PFC para Pato 1

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS
INDICE GENERAL
INDICE GENERAL
FECHA 5/23/2013
PAGINA 1
MEMORIA
Captulo 1
1.1
1.1.1
MEMORIA
HOJAS DE IDENTIFICACIN
HOJA DE IDENTIFICACIN
Ttulo del proyecto: Desarrollo de un sensor solar para mdulos fotovoltaicos
Escuela Superior de Ingeniera Departamento de Ingeniera de Sistemas y Automtica Universidad de Cdiz
Autor del proyecto: Daniel Monje Centeno D.N.I.: 31678800-A
Titulacin:
Ingeniera Tcnica Industrial Especialidad Electrnica Industrial
Fecha:
Firma:
FECHA 5/23/2013
PAGINA 2
MEMORIA
FECHA 5/23/2013
PAGINA 3
MEMORIA
1.1.2
NDICE DE LA MEMORIA
FECHA 23/05/2013
PGINA 4
MEMORIA
1.2
1.2.1
OBJETO Y JUSTIFICACIN DEL PROYECTO

OBJETO DEL PROYECTO
El presente proyecto tiene por objeto el diseo de un sistema electrnico basado en microcontrolador para la estimacin del nivel de prdidas energticas que diariamente se producen en una instalacin fotovoltaica debido a la suciedad acumulada en la superficie de los mdulos fotovoltaicos planos que forman dicha instalacin. Cuando hablemos de suciedad en el presente texto, nos estaremos refiriendo a aquellas capas de polvo que se van depositando a lo largo del tiempo sobre la cubierta transparente frontal del mdulo plano debido al entorno que lo rodea y a posibles lluvias que arrastran partculas slidas, las cuales reducen la irradiancia que reciben las clulas fotovoltaicas de una manera aproximadamente uniforme. Por lo tanto, no quedan incluidos dentro de dicho trmino residuos tales como los procedentes de las aves, los cuales pueden producir efectos de inversin en los mdulos similares a los producidos por sombras y cuyo efecto depende de la opacidad del residuo. Nuestro sistema va a realizar una medida local que, en funcin de su lugar de ubicacin dentro de la instalacin fotovoltaica, de la distribucin de los mdulos que forman dicha instalacin y de las condiciones ambientales existentes en las diferentes reas de la misma (zonas de la instalacin con mayor o menor presencia de suciedad ambiental, mayor o menor exposicin a la accin del viento o la lluvia, etc.), ser aproximadamente extrapolable a un conjunto ms o menos numeroso de mdulos situados en sus alrededores. Debido precisamente a este carcter local de la medida, el sistema no pretende proporcionar un valor medio aproximado del nivel de prdidas energticas que existe en el conjunto de todos los mdulos que componen un sistema fotovoltaico, ya que en una misma instalacin fotovoltaica pueden existir distintas zonas en las que las condiciones ambientales de funcionamiento (cercana a focos emisores de suciedad ambiental, exposicin a la lluvia y al viento, etc.) pueden variar en un amplio margen. Por el contrario, nuestro sistema tendr como objetivo proporcionar un valor estimativo de esta variable,
FECHA 23/05/2013
PGINA 5
MEMORIA
el cual ser aplicable a todos aquellos mdulos que estn sometidos a las mismas condiciones de suciedad ambiental que nuestro sistema de medida. La cantidad de suciedad que se va depositando en la superficie de un mdulo fotovoltaico a lo largo del tiempo depende de factores de muy diversa ndole. Unos estn relacionados directamente con sus caractersticas de instalacin (ngulo de inclinacin, orientacin del mdulo respecto a fuentes productoras de suciedad ambiental, nivel de exposicin de la superficie acristalada del mdulo a la accin del viento o la lluvia, etc.); otros estn relacionados con las caractersticas climatolgicas propias de su lugar de instalacin (zonas en las que con frecuencia existen fuertes vientos, frecuencia de lluvias, etc.); y, finalmente, otros estn relacionados con las caractersticas del entorno de la instalacin (presencia de industrias que emiten partculas slidas que pueden alcanzar la instalacin por efecto del viento, campos de cultivo, etc.). Por todo ello, cuando en el presente texto digamos que un mdulo fotovoltaico est sometido a las mismas condiciones de suciedad ambiental que nuestro sistema, nos estaremos refiriendo a que tanto el mdulo como el sistema de medida tienen las mismas caractersticas de instalacin (misma inclinacin y orientacin) y que ambos estn sometidos aproximadamente a las mismas condiciones ambientales de funcionamiento (mismo nivel de exposicin al viento y a la lluvia, misma distancia a focos emisores de suciedad ambiental, etc.) Para concluir este apartado, creemos necesario sealar que nuestro sistema va a estar basado en una medida comparativa entre, por un lado, las seales de salida de un grupo de sensores de radiacin electromagntica sometidos a las mismas condiciones de suciedad ambiental que los mdulos fotovoltaicos, y por otro, las de otro grupo de sensores de idnticas caractersticas que los anteriores que mantendremos sin presencia de suciedad. Mediante la toma de datos experimentales obtenidos en condiciones ambientales reales, podemos relacionar los datos de salida de nuestro sistema de medida con los rendimientos de mdulos fotovoltaicos sometidos a las mismas condiciones de operacin, lo que nos permitir posteriormente estimar, a partir de los valores medidos por nuestros sensores y mediante un algoritmo de clculo, qu porcentaje de prdidas energticas por suciedad se est produciendo en dichos mdulos en el instante en el que se lleva a cabo la
FECHA 23/05/2013 PGINA 6
MEMORIA
medicin. Tambin creemos necesario sealar que dicho algoritmo de clculo deber ser calculado para el modelo particular de mdulo fotovoltaico utilizado en la instalacin.
