FACULTAD DE INGENIERÍA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIAR MECÁNICA ELÉCTRICA Y ENERGÉTICA CURSO ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRACTICA DE LABORATORIO Nº 2

TRANSISTORES BJT

ESTUDIANTE: De La Fuente Vigil Andrés José DOCENTE: Vélez Cornejo Jomayra

Fecha:
14 de Mayo Del 2013

Nota

LABORATORIO Nº 03 I. pero las polaridades de las tenciones para su funcionamiento son diferentes. estrecha y poco dopada. la simbología entre PNP y NPN solo varia en el sentido de la flecha del emisor. III. estudiar y determinar las características técnicas del transistor. pero se utilizan los dos tipos según la amplificación. colector (C) y base (B). los dos realizan la misma función. A efector prácticos. La función que realiza el transistor es básicamente amplificar. Es la región unida a la base. cuya simbología se muestra en la figura Nº 1. el más utilizado es el NPN. de extensión más amplia. la identificación de sus terminales. cuyo objeto es captar los portadores inyectados en dicha región desde el emisor. Normalmente. Con estas características conseguimos que en esta zona exista poca recombinación. que se encarga de controlar el paso de los portadores. Su nombre se debe a que funcionan como emisor de los portadores de carga.  Establecer el funcionamiento de diferentes circuitos de polarización y comprobar las características de los transistores. el dispositivo podría no funcionar como un transistor y hacerlo como si se tratase de dos diodos en oposición. Es una región muy dopada. . TITULO DETERMINACIÓN DE LA CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA Y DE CONTROL DE CORRIENTE DEL TRANSISTOR. Aparecen dos tipos de transistores bipolares: los NPN y los PNP. II. Como se puede ver. que se denominas emisor (E). C: Colector. Cuanto más dopaje tenga el emisor. FUNDAMENTO TEÓRICO: Los transistores son componente semiconductores que tienes 3 terminales (patillas). que puede ser tipo N o P. Las tres regiones que se forman y los terminales extraídos desde ellas se denominan de la siguiente forma: E: Emisor. OBJETIVO  Familiarizarse con los transistores. B: Base. una pequeña corriente de entrada permite el control de una corriente de salida mucho mayor.  Estudiar el funcionamiento del transistor. cada una de las patillas están conectadas a un bloque con material semiconductor. Notar que si esta zona es estreche. y prácticamente todos los portadores que proceden del emisor pasen al colector. Es la región central. mas cantidad de portadores podrá aportar a la corriente. Y SUS CARACTERÍSTICAS.

COMPONENTES DE LA CORRIENTE DEL TRANSISTOR. tanto del NPN como del PNP. Sabemos que el diodo aproximadamente la unión PN se comportaba como un cortocircuito (V≈0). VCE=VCB+VBE Este transistor recibe el nombre de BIPOLAR por el hecho de que la corriente que atraviesa está formada por dos tipos de portadores: mayoritarios al atravesar las regiones de emisor y colector. . por lo que pueden conseguirse cuatro combinaciones de polarización posibles: Cuadro Nº 1 Unión E-B Directo Directo Inverso Inverso Unión C-B Directo Inverso Inverso directo Zona de funcionamiento Saturación Activa Corte Activa inversa Modelo aproximado Cortocircuito Amplificador Circuito abierto No se utiliza Polarización del transistor bipolar en zona activa. Es el componente fundamental en la electrónica. Para las tensiones y corrientes indicadas en los símbolos de los transistores. en sus dos tipos (NPN y PNP).FIGURA Nº 1: Simbología del transistor bipolar (BJT). respectivamente. o bien como un circuito abierto (I≈=) dependiendo de si estaba polarizado en directa o en inversa. y minoritarios en la base. El transistor está formado por dos uniones PN. se cumple: IE=IC+IB. su función básica es amplificar.

