FACULTAD DE INGENIERÍA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIAR MECÁNICA ELÉCTRICA Y ENERGÉTICA CURSO ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRACTICA DE LABORATORIO Nº 2

TRANSISTORES BJT

ESTUDIANTE: De La Fuente Vigil Andrés José DOCENTE: Vélez Cornejo Jomayra

Fecha:
14 de Mayo Del 2013

Nota

los dos realizan la misma función. y prácticamente todos los portadores que proceden del emisor pasen al colector. que se denominas emisor (E). Su nombre se debe a que funcionan como emisor de los portadores de carga. Como se puede ver. el más utilizado es el NPN. OBJETIVO  Familiarizarse con los transistores. estudiar y determinar las características técnicas del transistor. Las tres regiones que se forman y los terminales extraídos desde ellas se denominan de la siguiente forma: E: Emisor. que puede ser tipo N o P. cuyo objeto es captar los portadores inyectados en dicha región desde el emisor. la identificación de sus terminales. La función que realiza el transistor es básicamente amplificar. Es la región unida a la base. Es una región muy dopada.  Estudiar el funcionamiento del transistor. Aparecen dos tipos de transistores bipolares: los NPN y los PNP. mas cantidad de portadores podrá aportar a la corriente. colector (C) y base (B). A efector prácticos. Es la región central.LABORATORIO Nº 03 I. C: Colector. Y SUS CARACTERÍSTICAS. cada una de las patillas están conectadas a un bloque con material semiconductor. estrecha y poco dopada. II. Normalmente. TITULO DETERMINACIÓN DE LA CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA Y DE CONTROL DE CORRIENTE DEL TRANSISTOR. FUNDAMENTO TEÓRICO: Los transistores son componente semiconductores que tienes 3 terminales (patillas). pero las polaridades de las tenciones para su funcionamiento son diferentes. Notar que si esta zona es estreche. el dispositivo podría no funcionar como un transistor y hacerlo como si se tratase de dos diodos en oposición. una pequeña corriente de entrada permite el control de una corriente de salida mucho mayor. pero se utilizan los dos tipos según la amplificación. . que se encarga de controlar el paso de los portadores. de extensión más amplia. III. Con estas características conseguimos que en esta zona exista poca recombinación.  Establecer el funcionamiento de diferentes circuitos de polarización y comprobar las características de los transistores. Cuanto más dopaje tenga el emisor. la simbología entre PNP y NPN solo varia en el sentido de la flecha del emisor. B: Base. cuya simbología se muestra en la figura Nº 1.

o bien como un circuito abierto (I≈=) dependiendo de si estaba polarizado en directa o en inversa. Sabemos que el diodo aproximadamente la unión PN se comportaba como un cortocircuito (V≈0). respectivamente.FIGURA Nº 1: Simbología del transistor bipolar (BJT). se cumple: IE=IC+IB. Es el componente fundamental en la electrónica. y minoritarios en la base. VCE=VCB+VBE Este transistor recibe el nombre de BIPOLAR por el hecho de que la corriente que atraviesa está formada por dos tipos de portadores: mayoritarios al atravesar las regiones de emisor y colector. por lo que pueden conseguirse cuatro combinaciones de polarización posibles: Cuadro Nº 1 Unión E-B Directo Directo Inverso Inverso Unión C-B Directo Inverso Inverso directo Zona de funcionamiento Saturación Activa Corte Activa inversa Modelo aproximado Cortocircuito Amplificador Circuito abierto No se utiliza Polarización del transistor bipolar en zona activa. en sus dos tipos (NPN y PNP). su función básica es amplificar. Para las tensiones y corrientes indicadas en los símbolos de los transistores. tanto del NPN como del PNP. El transistor está formado por dos uniones PN. COMPONENTES DE LA CORRIENTE DEL TRANSISTOR. .

