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Diodo Schottky

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, dejando de lado la regin Zener, que es cuando existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en inversa ste opere de forma similar a como lo hara regularmente.

Smbolo del diodo Schottky Funcionamiento A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy bajo, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales. As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho ms rpida. Caractersticas La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo cido.

La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de frecuencia (inverters) para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por los transistores IGBT del chopper, lo cual conducira a su rpido deterioro. Cuando el motor se comporta como generador, la corriente circula hacia el bus de continua a travs de los diodos y no es absorbida por los IGBTs. El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia. Parmetros y formulas La corriente a travs de una unin de metal-semiconductor se debe principalmente a portadores mayoritarios. Tres mecanismos claramente diferentes existen: difusin de portadores del semiconductor en el metal, la emisin termoinica de portadores a travs de la barrera de Schottky y la mecnica cuntica-tnel a travs de la barrera. La teora de la difusin supone que la fuerza de accionamiento se distribuye en toda la longitud de la capa de agotamiento. La teora de la emisin termoinica por otro lado postula que los nicos portadores energticos, aquellos, que tiene una energa igual a o mayor que la energa de banda de conduccin en la interfase metal-semiconductor, contribuyen al flujo de corriente. Mecnica cuntica tnel a travs de la barrera de toma en cuenta la naturaleza ondulatoria de los electrones, lo que les permite penetrar a travs de barreras delgadas. En un cruce determinado, una combinacin de los tres mecanismos podran existir. Sin embargo, por lo general se encuentra que un solo mecanismo actual domina. El anlisis revela que la difusin y las corrientes de emisin termoinica se puede escribir de la siguiente forma:

(3.4.1)
Esto indica que la expresin actual es el producto de la carga electrnica, q, la velocidad a, v, y la densidad de portadores disponibles en el semiconductor situado junto a la interfaz. La velocidad es igual a la movilidad multiplica por el campo en la interfaz para la corriente de difusin y la velocidad Richardson (ver seccin 3.4.2 ) para la emisin termoinica actual. El trmino menos uno asegura que la corriente es cero si no se aplica

voltaje como en equilibrio trmico cualquier movimiento de los portadores es equilibrada por un movimiento de los portadores en la direccin opuesta. La corriente tnel es de una forma similar, a saber:

(3.4.2)
donde v es la velocidad de Richardson y n es la densidad de portadores en el semiconductor. El trmino de probabilidad de efecto tnel, Q, se aade desde la corriente total depende del flujo portador de llegar a la barrera de tnel multiplicado con la probabilidad, Q, que tnel a travs de la barrera.
R

3.4.1. La difusin actual Este anlisis supone que la capa de agotamiento es grande en comparacin con el recorrido libre medio, de modo que los conceptos de la deriva y difusin son vlidos. La densidad de corriente resultante es igual a:

(3.4.3)
La corriente por lo tanto depende exponencialmente de la tensin aplicada, una V, y la altura de la barrera, B f. El prefactor puede ser ms fcilmente comprendido si se la vuelve a escribir como una funcin del campo elctrico en la interfase metal-semiconductor, max:

(3.4.4) Rendimiento: (3.4.5)


de modo que el prefactor es igual a la corriente de deriva en la interfase metalsemiconductor, que para el cero de la tensin aplicada equilibra exactamente la corriente de difusin. 3.4.2 emisin termoinica La teora de la emisin termoinica de electrones, se supone que con una energa mayor que la parte superior de la barrera, cruzar la barrera siempre que moverse hacia la barrera. La forma real de la barrera de la presente se ignoran. La corriente se puede expresar como:

(3.4.6)

Donde Schottky.

es la constante de Richardson y f B es la altura de la barrera de

La expresin para la corriente debido a la emisin termoinica tambin puede ser escrito como una funcin de la velocidad media con la que los electrones en el enfoque de interfaz de la barrera. Esta velocidad se conoce como la velocidad Richardson dada por:

(3.4.7)

De modo que la densidad de corriente se convierte en:

(3.4.8)
Construccin

Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un semiconductor, segn lo indicado en la figura N2. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo.

En una deposicin de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran haca el metal, creando una regin de transicin en la ensambladura.

Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los 100V.

