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COLEGIO MIXTO ASTURIAS

Alumno: Pedro Antonio Delgado Daz

Grado: 4.to Bachillerato

Curso: Computacin

Prof: Analy Molina Osorio

Tema: Tipos de Memoria

TIPOS DE MEMORIA RAM


La memoria de acceso aleatorio (en ingls: random-access memory) se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayora del software. Es all donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cmputo. Se denominan de acceso aleatorio porque se puede leer o escribir en una posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera ms rpida posible. Durante el encendido del computador, la rutina POST verifica que los mdulos de memoria RAM estn conectados de manera correcta. En el caso que no existan o no se detecten los mdulos, la mayora de tarjetas madres emiten una serie de pitidos que indican la ausencia de memoria principal. Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test bsico sobre la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma. * FPM-RAM (Fast Page Mode RAM) Inspirado en tcnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486,[3] se implant un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria enva una sola direccin y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseramos visitar todas las casas en una calle: despus de la primera vez no seria necesario decir el nmero de la calle nicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium. SRAM: Memoria cara, pero ms rpida y con un menor consumo que la memoria DRAM. Utilizada cuando es necesario disponer de un mejor tiempo de acceso, o un consumo reducido o ambos

* EDO-RAM (Extended Data Output RAM ) Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns supona una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, tambin es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la informacin de la columna anterior, dando como resultado una eliminacin de estados de espera, manteniendo activo el bffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo de lectura. EDO: Memoria que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Elimina los estados de espera manteniendo activo el bffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo.

* BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM):Fue la evolucin de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba

generadores internos de direcciones y acceda a ms de una posicin de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeo un 50% mejor que la EDO. Nunca sali al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrnicos que si bien tenan mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como seales de reloj. La tecnologa de memoria actual usa una seal de sincronizacin para realizar las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que eran asncronas. Hace ms de una dcada toda la industria se decant por las tecnologas sncronas, ya que permiten construir integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz. Tipos de DIMMs segn su cantidad de Contactos o Pines: * 72-pin SO-DIMM (no el mismo que un 72-pin SIMM), usados por FPM DRAM y EDO DRAM * 100-pin DIMM, usados por printer SDRAM * 144-pin SO-DIMM, usados por SDR SDRAM * 168-pin DIMM, usados por SDR SDRAM (menos frecuente para FPM/EDO DRAM en reas de trabajo y/o servidores) * 172-pin MicroDIMM, usados por DDR SDRAM * 184-pin DIMM, usados por DDR SDRAM * 200-pin SO-DIMM, usados por DDR SDRAM y DDR2 SDRAM * 204-pin SO-DIMM, usados por DDR3 SDRAM * 240-pin DIMM, usados por DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM y FB-DIMM DRAM * 244-pin MiniDIMM, usados por DDR2 SDRAM Memorias RAM con tecnologas usadas en la actualidad. Memoria sncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en mdulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III , as como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Est muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominacin SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es as, simplemente se extendi muy rpido la denominacin incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias sncronas dinmicas. Los tipos disponibles son: * PC66: SDR SDRAM, funciona a un mx de 66,6 MHz. * PC100: SDR SDRAM, funciona a un mx de 100 MHz. * PC133: SDR SDRAM, funciona a un mx de 133,3 MHz. RIMM RDRAM Se presentan en mdulos RIMM de 184 contactos. Fue utilizada en los Pentium IV . Era la memoria ms rpida en su tiempo, pero por su elevado costo fue rpidamente cambiada por la econmica DDR. Los tipos disponibles son: * PC600: RIMM RDRAM, funciona a un mximo de 300 MHz. * PC700: RIMM RDRAM, funciona a un mximo de 356 MHz. * PC800: RIMM RDRAM, funciona a un mximo de 400 MHz.

* PC1066: RIMM RDRAM, funciona a un mximo de 533 MHz. DDR SDRAM Memoria sncrona, enva los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en mdulos DIMM de 184 contactos en el caso de ordenador de escritorio y en mdulos de 144 contactos para los ordenadores porttiles. Los tipos disponibles son: * PC1600 o DDR 200: funciona a un mx de 200 MHz. * PC2100 o DDR 266: funciona a un mx de 266,6 MHz. * PC2700 o DDR 333: funciona a un mx de 333,3 MHz. * PC3200 o DDR 400: funciona a un mx de 400 MHz. * PC4500 o DR4 400: funciona a una mx de 500 MHz DDR2 SDRAM Mdulos de memoria instalados de 256 MiB cada uno en un sistema con doble canal. Artculo principal: DDR2. Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del ncleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Se presentan en mdulos DIMM de 240 contactos. Los tipos disponibles son: * PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un mx de 533,3 MHz. * PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un mx de 666,6 MHz. * PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un mx de 800 MHz. * PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un mx de 1066,6 MHz. * PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un mx de 1200 MHz DDR3 SDRAM Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminucin del gasto global de consumo. Los mdulos DIMM DDR 3 tienen 240 pines, el mismo nmero que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son fsicamente incompatibles, debido a una ubicacin diferente de la muesca. Los tipos disponibles son: * PC3-6400 o DDR3-800: funciona a un mx de 800 MHz. * PC3-8500 o DDR3-1066: funciona a un mx de 1066,6 MHz. * PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un mx de 1333,3 MHz. * PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un mx de 1600 MHz. * PC3-14900 o DDR3-1866: funciona a un mx de 1866,6 MHz. * PC3-17000 o DDR3-2133: funciona a un mx de 2133,3 MHz. * PC3-19200 o DDR3-2400: funciona a un mx de 2400 MHz. * PC3-21300 o DD3-2666: funciona a un mx de 2666,6 MHz.

