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COMPONENTES DE ELCTRONICA DE POTENCIA

Formacin

Componentes de elctronica de potencia

Diodos Transistores: Bipolares Mosfet IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Tiristores: SCR-Silicon Controled Rectifier GT0-Gate turn Off thyristor MCT MOS controlled thyristor FCT-Field controlled thyristor EST Emitter Switched Thyristor. IGTT Insulated Gatev Turn-Off thyristor GCT Gate conmutated thyristor IGCT Integrated Gate conmutated thyristor

Formacin

Requisitos da cumplir
Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin). Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia. Ser capaces de soportar altas tensiones cuando est en estado de bloqueo y grandes intensidades, con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro. Este requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.

Formacin

Aplicacin dependiendo de la potencia y frecuencia

MARGEN DE POTENCIA (VA)

SCR
107 106 105 104 103 102 10 102 103 104 105 106 107 108 FRECUENCIA (Hz)

GTO BJT IGBT MOSFET

M. F. Cabanas:

Formacin

Diodo de potencia

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

Caracterstica esttica: VRRM: tensin mxima.


CORRIENTE INVERSA

inversa

VD: tensin de codo. ideal

RUPTURA POR TENSIN INVERSA

rd
real (asinttico)

V
Formacin

Parmetros caractersticos en bloqueo

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. Tensin inversa continua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

Formacin

Parmetros caractersticos en conduccin

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin.

Formacin

Comportamiento dinmico
Diodo en conduccin Si desde el ciruito exterior se fuerza la anulacin de la corriente mediante la aplicacin de una tensin inversa El diodo conducir en sentido inverso durante un cierto tiempo

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste. trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb. tb/ ta (factor de suavidad SF)
Formacin

trr Influye en la conmutacin y por lo tanto si el tiempo de conmutacin no es despreciable tenemos consecuencias inmediatas: Se limitan las frecuencias de funcionamiento. Existe una disipacin de frecuencia durante el tiempo de recuperacin inversa. Factores de los que depende trr: A mayor Irr menor trr. Cuanto mayor sea la I principal del diodo mayor sera trr. El proceso de cambio de bloqueo a conduccin no es inmediato sino que el diodo necesita un tiempo llamado tiempo de recuperacin directo (tfr)
Formacin

Valores lmites de intensidad


Las perdidas ms importantes son las debidas a la conduccin siendo notables las de conmutacin a frecuencias elevadas. VALORES TPICOS DE INTENSIDAD
Diodo IFAV IFDC IFRMS IFAV IFSM i2dt IR ID,IR IGT Tiristor ITAV ITRMS ITAV ITSM i2dt Descripcin Intensidad lmite permanente Valor medio aritmtico admisible de intensidad directa senoidal a 180 y 40/60 Hz Corriente Continua Mayor c.c. admisible en sentido directo Intensidad lmite eficaz Valor eficaz de la max. intensidad directa en rgimen permanente Intensidad continua lmite Media aritmtica max. admisible permanente directa. Int. lmite de impulsos Valor de cresta mximo admisible en un semioscilacin de 10ms a 50Hz Intensidad de carga lmite Intensidad de bloqueo Corriente que circula por el diodo en estado de bloqueo Intensidad de bloqueo positiva o negativa Intensidad superior de disparo

Formacin

Potencias
Se definen las siguientes potencias en el diodo: Potencia mxima disipable (Pmx): Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo. Potencia media disipada (PAV): Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas. Se define como: Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM): Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM): Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.