FIGURA Nº 2: representación simplificada del efecto transistor (amplificación). . al igual que los portadores minoritarios de la misma. Por eso. pero que son fiel reflejo a la corriente de base. de una antena.Con el transistor bipolar en zona activa. no se recombinan en esta región poco dopada y muy estrecha. de una pastilla de guitarra. esto es un efecto de amplificación. a la base de un transistor. y por la polarización son arrastrados.. El efecto transistor consiste en que la mayor parte de los portadores mayoritarios inyectados desde el emisor en la base (corriente en directa de la unión E-B). si aplicamos una débil señal eléctrica de entrada procedente de un micrófono. se obtiene una señal de salida igual a la entrada (forma de onda y frecuencia) pero de mayor amplitud. la unión base-emisor (B-E) estará polarizada en directa y la base-colector (B-C) en inversa. hacia el colector formando parte de la corriente inversa de la unión B-C. Hay que tener en cuenta que las variaciones de corriente aplicadas en la base(IB) determinan unas corrientes de colector-emisor (CE) mucho mayores. Nota: En esta práctica estudiaremos el transistor NPN ya que los dos transistores utilizados resultaron ser de este tipo. la forma de onda y frecuencia de la corriente de base es obtenida en el colector con una amplitud mucho mayor. etc. O sea. se logra una amplificación de la señal de entrada. la pequeña parte que se recombinan en la región de base forma parte de la corriente de base.

y Vce > Vbe (unión base-colector en inversa). C).  En la base se gobiernan dichos portadores.  La corriente de emisor es aquella que pasa por la unión base-emisor polarizada en directa y depende de Vbe al igual que en un diodo pn.El transistor NPN La constitución física del transistor bipolar NPN (el más usual de todos) se basa en dos zonas de material tipo N separadas por una zona de material tipo P.  La base tiene menor tamaño.  Unión emisor: es la unión pn entre la base y el emisor.6 voltios (polarización directa).  En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base. e inversamente la unión Base-Colector. presentando las tres zonas mencionadas (E.  Unión colector: es la unión pn entre la base y colector. . después el emisor y a 2 veces de espesor el colector.  Cada una de las zonas está impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor.  El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio.Emisor. se polariza directamente la unión Base.  Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n. 0.  Se polariza el BJT si Vbe aprox. B. FIGURA Nº 3: representación de corriente entre cada terminal (BCE) FUNCIONAMIENTO BASICO BJT npn  En el montaje EC de la figura.

9 y 0. ESPECIFICACIONES DE EQUIPOS. INSTRUMENTOS Y MATERIALES:  Una fuente de Alimentación de C.999. . Sustituyendo la intensidad de colector utilizando las dos primeras ecuaciones Definiendo β como: La relación entre α y β es: IV.FIGURA Nº 4: representación de corriente teniendo en cuenta la fuente variable entre B-E y C-E.  La unión pn base – emisor cumple la ecuación (Shockley)      Sustituyendo la corriente de emisor: Para una tensión base emisor superior a unas décimas de voltio. Así pues. ECUACIONES DEL DISPOSITIVO  Aplicando la 1ª Ley de Kirchhoff al BJT:  El parámetro α del BJT es el cociente corriente colector y corriente de emisor:  Oscila entre 0.C. la exponencial hace despreciable la unidad del interior del paréntesis. Figura Nº 5: fuente alimentación variable de En esta práctica el voltaje de la fuente de alimentación variable que nos proporcionaba para alimentar el circuito fue de 12 V. es el colector quien proporciona la mayor parte de corriente del emisor.

una vez armado probarlo verificar el funcionamiento del circuito entes de soldarlo.  Un protoboard Figura Nº 7: protoboard El protoboard se usa para ensamblar o armar un circuito. Dos Multitester: Digital y Analógico En los multitester o multimeters se encuentran varios Símbolos que a veces nos ayudan a elegir bien el rango y la escala la cual se quiere utilizar estos símbolos son los siguientes: DC (Corriente Continua) ·))) (Probador de Continuidad) A (Amperios) V (Volteos) Ω (Ohmios Multitester Digital Marca: Sanwang Modelo: M8790G Figura Nº 6: instrumentos de medición.  Varios Resistores de Carbón Figura Nº 8: resistores de carbón  Transistores BJT Figura Nº 9: transistor PNP .

