0,44 y se estima 0,41).
T
e
n
s
i
n

d
e

e
n
t
r
a
d
a

(
V
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
1
10
100
1000
T
e
n
s
i
n

d
e

e
n
t
r
a
d
a

(
V
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
C
d
d
1
10
100
1000
1
10
100
1000

Figura 3-91.Rendimiento del convertidor CC/CC con inversor en medio puente, tanque resonante
paralelo y rectificador de media onda, obtenido empleando un simulador elctrico comercial y los
mtodos analticos descritos
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
rect
()x100
25,200us 25,400us 25,600us 25,800us 26,000us
-8,0
-4,0
0
4,0
8,0
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
rect
()x100
25,200us 25,400us 25,600us 25,800us 26,000us
-8,0
-4,0
0
4,0
8,0

Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
rect
()x100
8 0
-8
-4
0
4
8
Tensin entrada
rectificador v
rect
()
Corriente
resonante i
rect
()x100
8 0
-8
-4
0
4
8

d
= 10pF, frecuencia de conmutacin 4MHz) para el convertidor con tanque
paralelo e inversor en medio puente
Las conclusiones que se pueden extraer son las mismas que las que se obtuvieron al
validar el modelo con la etapa inversora con un solo interruptor. Sobre todo que si
no se considera la capacidad parsita del diodo rectificador se puede cometer un
importante error en el anlisis del circuito.

Conclusiones acerca de la validez del modelo propuesto para las topologas
con tanque resonante paralelo, rectificador de media onda y etapas
inversoras con un nico interruptor o en medio puente
Las conclusiones que se pueden extraer en este caso son equivalentes a las que se
obtuvieron para el convertidor con tanque resonante serie.
La obtencin y validacin del modelo se ha explicado con detalle porque son
aportaciones originales de esta tesis. Su utilizacin puede resultar de mucha utilidad
para el diseo de convertidores CC/CC para aplicaciones de transferencia de energa
sin contacto.
Los resultados obtenidos por las simulaciones y mediante el mtodo analtico
muestran una enorme similitud, por lo que se deduce que el anlisis realizado es
perfectamente vlido al menos con las simplificaciones supuestas:
MOSFETs como interruptores.
Frecuencia de operacin cercana a la frecuencia de resonancia.
Factor de calidad suficientemente elevado para que las formas de onda sean
suficientemente sinusoidales.
Conmutacin a tensin cero en los interruptores.
Aproximacin mediante media sinusoide de la tensin drenador-fuente en el
MOSFET en el caso del inversor con un nico interruptor.
3.6.2 Anlisis del convertidor con tanque resonante paralelo y
Del mismo modo que ya se hizo para el convertidor con tanque resonante serie y
rectificador en medio puente, empleando el modelo propuesto van a realizarse
distintas simulaciones para estudiar el efecto de ciertos parmetros sobre el
rendimiento y la tensin de entrada al circuito:
Efecto de las etapas inversoras analizadas sobre la ganancia y el rendimiento.
Eleccin de los diodos rectificadores: criterios para elegir el diodo segn su
capacidad parsita.
Diseo del tanque resonante.
Estudio de la variacin del acoplamiento del transformador de bajo
acoplamiento.
Diseo del transformador de bajo acoplamiento, influencia en la ganancia y en el
rendimiento.
3.6.2.1 Comparacin de las etapas inversoras
El anlisis del convertidor se ha realizado para una tensin y una potencia de salida
constantes. De este modo se ha calculado el primer armnico de tensin necesario a
la salida de la etapa inversora para proporcionar la tensin y la potencia adecuadas a
la carga. La ganancia del tanque resonante no depende por tanto, sino del valor de
las impedancias que conforman el tanque resonante y de la etapa rectificadora. Por
tanto, las diferencias que pueda haber en la ganancia total del convertidor CC/CC
dependiendo de la etapa inversora empleada, son debidas nica y exclusivamente a
la configuracin del inversor.
Al hablar del tanque resonante serie, ya se describi este problema con mayor
profundidad. La etapa con nico interruptor es capaz de proporcionar una ganancia
2,5 veces mayor que el medio puente, como se mostr en la figura 3-39. En efecto,
para el convertidor con tanque paralelo se puede apreciar el mismo efecto de mayor
ganancia cuando se emplea solo un interruptor (figura 3-93).
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
1M 10M
Frecuencia (Hz)
G
a
n
a
n
c
i
a

t
e
n
s
i
n
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
1M 10M
Frecuencia (Hz)
G
a
n
a
n
c
i
a

t
e
n
s
i
n

Figura 3-93. Ganancia de tensin del convertidor CC/CC empleando las etapas inversoras consideradas
para un tanque resonante paralelo en secundario
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)

Figura 3-94. Rendimiento del convertidor CC/CC empleando las etapas inversoras consideradas para un
tanque resonante paralelo en secundario
Las diferencias en el rendimiento dependiendo de la etapa inversora son debidas a
las prdidas en conduccin, puesto que las prdidas de conmutacin se han

despreciado al suponer conmutacin a tensin cero. A travs de las grficas de
rendimiento en funcin de la frecuencia, representadas en la figura 3-94, puede
observarse que los rendimientos son muy similares para las dos etapas inversoras
analizadas. Para el ejemplo considerado, la tensin de salida es igual a 5V y la
potencia de salida igual a 15mW. Se trata del mismo esquema mostrado con
anterioridad en la figura 3-69.
Como ya se coment al tratar el tanque resonante serie, las leves diferencias de
rendimiento que aparecen son debidas a la relacin entre la corriente continua y la
alterna que circulan por los interruptores. Por ejemplo, en la figura 3-95 se pueden
comprobar las diferencias en la corriente continua que proporciona la batera. Puesto
que el anlisis est realizado para una tensin y potencia de salida constantes, los
rendimientos son similares para las dos etapas inversoras consideradas y la ganancia
es mayor para la etapa inversora, la corriente continua proporcionada por la batera
es mayor para la etapa inversora con un nico interruptor.
0,001
0,01
0,1
1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
o
r
r
i
e
n
t
e

c
o
n
t
i
n
u
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a

(
A
)
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
o
r
r
i
e
n
t
e

c
o
n
t
i
n
u
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a

(
A
)

Figura 3-95. Corriente continua de entrada para las etapas inversoras consideradas para un tanque
resonante paralelo en secundario
Conclusiones respecto a las etapas inversoras analizadas
Las conclusiones que se pueden extraer del anlisis realizado son exactamente las
mismas que las que se extrajeron para el tanque resonante paralelo. Resumiendo
algunas de las ms importantes:
Para el ejemplo considerado (5V, 15mW) el rendimiento obtenido es
prcticamente el mismo con inversor en medio puente y con nico interruptor.
Sin embargo, para el clculo del rendimiento no se han tenido en cuenta las
prdidas en los accionamientos de los MOSFETs. Estas prdidas pueden tener
mucha importancia a la hora de decidirse por una etapa inversora o por otra. En
el captulo de resultados experimentales se comprobar la importancia de estas
prdidas para el clculo de la autonoma del sistema. En el caso de etapas
inversoras con ms de un interruptor, la generacin de los pulsos aislados de
masa supone unas prdidas adicionales que, en los casos considerados de muy
baja potencia de salida, tienen mucho peso en el rendimiento global del sistema.
La etapa inversora con un nico interruptor presenta aproximadamente 2,5 veces
mayor ganancia que el inversor en medio puente.
En general la etapa con un nico interruptor necesita menos componentes pero
el MOSFET tiene que ser de mayor tensin (mayor resistencia en conduccin
R
dson
).
Las diferencias de rendimiento entre uno y otro inversor vendrn dadas por la
relacin entre el valor de pico del primer armnico de la corriente circulante por
los interruptores y el valor de continua. Pero para escoger una topologa y otro
para maximizar el rendimiento, hay que tener en cuenta las prdidas en los
accionadores de los interruptores, puesto que es lo que ms las va a diferenciar.
El control de la tensin de salida mediante la variacin del ciclo de trabajo es ms
fcil de realizar con el inversor en medio puente. Para el inversor con nico
interruptor el tiempo en el que ste permanece apagado debe ser constante, para
garantizar la conmutacin a tensin cero.
3.6.2.2 Efecto de la capacidad parsita del diodo rectificador
Ya se ha comprobado que la importancia del efecto de la capacidad parsita del
diodo rectificador sobre la ganancia y el rendimiento del convertidor. Cuando se
analiz el funcionamiento del diodo rectificador se lleg a la conclusin de que
cuanto ms parecida fuese la capacidad parsita a la capacidad del condensador del
tanque resonante, mayor proporcin de la corriente del secundario circulara por
ella. Por lo tanto, si se realiza un anlisis con tensin y potencia de salida constantes,
para mantener el funcionamiento del circuito el valor de pico de la corriente que
circula por el secundario debe ser mayor cuanto mayor sea la capacidad parsita del
diodo.
En la figura 3-96.a se ha representado el valor de pico de la corriente por el
secundario del transformador de bajo acoplamiento considerando diferentes valores
de la capacidad parsita del diodo rectificador C
d
. En efecto, cuanto mayor es el valor
de C
d
, mayor es la corriente que tiene que circular por el secundario del
transformador para obtener la misma corriente a la salida I
s
, y mayores sern las
prdidas en los elementos resistivos. Como el anlisis es para potencia de salida
constante, cuanto mayor es el valor de pico de la corriente por el secundario, menor
es el ngulo de conduccin del diodo rectificador (figura 3-96.a). Por tanto, se
cumplen las mismas tendencias que sucedan para el convertidor con tanque
resonante serie.

A) VALOR DE PICO DE LA CORRIENTE POR EL
SECUNDARIO
100k 1M 10M
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Frecuencia (Hz)
C
o
r
r
i
e
n
t
e

(
m
A
)
C
d
=300pF
C
d
=
1
0
0
p
F
C
d
=10pF
100k 1M 10M
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
100k 1M 10M
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Frecuencia (Hz)
C
o
r
r
i
e
n
t
e

(
m
A
)
C
d
=300pF
C
d
=
1
0
0
p
F
C
d
=10pF

B) NGULO DE CONDUCCIN DEL DIODO
RECTIFICADOR
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
n
g
u
l
o

(
r
a
d
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d =
3
0
0
p
F
C
d
=
1
0
0
p
F
C
d =
1
0
p
F
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
n
g
u
l
o

(
r
a
d
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d =
3
0
0
p
F
C
d
=
1
0
0
p
F
C
d =
1
0
p
F

Figura 3-96. Valor de pico de la corriente por el secundario y ngulo de conduccin de los diodos
rectificadores en funcin de la frecuencia para distintas capacidades parsitas de los diodos rectificadores
En cuanto a la impedancia equivalente, en la figura 3-97 se han representado la
resistencia y la capacidad serie equivalentes. Como tambin se mencion al analizar
el rectificador, cuanto mayor es la corriente que circula por la capacidad parsita del
diodo C
d
, mayor es el desfase entre la corriente y la tensin a la entrada del
rectificador, y por tanto mayor es el efecto capacitivo. En efecto, cuanto mayor es C
d

mayor es el valor de la capacidad serie equivalente.
A) RESISTENCIA SERIE EQUIVALENTE
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF

B) CAPACIDAD SERIE EQUIVALENTE
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
C
a
p
a
c
i
d
a
d

(
F
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
C
a
p
a
c
i
d
a
d

(
F
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF

Figura 3-97. Resistencia y capacidad serie equivalentes en funcin de la frecuencia para distintas
A partir de los valores de resistencia y capacidad serie equivalentes se han obtenido
los valores de la resistencia y la impedancia paralelo equivalentes, del modo que ya
fue descrito anteriormente. Es importante comparar el valor de capacidad paralelo
equivalente con la capacidad del condensador externo. De la figura 3-98 puede
deducirse que, como ya se haba mencionado, cuanto mayor es la capacidad parsita
del diodo rectificador, mayor es el efecto capacitivo que se origina en la impedancia
equivalente y este efecto se va a reflejar en un cambio significativo de la frecuencia
de resonancia.
A) RESISTENCIA PARALELO EQUIVALENTE B) CAPACIDAD PARALELO EQUIVALENTE
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
C
d =
3
0
0
p
F
C
d =
1
0
0
p
F
C
d
=
1
0
p
F
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
)
C
d =
3
0
0
p
F
C
d =
1
0
0
p
F
C
d
=
1
0
p
F
10
-11
10
-10
10
-9
C
a
p
a
c
i
d
a
d

(
F
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Capacidad tanque resonante
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
C
sec
10
-11
10
-10
10
-9
C
a
p
a
c
i
d
a
d

(
F
)
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Capacidad tanque resonante
C
d
=300pF
C
d
=100pF
C
d
=10pF
C
sec
Figura 3-98. Resistencia y capacidad paralelo equivalentes en funcin de la frecuencia para distintas
Conclusiones respecto a la eleccin de los diodos de la etapa rectificadora
Una vez ms, las conclusiones son muy similares a las que se pueden extraer con el
tanque resonante serie:
La capacidad parsita del diodo rectificador puede influir en el funcionamiento
del circuito modificando la frecuencia de resonancia, la ganancia de tensin y el
rendimiento. Por tanto, la eleccin del diodo rectificador es clave en el diseo del
convertidor CC/CC.
Debido a la influencia de la capacidad parsita del diodo rectificador en el
funcionamiento del convertidor, analizar el funcionamiento de la topologa y
disear el tanque resonante considerando su efecto es imprescindible.
Como el convertidor paralelo que se est estudiando tiene una nica sintona, ya se
sabe que va a ser sensible a variaciones en el coeficiente de acoplamiento entre los
devanados del transformador y a variaciones en la carga. Del mismo modo que se
hizo para el convertidor resonante con tanque serie, se ha estudiado el efecto de la
variacin del acoplamiento sobre la ganancia de tensin y el rendimiento del
convertidor (figura 3-99). Las conclusiones son equivalentes a las que se obtuvieron
para el tanque serie: es preciso un lazo de control que mantenga la tensin de salida
regulada en el valor adecuado. En cuanto a los sistemas de control que se pueden
elegir, son los ya descritos:
Control de la tensin de salida mediante la variacin de la frecuencia de
funcionamiento, con tensin de entrada fijada por la batera. Para las curvas de
ganancia representadas en la figura 3-99 no es posible absorber toda la variacin
de acoplamiento aplicando este mtodo de control.

Control de la tensin de salida mediante la variacin de la tensin de entrada.
Hay que tener en cuenta que el rendimiento del convertidor CC/CC (figura
3-100) se vera penalizado porque habra que considerar tambin el rendimiento
del pre-regulador.
Control de la tensin de salida mediante la variacin del ciclo de trabajo, ya
que al modificar el valor del primer armnico de la tensin a la entrada del
tanque resonante se cambia la ganancia del convertidor CC/CC.
En el captulo de resultados experimentales se mostrarn medidas sobre un
convertidor con tanque resonante paralelo con un nico interruptor, considerando
que la tensin de salida se ha controlado mediante la utilizacin de un pre-
regulador, es decir, variando la tensin de entrada.
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7

Figura 3-99. Ganancia de tensin del convertidor CC/CC con tanque resonante paralelo y rectificador de
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1
Acoplamiento 0,5
Acoplamiento 0,4
Acoplamiento 0,3
Acoplamiento 0,2
Acoplamiento 0,1
100k 1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100

Figura 3-100. Rendimiento del convertidor CC/CC con tanque resonante paralelo y rectificador de
3.6.2.4 Efecto de la variacin de la carga
Para el ejemplo considerado se observa un interesante fenmeno (figura 3-101): el
rendimiento permanece relativamente invariante al variar la carga (15mW, 10mW y
5mW). Slo cuando la potencia de salida se reduce drsticamente, hasta 1mW, el
rendimiento se hace menor. Esto puede resultar muy beneficioso para una carga
pulsante, es decir, una carga que vare muy a menudo, puesto que si el rendimiento
del sistema se mantiene, la autonoma de las bateras ser mayor.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
1M 10M
Frecuencia (Hz)
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k

Figura 3-101. Rendimiento del convertidor CC/CC con tanque resonante paralelo, rectificador de media
onda y etapa inversora con un nico interruptor variando la resistencia de carga
Al tratarse de un convertidor con nica sintona, la ganancia de tensin del
convertidor es muy sensible a variaciones en la carga. Para el ejemplo considerado se
produce una variacin es de 3 a 19 (figura 3-102). Este efecto debe ser absorbido
mediante la etapa de control, del mismo modo que la variacin del coeficiente de
acoplamiento.
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k
1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
G
a
n
a
n
c
i
a

d
e

t
e
n
s
i
n
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k
P
out
=15mW, R
load
=1,66k
P
out
=10mW, R
load
=2,5k
P
out
=5mW, R
load
=5k
P
out
=1mW, R
load
=25k
1M 10M
Frecuencia (Hz)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20

Figura 3-102. Ganancia del tanque resonante paralelo con rectificador de media onda variando la
resistencia de carga, sin considerar la etapa inversora

3.6.3 Conclusiones respecto al diseo del convertidor CC/CC con
tanque resonante paralelo en el secundario y rectificador de media
onda
El funcionamiento del convertidor con tanque resonante paralelo con rectificador
de media onda es ms complejo de analizar que el convertidor resonante serie,
puesto que el valor de pico de la corriente de secundario depende no slo de las
capacidades parsitas de los diodos rectificadores y la carga, sino tambin del
diseo del tanque resonante.
Para evitar el efecto de las capacidades parsitas es muy beneficioso trabajar con
una capacidad pequea en el secundario, ya que de ese modo se minimiza el
efecto de las capacidades parsitas de los diodos. Sin embargo, esto limita la
frecuencia de resonancia.
Eleccin de los diodos rectificadores atendiendo a la tensin que tienen que
bloquear y la corriente que pasa por ellos.
Los pasos a seguir a la hora de disear un convertidor CC/CC con tanque
resonante serie y rectificador de media onda son los siguientes:
1. Eleccin de los diodos rectificadores atendiendo a la tensin que tienen que
bloquear y la corriente que pasa por ellos. Sin embargo, es muy importante
que no tengan tiempo de recuperacin inversa y hay que tener cuidado con el
valor de sus capacidades parsitas.
2. Diseo del tanque resonante paralelo, sabiendo que el condensador del
tanque resonante paralelo tiene que tener un valor significativamente mayor
que la capacidad parsita del diodo rectificador para minimizar el efecto de
sta.
3. Diseo del primario del transformador para conseguir la ganancia de tensin
adecuada, como se mostrar en el captulo siguiente.
4. Una vez conocidas las inductancias necesarias para el funcionamiento del
circuito, hay que disear el transformador aplicando las reglas de diseo
obtenidas en el captulo anterior, considerando que se est tratando con un
convertidor con sintona nica, y por tanto muy sensible a variaciones de
carga y del acoplamiento entre los devanados del transformador:
- Coeficiente de acoplamiento alto, pero lo ms insensible posible a las
variaciones de la separacin entre los devanados.
- Capacidad del devanado primario lo menor posible para que pueda haber
- Resistencias de los devanados lo menores posibles.
3.7 Conclusiones
En este captulo se han analizado con detalle los convertidores CC/CC con tanque
resonante serie y paralelo y se ha propuesto un modelo de ellos basado en un anlisis
del primer armnico. La originalidad de este anlisis y de los modelos propuestos es
que consideran que, debido a la baja corriente de salida y la alta frecuencia de
funcionamiento de las aplicaciones consideradas, las capacidades parsitas de los
diodos rectificadores afectan el funcionamiento del convertidor. Para tener en cuenta
este efecto, en el anlisis del primer armnico no se puede sustituir la etapa
rectificadora por una resistencia equivalente, como en el anlisis clsico, sino por una
impedancia que tiene en cuenta los efectos capacitivos del rectificador. Aplicando la
metodologa propuesta se han obtenido las impedancias equivalentes en cada caso y
los modelos que permiten evaluar el rendimiento y la ganancia de los convertidores.
El problema que se plantea es que, debido a los efectos capacitivos del rectificador, la
frecuencia de resonancia, la ganancia de tensin y el rendimiento del convertidor se
ven afectados. Por ello es muy importante modelar este fenmeno con exactitud,
para cuantificar su influencia. Para los casos analizados se ha comprobado que un
diseo inadecuado de los tanques resonantes supone que la frecuencia de resonancia
del circuito pueda no estar fijada por la capacidad externa del tanque resonante, sino
por las capacidades parsitas de los diodos. Adems, puede haber ms corriente
circulante de la esperada, de modo que el rendimiento no sea ptimo.
Mediante los modelos propuestos se han analizado las topologas mencionadas y se
han propuesto unas reglas para disear los convertidores originales, y que permiten
tener control sobre la frecuencia de resonancia y el factor de calidad de los circuitos.
Adems, gracias al anlisis de las topologas se conoce con detalle su
funcionamiento. Este conocimiento se ha concretado en el diseo de unos
convertidores que han sido construidos y medidos. Los resultados experimentales
conseguidos con ellos se mostrarn en el captulo siguiente, y mejorarn
significativamente la autonoma de los implantes de cclea comerciales.