Nota: En esta práctica estudiaremos el transistor NPN ya que los dos transistores utilizados resultaron ser de este tipo.Con el transistor bipolar en zona activa. y por la polarización son arrastrados. esto es un efecto de amplificación. de una pastilla de guitarra. pero que son fiel reflejo a la corriente de base. al igual que los portadores minoritarios de la misma. no se recombinan en esta región poco dopada y muy estrecha. la forma de onda y frecuencia de la corriente de base es obtenida en el colector con una amplitud mucho mayor. la unión base-emisor (B-E) estará polarizada en directa y la base-colector (B-C) en inversa. a la base de un transistor. hacia el colector formando parte de la corriente inversa de la unión B-C. se logra una amplificación de la señal de entrada. Hay que tener en cuenta que las variaciones de corriente aplicadas en la base(IB) determinan unas corrientes de colector-emisor (CE) mucho mayores. se obtiene una señal de salida igual a la entrada (forma de onda y frecuencia) pero de mayor amplitud. El efecto transistor consiste en que la mayor parte de los portadores mayoritarios inyectados desde el emisor en la base (corriente en directa de la unión E-B). etc. si aplicamos una débil señal eléctrica de entrada procedente de un micrófono. FIGURA Nº 2: representación simplificada del efecto transistor (amplificación). . O sea. de una antena.. la pequeña parte que se recombinan en la región de base forma parte de la corriente de base. Por eso.

 Se polariza el BJT si Vbe aprox. C). .  La base tiene menor tamaño.Emisor. La base 100 veces menos que el colector o emisor.  Unión emisor: es la unión pn entre la base y el emisor.  El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. después el emisor y a 2 veces de espesor el colector. B. contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio.  Unión colector: es la unión pn entre la base y colector.  Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n.6 voltios (polarización directa). e inversamente la unión Base-Colector. presentando las tres zonas mencionadas (E.  En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.  Cada una de las zonas está impurificada en mayor o menor grado. FIGURA Nº 3: representación de corriente entre cada terminal (BCE) FUNCIONAMIENTO BASICO BJT npn  En el montaje EC de la figura. se polariza directamente la unión Base.El transistor NPN La constitución física del transistor bipolar NPN (el más usual de todos) se basa en dos zonas de material tipo N separadas por una zona de material tipo P. y Vce > Vbe (unión base-colector en inversa).  En la base se gobiernan dichos portadores. 0.  La corriente de emisor es aquella que pasa por la unión base-emisor polarizada en directa y depende de Vbe al igual que en un diodo pn.

 La unión pn base – emisor cumple la ecuación (Shockley)      Sustituyendo la corriente de emisor: Para una tensión base emisor superior a unas décimas de voltio. la exponencial hace despreciable la unidad del interior del paréntesis. ECUACIONES DEL DISPOSITIVO  Aplicando la 1ª Ley de Kirchhoff al BJT:  El parámetro α del BJT es el cociente corriente colector y corriente de emisor:  Oscila entre 0.9 y 0.999. ESPECIFICACIONES DE EQUIPOS. es el colector quien proporciona la mayor parte de corriente del emisor.FIGURA Nº 4: representación de corriente teniendo en cuenta la fuente variable entre B-E y C-E. INSTRUMENTOS Y MATERIALES:  Una fuente de Alimentación de C. Figura Nº 5: fuente alimentación variable de En esta práctica el voltaje de la fuente de alimentación variable que nos proporcionaba para alimentar el circuito fue de 12 V. Así pues.C. . Sustituyendo la intensidad de colector utilizando las dos primeras ecuaciones Definiendo β como: La relación entre α y β es: IV.

 Dos Multitester: Digital y Analógico En los multitester o multimeters se encuentran varios Símbolos que a veces nos ayudan a elegir bien el rango y la escala la cual se quiere utilizar estos símbolos son los siguientes: DC (Corriente Continua) ·))) (Probador de Continuidad) A (Amperios) V (Volteos) Ω (Ohmios Multitester Digital Marca: Sanwang Modelo: M8790G Figura Nº 6: instrumentos de medición.  Un protoboard Figura Nº 7: protoboard El protoboard se usa para ensamblar o armar un circuito.  Varios Resistores de Carbón Figura Nº 8: resistores de carbón  Transistores BJT Figura Nº 9: transistor PNP . una vez armado probarlo verificar el funcionamiento del circuito entes de soldarlo.

