Laboratorio de Electrnica I

Universidad del Valle

UNIVERSIDAD DEL VALLE ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA CTEDRA DE PERCEPCIN Y SISTEMAS INTELIGENTES LABORATORIO No. 4 DE ELECTRNICA I ANLISIS DEL TRANSISTOR BJT EN PEQUEA SEAL

**** Lea completamente esta gua antes de realizar la prctica ****

1.

OBJETIVOS

Analizar el comportamiento del transistor BJT en circuitos excitados por una seal de corriente alterna a frecuencias medias. Identificar las tres posibles configuraciones del transistor: emisor comn, base comn y colector comn. A partir de las mediciones obtenidas, determinar las impedancias de entrada y de salida, al igual que la amplificacin de voltaje y corriente.

2.

EQUIPOS Y MATERIALES

Suministrados por el laboratorio 1 Osciloscopio de dos canales. 1 Fuente de DC. 1 Generador de seales. 1 Multmetro.

Suministrados por el estudiante 1 Transistor npn escogido por el estudiante. Resistencias segn los diseos. Condensadores de 10uF o valores similares. Puntas de fuente (Caimanes), pinzas, pelacables, protoboard, cables para protoboard.

3.

INFORMACIN PREVIA

El transistor es considerado un componente electrnico activo, pues el nivel de salida de AC es mayor que el de entrada. Esto se debe la transferencia de energa proporcionada por las fuentes DC aplicadas al circuito tal como se pudo verificar a travs de la prctica de laboratorio anterior. Sin embargo, es necesario complementar este anlisis con el del AC, que, gracias a la aplicabilidad del teorema de superposicin, puede hacerse separadamente del anlisis DC. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que la seleccin de los parmetros para los niveles de DC requeridos afectarn la respuesta de AC y viceversa. El primer paso para el anlisis en AC es buscar un modelo del transistor. Un modelo es una combinacin de elementos de circuito seleccionados adecuadamente, de tal forma que en conjunto se aproximan al comportamiento real, en este caso, del transistor. Una vez determinado el circuito equivalente en AC, se sustituye en el esquema el smbolo del transistor por el modelo, y, de ah en adelante, se convierte en un anlisis de circuitos elctricos.

3.1 MODELOS DEL TRANSISTOR. Hay dos modelos del transistor muy usados: el modelo hbrido y un modelo derivado directamente de las condiciones de operacin del transistor, el modelo re. El modelo hbrido adolece de estar limitado a un conjunto particular de condiciones de operacin para que sea preciso, mientras que los parmetros del modelo re pueden determinarse para cualquier regin de operacin dentro de la regin activa, y no estn limitados a un solo grupo de parmetros incluidos en las hojas de especificaciones. Sin embargo, el modelo re carece de un parmetro que represente la impedancia de salida , el efecto de retroalimentacin de la salida a la entrada.

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3.1.1 MODELO EQUIVALENTE HBRIDO

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Para el modelo hbrido de un transistor cualquiera se definen los parmetros en un punto de operacin que puede o no reflejar las condiciones de operacin reales del circuito amplificador, esto se debe al hecho de que las hojas de especificaciones no pueden proporcionar los parmetros para un circuito equivalente para cualquier punto de operacin posible. El modelo hbrido se presenta en la grfica 1 y, como ejemplo, en la tabla 1 se presentan los parmetros hbridos para el transistor 2N3904, que fueron tomados su hoja de especificaciones. Estos valores corresponden a una corriente de colector de DC de 1mA, un voltaje de colector a emisor de 10V y una frecuencia de la seal de entrada de 1kHz.