Aplicacin industrial de muy baja potencia: el implante de cclea 251
Captulo 4
Aplicacin industrial de muy baja potencia:
el implante de cclea
ndice
4. Aplicacin industrial de muy baja potencia: el implante de cclea
4.1 Introduccin al implante de cclea
4.2 Restricciones de diseo
4.3 Topologas empleadas para implantes de cclea
4.4 Autonoma del implante de cclea
topologa con nico interruptor y tanque resonante serie
4.5.1 Prototipo I: diseo sin aplicar todas las restricciones
4.5.2 Prototipo II: diseo aplicando algunas restricciones
4.5.3 Prototipo III: diseo final aplicando todas las restricciones
propuesto cumpliendo con todas las restricciones de diseo
topologa con nico interruptor y tanque resonante paralelo
252 Aplicacin industrial de muy baja potencia: el implante de cclea

4.6.1 Descripcin de la fuente de alimentacin del implante de cclea
comercial
4.6.2 Prototipo IV: primer diseo propuesto para la fuente de alimentacin
4.6.3 Diseo del transformador de bajo acoplamiento
4.6.4 Prototipo V: diseo final
propuesto
4.6.6 Conclusiones acerca del diseo con tanque resonante paralelo y
4.7 Conclusiones acerca de los dos diseos propuestos
4.8 Comparacin de los diseos propuestos con los existentes en el estado de la
tcnica
Captulo 4
4. Aplicacin industrial de muy baja potencia: el implante
de cclea
En el captulo 1 se plante como objetivo de la tesis estudiar la reduccin de las
prdidas en las fuentes de alimentacin con transferencia de energa sin contacto,
centrndose en las aplicaciones de muy baja potencia y ms concretamente en los
implantes de cclea. Para ello se estudiaron con detalle el transformador, como
elemento fundamental en la transferencia de energa, y las topologas resonantes,
centrndose en las de nica sintona, es decir, un nico tanque resonante.
En este captulo se van a mostrar los resultados experimentales medidos en varios
prototipos construidos siguiendo las reglas de diseo que se han ido proponiendo en
este documento. Se ha medido el rendimiento de estos prototipos y calculado la
autonoma que proporcionaran a los usuarios de implantes de cclea de las
compaas Philips Hearing Implants y Cochlear Ltd. Para ello todos los resultados
obtenidos se han comparado con los datos de las fuentes de alimentacin que
actualmente comercializan esas empresas, y se ha comparado que las mejoras
conseguidas son significativas.
A continuacin se resumen algunos de los puntos que se han tenido cuenta para la
mejora de la autonoma:
Diseo del transformador:
- Se ha perseguido una mejora en el acoplamiento entre los devanados, para
lo que se ha construido el devanado primario en forma de espiral y
ocupando la mayor corona posible para maximizar el acoplamiento. Las
pistas se han realizado del mayor posible de las pistas para minimizar la
resistencia.
- Para el transformador del tanque resonante paralelo se han empleado dos
capas conectadas en paralelo para minimizar la resistencia del devanado
primario, comprobando que la frecuencia de resonancia del transformador
no est prxima a la frecuencia de conmutacin del convertidor.
- Tambin se ha comprobado el efecto de la caja de titanio, pero debido a
restricciones de una de las compaas no se ha podido desplazar desde

debajo del devanado secundario a un lateral del mismo, para reducir las
prdidas.
Diseo del tanque resonante:
- El efecto de las capacidades parsitas de los diodos y su influencia sobre la
frecuencia de resonancia, la ganancia de tensin y el rendimiento del
convertidor se han tenido en cuenta para realizar el diseo especificado.
- Se compararn las formas de onda medidas en uno de los prototipos para
validar el modelo propuesto para el convertidor con nico interruptor,
tanque resonante serie y rectificador de media onda.
- En el convertidor serie, y para conseguir la frecuencia de resonancia y el
factor de calidad especificados, se tuvo que disear el devanado
secundario con una alta inductancia, lo que penalizaba el rendimiento,
puesto que este devanado est construido con material PtIr, biocompatible
pero con una resistividad mayor que la del cobre.
- El diseo del tanque resonante paralelo viene impuesto, puesto que en este
caso se trataba de maximizar el rendimiento manteniendo el secundario
que muchos pacientes tienen ahora mismo implantado con el diseo
antiguo de la fuente de alimentacin.
- Se ha estudiado el efecto de la inductancia de primario sobre el tanque
resonante paralelo, as como el mejor modo de conseguir mantener la
tensin de salida fija en su valor mnimo, es decir, proporcionando a la
carga la tensin mnima que precisa para funcionar.
4.1 Introduccin al implante de cclea
En el captulo de planteamiento del problema se habl acerca de algunas
aplicaciones de transferencia de energa sin contacto, y se hizo especial hincapi en
los implantes en el cuerpo humano. Este tipo de aplicaciones estn proliferando y se
espera un aumento de ellas en el futuro. Esta proliferacin y el beneficio directo que
proporcionan al ser humano, dota de un inters especial a la realizacin de trabajos
de investigacin en este campo.
Como ya se coment, la transmisin de energa de forma transcutnea, es decir, a
travs de la piel intacta, supone un gran avance desde el punto de vista del paciente,
al librarle de una situacin poco higinica, poco esttica e incmoda. El precio a
pagar es una conversin energtica ms ineficiente, debido al empleo de un
transformador que necesariamente tiene bajo acoplamiento, al existir una gran
separacin entre sus devanados. En la figura 4-1 hay dos fotografas de un
transformador de un implante de cclea comercial. Para simular las diferentes
separaciones que puede hacer entre los devanados se han colocado piezas de
diferentes grosores separando primario y secundario: 1mm (a) y 12mm (b).
Observando la gran separacin que existe entre los devanados en la figura 4-1.b no
resulta extrao que el coeficiente de acoplamiento sea menor que 20%.
A) SEPARACIN ENTRE LOS DEVANADOS
IGUAL A 1MM
Primario
Separacin
1mm
Secundario
35mm
Primario
Separacin
1mm
Secundario
Primario
Separacin
1mm
Secundario
35mm

B) SEPARACIN ENTRE LOS DEVANADOS
IGUAL A 12MM
Separacin
12mm
Primario
Secundario
35mm
Separacin
12mm
Primario
Secundario
35mm

Figura 4-1. Transformador para un implante de cclea
Por tanto, y como se ha venido remarcando a lo largo de toda la tesis, mejorar el
rendimiento de la fuente de alimentacin y reducir el consumo de todos los
circuitos es el objetivo a conseguir al disear estos sistemas transcutneos. La
reduccin de las prdidas redunda en una mayor autonoma del sistema y/o una
reduccin del tamao de las bateras, es decir, en un beneficio directo para el
consumidor.
En el captulo de introduccin se explic que esta tesis est centrada en los implantes
en el cuerpo humano, y ms concretamente en los implantes de cclea, porque en la
Divisin de Ingeniera Electrnica (Universidad Politcnica de Madrid UPM) se
realizaron dos proyectos de investigacin con las compaas en colaboracin con las
empresas Philips Hearing Implants (Blgica) y Cochlear Ltd. (Australia). El objetivo de
estos proyectos fue mejorar las fuentes de alimentacin que en ese momento se
estaban comercializando para los implantes de cclea fabricados por las
compaas mencionadas.
En el estado de la tcnica hay pocas referencias a trabajos similares porque no hay
muchos resultados de rendimiento para convertidores CC/CC en aplicaciones con
transferencia de energa sin contacto y con una potencia de salida tan baja potencia
como es la caracterstica de esta aplicacin. En la figura 4-2 se han incluido las
referencias y los resultados conseguidos por distintos autores. Los resultados que se
presentarn al final de este captulo corresponden a las medidas sobre prototipos con
potencias de salida iguales a 5mW y 15mW. Los nicos resultados que sirven de

referencia son los presentados en [ZIERHOFER91], pero hay que tener en cuenta que
las restricciones de su diseo van a ser muy diferentes a las del implante de cclea.
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25%
k=10%
48%
k=40%
12mW
68%
k=95%
50mW
50%
k=70%
69,4%
k=85%
340mW
47%
V
e
=230V
AC
3.3W
35%
V
e
=310V
AC
12W 48W 40W
77%
k=85%
72%
k=39%
50%
k=10%
62%
k=32%
Potencia de salida
28,3%
k=17%
77%
k=16%
[ZIERHOFER91]
[KANAI00]
[NISHIMURA93]
[JOUNG96]
[GHAHARY90]
[CHO01I]
5mW 15mW
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25%
k=10%
48%
k=40%
12mW
68%
k=95%
50mW
50%
k=70%
69,4%
k=85%
340mW
47%
V
e
=230V
AC
3.3W
35%
V
e
=310V
AC
12W 48W 40W
77%
k=85%
72%
k=39%
50%
k=10%
62%
k=32%
Potencia de salida
28,3%
k=17%
77%
k=16%
[ZIERHOFER91]
[KANAI00]
[NISHIMURA93]
[JOUNG96]
[GHAHARY90]
[CHO01I]
5mW 15mW
25%
k=10%
48%
k=40%
12mW
68%
k=95%
50mW
50%
k=70%
69,4%
k=85%
340mW
47%
V
e
=230V
AC
3.3W
35%
V
e
=310V
AC
12W 48W 40W
77%
k=85%
72%
k=39%
50%
k=10%
62%
k=32%
Potencia de salida
28,3%
k=17%
77%
k=16%
[ZIERHOFER91]
[KANAI00]
[NISHIMURA93]
[JOUNG96]
[GHAHARY90]
[CHO01I]
5mW 15mW

Figura 4-2. Resumen de los resultados de rendimiento conseguidos con distintas topologas para
aplicaciones variadas presentes en el estado de la tcnica
Micrfono
Procesador de
voz
Emisor
Bateras Carga
Rectificador
Inversor
Devanado
primario
Devanado
secundario
Receptor Implante Vector de
electrodos
PARTE EXTERNA PARTE INTERNA
P
I
E
L

Y

T
E
J
I
D
O
S
Micrfono
Procesador de
voz
Emisor
Bateras Carga
Rectificador
Inversor
Devanado
primario
Devanado
secundario
Receptor Implante Vector de
electrodos
PARTE EXTERNA PARTE INTERNA
P
I
E
L

Y

T
E
J
I
D
O
S

Figura 4-3. Sistema de alimentacin transcutneo de un implante de cclea
En la figura 4-3 se ha representado un esquema general de un implante de cclea,
indicando en qu parte del sistema estarn situados los elementos de la fuente de
alimentacin. Por ejemplo, el paquete de bateras est situado en el procesador de
voz. Sin embargo, la colocacin de la etapa inversora depende de modelos, estando
en algunos en el procesador de voz, y en otros junto al devanado primario.
En cuanto a la estructura de la parte interna, los circuitos estn encerrados en una
caja de titanio que puede estar situada debajo del devanado secundario o al lado.
Como ya se comprob al estudiar el diseo de los transformadores con ncleo de
aire, la posicin relativa del titanio y el devanado tiene mucha importancia en las
prdidas.
La carga de la fuente de alimentacin transcutnea la constituye el circuito
implantado en el interior del cuerpo que se encarga de producir los estmulos
apropiados para el rgano auditivo. La misin de la fuente de alimentacin es
proporcionar la energa y la tensin apropiadas a este circuito, para garantizar un
buen funcionamiento del sistema, es decir, permitir que el paciente escuche sonido
en todas las circunstancias posibles.
4.2 Restricciones de diseo
El diseo del convertidor CC/CC del implante de cclea presenta diversas
particularidades inherentes a la aplicacin:
La potencia a suministrar en muy baja, por debajo de 15mW, por lo que es
difcil mantener un alto rendimiento. Esta potencia puede variar dependiendo de
si el circuito que constituye la carga est activo y se est produciendo
estimulacin o no.
El transformador transcutneo tiene un pequeo tamao (dimetro menor de
3cm) y la separacin entre los devanados primario y secundario se ha estimado
en el rango desde 1mm a 9mm. Por tanto el acoplamiento es muy bajo,
normalmente menor que el 50%.
Para el diseo no se puede considerar un coeficiente de acoplamiento
constante, sino que hay que considerar un rango dentro del cual puede variar. El
acoplamiento mnimo se producir para la mayor separacin considerada entre
los devanados y para el mayor desalineamiento permitido. El mximo
acoplamiento se conseguir para la separacin mnima entre los devanados
cuando estos estn perfectamente alineados.
Todos los materiales empleados en el interior del cuerpo humano tienen que
ser biocompatibles. Los circuitos electrnicos tienen que estar encerrados dentro
de cajas especiales de titanio o materiales cermicos biocompatibles.
La fiabilidad cobra una importancia especial en aplicaciones mdicas: la mitad
de la fuente de alimentacin est implantada y no puede ser cambiada ms que
mediante un proceso quirrgico que entraa cierto riesgo. Por tanto toda la

electrnica est diseada para funcionar ms de 70 aos, intentando que dure
toda la vida del paciente. Durante todo este tiempo la fuente de alimentacin
tiene que estar proporcionando la energa del modo adecuado desde la batera.
Como una consecuencia de todas estas restricciones, el diseo de la fuente de
alimentacin es difcil y depende de muchas variables: el estado de carga de la
batera, el acoplamiento variable y la carga variable dependiendo de si el implante
est o no estimulando.
4.3 Topologas empleadas para implantes de cclea
Una topologa habitualmente empleada para transferir la energa desde la batera
hasta el interior del cuerpo en implantes de cclea es el puente completo con doble
sintona (figura 4-4). Desde el punto de vista del implante de cclea, el mayor
problema derivado del uso de esta topologa es la posibilidad de mayores prdidas
debido al nmero de interruptores y la complejidad del diseo de la etapa de disparo
de estos interruptores, ya que uno de ellos no tiene su fuente conectada a masa.
D
1
D
2
D
3
D
4
M
1
M
2
M
3
M
4
C
1
C
2
C
3
R
1
V
e
k
L
1
L
2
+
-
V
s
D
1
D
2
D
3
D
4
M
1
M
2
M
3
M
4
C
1
C
2
C
3
R
1
V
e
k
L
1
L
2
+
-
V
s

Figura 4-4. Convertidor con doble sintona formada por dos tanques resonantes serie, uno en primario y
otro en secundario
M
1
C
1
C
2
R
1
V
e
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
2
C
3
D
1
C
5
C
4
L
3
M
1
C
1
C
2
R
1
V
e
L
1
k
L
2
+
-
V
s
D
2
C
3
D
1
C
5
C
4
L
3

Figura 4-5. Convertidor propuesto por Zierhofer y Hochmair, basado en un clase E
El convertidor clase E tambin con doble sintona, representado en la figura 4-5, ha
sido utilizado comercialmente como fuente de alimentacin de un implante de cclea
[ZIERHOFER91, ZIERHOFER90]. Su principal ventaja es la simplicidad del circuito
de disparo, ya que slo tiene un interruptor cuya fuente est conectada a masa. En
[ZIERHOFER90] incluso se propone un lazo de control auto-oscilante.
De todas estas topologas ya se ha hablado y se han analizado en apartados
anteriores de este trabajo de investigacin, por lo que no se incidir ms en su
comportamiento.
Tratando de eliminar o suavizar las desventajas de los convertidores CC/CC
actualmente utilizados en implantes comerciales, una de las propuestas de este
trabajo de investigacin es emplear la topologa de un solo interruptor y con
sintona nica, con tanque resonante serie o tanque paralelo en el secundario.
Sus mayores ventajas son:
9 Reducido nmero de componentes.
9 nico interruptor conectado a masa.
9 Conmutacin a tensin cero en este interruptor.
Sus desventajas respecto a las anteriores topologas son:
8 Sensibilidad del circuito a variaciones de acoplamiento.
8 Necesidad de emplear un interruptor de ms tensin que en el caso del medio
puente o el puente completo debido a la forma de la tensin drenador-fuente.
En los siguientes apartados se mostrarn los resultados conseguidos empleando
estas topologas y se realizar una comparacin entre los diseos propuestos y
algunas fuentes de alimentacin de implantes de cclea comerciales (datos
facilitados por Philips Hearing Implants y Cochlear Ltd.).
4.4 Autonoma del implante de cclea
El objetivo de la tesis es mejorar el rendimiento de aplicaciones con transferencia de
energa sin contacto, es decir, reducir las prdidas de sus fuentes de alimentacin.
Pero el parmetro que percibe el paciente que tiene el implante es la autonoma, ya
que su beneficio directo es ahorrarse tiempo y dinero en recargar o cambiar su
batera.
En primer lugar se van a realizar ciertas consideraciones muy sencillas:
1. Si el objetivo a conseguir es aumentar la autonoma, hay que minimizar la
energa que tiene que proporcionar la batera, y por tanto es necesario
maximizar el rendimiento del convertidor CC/CC. Evidentemente, para una

misma potencia de salida, mayor rendimiento implica menor potencia de
entrada (suministrada por la batera) y mayor autonoma (figura 4-6).
Mayor ,
menor P
e

=50%
5k
6V
P
carga
=7,2mW P
e
=14,4mW
=50% =50%
5k
6V
P
carga
=7,2mW P
e
=14,4mW
=50%

=40%
5k
6V
P
carga
=7,2mW
P
e
=18mW
=40%
=40%
5k
6V
P
carga
=7,2mW
P
e
=18mW
=40%

Figura 4-6. Mayor rendimiento, mayor potencia de entrada con carga constante
2. Las topologas con doble sintona son bastante insensibles a las variaciones de
acoplamiento si el diseo se realiza adecuadamente. Sin embargo, siempre hay
una variacin en la tensin de salida en funcin del coeficiente de acoplamiento.
Por lo tanto, es imprescindible garantizar que el circuito que constituye la carga
puede trabajar con una tensin de alimentacin variable en un cierto rango.
Si la carga tiene un comportamiento resistivo, como es en este caso, cuanto
menor sea la tensin de alimentacin, para un mismo rendimiento menor ser
la potencia extrada de la batera (figura 4-7).
Menor V
s
,
menor P
e

=50%
5k
6V
P
carga
=7,2mW P
e
=14,4mW
=50%
5k
6V
P
carga
=7,2mW P
e
=14,4mW

=50%
5k
7V
P
carga
=9,8mW P
e
=19,6mW
=50%
5k
7V
P
carga
=9,8mW P
e
=19,6mW

Figura 4-7. Menor tensin de salida, menor potencia de entrada para el mismo rendimiento
3. Hay que considerar que siempre es ms difcil conseguir un alto rendimiento con
cargas que consumen muy poca potencia, debido a las prdidas constantes que
existen en un circuito, como las prdidas de conmutacin. Sin embargo, y pese a
este bajo rendimiento, pueden conseguirse mayores autonomas que con
circuitos de ms consumo pero mayor rendimiento (figura 4-8). Por tanto, es
importante llegar a un compromiso entre el consumo de la carga y el
rendimiento que puede conseguir la fuente de alimentacin.
Menor ,
pero
menor P
e

5k
6V
P
carga
=7,2mW
P
e
=14,4mW
=50%
5k
6V
P
carga
=7,2mW
P
e
=14,4mW
=50%

5k
7V
P
carga
=9,8mW P
e
=19,6mW
=60%
5k
7V
P
carga
=9,8mW P
e
=19,6mW
=60%

Figura 4-8. Menor rendimiento del convertidor CC/CC pero mayor autonoma
4. El sistema completo del implante de cclea no solo tiene el convertidor CC/CC.
La energa que proporcionan las bateras sirve tambin para alimentar el
procesador de voz y dotar de funcionalidad al sistema. Por tanto, la autonoma
del sistema no solo depende del rendimiento del convertidor CC/CC, sino
tambin del consumo del procesador de voz (figura 4-9). El incremento de
autonoma que ha habido en los ltimos aos en algunas de estas aplicaciones
porttiles no slo es debido al esfuerzo en el diseo de las fuentes de
alimentacin, sino tambin a la reduccin en el consumo de las cargas.
Bateras
Procesador
de voz
Convertidor
CC/CC
12mW
Prdidas de potencia
dependientes del
rendimiento
Implante
5mW
Bateras
Procesador
de voz
Convertidor
CC/CC
12mW
Prdidas de potencia
dependientes del
rendimiento
Implante
5mW

Figura 4-9. Esquema de la gestin de la energa en un implante de cclea
Una vez realizadas estas consideraciones, pueden extraerse las siguientes
conclusiones:
Para maximizar la autonoma es importante proporcionar a la carga siempre la
mnima energa posible. Para ello hay que proporcionar la tensin mnima para
que el circuito funcione adecuadamente y maximizar el rendimiento de la fuente
de alimentacin.
El parmetro importante para medir la autonoma de la batera no es el
rendimiento, sino la potencia de entrada al convertidor CC/CC o las prdidas
de potencia que hay en el mismo.
Desde el punto de vista comercial es importante que el consumo del sistema
no dependa del acoplamiento del transformador, sino que se mantenga
bastante constante para todos los usuarios (independientemente del grosor de su
piel, la posicin del implante, etc).
Parmetros a considerar para calcular la autonoma
La figura 4-9 ilustra el significado de algunos de los parmetros que van a aparecer
en las tablas siguientes, al comparar los diseos comerciales con las alternativas
propuestas:
La energa proporcionada por la batera se emplea para el consumo tanto del
procesador de voz como del propio implante, es decir, el consumo total del sistema.
Conociendo estos datos, puede calcularse la autonoma del sistema aplicando la
frmula:

[ ]
[ ]
[ ] W sistema del total Consumo
J batera la por ada proporcion Energa
s Autonoma =
( 4-1)
La capacidad de almacenamiento de energa de la batera depende del modelo
que se est empleando. Los implantes ms antiguos llevaban paquetes de
bateras muy voluminosos debido al alto consumo del implante y el mal
rendimiento de la fuente de alimentacin. A medida que se fueron mejorando
estos dos puntos pudo reducirse el tamao de las bateras manteniendo las
prestaciones de autonoma. Adems, actualmente puede almacenarse mayor
cantidad de energa por unidad de volumen.
El consumo del procesador de voz incluye el consumo de los DSPs, un pequeo
convertidor CC/CC, algunos reguladores lineales, el micrfono, etc. Va a
considerarse una cantidad constante que depende del modelo comercial que se
est analizando. Para el ejemplo de la figura 4-9 , el consumo del procesador de
voz es de 12mW.
La potencia total del implante se transfiere mediante la fuente de alimentacin
transcutnea, cuyo diseo se estudia en esta tesis, y que incluye el transformador
transcutneo. Las prdidas totales de la fuente de alimentacin dependen del
rendimiento del convertidor CC/CC y de la potencia consumida por el implante.
La potencia efectiva del implante es la potencia que consume el circuito del
implante para funcionar adecuadamente y estimular el nervio auditivo. En la
figura 4-9 el implante equivale a una carga resistiva cuyo valor es 5k. La
tensin mnima a la que puede alimentarse para garantizar su funcionamiento es
5V. Para esas circunstancias, la potencia consumida es 5mW.
Por tanto, la potencia total suministrada por la batera es igual a la suma del
consumo del procesador de voz, el consumo del implante y las prdidas en la fuente
de alimentacin para transferencia de energa sin contacto.
4.5 Diseo de la fuente de alimentacin de un implante de cclea
empleando la topologa con nico interruptor y tanque resonante
serie
En este primer caso se ha realizado el diseo de un convertidor CC/CC empleando
una topologa con nico interruptor y tanque resonante serie en el secundario, segn
el esquema representado en la figura 4-11. El objetivo es reducir el nmero de
componentes respecto al del convertidor clase E empleado en [ZIERHOFER90],
mostrado en la figura 4-5, y aumentar el rendimiento.
Una vez descritos los distintos convertidores construidos y medidos, se compararn
la autonoma conseguida con el diseo propuesto y con el diseo comercial.
4.5.1 Prototipo I: diseo sin aplicar todas las restricciones
Para comprobar el rendimiento que se poda conseguir sin aplicar todas las
restricciones inherentes a la aplicacin de un implante de cclea, se construy un
primer prototipo cuya foto puede observarse en la figura 4-10. El esquema elctrico
del convertidor se encuentra en la figura 4-11. Algunas de sus caractersticas ms
importantes son:
La potencia de salida considerada es 15mW y la tensin de salida 5V. Se han
considerado tres posibles separaciones entre los devanados: 3,6m, 6,8mm y
10mm.
No se aplicaron las restricciones de tamao, biocompatibilidad, etc. propias de la
aplicacin, puesto que el objetivo de este primer prototipo era comprobar el
rendimiento mximo que poda conseguir.
No se dise el lazo de realimentacin de tensin, de modo que las pruebas se
realizaron sobre el circuito en lazo abierto.
Devanado primario situado
encima del devanado secundario
+ ferrita en
primario
encima del devanado secundario
+ ferrita en
primario

Figura 4-10. Foto del prototipo I
1N5817
1N5817 136nF
P
s
=15mW
R
carga
=1,6k
BSS295
4,4nF
660pF
70H 50H
V
gs
=5V
f=405kHz
1N5817
1N5817 136nF
P
s
=15mW
R
carga
=1,6k
BSS295
4,4nF
660pF
70H 50H
V
gs
=5V
f=405kHz
1N5817
1N5817 136nF
P
s
=15mW
R
carga
=1,6k
BSS295
4,4nF
660pF
70H 50H
V
gs
=5V
f=405kHz

Figura 4-11. Esquema del prototipo I
El transformador diseado tiene un gran tamao para una aplicacin de un implante
de cclea. Como puede observarse en la descripcin del transformador, recogido en

la figura 4-12, el transformador para este prototipo se hizo siguiendo algunas de las
conclusiones extradas en el captulo 2 de esta tesis:
Los devanados se han realizado del mayor tamao posible y lo ms extendidos
posible. El dimetro interior de los devanados es del tamao menor posible, de
forma que las vueltas se extienden a lo largo del radio del devanado.
La disposicin del devanado es en espiral. Las espiras no son planas porque, al
tratarse de un prototipo inicial, se decidi no fabricar un componente plano, sino
emplear cable de bobinado normal (figura 4-12.a y figura 4-12.b).
Para mejorar el acoplamiento del transformador, y puesto que no se consideraba
la existencia de un imn, se emple un ncleo de ferrita en el primario del
transformador.
Ferrita en primario
Devanado primario Devanado secundario
Separacin
variable
Ferrita en primario
Separacin
variable

A) DEVANADO PRIMARIO
45 vueltas de cable de cobre, con dimetro
0,25mm
Dimetro exterior del devanado: 35mm
Plancha de ferrita para mejorar el acoplamiento
B) DEVANADO SECUNDARIO
0,25mm
Dimetro exterior del devanado: 35mm
Figura 4-12. Descripcin del transformador de bajo acoplamiento del prototipo I
Los resultados obtenidos con este diseo pueden contemplarse en la tabla 4-1. Los
rendimientos conseguidos son muy altos incluso a pesar de la gran separacin entre
los devanados. Tambin pueden contemplarse algunas de las formas de onda ms
significativas del circuito en la figura 4-13. Para la separacin menor posible, no se
consigue conmutacin a tensin cero, y por ello el rendimiento estar un poco
penalizado. Es por ello que se consiguen resultados de rendimiento tan similares
para una distancia entre los devanados de 3,6mm y 6,8mm.
TABLA 4-1
RESULTADOS MEDIDOS EN EL PROTOTIPO I, SIN APLICAR TODAS LAS RESTRICCIONES DE DISEO, CON
FRECUENCIA DE CONMUTACIN DE 405KHZ Y CICLO DE TRABAJO 0,5
Separacin
entre primario
y secundario
(mm)
Tensin
entrada
(V)
Potencia
entrada
(mW)
Tensin
salida (V)
Potencia
salida (mW)
Prdidas
(mW)
Rendimiento
(%)
3,6 2,995 20,8 5,1 15,7 5,1 75,7
6,8 4,037 20,4 5,03 15,1 5,3 74,2
10 4,089 22,5 4,98 14,9 7,6 66,3

A) SEPARACIN ENTRE LOS DEVANADOS
3,6MM
1s/div
Tensin drenador-fuente (5V/div)
Tensin puerta-fuente (5V/div)
Corriente de entrada (20mA/div)
1s/div

B) SEPARACIN ENTRE LOS DEVANADOS
10MM
1s/div Tensin drenador-fuente (5V/div)
1s/div Tensin drenador-fuente (5V/div)

Figura 4-13. Formas de onda medidas sobre el prototipo I, considerando distintas separaciones entre los
devanados, con frecuencia de conmutacin 405kHz y ciclo de trabajo 0,5
Todos estos resultados son muy similares a los que se obtuvieron de forma terica,
empleando el modelo propuesto en el captulo anterior. Se prevea un rendimiento
de 78% cuando la separacin entre los devanados era 4mm y 60% cuando la
separacin era 10mm.
Efecto del ncleo magntico
En la figura 4-14 se han comparado el rendimiento y las prdidas empleando y sin
emplear ferrita como ncleo magntico en el devanado primario. La frecuencia de
conmutacin ptima empleando ferrita en primario es igual a 405kHz, mientras que
sin emplear ncleo de material magntico es de 500kHz. Esto es debido a la
influencia de la ferrita sobre el devanado secundario, de la que se habl en el
captulo de transformadores. Al aumentar ligeramente la inductancia de secundario,
se reduce un poco la frecuencia de resonancia y hay que modificar la frecuencia de
conmutacin.

A la vista de los resultados, el rendimiento en ambos casos es muy similar para
separaciones pequeas entre los devanados. Sin embargo, cuando la separacin es
grande, el acoplamiento entre los devanados est muy penalizado en ausencia de
ferrita. Este resultado tambin es predecible aplicando las conclusiones extradas
en el captulo de transformadores: cuando los devanados estn muy prximos, el
acoplamiento es bastante alto incluso sin emplear ncleo magntico. Sin embargo,
a medida que se separan los devanados el efecto de la ferrita es ms beneficioso y las
prdidas se reducen significativamente (figura 4-14.a).
A) PRDIDAS EN EL CONVERTIDOR
0
2
4
6
8
10
12
14
0 2 4 6 8 10 12
P
r
d
i
d
a
s

(
m
W
)
Ferrita en primario, aire en secundario
Aire en primario y secundario
0
2
4
6
8
10
12
14
0 2 4 6 8 10 12
P
r
d
i
d
a
s

(
m
W
)

B) RENDIMIENTO DEL CONVERTIDOR
0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10 12
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10 12
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)

Figura 4-14. Comparacin en las prdidas y el rendimiento del prototipo I con un transformador con y
sin ferrita en el devanado primario
Efecto de la caja de titanio
Algunos fabricantes emplean cajas de titanio para aislar los circuitos electrnicos en
la parte implantada, de forma que permanecen en un recinto biocompatible. Al
hablar de los transformadores para aplicaciones de transferencia de energa sin
contacto, ya se comprob la influencia que tena la caja de titanio en el rendimiento
cuando estaba colocada debajo del devanado secundario, es decir, justo dentro del
campo magntico generado por el transformador.
Para comprobar experimentalmente la influencia de la caja de titanio, se realizaron
sobre el convertidor medidas con y sin ella. Los resultados de potencia de entrada,
potencia de salida, prdidas y los datos de rendimiento se han recogido en la tabla
4-2. En efecto el rendimiento se ve severamente penalizado, por lo que la primera
medida para mejorarlo sera colocar la caja en un lateral, alejada del flujo magntico,
o construirla de un material no metlico. Todas estas consideraciones son las que se
realizaron en el captulo 2 de esta tesis al realizar una serie de simulaciones
empleando la herramienta de anlisis por elementos finitos para comprobar la
influencia del titanio.
Al observar las formas de onda medidas sobre el prototipo, puede comprobarse que
la corriente de entrada tiene un valor pico a pico mayor cuando se emplea caja de
titanio (figura 4-15).
TABLA 4-2
RESULTADOS MEDIDOS EN EL PROTOTIPO I CON Y SIN CAJA DE TITANIO, CON UNA SEPARACIN
CONSTANTE ENTRE LOS DEVANADOS IGUAL A 3,6mm, UNA FRECUENCIA DE CONMUTACIN DE 370KHZ
Y UN CICLO DE TRABAJO DE 0.5
Caja de titanio
Potencia entrada
(mW)
Potencia salida
(mW)
Prdidas
(mW)
Rendimiento
(%)
No 18,8 14,9 3,9 79,2
S 22,3 13,3 9,0 59,5

A) SIN CAJA DE TITANIO B) CON CAJA DE TITANIO
1s/div
Corriente
entrada
(20mA/div)
1s/div
Corriente
entrada
(20mA/div)

Corriente
entrada
(20mA/div)
1s/div
Corriente
entrada
(20mA/div)
1s/div

Figura 4-15. Formas de onda medidas sobre el prototipo I con y sin caja de titanio
4.5.2 Prototipo II: diseo aplicando algunas restricciones
Este prototipo fue construido para comprobar la viabilidad de la topologa con
tanque resonante serie como fuente de alimentacin del implante de cclea, aunque
no se consideraron todas las restricciones de diseo caractersticas de la aplicacin.
La figura 4-16 muestra una imagen de la placa impresa y del propio circuito. Se ha
indicado qu parte del circuito corresponde al primario (a) y cul al secundario (b).
Las caractersticas ms importantes de este circuito son las siguientes:
La potencia de salida considerada es 10mW y la tensin de salida 10V. La
separacin entre los devanados primario y secundario se ha considerado que
puede variar entre 3 y 10mm.
No se dise el lazo de realimentacin de tensin, de modo que las pruebas se
realizaron sobre el circuito en lazo abierto. El ciclo de trabajo y la frecuencia
permanecen constantes mientras que la tensin de entrada puede variar entre 3 y

12V. La empresa Philips Hearing Implants habitualmente emplea un pre-regulador
en sus convertidores.
A) PRIMARIO: PARTE DEL CIRCUITO EN
EL EXTERIOR DEL CUERPO
+ plancha
ferrita
+ plancha
ferrita

B) SECUNDARIO: PARTE DEL CIRCUITO
EN EL INTERIOR DEL CUERPO
2,5 cm 2,5 cm

Figura 4-16. Foto del prototipo II
RB051L-40
RB051L-40 100nF
P
s
=10mW
R
carga
=10k
Si9945dy
1,2nF
440pF
V
gs
=5V
f=600kHz
RB051L-40
RB051L-40 100nF
P
s
=10mW
R
carga
=10k
Si9945dy
1,2nF
440pF
V
gs
=5V
f=600kHz
RB051L-40
RB051L-40 100nF
P
s
=10mW
R
carga
=10k
Si9945dy
1,2nF
440pF
V
gs
=5V
f=600kHz

Figura 4-17. Esquema del prototipo II
En cuanto al transformador, a continuacin se proporcionan algunos detalles
constructivos del mismo.
Se us ncleo magntico slo en el lado del primario, es decir, el que
corresponde a la parte exterior del cuerpo, con el objeto de mejorar el
acoplamiento. Este ncleo era una plancha de ferrita que se colocaba encima del
devanado primario.
El devanado primario fue construido con cable de cobre devanado en una espiral
de una nica capa (figura 4-18.a). Como en el prototipo anterior, no se construy
un devanado sobre placa de circuito impreso por tratarse de un prototipo.
El devanado secundario fue construido devanando un cable de cobre en un
carrete de plstico (figura 4-18.b). Al estar todas las vueltas concentradas en la
parte exterior del devanado, el coeficiente de acoplamiento del transformador va
a estar penalizado y va a ser menor que en el caso anterior, del modo que ya se
coment en el captulo de transformadores. Sin embargo, este carrete es el
utilizado habitualmente por la empresa Philips Hearing Implants en sus implantes
de cclea comerciales. Muchos fabricantes de implantes de cclea comercializan
sus implantes con los devanados secundarios (los implantados) bobinados sobre
un carrete.
Ferrita en primario
Separacin
variable
Secundario en
carrete de plstico
Ferrita en primario
Separacin
variable
Secundario en
carrete de plstico

A) DEVANADO PRIMARIO
0,15mm
Dimetro exterior del devanado: 25,5mm
Plancha de ferrita para mejorar el acoplamiento
B) DEVANADO SECUNDARIO
0,08mm
Dimetro exterior del devanado: 25,5mm
Carrete de plstico para contener el devanado
Figura 4-18. Descripcin del transformador de bajo acoplamiento del prototipo II
La frecuencia de conmutacin a la que se obtuvo el mximo rendimiento fue
determinada en 600kHz. La tabla 4-3 recoge los valores de tensin y potencia
medidos ms importantes. Los resultados son bastante buenos considerando el
amplio rango de separacin entre los devanados considerado y la variacin de
acoplamiento posible. Adems el rendimiento no vara mucho para separaciones
entre 3mm y 6mm, y se mantiene por encima del 70%, que para la baja potencia
manejada es un valor muy alto, ya que supone unas prdidas mnimas. En estas
prdidas no estn incluidos la generacin de los pulsos y el disparo del interruptor.
Una de las razones para conseguir este alto rendimiento a pesar de la variacin del
coeficiente de acoplamiento con la separacin entre los devanados es el diseo del
primario del transformador: la forma de espiral extendida y la insercin de un
ncleo de ferrita en este devanado son factores decisivos para mejorar el coeficiente
de acoplamiento y el rendimiento del convertidor.

Algunas de las formas de onda medidas ms caractersticas del funcionamiento del
convertidor estn recogidas en la figura 4-25. En ese caso la separacin entre los
devanados es 4mm.
En el captulo 3 el funcionamiento de este convertidor fue comparado con los
resultados obtenidos aplicando el modelo analtico propuesto. Como entonces se
coment, los resultados predichos por el modelo analtico fueron muy exactos, de
modo que las medidas sobre el prototipo no fueron ninguna sorpresa.
TABLA 4-3
RESULTADOS MEDIDOS EN EL PROTOTIPO II CON FRECUENCIA DE CONMUTACIN 600KHZ
Separacin
entre primario
y secundario
(mm)
Tensin
entrada
(V)
Potencia
entrada
(mW)
Tensin
salida (V)
Potencia
salida (mW)
Prdidas
(mW)
Rendimiento
(%)
3,20 3,14 13,91 5,00 10,40 3,51 75
4,80 3,83 13,98 5,00 10,40 3,58 74
6,40 4,66 15,70 5,00 10,40 5,30 66
8,00 5,65 19,27 5,00 10,40 8,87 54
9,60 6,88 23,53 5,00 10,40 13,13 44

Para validar el modelo analtico, se compararon los resultados de simulacin,
medidas y clculos analticos sobre este prototipo. Para ello se midi y obtuvo un
sencillo modelo en T del transformador construido a la frecuencia de operacin
(600kHz). Ese modelo del componente magntico fue empleado en la simulacin con
el PSpice y en la simulacin con el modelo analtico, segn los esquemas recogidos en
la figura 4-19. Los resultados obtenidos mediante ambos mtodos son muy
parecidos, y estn reflejados en la tabla 4-4. Slo hay mayor diferencia en lo que
concierne al rendimiento, y como puede observarse es fundamentalmente debido a
un modelado inexacto de las prdidas en los diodos rectificadores. Aun as los
valores son muy similares.
En la figura 4-21 se encuentran las formas de onda correspondientes a las
simulaciones con el PSpice y las formas de onda conseguida con el Mathcad aplicando
el modelo analtico propuesto. Estas formas de onda se pueden comparar con las
medidas en el prototipo, recogidas en la figura 4-20. Se han tomado como ejemplo las
formas de ondas ms caractersticas del convertidor, como son la tensin drenador-
fuente, la corriente por el secundario del transformador y la tensin a la entrada del
rectificador. Puede observarse que todas ellas son muy similares. Es importante
recordar que en los clculos analticos la corriente por la rama resonante es
sinusoidal porque se est haciendo una aproximacin al primer armnico. Sin
embargo, en este caso la corriente resonante no es completamente sinusoidal.
A) ESQUEMA EMPLEADO PARA LA SIMULACIN CON EL SIMULADOR COMERCIAL
C1
450pF
M1
si9945ey
D2
D1N5817
Vaux
0Vdc
V2
TD = 0
TF = 20ns
PW = 0.83us
PER = 1.66us
V1 = 0
TR = 20ns
V2 = 5
Ld1
31.2uH
V_D1
0Vdc
D1
D1N5817
Csec
1.2nF
Rload
2.5k
0
Rms 0.306
Cout
1uF
IC = -4.822
L2
79.3uH
R1
5.49
V1
3.3Vdc
Lms 25.26uH
R2
15.96
C1
450pF
M1
si9945ey
D2
D1N5817
Vaux
0Vdc
V2
TD = 0
TF = 20ns
PW = 0.83us
PER = 1.66us
V1 = 0
TR = 20ns
V2 = 5
Ld1
31.2uH
V_D1
0Vdc
D1
D1N5817
Csec
1.2nF
Rload
2.5k
0
Rms 0.306
Cout
1uF
IC = -4.822
L2
79.3uH
R1
5.49
V1
3.3Vdc
Lms 25.26uH
R2
15.96

B) ESQUEMA EMPLEADO PARA LA SIMULACIN MEDIANTE EL MODELO ANALTICO
25,26H
1N5817 2550 1F
1N5817
Si9945EY
0,306
15,96 5,49 31,2H 79,3H 1,2nF
450pF
600kHz
3,3V
25,26H
1N5817 2550 1F
1N5817
Si9945EY
0,306
15,96 5,49 31,2H 79,3H 1,2nF
450pF
600kHz
3,3V

Figura 4-19. Esquemas empleados para la simulacin empleando el PSpice y la simulacin mediante el
modelo analtico propuesto usando el Mathcad
TABLA 4-4
RESULTADOS PARA EL PROTOTIPO CONSTRUIDO OPERANDO A UNA FRECUENCIA
Simulacin Mtodo analtico
Tensin de salida V
s
[V] 4,82 4,82
1
er
armnico de la corriente resonante |I
sec
| [mA] 10,84 10,82
1
er
armnico de la tensin a la entrada
de la etapa rectificadora
|V
rect
| [V] 3,22 3,14
1
er
armnico de la tensin a la entrada
del transformador
|V
T
| [V] 5,75 5,2
Prdidas en los diodos P
d
[mW] 1,4 0,8
Potencia de entrada P
e
[mW] 13,45 12,6
s
[mW] 9,3 9,3
Rendimiento
total
[%] 68,4 73,7


Tensin rectificador (2V/div)
Corriente secundario (20mA/div)
500ns/div
Tensin rectificador (2V/div)
Corriente secundario (20mA/div)
500ns/div
500ns/div
500ns/div

Figura 4-20. Formas de onda medidas en el prototipo II, para una separacin entre los devanados de
4mm, con frecuencia de conmutacin 600kHz y ciclo de trabajo 0,5
A) SIMULACIN CON EL MODELO ANALTICO
0
5
10
12
-4
Corriente resonante
Tensin
drenador-fuente
Tensin entrada
rectificador
0
5
10
12
-4
Corriente resonante
Tensin
drenador-fuente
Tensin entrada
rectificador

B) SIMULACIN CON EL PSPICE
188.0us 189.0us 190.0us 191.0us 192.0us 193.0us 194.0us
-4
0
4
8
12
Corriente resonante
Tensin
drenador-fuente
Tensin entrada
rectificador
188.0us 189.0us 190.0us 191.0us 192.0us 193.0us 194.0us
-4
0
4
8
12
Corriente resonante
Tensin
drenador-fuente
Tensin entrada
rectificador

Figura 4-21. Validacin mediante medidas y simulacin con una herramienta comercial del modelo
analtico propuesto
4.5.3 Prototipo III: diseo final aplicando todas las restricciones
Finalmente se realiz un diseo considerando todas las restricciones de
biocompatibilidad y de diseo impuestas por el fabricante de implantes de cclea
para poder comercializar el producto.
La potencia de salida del convertidor CC/CC diseado es 5mW y la tensin de
salida 5V. La separacin entre los devanados primario y secundario se ha
considerado que puede variar entre 3 y 9mm.
La frecuencia de funcionamiento fue impuesta por el fabricante para permitir la
transmisin de informacin junto con la transferencia de potencia. Esta
frecuencia de conmutacin del convertidor fue fijada en 6MHz.
Los circuitos electrnicos implantados estn encerrados dentro de una caja de
titanio colocada debajo del devanado secundario.
Se situ un imn en el centro de los devanados primario y secundario para
mantenerlos alineados y minimizar el problema de la reduccin del coeficiente
de acoplamiento debido a posibles desplazamientos laterales entre los
devanados.
Debido a la presencia del imn, no pudo emplearse ferrita en el primario del
transformador. El campo magntico constante generado por el imn habra
modificado el punto de operacin del material magntico y en este caso habra
saturado la ferrita. Adems del problema de la ferrita con el imn, en el
devanado secundario nunca habra podido emplearse ferrita, ya que se trata de
un material que no es biocompatible, y no puede implantarse en el interior del
cuerpo.
El devanado secundario fue construido devanando un cable de material
biocompatible (aleacin PtIr) en un carrete de plstico. Este carrete es el utilizado
habitualmente por la empresa Philips Hearing Implants en sus implantes de cclea
comerciales.
La potencia de salida es diferente a la del convertidor anterior porque este prototipo
fue diseado para un nuevo implante de cclea en el que se pretenda aumentar
considerablemente la autonoma mejorando no solo el rendimiento de la etapa de
potencia, sino tambin el consumo de la electrnica implantada. Ese esfuerzo se
tradujo en una reduccin del consumo para el nuevo implante desde 10mW del
implante comercial anterior hasta 5mW del nuevo diseo. Por razones de
funcionamiento del nuevo implante se redujo la tensin de funcionamiento (tensin
de salida del convertidor) de 10V del caso anterior a 5V en el nuevo diseo. Este
cambio en la tensin de salida resulta muy beneficioso para reducir el tiempo de
carga y descarga de las capacidades parsitas, segn todo lo planteado con
anterioridad en esta tesis.
En la figura 4-22 hay dos fotos del prototipo. En la primera de ellas el transformador
est desacoplado, de modo que se pueden observar perfectamente los devanados
primario y secundario y el imn que hay en el centro de cada uno. Tambin puede
observarse la posicin de la caja de titanio, debajo del devanado secundario. En la
foto de la derecha el transformador est colocado del modo en que va a funcionar
habitualmente.