PT(AV) = U o I m + I 2 ef R

Formacin

Encapsulados de diodos

1N4148 (Si)

DO 201

DO 204

1N4007 (Si)

Formacin

Agrupacin de diodos
2 diodos en ctodo comn Puente de diodos Anillo de diodos

+
+ -

B380 C3700 (Si)

BYT16P-300A (Si)

B380 C1500 (Si)

HSMS2827 (Schottky Si)


Formacin

Encapsulado de diodos
D 61 TO 220 AC

DOP 31 DO 5

TO 247 B 44

Formacin

Tipos de diodos

TENSIN INVERSA MXIMA VRR DIODOS STANDARD DIODOS FAST DIODOS ULTRA FAST DIODOS SCHOTTKY 100 V 600 V 100 V 1000 V 200 V 800 V 15 V 150 V

MXIMACORRIENTE DIRECTA If 1 A 50 A 1 A 50 A 1 A 50 A 1 A 150 A

TIEMPO DE CONDUCCIN trr > 1s 100 ns 500 ns 20 ns 100 ns < 2 ns

Formacin

Transistores de potencia
Existen tres tipos: Bipolar Unipolar (Transistores de efecto de campo) IGBT.

Formacin

Transistores de potencia

BJT

Canal P JFET Canal N

PNP NPN

IGBT

FET MESFET Canal N


MOSFET
BJT:Transistores bipolares de unin. FET: Transistores de efecto de campo. JFET: Transistores de efecto de campo de unin. MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor. MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor. IGBT: Transistores de puerta aislada.
Formacin

Caractersticas del MOS y Bipolar


Parmetros MOS Bipolar

Impedancia de entrada

Alta (1010 ohmios)

Media (104 ohmios)

Ganancia en corriente

Alta (107)

Media (10-100)

Resistencia ON (saturacin)

Media / alta

Baja

Resistencia OFF (corte)

Alta

Alta

Voltaje aplicable

Alto (1000 V)

Alto (1200 V)

Mxima temperatura de operacin

Alta (200C)

Media (150C)

Frecuencia de trabajo

Alta (100-500 Khz)

Baja (10-80 Khz)

Coste

Alto

Medio

Formacin

Caractersticas IGBT

El IGBT, ofrece las ventajas de entrada del MOS, y la capacidad de corriente de transistores bipolares.
Trabaja con tensin. Tiempos de conmutacin bajos Disipacin de la potencia mucho mayores (como bipolares)

Formacin

Terminales de conexin

IGBT
B=BASE B=BASE C=COLECTOR C=COLECTOR E=EMISOR E=EMISOR TRANSISTORES TRANSISTORES BIPOLARES BIPOLARES LOS LOS FET FET PUEDEN PUEDEN CONMUTAR CONMUTAR A A FRECUENCIAS M S ALTAS QUE FRECUENCIAS MS ALTAS QUE LOS LOS BIPOLARES BIPOLARES Y Y NECESITAN NECESITAN MENOS MENOS CORRIENTE CORRIENTE DE DE PUERTA PUERTA PARA N PARA ENTRAR ENTRAR EN EN SATURACI SATURACIN O O CORTE CORTE G=PUERTA G=PUERTA ((GATE GATE)) D=DRENADOR D=DRENADOR ((DRAIN DRAIN)) S=FUENTE S=FUENTE ((SOURCE SOURCE)) TRANSISTORES TRANSISTORES DE DE EFECTO EFECTO DE DE CAMPO CAMPO
Formacin

Transistores bipolares

Colector (N) Base (P)

NPN

Emisor (N)
IB[mA] 100 Curvas de entrada 0

Entrada

VCE= 5V VCE=0

Referencias normalizadas

IC IB +
B VBE C

VBE[V] 0,6

+ VCE -

Formacin

Curva de salida

Curvas de salida
Referencias normalizadas

IC [mA] 40 20

IB= 400A IB= 300A IB= 200A IB= 100A IB=0A VCE [V]

IC IB +
B VBE C

+ VCE 0

IEC0 =IC0(1+F)
Formacin

Caractersticas

Las principales caractersticas a conocer de este tipo de componentes son: IC: Intensidad mxima de colector. UCEO:: Tensin de ruptura colector-emisor con base abierta. Pmax: Potencia mxima disipable en rgimen continuo. UCEsat:Tensin colector-emisor en saturacin. hFE:Ganancia de intensidad en corriente continua o ganancia esttica de corriente.

