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Experimentos de Fsica S.

Gil 2013 295


Captulo ZZ
Variacin de la resistencia elctrica con la
temperatura
Objetivos
En este captulo estudiamos el efecto de la temperatura
sobre la conduccin elctrica de algunos medios materiales
(un conductor puro, una aleacin, un semiconductor) y en
algunos dispositivos electrnicos comunes (resistencias de
carbn, termistores). Intentamos explicar los resultados
experimentales usando modelos microscpicos simples de
conduccin para cada caso. Se utilizan distintos mtodos de
medicin de resistencia elctrica.

Variacin de la
resistencia con la
temperatura
Resistencias
metlicas y
aleaciones
Comportamiento
trmico de un
termistor


zz.1 Introduccin

Para que un medio material pueda conducir la corriente elctrica, deben existir
en su interior cargas mviles (portadores) capaces de conducir la electricidad. En los
metales, las cargas mviles son los electrones; en las soluciones electrolticas, las cargas
mviles son los iones.

Consideremos una muestra cilndrica de seccin transversal A y longitud l de un
material cualquiera por el que se hace circular una corriente elctrica i. Es posible
relacionar esta corriente de modo muy general con la velocidad media v
m
de las cargas
mviles, el nmero de cargas libres por unidad de volumen n y la carga e que
transporta cada portador mvil (e es la carga elemental y es el nmero de cargas
elementales por cada portador de carga),
1,2


. e v A n i
m
=
(ZZ.1)

Si el material en cuestin obedece a la ley de Ohm, la dependencia del voltaje V
con la corriente i es lineal (V = i R). La resistencia elctrica R de la muestra cilndrica en
consideracin, est dada por:

,
A
l
R = (ZZ.2)

donde es la resistividad del material. Si suponemos que el campo elctrico a lo largo
del cilindro es uniforme, podemos escribir E = V / l, y de (ZZ.1) y (ZZ.2) tenemos:
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.

1

e n v
E
e v n
E
l
A
i
V
l
A
R
m m
|
|

\
|
= = = =
(ZZ.3)

zz.2 Modelo simple de conduccin en slidos

Para que el material obedezca a la ley de Ohm, debe ser independiente del
campo (o voltaje) aplicado y de la velocidad de los iones v
m
. Esto significa que para que
se cumpla la ley de Ohm, dentro del material debe existir algn mecanismo de friccin o
choques de modo que v
m
resulte proporcional a E. Esto puede lograrse, por ejemplo, si
las cargas se mueven en un medio que les oponga una fuerza viscosa como en un
lquido. En un slido esto podra lograrse si los electrones (o portadores de carga)
chocaran constantemente contra los iones de la red cristalina del material. En cierto
sentido, podramos comparar el movimiento de los electrones en un slido con el de una
canica que cae por una escalera: si bien el movimiento entre dos escalones es acelerado,
la canica cae con una velocidad promedio constante igual a la mitad de la velocidad
final al llegar al escaln siguiente. Si llamamos al tiempo medio entre choque y
choque, podemos escribir:

,
2
1
2
1

m
E e
V v
f m
= = (ZZ.4)

donde m es la masa de los portadores de carga. Es razonable suponer que sea
inversamente proporcional al tamao de estos iones, esto es, si los iones son ms
grandes, mayor ser la probabilidad de choque y ser ms chica. Se define la seccin
eficaz
ef
de choque de los electrones contra los iones, que es una medida de la
probabilidad que tienen los portadores de carga de chocar contra dichos iones. Por lo
tanto, podemos suponer que es inversamente proporcional a
ef
. Combinando (ZZ.3)
y (ZZ.4) podemos escribir:

n n
e
m ef

=

1
) (
2
2
, (ZZ.5)

que indica que la resistividad es proporcional a la seccin eficaz de choque de los
portadores de carga e inversamente proporcional al nmero de portadores por unidad de
volumen, n. As se comprende que en un material metlico (n = constante), al aumentar
la temperatura, los iones que forman el cristal vibran ms alrededor de sus posiciones de
equilibrio (presentando una probabilidad mayor de colisin), lo que trae como
consecuencia un incremento de la seccin eficaz
ef
y un consecuente aumento de la
resistividad con la temperatura. Para rangos no muy grandes de temperatura, la variacin
de R con T en un conductor metlico es lineal, de la forma:

)] ( 1 [ / ) (
0 0
T T R T R + = , (ZZ.6)
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donde R
0
es la resistencia a la temperatura T
0
y es el coeficiente de variacin de la
resistencia con la temperatura, que es un parmetro caracterstico de cada material. En el
caso de semiconductores, como es por ejemplo el caso de los termistores, tipo NTC
(Negative Temperature Coefficient), se encuentra que:

[ ] ) / 1 / 1 ( exp ) ( ) (
0 0
T T T R T R = , (ZZ.7)

donde R(T
0
) es el valor de su resistencia a la temperatura T
0
y es un parmetro
caracterstico del termistor usado. En los siguientes experimentos deseamos estudiar la
validez de estas predicciones.