Parte externa
Devanado
secundario (PtIr)
Devanado
primario (Cu)
Imn
Caja de
titanio
Parte interna
Parte externa
Devanado
secundario (PtIr)
Devanado
primario (Cu)
Imn
Caja de
titanio
Parte interna

encima del devanado primario
Etapa
inversora
Etapa
rectificadora
encima del devanado primario
Etapa
inversora
Etapa
rectificadora

Figura 4-22. Foto del prototipo aplicando todas las restricciones (tamao, imn, caja de titanio,
devanado secundario)
En cuanto al esquema elctrico del convertidor, es el mostrado en la figura 4-23.
BAT54
BAT54 1F
P
s
=5mW
R
carga
=4,7k
TN0200T/TS
68pF
330pF
2,5H 30H
V
gs
=2V
f=5MHz
BAT54
BAT54 1F
P
s
=5mW
R
carga
=4,7k
TN0200T/TS
68pF
330pF
2,5H 30H
V
gs
=2V
f=5MHz
BAT54
BAT54 1F
P
s
=5mW
R
carga
=4,7k
TN0200T/TS
68pF
330pF
2,5H 30H
V
gs
=2V
f=5MHz

Figura 4-23. Esquema del convertidor CC/CC con un nico interruptor y tanque resonante serie en el
secundario, considerando todas las restricciones
Los diodos BAT54 fueron impuestos por el fabricantes del implante. Estos diodos
tienen una capacidad parsita muy baja, pero aun as influa en el funcionamiento
del convertidor y modificaba la frecuencia en funcionamiento de forma que la
frecuencia de resonancia estara fijada por estas capacidades y no por la capacidad
exterior. Siguiendo los criterios de diseo derivados del anlisis del convertidor con
tanque serie y rectificador de media onda, el diseo del tanque resonante se hizo con
un factor de calidad muy alto para minimizar el efecto de estas capacidades. Por ello
la inductancia del devanado secundario es tan alta (30H).
En la Figura 4-24 se ha representado grficamente el acoplamiento entre los
devanados del transformador cuando se vara la separacin entre ellos. Puede
observarse que este valor es muy bajo cuando los devanados estn separados 9mm.
Para observar las formas de onda del convertidor funcionando, en la Figura 4-25 se
han recogido algunas de las ms significativas: tensin puerta-fuente, corriente de
entrada y tensin drenador-fuente. En este caso la frecuencia de conmutacin es
6MHz y la separacin entre los devanados 7mm.
58
39
28
21
0
10
20
30
40
50
60
70
0 1 3 5 7 9
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o
(
%
)
16
58
39
28
21
0
10
20
30
40
50
60
70
0 1 3 5 7 9
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o
(
%
)
16

Figura 4-24. Acoplamiento para el diseo
propuesto de transformador transcutneo
Tensin puerta-fuente 10V/div
Corriente de entrada 20mA/div
Tensin drenador-fuente 5V/div
Tensin puerta-fuente 10V/div
Corriente de entrada 20mA/div
Tensin drenador-fuente 5V/div
Figura 4-25. Formas de onda cuando la
separacin entre los devanados es de 7mm
En la tabla 4-5 se han representado las medidas recogidas de este prototipo.
Comparando los nmeros de esta tabla y los de la tabla 4-3, se puede observar que el
rendimiento se ha reducido drsticamente al aplicar todas las restricciones de
diseo:
8 La frecuencia de conmutacin es muchsimo ms alta que en el diseo sin
restricciones (6MHz frente a 600kHz).
8 El bajsimo consumo de la carga (5mW) hace que los nmeros de rendimiento
sean muy bajos, aunque las prdidas sean comparables a las obtenidas con los
anteriores prototipos.
8 El pequeo tamao del primario, el hecho de no poder extender el devanado a
lo largo del dimetro debido a la presencia del imn en el centro del mismo y la
carencia de ferrita han penalizado seriamente el coeficiente de acoplamiento del
transformador transcutneo.
8 La aleacin PtIr del cable del devanado secundario tiene una resistividad
mucho mayor que la del cobre (1,1 10
-7
frente a 1,76 10
-8
), lo que supone
prdidas adicionales.
8 El gran nmero de vueltas necesario para conseguir la inductancia del
secundario, el devanar todas las vueltas en un carrete aumentando el efecto
proximidad y la aleacin de alta resistividad penalizan el rendimiento del
convertidor.
8 En la caja de titanio se producen prdidas adicionales debido a corrientes
inducidas por el campo magntico creado por el transformador.

TABLA 4-5
RESULTADOS MEDIDOS EN EL PROTOTIPO DISEADO APLICANDO TODAS LAS RESTRICCIONES
Separacin
entre primario
y secundario
(mm)
Tensin
entrada
(V)
Potencia
entrada
(mW)
Tensin
salida (V)
Potencia
salida (mW)
Prdidas
(mW)
Rendimiento
(%)
1,5 1,51 9,5 4,92 4,8 4,7 50
3 2,05 113 4,94 4,9 5,3 48
5 2,82 11,9 4,96 4,9 7,0 41
7 3,73 15,8 4,99 4,9 10,8 31
9 4,87 24,1 4,97 4,9 19,2 20

4.5.4 Comparacin entre un implante de cclea comercial y el
diseo propuesto cumpliendo con todas las restricciones de diseo
Para extraer conclusiones acerca de las mejoras en el rendimiento del sistema gracias
a la utilizacin de la nueva topologa se ha realizado una comparacin entre los
datos de un implante de cclea comercial y los datos medidos en el nuevo
convertidor. La topologa de la fuente de alimentacin del implante comercial es un
convertidor clase E con doble sintona, facilitado por la empresa belga Philips Hearing
Implants. No se van a mostrar datos de la comparacin con una topologa de medio
puente, ya que el consumo de esta opcin era significativamente mayor y no haba
diseo comercial del convertidor en medio puente con tanque resonante serie en el
secundario.
En la tabla 4-6 se muestran los datos del implante comercial: potencia consumida por
el implante, prdidas en la fuente de alimentacin, consumo del procesador de voz y
autonoma del sistema para una cierta batera. En este caso el consumo del implante
es 10mW. Las prdidas debidas a la generacin de los pulsos de disparo en este caso
estn incluidas en las prdidas del procesador de voz, puesto que los pulsos eran
generados por uno de los procesadores de seal incluidos en l.
TABLA 4-6
DATOS DEL IMPLANTE DE CCLEA COMERCIAL PARA UNA POTENCIA DE 10mW
Separacin entre los devanados 4mm 6mm 8mm
Potencia efectiva del implante (mW) 10 10 10
Prdidas totales en la fuente de alimentacin (mW) 23 30 40
Rendimiento de la fuente de alimentacin (%) 30 25 20
Potencia total del implante (mW) 33 40 50
Consumo del procesador de voz (mW) 12 12 12
Consumo total del sistema (mW) 45 52 62
Energa proporcionada por la batera (mWh) 550 550 550
Autonoma (h) 12,2 10,6 8,9

Sin embargo, el diseo con la topologa propuesta fue realizado para un implante
mejorado cuyo consumo era solo 5mW. Como no se tienen datos de autonoma de
una implante de cclea comercial de esa potencia, ha tenido que hacerse una
suposicin para obtener datos comparables. Esta suposicin es que el rendimiento es
el mismo cuando la potencia de salida del convertidor es 10mW y 5mW.
La hiptesis de que el rendimiento se mantiene constante al reducir la potencia es
bastante optimista. Slo una parte de las prdidas de potencia es dependiente de la
potencia transferida y aumenta con ella. La otra parte son prdidas fijas
independientes de la potencia transferida. Por ello es difcil mantener el rendimiento
cuando se transmite menos potencia, porque las prdidas fijas cada vez tienen ms
peso en el consumo total, y especialmente con los niveles de potencia tan bajos que
se estn manejando.
En cualquier caso, y aunque la autonoma real del sistema comercial fuese menor
que la mostrada en la tabla 4-7, los datos obtenidos son muy tiles para obtener
interesantes conclusiones acerca de la viabilidad y utilidad del convertidor CC/CC
propuesto y sus ventajas.
Por tanto, la tabla 4-6 muestra los datos reales de un implante de cclea comercial y
la tabla 4-7 los resultados con la suposicin de que el rendimiento se mantiene
cuando la potencia de salida se reduce de 10mW a 5mW. Como puede observarse,
pese a que el consumo del implante se reduce a la mitad y la potencia total
demandada por la fuente de alimentacin es la mitad que en el implante comercial,
la autonoma no se multiplica por dos, debido al consumo aadido del procesador de
voz.
TABLA 4-7
DATOS DEL IMPLANTE DE CCLEA COMERCIAL PARA UNA POTENCIA DE 5mW, ASUMIENDO EL MISMO
RENDIMIENTO QUE EN EL CASO DE POTENCIA DE 10mW
Prdidas totales en la fuente de alimentacin (mW) 12 15 20
Rendimiento de la fuente de alimentacin (%)
Suposicin: igual rendimiento que para una potencia de 10mW
30 25 20
Autonoma (h) 19,2 17,2 14,9


TABLA 4-8
DATOS DEL IMPLANTE DE CCLEA UTILIZANDO LA TOPOLOGA PROPUESTA CON TANQUE RESONANTE
SERIE Y RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA PARA UNA POTENCIA DE 5mW
Prdidas totales en la fuente de alimentacin (mW) 6,3 8,9 14,8
Rendimiento de la fuente de alimentacin (%) 44 36 25
Autonoma (h) 23,6 21,2 17,3

Las prdidas, el rendimiento y la autonoma del sistema con la topologa propuesta
se muestran en la tabla 4-8. La autonoma que se consigue es mucho mayor que en el
sistema comercial porque las prdidas de la fuente de alimentacin transcutnea han
sido reducidas (desde 15mW hasta 8,9mW). Esta reduccin de las prdidas es
debida a la eleccin de la nueva topologa, que incluye menos componentes, y a la
mejora del transformador transcutneo respecto al transformador comercial. Tanto
el diseo del transformador con el de la topologa han sido hechos siguiendo las
reglas y anlisis ya explicados y que constituyen el eje principal de aportaciones
de esta tesis.
0 2 4 6 8 10
P
r
d
i
d
a
s

(
m
W
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Sistema original
P
implante
=10mW
Sistema propuesto
P
implante
=5mW
Sistema origi nal
P
implante
=5mW *
0 2 4 6 8 10
P
r
d
i
d
a
s

(
m
W
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Sistema original
P
implante
=10mW
Sistema propuesto
P
implante
=5mW
Sistema origi nal
P
implante
=5mW *

8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
0 2 4 6 8 10
A
u
t
o
n
o
m
a

(
h
)
Sistema original
P
implante
=10mW
Sistema original
P
implante
=5mW *
Sistema propuesto
P
implante
=5mW
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
0 2 4 6 8 10
A
u
t
o
n
o
m
a

(
h
)
Sistema original
P
implante
=10mW
Sistema original
P
implante
=5mW *
Sistema propuesto
P
implante
=5mW

Figura 4-26. Prdidas totales y rendimiento del implante de cclea. (*) Suposicin: el sistema comercial
mantiene el rendimiento cuando la potencia suministrada es 5mW en lugar de 10mW
Los resultados de las tablas anteriores estn representados grficamente en la figura
4-26. Como puede observarse fcilmente, las mejoras gracias a utilizar la topologa
propuesta son muy importantes. De hecho, para una separacin entre los devanados
de 6mm se consigue una mejora de la autonoma del 100% respecto al sistema
original: 21,2 horas de autonoma frente a 10,6 horas. Pero adems puede
comprobarse que la topologa propuesta consigue ms autonoma que la comercial
para una potencia de 5mW: 21,2 horas frente a 17,2 horas.
Por tanto puede concluirse que el nuevo diseo de topologa y transformador ha
proporcionado un importante aumento del rendimiento y la autonoma del sistema.
La topologa propuesta consigue mejores resultados en trminos de
rendimiento que otras topologas utilizadas. Sus principales ventajas son
reducido nmero de componentes y un nico interruptor con conmutacin a
tensin cero.
En un prototipo en el que no se han aplicado todas las restricciones de
biocompatibilidad y de tamao y se ha utilizado ferrita en el primario del
transformador, se han conseguido rendimientos del 70% en un amplio rango de
posibles separaciones entre los devanados primario y secundario. El rendimiento
es 44% en el peor caso, cuando la separacin entre los devanados es 10mm. Estos
valores son muy altos considerando los bajos niveles de potencia manejados y la
gran separacin entre los devanados.
Se ha establecido una comparacin entre un diseo comercial y un diseo con la
topologa propuesta cumpliendo con todas las restricciones de diseo (tamao,
biocompatibilidad, etc). Con la nueva topologa se reducen significativamente
las prdidas y se aumenta la autonoma del sistema. Para una separacin
intermedia entre los devanados del transformador de bajo acoplamiento (6mm),
se doblara la autonoma respecto al implante comercial original (de 10,8horas a
21,2 horas). Si la fuente de alimentacin mantuviese su rendimiento y se redujese
el consumo a 5mW, la mejora en autonoma con la topologa propuesta tambin
sera significativa (de 17,2horas a 21,2horas).
Las mejoras conseguidas gracias a la utilizacin de la topologa propuesta son
debidas a las caractersticas de la topologa en s (especialmente el reducido
nmero de componentes y la conmutacin a tensin cero) y las mejoras
conseguidas en el transformador transcutneo al aplicar las reglas de diseo
propuestas en este trabajo de investigacin.
4.6 Diseo de la fuente de alimentacin de un implante de cclea
empleando la topologa con nico interruptor y tanque resonante
paralelo
En este caso se trata de disear la fuente de alimentacin para un implante de cclea
comercializado por la empresa australiana Cochlear Ltd. Aunque hay muchas

similitudes con la fuente de alimentacin anterior en cuanto a requisitos como
biocompatibilidad, pequeo tamao, bajo consumo, etc., hay otras particularidades
propias del fabricante que se comentarn a continuacin.
Unas importantes consideraciones para el diseo son:
Se quiere conseguir aproximadamente la misma autonoma para todos los
pacientes, a pesar de las diferencias que pueda haber en el grosor de la piel de
cada uno, y que afectaran al acoplamiento del transformador. Por lo tanto,
potencia de entrada consumida debe ser insensible a las variaciones de
acoplamiento.
Se trata de mejorar el rendimiento de la fuente de alimentacin sin contacto y
poder aplicar las mejoras logradas incluso a los pacientes ya implantados. Por
tanto el nuevo diseo debe conservar el diseo de la parte del secundario del
anterior.
La frecuencia de funcionamiento est fijada en 5MHz, ya que la informacin se
transmite junto con la potencia.
El ciclo de trabajo est fijado al 50%. El control de la tensin de salida se
consigue variando la tensin de entrada mediante un pre-regulador. El
rendimiento de ste debe considerarse por tanto al calcular la autonoma del
circuito.
4.6.1 Descripcin de la fuente de alimentacin del implante de
cclea comercial
28mm
BABEL 22
Toroide 4:24
Cable 10cm
Imn
T. H. A.
Tuneable Hybrid Assembly
PARTE INTERNA
CIC24R
Imn
PARTE EXTERNA
Caja titanio
28mm
BABEL 22
Toroide 4:24
Cable 10cm
Imn
T. H. A.
Tuneable Hybrid Assembly
PARTE INTERNA
CIC24R
Imn
PARTE EXTERNA
Caja titanio

Figura 4-27. Fuente de alimentacin por acoplamiento inductivo para un implante de cclea
La topologa original del implante comercial que se trata de mejorar consiste en un
inversor en puente completo y un tanque resonante con doble sintona. El tanque del
primario tiene una configuracin serie y el de secundario paralelo. Por tanto, el
diseo del secundario es equivalente al estudiado en el captulo anterior, con tanque
resonante paralelo y rectificador de media onda con filtro por condensador.
En la figura 4-27 se puede observar un diagrama con el aspecto del implante y sus
distintos elementos. En la parte externa, junto al procesador de voz (BABEL22) estn
situados el inversor en puente completo y las bateras. El inversor est unido con el
devanado primario del transformador de bajo acoplamiento mediante un cable de
10cm de longitud. Este devanado primario est realizado con cable de cobre
devanado en un carrete de plstico. En el centro del carrete est situado uno de los
imanes.
En cuanto a la parte implantada dentro de la cabeza, el devanado secundario est
realizado en una aleacin de platino e iridio que es biocompatible (PtIr), recubierto
con silicona para protegerlo y con otro imn en su centro. Los extremos del
devanado estn soldados a dos terminales accesibles del resto del circuito, que est
encerrado en un contenedor biocompatible (caja de titanio). Estos terminales estn en
contacto directo con los fluidos y tejidos corporales. El fabricante del implante ha
comprobado que si la diferencia de tensin entre estos puntos es menor que 3V pico
a pico, el paciente no tiene ninguna sensacin al respecto. Sin embargo, si la tensin
supera este valor el paciente percibe una sensacin extraa que le resulta
desagradable.
El implante admite una tensin de alimentacin entre 6V y 11,2V. Por tanto la
tensin proporcionada por la fuente de alimentacin tiene que estar en ese rango.
Para asegurar que no se supera el valor mximo y se rompe el circuito hay un diodo
Zener situado en anti-paralelo con la carga, que acta como proteccin.
Como la tensin de salida es igual al valor de pico de la tensin en el condensador
resonante paralelo menos la tensin directa del diodo, la tensin en bornes del
devanado secundario (tambin en paralelo con el condensador) sera mayor que 3V
pico a pico. Para evitar este hecho y garantizar la comodidad del paciente, se ha
conseguido que la diferencia de tensin entre los terminales del devanado
secundario sea menor que ese valor. Para ello se ha situado un transformador
encargado de elevar la tensin entre el devanado secundario y el condensador
resonante paralelo. Este transformador est realizado con un pequeo ncleo
toroidal de ferrita, capaz de trabajar a los 5MHz de frecuencia de conmutacin, y su
relacin de vueltas es 4:24.
El circuito de carga de la fuente de alimentacin es el encargado de recibir la
informacin y generar los estmulos necesarios para el nervio auditivo (CIC24R en la
figura 4-27).
Este diseo comercial de la fuente de alimentacin presenta dos problemas
fundamentales:

8 Como la topologa est doblemente sintonizada, el valor de la tensin de salida
vara en todo el rango permitido (entre 6 y 11,2V) en funcin del coeficiente de
acoplamiento del transformador. Cuando la tensin de salida supera los 11,2V,
que es el mximo permitido, el diodo Zener de proteccin conduce, las prdidas
de potencia son grandes y la autonoma se penaliza.
8 Para generar los pulsos de disparo del inversor en puente completo se consume
mucha potencia. De hecho, el 57% de las prdidas totales de la fuente de
alimentacin se encuentran en el inversor y su circuito de accionamiento, como
se comprueba en el grfico de la figura 4-29. En la tabla 4-9 se han desglosado
todas las potencias medidas sobre el circuito. El consumo total de la fuente de
alimentacin es de 53,5mW. Sin embargo, la potencia de entrada a los tanques
resonantes es 30mW en una situacin en la que el diodo Zener no est
conduciendo. Por tanto, en el puente completo se est consumiendo 23,5mW. Se
comprob que no haba conduccin cruzada entre los interruptores y
prcticamente todas las prdidas es producan en el circuito de generacin de los
pulsos.
Transformador
toroidal
Transformador de
bajo acoplamiento
Modelo del cable
R
c2
C
2
C
1
R
c1
R
c3
C
3
R
carga
D
1
Tensin
salida
inversor
T
1
T
2
Transformador
toroidal
Transformador de
bajo acoplamiento
Modelo del cable
R
c2
C
2
C
1
R
c1
R
c3
C
3
R
carga
D
1
Tensin
salida
inversor
T
1
T
2

