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).
La tensin umbral (tambin
llamada barrera de potencial) de
polarizacin directa coincide en
valor con la tensin de la zona
de carga espacial del diodo no
polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera
de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la
corriente ligeramente, alrededor
del 1% de la nominal. Sin
embargo, cuando la tensin
externa supera la tensin
umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para
pequeos incrementos de
tensin se producen grandes
variaciones de la intensidad de
corriente.
Corriente mxima (I
max
).
Es la intensidad de corriente
mxima que puede conducir el
diodo sin fundirse por el efecto
Joule. Dado que es funcin de la
cantidad de calor que puede
disipar el diodo, depende sobre
todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de
saturacin (I
s
).
Es la pequea corriente que se
establece al polarizar
inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn-
hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por
cada incremento de 10 en la
temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que
circula por la superficie del diodo
(ver polarizacin inversa), esta
corriente es funcin de la
tensin aplicada al diodo, con lo
que al aumentar la tensin,
aumenta la corriente superficial
de fugas.
Tensin de ruptura (V
r
).
Es la tensin inversa mxima
que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto
avalancha.
Tericamente, al polarizar
inversamente el diodo, este
conducir la corriente inversa de
saturacin; en la realidad, a partir de
un determinado valor de la tensin,
en el diodo normal o de unin
abrupta la ruptura se debe al efecto
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avalancha; no obstante hay otro tipo
de diodos, como los Zener, en los
que la ruptura puede deberse a dos
efectos:
Efecto avalancha (diodos poco
dopados). En polarizacin
inversa se generan pares
electrn-hueco que provocan la
corriente inversa de saturacin;
si la tensin inversa es elevada
los electrones se aceleran
incrementando su energa
cintica de forma que al chocar
con electrones de valencia
pueden provocar su salto a la
banda de conduccin. Estos
electrones liberados, a su vez,
se aceleran por efecto de la
tensin, chocando con ms
electrones de valencia y
liberndolos a su vez. El
resultado es una avalancha de
electrones que provoca una
corriente grande. Este fenmeno
se produce para valores de la
tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy
dopados). Cuanto ms dopado
est el material, menor es la
anchura de la zona de carga.
Puesto que el campo elctrico E
puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la
distancia d; cuando el diodo est
muy dopado, y por tanto d sea
pequeo, el campo elctrico
ser grande, del orden de
310
5
V/cm. En estas
condiciones, el propio campo
puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia
incrementndose la corriente.
Este efecto se produce para
tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6
V la ruptura de estos diodos
especiales, como los Zener, se
puede producir por ambos efectos.
AMPERMETRO
Es un instrumento que sirve para
medir la intensidad de corriente que
est circulando por
un circuito elctrico. Un
microampermetro est calibrado en
millonsimas de amperio y un
miliampermetro en milsimas de
amperio.
VOLTMETRO
Es un instrumento que sirve para
medir la diferencia de
potencial entre dos puntos de
un circuito elctrico.
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FUENTE DE ALIMENTACIN
En electrnica, una fuente de
alimentacin es un dispositivo que
convierte la tensin alterna de la red
de suministro, en una o varias
tensiones, prcticamente continuas,
que alimentan los distintos circuitos
del aparato electrnico al que se
conecta
(ordenador, televisor, impresora, rou
ter, etc.).
VOLTAJE
Es la presin que ejerce una fuente
de suministro de energa elctrica
sobre las
cargas elctricas o electrones en un
circuito elctrico cerrado, para que
se establezca el flujo de una
corriente elctrica.
A mayor diferencia de potencial
sobre las cargas elctricas o
electrones contenidos en un
conductor, mayor ser el voltaje o
tensin existente en el circuito al
que corresponda ese conductor.
.
3. Desarrollo experimental
Se hace el montaje experimental
colocando el circuito
correspondiente al diodo y su
resistencia teniendo en cuenta que
su conexin o serie sea perfecta
para que nos permita realizar esta
experiencia obteniendo datos para
realizar mediante un proceso de
formulas de la ley de ohm
pero antes de eso se obtienen
valores de voltaje y corriente por
medio del voltmetro y ohmmetro.
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4. Clculos y anlisis De
Resultados
Grafica1. Tabla de datos
Vr(V) I(mA) R()
8.67 0.01949 444.84
8.09 0.01778 455.00
6.96 0.01557 447.01
5.633 0.01349 417.56
4.485 0.01141 393.07
4.180 0.00918 455.33
3.209 0.00707 644.37
2.280 0.00498 457.83
1.374 0.00300 458.00
0.437 0.00095 460.00
Grafica2. R para cada pareja de
datos (Voltaje-Corriente)
1374
000300
45800
0437
000095
46000
R%=
444.84+455.00+447.01+417.56+393
.07+455.33+644.37+457.83+458.00
+460.00
9
=514.77
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6
V(x) I(y) Y*X X^2
0.719 19,49 14.01 0,51
0,715 17,78 12,71 0,51
0,710 15,57 11,05 0,50
0,696 13,49 9,30 0,48
0,690 11,41 7,87 0,47
0,688 9,18 6,31 0,47
0,677 7,07 4,78 0,45
0,663 4,98 3.30 0,43
0,642 3,00 1,92 0,41
0.592 0,95 0.56 0,35
6,15 102,9 97,41 4,58
102,9=(6,15) m +10b (-0.615)
97,41=(4,58) m +6,15b
-59,9=-2.81 m 6,15b
37,51 =1,77 m
Pendiente
m =
m= 21,1
102,9= 6,15 (21,1) x 10 b
= b
b = -2,68
y = m x +b
X
1 =
= 1.04
Determinamos la grafica linealizada
I(Y) V(X)
19,49
1.04
17,78
0,96
15,57
0,86
13,49
0,76
11,41
0,66
9,18
0,56
7,07
0,46
4,98
0,36
3,00
0,26
0,95
0,17
Anlisis
Conduccin no hmica se
caracteriza por los grficos no lineal
de la tensin actual vs. Esto ocurre
en las uniones de semiconductores,
soluciones electrolticas, algunos
slidos inicos no en solucin ,
gases ionizados, y los tubos de
vaco.