1.2.2
JUSTIFICACIN DEL PROYECTO

El presente proyecto encuentra su justificacin en las prdidas
energticas que se producen en los sistemas fotovoltaicos debido a la suciedad que se acumula a lo largo del tiempo en los mdulos planos que los componen. Estas prdidas energticas se traducen en prdidas econmicas en el caso de sistemas conectados a red. Tras realizar una breve introduccin al funcionamiento de los mdulos fotovoltaicos con el objetivo de presentar una serie de conceptos que consideramos bsicos para una mejor comprensin de lo que se va a exponer, presentamos una estimacin de las prdidas energticas y econmicas por suciedad que podran producirse a lo largo de diferentes perodos de tiempo en sistemas fotovoltaicos ubicados en la ciudad de Cdiz. Para ello, junto a consideraciones puramente tericas procedentes de bibliografa especializada, utilizaremos los datos de irradiancia solar y de temperatura ambiente correspondientes a un ao meteorolgico tipo que proporciona el programa comercial METEONORM para esta localidad. 1.2.2.1 INTRODUCCIN AL FUNCIONAMIENTO DE LOS MDULOS FOTOVOLTAICOS
El Sol es una inmensa fuente de energa debido a las reacciones termonucleares que tienen lugar en su interior y emite toda su radiacin energtica en forma de radiacin electromagntica en un espectro de longitudes de onda en el rango de 200 nanmetros (nm) a 4000 nm 1. Aproximadamente el 80% de su energa est en la regin visible del espectro electromagntico (longitudes de onda comprendidas aproximadamente entre
Alonso Abella, Miguel, Sistemas Fotovoltaicos. Introduccin al diseo y dimensionado de instalaciones de energa solar fotovoltaica, 2 Ed., S.A.P.T Publicaciones Tcnicas, Madrid, 2005, Pg.103
FECHA 23/05/2013
PGINA 7
MEMORIA
los 400 nm, correspondientes al color violeta, y los 700 nm correspondientes a la luz roja1). Ahora bien, la radiacin solar sufre una atenuacin a medida que atraviesa la atmsfera terrestre debido a procesos de absorcin, reflexin y refraccin principalmente con las nubes (vapor de agua), polvo y partculas en suspensin y los mismos gases componentes de la atmsfera, particularmente el ozono, de forma que gran parte de la energa liberada por la estrella llega a la superficie de la Tierra en forma de radiacin electromagntica dentro de los espectros visible e infrarrojo (ste ltimo comprende aquellas longitudes de onda que varan desde los 700 nm hasta 10-3 metros (m)2).
Figura 1. Diferentes espectros de la radiacin solar Esta luz solar que alcanza la superficie terrestre es transformada directamente en energa elctrica por los mdulos fotovoltaicos. Un generador fotovoltaico est formado por varios mdulos fotovoltaicos conectados en serie y/o en paralelo y, a su vez, cada mdulo fotovoltaico est formado por unidades bsicas llamadas clulas fotovoltaicas. Una de las principales caractersticas de los generadores fotovoltaicos es que nicamente producen electricidad cuando reciben la luz del Sol y adems,
1
Serway Raymond A., Beichner Robert J., Fsica para ciencias e ingeniera, 5 Ed., McGrawHill, Mxico D.F., 2000, Pg. 1093 2 Serway Raymond A., Beichner Robert J., Fsica para ciencias e ingeniera, 5 Ed., McGrawHill, Mxico D.F., 2000, Pg. 1093
FECHA 23/05/2013
PGINA 8
MEMORIA
la cantidad de energa que generan es directamente proporcional a la cantidad de radiacin solar que incide sobre su superficie. A la hora de cuantificar la cantidad de energa solar que incide sobre una superficie se utilizan habitualmente dos trminos que aparecern con asiduidad a lo largo de todo el texto: - Irradiancia: trmino que hace referencia a la potencia instantnea recibida sobre una superficie, por lo que se mide en vatios por metro cuadrado (W/m2). - Irradiacin: trmino que hace referencia a la cantidad de energa recibida en una superficie durante un periodo determinado de tiempo, por lo que se mide en vatios-hora por metro cuadrado (Wh/m 2). Si la irradiancia se integra a lo largo de cualquier periodo de tiempo, se obtiene la energa recibida en un intervalo de tiempo determinado (irradiacin). En el caso de que integremos sobre un periodo de tiempo de 1 hora, obtenemos la irradiacin expresada en Wh/m2. De la misma forma, la irradiacin solar calculada a lo largo de un da tiene unidades de vatios-hora por metro cuadrado y por da (Wh/m2/da). Los intervalos de tiempo ms usuales que se utilizan para calcular la irradiacin solar son horarios y diarios. Por otra parte, la potencia elctrica que puede suministrar una nica clula fotovoltaica es tpicamente del orden de 3 vatios (W), aunque dicho valor depende de las condiciones de irradiancia solar y temperatura de operacin (tambin denominada temperatura de clula), as como de las caractersticas constructivas de la clula. Este valor tan pequeo de potencia para la mayora de las aplicaciones hace que el fabricante las agrupe para formar los mdulos fotovoltaicos. De esta forma, la potencia que puede suministrar un mdulo fotovoltaico depender del nmero de clulas que posea. Un valor tpico para mdulos de 36 clulas en serie oscila entre los 50 y 100 W dependiendo del rea de cada una de las clulas. Actualmente existen diversas tecnologas de fabricacin de mdulos fotovoltaicos, diferencindose fundamentalmente en el tipo de materiales semiconductores utilizados en la fabricacin de las clulas: Silicio cristalino (tanto monocristalino como policristalino), Silicio amorfo, Telururo de Cadmio, Calcopiritas, etc., aunque hoy en da la produccin de mdulos fotovoltaicos contina dominada por el uso del silicio.
MEMORIA
Los mdulos fotovoltaicos, independientemente de su tecnologa de fabricacin, se caracterizan por una curva corriente-tensin (I-V) que vara en funcin de los valores de irradiancia G (en W/m 2) y de temperatura de clula Tc (en grados centgrados (C)) a los que se encuentra sometido.
Figura 2. Dependencia de la corriente producida en funcin del voltaje para diferentes intensidades de irradiancia (temperatura de operacin constante de 25 C).
Figura 3. Dependencia de la corriente producida en funcin del voltaje para diferentes temperaturas de operacin (irradiancia constante de 1000 W/m2).