Figura 4-28. Esquema elctrico del convertidor comercial empleado para el implante de cclea
Empleando el esquema elctrico de la figura 4-28 se realiz una simulacin mediante
el simulador elctrico PSpice. El transformador de bajo acoplamiento es el llamado
T
1
, y el transformador toroidal el T
2
. No se ha representado el inversor en puente
completo, sino que la tensin de salida del inversor se ha simulado con una fuente de
tensin.
Las formas de onda obtenidas por simulacin se compararon con las medidas
experimentalmente sobre el circuito real, y son muy parecidas (figura 4-30). Para
conseguir estos resultados se realiz un gran esfuerzo en obtener modelos
suficientemente precisos de todos los elementos de la fuente de alimentacin. El
modelo del cable de 10cm fue obtenido a partir de las medidas. Sin embargo, los
modelos de los transformadores T
1
y T
2
han sido obtenidos mediante el programa de
modelado de componentes magnticos de alta frecuencia PEmag. El modelo
empleado para el transformador de bajo acoplamiento T
1
es equivalente al descrito
en el captulo 2 de esta tesis.
23,5mW
57%
17,7mW
43%
Accionadores
interruptores
Prdidas
CC/CC
Total prdidas de
potencia = 41,2mW
23,5mW
57%
17,7mW
43%
Accionadores
interruptores
Prdidas
CC/CC
Total prdidas de
potencia = 41,2mW

Figura 4-29. Desglose de las prdidas
totales medidas en la fuente de
alimentacin del implante de cclea
TABLA 4-9
DATOS MEDIDOS SOBRE EL IMPLANTE DE CCLEA
COMERCIAL
Medidas de potencia
Consumo total del sistema (mW) 53,5
Potencia de entrada al convertidor CC/CC (mW) 30
Consumo de la carga (mW) 12,3
Prdidas de potencia
Prdidas convertidor CC/CC (mW) 17,7
Consumo accionadores MOSFETs (mW) 23,5
Rendimiento
Rendimiento sin considerar etapa inversora (%) 41
Rendimiento convertidor CC/CC completo (%) 23

30mA
57mA
2.24V
8.94V
Tensin de salida
Corriente primario T1
Tensin primario T1
Corriente secundario T1
30mA
57mA
2.24V
8.94V
Tensin de salida
Tensin primario T1
Corriente secundario T1
2.24V
53.7mA
30.5mA
Tensin de salida
Corriente secundario T1 8.68V
Tensin primario T1
2.24V
53.7mA
30.5mA
Tensin de salida
Corriente secundario T1 8.68V
Tensin primario T1

Figura 4-30. Medidas experimentales y de simulacin de la fuente de alimentacin comercial del
implante de cclea
Precisamente debido al nmero de elementos que han sido modelados sin una
descripcin exacta de los mismos, las prdidas obtenidas mediante medidas y las
obtenidas mediante simulacin muestran una discrepancia en torno al 20%. Sin
embargo, los resultados de simulacin se dan por vlidos y se emplearn para
analizar en qu punto del circuito se producen las mayores prdidas.
Empleando los resultados de simulacin se desglosaron detalladamente las prdidas
en el circuito y en el transformador de bajo acoplamiento, que se han representado
mediante los diagramas de sectores de la figura 4-31. Puede observarse que la mayor
parte de las prdidas se producen en el transformador T1, y ms concretamente en

su devanado secundario. Precisamente por ese punto circula la corriente con el
mayor valor eficaz de todo el circuito.
A) DESGLOSE DE PRDIDAS EN EL
CONVERTIDOR CC/CC
B) DESGLOSE DE PRDIDAS EN EL
TRANSFORMADOR DE BAJO ACOPLAMIENTO
1,1mW
0,2mW
1mW
6,1mW
4,0mW
Cable
C2
D1
T1
T2
1,1mW
0,2mW
1mW
6,1mW
4,0mW
Cable
C2
D1
T1
T2

2,35mW
39%
3,75mW
61%
Primario T1
Secundario T1
2,35mW
39%
3,75mW
61%
Primario T1
Secundario T1

Figura 4-31. Prdidas obtenidas mediante simulacin de la fuente de alimentacin comercial del
implante de cclea
Caracterizacin de la carga: circuito de estimulacin de la cclea CI24R
El implante para el que se va a desarrollar la fuente de alimentacin tiene un
comportamiento equivalente al de una resistencia de 5k en paralelo con una fuente
de corriente I
dd
, siendo por tanto su circuito equivalente el representado en la figura
4-32. El valor de la fuente de corriente depende de la accin que est desarrollando el
circuito:
Cuando no se est estimulando el rgano auditivo, la fuente de corriente tiene
un valor nulo I
dd
=0mA.
Cuando es est produciendo estimulacin de l cclea, I
dd
=1mA.
En la figura 4-33 puede observarse la curva tensin-corriente caracterstica de la
carga para los dos casos mencionados.
El circuito es capaz de funcionar con un rango variable de tensin de alimentacin,
desde 6V hasta 11,2V. Con tensiones menores que el valor mnimo, el implante no
funcionara adecuadamente. La tensin mxima est limitada por un diodo Zener de
proteccin situado en paralelo con la carga. Por tanto es recomendable no superar la
tensin mxima para que el diodo Zener no conduzca y no se incrementen las
prdidas en el circuito. Estos lmites de funcionamiento tambin estn indicados en
la figura 4-33.
5k
I
dd
R
carga
5k
I
dd
R
carga

Figura 4-32. Circuito equivalente de la
carga
0
2
4
6
8
10
12
14
0 1 2 3 4
Corriente por la carga (mA)
T
e
n
s
i
n
e
n

l
a

c
a
r
g
a
(
V
)
V
max
= 11,2V
V
min
= 6V
Sin
estimulacin
Con
estimulacin
I
dd
= 1mA I
dd
= 0
0
2
4
6
8
10
12
14
0 1 2 3 4
Corriente por la carga (mA)
T
e
n
s
i
n
e
n

l
a

c
a
r
g
a
(
V
)
V
max
= 11,2V
V
min
= 6V
Sin
estimulacin
Con
estimulacin
I
dd
= 1mA I
dd
= 0

Figura 4-33. Curva tensin-corriente caracterstica de la
carga
Efecto de la caja de titanio
En este caso, la caja de titanio se encuentra situada en el lateral del transformador de
bajo acoplamiento, de modo que la cantidad de flujo que recibe es mucho menor que
si estuviera situada justo debajo. La posicin relativa de la caja de titanio y el
secundario del transformador se puede apreciar perfectamente en la figura 4-34.
A) IMPLANTE CON LA CAJA DE
TITANIO CERRADA

B) IMPLANTE CON LA CAJA DE
TITANIO ABIERTA

Figura 4-34. Dos fotografas de la parte implantada dentro del cuerpo
Para validar los resultados ya comentados en el captulo 2 de esta tesis, se realizaron
ciertas medidas para comprobar el efecto de la caja de titanio en el rendimiento del
convertidor. En efecto debido a la posicin lateral, el efecto sobre la inductancia y la
resistencia es mnimo, como se puede observar en los resultados recogidos en la tabla
4-10.
TABLA 4-10
MEDIDAS DE PEQUEA SEAL A 5MHZ SOBRE EL TRANSFORMADOR DE BAJO ACOPLAMIENTO SIN Y CON
CAJA DE TITANIO EN EL LATERAL
R R con titanio L L con titanio
Ensayo de circuito abierto desde el secundario 288m 289m 267nH 264nH
Ensayo de cortocircuito desde el secundario 286 m 296m 253nH 251nH

Adems, en este diseo particular de la fuente de alimentacin para el implante
comercial, hay otro componente magntico, el transformador toroidal T
2
que tambin

puede verse influido por la presencia de la caja de titanio. En la figura 4-34 hay una
fotografa del implante abierto. El transformador toroidal se encuentra situado en la
esquina superior izquierda de la caja de titanio.
Lgicamente la influencia del titanio no puede ser demasiado grande, puesto que
por tratarse de un componente magntico con ncleo, el flujo magntico se encuentra
bastante confinado. Para confirmar esta suposicin de nuevo se realizaron medidas
sobre el transformador (tabla 4-11): la caja de titanio produce unas pequeas
prdidas aadidas en el transformador, pero que no suponen variaciones de
resistencia mayores del 5%.
TABLA 4-11
MEDIDAS DE PEQUEA SEAL A 5MHZ SOBRE EL TRANSFORMADOR TOROIDAL DENTRO Y FUERA DE LA
CAJA DE TITANIO
R R con titanio L L con titanio
Ensayo de circuito abierto desde el primario 196m 197m 441nH 264nH
Ensayo de cortocircuito desde el primario 16,4m 16,6m 253nH 251nH
Ensayo de circuito abierto desde el secundario 5,61 5,82 15,8H 15,87H
Ensayo de cortocircuito desde el secundario 1,66 1,76 520nH 515nH

Consideraciones acerca de la fuente de alimentacin
Al hablar de la problemtica de la transferencia de energa sin contacto, y en
particular de los implantes de cclea, se mencion la dificultad de comercializar un
nuevo diseo debido al gran nmero de controles que deban superarse, por tratarse
de una aplicacin biomdica. Por esa razn, en este caso se plantea realizar un
nuevo diseo de la fuente de alimentacin, pero sin modificar la parte ya
implantada (devanado secundario del transformador de bajo acoplamiento,
transformador toroidal, condensador del tanque resonante, etapa rectificadora y
condensador de salida). Por lo tanto slo se pueden modificar la etapa inversora y el
diseo del devanado primario del transformador de bajo acoplamiento.
4.6.2 Prototipo IV: primer diseo propuesto para la fuente de
alimentacin
Una vez conocida en detalle la fuente de alimentacin comercial, el objetivo es
realizar un nuevo diseo manteniendo el mismo secundario y mejorando lo ms
posible el rendimiento.
V
cc
variable
1uF
55pF
BSS138
5MHz
2V
6H
2.6
4:24
168pF
D1N4148
1uF
R
carga
variable
V
cc
variable
1uF
55pF
BSS138
5MHz
2V
6H
2.6
4:24
168pF
D1N4148
1uF
R
carga
variable

Figura 4-35. Nueva topologa empleada para el convertidor CC/CC del implante de cclea
TABLA 4-12
DATOS DEL PROTOTIPO INICIAL DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN PARA EL IMPLANTE DE CCLEA CON
TANQUE RESONANTE PARALELO
A) PARTE INTERNA DE LA FUENTE DE
ALIMENTACIN
B) PARTE EXTERNA DE LA FUENTE DE
ALIMENTACIN

MOSFET: BSS138
Capacidad en paralelo con el interruptor:
55pF
Devanado primario: 6H
Diodo rectificador: 1N4148
Capacidad tanque resonante: 168pF (sintonizado a
5MHz)
Devanado primario: 254nH

9 vueltas
Cable de cobre con
dimetro 0,12mm
Dimetro exterior del
devanado: 35mm
Dimetro interior del
devanado: 31mm

2 vueltas
12 cables en paralelo de
PtIr con dimetro
0,1mm cada uno
devanado: 29,74mm
devanado: 26,2mm

Con el objetivo de minimizar las prdidas en el inversor, se ha optado por una
topologa con un nico interruptor y nica sintona, con tanque resonante paralelo
en secundario (figura 4-35).
En la tabla 4-12 se recogen datos y fotografas del prototipo construido, incluyendo
una descripcin del transformador transcutneo T
1
. En este caso, y por tratarse de un
primer prototipo, el primario ha sido realizado en forma de espiral mediante un

proceso de fabricacin manual. El conductor es un cable de cobre de seccin circular.
Debido a la dificultad del proceso manual no se ha conseguido extender el devanado
en una corona circular de mucha rea, sino que est bastante concentrado en el
exterior del devanado. Con este diseo se pretende comprobar la validez del diseo
propuesto y su adecuacin a la aplicacin. Una vez validado el diseo se pretende
fabricar el devanado sobre placa de circuito impreso.
Para controlar la tensin de salida se emplea un pre-regulador comercial
1
. El pre-
regulador seleccionado es el convertidor elevador MAX606 debido a su pequeo
tamao y alto rendimiento. Al tratarse de un convertidor elevador, la tensin de
entrada al circuito estar acotada entre la tensin proporcionada por la batera y la
mxima tensin elevada que pueda proporcionar el MAX606. Este rango vara entre
3,85V y 12,5V.
En la figura 4-36 se han representado la tensin de entrada y la tensin de salida
medidas. Todos los valores se representarn de ahora en adelante para dos posibles
situaciones:
Cuando el implante est estimulando, de modo que la fuente de corriente I
dd

representada en la figura 4-32 es igual a 1mA.
Cuando el implante no est estimulando el rgano auditivo (I
dd
=0), de modo que
la carga equivalente slo es una carga de 5k.
A) TENSIN DE ENTRADA
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 2 4 6 8 10 12 14
Separacin devanados(mm)
T
e
n
s
i
n
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
V
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
V
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA

B) TENSIN DE SALIDA
T
e
n
s
i
n
d
e

s
a
l
i
d
a
(
V
)
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14
Vmax
Vmin
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
T
e
n
s
i
n
d
e

s
a
l
i
d
a
(
V
)
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14
Vmax
Vmin
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA

Figura 4-36. Tensin de entrada y de salida para el diseo propuesto
Como puede comprobarse ambas tensiones varan en el rango apropiado, de modo
que la tensin de salida nunca supera los 11,2V (el diodo Zener no conduce) y el pre-

1
El rendimiento de este pre-regulador se considerar al estimar la autonoma total del sistema.
Sin embargo, cuando se est hablando de rendimiento, en general ser el de la fuente de
alimentacin transcutnea sin incluir el pre-regulador. Cuando en los nmeros de rendimiento
se incluya el pre-regulador, se mencionar explcitamente.
regulador elegido siempre puede proporcionar la tensin de entrada necesaria (entre
3,85V y 8V).
En cuanto al rendimiento de la fuente de alimentacin transcutnea, la curva es
bastante plana, es decir, el rendimiento es bastante insensible a las variaciones de la
separacin entre los devanados (figura 4-37). En esta medida de rendimiento no se
han incluido las prdidas del circuito de disparo del MOSFET ni el pre-regulador.
Esta insensibilidad es muy favorable porque uno de los requisitos era conseguir una
autonoma del implante similar para todos los pacientes, sin tener en cuenta el grosor
de la piel de cada uno.
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA

Figura 4-37. Rendimiento para el diseo propuesto
Sin embargo, el parmetro que de verdad resulta interesante observar en relacin
con la autonoma, no es el rendimiento, sino la potencia de entrada al implante
(figura 4-38). Esto es debido a que se est permitiendo una tensin de salida variable,
y por tanto en cada situacin el circuito est consumiendo una potencia diferente,
como puede observarse en la figura 4-36.b. Como para las separaciones pequeas la
tensin de salida es mayor y la carga tiene un comportamiento resistivo, se est
consumiendo una potencia alta, que en la figura 4-38 ha sido enmarcada en un
recuadro. Este consumo de potencia resulta excesivo, puesto que como ya se ha ido
insistiendo durante este captulo, el funcionamiento del implante tambin se
garantizara con un consumo mucho menor.
A la vista del grfico de la potencia de entrada puede deducirse que la autonoma no
va a ser uniforme para todos los pacientes, como era de desear, sino que los pacientes
que consigan una separacin menor entre los devanados van a tener menor
autonoma. Esto es un contrasentido, ya que precisamente esos pacientes consiguen
mejor acoplamiento entre los devanados del transformador, y sera ms fcil
conseguir mayor autonoma para ellos.

A) POTENCIA DE ENTRADA
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
B) POTENCIA DE SALIDA
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

s
a
l
d
i
a
(
m
W
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

s
a
l
d
i
a
(
m
W
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Figura 4-38. Potencia de entrada y de salida para el diseo propuesto
Los puntos de accin que se van a estudiar a continuacin se han resumido de forma
grfica en la figura 4-39: el objetivo es modificar el diseo para aumentar la vida de
las bateras, y para ello haya que minimizar la potencia consumida, lo que supone
minimizar en todos los casos la potencia de salida. Por tanto, no se debe
proporcionar a la carga una tensin mayor de la estrictamente necesaria, y con esto
se conseguir un importante incremento de la autonoma. Para minimizar la tensin
de entrada se pueden:
1. Conseguir una tensin de entrada ms baja que la de las bateras, es decir,
emplear un pre-regulador reductor-elevador.
2. Cambiar la ganancia del diseo. Como el secundario debe permanecer fijo e
igual a diseo ya implantado, el nico punto a modificar es la inductancia del
devanado primario del transformador de bajo acoplamiento. En el captulo 3 ya
se comprob que con esta inductancia se modificaba la ganancia del circuito.
3. La variacin del ciclo de trabajo a priori no permite controlar la tensin de
salida, puesto que la modificacin del primer armnico de tensin no es
demasiado drstica y el ciclo de trabajo siempre tiene que ser menor o igual a 0,5
para garantizar el ZVS y minimizar las prdidas de conmutacin. Sin embargo,
este tema tambin se estudiar.
4. Una forma evidente de conseguir una autonoma uniforme para todos los
pacientes sera aadir separacin entre los devanados a aquellos pacientes que,
debido al escaso grosor de su piel o la posicin de su implante, tienen los
devanados separados por una distancia pequea.
Minimizar la
potencia de
entrada
Minimizar la
potencia de
salida
Maximizar el
rendimiento
Minimizar la
tensin de salida
c Tensin de entrada ms baja
d Mayor inductancia del devanado
primario
e Variacin del ciclo de trabajo
f Aadir una separacin adicional entre
los devanados a los pacientes con
piel fina
Diseo apropiado del transformador
AUMENTAR LA
VIDA DE LA
BATERA
Diseo del primario
del transformador de
bajo acoplamiento:
12H sobre PCB
Minimizar la
potencia de
entrada
Minimizar la
potencia de
salida
Maximizar el
rendimiento
Minimizar la
tensin de salida
c Tensin de entrada ms baja
d Mayor inductancia del devanado
primario
e Variacin del ciclo de trabajo
f Aadir una separacin adicional entre
los devanados a los pacientes con
piel fina
Diseo apropiado del transformador
AUMENTAR LA
VIDA DE LA
BATERA
Diseo del primario
del transformador de
bajo acoplamiento:
12H sobre PCB

Figura 4-39. Puntos de accin para conseguir aumentar la autonoma del sistema para el diseo
propuesto
Todos estos puntos se estudian a continuacin en detalle, aportando medidas
realizadas sobre el prototipo construido:
1. Reduccin de la tensin de entrada.
Para conseguir que la tensin de salida del circuito sea igual a 6V en todos los
casos, es necesario conseguir una tensin de entrada a la fuente de alimentacin
ms baja que la tensin media proporcionada por la batera (3,85V). Esto implica
que el pre-regulador debe ser un convertidor con capacidad reductora-elevadora
de la tensin.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
V
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
V
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA

Figura 4-40. Tensin de entrada necesaria para fijar la tensin de salida en 6V

En la figura 4-40 se han indicado los valores de tensin de entrada necesarios
para que la tensin de salida sea 6V, obtenidos experimentalmente. En un
recuadro rojo se indican los valores para los que el pre-regulador debera

funcionar en modo reductor (separacin entre 1mm y 5mm). El resto implica un
funcionamiento elevador y son valores iguales a los de la figura 4-36.a.
El pre-regulador que se haba seleccionado inicialmente era el MAX606, con
caracterstica nicamente elevadora. El nuevo pre-regulador reductor-elevador
puede ser el MAX1729, que tambin se ajusta en valores de tensin de entrada y
a los nuevos requisitos de tensin de salida. En la tabla 4-13 se recogen datos de
las hojas de caractersticas de ambos componentes. El rendimiento del MAX1729
es notablemente inferior al del MAX606.
TABLA 4-13
COMPARACIN DE CIRCUITOS PRE-REGULADORES COMERCIALES
A) PRE-REGULADOR ELEVADOR B) PRE-REGULADOR REDUCTOR-ELEVADOR

Tensin de entrada:
entre 3,3V y 5,5V
Tensin de salida:
entre la tensin de
entrada y 12.5V
Rendimiento 80%

Tensin de entrada:
entre 2,5V y 5,5V
Tensin de salida: entre
2,5Vy 16V
Rendimiento 55%

El rendimiento total del sistema se ha calculado suponiendo un rendimiento
terico constante del circuito pre-regulador. El valor empleado en cada caso es el
detallado en la tabla 4-13, es decir, 80% para el elevador y 55% para el reductor-
elevador.

entacin lim a fuente regulador pre sistema
=

( 4-2)
Como puede observarse en la figura 4-41, el rendimiento total es mayor
empleando el pre-regulador elevador. Esto es debido a que la topologa
reductora-elevadora tiene un rendimiento muy inferior a la elevadora en todo el
margen de trabajo.
A) RENDIMIENTO SIN ESTIMULACIN I
dd
=0
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 2 4 6 8 10 12 14
Elevador
Reductor-elevador
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 2 4 6 8 10 12 14
Elevador
Reductor-elevador
Elevador
Reductor-elevador
B) RENDIMIENTO CON ESTIMULACIN I
dd
=1mA
Step-up
Step-up/Step-down
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
Elevador
Reductor-elevador
Step-up
Step-up/Step-down
Step-up
Step-up/Step-down
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
Elevador
Reductor-elevador
Elevador
Reductor-elevador

Figura 4-41. Rendimiento total del sistema para un pre-regulador elevador y otro reductor-elevador
Al observar la potencia de entrada consumida por todo el sistema (figura 4-42) se
comprueba que para las menores separaciones se proporciona mucha menor
potencia de entrada con el reductor-elevador, gracias a la reduccin de la
potencia de salida. Para las mayores separaciones entre los devanados, la
autonoma es menor con la topologa reductora-elevadora.
A) POTENCIA DE ENTRADA SIN
ESTIMULACIN I
dd
=0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
Elevador
Reductor-elevador
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
Elevador
Reductor-elevador
Elevador
Reductor-elevador
B) POTENCIA DE ENTRADA CON
ESTIMULACIN I
dd
=1mA
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
Elevador
Reductor-elevador
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
Elevador
Reductor-elevador
Elevador
Reductor-elevador
Figura 4-42. Potencia de entrada al sistema para un pre-regulador elevador y otro reductor-elevador
Sin embargo, empleando el pre-regulador reductor-elevador se consigue una
curva de potencia de entrada muy plana, de modo que la autonoma del sistema
sera muy similar para todos los pacientes.
2. Diseo de la inductancia de primario del transformador de bajo acoplamiento.
Al estudiar las topologas ya se comprob que el diseo de la inductancia de
primario resulta clave para establecer la ganancia del tanque resonante. Por lo
tanto, actuando sobre este punto es posible que se pueda reducir la tensin de
salida para los casos con menor separacin entre los devanados. Sin embargo, al
reducir la ganancia hay que garantizar que el pre-regulador pueda proporcionar
una tensin lo suficientemente alta para mantener la tensin de salida fija en 6V
en los casos con mayor separacin entre los devanados.