Impedancia de entrada Transferencia inversa de voltaje Ganancia de corriente Admitancia de salida

hie hre hfe hoe

Min 1 0.5 100 1.0

Mx 10 8 400 40

Unidades k x 10-4 1 S

Tabla 1. Parmetros hbridos para un transistor 2N3904

A veces es necesario convertir los parmetros de un transistor de una configuracin a otra. Generalmente los fabricantes especifican los cuatro parmetros hbridos en emisor comn. En la tabla 2 se presentan las frmulas de conversin aproximadas entre parmetros hbridos para pasar de una configuracin en emisor comn (EC), a colector comn (CC) en la primera columna, y a base comn (BC) en la segunda.

hic
h fc

hie
(1 h fe )

hib

hie 1 h fe

hrb
hrb
hob

h fe 1 h fe hie . hoe hre 1 h fe

hoe 1 h fe

hrc
hoc

1
hoe

Tabla2. Formulas de conversin de para los parmetros hbridos

3.1.2

MODELO re

El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el comportamiento de un transistor en la regin de inters. Se debe tener en cuenta que la resistencia de cada diodo puede determinarse mediante la ecuacin

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26mV / I D , donde I D es la corriente de CD a travs del diodo en el punto de operacin esttico, por tanto, para 26mV el ste modelo se cumple que re . IE
Por otra parte, el parmetro se relaciona con la ganancia de corriente mediante la ecuacin:

re

1
Los modelos para las tres configuraciones vienen dados a continuacin.

En este modelo la fuente de corriente relaciona la corriente del terminal de entrada con el de salida. Para el caso de la Figura 3, que corresponde a una configuracin EC en donde el terminal de entrada es la base y el de salida es el colector; la fuente de corriente relaciona las corrientes por stos terminales.

Para la configuracin colector comn normalmente se aplica el modelo definido para la configuracin de emisor comn, en lugar de definir un modelo propio as:

3.2 CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR 3.2.1 EMISOR COMN

La configuracin emisor comn es la ms utilizada en etapas transistorizadas. Se sabe que un circuito como el de la figura 5 posee esta configuracin debido a que la seal de entrada ingresa por la terminal de base y la salida (carga) est conectada a la terminal de colector. Es importante resaltar que el terminal de colector nunca se usa como entrada, as como el terminal de base, nunca se usa como salida.

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Las caractersticas ms relevantes de la configuracin emisor comn (EC) son:

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Vcc R1 Rc Vo Vi R2
0

- Ganancia de corriente: - Ganancia de voltaje: - Ganancia de potencia: - Impedancia de entrada: - Impedancia de salida: -Inversin de fase

alta alta alta media (500 a 5K ) media (30K a 80K )

RL Re
0 0 0

Estas caractersticas sin embargo estn relacionadas con los valores elegidos para los componentes del circuito, por lo que deben elegirse de tal manera que la etapa conserve sus caractersticas elctricas.

Fig 5. Configuracin de emisor comn

3.2.2

CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN

Para este tipo de configuracin la entrada de la seal se aplica a la base, la seal de salida se obtiene del emisor y el colector es comn a los terminales de entrada y de salida.

Vcc
Las caractersticas principales de la configuracin colector comn son: - Impedancia de entrada alta. - Impedancia de salida baja. - Ganancia de voltaje un poco menor que la unidad. - Ganancia de corriente alta (aproximadamente hfe).

Rb Vi Re
0

Vo RL
0

Fig 6. Configuracin en colector comn

3.2.3

CONFIGURACIN EN BASE COMN

En la configuracin base comn de la figura 7 la seal de entrada se aplica al emisor y la seal de salida se obtiene del colector, siendo la base el terminal comn a los circuitos de entrada y de salida. Las caractersticas principales de la configuracin base comn son: - Baja impedancia de entrada. - Impedancia de salida alta. - Ganancia de corriente menor que la unidad. - Ganancia de voltaje alta. - Ganancia de potencia alta.

Vi Re Rb

Vo Rc RL Vcc
0 0 0

Fig 7. Configuracin en base comn

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4. CLCULOS PREVIOS (Pre Informe)

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A continuacin se indican los puntos que obligatoriamente deben aparecer en el informe junto con el valor de cada uno de ellos. 4.1. Utilizando una fuente de alimentacin de 20V y un Vce de 10 V realice los siguientes diseos: (1,4) a. b. c. Para la figura 5 encuentre los valores de resistencia para que la corriente de colector sea 10mA Para la figura 6 encuentre los valores de resistencia para que la corriente de colector sea 1mA Para la figura 7 encuentre los valores de resistencia para que la corriente de colector sea 1mA