FECHA 23/05/2013
PGINA 10
MEMORIA
Por lo tanto, cada pareja de valores de irradiancia incidente G (en W/m 2) y temperatura de clula Tc (en C) tendr asociada una determinada curva corriente-tensin del mdulo. Cada una de las curvas representadas en las dos grficas anteriores est formada por todos los posibles puntos de trabajo en los que el mdulo puede operar. Dichos puntos de trabajo estarn definidos en cada caso por la resistencia de carga conectada al mdulo. En cada punto de trabajo, la potencia generada por el mdulo vendr dada por el producto de la corriente (ordenada del punto de trabajo) por la tensin (abscisa del punto de trabajo) de salida del mismo. De esta forma, de todos los puntos que conforman una determinada curva I-V de un mdulo, existir uno concreto en el que el producto corriente por tensin (potencia generada) tomar un valor mximo. Dicho punto de trabajo recibe el nombre de Punto de Mxima Potencia (PMP) de la curva I-V. Observando las dos grficas anteriores podemos afirmar que, para cualquier tecnologa de mdulo solar (silicio monocristalino, silicio policristalino, silicio amorfo, etc.) y para cualquier resistencia de carga que defina el punto de trabajo del sistema, la potencia de salida que genera el mdulo en cada instante va a depender de las dos caractersticas mencionadas anteriormente: la irradiancia incidente sobre el plano del mdulo la temperatura de operacin o temperatura de clula a la que se encuentra operando Por esta razn, la potencia mxima que puede producir un mdulo fotovoltaico, tambin denominada Potencia Nominal, est referida a unas determinadas condiciones de funcionamiento llamadas Condiciones Estndar de Medida (STC) caracterizadas por: Una irradiancia incidente normal a la superficie del mdulo de 1000 W/m2 Una temperatura de clula de 25 C Un espectro de la radiacin solar incidente normalizado a una masa de aire 1.5 global (AM1.5G) Estas condiciones de medida habitualmente se conocen como condiciones pico y la Potencia Nominal del mdulo en dichas condiciones se acostumbra a expresar en vatios pico(Wp).
MEMORIA
Es decir, la Potencia Nominal (en W p) de un mdulo fotovoltaico de cualquier tecnologa se define como la mxima potencia que el mdulo puede producir cuando se encuentra sometido a las Condiciones Estndar de Medida. Esta potencia mxima de salida en condiciones STC se producir en un determinado punto de trabajo (Punto de Mxima Potencia) de la curva I-V correspondiente a dichas condiciones de operacin. Adems, a la hora de comprender su comportamiento elctrico, es fundamental tener en cuenta que la corriente generada por un mdulo fotovoltaico vara de forma aproximadamente lineal con la irradiancia incidente (medida en W/m 2), mientras que la tensin disminuye con el aumento de la temperatura de operacin del mismo. En el caso particular de los mdulos de silicio cristalino (tanto monocristalino como policristalino), esta disminucin en la tensin de salida con el aumento de la temperatura de clula se estima aproximadamente entre un 4 y un 5% por cada 10 C de incremento de dicha temperatura 1. A partir de estas dos caractersticas podemos deducir que, para mdulos fotovoltaicos de silicio cristalino, la potencia generada por el mdulo vara aproximadamente de forma proporcional a la irradiancia incidente mientras que se reduce entre un 4 y un 5% por cada 10 C de aumento de la temperatura de clula. Estas dos consideraciones constituyen la base a partir de la cual se han realizado los clculos que van a ser expuestos en el siguiente apartado de esta justificacin. Cuando la potencia de un mdulo no es suficiente para satisfacer los consumos de un sistema, se conectan en serie y en paralelo: en serie hasta alcanzar la tensin de trabajo del sistema en paralelo hasta obtener la corriente necesaria.
Por otro lado, los mdulos fotovoltaicos obtenidos de un proceso de fabricacin industrial no son todos idnticos, sino que su Potencia Nominal referida a las Condiciones Estndar de Medida, STC, presenta una determinada dispersin. En general, los fabricantes garantizan que la potencia de un mdulo de potencia nominal P * est dentro de una banda que oscila
FECHA 23/05/2013
PGINA 12
MEMORIA
entre P*+/-3%, P*+/-5% o P*+/-10%, aunque habitualmente dicha tolerancia se encuentra comprendida en un rango del 0 al -10% 2. Se espera que los sistemas fotovoltaicos estn operativos durante un determinado nmero de aos, en principio, tantos como duren los mdulos fotovoltaicos. En la actualidad se estima que el tiempo de vida de los mdulos puede llegar a superar los 30 aos. 1.2.2.2 ESTIMACIN DE PRDIDAS ENERGTICAS EN MDULOS FOTOVOLTAICOS
Dentro de los diferentes factores que introducen prdidas energticas en un sistema fotovoltaico (orientacin, sombreados, suciedad, temperatura de operacin, tolerancia de la potencia nominal, cableado, autoconsumos y rendimiento de carga/descarga de la batera), vamos a centrarnos nicamente en aquellos asociados directamente a las condiciones de operacin y caractersticas de un mdulo fotovoltaico: Suciedad depositada sobre la superficie de los mdulos Temperatura de operacin Tolerancia de la potencia nominal
Por lo tanto, vamos a considerar que el mdulo se encuentra orientado de forma ptima para captar la mayor cantidad posible de radiacin en funcin de su lugar de ubicacin y que no se encuentra afectado por sombras. Asimismo, debido a su carcter aleatorio asociado al proceso de fabricacin, no tendremos en cuenta la tolerancia relativa a la Potencia Nominal de los mdulos, de forma que caracterizaremos cada mdulo fotovoltaico por su Potencia Nominal en condiciones de medida STC. A partir de este parmetro y usando tablas de irradiancia media diaria (G md, en W/m2) sobre superficies inclinadas y de temperatura media diaria (T md, en C), realizaremos los clculos y las correcciones necesarias para obtener una estimacin de las prdidas energticas que se producen en sistemas fotovoltaicos debido a la suciedad depositada en la superficie de los mdulos que constituyen el sistema.