SRAM: Memoria cara, pero ms rpida y con un menor consumo que la memoria DRAM. Utilizada cuando es necesario disponer de un mejor tiempo de acceso, o un consumo reducido o ambos

FPM: Memoria en modo paginado, el diseo ms comn de chips de RAM dinmica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna.Ver imagen

SDRAM: Memoria que es casi un 20% ms rpido que la EDO. Entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el acceso.

DDR SDRAM: Memoria sncrona, enva los datos dos veces por cada ciclo de reloj. Trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en mdulos DIMM de 184 contactos.

DDR2 SDRAM: Mejora de las memorias DDR. Permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del ncleo, permitiendo durante cada ciclo de reloj hasta cuatro transferencias. Se presentan en mdulos DIMM de 240 contactos.

DDR3 SDRAM: Mejora de las memorias DDR2. Proporcionan mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, por lo que consumen menos. Se presentan en mdulos DIMM de 240 contactos igual que la anterior, sin embargo son fsicamente incompatibles.

RRAM: Memorias de bajo costo y alta densidad

TIPOS DE MEMORIAS ROM ROM, por las siglas de Read Only Memory, en castellano Memoria de Slo Lectura. Se trata de una memoria que usan los equipos electrnicos, como es el caso de las computadoras. Aquella informacin que se almacene en esta memoria no puede ser modificada por el propio usuario, de all su nombre. Existen los siguientes tipos de memoria ROM: PROM: por las siglas de Programmable Read Only memory, en castellano ROM programable, se caracteriza por ser digital. En ella, cada uno de los bits depende de un fusible, el cual puede ser quemado una nica vez. Esto ocasiona que, a travs de un programador PROM, puedan ser programadas por nica vez. La memoria PROM es utilizada en casos en que los datos necesiten cambiarse en todos o la mayora de los casos. Tambin se recurre a ella cuando aquellos datos que quieran almacenarse fe forma permanente no superen a los de la ROM. Anuncios

EPROM: por las siglas en ingls de Erasable Programmable Read-Only Memory, en castellano, ROM programable borrable de slo lectura. Esta memoria ROM es un chip no voltil y est conformada por transistores de puertas flotantes o celdas FAMOS que salen de fbrica sin carga alguna. Esta memoria puede programarse a travs de un dispositivo electrnico cuyos voltajes superan a los usados en circuitos electrnicos. A partir de esto, las celdas comienzan a leerse como 1, previo a esto se lo hace como 0. Esta memoria puede ser borrada slo si se la expone a luces ultravioletas. Una vez que la EPROM es programada, se vuelve no voltil, o sea que los datos almacenados permanecen all de forma indefinida. A pesar de esto, puede ser borrada y reprogramada con la utilizacin de elevados niveles de voltaje. Si bien actualmente siguen siendo utilizadas, presentan algunas desventajas, entre ellas que el proceso de borrado del chip es siempre total, es decir que no se puede seleccionar alguna direccin en particular. Por otro lado, para reprogramarlas o borrarlas, deben removerse de su circuito y este proceso lleva por lo menos veinte minutos. Estas desventajas han sido superadas por memorias flash y EEPROM, por lo que las EPROM estn cayendo en desuso en ciertos diseos y aplicaciones. EEPROM: por las siglas en ingls de Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, en castellano ROM programable y borrable elctricamente. Esta memoria, como su nombre indica

puede ser programada, borrada y reprogramada elctricamente y no con rayos ultravioleta, como en el caso de las EPROM, lo que hace que resulten no voltiles. Adems de tener las puertas flotantes, como las anteriores, cuenta con una capa de xido ubicado en el drenaje de la celda MOSFET, lo que permite que la memoria pueda borrarse elctricamente. Como para realizar esto no se precisan programadores especiales ni rayos ultravioletas, se puede hacer en el propio circuito. Adems presenta la posibilidad de reescribir y borrar bytes individualmente, y son ms fciles y veloces de reprogramar que las anteriores. Las desventajas que presenta en comparacin a las anteriores son la densidad y sus costos altos.

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