realizamos las pruebas como si el transistor se tratara de dos diodos. por lo tanto podremos medirlo como un diodo entre las salidas respectivas. así sabremos cuanta corriente circula por los bloque (E-B-C). en esta se presentan varias etapas de las cuales se tendría que desarrollar cuidadosamente para no quemar los componentes (transistores). . el protoboard traído por los alumnos. si elegimos una de las patillas del transistor cuales quiera y ubicando una punta fija (+) y la otra movible (-). sabemos que el transistor son dos diodos unidos mediante un punto común. el multimetro. Verificaremos si el transistor en PNP O NPN teniendo en cuenta las puntas del multitester. Figura Nº 8: En estas configuraciones de los diodos que forman la construcción del transistor nos basamos para su comprobación mediante un multimetro (colocando la escala de diodos y también se puede hacer en la escala de ohmios Así pues como el transistor tiene dos uniones que forman diodos (una entre el colector y base. de características distintas que se mencionaran más adelante. Dicha guía de práctica presenta 4 ejercicios para la solución completa. Explicaremos luego como realizamos estas medidas. como se llevaron dos tipo (codificación diferente). verifique la guía de práctica que se presento en el laboratorio. esta contenía dos sencillos circuitos con dos transistores distintos. la otra entre el emisor y base). para ver si no presentaban ningún daño. luego. Se sabe que el transistor puede tener dos tipos (NPN Y PNP) para esto el siguiente objetivo del ejercicio Nº 1 es determinar el tipo de transistor.V. dichas uniones se pueden polarizar de forma directa o inversa. PROCEDIMIENTO: Se reviso los materiales a utilizar como la fuente de alimentación. así como los componentes. esto se explicara a continuación: Para los dos transistores de codificación diferente (BD-135 y BC-108) se verificaron las uniones de colector-base y emisor-base. así que.7 v) con una fuente externa y con el instrumento medir en cada patita que posee el transistor. Para comprobar el paso de corriente en el transistor debemos conectar adecuada mente dicho transistor. verificaremos con el instrumento que tipo son.  Determine el tipo de los transistores dados. Pues basándose en esto podemos comprobar si un transistor esta estropeado mediante un multitester. podremos observar y darnos cuenta que si la movible marca un valor en el display del multitester entonces es porque el transistor en NPN y si realizamos la medición eligiendo al contrario las puntas podremos verificar que en un PNP. los cuales se presentaran a continuación y se resolverán adecuadamente: Ejercicio Nº 1 Objetivos:  Comprobar el paso de corriente en el transistor. aplicarle voltaje (0.

o sea. el resultado que aparezca en el display del multitester tiene que ser de circuito abierto. si apareciera un valor cero o de alta resistencia es porque la unión esta cortocircuitado o abierta. Con esta prueba se verifica que las uniones base-colector y base-emisor no están abiertas o en cortocircuito. en el display del multitester tiene que aparecer un valor alrededor de 0.Figura Nº 8: graficas de cómo medir los transistores con el ohmímetro. Figura Nº 9: Representación de la prueba del transistor mediante el multitester en prueba de diodos. Verificación de las uniones colector . salvo que las polaridades de las puntas de prueba son al revés. que es la caída de voltaje directa de la unión. Después se repite la prueba invirtiendo las puntas de prueba (punta negra en la base) para verificar que las uniones no conducen en polarización inversa. tocando con la punta roja (+) del multitester en la patilla base y con la punta negra (-) en el emisor o colector. que el transistor no está mal de forma contundente. el transistor esta averiado.65 (650 mV). puede haber fugas en polarización inversa y el transistor estará mal. es todo igual. . si el resultado de la prueba anterior ha sido normal. Hay que tener en cuenta que se pueden dar fugas anormales (``pequeñas corrientes``) en las uniones en polarización inversa y pueden no detectarse. Se basa en probar las uniones base emisor y base colector como si fuera diodos y después verificar entre las patillas colector y emisor. como si las puntas estuvieran sin tocar nada.base y emisor – base Si el transistor es NPN. Obviamente. En el caso de un transistor PNP. en cualquier caso. o no darnos cuenta. Si no es así.

746 v 3. Para el transistor BD-135 Cuadro Nº 2 Comprobación de base .colector 5. Polarización inversa Punta roja (+) en el colector Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor Para el transistor BC-108 Cuadro Nº 3 Comprobación de base .colector 1.741 v 4. Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el colector Valor que aparece en el multimetro: 0. Polarización inversa Punta roja (+) en el emisor Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor 2.Luego de realizar estas mediciones y comprobar que tipo de transistor es.emisor Comprobación de base . Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el emisor Valor que aparece en el multimetro: 0. Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el emisor Valor que aparece en el multimetro: 0. realice el siguiente cuadro donde se especifica que valores toman cada transistor al ser medidos. Polarización inversa Punta roja (+) en el colector Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor .830 v 8.emisor Comprobación de base .835 v 7. Polarización inversa Punta roja (+) en el emisor Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor 6. Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el colector Valor que aparece en el multimetro: 0.

