Está en la página 1de 10

UNIVERSIDAD DE LA COSTA, CUC

DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS


FACULTAD DE INGENIERA

1


Resumen

Esta experiencia nos permite
determinar el voltaje y corriente del
diodo por medio de aparatos de
medidas de corriente teniendo en
cuentas los valores de la
resistencia, el voltaje y corriente en
el circuito del diodo.
Se utiliza la ley de ohm para
determinar de la siguiente manera


Palabras claves
Diodo, Voltaje, Corriente,
Resistencia, Circuito

Abstract

This experience allows us to
determine the diode voltage and
current of electricity through
measures taking into account
current values of resistance, voltage
and current in the diode. Using
Ohm's law to determine as follows


Key words
Diode, Voltage, Current, Resistance
Circuit

1. Introduccin
El diodo es un componente discreto
que permite la circulacin de
corriente entre sus terminales en un
determinado sentido, mientras que
la bloquea en el sentido contrario,
esta es la teora del diodo ahora
teniendo esto muy encuentra se

Realizaran experiencias para
realizar clculos para datos como
Voltaje-Corriente utilizando la ley de
ohm

2. Fundamentos Tericos

Para el anlisis de este experimento
se tiene en cuenta el voltaje, la
resistencia y el corriente del diodo
de forma directa e invertido.

Diodo

Es un componente electrnico de
dos terminales que permite la
circulacin de la corriente elctrica a
travs de l en un solo sentido. Este
trmino generalmente se usa para
referirse al diodo semiconductor,
el ms comn en la actualidad;
consta de una pieza de
cristal semiconductor conectada a
dos terminales elctricos. El diodo
de vaco (que actualmente ya no se
usa, excepto para tecnologas de
alta potencia) es un tubo de
vaco con dos electrodos: una
lmina como nodo, y un ctodo.
IDENTIFICACION DE CONDUCTORES NO LINEALES: EL DIODO
Lady Mariana Arroyo, Laura Castro Miranda, Fanny Soto Esquiaqui,
Cesar Santiago Duque
Profesor Armando Yance. Grupo KD2 Mesa 4
Laboratorio de Fsica de Campos, Universidad de la Costa,
Barranquilla
UNIVERSIDAD DE LA COSTA, CUC
DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS
FACULTAD DE INGENIERA

2

De forma simplificada, la curva
caracterstica de un diodo (I-V)
consta de dos regiones: por debajo
de cierta diferencia de potencial, se
comporta como un circuito abierto
(no conduce), y por encima de ella
como un circuito cerrado con una
resistencia elctrica muy pequea.
Debido a este comportamiento, se
les suele denominar rectificadores,
ya que son dispositivos capaces de
suprimir la parte negativa de
cualquier seal, como paso inicial
para convertir una corriente alterna
en corriente continua. Su principio
de funcionamiento est basado en
los experimentos de Lee De Forest
Curva caracterstica del diodo

Curva caracterstica del diodo.
Tensin umbral, de codo o de
partida (V

).
La tensin umbral (tambin
llamada barrera de potencial) de
polarizacin directa coincide en
valor con la tensin de la zona
de carga espacial del diodo no
polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera
de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la
corriente ligeramente, alrededor
del 1% de la nominal. Sin
embargo, cuando la tensin
externa supera la tensin
umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para
pequeos incrementos de
tensin se producen grandes
variaciones de la intensidad de
corriente.
Corriente mxima (I
max
).
Es la intensidad de corriente
mxima que puede conducir el
diodo sin fundirse por el efecto
Joule. Dado que es funcin de la
cantidad de calor que puede
disipar el diodo, depende sobre
todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de
saturacin (I
s
).
Es la pequea corriente que se
establece al polarizar
inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn-
hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por
cada incremento de 10 en la
temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que
circula por la superficie del diodo
(ver polarizacin inversa), esta
corriente es funcin de la
tensin aplicada al diodo, con lo
que al aumentar la tensin,
aumenta la corriente superficial
de fugas.
Tensin de ruptura (V
r
).
Es la tensin inversa mxima
que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto
avalancha.
Tericamente, al polarizar
inversamente el diodo, este
conducir la corriente inversa de
saturacin; en la realidad, a partir de
un determinado valor de la tensin,
en el diodo normal o de unin
abrupta la ruptura se debe al efecto
UNIVERSIDAD DE LA COSTA, CUC
DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS
FACULTAD DE INGENIERA