Un dispositivo simple para medir la variacin de la resistencia con la temperatura,
consiste en colocar un recipiente de agua o aceite, como se ilustra en la Figura zz.1, con
un termmetro para medir su temperatura. La resistencia cuyas propiedades se desean
estudiar, se sumerge en el seno del lquido, de modo que adquiera esa temperatura. Se
va agregando lquido ms caliente o ms frio para variar la temperatura. Dado que el
agua comn es conductora de la electricidad, se debe tener cuidado que esto no afecte la
resistencia que se desea medir. Sin embargo, como la resistividad del agua es alta, si se
miden resistencias menores a unos 500 , en general el agua no afecta su valor. En caso
contrario, se puede usar agua destilada o aceite que tienen resistividades mucho ms
altas.


Figura ZZ.1 Dispositivo experimental para medir la variacin de la
resistencia con la temperatura. El bao trmico consiste en un recipiente con un
lquido de poca conductividad elctrica. Un termmetro registra su temperatura
y algn mtodo de medicin de la resistencia R.

al hmetro o
medidor de
resistencia
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Proyecto 80. Variacin de la resistencia con la temperatura de un
alambre metlico por el mtodo de las cuatro puntas

Equipamiento bsico recomendado: Alambre de cobre, aluminio, hierro. Dos
multmetros para medir corrientes y tensin (milivoltios). Una fuente de tensin DC o
AC de unos 12V@2 A. Un termmetro.

Para este proyecto se requieren muestras de algunos metales puros ( 99% de pureza)
de modo de comparar fcilmente los valores medidos con los tabulados para el
mismo material. Construya un circuito similar al indicado en la Figura 27.2, para
utilizar el mtodo de las cuatro puntas o mtodo de Kelvin para medir resistencias.
Ver capitulo anterior para ms detalles sobre esta tcnica de medicin.

Seleccione alambres de materiales conocidos, por ejemplo Cu o Al de
dimetro entre 0.1 a 1 mm y longitud de unos 2 3 metros. Por comodidad para
introducir la muestra en el agua, es conveniente enrollar el alambre en forma de una
pequea bobina, evitando que las espiras estn en contacto entre s. En el caso del
cobre, esto se pude lograr fcilmente usando alambre esmaltado. En el caso del Al,
hay alambres anodizados que actan como aislantes o tambin siendo cuidadoso en la
construccin de la bobina, de modo que las espiras no se toquen. Luego se coloca
alguna resina epoxi, resistente a la temperatura para sellar esta configuracin. El
material de la bobina debe resistir un ciclo trmico de 0 a 100C sin deteriorarse.

Sugerencias de trabajo:


Si utiliza un circuito como el de la Figura 27.2, que utiliza una fuente sin
regulacin de corriente, incluya una resistencia limitadora de corriente (R
ext
) en
serie, de unos 10 a 50 y capaz de soportar algunos amperes. Si la fuente tiene
limitacin de corriente, esta resistencia no es imprescindible.
Sumerja la muestra (bobina) en el recipiente de agua (o aceite) de modo similar
a como se indica en la Figura ZZ.1. Determine el valor de R para cada
temperatura T, variando la temperatura entre 0 C y 100 C aproximadamente.
Grafique R en funcin de T, e investigue la dependencia funcional entre estas
variables pueden describirse adecuadamente los datos con una relacin lineal?
Si la relacin entre R y T es lineal, tome una de las temperaturas utilizadas como
referencia, T
0
, por ejemplo la temperatura ambiente del agua, y como R
0
la
resistencia a esta temperatura. Del grfico de R/R
0
como funcin de T,
determine la pendiente y su error. A partir de estos datos, determine el
coeficiente de variacin de la resistencia con la temperatura y su
correspondiente error.
Compare sus resultados con los valores de tabla para el coeficiente de variacin
de la resistencia con la temperatura. Discuta el grado de acuerdo o desacuerdo
Experimentos de Fsica S.Gil 2013 299
con los valores de tabla. Recuerde que rara vez los materiales comerciales son
puros, por lo tanto, son previsibles ciertas variaciones con los valores tabulados.