Para estudiar experimentalmente el efecto del diseo de la inductancia, se han
construido tres devanados primarios diferentes. Todos ellos se han fabricado
manualmente, con el mismo cable de cobre de seccin circular y con las mismas
dimensiones interior y exterior. As se garantiza que el acoplamiento de los tres
transformadores es el mismo, puesto que en el captulo 2 ya se demostr que
cuando no se empleaba ncleo magntico, el coeficiente de acoplamiento slo
dependa de las dimensiones de los devanados, y no del nmero de vueltas o de
la inductancia. En la tabla 4-14 estn las descripciones de los tres devanados
fabricados.
TABLA 4-14
RESUMEN DE DISEOS CONSIDERADOS PARA EL DEVANADO PRIMARIO DEL TRANSFORMADOR DE BAJO
ACOPLAMIENTO
DISEO 1 DISEO 2 DISEO 3
Inductancia 6H
9 vueltas
Cable de cobre con dimetro
0,12mm
devanado: 35mm
devanado: 31mm
Inductancia 9H
10 vueltas
0,12mm
devanado: 35mm
devanado: 31mm
Inductancia 12H
12 vueltas
0,12mm
devanado: 35mm
devanado: 31mm

A) TENSIN DE SALIDA SIN ESTIMULACIN
I
dd
=0
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
d
e

s
a
l
i
d
a
(
V
)
L=6uH
L=9uH
L=12uH
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
d
e

s
a
l
i
d
a
(
V
)
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH

B) TENSIN DE SALIDA CON ESTIMULACIN
I
dd
=1mA
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
d
e

s
a
l
i
d
a
(
V
)
L=6uH
L=9uH
L=12uH
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
d
e

s
a
l
i
d
a
(
V
)
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH

Figura 4-43. Tensin de salida para diferentes inductancias del devanado primario del transformador de
bajo acoplamiento
Como se esperaba, cuanto mayor es la inductancia de primario menor es la
ganancia de tensin. En este caso, con una inductancia de primario de 12H la
tensin de salida es casi 6V para todas las separaciones consideradas, tanto con
estimulacin como sin ella (figura 4-43), por lo que se consigue el efecto buscado.
El rango de variacin de la tensin de entrada es mayor para la mayor
inductancia de primario considerada, por tratarse del caso de menor ganancia
(figura 4-44). Pero el pre-regulador elevador MAX606 sera vlido para todas las
inductancias consideradas, puesto que la tensin de entrada se mantiene en
todos los casos dentro del rango apropiado (mayor de 3,85V y menor de 12,5V).
A) SIN ESTIMULACIN I
dd
=0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
V
)
L=6uH
L=9uH
L=12uH
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
V
)
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH

B) CON ESTIMULACIN I
dd
=1mA
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
V
)
L=6uH
L=9uH
L=12uH
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
V
)
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH

Figura 4-44. Tensin de entrada para diferentes inductancias del devanado primario del transformador
de bajo acoplamiento
Para la mayor inductancia de primario considerada (12H), la curva de la
potencia de entrada es muy plana (figura 4-45), lo que implica una autonoma
bastante insensible a la separacin entre los devanados, por lo que se cumple el
objetivo perseguido.
dd
=0
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH

dd
=1mA
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH

Figura 4-45. Potencia de entrada para diferentes inductancias del devanado primario del transformador
de bajo acoplamiento
El efecto de la inductancia de primario sobre el rendimiento es prcticamente
imperceptible y permanece casi invariante, como se observa en las grficas de la
figura 4-46.
Para todas las inductancias consideradas (incluso 12H, que sera el peor caso) y
a la frecuencia de conmutacin fijada (5MHz), se consigue conmutacin a tensin
cero, por lo que las prdidas no se ven penalizadas.

dd
=0
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
0
10
20
30
40
50
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
0
10
20
30
40
50
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH

dd
=1mA
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH

Figura 4-46. Rendimiento para diferentes inductancias del devanado primario del transformador de bajo
acoplamiento
Sin embargo, surge otro factor que hay que tener en cuenta a la hora de realizar
el diseo. Cuanto mayor es la inductancia, menor es la ganancia y mayor la
tensin de entrada. La tensin de pico que debe soportar el MOSFET est
directamente relacionada con la tensin de entrada. Despreciando las prdidas
resistivas producidas en el transformador de bajo acoplamiento, para un ciclo de
trabajo igual a 0,5 la mxima tensin en el interruptor V
M,max
se podra aproximar
por la expresin siguiente (figura 4-47):

cc max , M
V V = ( 4-3)
M
1
V
cc
L
1
0 =
med , T
V
cc med , M
V V = M
1
V
cc
L
1
0 =
med , T
V
cc med , M
V V =

V
cc
0 2
V
cc
V
cc
0 2
V
cc

Figura 4-47. Tensin drenador-fuente en el interruptor principal y anlisis de continua
Por tanto, cuanto mayor ser la inductancia, mayor ser la tensin que debe
soportar el interruptor (figura 4-48). Esto puede suponer tener que emplear un
interruptor de ms tensin y peores caractersticas (capacidades parsitas y
resistencia en conduccin), efecto que podra repercutir en la autonoma.
En este caso, el interruptor empleado es el mismo para todos los casos
estudiados, el BSS138. Este interruptor fue elegido debido a la combinacin de su
baja resistencia en conduccin (R
dson
=0,81) y sus pequeas capacidades
parsitas (C
oss
=15pF). La tensin mxima que puede soportar es de 50V, que en
este caso es ms que suficiente.
dd
=0
V
d
s
,
m
a
x
(
V
)
0
5
10
15
20
25
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
V
d
s
,
m
a
x
(
V
)
0
5
10
15
20
25
0 2 4 6 8 10 12 14
0
5
10
15
20
25
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH

dd
=1mA
V
d
s
,
m
a
x
(
V
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
V
d
s
,
m
a
x
(
V
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 2 4 6 8 10 12 14
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 2 4 6 8 10 12 14
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH

Figura 4-48. Mxima tensin en el interruptor para diferentes inductancias del devanado primario del
transformador de bajo acoplamiento
3. Variacin del ciclo de trabajo.
El condensador en paralelo con el interruptor se elige para que haya
conmutacin a tensin cero para la separacin intermedia (5mm). Al garantizar
que para esa separacin hay conmutacin a tensin cero, tambin la hay para las
separaciones mayores. Sin embargo, cuando la separacin es muy pequea
(menor que 5mm) s se producen prdidas de conmutacin. Por ello hay un
mximo en el rendimiento para separaciones entre 3 y 5mm.
En la figura 4-49 se han representado las formas de onda drenador-fuente
medidas para los dos casos descritos:
- Pequea separacin entre los devanados (1mm-3mm): no hay conmutacin
a tensin cero.
- Separacin entre los devanados mayor que cinco milmetros (5mm-12mm):
hay conmutacin a tensin cero.
En este caso se pretende variar el ciclo de trabajo cuando la separacin entre
los devanados es muy pequea con el objeto de reducir la tensin de salida y
reducir por tanto la potencia de salida. Al conseguir mantener la tensin de
salida fija en 6V independientemente de la separacin entre los devanados, la
potencia de salida disminuye y tambin lo hace la de entrada, por lo que la
autonoma del sistema va a estar muy beneficiada. Las medidas de potencia de
entrada y de salida para el convertidor cuya inductancia de primario es igual a
6H se muestran en la figura 4-50.

Rendimiento con L=6H y
ciclo de trabajo constante
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
n
d
i
m
e
i
n
t
o
(
%
)
SIN conmutacin a tensin cero
CON conmutacin a tensin cero
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Rendimiento con L=6H y
ciclo de trabajo constante
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
n
d
i
m
e
i
n
t
o
(
%
)
SIN conmutacin a tensin cero
CON conmutacin a tensin cero
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA

Figura 4-49. Detalles de la conmutacin para distintas separaciones entre los devanados
A) POTENCIA DE ENTRADA
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
d cte
d variable
P
o
t
e
n
c
i
a
e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
d cte
d variable
d cte
d variable
P
o
t
e
n
c
i
a
e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)

B) POTENCIA DE SALIDA
0
5
10
15
20
25
30
0 2 4 6 8 10 12 14
d cte
d variable
P
o
t
e
n
c
i
a
s
a
l
i
d
a
(
m
W
)
0
5
10
15
20
25
30
0 2 4 6 8 10 12 14
0
5
10
15
20
25
30
0 2 4 6 8 10 12 14
d cte
d variable
d cte
d variable
P
o
t
e
n
c
i
a
s
a
l
i
d
a
(
m
W
)

Figura 4-50. Potencia de entrada variando y si variar el ciclo de trabajo, cuando no hay estimulacin
(Idd=0)
0
1
2
3
4
5
6
0 2 4 6 8 10 12 14
d cte
d variable
T
e
n
s
i
n
e
n
t
r
a
d
a
(
V
)
0
1
2
3
4
5
6
0 2 4 6 8 10 12 14
0
1
2
3
4
5
6
0 2 4 6 8 10 12 14
d cte
d variable
d cte
d variable
T
e
n
s
i
n
e
n
t
r
a
d
a
(
V
)

B) RENDIMIENTO
0
10
20
30
40
50
0 2 4 6 8 10 12 14
d cte
d variable
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
0
10
20
30
40
50
0 2 4 6 8 10 12 14
0
10
20
30
40
50
0 2 4 6 8 10 12 14
d cte
d variable
d cte
d variable
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)

Figura 4-51. Tensin de entrada y rendimiento variando y si variar el ciclo de trabajo, cuando no hay
estimulacin (I
dd
=0)
Como se comprueba en la figura 4-51.a, la tensin de entrada permanece en su
valor mnimo cuando la separacin entre los devanados es menor que 7mm,
independientemente de que se vare el ciclo de trabajo o no. Sin embargo, el
rendimiento de la fuente de alimentacin disminuye (figura 4-51.b) debido a que
la variacin del ciclo de trabajo produce conmutacin brusca.
En la figura 4-52 se han recogido las formas de onda de la tensin drenador-
fuente para los tres casos en los que ha sido necesario modificar el ciclo de
trabajo (1mm, 3mm, 5mm). Se aprecia perfectamente la ausencia de conmutacin
a tensin cero y que la tensin de salida se mantiene fija en 6V.
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
C
i
c
l
o
d
e

t
r
a
b
a
j
o
(
%
)
Vs=6V
Separacin = 1mm
Vgs Vgs Vgs
Vds Vds Vds
Vs
d cte
d variable
Vs=6V
Separacin = 3mm
Vs=6V
Separacin = 5mm
Vs Vs
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
C
i
c
l
o
d
e

t
r
a
b
a
j
o
(
%
)
Vs=6V
Separacin = 1mm
Vgs Vgs Vgs
Vds Vds Vds
Vs
d cte
d variable
d cte
d variable
Vs=6V
Separacin = 3mm
Vs=6V
Separacin = 5mm
Vs Vs

Figura 4-52. Variacin del ciclo de trabajo para reducir la tensin de entrada cuando la inductancia del
primario es igual a 6H
4. Separacin adicional en los casos en los que la separacin es muy pequea
Por supuesto otro modo de conseguir una autonoma independiente de la
separacin entre los devanados es igual las condiciones fsicas de todos los
pacientes, en lugar de modificar el diseo de la fuente de alimentacin en s.
Como el consumo ms alto se produce en los casos en los que los devanados
estn ms prximos entre s, una solucin es emplear una pieza adicional en el
transformador para alejar los devanados. En la figura 4-53 se muestra el grosor
de la pieza adicional que sera necesario para unificar el consumo de todos los
pacientes.
De este modo se consigue el objetivo perseguido de igual el consumo para todos
los usuarios y no se ha modificado el diseo de la fuente de alimentacin, sino
que simplemente se ha aadido una pieza adicional.

0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
I
dd
=0 I
dd
=1mA
P
o
t
e
n
c
i
a
e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
0
2
4
6
8
10
12
14
0 2 4 6 8 10 12 14
S
e
p
a
r
a
c
i
n

n
e
c
e
s
a
r
i
a
(
m
m
)
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
I
dd
=0 I
dd
=1mA
P
o
t
e
n
c
i
a
e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
0
2
4
6
8
10
12
14
0 2 4 6 8 10 12 14
S
e
p
a
r
a
c
i
n

n
e
c
e
s
a
r
i
a
(
m
m
)
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH
L=6uH
L=9uH
L=12uH

Figura 4-53. Grosor de la pieza adicional necesaria para igual la separacin entre los devanados para
todos los pacientes
Conclusiones extradas del anlisis del prototipo
Despus de estudiar en detalle este prototipo, para el diseo final se eligi como
solucin la nmero dos, es decir, el diseo adecuado del devanado primario.
En la tabla 4-15 se han resumido todas las ventajas e inconvenientes conseguidas con
cada una de las soluciones estudiadas:
8 El pre-regulador reductor-elevador no resulta una buena solucin porque el
beneficio solo se consigue cuando la separacin entre los devanados es muy
pequea, penalizando la autonoma para los otros casos.
8 La variacin del ciclo de trabajo precisa una estrategia de control ms
complicada, y adems es muy dependiente de las capacidades parsitas del
interruptor.
8 El uso de una pieza adicional que colocar a los pacientes con separaciones
pequeas, presenta problemas de coste, realizacin y marketing. La fabricacin
de piezas especiales para cada paciente implica un coste aadido, sin contar con
que es prcticamente imposible medir cul es la distancia que va a separar los
devanados y por tanto no se puede dimensionar la pieza ms que a partir de
medidas experimentales. Desde el punto de vista del marketing, es difcilmente
justificable que el paciente tenga que llevar un aparato ms grueso y antiesttico
para mejorar su autonoma.
TABLA 4-15
RESUMEN DE VENTAJAS E INCONVENIENTES DE LOS MTODOS PROPUESTOS PARA UNIFORMIZAR LA VIDA
DE LA BATERA PARA TODOS LOS PACIENTES
MEDIDAS PROPUESTAS VENTAJAS DESVENTAJAS
Reduccin de la tensin de
entrada por debajo de la
proporcionada por la batera
Necesidad de un pre-
regulador reductor-elevador
Beneficios solo para
separaciones pequeas
Diseo de la inductancia de
primario
Alta tensin drenador-fuente
para inductancias altas
Variacin del ciclo de trabajo
Muy dependiente de los
parsitos
Control ms complicado:
variacin de la tensin de
entrada y del ciclo de trabajo
Separacin adicional en los casos
de pequea separacin
Potencia de entrada casi
constante para todos los
pacientes,
independientemente de la
separacin entre los
devanados
AUMENTO DE LA VIDA DE
LA BATERA
Se requiere una pieza
adicional para ciertos
pacientes

4.6.3 Diseo del transformador de bajo acoplamiento
Una vez determinada la inductancia de 12H como la ms adecuada para el diseo
final, se realiz un estudio para comprobar cul era la estrategia de devanado ms
acertada para minimizar prdidas y maximizar acoplamiento.
Aplicando las reglas de diseo de componentes magnticos para aplicaciones de
transferencia de energa sin contacto (captulo 2), el devanado se hizo del mayor
tamao posible. Su dimetro externo viene fijado por el fabricante, y en este caso es
de 35mm. El dimetro interno est limitado por la presencia del imn, y se fij en
22mm.
Sabiendo la corona que puede ocupar el devanado, para la tecnologa empleada se
poda conseguir la inductancia prevista en una sola capa, puesto que se poda dar el
nmero de vueltas necesarias. Sin embargo, tambin se estudi si en este caso poda
ser mejor emplear una placa de circuito impreso de dos caras.
Comparacin de estrategias de devanado para el devanado primario
Las tres estrategias de devanado que se han comparado empleando el modelado con
herramienta de elementos finitos son:

Todas las vueltas en una
sola capa.

Dos capas conectadas en
paralelo, con las espiras
enfrentadas entre s.

Dos capas conectadas en
paralelo, con las espiras
alternadas.

Los resultados obtenidos mediante simulacin se recogen en la figura 4-54. La
inductancia es muy similar para todos los casos. Sin embargo, la resistencia es un
poco menor cuando se emplean dos capas en paralelo, por lo que este es el diseo
que se va a elegir.
A) INDUCTANCIA
11,4
11,6
11,8
12,0
12,2
12,4
12,6
12,8
1M 10M
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
(
H
)
Frecuencia (Hz)
2 capas, alternadas
1 cara
2 capas, enfrentadas
11,4
11,6
11,8
12,0
12,2
12,4
12,6
12,8
1M 10M
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
(
H
)
Frecuencia (Hz)
2 capas, alternadas
1 cara
2 capas, alternadas
1 cara

B) RESISTENCIA
0
1
2
3
4
5
6
7
2 capas, alternadas
1 cara
1M 10M
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a
(
)
Frecuencia (Hz)
0
1
2
3
4
5
6
7
2 capas, alternadas
1 cara
2 capas, alternadas
1 cara
1M 10M
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a
(
)
Frecuencia (Hz)

Figura 4-54. Inductancia y resistencia obtenidas para diseos con una y dos capas
Entre los dos diseos con dos capas, es mejor escoger el que menores capacidades
parsitas tenga. La capacidad propia del devanado primario es muy importante
para conmutar a tensin cero. Hay que garantizar que es lo suficientemente pequea
para que pueda utilizarse un condensador externo en paralelo con el interruptor, de
modo que adems no se dependa de los valores de las capacidades parsitas.
Comparando el diseo de capas alternadas y el de capas enfrentadas, este ltimo es
el que tiene menor capacidad. Esto puede deducirse observando que en la grfica de
la inductancia la curva con mayor pendiente a alta frecuencia es la de espiras
alternadas (figura 4-54.a). En la figura 4-55 se han representado los dos diseos de
dos capas, y puede comprobarse que los efectos capacitivos son ligeramente menores
cuando las vueltas estn enfrentadas porque la distancia entre vueltas con diferente
tensin est maximizada.
Los valores de inductancia, resistencia y capacidad propias del devanado primario a
la frecuencia de 5MHz (la de conmutacin de la fuente de alimentacin) pueden
compararse en la tabla 4-16. Efectivamente, la capacidad propia es menor cuando las
vueltas estn enfrentadas y por tanto esta es la estrategia de devanado que se va a
emplear en el diseo final.
A) DISEO CON ESPIRAS ENFRENTADAS
1V 0V
1V 0V
1V 0V
1V 0V

B) DISEO CON ESPIRAS ALTERNADAS
1V 0V
1V 0V
1V 0V
1V 0V

Figura 4-55. Inductancia y resistencia obtenidas para diseos con una y dos capas
TABLA 4-16
RESULTADOS A 5MHZ DE LA SIMULACIN DEL DEVANADO PRIMARIO CON DISTINTAS ESTRATEGIAS DE
DEVANADO
Inductancia (H) Resistencia () Capacidad (pF)
Un devanado 11,8 4,12 1,66
Dos devanados,
vueltas enfrentadas
11,8 3,13 1,79
Dos devanados,
vueltas alternadas
11,8 3,12 1,94

Diseo final del devanado primario
Una vez analizadas las distintas estrategias de devanados, en la figura 4-56 se recoge
el diseo final del devanado primario: 17 vueltas en dos capas conectadas en paralelo
y con las espiras enfrentadas.
232m
150m
35m
PCB
Cu
17 turns
...
= 22mm
...
= 35mm
150m
600m
17 turns
232m
150m
35m
PCB
Cu
17 turns
...
= 22mm
...
= 35mm
150m
600m
17 turns

17 vueltas en cada capa
Las dos capas estn
conectadas en paralelo
22mm
3
4
.
7
m
m
3
5
m
m
Via 1
Via 2
17 vueltas en cada capa
Las dos capas estn
conectadas en paralelo
22mm
3
4
.
7
m
m
3
5
m
m
Via 1
Via 2

Figura 4-56. Dibujo acotado del diseo final del devanado primario

Para comprobar si el diseo final se ajustaba a las especificaciones, se compararon los
resultados de simulacin con algunas medidas realizadas al transformador real.
Existen algunas discrepancias entre los valores obtenidos por la simulacin de
elementos finitos y los medidos sobre el componente real (figura 4-57, figura 4-58 y
tabla 4-17). Estas diferencias son debidas a que las dimensiones del devanado real no
se ajustan exactamente a las del diseo que se simul: a partir del diseo simulado
se realiz la descripcin fsica que se proporcion al fabricante, pero al fabricarlo
hubo pequeas modificaciones (menor grosor de las pistas debido a la deposicin del
cobre).
A) INDUCTANCIA DEL PRIMARIO
0
2
4
6
8
10
12
14
1M 10M
Frecuencia (Hz)
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
(
H
)
11,5H
10,85H
Error 5,9%
Simulaciones
Medidas
0
2
4
6
8
10
12
14
1M 10M
Frecuencia (Hz)
I
n
d
u
c
t
a
n
c
i
a
(
H
)
11,5H
10,85H
Error 5,9%
Simulaciones
Medidas
Simulaciones
Medidas