APLICACIONES - En fuentes de baja tensin en la cuales las cadas en los rectificadores son significativas. - Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa. - Variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades. - El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia. DESVENTAJAS Las dos principales desventajas del diodo Schottky son: - El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en sentido de la flecha). Esta caracterstica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en que la

cantidad de corriente que tiene que conducir en sentido directo es bastante grande. - El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR). El proceso de rectificacin antes mencionado tambin requiere que la tensin inversa que tiene que soportar el diodo sea grande. Ejemplos: Serie de diodos rectificadores de Si "1N4001-1N4007" Diotec Electronic Corp. es uno de los fabricantes de la "Series 1N4001-1N4007 1Amp General Purpose Silicon Diodes". Son 7 diodos (1N4001/2/3/4/5/6/7) que pueden funcionar entre -65 y 175oC, poseen una IoMax = 5 A y VRMax = 50, 100, 200, 400, 600, 800, 1000 V respectivamente. Vienen con encapsulado "DO-41" de plstico (4.1 mm de largo, 2.6 mm de dimetro) y con una masa de 0.34 g.

Diodo Schottky "1N60" International Semiconductors, Inc. y Central Semiconductors fabrican un "1N60 Germanium Glass Diode" hecho con Ge (Gold Bonded Technology), que puede funcionar entre -55 y 70oC, y posee una corriente inversa mxima de IoMax = 40 A y VRMax 20 V. Viene en el encapsulado "DO-7" de vidrio (menos de 8mm de largo, casi 3mm de dimetro) y con una masa de 0.2g. Este componente tambin existe en silicio. Weitron y Formosa MicroSemi Co., LTD. fabrican un "1N60 Schottky Barrier Diode" o "Small Signal Schottky Diode" (Silicon Epitaxial Planar), que puede funcionar entre -65 y 95oC aproximadamente, y posee una IoMax = 0.1 A y VRMax 40 V. Viene en el encapsulado "DO-35" de vidrio (menos de 5mm de largo, 2mm de dimetro) y con una masa de 0.13g.
Temperatura de operacin El diodo Schottky se centra en la reduccin de las altas corrientes de fuga que resultan con temperaturas cercanas a 100C. A travs del diseo, actualmente es posible encontrar disponibles unidades mejoradas que tienen rangos de operacin que van de -65 a +150C A temperatura ambiente, Is se encuentra en el rango de los microamperios para unidades de baja potencia y en el rango de los miliamperios para dispositivos de alta potencia, aunque es comnmente mayor el rango encontrado cuando se utilizan dispositivos de unin p-n con los limites de corriente.

DIODO PIN Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia un semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Las regiones de tipo p y tipo n son tpicamente fuertemente dopado ya que se utilizan para contactos hmicos.

Capas de un diodo PIN La regin intrnseca de ancho est en contraste con una simple diodo PN. La regin intrnseca de ancho hace que el diodo PIN un rectificador inferior (una funcin tpica de un diodo), pero hace que el diodo PIN adecuado para los atenuadores, interruptores rpidos, fotodetectores, y aplicaciones de alta potencia de tensin de electrnica.

Smbolo del diodo PIN

El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P y otra n fuertemente dopadas, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes y como fotodetector. Su smbolo se presenta en la imagen.

Funcionamiento
Diodos PIN se utilizan como resistencias controladas por corriente en RF y frecuencias de microondas, con resistencias que pueden ir desde una fraccin de un ohm cuando se polariza directamente, o sobre, a ms de 10 kW cuando polarizacin inversa, o apagado. A diferencia de las tpicas diodos de unin pn, diodos PIN tienen una capa adicional de material semiconductor altamente resistiva intrnseca (la I en PIN) intercalada entre el material de P y N (Figura 1).

Figura 1. Diodo PIN. Cuando un diodo PIN est polarizado directamente, de los orificios desde el material P y electrones del material N se inyectan en la regin I. Los cargos no pueden recombinarse instantneamente; la cantidad finita de tiempo requerido para que se recombinan se

denomina tiempo de vida. Esto provoca una carga neta almacenada en la regin I, la reduccin de su resistencia a un valor designado como R S, la eficacia en la resistencia del diodo (Figura 2a). Cuando una tensin en sentido inverso o cero sesgo se aplica, el diodo aparece como una gran resistencia, R P, en paralelo con una capacitancia, C T (Figura 2b). Mediante la variacin de la geometra del diodo, es posible adaptar los diodos PIN para tener una variedad de combinaciones de R S T y C para satisfacer las necesidades de las aplicaciones de circuitos diferentes y gamas de frecuencias.