FECHA 23/05/2013
PGINA 13
MEMORIA
1.2.2.2.1 ESTIMACIN DE PRDIDAS ENERGTICAS TEMPERATURA EN MDULOS FOTOVOLTAICOS
POR
Como ya hemos mencionado anteriormente, habitualmente la potencia mxima de salida de los mdulos fotovoltaicos se especifica en Condiciones Estndar de Medida, STC. Este valor de potencia se suele denominar potencia pico (expresada en Wp) y es la Potencia Nominal por la cual se paga cuando se compra un mdulo fotovoltaico. La potencia mxima generada por un mdulo fotovoltaico en operacin real vara de forma aproximadamente proporcional a la irradiancia incidente G (en W/m2) recibida por el mismo. Pero a su vez, esta potencia mxima generada para una determinada irradiancia incidente disminuye con el aumento de la temperatura de funcionamiento del mdulo, llamada temperatura de clula (Tc). En el caso particular de los mdulos de silicio cristalino se estima que dicha potencia disminuye en el orden de un 4% por cada 10 C de aumento de la temperatura de clula respecto a los 25 C correspondientes a las condiciones STC1. Un mdulo fotovoltaico en operacin puede llegar a alcanzar los 70 C en funcin de la irradiancia recibida y la temperatura ambiente existente. De forma aproximada, la temperatura de clula, T c (en C), a la que se encuentra un mdulo fotovoltaico en operacin real se relaciona con la temperatura ambiente, Ta (en C), y con la irradiancia global incidente normal a la superficie del mdulo, G (en W/m2), mediante la ecuacin2:
Tc = Ta + 0,03 G
Esta expresin ser utilizada posteriormente en nuestros clculos justificativos.
Alonso Abella, Miguel, Sistemas Fotovoltaicos. Introduccin al diseo y dimensionado de instalaciones de energa solar fotovoltaica, 2 Ed., S.A.P.T Publicaciones Tcnicas, Madrid, 2005, Pg.17 2 Alonso Abella, Miguel, Sistemas Fotovoltaicos. Introduccin al diseo y dimensionado de instalaciones de energa solar fotovoltaica, 2 Ed., S.A.P.T Publicaciones Tcnicas, Madrid, 2005, Pg.47
FECHA 23/05/2013
PGINA 14
MEMORIA
1.2.2.2.2 ESTIMACIN DE PRDIDAS ENERGTICAS POR SUCIEDAD EN MDULOS FOTOVOLTAICOS Adems de las prdidas energticas por temperatura ya mencionadas en el apartado anterior, en general, la suciedad provocada en los alrededores de un sistema fotovoltaico en forma de polvo, contaminacin y otras partculas tambin afecta al comportamiento elctrico de los mdulos fotovoltaicos. Esta suciedad sombrea las clulas y produce prdidas en la potencia de salida de los sistemas. El efecto de la suciedad en los sistemas que utilizan energa solar no es un tema novedoso que aparezca ahora como consecuencia del rpido desarrollo del mercado fotovoltaico. En los aos 40, cuando se empezaron a instalar los primeros sistemas de energa solar trmica, el problema de la suciedad se abord inmediatamente al ser identificado como uno de los factores que podan reducir la potencia de salida de un sistema. Unos aos ms tarde, en la dcada de los 70, cuando la tecnologa fotovoltaica empez su desarrollo, se estudi tambin el efecto de la suciedad en los mdulos para tratar de cuantificar las prdidas producidas por este motivo. Con este objetivo se han llevado a cabo a lo largo de los aos diferentes estudios que han puesto de manifiesto que estas prdidas energticas por suciedad dependen de diversos factores asociados tanto a las caractersticas de instalacin de los paneles, como a las condiciones climatolgicas propias de su lugar de ubicacin. Por todo ello, los resultados obtenidos en los mencionados estudios varan dependiendo de estos factores, de manera que carecemos de un valor caracterstico de prdidas por suciedad en sistemas fotovoltaicos. Por todo lo expuesto, consideramos necesario presentar los resultados de varios de estos trabajos con el objeto de justificar el valor caracterstico de prdidas por suciedad que hemos elegido para llevar a cabo nuestros clculos justificativos. El primer trabajo sobre esta problemtica del que tenemos constancia fue llevado a cabo por H. Becker, W. Vaaben y W. Herrmann a mediados de los 90. Los resultados de este estudio fueron expuestos en su artculo Reduced Output of Solar Generators due to Pollution, presentado en la 14 Conferencia Europea sobre Energa Solar Fotovoltaica celebrada en Barcelona en 1996.
MEMORIA
Este trabajo se centr en el efecto de la suciedad sobre mdulos fotovoltaicos planos, y en l se llegaron a medir prdidas mximas por suciedad de hasta un 6% tras un perodo de 4 aos sin limpieza artificial. En este caso, los mdulos fotovoltaicos fueron instalados con una inclinacin de 30 grados () respecto a la horizontal. Posteriormente, en 1997, los investigadores R. Hammond, D. Srinivasan, A. Harris y K. Whitfield de la Universidad de Arizona realizaron un estudio sobre el efecto de la suciedad en el comportamiento de mdulos fotovoltaicos y radimetros. En su artculo titulado Effects of soiling on PV module and radiometer performance (Anexo 1 del Documento Bsico Anexos) se recogen los resultados de diversos estudios que tratan de determinar cunto decrece la salida de mdulos fotovoltaicos y radimetros debido a la suciedad. A pesar de que sus resultados son especficos para el rea de Arizona, creemos conveniente presentarlos para introducir una serie de caractersticas bsicas del problema en cuestin: Primer estudio: el primero de los tres estudios desarrollados por los autores de este artculo consisti en el anlisis de tres sistemas de dos kilovatios pico (kWp) cada uno, que se mantuvieron operativos durante cinco aos sin someterlos a limpieza artificial. El primero de estos sistemas estaba equipado con un seguidor a dos ejes, el segundo con un seguidor a un eje (eje horizontal Norte-Sur) y el tercero era un sistema fijo orientado hacia el Sur con un ngulo de inclinacin de 34. La medida de la prdida de potencia del sistema debido a la suciedad estuvo basada en medidas de la corriente de cortocircuito del sistema que fueron llevadas a cabo antes y despus de efectuar la limpieza de los mdulos. Los resultados de este primer estudio mostraron que las prdidas de potencia por suciedad aumentaban sustancialmente cuando el ngulo de incidencia de los rayos solares sobre el mdulo se incrementaba. Con los mdulos perpendiculares a los rayos solares (ngulo de incidencia de 0), las prdidas por suciedad fueron de un 2.3%, pero dichas prdidas aumentaban hasta alcanzar el 7.7% cuando el ngulo de incidencia se incrementaba hasta los 56.