Proyecto 81. Variacin de la resistencia con la temperatura de una
aleacin metlica

Equipamiento bsico recomendado: Alambre de nicrom, manganina o constantn de
algunos metros y dimetro tal como para lograr una resistencia del orden de unos 50 o
mayor. Un multmetro que pueda medir resistencia elctrica en el rango 110
4
. Un
termmetro.

Hay muchas aleaciones que se utilizan para construir resistencias, en general se
caracterizan por tener altas resistividades elctricas y ser resistentes a altas temperaturas.
Por ejemplo, el constantn es una aleacin de cobre y nquel. El nicrom es una aleacin
de nquel y cromo. La manganina, por su parte, es una aleacin de cobre, manganeso y
nquel. Estos materiales son de bajo costo y se pueden adquirir en forma de alambres de
distintos dimetros. Muchos de ellos se venden con aislantes, en caso contrario, se
deben embobinar, cuidando de aislar elctricamente las distintas espiras entre s.
Construya con alguno de ellos, resistencias del orden de unos 50 o mayores. Una
resistencia as posibilita usar un hmetro para medir la resistencia, o sea el mtodo de
dos puntas.

Con un dispositivo experimental como el que se muestra en la Figura ZZ.1, estudie
experimentalmente la variacin de R con T.

Sumerja la bobina en el recipiente de agua y determine el valor de R
para cada temperatura T, variando la temperatura entre 0 C y 100 C
aproximadamente.
Grafique R en funcin de T, e investigue la dependencia funcional
entre estas variables, pueden describirse adecuadamente los datos
con una relacin lineal?
De ser posible, obtenga el coeficiente de variacin de R con la
temperatura, , y compare su valor con los de tabla.

Proyecto 82. Variacin de la resistencia con la temperatura de un
termistor

Equipamiento bsico recomendado: Un termistor NRT de resistencia menor a 1 k
a temperatura ambiente y un multmetro que pueda medir resistencia elctrica en el
rango 110
4
. Un termmetro.
Experimentos de Fsica S.Gil 2013 300
Los termistores son dispositivos semiconductores muy usados para medir
temperaturas, por su bajo costo y gran sensibilidad. La propiedad termomtrica de
los mismos es la resistencia elctrica, por lo que es importante conocer con
precisin la variacin de R con T. Sin embargo, la dependencia con la temperatura
no es simple. Como se discuti antes, Ec.(zz.7) y Anexo A, una expresin que
podra describir el comportamiento de estos componentes es:

,
1 1
exp
1 1
exp ) ( ) (
0
0
0
0
|
|

\
|
(

=
|
|

\
|
(

=
T T k
E
R
T T
T R T R
B
g

(ZZ.8)

donde T y T
0
son temperaturas absolutas, R(T
0
) = R
0
es la resistencia a T
0
, una
temperatura tomada como referencia. (=Eg/k
B
) y E
g
son constantes a
determinar experimentalmente y k
B
=1.38065x10
-23
J/k= 8.6173410
5
eV/k, es la
constante de Boltzmann.

Elija un termistor de baja resistencia (R(T
0
) < 1 k), de modo que al sumergirlo
en agua su valor no se afecte por la resistencia del agua. Si la resistencia del
termistor es menor que unos 5 k, puede comprobar que el agua no afecta su
resistencia significativamente. Si desea estudiar termistores de alta resistencia,
puede sustituir el agua del bao trmico por algn aceite no inflamable o
contaminante, por ejemplo, aceites siliconados.

Sugerencias de trabajo:
Represente grficamente la resistencia del termistor como funcin de
la temperatura y el cociente R(T)

en funcin de 1/T en escala
semilogartmica. Qu tipo de dependencia entre R y T sugiere este
grfico?
Elija una temperatura como referencia, por ejemplo, T
0
, la
temperatura ambiente. Llamemos R
0
=R(T
0
). Represente grficamente
el cociente R(T)/R
0
en funcin de 1/T en escala semilogartmica.
Indique si la expresin (ZZ.12) da cuenta adecuadamente de sus
resultados experimentales. De ser posible, obtenga el coeficiente .
Si la expresin (ZZ.12) describe adecuadamente sus resultados,
obtenga el valor de E
g
. Para una gran variedad de semiconductores E
g

<5 eV, en el caso del silicio su valor es E
g
1.12 eV.
(Opcional) Qu puede concluir respecto a la estadstica de
Boltzmann, Ec.(ZZ.10), para describir el comportamiento de los
electrones en un semiconductor a partir de este estudio?