B) RESISTENCIA DEL PRIMARIO
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a
(
)
4,6
Error 19%
3,7
Simulaciones
Medidas
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a
(
)
4,6
Error 19%
3,7
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1M 10M
Frecuencia (Hz)
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a
(
)
4,6
Error 19%
3,7
Simulaciones
Medidas
Simulaciones
Medidas

Figura 4-57. Inductancia y resistencia medidas y simuladas para el devanado primario
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
55
0 2 4 6 8 10 12 14
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o
(
%
)
50
Simulaciones
Medidas
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
55
0 2 4 6 8 10 12 14
A
c
o
p
l
a
m
i
e
n
t
o
(
%
)
50
Simulaciones
Medidas
Simulaciones
Medidas

Figura 4-58. Coeficiente de acoplamiento del
transformador obtenido mediante medidas y
simulacin con elementos finitos
TABLA 4-17
COEFICIENTE DE ACOPLAMIENTO MEDIDO Y
OBTENIDO MEDIANTE SIMULACIONES CON
PEMAG
Separacin
devanados (mm)
Simulacin Medidas
3 42% 34%
5 32% 26%
9 20% 16%
4.6.4 Prototipo V: diseo final
El diseo final de la fuente de alimentacin para el implante de cclea se hizo con los
componentes descritos en la tabla 4-18, donde adems se han incluido fotografas del
prototipo. El esquema elctrico est recogido en la figura 4-59.
TABLA 4-18
DATOS DEL PROTOTIPO FINAL DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN PARA EL IMPLANTE DE CCLEA CON
TANQUE RESONANTE PARALELO
A) PARTE INTERNA DE LA FUENTE DE
ALIMENTACIN
B) PARTE EXTERNA DE LA FUENTE DE
ALIMENTACIN

MOSFET: BSS138
Cds: 55pF
Devanado primario: 12H
Diodo rectificador: 1N4148
Capacidad tanque resonante: 168pF (sintonizado a
5MHz)
Devanado primario: 254nH

9 vueltas
Cable de cobre con
dimetro 0,12mm
devanado: 35mm
devanado: 22mm

2 vueltas
12 cables en paralelo de
PtIr con dimetro
0,1mm cada uno
devanado: 29,74mm
devanado: 26,2mm

1F
100nF
T1
T2
168pF
55pF
1F
D1N4148
puerta
fuente
BSS138
4:24
PCB
12F
5MHz
2V
V
cc
variable
R
carga
variable 1F
100nF
T1
T2
168pF
55pF
1F
D1N4148
puerta
fuente
BSS138
4:24
PCB
12F
5MHz
2V
V
cc
variable
R
carga
variable

Figura 4-59. Esquema elctrico del diseo final
Para comprobar el funcionamiento del prototipo, se realizaron diferentes medidas,
recogidas en las siguientes figuras. A partir de ellas se pueden extraer las siguientes
conclusiones:

La tensin de entrada al convertidor CC/CC vara entre 3,85V y 9,3V, de modo
que el pre-regulador elevador previsto MAX606 es adecuado (figura 4-60.a).
La tensin de salida permanece fija en su valor mnimo (6V) para todas las
separaciones entre los devanados (figura 4-60.b). De este modo se garantiza que
siempre se est proporcionando a la carga la potencia mnima para su
funcionamiento adecuado, lo que repercute en un incremento de la autonoma.
El diodo de proteccin Zener, situado en anti-paralelo con la carga, nunca llega a
conducir, puesto que la tensin de salida nunca supera los 11,2V. Esta es otra
razn para obtener mejor rendimiento de la fuente de alimentacin que con el
diseo original.
El condensador en paralelo con el interruptor fue elegido para que hubiese
conmutacin a tensin cero para separaciones entre los devanados mayores o
iguales a 5mm. Por ello para esta separacin hay un mximo en el rendimiento
medido sobre la fuente de alimentacin (figura 4-62.a).
La mayor tensin drenador-fuente se produce para la separacin entre los
devanados mxima, y es igual a 33V. Por tanto, el MOSFET BSS138 es
apropiado para la aplicacin.
Excepto para las separaciones entre los devanados extremas (1mm y 12mm), la
potencia de entrada es muy similar en todos los casos (figura 4-62.b). Esto
garantiza una autonoma del sistema muy similar para todos los pacientes que
usen el implante.
0
2
4
6
8
10
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
e
n
t
r
a
d
a
(
V
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
0
2
4
6
8
10
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
e
n
t
r
a
d
a
(
V
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA

B) TENSIN DE SALIDA
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
s
a
l
i
d
a
(
V
)
Vmax
Vmin
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14
T
e
n
s
i
n
s
a
l
i
d
a
(
V
)
Vmax
Vmin
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA

Figura 4-60. Tensin de entrada y tensin de salida medidas en el prototipo final
A) SEPARACIN ENTRE DEVANADOS 1MM
Tensin puerta-fuente
Tensin salida
V
p
=7,4V
V
s
=6V
Tensin salida
V
p
=7,4V
V
s
=6V

B) SEPARACIN ENTRE DEVANADOS 3MM
Tensin salida
V
p
=14,2V
V
s
=6V
Tensin salida
V
p
=14,2V
Tensin salida
V
p
=14,2V
V
s
=6V

C) SEPARACIN ENTRE DEVANADOS 5MM

Tensin salida
V
p
=14,3V
V
s
=6V
Tensin salida
V
p
=14,3V
V
s
=6V

D) SEPARACIN ENTRE DEVANADOS 7MM
Tensin salida
V
p
=18,2V
V
s
=6V
Tensin salida
V
p
=18,2V
V
s
=6V

E) SEPARACIN ENTRE DEVANADOS 9MM
Tensin salida
V
p
=23,8V
V
s
=6V
Tensin salida
V
p
=23,8V
Tensin salida
V
p
=23,8V
V
s
=6V

F) SEPARACIN ENTRE DEVANADOS 12MM
Tensin salida
V
p
=33V
V
s
=6V
Tensin salida
V
p
=33V
Tensin salida
V
p
=33V
V
s
=6V

Figura 4-61. Formas de onda medidas sobre el prototipo final para distintas separaciones entre los
devanados y considerando que el implante est siempre estimulando (condensador en paralelo con el
interruptor igual a 45pF)

A) RENDIMIENTO
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA

B) POTENCIA DE ENTRADA
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA

Figura 4-62. Rendimiento y potencia de entrada medidos en el prototipo final
Las formas de onda medidas con el osciloscopio sobre el prototipo para todas las
distancias entre los devanados consideradas, se han recogido en la figura 4-61. En
general se han medido la tensin de salida y la tensin drenador-fuente para
comprobar la conmutacin a tensin cero.
El sistema completo, considerando las tres pilas que constituyen la batera cuya
tensin media es igual a 3,85V, el pre-regulador elevador MAX606 y el circuito que
constituye la carga, se han representado en la figura 4-63.
No se han realizado medidas de rendimiento y potencia sobre el sistema completo
considerando el MAX606. La validacin total del sistema se ha realizado de forma
terica, suponiendo un rendimiento constante del pre-regulador igual al 80%.
V
e
1F
100nF
T
1
T
2
168pF
55pF
1F
D1N4148
puerta
fuente
BSS138
4:24
PCB
12F
CI24R
MAX606
3,85V
V
e
1F
100nF
T
1
T
2
168pF
55pF
1F
D1N4148
puerta
fuente
BSS138
4:24
PCB
12F
CI24R
MAX606
3,85V

Figura 4-63. Esquema elctrico de la fuente de alimentacin completa, incluyendo las bateras, el pre-
regulador y la carga
Considerando el pre-regulador, y aplicando la ecuacin ( 4-2) para calcular el
rendimiento, se han obtenido los resultados representados grficamente en la figura
4-64.
A) RENDIMIENTO
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 2 4 6 8 10 12 14
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o
(
%
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 2 4 6 8 10 12 14
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA

B) POTENCIA DE ENTRADA
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a
d
e

e
n
t
r
a
d
a
(
m
W
)
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA
Sin estimulacin I
dd
=0
Con estimulacin I
dd
=1mA

Figura 4-64. Rendimiento y potencia de entrada del sistema total, considerando el pre-regulador
MAX606 con un rendimiento constante del 80%
4.6.5 Comparacin entre un implante de cclea comercial y el
diseo propuesto
Para estudiar la mejora que puede suponer el nuevo diseo en la autonoma del
sistema, se han comparado todos los resultados comentados hasta ahora (prototipo
V) con los obtenidos midiendo la fuente de alimentacin del implante comercial.
Resultados con el circuito comercial
Las medidas se han realizado para una separacin entre los devanados igual a 3mm
y considerando que no existe estimulacin (I
dd
=0mA). Recordando algunas de sus
caractersticas:
El circuito es insensible a variaciones del acoplamiento debido a la doble
sintona, pero la tensin de salida no est controlada y vara en un amplio
margen, que puede ir de los 6V (tensin mnima para que el implante funcione) a
los 11,2V (tensin para que empiece a conducir el diodo Zener de proteccin y se
aumenten las prdidas).
Como la potencia de salida no est fijada a su valor mnimo, la potencia de
entrada no est optimizada, se entrega ms potencia de la mnima necesaria para
que el implante funcione, y la autonoma resulta penalizada.
En la figura 4-65 se ha representado un diagrama con el flujo de potencias, basado en
medidas sobre el circuito comercial. Para una separacin entre los devanados igual a
3mm, la tensin de salida medida es igual a 8,94V, por lo que el diodo Zener no est
conduciendo. En ese momento a la carga se le estn entregando 12,3mW. Como la
potencia de entrada al convertidor CC/CC es de 30mW, sus prdidas son de 17,7mW
y su rendimiento igual al 41%. A estos valores de potencia hay que aadirles los de la
etapa inversora, que en este caso particular se han considerado aparte del tanque
resonante. Al tratarse de un inversor en puente completo hay que generar los pulsos

de disparo del interruptor evitando la conduccin cruzada y proporcionando
aislamiento a los interruptores cuya fuente no est conectada a masa. La prdidas de
la etapa inversora son altas (23,5mW), lo que repercute en la potencia de entrada, que
es 53,5mW. Considerando esta potencia de entrada y la potencia proporcionada a la
carga, el rendimiento total es igual al 23%.
Driver
+MOSFETs
23,5mW
CC/CC
17,7mW
Carga
12,3mW
53,5mW
53,5mW
=41%
=23%
30mW
30mW
12,3mW
12,3mW
Vs=8,94V
El diodo Zener no conduce
Sin control de Vs
Driver
+MOSFETs
23,5mW
CC/CC
17,7mW
Carga
12,3mW
53,5mW
53,5mW
=41%
=23%
30mW
30mW
12,3mW
12,3mW
Vs=8,94V
El diodo Zener no conduce
Sin control de Vs

Figura 4-65. Esquema con las potencias medidas en la fuente de alimentacin comercial cuando la
separacin entre los devanados es 3mm
Cmo se comportara el sistema actual si la tensin de salida estuviera controlada a
su valor mnimo de 6V? No se han conseguido medidas del convertidor CC/CC
proporcionando esa tensin a la carga. Por tanto se va a obtener una estimacin
terica, como ya se realiz en apartados anteriores, para lo que es necesario hacer un
par de suposiciones:
El rendimiento del tanque resonante va a considerarse constante incluso aunque
se transmita menos potencia.
Las prdidas del inversor tambin se van a considerar constantes.
El esquema de potencia para este caso est representado en la figura 4-66. El
rendimiento total del sistema es menor que empleando la solucin propuesta, si se
compara ese valor con el extrado de la figura 4-64.a (18,6% frente a 30%).
CC/CC
11,5mW
Carga
8mW
43mW
43mW
=41%
=18,6%
19,5mW
19,5mW
8mW
8mW
Vs=6V
Driver
+MOSFETs
23,5mW
CC/CC
11,5mW
Carga
8mW
43mW
43mW
=41%
=18,6%
19,5mW
19,5mW
8mW
8mW
Vs=6V
Driver
+MOSFETs
23,5mW

Figura 4-66. Esquema de potencias en la fuente de alimentacin comercial cuando la separacin entre
los devanados es 3mm, suponiendo que la tensin de salida fuese 6V
Por ltimo, la situacin ms perjudicial para el circuito comercial se produce cuando
la tensin de salida supera los 11,2V, momento en el que el diodo Zener de
proteccin conduce y las prdidas se incrementan. Tampoco hay medidas para este
caso y de nuevo tendrn se ha realizado una estimacin terica, asumiendo los
siguientes puntos:
El rendimiento del tanque resonante es mayor (55%) porque se est
transmitiendo una potencia mayor.
Las prdidas en la etapa inversora se mantienen constantes.
Aunque seran importantsimas para el clculo del rendimiento, las prdidas en
el diodo Zener no se incluyen, debido a su difcil estimacin.
Como puede observarse en la Figura 4-67, cuando el diodo Zener conduce, la
potencia de entrada es muy alta y por tanto la autonoma ser muy penalizada.
Vs=11,2V
El diodo Zener conduce
CC/CC
20,5mW
Carga
25,1mW
69,1mW
69,1mW
=55%
=36%
45,6mW
45,6mW
25,1mW
25,1mW
Driver
+MOSFETs
23,5mW
Vs=11,2V
El diodo Zener conduce
CC/CC
20,5mW
Carga
25,1mW
69,1mW
69,1mW
=55%
=36%
45,6mW
45,6mW
25,1mW
25,1mW
Driver
+MOSFETs
23,5mW

Figura 4-67. Esquema de potencias en la fuente de alimentacin comercial cuando la separacin entre
los devanados es 3mm, suponiendo que la tensin de salida fuese 11,2V y el diodo Zener condujese
En la tabla 4-19 se han resumido un poco estos tres casos considerados de tensin de
salida igual a 8,94V, 6V y 11,2V. Se recuerda que el primero est basado en medidas
y los otros dos son estimaciones tericas, lo que se indica con un asterisco. Los
resultados recogidos en esta tabla servirn para establecer la comparativa con el
diseo propuesto, y comprobar que en efecto se est aumentando la autonoma.
TABLA 4-19
DATOS DEL IMPLANTE DE CCLEA COMERCIAL BASADOS EN MEDIDAS Y (*) ESTIMACIONES TERICAS
Vs=8,94V Vs=6V (*) Vs=11,2V (*)
Potencia efectiva del implante (mW) 12,3 8 25,1
Rendimiento de la fuente de alimentacin (%) 23 18,6 36
Potencia total del implante (mW) 53,5 43 69,1
Consumo total del sistema (mW) 65,5 55 81,1
Autonoma (h) 17 20 13,5

17,6% mejora en
la autonoma
20% penalizacin
en la autonoma

Resultados con el diseo propuesto
Para el diseo propuesto, el aspecto del diagrama de potencias es diferente al del
convertidor comercial. En la figura 4-68 est el esquema de potencias con los
resultados obtenidos midiendo sobre el prototipo final, con el devanado primario
realizado sobre placa de circuito impreso.

En este caso, en las prdidas del convertidor CC/CC estn incluidas las prdidas en
el interruptor, pero no as las prdidas del accionador del interruptor (driver). Con
este diseo la tensin de salida era igual a 6V para todas las separaciones entre los
devanados, y la potencia de salida aproximadamente 8W. Las potencias indicadas en
la figura 4-68 corresponden a una separacin entre los devanados igual a 3mm. En
este caso el rendimiento del convertidor CC/CC sin estimulacin es 37% (figura
4-62). A este rendimiento hay que aadir el rendimiento del pre-regulador, que como
ya se ha dicho se considera constante e igual a 80%. Como accionador del interruptor
se emple una puerta lgica cuyo consumo es 6,8mW. La generacin de los pulsos no
est incluida porque su consumo se considera despreciable, ya que en el procesador
de voz hay DSP capaces de generar los pulsos sin aadir consumo adicional. Con
este diseo el rendimiento final es igual al 23,5%.
Las caractersticas ms importantes del diseo propuesto son las siguientes:
El mayor logro del sistema de alimentacin propuesto es que transmite menos
potencia que con el sistema comercial y adems lo hace con mayor rendimiento.
Esto es posible gracias a:
- La reduccin de las prdidas de conmutacin debido al uso de una etapa
inversora con un nico interruptor.
- La reduccin de la complejidad del inversor, eliminando la parte de
generacin de los disparos aislados de masa.
- El diseo ms adecuado del devanado primario, que permite mejorar el
rendimiento por realizarlo en una corona de mayor rea.
El pre-regulador permite que la tensin de salida est siempre controlada y sea
la menor posible (6V), de modo que la potencia de entrada es menor que en el
dispositivo comercial.
El rendimiento del tanque resonante del implante comercial debera ser mayor
del 75% para que la potencia de entrada fuese la misma que en el sistema
propuesto (43mW frente a 34mW).
CC/CC
13,84mW
Carga
8mW
=37%
=29%
8mW
8mW
Drivers
6,8mW
34,1mW
34,1mW
=23,5%
Generacin de
pulsos no
considerada
=80%
Terico
Pre-reg
5,46mW
21,84mW
21,84mW
Vs=6V
27,3mW
27,3mW
CC/CC
13,84mW
Carga
8mW
=37%
=29%
8mW
8mW
Drivers
6,8mW
34,1mW
34,1mW
=23,5%
Generacin de
pulsos no
considerada
=80%
Terico
Pre-reg
5,46mW
21,84mW
21,84mW
Vs=6V
27,3mW
27,3mW

Figura 4-68. Esquema de potencias para el diseo propuesto cuando la separacin entre los devanados es
3mm
En la tabla 4-20 se han recogido los clculos de autonoma para todas las posibles
separaciones entre los devanados. La autonoma es bastante similar para todas las
separaciones consideradas, y solo hay diferencias mayores para los valores extremos
(1mm y 12mm). Adems, en casi todos los casos se superan las 24 horas, es decir, el
implante podra funcionar al menos un da completo sin necesidad de cambiar las
bateras.
TABLA 4-20
RESULTADOS OBTENIDOS CON EL DISEO PROPUESTO
Separacin entre los devanados 1mm 3mm 5mm 7mm 9mm 12mm
Potencia efectiva del implante (mW) 7,3 8 7,3 7,3 7,3 7,3
Prdidas en el convertidor (mW) 18,7 13,6 10,1 9,7 10,5 13,6
Rendimiento del convertidor (%) 28 37 42 43 41 35
Rendimiento del pre-regulador (%) 80 80 80 80 80 80
Rendimiento de la fuente de alimentacin (%) 22,4 29,6 33,6 34 33 28
Potencia total del implante (mW) 33 27,3 21,8 21,2 22,6 26
Consumo accionadores interruptor (mW) 6,8 6,8 6,8 6,8 6,8 6,8
Consumo del procesador de voz (mW) 12 12 12 12 12 12
Consumo total del sistema (mW) 51,8 46,1 40,6 40,0 41,4 44,8
Energa proporcionada por la batera (mWh) 1100 1100 1100 1100 1100 1100
Autonoma (h) 21 24 27 27,5 27 24,5

4.6.6 Conclusiones acerca del diseo con tanque resonante paralelo
y rectificador de media onda
Se ha propuesto un diseo nuevo para alimentar un implante de cclea
comercial, capaz de alimentar los sistemas que ya estn implantados en los
pacientes.
La clave del diseo es mantener la tensin de salida lo ms baja posible, para
proporcionar la mnima potencia necesaria para que el implante funcione
correctamente.
Se ha propuesto un nuevo transformador, fabricado con tecnologa estndar
sobre placa de circuito impreso, lo que sirve para favorecer la repetitividad y
reducir costes de fabricacin. Con el nuevo diseo se consigue mayor
coeficiente de acoplamiento que con el comercial, puesto que se aumenta el rea
de la corona en la que se encuentra el devanado.
El nuevo prototipo ha sido probado y sus resultados se han comparado con los
de la fuente de alimentacin del implante comercial. En ambos casos se han
calculado las potencias consumidas en las distintas partes del sistema y se ha
estimado la autonoma. Esta comparacin est recogida en la tabla 4-21. Se han
obtenido los siguientes resultados:

- El aumento de autonoma conseguido es muy importante: de 17 horas a
24 para una separacin entre los devanados igual a 3mm cuando no se
produce estimulacin (I
dd
=0).
- La potencia de entrada demandada es bastante insensible a la variacin
de separacin entre los devanados y menor que en el implante comercial:
de 53,5mW a 34,1mW para un separacin entre los devanados igual a 3mm
cuando no se produce estimulacin (I
dd
=0).
TABLA 4-21
COMPARACIN CON LOS DATOS DEL IMPLANTE DE CCLEA COMERCIAL PARA UNA SEPARACIN ENTRE
LOS DEVANADOS IGUAL A 3MM

Implante comercial
Vs=8,94V
Diseo propuesto
Vs=6V
Potencia efectiva del implante (mW) 12,3 8
Rendimiento de la fuente de alimentacin (%) 23 23,5
Potencia total del implante (mW) 53,5 34,1
Consumo del procesador de voz (mW) 12 12
Consumo total del sistema (mW) 65,5 46,1
Energa proporcionada por la batera (mWh) 1100 1100
Autonoma (h) 17 24