FECHA 23/05/2013
PGINA 16
MEMORIA
Segundo estudio: en el segundo de estos estudios fueron utilizados tres mdulos Solarex MSX-60, instalados en el campo y medidos en intervalos de uno a tres meses desde mayo de 1994. Uno de los tres mdulos nunca fue limpiado, mientras que los dos restantes se limpiaron siempre justo antes de realizar las mediciones. Nuevamente, la medida de la prdida de potencia del sistema por suciedad fue basada en la medida de la corriente de cortocircuito. Los resultados de este segundo estudio mostraron una prdida mxima de un 2.4% en la corriente de cortocircuito del mdulo sucio respecto a los mdulos limpios a lo largo de un periodo de operacin de tres aos.
Tercer Estudio: en el tercer y ltimo estudio se analizaron seis mdulos fotovoltaicos de silicio cristalino de tres fabricantes diferentes (dos mdulos iguales por cada fabricante), montados en un seguidor a dos ejes. Un mdulo de cada pareja se limpiaba dos veces por semana mientras que su mdulo gemelo nunca se limpi desde la instalacin inicial. La corriente de cortocircuito de cada uno de los mdulos fue monitorizada con un sistema de adquisicin de datos, de modo que las salidas de cada pareja de mdulos (uno limpio y uno sucio) fueron comparadas para determinar los efectos de la suciedad. Los resultados de este tercer estudio muestran que los mdulos sucios presentaron una prdida mxima de un 3% en la corriente de cortocircuito durante los primeros nueve meses de prueba y peridicamente su salida se recuperaba al 99.5% de la correspondiente al mdulo limpio como resultado de la accin de la lluvia.
De estos tres estudios, los autores extrajeron las siguientes conclusiones sobre mdulos fotovoltaicos: Para mdulos orientados perpendicularmente a los rayos solares, la suciedad provoca unas prdidas mximas del 3% entre los perodos de lluvia, incluso cuando la suciedad se acumula durante cinco aos. Los efectos de la suciedad aumentan cuando el ngulo de incidencia de los rayos solares sobre el mdulo se incrementa, de forma que las
MEMORIA
prdidas pasan de un 2.3% para incidencia normal (ngulo de incidencia de 0) a un 4.7% para un ngulo de incidencia de 24 y alcanza un 8% para un ngulo de incidencia de 58. El tercero de los trabajos que hemos tenido en cuenta es el llevado a cabo por H. Haeberlin y J.D.Graf, cuyos resultados fueron expuestos en un artculo titulado Gradual Reduction of PV Generator Yield due to Pollution (Anexo 2 del Documento Bsico Anexos), presentado en la 2 Conferencia Mundial sobre Conversin de Energa Solar Fotovoltaica celebrado en Viena en 1998. En este artculo se realiza el seguimiento de un sistema de 60 kW p instalado en la primavera de 1994 en la azotea de un edificio que tena prxima una lnea de ferrocarril. El principal generador solar se compona de 1056 mdulos enmarcados modelo Siemens M55HO montados en 1993 con un ngulo de inclinacin de 30 y el lado ms largo en posicin horizontal. Con el paso del tiempo, fue observada una reduccin gradual del rendimiento del sistema hasta la primavera de 1998. En este periodo de tiempo, slo se limpiaron artificialmente los sensores de irradiancia utilizados para la monitorizacin, pero no los mdulos del generador solar. La polucin por el polvo de hierro de las lneas de ferrocarril parece que favoreca el desarrollo de bandas permanentes de polucin en los bordes de los mdulos enmarcados. Tan pronto como las primeras plantas (musgo, lquenes) empezaron a crecer, este efecto se increment, ya que retenan toda clase de polvo que llegaba a los mdulos. Bajo tales condiciones se hizo necesario llevar a cabo una limpieza peridica del generador fotovoltaico. Por esto, se realiz en Junio de 1998 una limpieza artificial de los mdulos. Se determinaron las curvas I-V y el punto de mxima potencia PMP normalizados en condiciones STC antes y despus de la limpieza. Los resultados obtenidos muestran que aproximadamente entre el 8% y el 10% de prdida de potencia registrada poda ser eliminada limpiando el sistema. Junto a los tres estudios anteriores, cabe destacar tambin el llevado a cabo por los investigadores Marta Vivar, Rebeca Herrero, Francisco MartnezMoreno, Ignacio Antn Rodrigo Moretn y Gabriel Sala, pertenecientes al Instituto de Energa Solar de la Universidad Politcnica de Madrid (IES-UPM), cuyos resultados son presentados en un artculo titulado Efecto de la suciedad en los sistemas de concentracin fotovoltaicos (Anexo 3 del Documento
MEMORIA
Bsico Anexos), publicado en el nmero de noviembre/diciembre de 2008 de la revista especializada Solar News. Aunque dicho artculo se centra en el efecto de la suciedad sobre los sistemas de concentracin fotovoltaicos (sistemas que poseen un sistema ptico que recibe la radiacin solar directa y la concentra sobre las clulas solares), en l tambin se recogen datos relativos a la prdida de rendimiento que se produce en los mdulos planos por dicha causa. Dichos investigadores incluyeron un panel plano en los experimentos que llevaron a cabo en el campo de experiencias fotovoltaicas del IES-UPM a lo largo de 2007 y 2008. El plan de trabajo seguido en dichos experimentos fue el siguiente: Dejar los mdulos expuestos durante uno o dos meses para que acumulen suciedad. Medir el comportamiento elctrico de los sistemas (curvas I-V), obteniendo la corriente de cortocircuito I SC. Limpiar con agua todos los sistemas. Repetir la medida de las curvas I-V caractersticas. Ver si existen diferencias entre los resultados antes y despus de la limpieza. En caso afirmativo, tratar de cuantificar la diferencia. Repetir las medidas durante varios meses para poder obtener conclusiones consistentes. Los resultados obtenidos (slo presentamos los correspondientes al panel plano) se corresponden con las tres fechas en las que se realizaron las medidas de la corriente de cortocircuito antes y despus de la limpieza de los mdulos: Primera medida: el primer grupo de medidas se llev a cabo en noviembre de 2007, tras cinco meses de operacin del sistema a la intemperie. Como se ha mencionado, se midi la corriente de cortocircuito del mdulo antes y despus de ser limpiado, obtenindose que dicha corriente pasaba de 2.5 amperios (A) a 2.6 A, lo que supone un incremento del 3.8% en la Isc del sistema. Segunda medida: el segundo conjunto de medidas se realiz en marzo de 2008, tras cuatro meses de funcionamiento a la intemperie. De nuevo se midi la Isc del sistema antes y despus de la limpieza obtenindose que dicha corriente pasaba de 2.87 A a 2.9 A, lo que supone un incremento del 1.2%
MEMORIA
Tercera medida: el tercer grupo de medidas fue llevado a cabo en julio de 2008, tras otros cuatro meses de funcionamiento a la intemperie. En esta ocasin las mediciones no mostraron variacin alguna en la corriente de cortocircuito del sistema antes y despus de realizar la limpieza.