Experimentos de Fsica S.Gil 2013 301
Preguntas
Discuta alguna de las posibles aplicaciones e implicancias de los experimentos
anteriores. Por ejemplo:
a) Si desea fabricar una resistencia patrn con la cual comparar otras
resistencias, qu parmetros son importantes de considerar para una buena
eleccin del material a usar?, elegira un metal puro o una aleacin para
construir dicha resistencia?
b) Si desea usar un resistor como sensor de temperatura, qu criterios usa para la
eleccin del material?, elegira un metal puro o una aleacin para construir
dicha resistencia?
c) Usando las ideas discutidas en esta actividad, tenga en cuenta el coeficiente de
variacin de la resistencia con la temperatura del tungsteno y discuta como
estimara la temperatura del filamento, midiendo su resistencia. Indique un
esquema experimental para realizar este experimento.

Anexo A- Modelo simple de conduccin en semiconductores

En el caso de los semiconductores, los iones tambin vibran ms al aumentar la
temperatura, pero hay adems un aumento significativo del nmero de portadores de
cargas n, al aumentar la temperatura, que tiene mayor incidencia en la conduccin. Por
lo tanto, en los semiconductores, en general, la resistividad disminuye cuando se
aumenta su temperatura.

Un modelo muy simplificado para estimar el nmero de portadores de cargas,
(electrones) en la banda de conduccin de un semiconductor, consiste en suponer que
para que estos pasen de la banda de valencia a la de conduccin, ellos deben saltar una
barrera de potencial de altura E
g
, que se denomina comnmente como band gap.
Un resultado importante de la mecnica estadstica, es que si tenemos un
conjunto de N
0
partculas a una temperatura T, que pueden estar en dos niveles de
energa, uno inferior E
1
y otro superior E
2
(con E
g
= E
2
E
1
), la distribucin de las
mismas entre estos dos niveles viene dada por la estadstica de Boltzmann:
3,4,5

) / exp(
1
2
T k E
n
n
E en pticulas de Nmero
E en particulas de Nmero
B g
1
2
= = , (ZZ.9)

con n
1
+ n
2
= N
0
y k
B
(= 1.380650310
-23
JK
-1
) es la constante de Boltzmann. De
acuerdo con este resultado, si n=n
2
<< n
1
N
0
, el nmero de electrones en la banda de
conduccin a la temperatura absoluta T ser:

) / exp(
0
T k E N n
B g
, (ZZ.10)
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donde N
0
es una constante. Por lo tanto, segn la Ec.(ZZ.5) para un semiconductor
esperaramos que:

) / exp( T k E
n
B g ef
ef

, (ZZ.11)
o bien,
[ ] ) / 1 / 1 )( / ( exp ) ( ) (
0 0
T T k E T T
B g
= , (ZZ.12)
donde (T
0
) es la resistividad del semiconductor a la temperatura de referencia T
0
.
ndice Alfabtico
Marcadores Nombre Marcador
Termistores termistor
band gap Band_gap
estadstica de Boltzmann Boltzmann

Referencias

1
D. Halliday, R. Resnik y J. Walker, Fsica para estudiantes de ciencias e ingeniera, 4 ed. (Trad. de
Fundamentals of Physics, John Wiley & Sons, Inc. New York, 1993).
2
M. Alonso y E. J. Finn, Fsica, vol.II, Campos y Ondas (Fondo Educativo Interamericano, ed. inglesa de
Addison Wesley, Reading, Mass., 1967; Fondo Educativo Interamericano, 1970).
3
M. Alonso y E. J. Finn, Fsica, vol.III, Fundamentos Cunticos y Estadsticos (Fondo Educativo
Interamericano, ed. inglesa de Addison Wesley, Reading, Mass., 1967; Fondo Educativo Interamericano,
1970).
4
Funcin de distribucin de Boltzmann, Fsica con ordenador Curso Interactivo de Fsica en Internet
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/estadistica/boltzmann/formula/formula.htm
5
Statistical mechanics, From Wikipedia, the free encyclopedia
http://en.wikipedia.org/wiki/Statistical_mechanics