TRANSISTOR BJT

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos soprepasar para no destruir el dispositivo. El parametro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesario la instalacion de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP. Zonas de funcionamiento del transistor bipolar: 1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dandonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. 2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. 3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan practicamente nulas (y en especial Ic). 3. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.

El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. Para encontrar el circuito PNP complementario: 1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP. 2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.

CARACTERISTICAS TRANSISTOR BJT INTRODUCCIN

El desarrollo de los dispositivos de estado slido como diodos y transistores potenci los alcances de la actual electrnica al resolver los inconvenientes de las vlvulas y tubos de vacios, sus predecesores. Estos ltimos resultaban inconvenientes en muchas aplicaciones debido a su alto consumo de energa, consumo de espacio y la poca confiabilidad de su estabilidad y duracin. Los transistores, desarrollados por Scockley, Bardeen y Brattain en el ao de 1947 resolvieron todas estas limitantes dando un gran paso al desarrollo de los circuitos integrados.

Los transistores son dispositivos semiconductores de tres terminales que pueden usarse en aplicaciones como amplificadores o interruptores. El principio bsico de funcionamiento es el uso de voltaje entre dos terminales para poder obtener una fuente controlada en la terminal restante cuando se usa como amplificador. Cuando se usa como interruptor se tiene una seal de control que puede emplearse para cambiar la corriente en la otra terminal desde un valor casi nulo hasta uno considerablemente grande, siendo este comportamiento la base del inversor lgico, elemento bsico de la electrnica digital.

Existen dos tipos de dispositivos: el transistor de efecto de campo y el transistor de unin bipolar BJT. En este tema se introducen las principales caractersticas bsicas del transistor bipolar(BJT) y se estudian los modelos bsicos de estos dispositivos

MARCO TERICO

El transistor de unin bipolar es uno de los dispositivos que son fruto de la tecnologa en semiconductores (basada en uniones PN y dopaje) y es uno de los tipos de transistores mas usados en la actualidad. Un transistor posee tres terminales (base, colector y emisor) las cuales se muestran en la ilustracin de la representacin esquemtica de un transistor PNP y NPN respectivamente.

Un transistor BJT puede eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales son: Region activa, region de saturacin y regin de ruptura; Cuando un transistor BJT trabaja en regin activa, quiere decir que est trabajando como amplificador de una seal (Corriente o voltaje), esta regin de funcionamiento se caracteriza porque la corriente de base es muy pequea en comparacin a la de colector y emisor (que son parecidas), y porque el voltaje colector base no puede exceder los 0.4 o -0.4V (dependiendo si es PNP o NPN). Mientras que la regin de corte indica que el transistor prcticamente esta apagado, es decir Ib = Ic = Ie =0A. Por ltimo, un transistor de unin bipolar est saturado cuando Ic=Ie=Imax; En este caso la magnitud de la corriente depende de la tensin de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos.

En particular para un transistor que funcione como amplificador de una seal Trabajando en modo activo-, hay ciertas ecuaciones que modelan su funcionamiento: IC= iB , Ic= IE, =/(+1). Ellas confirman lo dicho anteriormente, puesto que en magnitud es relativamente grande y un valor cercano a la unidad. Podemos analizar que sucede si introducimos a la entrada una seal AC, para ello se introduce un parmetro esencial que se denomina transconductancia (gm) - La cual en esencia es la pendiente de una aproximacin lineal del comportamiento exponencial del transistor.