Por todo ello, queda demostrado que las prdidas por suciedad en sistemas fotovoltaicos distan de tener un valor caracterstico aplicable a todas las instalaciones, y que, por el contrario, este nivel de prdidas depende de factores ntimamente relacionados con cada instalacin particular, como son las caractersticas de la propia instalacin (tanto constructivas como de diseo), el entorno que la rodea, la climatologa propia del lugar, etc. En general y de forma aproximada podemos afirmar que la suciedad acumulada en la superficie de los mdulos fotovoltaicos puede originar entre un 4% y un 15% de prdidas energticas 1, y que la cuanta de dichas prdidas depender de los factores anteriormente citados. En nuestro caso, y con el objeto de no sobredimensionar las prdidas por este factor a la hora de llevar a cabo nuestros clculos justificativos, hemos tomado como valor tpico de prdidas energticas por suciedad el extremo inferior del intervalo mencionado en el prrafo anterior, es decir, hemos considerado un nivel de prdidas energticas del 4% en nuestro sistema fotovoltaico. 1.2.2.2.3 CLCULO APROXIMADO DE PRDIDAS ENERGTICAS Y ECONMICAS POR SUCIEDAD PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS UBICADOS EN CDIZ De todo lo expuesto hasta ahora se deduce que si no tenemos en cuenta el efecto de la suciedad sobre el rendimiento, la energa que puede producir un mdulo fotovoltaico de una determinada Potencia Nominal depende, por un lado, de las condiciones de irradiancia incidente sobre el mismo en su lugar de ubicacin y, por otro, de la temperatura de operacin a la que se encuentra sometido. Para realizar un clculo aproximado de la energa que se puede llegar a perder en un sistema fotovoltaico debido a la suciedad depositada sobre los mdulos
1
Alonso Abella, Miguel, Sistemas Fotovoltaicos. Introduccin al diseo y dimensionado de instalaciones de energa solar fotovoltaica, 2 Ed., S.A.P.T Publicaciones Tcnicas, Madrid, 2005, Pgs. 47-48
FECHA 23/05/2013
PGINA 20
MEMORIA
que lo componen, tomaremos como nivel tpico de prdidas energticas por este factor, segn lo expuesto en el punto anterior, un valor del 4% sobre la energa elctrica que potencialmente el mdulo puede producir en base a su Potencia Nominal PN (en Wp), la irradiancia media diaria G md (en W/m2) disponible en su lugar de instalacin para la orientacin particular del mdulo y la temperatura media diaria del aire T amd (en C) de dicho lugar de instalacin. En nuestros clculos justificativos vamos a considerar un mdulo fotovoltaico de 175 Wp de Potencia Nominal instalado en la ciudad de Cdiz, orientado hacia el Sur (ngulo de orientacin respecto del sur geogrfico o ngulo azimutal = 0) y con un ngulo de inclinacin respecto a la horizontal de 40 (esta orientacin del mdulo sera la ptima para abastecer un consumo energtico anual constante, ya que maximiza la captacin energtica en los meses de invierno1). A la hora de obtener los datos de temperatura ambiente y de irradiancia incidente sobre superficie inclinada correspondientes a nuestro caso particular, hemos utilizado los datos meteorolgicos que proporciona el software Meteonorm Versin 5.0 , el cual est basado en un catlogo de bases de datos meteorolgicos procedentes de 7400 estaciones meteorolgicas de todo el mundo. En nuestras estimaciones hemos considerado que cada mdulo fotovoltaico se encuentra caracterizado por su Potencia Nominal definida en condiciones STC, de forma que no hemos tenido en cuenta la posible desviacin que podra presentar la potencia nominal real del mdulo respecto a este valor introducida en el propio proceso de fabricacin. Al mismo tiempo, se ha considerado que la potencia mxima que puede generar un mdulo fotovoltaico para una temperatura de clula constante, vara linealmente con la irradiancia global incidente existente en su lugar de instalacin para su orientacin particular. Es decir, hemos considerado que para un lugar de ubicacin y una orientacin e inclinacin concretas, un mdulo fotovoltaico de 100 Wp de Potencia Nominal operando a una temperatura de clula de 25C, producira una potencia mxima de 100 W cuando sobre l est
FECHA 23/05/2013
PGINA 21
MEMORIA
incidiendo una irradiancia global de 1000 W/m 2, mientras que nicamente generara 50 W para una irradiancia global incidente de 500 W/m 2. Esta consideracin nos ha permitido realizar una estimacin de la energa media diaria, Emd(en Wh), que, potencialmente, podra producir el mdulo a lo largo del ao. Dicha estimacin se ha llevado a cabo partiendo de los datos de irradiancia global horaria media diaria, G md (en W/m2), proporcionados por Meteonorm correspondientes a un ao tipo, para una superficie localizada en Cdiz orientada en la forma anteriormente descrita y suponiendo una temperatura de clula de 25 (Anexo 4 del Documento Bsico Anexos). Para introducir el efecto que la temperatura de clula tiene sobre el rendimiento del mdulo, hemos utilizado la frmula expuesta anteriormente que nos permite obtener de forma aproximada la temperatura de clula, T c, a partir de la temperatura ambiente, Ta, y de la irradiancia global incidente existente en su lugar de instalacin para la orientacin particular del mdulo, G: Tc(C) = Ta(C) + 0.03*G(W/m2) Esto nos ha permitido realizar, partiendo de los datos de irradiancia global media diaria, Gmd (en W/m2), y de temperatura media diaria del aire, T amd(en C), para un ao tipo proporcionados por Meteonorm para nuestra ubicacin y orientacin particulares, una estimacin de la temperatura media diaria de clula, Tcmd, a la que se encontrara operando nuestro mdulo fotovoltaico. Seguidamente, partiendo de los datos obtenidos de energa media diaria para temperatura de clula de 25C, E md(en Wh), y de temperatura media diaria de clula, Tcmd(en C), y suponiendo una disminucin en la energa generada de un 4% por cada 10C de aumento de la temperatura de clula respecto a los 25 C correspondientes a las condiciones STC, hemos realizado la estimacin de la energa media diaria, Emd(en Wh), que potencialmente podra producir nuestro mdulo fotovoltaico a lo largo del ao en condiciones reales de funcionamiento. Todos los datos relativos a estos clculos estimativos estn recogidos en el Anexo 4 del Documento Bsico Anexos. Tras realizar todos estos clculos, podemos afirmar que, de forma aproximada, un mdulo fotovoltaico de 175 Wp de Potencia Nominal ubicado en Cdiz y orientado hacia el Sur con un ngulo de inclinacin de 40, producira potencialmente, sin tener en cuenta las prdidas por suciedad, una energa total anual de 357 kWh.