Formacin

Comportamiento en corte-saturacin.

SATURACIN

CORTE

Formacin

Transistores unipolares
FET: formado FET: Field Field Effect Effect Transistor. Transistor. Transistor Transistor de de efecto efecto de de campo. campo. Est Est formado por por una os extremos una barra barra de de material material semiconductor semiconductor de de silicio silicio tipo tipo P Po oN N en en cuy cuyos extremos se se establece hmico. Tambi n se establece un un contacto contacto hmico. Tambin se les les conoce conoce como como transistores transistores uni unipolares. n la - en polares. En En los los de de canal canal N N la la conducci conduccin la producen producen e een los los de de canal canal P P huecos. huecos. Hay Hay 3 3 tipos: tipos: JFET JFET Junction Junction Field Field Effect Effect Transistor Transistor MESFET MESFET Metal Metal Semiconductor Semiconductor Transistor Transistor MOSFET MOSFET Metal Metal Oxide Oxide Semiconductor Semiconductor Transistor Transistor

(MOSFET)

D G
Canal N Conduccin debida a electrones

S D
Canal P Conduccin debida a huecos

G S

Formacin

Curva caracterstica de los MOSFET

2,5K
D G

ID + VDS -

ID [mA] 4 2
VGS = 4,5V VGS = 4V VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V

+ VGS

10V

12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V Comportamiento resistivo Comportamiento como fuente de corriente Comportamiento como circuito abierto

Formacin

Encapsulados

TO 220

D 61

TO 247

TO 3

Formacin

Curvas de salida reales de un MOSFET

Influencia de la temperatura 25 C 175 C

Formacin

(IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor


Este dispositivo aparece en los aos 80 Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente

C
MOSFET Bipolar

G E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET) Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)
Formacin

Caractersticas
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Pequeas variaciones de entrada y de carga Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja potencia (<100 kHz)
Formacin

Modos de funcionamiento

SATURACIN

CORTE

Formacin

Tiristor
LOS ) SON LOS TIRISTORES TIRISTORES (SCR (SCR Silicon Silicon controlled controlled rectifiers rectifiers) SON DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS DE DE CARACTER STICAS MUY CARACTERSTICAS MUY SIMILARES SIMILARES A A LOS LOS DIODOS DIODOS PERO PERO QUE QUE DISPONEN DISPONEN DE DE UN N Y UN TERMINAL TERMINAL PARA PARA SU SU PUESTA PUESTA EN EN CONDUCCI CONDUCCIN Y OCASIONALMENTE OCASIONALMENTE DE DE OTRO GTOs Gate ) OTRO PARA PARA SU SU APAGADO APAGADO ( (GTOs Gate turn turn off off Transistors Transistors) SON S ANTIGUOS NICA DE SON UNO UNO DE DE LOS LOS DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS M MS ANTIGUOS EN EN ELECTR ELECTRNICA DE POTENCIA: POTENCIA: 1957 1957 General General Electric Electric

SON SON DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS EXTREMADAMENTE EXTREMADAMENTE ROBUSTOS ROBUSTOS Y Y CAPACES CAPACES DE DE MANEJAR MANEJAR GRANDES GRANDES POTENCIAS POTENCIAS POR POR ESO ESO SE SE SIGUEN SIGUEN UTILIZANDO UTILIZANDO ACTUALMENTE ACTUALMENTE

CTODO NODO

TIRISTOR SCR

DIAC

TRIAC

GTO
Formacin

Tiristor SCR

Tiene una enorme capacidad de manejar potencia Son muy robustos Seguir teniendo aplicaciones debido a que es de los semiconductores con mayor capacidad de manejar potencia

Formacin

Caracterstica V-I
IA nodo A Puerta Ctodo K VAK Tensin de ruptura por avalancha VBO Polarizacin directa: si no se ha disparado, no conduce VAK Zona de transicin IG Polarizacin directa: una vez disparado, conduce como un diodo

IA

Corriente de cebado(IL) Corriente de mantenimiento (IH)