esto se explicara a continuación: Para los dos transistores de codificación diferente (BD-135 y BC-108) se verificaron las uniones de colector-base y emisor-base. PROCEDIMIENTO: Se reviso los materiales a utilizar como la fuente de alimentación. el multimetro. luego. de características distintas que se mencionaran más adelante. aplicarle voltaje (0. la otra entre el emisor y base). Figura Nº 8: En estas configuraciones de los diodos que forman la construcción del transistor nos basamos para su comprobación mediante un multimetro (colocando la escala de diodos y también se puede hacer en la escala de ohmios Así pues como el transistor tiene dos uniones que forman diodos (una entre el colector y base. realizamos las pruebas como si el transistor se tratara de dos diodos. los cuales se presentaran a continuación y se resolverán adecuadamente: Ejercicio Nº 1 Objetivos:  Comprobar el paso de corriente en el transistor. Dicha guía de práctica presenta 4 ejercicios para la solución completa. verifique la guía de práctica que se presento en el laboratorio.7 v) con una fuente externa y con el instrumento medir en cada patita que posee el transistor. así sabremos cuanta corriente circula por los bloque (E-B-C). sabemos que el transistor son dos diodos unidos mediante un punto común. Verificaremos si el transistor en PNP O NPN teniendo en cuenta las puntas del multitester. como se llevaron dos tipo (codificación diferente).  Determine el tipo de los transistores dados. así que. Explicaremos luego como realizamos estas medidas. Pues basándose en esto podemos comprobar si un transistor esta estropeado mediante un multitester. en esta se presentan varias etapas de las cuales se tendría que desarrollar cuidadosamente para no quemar los componentes (transistores). dichas uniones se pueden polarizar de forma directa o inversa. si elegimos una de las patillas del transistor cuales quiera y ubicando una punta fija (+) y la otra movible (-). para ver si no presentaban ningún daño. . por lo tanto podremos medirlo como un diodo entre las salidas respectivas.V. podremos observar y darnos cuenta que si la movible marca un valor en el display del multitester entonces es porque el transistor en NPN y si realizamos la medición eligiendo al contrario las puntas podremos verificar que en un PNP. así como los componentes. verificaremos con el instrumento que tipo son. el protoboard traído por los alumnos. Se sabe que el transistor puede tener dos tipos (NPN Y PNP) para esto el siguiente objetivo del ejercicio Nº 1 es determinar el tipo de transistor. esta contenía dos sencillos circuitos con dos transistores distintos. Para comprobar el paso de corriente en el transistor debemos conectar adecuada mente dicho transistor.

base y emisor – base Si el transistor es NPN. si apareciera un valor cero o de alta resistencia es porque la unión esta cortocircuitado o abierta. . puede haber fugas en polarización inversa y el transistor estará mal. Si no es así. Hay que tener en cuenta que se pueden dar fugas anormales (``pequeñas corrientes``) en las uniones en polarización inversa y pueden no detectarse. el resultado que aparezca en el display del multitester tiene que ser de circuito abierto. Se basa en probar las uniones base emisor y base colector como si fuera diodos y después verificar entre las patillas colector y emisor. Obviamente. o sea. salvo que las polaridades de las puntas de prueba son al revés. tocando con la punta roja (+) del multitester en la patilla base y con la punta negra (-) en el emisor o colector. en el display del multitester tiene que aparecer un valor alrededor de 0. o no darnos cuenta.65 (650 mV). Después se repite la prueba invirtiendo las puntas de prueba (punta negra en la base) para verificar que las uniones no conducen en polarización inversa. el transistor esta averiado.Figura Nº 8: graficas de cómo medir los transistores con el ohmímetro. es todo igual. que es la caída de voltaje directa de la unión. que el transistor no está mal de forma contundente. si el resultado de la prueba anterior ha sido normal. En el caso de un transistor PNP. en cualquier caso. como si las puntas estuvieran sin tocar nada. Con esta prueba se verifica que las uniones base-colector y base-emisor no están abiertas o en cortocircuito. Verificación de las uniones colector . Figura Nº 9: Representación de la prueba del transistor mediante el multitester en prueba de diodos.

Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el emisor Valor que aparece en el multimetro: 0. Para el transistor BD-135 Cuadro Nº 2 Comprobación de base . Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el colector Valor que aparece en el multimetro: 0.Luego de realizar estas mediciones y comprobar que tipo de transistor es. Polarización inversa Punta roja (+) en el emisor Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor 6.835 v 7. Polarización inversa Punta roja (+) en el colector Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor Para el transistor BC-108 Cuadro Nº 3 Comprobación de base .emisor Comprobación de base .830 v 8. Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el emisor Valor que aparece en el multimetro: 0.colector 1. Polarización inversa Punta roja (+) en el emisor Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor 2. Polarización inversa Punta roja (+) en el colector Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor . realice el siguiente cuadro donde se especifica que valores toman cada transistor al ser medidos. Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el colector Valor que aparece en el multimetro: 0.741 v 4.emisor Comprobación de base .colector 5.746 v 3.