VBE. realizamos la medición en directa y en inversa por el motivo que los valores en inversa no sean visualizados en el instrumento. determinamos las características técnicas de cada transistor (BD-135 y el BC-108). PD y Hfe (β) Seguidamente dibujamos pictóricamente el modelo del transistor ya que en el cuadro siguiente nos indicaran que anotemos todas las características principales mencionadas y el dibujo.3W – 0.5 v 1v 1.75 W Mínima: 120 Máxima: 800 20 V 5V 100mA . Para esto con la ayuda del catalogo virtual determinamos los parámetros más importantes de funcionamiento de los transistores dados. y que verificamos si en realidad son PNP o NPN. Una vez que realizamos las mediciones según los cuadros anteriormente mostrados.En los cuadro Nº 2 y Nº 3 se muestra los valores que el instrumento nos arrojó a la hora de medir entre sus terminales (B-E y B-C).5 A Transistor NPN de mediana potencia (8W) Mínima: 40 Máxima: 250 BC-108 Transistor de pequeña potencia (0. quiere decir que el transistor presenta pequeñas fugas de corriente explicadas anterior mente. Estos son: VCE. es decir si a la hora de que midamos entre B-E (punta roja emisor y punta negra base) hay un valor que se visualiza en el instrumento. IC. Ejercicios Nº 2 Objetivo:  Determinar las características técnicas del transistor. entonces es cuadro quedara: Dibujo pictórico BD – 135 Símbolo Tensión colector emisor VCE Tensión base emisor VBE Corriente de colector IC Potencia de disipación PD Ganancia estática de intensidad Hfe (β) En activa 45 V En saturación: 0.

5 0.42 10 0.1v a 10v teniendo en cuenta la polaridad según el esquema.61 0.78 4. luego aplicamos una tensión continua ajustable desde 0.1 0.78 5.68 4 0.77 0.7 1. en la guía de practica nos presentan una tabla. cuyos valores de corriente de base en mA (IB mA) nos indicaban y de acuerdo con la tabla.73 1.78Ω Se sabe que la resistencia presenta una tolerancia que representa el 10% del valor teórico del componente.16 2 0.2 0.4 Una vez obtenidos estos valores representamos gráficamente la curva característica de la corriente de base.9 1 0. el cual nos indicaba que cortocircuitemos el colector y el emisor. Marrón. dorado 470Ω 470. Figura Nº 9: circuito con el transistor BC 108 polarización emisor común Medimos con el ohmímetro los valores de los resistores que se iban a utilizar y se obtuvo el siguiente cuadro: Cuadro Nº 4 Cuadro de resistencias N Color de cada resistor Amarillo.77 3.58 6 0.Ejercicio Nº 3 Objetivo:  Determinar la curva característica de entrada del transistor IB = f(VBE) Para el proceso de trabajo de esta parte en la que tendríamos que ensamblar el circuito según el esquema.665 0.65 0.68 0. para esto se utilizaría una resistencia de 470Ω conectada en serie a la base del transistor BC-108.51 8 0. se pedía medir la tensión de base-emisor (VBE) obteniéndose la siguiente tabla: IB en mA VBE en V VFUENTE 0. violeta.75 2. una vez realizado el circuito en el protoboard. IB en función de la tensión Base-Emisor luego describimos los resultados obteniendo como conclusión final o siguiente: .

La curva es similar a la del diodo. el cual nos indicaba que tendríamos que utilizar dos fuentes de voltaje. al aumentar la polarización inversa de unión base-colector no obtendremos una tensión mayor a 0.2 KΩ conectada en serie a la base del transistor BD-135. Pero como en el circuito ensamblado con el transistor BC-108 el emisor y el colector se cortocircuitaban y se configuraban como común la tensión VCE = 0.8v en base-emisor (VBE) mientras se aumenta la corriente en el colector (IB) ya que entre colector y emisor no hay voltaje. para esto se utilizaría una resistencia de 2. con VCE como parámetro. .8 1 VBE (voltios) Esta curva representa a la entrada del transistor IB = f(VBE).2 0. Ejercicio Nº 4 Objetivo:  Determinar la curva característica de control de corriente del transistor IC=f(IB) Para el proceso de trabajo de esta parte en la que tendríamos que ensamblar el circuito según el esquema. luego aplicamos una tensión continua ajustable desde 0v a 12v entre base y emisor teniendo en cuenta la polaridad según el esquema y una tensión fija de 12v entre colector y emisor como se muestra en la figura siguiente.6 0.4 0.12 10 8 IB (mA) 6 curva caracteritica Ib=f(Vbe) 4 2 0 0 0.