41% mejora en la
autonoma

Tambin se puede comparar el diseo propuesto con el comercial transfiriendo
ambos una potencia parecida. Para la misma separacin entre los devanados 3mm) el
diseo propuesto proporciona 14mW a la carga cuando hay estimulacin (I
dd
=1mA).
Este es el caso recogido en la figura 4-69, que comparado con el de la figura 4-65,
muestra que el diseo propuesto toma 42,5mW cuando transfiere 14mW, mientras
que el comercial necesita 53mW para transferir 12mW. El rendimiento total que se
consigue con el diseo propuesto en este caso es del 33%, mientras que con el
comercial es del 23%.
Carga
13,87mW
=49%
=39%
13,87mW
13,87mW
Drivers
6,8mW
42,5mW
42,5mW
=33%
Generacin de
pulsos no
considerada
Pre-reg
7,11mW
28,45mW
28,45mW
Vs=6V =80%
Terico
CC/CC
14,58mW
35,56mW
35,56mW
Carga
13,87mW
=49%
=39%
13,87mW
13,87mW
Drivers
6,8mW
42,5mW
42,5mW
=33%
Generacin de
pulsos no
considerada
Pre-reg
7,11mW
28,45mW
28,45mW
Vs=6V =80%
Terico
CC/CC
14,58mW
35,56mW
35,56mW

Figura 4-69. Esquema de potencias para el diseo propuesto cuando la separacin entre los devanados es
3mm y se produce estimulacin, es decir, I
dd
=1mA
4.7 Conclusiones acerca de los dos diseos propuestos
En este captulo se han propuesto dos diseos que cumplen con todas las
restricciones de diseo propias de la aplicacin de un implante de cclea. Ambos
diseos consiguen aumentar la autonoma y la simplicidad de la topologa empleada
en al fuente de alimentacin del implante comercial correspondiente. En ambos
casos se ha ido comprobando que las conclusiones extradas en anteriores
captulos eran vlidas. Adems, las reglas de diseo tanto para las topologas como
para el transformador de bajo acoplamiento han sido de una gran utilidad a la
hora del diseo de los convertidores CC/CC.
En la tabla 4-22 se han resumido todos los resultados comentados hasta este
momento con los prototipos finales, que cumplen con todas las restricciones de
diseo impuestas por cada fabricante, y que prcticamente con comunes. Para el
tanque serie con se consider el consumo del pre-regulador ni del accionamiento de
los interruptores porque el fabricante no lo consider necesario, ya que una de las
opciones era hacer el convertidor auto-oscilante. Por tanto, cada caso tiene ciertas
particularidades, porque han sido realizados para distintos fabricantes, y de este
modo no se pueden extraer conclusiones relevantes acerca de la autonoma del
sistema.
TABLA 4-22
RESULTADOS OBTENIDOS CON LOS DISEOS PROPUESTOS
Tanque serie Tanque paralelo
Potencia efectiva del implante (mW) 5 5 5 8 7,3 7,3
Prdidas en el convertidor (mW) 6,4 8,9 15 13,6 10,1 9,7
Rendimiento del pre-regulador (%) 80 80 80
Rendimiento de la fuente de alimentacin (%) 29,6 33,6 34
Potencia total del implante (mW) 11,4 13,9 20 27,3 21,8 21,2
Consumo accionamiento interruptor (mW) 6,8 6,8 6,8
Consumo total del sistema (mW) 23,4 25,9 32 46,1 40,6 40,0
Autonoma (h) 23,5 21,2 17,2 24 27 27,5

En la figura 4-70 se han comparado la potencia de entrada y el rendimiento de los
dos prototipos finales (solo de los convertidores, sin considerar pre-regulador ni los
accionadores). Puede comprobarse que la potencia de entrada es menor en el caso
del tanque resonante serie. Sin embargo, el rendimiento de este convertidor es
sensiblemente menor que el del tanque paralelo cuando aumenta la separacin entre
los devanados.

A) POTENCIA DE ENTRADA AL CONVERTIDOR
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a

(
m
W
)

Tanque serie
Tanque paralelo
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10 12 14
P
o
t
e
n
c
i
a

(
m
W
)

Tanque serie
Tanque paralelo
Tanque serie
Tanque paralelo

B) RENDIMIENTO DEL CONVERTIDOR
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Tanque serie
Tanque paralelo
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 2 4 6 8 10 12 14
R
e
n
d
i
m
i
e
n
t
o

(
%
)
Tanque serie
Tanque paralelo
Tanque serie
Tanque paralelo

Figura 4-70. Potencia de entrada y rendimiento de los convertidores con tanque resonante serie y tanque
resonante paralelo diseados para implantes de cclea
Para poder comparar los resultados en trminos de autonoma es necesario hacer
unas modificaciones en los valores obtenidos para el convertidor con tanque
resonante serie. En la tabla 4-23 se han recalculado los resultados incluyendo el
consumo del pre-regulador y del accionamiento del interruptor para el tanque
resonante serie. Para los dos casos se ha considerado una batera capaz de
proporcionar la misma energa (1100mWh). Los resultados de consumo total del
sistema y de su autonoma se han recogido grficamente en la figura 4-71.
TABLA 4-23
RESULTADOS OBTENIDOS CON LOS DISEOS PROPUESTOS II
Tanque serie Tanque paralelo
Potencia efectiva del implante (mW) 5 5 5 8 7,3 7,3
Prdidas en el convertidor (mW) 6,4 8,9 15 13,6 10,1 9,7
Rendimiento del pre-regulador (%) 80 80 80 80 80 80
Rendimiento de la fuente de alimentacin (%) 38,2 28,8 20 29,6 33,6 34
Potencia total del implante (mW) 14,2 17,4 25 27,3 21,8 21,2
Consumo accionamiento interruptor (mW) 6,8 6,8 6,8 6,8 6,8 6,8
Consumo total del sistema (mW) 33 36,2 43,8 46,1 40,6 40,0
Autonoma (h) 33,3 30,4 25,1 24 27 27,5

A) CONSUMO TOTAL DEL SISTEMA
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10 12 14
C
o
n
s
u
m
o

(
m
W
)
Tanque serie
Tanque paralelo
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10 12 14
0
10
20
30
40
50
60
0 2 4 6 8 10 12 14
C
o
n
s
u
m
o

(
m
W
)
Tanque serie
Tanque paralelo
Tanque serie
Tanque paralelo

B) AUTONOMA DEL SISTEMA
A
u
t
o
n
o
m
a

(
h
o
r
a
s
)
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10 12 14
Tanque serie
Tanque paralelo
A
u
t
o
n
o
m
a

(
h
o
r
a
s
)
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10 12 14
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10 12 14
Tanque serie
Tanque paralelo
Tanque serie
Tanque paralelo

Figura 4-71. Consumo y autonoma del sistema completo
A la vista de los resultados obtenidos, con el tanque resonante serie se ha conseguido
mayor rendimiento en estos dos diseos particulares de implantes de cclea. Sin
embargo, estos resultados hay que tomarlos con cautela, ya que entre las dos fuentes
de alimentacin existen diferencias:
El consumo del implante es menor para el fabricante que opt por el tanque
resonante serie (5mW frente a 7,3mW). Este hecho condiciona el valor de la
potencia de entrada del sistema, y por tanto favorece la autonoma.
En el caso del convertidor con tanque resonante serie, la tensin entre los
terminales del devanado secundario es mayor que 3V pico a pico, lo que puede
causar cierto malestar fsico al paciente. Para evitar esto se podra aadir un
transformador como el pequeo transformador toroidal empleado en el diseo
del tanque paralelo. La inclusin de este transformador no tiene porqu
penalizar el rendimiento del convertidor CC/CC. Hay que recordar que para el
convertidor con tanque resonante serie, para conseguir elevar el factor de calidad
el devanado secundario tena muchas vueltas realizadas en la aleacin de PtIr, lo
que aumentaba su resistencia. Al aadir el transformador toroidal, las vueltas
para conseguir la inductancia se realizan con cobre y sobre el ncleo magntico,
por lo que es difcil predecir la tendencia que seguira la autonoma.
Si se realizase una comparacin del rendimiento que se consigue con las dos
topologas, suponiendo que el rendimiento del tanque paralelo se mantiene
cuando se transfieren 5mW en lugar de 7,3mW, puede comprobarse que en
realidad los datos de rendimiento son similares para ambos diseos.
Los diseos de los transformadores de bajo acoplamiento son bastante
diferentes, aunque los coeficientes de acoplamiento que se consiguen son
bastante parecidos: entre 0,58 y 016 para el diseo del tanque resonante serie y
entre 0,48 y 016 para el diseo del tanque resonante paralelo. El transformador
del tanque resonante serie (figura 4-72.a) tiene ciertas desventajas frente al del
convertidor paralelo (figura 4-72.b): menor dimetro (25,5mm frente a 35mm),

caja de titanio debajo del devanado en lugar de en el lateral, devanado primario
realizado con cable en lugar de sobre placa de circuito impreso. Sin embargo,
tiene una importante ventaja y es que los devanados estn mejor centrados uno
respecto al otro y el devanado secundario est ligeramente ms extendido que en
el caso del diseo para el tanque paralelo.
A) TRANSFORMADOR PARA EL
TANQUE RESONANTE SERIE

B) TRANSFORMADOR PARA EL TANQUE
RESONANTE PARALELO

Figura 4-72. Diseo de los transformadores de bajo acoplamiento para los dos casos estudiados
4.8 Comparacin de los diseos propuestos con los existentes en el
estado de la tcnica
Por ltimo, se trata de situar los resultados obtenidos con los diseos realizados en
el grfico de estado de la tcnica planteado en el captulo de topologas. En la figura
4-73 se han incluido los nuevos datos, y pueden extraerse las siguientes conclusiones:
El rendimiento conseguido con los diseos de fuentes de alimentacin para
implantes de cclea (5mW y 7,3mW) es comparable a los resultados publicados
por Zierhofer [ZIERHOFER90 y ZIERHOFER91], pero este autor no inclua
tantas restricciones y la potencia de salida era mayor (12mW).
Para el caso del tanque resonante serie sin restricciones (15mW) se han
conseguido resultados similares a los de otros autores con otras potencias de
trabajo muchsimo mayores, como para el marcapasos de 40W de Joung y
Ghahary [JOUNG96 y GHAHARY90].

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Aplicacin: Implante de cclea
Transformador: sin ncleo, PtIr
Topologa: nico interruptor,
nica sintona, tanque paralelo
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Autor: Zierhofer
Aplicacin: implante de cclea
Transformador: sin ncleo
doble sintona, clase E
Autor: Kanai
Aplicacin: porttil
Transformador: ncleo ferrita
Topologia:nico interruptor,
Autor: Joung
Aplicacin: marcapasos
Topologa: puente completo,
doble sintona serie-serie
Autor: Ghahary
nica sintona, tanque serie
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Transformador: ferrita primario
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NUEVO
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[ZIERHOFER91]
[KANAI00]
Autor: Nishimura
Transformador: ncleo material amorfo
Topologa: puente completo, nica
sintna, tanque serie primario
[NISHIMURA93]
[JOUNG96]
[GHAHARY90]
Autor: Choi
Aplicacin: adaptador AC
Topologa: medio puente, nica
sintona, tanque serie primario
[CHOI01]
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Autor: Zierhofer
Aplicacin: implante de cclea
doble sintona, clase E
Autor: Kanai
Aplicacin: porttil
Topologia:nico interruptor,
Autor: Joung
doble sintona serie-serie
Autor: Ghahary
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Transformador: ferrita primario
NUEVO
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[ZIERHOFER91]
[KANAI00]
Autor: Nishimura
Transformador: ncleo material amorfo
Topologa: puente completo, nica
sintna, tanque serie primario
[NISHIMURA93]
[JOUNG96]
[GHAHARY90]
Autor: Choi
Aplicacin: adaptador AC
Topologa: medio puente, nica
sintona, tanque serie primario
[CHOI01]

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Conclusiones y trabajos futuros 321
Captulo 5
Conclusiones
ndice
5. Conclusiones
5.1 Aportaciones originales en el presente trabajo de investigacin
5.2 Trabajos futuros
Captulo 5
5. Conclusiones
Las fuentes de alimentacin para transferir energa sin contacto desde la fuente de
energa a la carga presentan mltiples ventajas: comodidad, fiabilidad, ergonoma,
transparencia para el usuario, etc. Como contrapartida, el rendimiento es peor
debido al bajo acoplamiento del transformador magntico, ya que sus devanados
estn separados una gran distancia por un medio no magntico.
Este trabajo de investigacin se centra en el estudio de las fuentes de alimentacin
para transferencia de energa sin contacto trabajando con muy baja potencia (mili
vatios). El objetivo es aumentar el rendimiento y la autonoma de los sistemas de
este tipo, para favorecer a los usuarios. Para conseguir este objetivo se han
estudiado en detalle el transformador de bajo acoplamiento y la topologa.
5.1 Aportaciones originales en el presente trabajo de investigacin
A continuacin se resumen las propuestas originales que se han recogido en esta
tesis:
Anlisis del transformador de bajo acoplamiento
Anlisis de sensibilidad para la obtencin de reglas de diseo.
Existen mtodos analticos para cuantificar el valor de la inductancia de los
devanados y el acoplamiento del transformador. Sin embargo, estos estudios
tienen una aplicacin limitada porque slo son aplicables a ciertas geometras y
no calculan la resistencia. El anlisis realizado en esta tesis se ha basado en el uso
de una herramienta de elementos finitos, que permite modelar cualquier
componente magntico teniendo en cuenta los efectos geomtricos y de la
frecuencia. Empleando esta herramienta se ha podido establecer una relacin
entre los parmetros geomtricos del transformador (dimensiones de los
devanados, dimensiones de las pistas) y sus parmetros elctricos (inductancia,
capacidad, resistencia, acoplamiento).
Procedimiento de diseo de los transformadores de bajo acoplamiento sin
ncleo magntico y con ncleo magntico.
A partir de las conclusiones extradas del anlisis de sensibilidad, se ha
establecido un procedimiento de diseo que permite maximizar el acoplamiento,
minimizar la resistencia y obtener la inductancia precisa en los devanados del
transformador. Gracias a estas reglas de diseo y las mejoras que se consigue en
las caractersticas del componente magntico, se consigue elevar el rendimiento
del convertidor CC/CC.
Anlisis de las topologas de potencia
Metodologa de anlisis mediante tcnicas clsicas de alterna sustituyendo la
etapa rectificadora por una impedancia equivalente.
El anlisis clsico de convertidores resonantes se realiza empleando tcnicas de
alterna, considerando solo el primer armnico de las tensiones y corrientes
existentes en el circuito, ya que el tanque resonante acta como un filtro paso-
banda. En el anlisis clsico, el rectificador y la carga se sustituyen por una
resistencia equivalente. Sin embargo, como consecuencia de la baja corriente de
salida, que hace significativo el tiempo de carga y descarga de las capacidades
parsitas de los diodos rectificadores, la tensin y la corriente a la entrada del
rectificador no estn en fase y por tanto deben sustituirse por una impedancia
equivalente, que para el caso estudiado en esta tesis consiste en una resistencia y
una capacidad.
La metodologa propuesta permite obtener de un modo sencillo un modelo de
cualquier convertidor CC/CC resonante teniendo en cuenta las capacidades
parsitas de los diodos rectificadores, que tienen un importante efecto en el
funcionamiento del convertidor.
Modelo del convertidor con tanque resonante serie y rectificador de media
onda.
Aplicando la metodologa propuesta, se ha obtenido un modelo vlido para
cualquier tanque resonante serie. Este modelo se ha particularizado para el caso
estudiado, es decir, incluyendo un transformador de bajo acoplamiento. Este
modelo ha sido validado mediante simulacin con la herramienta comercial
PSpice y mediante medidas sobre un prototipo.
Convertidor con inversor de nico interruptor, tanque resonante serie en el
secundario y rectificador de media onda para aplicaciones con transferencia de
energa sin contacto.
El esquema de esta topologa haba sido incluido en una publicacin de
recopilacin de topologas derivadas del convertidor clase E. Sin embargo, no se
han encontrado referencias de su uso posterior, y mucho menos de su aplicacin
a sistemas en los que el transformador magntico tenga bajo acoplamiento, como
en este caso. En esta tesis se ha comprobado mediante anlisis, simulacin y
medidas experimentales su viabilidad y conveniencia para las aplicaciones
consideradas, caracterizadas por un transformador con una inductancia
magnetizante menor o igual que las de dispersin de los devanados.
Modelo del convertidor con tanque resonante paralelo y rectificador de media
onda.
Tambin se ha obtenido un modelo del convertidor con tanque resonante
paralelo y transformador de bajo acoplamiento. Este modelo tambin ha sido
validado mediante simulacin con la herramienta PSpice.
Anlisis empleando los modelos propuestos del funcionamiento de los
convertidores antes mencionados.
Basndose en los modelos propuestos, se ha realizado un anlisis exhaustivo del
funcionamiento de los convertidores, y se han analizado los siguientes efectos:
- Efecto de las capacidades parsitas de los diodos rectificadores.
- Consideraciones acerca del diseo del tanque resonante (inductancias del
transformador de bajo acoplamiento y capacidad del condensador serie o
paralelo)
- Efecto de la variacin del acoplamiento.
- Efecto de la variacin de la carga.
Procedimiento de diseo de los dos convertidores analizados.
Una vez conocido el funcionamiento de los convertidores, se ha propuesto una
metodologa de diseo para poder calcular parmetros de funcionamiento muy
importantes, tales como la frecuencia de resonancia, la tensin de entrada, el
mtodo de control, el factor de calidad del tanque resonante, etc.
Resultados experimentales
Estos procedimientos de diseo, modelos y anlisis han servido para el desarrollo de
dos prototipos de fuentes de alimentacin para implantes de cclea comerciales,
que mejoraron significativamente la autonoma de los sistemas actualmente
comercializados. Los datos de potencia de entrada, rendimiento y autonoma de los
convertidores desarrollados han sido comparados tambin con otros convertidores
existentes en el estado de la tcnica. Se han conseguido los objetivos propuestos al
inicio de esta tesis de mejora de la autonoma y aumento del tiempo de vida de las
bateras:
Tanto con los diseos propuestos de la topologa resonante serie como de la
paralelo se consiguen autonomas de los implantes de cclea en torno a las 24
horas, mientras que los diseos comerciales actuales, la autonoma est por
debajo de las 20 horas.
En el diseo con tanque resonante serie y rectificador de media onda, para una
separacin intermedia entre los devanados del transformador de bajo
acoplamiento (6mm) se dobla la autonoma respecto al implante comercial
original (de 10,8 horas a 21,2 horas). Si la fuente de alimentacin comercial
redujese su consumo de 10mW a 5mW y mantuviese su rendimiento, la mejora
en autonoma con la topologa propuesta tambin sera significativa (de 17,2
horas a 21,2 horas).
Para el diseo con tanque resonante paralelo y rectificador de media onda, la
autonoma ha aumentado de 17 horas a 24 horas para una separacin entre los
devanados igual a 3mm. La potencia de entrada demandada es bastante
insensible a la variacin de separacin entre los devanados y menor que un
implante comercial: de 53,5mW a 34,1mW para un separacin entre los
devanados igual a 3mm. Adems, la fuente de alimentacin construida se ha
realizado manteniendo el diseo de la parte de secundario del implante
comercial, por lo que podra emplearse para pacientes ya implantados, que se
beneficiaran de las mejoras realizadas en el sistema. Sin embargo, esta
restriccin limita las mejoras en el rendimiento que se pueden conseguir al
redisear el convertidor.
El rendimiento conseguido con los diseos de fuentes de alimentacin para
implantes de cclea (5mW y 7,3mW) es comparable a los resultados publicados
por otros autores para similares niveles de potencia (12mW), incluso aunque
stos no consideraban todas las restricciones propias de la aplicacin
(biocompatibilidad, tamao).
Tambin se ha desarrollado un prototipo con tanque resonante serie en el que no
se han aplicado las restricciones de biocompatibilidad de los implantes, con una
potencia de salida de 15mW. El rendimiento conseguido vara entre 60% y 75%,
por lo que es comparable al que han conseguido otros autores para potencias de
trabajo muchsimo mayores, como para el marcapasos de 40W (rendimiento de
77%).
5.2 Trabajos futuros
Las aplicaciones que requieren transferencia de energa sin contacto son mltiples y
cada vez hay ms. Adems de las aplicaciones que necesitan obligatoriamente la
premisa del no contacto, cada vez surgen ms aplicaciones que se pueden
aprovechar de las ventajas que presentan estas aplicaciones de no interferencia con el
usuario. Por lo tanto se trata de un tema de actualidad que cada vez ir cobrando
ms relevancia, y existen mltiples propuestas para realizar trabajos de investigacin
en el futuro.
Estudio del EMI radiado por las fuentes de alimentacin.
Estudio de los efectos fisiolgicos de la presencia de un transformador en el
interior del cuerpo humano. Caracterizacin de la elevacin de temperatura de la
piel y los tejidos que permanecen entre los devanados del transformador de bajo
acoplamiento.
Modelado dinmico de la etapa de potencia y estudio de distintos mtodos de
control. Con el trabajo realizado en esta tesis se proporcionan los medios
necesarios para distinguir si las variaciones de tensin se producen debidas a
acoplamiento o carga.
- Mtodos de control.
- Mtodos para medir la tensin de secundario.
- Desarrollo de sistemas auto-oscilantes.
Comparacin detallada, teniendo en cuenta el sistema de control, de los
convertidores resonantes con doble sintona y con nica sintona, como los
manejados en esta tesis.

Referencias 329
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Anexo I
Anexo I
ndice
Hojas de clculo para el diseo de transformadores de bajo acoplamiento
I.1 Programa de Matlab para el clculo de la inductancia de transformadores
conocidas sus dimensiones
I.2 Hoja de clculo de Mathcad para el clculo de la inductancia propia y mutua
de devanados planos en forma de espiral

Anexo II
Anexo I I
ndice
Hoja de clculo de Mathcad para el diseo de convertidores CC/ CC con
tanque resonante serie y rectificador de media onda

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