Figura 2. Circuitos de diodos PIN equivalentes. a) ON, IBIAS >> 0. b) OFF, VBIAS V 0. Formulas: La carga almacenada en un diodo PIN se puede aproximar por la ecuacin 1.
(1)

donde: Q S = carga almacenada = diodo tiempo de vida I SS = corriente de estado estable Para activar el diodo de encendido o apagado, la carga almacenada se debe inyectar o quitar. La tarea del conductor es inyectar o quitar esta carga almacenada con gran rapidez. En los casos en que el tiempo de conmutacin es menor que el tiempo de vida del diodo, la corriente mxima (I P) requerida para efectuar el cambio rpido se puede aproximar por la ecuacin 2.
(2)

donde: t = tiempo necesario cambiar I SS = la corriente en estado estacionario proporcionada por el controlador que establece el diodo PIN en la resistencia, R S = portador de toda la vida El controlador de inyeccin o extraccin de corriente, o en punta de corriente, i, puede ser expresada por la Ecuacin 3.

(3)

donde: C = capacitancia de los condensadores del controlador de salida, o clavar las tapas v = tensin a travs de los condensadores de salida dv / dt = tasa de tiempo de cambio de voltaje a travs de los condensadores Caractersticas
Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz. Para estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. Un diodo PIN obedece a la ecuacin del diodo estndar para seales de baja frecuencia. A frecuencias ms altas, el diodo se parece a una casi perfecta (muy lineal, incluso para seales grandes) resistencia. Hay una gran cantidad de carga almacenada en la regin intrnseca. A bajas frecuencias, la carga se puede quitar y el diodo se apaga. A frecuencias ms altas, no hay tiempo suficiente para retirar la acusacin, por lo que el diodo nunca se apaga. El diodo PIN tiene un pobre tiempo de recuperacin inversa. La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la polarizacin de corriente de corriente a travs del diodo. Un diodo PIN, convenientemente sesgada, por lo tanto, acta como una resistencia variable. Esta resistencia de alta frecuencia puede variar en un amplio intervalo (de 0,1 ohm a 10 kW en algunos casos; el rango til es ms pequeo, aunque). La regin intrnseca de ancho tambin significa que el diodo tendr una capacitancia baja cuando polarizacin inversa. En un diodo PIN, la regin de agotamiento existe casi completamente dentro de la regin intrnseca. Esta regin de agotamiento es mucho ms grande que en un diodo PN, y casi constante de tamao, independiente de la polarizacin inversa aplicada al diodo. Esto aumenta el volumen en el que pares electrn-hueco pueden ser generados por un fotn incidente. Algunos fotodector dispositivos, tales como fotodiodos PIN y fototransistores (en el que la unin base-colector es un diodo PIN), utilice una unin pin en su construccin. El diodo diseo tiene algunas ventajas y desventajas de diseo. El aumento de las dimensiones de la regin intrnseca (y su carga almacenada) permite que el diodo para parecerse a una resistencia a frecuencias ms bajas. Se afecta negativamente el tiempo necesario para apagar el diodo y su capacidad en paralelo. Diodos PIN ser adaptado para un uso particular.

Aplicaciones Diodos PIN son tiles como conmutadores de RF, atenuadores, y fotodetectores. RF y microondas interruptores

Un diodo PIN RF Switch Microondas.

Bajo el sesgo de cero o inversa, un diodo PIN tiene una baja capacitancia. La baja capacitancia no pasar mucho de una seal de RF. En virtud de una polarizacin directa de 1 mA, un diodo PIN tpico tendr una resistencia RF de aproximadamente 1 ohm, lo que es un buen conductor de RF. Por consiguiente, el diodo PIN hace que un conmutador de RF buena. Aunque los rels de RF se pueden utilizar como interruptores, cambian muy lentamente (en el orden de 10 milisegundos). Un interruptor de diodo PIN puede cambiar mucho ms rpidamente (por ejemplo, 1 microsegundo). La capacitancia de un diodo PIN fuera discreta podra ser 1 pF. En 320 MHz, la reactancia de 1 pF es de unos 500 ohmios. En un sistema de 50 ohmios, la atenuacin estado off sera de alrededor de 20 dB, lo cual puede no ser suficiente atenuacin. En las aplicaciones que necesitan un mayor aislamiento, conmutadores se conectan en cascada para mejorar el aislamiento. En cascada de tres de los interruptores anteriores dara 60 dB de atenuacin. Interruptores de diodo PIN se utilizan no slo para la seleccin de la seal, pero tambin se utilizan para la seleccin de componentes. Por ejemplo, algunos osciladores de bajo ruido de fase utilizar diodos PIN para variar inductores de conmutacin. RF y microondas atenuadores variables

Un diodo PIN RF Atenuador de Microondas.