Figura Nº 10: circuito con el transistor BD-135 polarizado con dos fuente de tensión. rojo 2.5 2.98 2 390 5. Medimos con el ohmímetro los valores de los resistores que se iban a utilizar y se obtuvo el siguiente cuadro: Cuadro Nº 1 Cuadro de resistencias N Color de cada resistor Rojo.12 2.5 95.5 480 6.5 620 8. cuyos valores de corriente de base en mA (IB mA) nos indicaban y de acuerdo con la tabla. rojo. la curva es la siguiente: IB en mA IC en mA VFUENTE 0.83 1. en la guía de practica nos presentan una tabla.38 4 660 9. Ic en función de la corriente de base.1 3 560 7. una vez realizado el circuito en el protoboard. IB .156K Ω Se sabe que la resistencia presenta una tolerancia que representa el 10% del valor teórico del componente.2 1.80 1 183.32 3.5 290 3.4 . se pedía medir la tensión de base-emisor (VBE) obteniéndose la siguiente tabla: Una vez obtenidos estos valores representamos gráficamente la curva característica de la corriente de colector.2KΩ 2.

la variación de la corriente de colector va a ser de y la variación de corriente de base que da lugar a ello es de será de: . Entonces del grafico se puede deducir fácilmente el factor de amplificación de corriente. calculamos: entonces elegimos un punto cualquiera. en especial en los transistores de baja potencia en este caso en transistor BD-135. para una determinada tensión colector emisor constante. esto es la curva de transferencia. para una tensión de colector emisor constante. obtener la amplificación diferencial β en un punto. El grafico de transferencia nos proporciona información sobre como varia la corriente de colector en función de la corriente de base. la ganancia de corriente del transistor . Conclusión: Esto nos indica que al corriente de colector es (aproximadamente) proporcional a la corriente de base multiplicada por el factor de amplificación β (ganancia). Es un grafico que se aproxima mucho a una recta. la β. elegimos los últimos puntos: Entonces para una tensión fija VCE = 12v. es cuestión de hacer la división entre una variación de la corriente de colector (ΔIC) y la variación de corriente de base (Δ IB) que da lugar a ello. lo cual se puede representar por: IC=f(IB)│VCE =cte Mediante el grafico anterior se representa la variación de la corriente de colector en función de la variación de base. Ahora siguiendo la curva característica.curva caracteristica 800 700 600 Axis Title 500 400 300 200 100 0 0 2 4 Axis Title 6 8 10 curva caracteristica Ic=f(Ib) Linear (curva caracteristica Ic=f(Ib)) Grafico Nº 2: grafico de la corriente de colector en función de la corriente de base.

Recomendaciones: Tener en cuenta el ensamblaje de los circuitos antes de colocar una fuente de tención. VI.slideshare. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES: Observaciones: 1.Electrónica de potencia o http://www. 2.ar/dispositivos/pdf/LAB_BIP1. BIBLIOGRAFÍA: Libros o Links Rashid .net/luismanzanedo/el-transitor o http://lcr. saber si el transistor era PNP o NPNP.  Se pudo identificar los terminales.  Como un paso más avanzado trabajamos en lo que respecta a las diversas maneras de polarizar un transistor para esta práctica se utilizaron 2.Conclusión: este es un valor de ganancia que está dentro de los normales en transistores de baja potencia como el BD-135. Las medidas tanto experimentales como teóricas no siempre van a ser exactas. ya que influyen bastante los instrumentos de medida y las operaciones correctas que hagamos. Conclusiones:  Este laboratorio nos permitió constatar toda la teoría base para circuitos que incluyen transistores.pdf . Tengamos en cuenta que tanto los instrumentos de medida como los componentes que se deben utilizar deben estar revisados y en su correcto funcionamiento antes de realizar las correctas mediciones. ya que si ente no está bien elaborado el circuito podría quemarse y el circuito entraría en corto. el primero que era la polarización con una fuente y el otro transistor con 2 fuentes. y además consultar la hoja del fabricante. VII.uns. OBSERVACIONES.edu.

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