3

avalancha; no obstante hay otro tipo
de diodos, como los Zener, en los
que la ruptura puede deberse a dos
efectos:
Efecto avalancha (diodos poco
dopados). En polarizacin
inversa se generan pares
electrn-hueco que provocan la
corriente inversa de saturacin;
si la tensin inversa es elevada
los electrones se aceleran
incrementando su energa
cintica de forma que al chocar
con electrones de valencia
pueden provocar su salto a la
banda de conduccin. Estos
electrones liberados, a su vez,
se aceleran por efecto de la
tensin, chocando con ms
electrones de valencia y
liberndolos a su vez. El
resultado es una avalancha de
electrones que provoca una
corriente grande. Este fenmeno
se produce para valores de la
tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy
dopados). Cuanto ms dopado
est el material, menor es la
anchura de la zona de carga.
Puesto que el campo elctrico E
puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la
distancia d; cuando el diodo est
muy dopado, y por tanto d sea
pequeo, el campo elctrico
ser grande, del orden de
310
5
V/cm. En estas
condiciones, el propio campo
puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia
incrementndose la corriente.
Este efecto se produce para
tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6
V la ruptura de estos diodos
especiales, como los Zener, se
puede producir por ambos efectos.


AMPERMETRO

Es un instrumento que sirve para
medir la intensidad de corriente que
est circulando por
un circuito elctrico. Un
microampermetro est calibrado en
millonsimas de amperio y un
miliampermetro en milsimas de
amperio.




VOLTMETRO

Es un instrumento que sirve para
medir la diferencia de
potencial entre dos puntos de
un circuito elctrico.
UNIVERSIDAD DE LA COSTA, CUC
DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS
FACULTAD DE INGENIERA

4

FUENTE DE ALIMENTACIN

En electrnica, una fuente de
alimentacin es un dispositivo que
convierte la tensin alterna de la red
de suministro, en una o varias
tensiones, prcticamente continuas,
que alimentan los distintos circuitos
del aparato electrnico al que se
conecta
(ordenador, televisor, impresora, rou
ter, etc.).





VOLTAJE

Es la presin que ejerce una fuente
de suministro de energa elctrica
sobre las
cargas elctricas o electrones en un
circuito elctrico cerrado, para que
se establezca el flujo de una
corriente elctrica.
A mayor diferencia de potencial
sobre las cargas elctricas o
electrones contenidos en un
conductor, mayor ser el voltaje o
tensin existente en el circuito al
que corresponda ese conductor.

.
3. Desarrollo experimental

Se hace el montaje experimental
colocando el circuito
correspondiente al diodo y su
resistencia teniendo en cuenta que
su conexin o serie sea perfecta
para que nos permita realizar esta
experiencia obteniendo datos para
realizar mediante un proceso de
formulas de la ley de ohm
pero antes de eso se obtienen
valores de voltaje y corriente por
medio del voltmetro y ohmmetro.

















UNIVERSIDAD DE LA COSTA, CUC
DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS
FACULTAD DE INGENIERA

5

4. Clculos y anlisis De
Resultados


Grafica1. Tabla de datos



Vr(V) I(mA) R()
8.67 0.01949 444.84
8.09 0.01778 455.00
6.96 0.01557 447.01
5.633 0.01349 417.56
4.485 0.01141 393.07
4.180 0.00918 455.33
3.209 0.00707 644.37
2.280 0.00498 457.83
1.374 0.00300 458.00
0.437 0.00095 460.00
Grafica2. R para cada pareja de
datos (Voltaje-Corriente)


1374
000300
45800


0437
000095
46000


R%=
444.84+455.00+447.01+417.56+393
.07+455.33+644.37+457.83+458.00
+460.00
9

=514.77














UNIVERSIDAD DE LA COSTA, CUC
DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS
FACULTAD DE INGENIERA

6


V(x) I(y) Y*X X^2
0.719 19,49 14.01 0,51
0,715 17,78 12,71 0,51
0,710 15,57 11,05 0,50
0,696 13,49 9,30 0,48
0,690 11,41 7,87 0,47
0,688 9,18 6,31 0,47
0,677 7,07 4,78 0,45
0,663 4,98 3.30 0,43
0,642 3,00 1,92 0,41
0.592 0,95 0.56 0,35
6,15 102,9 97,41 4,58