Con polarizacin inversa se comporta como un diodo: no conduce El SCR se apaga de forma natural cuando la corriente pasa por cero
Formacin

Encapsulados SCR
ADD A PACK MAGN A PACK

PACE PACK

TO-200

Formacin

Ejemplo de funcionamiento

Disparo

R1

VR VR

VT

VT

Formacin

GTO Gate Turn-Off Thirystor


En muchas aplicaciones, el hecho de no poder apagar el SCR es un grave problema El GTO solventa ese inconveniente Con corriente entrante por puerta, se dispara Con corriente saliente por puerta, se apaga

Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia Es muy robusto Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia Es muy robusto Soporta altas tensiones Puede manejar corrientes elevadas La cada de tensin en conduccin es relativamente baja Como todos los elementos bipolares el GTO es controlado por corriente
Formacin

C G

Fases de conmutacin

Encendido (Tur-ON): Presencia de tensin directa entre nodo y ctodo. Inyectar una corriente entrante por la puerta. En el caso de un SCR la corriente necesaria por puerta es de 1A sin embargo para poner en conduccin un GTO el consumo por puerta es mucho mayor. Estado de conduccin normal (On State) La tensin entre nodo y ctodo del GTO en conduccin es menor que la de un tiristor convencional.

Formacin

Apagado del tiristor (Turn Off) El apagado de un GTO en conduccin se realiza aplicando una corriente negativa por puerta. Durante el apagado hay un momento en el que se genera un aumento de la tensin directa, la cual podra provocar un redisparo del elemento. Estado de bloqueo (Blocking State) Se comporta como un SCR

Formacin

Seales de V e I durante el apagado.

Formacin

La puerta del GTO

Debe ser capaz de encender al GTO con un pulso de alta intensidad (IGM). Debe mantener la conduccin del GTO proporcionando un pulso en puerta constante durante la conduccin, es decir, una intensidad mnima de puerta (IG). Debe ser capaz de proporcionar intensidad negativa de valor suficiente como para apagar al GTO (IGQ). Debe reforzar la capacidad de bloqueo inverso del componente por medio de una tensin negativa o al menos una resistencia de baja impedancia.

Formacin

Parmetros relativos a la puerta del GTO

Formacin

DIAC Y TRIAC
EL , SU EL DIAC DIAC NO NO ES ES UN UN INTERRUPTOR INTERRUPTOR, SU COMPORTAMIENTO COMPORTAMIENTO ES ES . SIMILAR SIMILAR AL AL DE DE UN UN DIODO DIODO Y Y ES ES BIDIRECCIONAL BIDIRECCIONAL.

CTODO

NODO

DIAC

CUANDO N ENTRE TODO SOBREPASA CUANDO LA LA TENSI TENSIN ENTRE ANODO ANODO Y YC CTODO SOBREPASA UN UN DETERMINADO N LA N PN DETERMINADO UMBRAL UMBRAL ENTRA ENTRA EN EN CONDUCCI CONDUCCIN LA UNI UNIN PN CORRESPONDIENTE CORRESPONDIENTE TRABAJANDO TRABAJANDO EL EL DISPOSITIVO DISPOSITIVO COMO COMO UN UN DIODO. DIODO. CUANDO CUANDO LA LA CORRIENTE CORRIENTE PASA PASA POR POR CERO CERO SE SE PRODUCE PRODUCE EL APAGADO Y DEJA DE CONDUCIR. SI LA TENSI N NODO EL APAGADO Y DEJA DE CONDUCIR. SI LA TENSIN NODO C TODO CAMBIA CTODO CAMBIA DE DE POLARIDAD POLARIDAD SE SE PRODUCE PRODUCE LA LA ENTRADA ENTRADA EN EN CONDUCCI N DE N OPUESTA CONDUCCIN DE LA LA UNI UNIN OPUESTA SUELE SUELE UTILIZARSE UTILIZARSE COMO COMO DISPOSTIVO DISPOSTIVO PARA PARA EL EL DISPARO DISPARO DE DE TIRISTORES TIRISTORES