MEMORIA
Si tomamos como porcentaje tpico de prdidas energticas por suciedad un valor del 4% de la energa que generara dicho mdulo teniendo en cuenta nicamente su Potencia Nominal, la irradiancia global incidente sobre el mismo y su temperatura de funcionamiento, obtenemos que nuestro mdulo fotovoltaico perdera anualmente una energa aproximada de 14 kWh. Extendiendo estos valores a sistemas fotovoltaicos formados por mltiples mdulos y teniendo en cuenta el tiempo de vida estimado de los mismos, obtenemos la siguiente tabla, en la que se realiza una estimacin de la energa total que un sistema fotovoltaico de la potencia nominal especificada, instalado en Cdiz y con paneles orientados en la forma anteriormente descrita, podra perder a causa de la suciedad acumulada en la superficie de los mdulos durante toda su vida til:
Energa total que Potencia nominal del sistema fotovoltaico (en kWp) N de mdulos fotovoltaicos de 175 Wp de potencia nominal que forman el sistema se pierde anualmente en el sistema fotovoltaico debido a suciedad (en kWh)
Energa total que se pierde en el sistema fotovoltaico debido a suciedad durante toda la vida til del sistema (se considera un tiempo de vida medio de 30 aos) (en kWh)
100 200 300 400 500
571 1142 1714 2285 2857
7994 15988 23996 31990 39998
239820 479640 719880 959700 1199940
Tabla 1. Estimacin de las prdidas energticas por suciedad en varios sistemas fotovoltaicos de diferentes potencias nominales tras un periodo de funcionamiento de un ao y al final de la vida til de la instalacin. Si traducimos estos valores de prdidas energticas al importe econmico que stos supondran para el titular de la instalacin fotovoltaica (en el caso de instalaciones de conexin a red), utilizando para ello el valor de la tarifa regulada que establece el Real Decreto 1578/2008, de 26 de septiembre, de retribucin de la actividad de produccin de energa elctrica mediante
FECHA 23/05/2013
PGINA 23
MEMORIA
tecnologa solar fotovoltaica para instalaciones posteriores a la fecha lmite de mantenimiento de la retribucin del Real Decreto 661/2007, de 25 de mayo, para dicha tecnologa, en el que se establece una tarifa regulada de 0.32 euros, mantenida durante un plazo mximo de 25 aos, para cada kWh de energa producida para instalaciones fotovoltaicas en suelo, obtenemos los valores representados en la siguiente tabla:
Importe acumulado de las prdidas econmicas por Potencia nominal del sistema fotovoltaico (en kWp) Importe de las prdidas por suciedad que se econmicas anuales produciran en el sistema fotovoltaico a lo largo de su vida til (se considera un tiempo de vida medio de 30 aos) (en )
suciedad que se produciran en el sistema fotovoltaico (en euros ())
100 200 300 400 500
2558 5116 7678 10236 12800
76742 153484 230361 307104 384000
Tabla 2. Estimacin de las prdidas econmicas por suciedad en varios sistemas fotovoltaicos de diferentes potencias nominales tras un periodo de funcionamiento de un ao y al final de la vida til de la instalacin. En base a los valores obtenidos en nuestras estimaciones podemos concluir que las prdidas por suciedad en sistemas fotovoltaicos (tanto energticas como econmicas en el caso de los sistemas fotovoltaicos de conexin a red) pueden llegar a ser muy importantes en funcin de la capacidad generadora del sistema. He aqu la razn de ser de nuestro proyecto, el cual tendr como objetivo fundamental la estimacin del nivel de prdidas energticas que diariamente se produce en los mdulos planos que forman el sistema debido a la suciedad acumulada sobre su superficie frontal. Este valor permitir, junto con otras variables como la potencia total de la instalacin, la poca del ao, la prediccin meteorolgica, etc., determinar
FECHA 23/05/2013
PGINA 24
MEMORIA
cundo dicho nivel lleva aparejado unas prdidas energticas y econmicas superiores al coste que supone efectuar una limpieza de los mdulos.