4.2. Para cada uno de los circuitos calcule los valores de la impedancia de entrada, la impedancia de salida, la ganancia de corriente, la ganancia de voltaje y la mxima excursin de seal. (1,4) 4.3. Investigue cmo se pueden medir de manera experimental la impedancia de entrada, la impedancia de salida, la ganancia de voltaje y la ganancia de corriente. (0,8) 4.4. Simule los anteriores circuitos usando el software de simulacin de su preferencia. Indique cual fue el software utilizado. (1,4) 5. PROCEDIMIENTO

Para poder acceder a la prctica es necesario presentar los montaje acompaados de los clculos de los componentes solicitados y las tablas que se van a llenar en cada punto del procedimiento. Para cada uno de los circuitos de las figuras 5, 6 y 7 realice lo siguiente: 1. 2. 3. 4. 5. Energice el circuito. Compruebe el punto de operacin del transistor y anote los resultados. Mida la ganancia de voltaje y la ganancia de corriente de todas las configuraciones. Elija una de las configuraciones (base comn, emisor comn o colector comn) y realice la medicin de la impedancia de entrada y salida para por lo menos 6 frecuencias diferentes (entre 50hz-1Mhz ) Determine la mxima excursin de seal. 6. INFORME

Nota. Tenga en cuenta que lo ms importante en un informe es la construccin de conocimiento que usted realiza al contrastar y analizar el por qu de las similitudes/diferencias de los resultados tericos, simulados y prcticos que deben aparecer despus de la presentacin de los mismos , en forma resumida, en las conclusiones. Verifique la realizacin de cada uno de los puntos indicados en esta gua tanto en el pre-informe como en el informe. 1. Compare los resultados obtenidos en el punto anterior con los resultados obtenidos mediante simulacin y los obtenidos en la prctica. (Analice, compare y explique el porqu de las diferencias). (1.6) Con los datos obtenidos de la impedancia a diferentes frecuencias, compare las diferencias entre ellas si se presentan y justifique el porqu.(0.4) Desarrolle los siguientes puntos: (2.0) 3.1 Investigue acerca del amplificador diferencial, como esta formado, posibles formas de polarizacin, parmetros en modo comn, modo simple o modo diferencial y aplicaciones. Explique el trmino razn de rechazo en modo comn (Sea breve, No excederse ms de 1 pgina). 3.2 De acuerdo con sus caractersticas mencionadas y los resultados obtenidos mencione las aplicaciones de cada una de las tres configuraciones estudiadas (EC, CC y BC). 3.3 Investigue al menos tres mtodos para acoplar amplificadores en cascada con las ventajas y desventajas de cada mtodo (consignar en una tabla). 3.4 Si se reemplaza el transistor por uno de tipo pnp que cambios, si es que los hay, habra que hacerle al circuito en emisor comn para que la respuesta sea forma similar a la obtenida por el transistor npn? 4. Conclusiones (y sugerencias si usted lo desea). (1.0)

2.

3.

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7.

METODOLOGA

Los montajes y el pre-informe debe presentarse el da de la sesin. En el pre-informe deben estar consignadas las tablas necesarias para realizar las tomas de datos durante la prctica y debe ser entregado al final de la misma. El pre-informe y el informe debe tener muy buena presentacin, usen un formato de tipo revista En caso que no alcance a realizar en clase todos los puntos, debe buscar un espacio extra-clase para terminar el procedimiento y para sustentarlos ante la profesora. La asistencia a las sesiones de laboratorio son obligatorias, y por tanto, slo los estudiantes que hayan asistido a la sesin prctica tienen derecho a obtener una nota por la misma. La evaluacin de la prctica se basar en los siguientes tems: o Calidad del pre-informe (presentacin y contenido) y Montajes (30%). o Calidad del informe (presentacin y contenido). (70%).

8.

BIBLIOGRAFA.

1. Electrnica. Teora de circuitos. BOYLESTAD Nashelsky. Quinta edicin. Prentice Hall. Mxico 1994. 2. Electrnica integrada. Circuitos y Sistemas Analgicos y Digitales. J.MILLMAN. C.HALKIAS. De. Hispano -Europea. Barcelona 1986.

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