entonces es cuadro quedara: Dibujo pictórico BD – 135 Símbolo Tensión colector emisor VCE Tensión base emisor VBE Corriente de colector IC Potencia de disipación PD Ganancia estática de intensidad Hfe (β) En activa 45 V En saturación: 0. PD y Hfe (β) Seguidamente dibujamos pictóricamente el modelo del transistor ya que en el cuadro siguiente nos indicaran que anotemos todas las características principales mencionadas y el dibujo. es decir si a la hora de que midamos entre B-E (punta roja emisor y punta negra base) hay un valor que se visualiza en el instrumento.En los cuadro Nº 2 y Nº 3 se muestra los valores que el instrumento nos arrojó a la hora de medir entre sus terminales (B-E y B-C). quiere decir que el transistor presenta pequeñas fugas de corriente explicadas anterior mente.5 v 1v 1. Para esto con la ayuda del catalogo virtual determinamos los parámetros más importantes de funcionamiento de los transistores dados. IC. VBE.3W – 0. realizamos la medición en directa y en inversa por el motivo que los valores en inversa no sean visualizados en el instrumento. Ejercicios Nº 2 Objetivo:  Determinar las características técnicas del transistor.75 W Mínima: 120 Máxima: 800 20 V 5V 100mA . determinamos las características técnicas de cada transistor (BD-135 y el BC-108). Una vez que realizamos las mediciones según los cuadros anteriormente mostrados.5 A Transistor NPN de mediana potencia (8W) Mínima: 40 Máxima: 250 BC-108 Transistor de pequeña potencia (0. y que verificamos si en realidad son PNP o NPN. Estos son: VCE.

58 6 0.16 2 0.665 0.78 4.1v a 10v teniendo en cuenta la polaridad según el esquema.2 0.75 2. en la guía de practica nos presentan una tabla.65 0.1 0. violeta. el cual nos indicaba que cortocircuitemos el colector y el emisor.51 8 0.Ejercicio Nº 3 Objetivo:  Determinar la curva característica de entrada del transistor IB = f(VBE) Para el proceso de trabajo de esta parte en la que tendríamos que ensamblar el circuito según el esquema.78 5. para esto se utilizaría una resistencia de 470Ω conectada en serie a la base del transistor BC-108.7 1. luego aplicamos una tensión continua ajustable desde 0. IB en función de la tensión Base-Emisor luego describimos los resultados obteniendo como conclusión final o siguiente: .5 0.77 3. cuyos valores de corriente de base en mA (IB mA) nos indicaban y de acuerdo con la tabla.42 10 0.61 0.77 0.4 Una vez obtenidos estos valores representamos gráficamente la curva característica de la corriente de base.73 1. Figura Nº 9: circuito con el transistor BC 108 polarización emisor común Medimos con el ohmímetro los valores de los resistores que se iban a utilizar y se obtuvo el siguiente cuadro: Cuadro Nº 4 Cuadro de resistencias N Color de cada resistor Amarillo. dorado 470Ω 470.68 4 0.78Ω Se sabe que la resistencia presenta una tolerancia que representa el 10% del valor teórico del componente. Marrón.68 0. se pedía medir la tensión de base-emisor (VBE) obteniéndose la siguiente tabla: IB en mA VBE en V VFUENTE 0.9 1 0. una vez realizado el circuito en el protoboard.

para esto se utilizaría una resistencia de 2. el cual nos indicaba que tendríamos que utilizar dos fuentes de voltaje.12 10 8 IB (mA) 6 curva caracteritica Ib=f(Vbe) 4 2 0 0 0.8v en base-emisor (VBE) mientras se aumenta la corriente en el colector (IB) ya que entre colector y emisor no hay voltaje.8 1 VBE (voltios) Esta curva representa a la entrada del transistor IB = f(VBE).4 0.2 0.2 KΩ conectada en serie a la base del transistor BD-135. luego aplicamos una tensión continua ajustable desde 0v a 12v entre base y emisor teniendo en cuenta la polaridad según el esquema y una tensión fija de 12v entre colector y emisor como se muestra en la figura siguiente. al aumentar la polarización inversa de unión base-colector no obtendremos una tensión mayor a 0. Pero como en el circuito ensamblado con el transistor BC-108 el emisor y el colector se cortocircuitaban y se configuraban como común la tensión VCE = 0. Ejercicio Nº 4 Objetivo:  Determinar la curva característica de control de corriente del transistor IC=f(IB) Para el proceso de trabajo de esta parte en la que tendríamos que ensamblar el circuito según el esquema. . La curva es similar a la del diodo. con VCE como parámetro.6 0.