CTODO NODO

TRIAC

EL EL TRIAC TRIAC TRABAJA TRABAJA COMO COMO UNA UNA PAREJA PAREJA DE DE TIRISTORES TIRISTORES EN EN ANTIPARALELO QUE PUEDE CONDUCIR EN AMBOS SENTIDOS. ANTIPARALELO QUE PUEDE CONDUCIR EN AMBOS SENTIDOS. CUANDO N NODO TODO ES CUANDO LA LA TENSI TENSIN NODO C CTODO ES POSITIVA POSITIVA Y Y SE SE INTRODUCE INTRODUCE CORRIENTE CORRIENTE POR POR PUERTA PUERTA CONDUCE CONDUCE EL EL SCR SCR DE DE LA LA IZQUIERDA. N NODO-CTODO ES IZQUIERDA. CUANDO CUANDO LA LA TENSI TENSIN NODO-CTODO ES NEGATIVA NEGATIVA Y Y SE SE EXTRAE EXTRAE CORRIENTE CORRIENTE DE DE LA LA PUERTA PUERTA CONDUCE CONDUCE EL EL SCR SCR DE DE LA DERECHA LA DERECHA
Formacin

Rectificador no controlado
INDUCTANCIA DE CARGA INFINITA

Id CONTINUA D3 D5

Id

UA

UR US UT

+ + +

D1

UR US UT

D1

D3

D5

D1

D3

UA
t

Ud D4 D6 D2 UB Ud Id IR IS IT
Armni cos 6k 1

UB D2 D4 D6 D2 UdM
2 ULNEA

DESPRECIABLES

Ud = UA UB

t t t t

D1 CONDUCE SI: UR>US y UR>UT D3 si: US>UR y US>UT D5 si: UT>UR y UT>US D4 si: UR<US y UR<UT D6 si: US<UR y US<UT D2 si: US<UR y US<UT

UdM = 1,35 ULNEA


El primer armnico de cada corriente est EN FASE con la tensin

Formacin

Rectificador semicontrolado

Formacin

Rectificador totalmente controlado


Id UR US UT
+ + +

U
A

T1

T3

T5 Ud

U U R U S
T

T
1

T
3

T
5

T
1

T
3

T
5

U
A

T4

T6

T2

U U B U UT d S
dM

FUNCIONAMIENTO PARA NGULO DE DISPARO =30


LA TENSIN DE SALIDA DEL RECTIFICADOR SE OBTIENE COMO DIFERENCIA ENTRE LA TENSIN DEL PUNTO A Y LA DEL PUNTO B: UA-UB PARA NGULOS DE DISPARO MENORES DE 90 SE OBTIE-NE TENSIN DE SALIDA POSITIVA, PARA VALORES MAYORES LA TENSIN DE SALIDA ES NEGATIVA. PARA =90 EL VALOR MEDIO DE Ud ES 0