102,9=(6,15) m +10b (-0.615)
97,41=(4,58) m +6,15b
-59,9=-2.81 m 6,15b

37,51 =1,77 m

Pendiente

m =




m= 21,1

102,9= 6,15 (21,1) x 10 b

= b

b = -2,68


y = m x +b

X
1 =

= 1.04









Determinamos la grafica linealizada

I(Y) V(X)
19,49
1.04
17,78
0,96
15,57
0,86
13,49
0,76
11,41
0,66
9,18
0,56
7,07
0,46
4,98
0,36
3,00
0,26
0,95
0,17


Anlisis
Conduccin no hmica se
caracteriza por los grficos no lineal
de la tensin actual vs. Esto ocurre
en las uniones de semiconductores,
soluciones electrolticas, algunos
slidos inicos no en solucin ,
gases ionizados, y los tubos de
vaco.
dopaje es el proceso intencional de
agregar impurezas en un
semiconductor extremadamente
puro con el fin de cambiar sus
propiedades elctricas. Las
impurezas utilizadas dependen del
tipo de semiconductores a dopar.
Tipos de materiales dopantes
Tipo N
Se llama material tipo N al que
posee tomos de impurezas que
permiten la aparicin
de electrones sin huecos asociados
a los mismos. Los tomos de este
tipo se llaman donantes ya que
"donan" o entregan electrones.
Suelen ser de valencia cinco, como
el Arsnico y el Fsforo. De esta
forma, no se ha des balanceado la
neutralidad elctrica, ya que el
tomo introducido al semiconductor
UNIVERSIDAD DE LA COSTA, CUC
DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS
FACULTAD DE INGENIERA

7

es neutro, pero posee un electrn
no ligado, a diferencia de los
tomos que conforman la estructura
original, por lo que la energa
necesaria para separarlo del tomo
ser menor que la necesitada para
romper una ligadura en el cristal
de silicio
Tipo P
Se llama as al material que tiene
tomos de impurezas que permiten
la formacin de huecos sin que
aparezcan electrones asociados a
los mismos, como ocurre al
romperse una ligadura. Los tomos
de este tipo se llaman aceptores, ya
que "aceptan" o toman un electrn.
Suelen ser de valencia tres, como
el Aluminio, el Indio o el Galio.
Nuevamente, el tomo introducido
es neutro, por lo que no modificar
la neutralidad elctrica del cristal,
pero debido a que solo tiene tres
electrones en su ltima capa
de valencia, aparecer una ligadura
rota, que tender a tomar electrones
de los tomos prximos, generando
finalmente ms huecos que
electrones, por lo que los primeros
sern los portadores mayoritarios y
los segundos los minoritarios.
Tipos de diodos
Diodos PIN
El diodo PIN es un diodo que
presenta una regin P fuertemente
dopada y otra regin N tambin
fuertemente dopada, separadas por
una regin de material que es casi
intrnseco. Este tipo de diodos se
utiliza en frecuencias de
microondas.
Diodos Varactores (Varicap)
Los diodos varactores [llamados
tambin varicap (diodo con
capacitancia-voltaje variable) o
sintonizadores] son
semiconductores dependientes del
voltaje, capacitores variables. Su
modo de operacin depende de la
capacitancia que existe en la unin
P-N cuando el elemento est
polarizado inversamente.
El diodo tnel
Los diodos semiconductores
obtenidos con un grado de
contaminacin del material bsico
mucho ms elevado que lo habitual
exhiben una caracterstica tensin-
corriente muy particular. La
corriente comienza por aumentar de
modo casi proporcional a la tensin
aplicada hasta alcanzar un valor
mximo, denominado corriente de
cresta. A partir de este punto, si se
sigue aumentando la tensin
aplicada, la corriente comienza a
disminuir y lo siga haciendo hasta
alcanzar un mnimo, llamado
corriente de valle, desde el cual de
nuevo aumenta



5. Conclusiones

Realizadas las experiencias se
comprob que existe una
dependencia lineal en un sistema
de voltaje versus intensidad
obtenindose una constante de
proporcionalidad, la
resistencia, que es lo que sostiene
la Ley de Ohm. As mismo quedo de
manifiesto a
travs del grficos de las
mediciones que en el caso de la
ampolleta no existe una relacin
lineal entre el voltaje y la intensidad,
esto se debe a que la resistencia
interna aumentara
conforme aumenta la temperatura
UNIVERSIDAD DE LA COSTA, CUC
DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS
FACULTAD DE INGENIERA

8

del filamento esto explica su
crecimiento parablico,
obtenindose un valor para su
resistencia no hmico. En el caso
del diodo estudiado
experimentalmente tambin se llego
a la conclusin de ser un
componente semiconductor
de resistencia no hmica, dado que
se necesita un voltaje determinado
para que recin
entonces sea capaz de permitir el
paso a la corriente elctrica;
adems es aislante en la
direccin contraria al paso de la
corriente, esto se comprob al
invertir el diodo y realizar
una medicin de intensidad que
tuvo como resultado un valor cero.

Bibliografa

http://www.electronicafacil.net/tutori
ales/tipos-de-diodos.php
(30-03-11)
science.jrank.org/pages/.../Electrical
-Conductivity-Non-ohmic-
conductors.html
http://translate.google.com.co/transl
ate?hl=es&langpair=en|es&u=http://
phetcolorado.edu/en/simulation/ohm
s-law
































































UNIVERSIDAD DE LA COSTA, CUC
DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS
FACULTAD DE INGENIERA

9





Graficacion de datos


GRAFICA LINEALIZADA I VS V
UNIVERSIDAD DE LA COSTA, CUC
DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS
FACULTAD DE INGENIERA

10







GRAFICA I VS. T

También podría gustarte