dopaje es el proceso intencional de
agregar impurezas en un
semiconductor extremadamente
puro con el fin de cambiar sus
propiedades elctricas. Las
impurezas utilizadas dependen del
tipo de semiconductores a dopar.
Tipos de materiales dopantes
Tipo N
Se llama material tipo N al que
posee tomos de impurezas que
permiten la aparicin
de electrones sin huecos asociados
a los mismos. Los tomos de este
tipo se llaman donantes ya que
"donan" o entregan electrones.
Suelen ser de valencia cinco, como
el Arsnico y el Fsforo. De esta
forma, no se ha des balanceado la
neutralidad elctrica, ya que el
tomo introducido al semiconductor
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es neutro, pero posee un electrn
no ligado, a diferencia de los
tomos que conforman la estructura
original, por lo que la energa
necesaria para separarlo del tomo
ser menor que la necesitada para
romper una ligadura en el cristal
de silicio
Tipo P
Se llama as al material que tiene
tomos de impurezas que permiten
la formacin de huecos sin que
aparezcan electrones asociados a
los mismos, como ocurre al
romperse una ligadura. Los tomos
de este tipo se llaman aceptores, ya
que "aceptan" o toman un electrn.
Suelen ser de valencia tres, como
el Aluminio, el Indio o el Galio.
Nuevamente, el tomo introducido
es neutro, por lo que no modificar
la neutralidad elctrica del cristal,
pero debido a que solo tiene tres
electrones en su ltima capa
de valencia, aparecer una ligadura
rota, que tender a tomar electrones
de los tomos prximos, generando
finalmente ms huecos que
electrones, por lo que los primeros
sern los portadores mayoritarios y
los segundos los minoritarios.
Tipos de diodos
Diodos PIN
El diodo PIN es un diodo que
presenta una regin P fuertemente
dopada y otra regin N tambin
fuertemente dopada, separadas por
una regin de material que es casi
intrnseco. Este tipo de diodos se
utiliza en frecuencias de
microondas.
Diodos Varactores (Varicap)
Los diodos varactores [llamados
tambin varicap (diodo con
capacitancia-voltaje variable) o
sintonizadores] son
semiconductores dependientes del
voltaje, capacitores variables. Su
modo de operacin depende de la
capacitancia que existe en la unin
P-N cuando el elemento est
polarizado inversamente.
El diodo tnel
Los diodos semiconductores
obtenidos con un grado de
contaminacin del material bsico
mucho ms elevado que lo habitual
exhiben una caracterstica tensin-
corriente muy particular. La
corriente comienza por aumentar de
modo casi proporcional a la tensin
aplicada hasta alcanzar un valor
mximo, denominado corriente de
cresta. A partir de este punto, si se
sigue aumentando la tensin
aplicada, la corriente comienza a
disminuir y lo siga haciendo hasta
alcanzar un mnimo, llamado
corriente de valle, desde el cual de
nuevo aumenta
5. Conclusiones
Realizadas las experiencias se
comprob que existe una
dependencia lineal en un sistema
de voltaje versus intensidad
obtenindose una constante de
proporcionalidad, la
resistencia, que es lo que sostiene
la Ley de Ohm. As mismo quedo de
manifiesto a
travs del grficos de las
mediciones que en el caso de la
ampolleta no existe una relacin
lineal entre el voltaje y la intensidad,
esto se debe a que la resistencia
interna aumentara
conforme aumenta la temperatura
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del filamento esto explica su
crecimiento parablico,
obtenindose un valor para su
resistencia no hmico. En el caso
del diodo estudiado
experimentalmente tambin se llego
a la conclusin de ser un
componente semiconductor
de resistencia no hmica, dado que
se necesita un voltaje determinado
para que recin
entonces sea capaz de permitir el
paso a la corriente elctrica;
adems es aislante en la
direccin contraria al paso de la
corriente, esto se comprob al
invertir el diodo y realizar
una medicin de intensidad que
tuvo como resultado un valor cero.
Bibliografa
http://www.electronicafacil.net/tutori
ales/tipos-de-diodos.php
(30-03-11)
science.jrank.org/pages/.../Electrical
-Conductivity-Non-ohmic-
conductors.html
http://translate.google.com.co/transl
ate?hl=es&langpair=en|es&u=http://
phetcolorado.edu/en/simulation/ohm
s-law
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Graficacion de datos
GRAFICA LINEALIZADA I VS V
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GRAFICA I VS. T