Figura Nº 10: circuito con el transistor BD-135 polarizado con dos fuente de tensión.5 620 8.32 3.4 .5 2. rojo.1 3 560 7.5 290 3. cuyos valores de corriente de base en mA (IB mA) nos indicaban y de acuerdo con la tabla.80 1 183. rojo 2.2 1.5 480 6. la curva es la siguiente: IB en mA IC en mA VFUENTE 0. Ic en función de la corriente de base.12 2.98 2 390 5.156K Ω Se sabe que la resistencia presenta una tolerancia que representa el 10% del valor teórico del componente. Medimos con el ohmímetro los valores de los resistores que se iban a utilizar y se obtuvo el siguiente cuadro: Cuadro Nº 1 Cuadro de resistencias N Color de cada resistor Rojo.5 95.83 1. en la guía de practica nos presentan una tabla. IB . una vez realizado el circuito en el protoboard.2KΩ 2.38 4 660 9. se pedía medir la tensión de base-emisor (VBE) obteniéndose la siguiente tabla: Una vez obtenidos estos valores representamos gráficamente la curva característica de la corriente de colector.

Conclusión: Esto nos indica que al corriente de colector es (aproximadamente) proporcional a la corriente de base multiplicada por el factor de amplificación β (ganancia). la ganancia de corriente del transistor . El grafico de transferencia nos proporciona información sobre como varia la corriente de colector en función de la corriente de base. obtener la amplificación diferencial β en un punto. calculamos: entonces elegimos un punto cualquiera. en especial en los transistores de baja potencia en este caso en transistor BD-135. lo cual se puede representar por: IC=f(IB)│VCE =cte Mediante el grafico anterior se representa la variación de la corriente de colector en función de la variación de base. es cuestión de hacer la división entre una variación de la corriente de colector (ΔIC) y la variación de corriente de base (Δ IB) que da lugar a ello. para una determinada tensión colector emisor constante. Ahora siguiendo la curva característica. Es un grafico que se aproxima mucho a una recta. la variación de la corriente de colector va a ser de y la variación de corriente de base que da lugar a ello es de será de: . elegimos los últimos puntos: Entonces para una tensión fija VCE = 12v. para una tensión de colector emisor constante. la β. esto es la curva de transferencia.curva caracteristica 800 700 600 Axis Title 500 400 300 200 100 0 0 2 4 Axis Title 6 8 10 curva caracteristica Ic=f(Ib) Linear (curva caracteristica Ic=f(Ib)) Grafico Nº 2: grafico de la corriente de colector en función de la corriente de base. Entonces del grafico se puede deducir fácilmente el factor de amplificación de corriente.

ar/dispositivos/pdf/LAB_BIP1.  Se pudo identificar los terminales. Las medidas tanto experimentales como teóricas no siempre van a ser exactas. VI.net/luismanzanedo/el-transitor o http://lcr. VII.uns. ya que influyen bastante los instrumentos de medida y las operaciones correctas que hagamos.edu. Recomendaciones: Tener en cuenta el ensamblaje de los circuitos antes de colocar una fuente de tención. OBSERVACIONES. BIBLIOGRAFÍA: Libros o Links Rashid .slideshare. saber si el transistor era PNP o NPNP. ya que si ente no está bien elaborado el circuito podría quemarse y el circuito entraría en corto.pdf . y además consultar la hoja del fabricante. Tengamos en cuenta que tanto los instrumentos de medida como los componentes que se deben utilizar deben estar revisados y en su correcto funcionamiento antes de realizar las correctas mediciones. el primero que era la polarización con una fuente y el otro transistor con 2 fuentes. 2. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES: Observaciones: 1.Electrónica de potencia o http://www.  Como un paso más avanzado trabajamos en lo que respecta a las diversas maneras de polarizar un transistor para esta práctica se utilizaron 2.Conclusión: este es un valor de ganancia que está dentro de los normales en transistores de baja potencia como el BD-135. Conclusiones:  Este laboratorio nos permitió constatar toda la teoría base para circuitos que incluyen transistores.

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