Al cambiar la corriente de polarizacin a travs de un diodo PIN, es posible cambiar rpidamente la resistencia a la RF. A altas frecuencias, el diodo PIN aparece como una resistencia cuyo valor es una funcin inversa de la corriente de avance. Por consiguiente, el diodo PIN se puede utilizar en algunos diseos variables atenuador como moduladores de amplitud o circuitos de salida de nivelacin. Diodos PIN pueden ser utilizados, por ejemplo, como el puente y las resistencias en derivacin en un atenuador de puente-T.

Limitadores Diodos PIN se utiliza a veces como dispositivos de proteccin de entrada para sondas de alta frecuencia de prueba. Si la seal de entrada est dentro del alcance, el diodo PIN tiene poco impacto como una pequea capacitancia. Si la seal es grande, entonces el diodo PIN comienza a conducir y se convierte en una resistencia que desva la mayor parte de la seal a tierra. Fotodetectores y clula fotovoltaica El fotodiodo PIN fue inventado por Jun-ichi Nishizawa y sus colegas en 1950. Fotodiodos PIN se utiliza en fibra ptica de las tarjetas de red y switches. Como un fotodetector, el diodo PIN est polarizado inversamente. En polarizacin inversa, el diodo no conduce normalmente (salvo una pequea corriente de oscuridad o fugas yo s). Un fotn de entrar en la regin intrnseca libera un portador. El campo de polarizacin inversa barre el portador fuera de la regin y crea una corriente. Algunos detectores pueden utilizar multiplicacin por alud . El PIN clula fotovoltaica trabaja en el mismo mecanismo. En este caso, la ventaja de utilizar una estructura PIN sobre la unin de semiconductor convencional es la respuesta de longitud de onda ms larga de la primera. En el caso de la irradiacin de longitud de onda larga, los fotones de penetrar profundamente en la clula. Pero slo los pares electrn-hueco generados en y cerca de la regin de agotamiento contribuir a la generacin actual. La regin de agotamiento de una estructura de pasador se extiende a travs de la regin intrnseca, profundamente en el dispositivo. Esta anchura ms amplia permite agotamiento electrn-hueco generacin de par profundamente dentro del dispositivo. Esto aumenta la eficiencia cuntica de la clula. Por lo general, de silicio amorfo de pelcula delgada clulas utilizan estructuras PIN. Por otro lado, CdTe clulas utilizan estructura NIP, una variacin de la estructura PIN. En una estructura NIP, una capa de CdTe intrnseca est intercalado por n-dopado CdS y ZnTe p-dopado. Los fotones inciden en la capa n-dopada a diferencia de un diodo PIN. Un fotodiodo PIN tambin puede detectar los rayos X y fotones de rayos gamma.

PIN-Diode Bias Interface


Conexin del controlador de interruptor de circuito de control para un diodo PIN de manera que puede girar diodos encendido y apagado mediante la aplicacin de una polarizacin directa o inversa es una tarea difcil. El circuito de polarizacin tpicamente utiliza un filtro de paso bajo entre el circuito de RF y el controlador de conmutacin. La

Figura 5 muestra un solo polo doble tiro (SPDT) RF y su circuito de polarizacin. Cuando se implementa correctamente, filtros L1/C2 L3/C4 y permitir que las seales de control que se aplica a la patilla diodos D1-D4 con una mnima interaccin con la seal de RF, que se conmuta de RF a puerto 1 o puerto 2. Estos elementos permiten que las seales de frecuencia relativamente ms bajos de control para pasar a travs de los diodos PIN pero mantener la seal de alta frecuencia se escape de la trayectoria de la seal RF. Prdida errante de energa de RF no deseada significa la prdida de insercin superior del interruptor. Los condensadores C1, C3, C5 y bloquear la polarizacin de corriente que es aplicada a los diodos de la invasin de los circuitos de la ruta de la seal RF. Inductor L2, en la va de retorno de corriente continua al suelo, permite dc y de baja frecuencia del controlador de interruptor de seales de pase con facilidad, pero presenta una alta impedancia en frecuencias de microondas y RF, reducir la prdida de la seal de RF.

Ejemplo de diodos SFH203 o BPW43 son baratos los diodos PIN para fines generales en 5 mm caja de plstico transparente con ancho de banda superior a 100 MHz. Se utilizan en sistemas de telecomunicaciones y otras aplicaciones de circuitos.