UR UR 2 US US 4 UT UT UT 6 UR UR 2US US 4 S T T R T R S R T R S Ud = UA UB

d
Disparo

t t t t t t t
Formacin

T1 Disparo
Disparo Disparo

T2

T3

T4 Disparo T5 Disparo T6

Formacin

Rectificador semicontrolado

Formacin

Rectificador de 12 pulsos
RECTIFICADOR DE 12 PULSOS CON MONTAJE EN SERIE

Id
+

IR1

T1

T3

T5 Ud/2

Ud

UR US UT

+ + +

IR y D d

T4

T6

T2
-

Id
+

IR2

T1

T3

T5 Ud/2

TRANSFORMADOR TRIF TRIFSICO DE 3 DEVANADOS

T4

T6

T2
Formacin

Inversor VSI
+ 0 -

Vd 2 Vd 2

T1 R

D1 S

T3

D3 T D6

T5

D5

M
T2 D2

CADA TRANSISTOR CONDUCE DURANTE UN PERIODO DE 180 (Tiempo durante el cual su seal de puerta est activa) EL RESULTADO DE LA CONDUCCIN DE LOS TRANSISTORES ES UNA ONDA ESCALONADA (POSITIVA Y NEGATIVA) EN LA ALIMENTACIN DEL MOTOR LOS DIODOS EN ANTIPARALELO PERMITEN LA CIRCULACIN DE LA CORRIENTE INDUCTIVA EN EL SENTIDO CONTRARIO AL PERMITIDO POR LOS TRANSISTORES TANTO LA TENSIN DE ALIMENTACIN DEL MOTOR COMO LA CORRIENTE CIRCULANTE POR L PRESENTAN UN ELEVADO CONTENIDO EN ARMNICOS

T4

D4

T6

Inversor VSI o Six step alimentando un motor asncrono trifsico


T1 T6 PUEDEN SER TRANSISTORES BIPOLARES, MOSFET, GTOS IGBTS O INCLUSO TIRISTORES CON CIRCUITO DE BLOQUEO TRABAJANDO EN CONMUTACIN

SIEMPRE CONDUCEN SIMULTNEAMENTE 3 TRANSISTORES T1 ,T2, T3 T2 ,T3 ,T4 T3 ,T4 ,T5, T4 ,T5, ,T6
LAS SEALES DE PUERTA DE LOS TRANSISTORES ESTN DESFASADAS 60.

Formacin

Puerta Puerta T1 T2 Puerta Puerta T3 Puerta T4 Puerta T5

60

+
Vd 2

T1 R 0

D1 S

T3

D3 T

T5

D5

M
T6 D6 T2 D2

TV 6 R0 VS0 VT0 VRS

Vd 2

T4

D4

Inversor VSI o Six step alimentando un motor asncrono trifsico

Vd

VST
SI LA CARGA DEL INVERSOR (Motor) EST CONECTADA EN ESTRELLA LAS TENSIONES DE FASE PRESENTAN 6 ESCALONES (Six Step)

VTR

Formacin

VR R VRS VTR VST S T VS VT

VR VS VT VRS

2 Vd 3

1 Vd 3

ESTE TIPO DE INVERSOR NO PERMITE MODIFICAR LAS TENSIONES DE SALIDA A MENOS QUE LA FUENTE DE CC QUE LO ALIMENTE SEA VARIABLE (Rectificador controlado, troceador, etc.) LA FRECUENCIA DE LAS TENSIONES GENERADAS POR EL INVERSOR SE CONTROLA VARIANDO LA FRECUENCIA DE LAS SEALES DE DISPARO QUE LLEGAN A LOS SEMICONDUCTORES: ES POSIBLE ALIMENTAR EL MOTOR A FRECUENCIA

Vd

VST

VTR

VARIABLE

Formacin

Inversor PWM
COMPARACIN DE UNA SEAL MODULADORA Y UNA PORTADORA PARA LA OBTENCIN DE UNA SERIE DE PULSOS CUADRADOS DE UNA DETERMINADA FRECUENCIA Y DURACIN VARIABLE (DUTY CYCLE VARIABLE)

MODULACIN EN ANCHO DE PULSO O PWM

SE AL MODULADORA SEAL MODULADORA (f=1 ) (f=1 kHz kHz) SE AL PORTADORA SEAL PORTADORA (f= (f= 10kHz) 10kHz) SE AL MODULADA SEAL MODULADA PWM PWM SENOIDAL SENOIDAL

ARM NICO FUNDAMENTAL ARMNICO FUNDAMENTAL (f=1 ) (f=1 kHz kHz)

Formacin

MODULACIN EN ANCHO DE PULSO


LA AMPLITUD DE LA SEAL MODULADA ES PROPORCIONAL A LA AMPLITUD DE LA SEAL MODULADORA LA FRECUENCIA DEL ARMNICO FUNDAMENTAL DE LA SEAL MODULADA ES IDNTICA A LA FRECUENCIA DEL ARMNICO FUNDAMENTAL DE LA SEAL MODULADORA SE DENOMINA MODULACIN EN AMPLITUD O NDICE DE MODULACINI (ma ) A LA RELACIN ENTRE LA AMPLITUD DE LA SEAL MODULADORA Y LA PORTADORA. VARA ENTRE 0 Y 1: CUANDO VALE 0 LA TENSIN DE SALIDA ES MNIMA, CUANDO VALE 1 ES MXIMA SE DENOMINA MODULACIN EN FRECUENCIA (mf ) A LA RELACIN ENTRE LA FRECUENCIA DE LA SEAL PORTADORA Y LA MODULADORA. ESTA RELACIN ES NORMALMENTE MLTIPLO DE 3 Y MAYOR QUE 9

Formacin

ESTRUCTURA DE LOS ACCIONAMIENTOS INDUSTRIALES CON INVERSORES PWM

UR

+ + +

D1

D3

D5

L Ud

Id C

T1 R

D1 S D4

T3

D3 T D6

T5

D5

M
T2 D2

UT

D4

D6

D2

T4

T6

T1 T6 PUEDEN SER TRANSISTORES BIPOLARES, MOSFET, GTOS IGBTS O INCLUSO TIRISTORES CON CIRCUITO DE BLOQUEO TRABAJANDO EN CONMUTACIN (ACTUALMENTE IGBTS)

LAS SEALES DE DISPARO DE LOS TRANSISTORES SE OBTIENEN A PARTIR DE TRES SEALES MODULADAS PWM DESFADAS 120 UNA PARA CADA FASE O RAMA DE TRANSISTORES (Se obtienen desfasando 120 la moduladora) CUANDO LA SEAL ES POSITIVA CONDUCE EL TRANSISTOR DE LA PARTE SUPERIOR Y CUANDO ES NEGATIVA LO HACE EL INFERIOR

El orden de conduccin de los tiristores es: T1 T2 T3 T4 T5 T6 T1 ....

Formacin

ESTRUCTURA DE LOS ACCIONAMIENTOS INDUSTRIALES CON INVERSORES PWM

UR

+ + +

D1

D3

D5

L Ud

Id C

T1 R

D1 S D4

T3

D3 T D6

T5

D5

M
T2 D2

UT

D4

D6

D2

T4

T6

LA TENSIN DE SALIDA ES IDNTICA A LA SEAL MODULADA PWM UTILIZADA PARA EL DISPARO DE LOS TIRISTORES. SUS VALORES MXIMO Y MNIMO SON RESPECTIVAMENTE

Ud/2 y Ud/2

LA AMPLITUD Y FRECUENCIA DE LA TENSIN DE SALIDA SE AJUSTAN VARIANDO LA AMPLITUD Y LA FRECUENCIA DE LA SEAL MODULADORA LA FRECUENCIA DE LA PORTADORA DETERMINA LA FRECUENCIA DE CONMUTACIN DE LOS TRANSISTORES

LA FRECUENCIA DE LA MODULADORA DETERMINA LA FRECUENCIA DE LA TENSIN DE SALIDA DEL INVERSOR

Formacin

+
Vd 2

T1 R 0

D1 S

T3

D3 T

T5

D5

M
T6 D6 T2 D2

MR MS MT

MODULADORAS

T4

D4

Inversor PWM alimentando un motor asncrono trifsico LA RELACIN ENTRE LAS FRECUENCIAS DE LA PORTADORA Y LAS MODULADORAS TIENE QUE SER MLTIPLO DE 3 PARA QUE SE OBTENGAN LAS 3 ONDAS TRIFSICAS EQUILIBRADAS DESFASADAS 120 EN INVERSORES COMERCIALES LA MODULACIN EN FRECUENCIA mf SUELE SER UN VALOR ELEVADO (>9). LA FRECUENCIA DE CONMUTACIN EN VARIADORES CON IGBTs ES TPICAMENTE DE 4 10 kHz

VR0 VS0 VT0 VRS

Formacin

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