1.3
ALCANCE DEL PROYECTO

El presente proyecto tiene su campo de aplicacin en todas aquellas
instalaciones fotovoltaicas constituidas por mdulos fotovoltaicos planos cuyo volumen de produccin de energa elctrica aconseje un control del nivel de prdidas energticas por suciedad, dado que un funcionamiento prolongado en condiciones excesivas de suciedad puede disminuir de forma considerable la energa producida por el sistema. A este respecto cabra decir que el nivel de suciedad presente en una instalacin particular no slo va a depender de las caractersticas del entorno de su lugar de ubicacin, cuyo impacto sobre el funcionamiento de la instalacin puede ser estudiado, sino que tambin depende en gran medida de la frecuencia de lluvias en dicho lugar, lo cual introduce un factor estocstico en dicha variable de funcionamiento. Por todo ello, el sistema objeto del presente proyecto tendr como objetivo realizar una estimacin diaria del nivel de prdidas energticas por suciedad que se producen en un sistema fotovoltaico (o en una parte del mismo), sin tener en cuenta que dicho nivel puede cambiar drsticamente poco tiempo despus de realizar dicha medida debido a la aparicin de la lluvia. Por tanto, el sistema slo proporcionar un valor estimativo de dicho nivel de prdidas, quedando en manos del responsable de mantenimiento de la instalacin la decisin final de llevar a cabo la limpieza de los mdulos. A la hora de tomar dicha decisin se deberan tener en cuenta diversos factores tales como, por un lado, el tamao de la instalacin (potencia nominal total instalada), la produccin real de la instalacin en el momento de la medida, la poca del ao en la que nos encontremos (poca con escasez o abundancia de lluvias) junto con la prediccin meteorolgica para los das siguientes a la medicin, y por otro, el coste econmico que supone para el titular de la instalacin llevar a cabo la limpieza de los mdulos. Disponer de todos estos datos permite realizar un balance econmico entre el coste correspondiente a las prdidas energticas que se pueden esperar tras un determinado periodo de tiempo sin la aparicin de la lluvia, y el coste que supone la limpieza de los
FECHA 23/05/2013
PGINA 25
MEMORIA
mdulos, proporcionando al responsable de mantenimiento el argumento de mayor peso que se debe tener en cuenta a la hora de tomar este tipo de decisiones: la rentabilidad econmica. Por otro lado, el sistema que desarrolla el presente proyecto ha sido calibrado utilizando un determinado modelo de mdulo fotovoltaico, ya que el algoritmo de clculo utilizado para estimar el porcentaje de prdidas energticas por suciedad requiere de un estudio previo de las caractersticas elctricas de salida de dicho mdulo. Esto implica que nuestro sistema deber ser calibrado en funcin del modelo de mdulo que utilice la instalacin en la que vaya ser instalado. Esta calibracin consistir en un estudio del punto de mxima potencia del mdulo fotovoltaico en mltiples condiciones de funcionamiento. A partir de dicho estudio, determinaremos el comportamiento de las dos variables que definen dicho punto y que sern utilizadas en nuestro algoritmo de clculo: la tensin y la corriente de salida en el punto de mxima potencia, VPMP e IPMP. A su vez, es necesario apuntar que la tecnologa del mdulo fotovoltaico utilizado tambin se ha tenido en cuenta en el desarrollo de nuestro sistema, ya que dependiendo del material semiconductor utilizado en la fabricacin del mismo, su respuesta espectral es distinta, es decir, que bajo condiciones idnticas de funcionamiento, las diferentes tecnologas presentan producciones energticas ligeramente diferentes. La respuesta espectral de una clula solar hace referencia a la corriente que es capaz de suministrar dicha clula para cada longitud de onda de radiacin incidente. Las clulas fotovoltaicas ven la radiacin solar de diferentes modos dependiendo de los materiales de los que estn constituidas. Dicha respuesta espectral es una medida de la respuesta (medida en forma de corriente generada) de un dispositivo fotovoltaico expuesto a la luz solar. De esta forma, la luz de un determinado color producir diferentes cantidades de corriente dependiendo del material semiconductor del que est fabricada la clula solar.
FECHA 23/05/2013
PGINA 26
MEMORIA
Figura 4. Grfico de comparacin de la respuesta espectral tpica de distintas clulas fotovoltaicas (Si-a: silicio amorfo, Si-m: silicio monocristalino, Si-p: silicio policristalino). De este modo, la tecnologa del mdulo fotovoltaico influir en la eleccin del sensor de radiacin electromagntica utilizado en nuestro sistema, de forma que la respuesta espectral del mismo deber ser lo ms parecida posible a la del mdulo en cuestin. Para concluir este punto y como resumen de todo lo expuesto, diremos que el campo de aplicacin de nuestro sistema sern aquellos sistemas fotovoltaicos constituidos por mdulos planos de cualquier tecnologa, ya sean fijos o con sistema de seguimiento solar. En cualquier caso, ser condicin sine qua non para que el sistema sea efectivo, que ste sea instalado solidariamente a la estructura soporte de los mdulos, de forma que en todo momento presente idntica orientacin e inclinacin que los mismos. De igual modo, se hace imprescindible un estudio previo del comportamiento de los mdulos que conforman el sistema, de forma que podamos calibrar nuestro algoritmo de clculo para obtener resultados lo ms ptimos posible.
1.4
ANTECEDENTES DEL PROYECTO

El presente proyecto tiene su eje central en la determinacin de las producen en los sistemas
prdidas energticas que diariamente se
fotovoltaicos de mdulos planos debido a la suciedad que a lo largo del tiempo

MEMORIA
se va depositando sobre la superficie acristalada de los mismos. Dichas prdidas energticas tienen su origen en los fenmenos de reflexin, refraccin y absorcin que se producen cuando los rayos solares encuentran en su trayectoria una partcula de suciedad. Las caractersticas particulares de todos estos fenmenos presentan un carcter aleatorio ya que dependen de factores tales como el ngulo de incidencia de la radiacin solar sobre la partcula de suciedad, la forma exterior y composicin de dicha partcula, etc. En la actualidad no tenemos constancia de que exista en el mercado ningn dispositivo automtico capaz de realizar una estimacin del nivel de prdidas energticas por suciedad para instalaciones fotovoltaicas, con lo que el sistema que presentamos en este proyecto constituye un primer intento de llenar ese vaco. En las instalaciones fotovoltaicas actuales, la estimacin de la cantidad de energa que un mdulo fotovoltaico plano est dejando de producir en un instante determinado a causa de la suciedad acumulada sobre su superficie acristalada, se basa en el clculo de dos valores: por un lado, la potencia real que dicho mdulo est produciendo en las condiciones de funcionamiento reales existentes en el momento de la medicin, incluyendo el efecto de la suciedad, y por otro, la potencia que tericamente dicho mdulo debera producir en dichas condiciones de funcionamiento sin presencia de suciedad. Estas condiciones de funcionamiento a las que hacemos referencia estn constituidas por la irradiancia incidente sobre el mdulo y la temperatura de clula del mismo. El clculo de ambas potencias se lleva a cabo utilizando diferentes instrumentos de medida. La potencia real que un mdulo produce en un instante concreto puede ser determinado utilizando un trazador de curvas I-V, aparato que nos proporciona la curva corriente-tensin del mdulo fotovoltaico en las condiciones de funcionamiento existentes en el momento de realizar la medicin. De esta forma, a partir de la curva suministrada por dicho aparato de medida, podemos determinar la mxima potencia que el mdulo puede producir en las condiciones de medida existentes. Por otra parte, la potencia terica que el mdulo debera producir en base a dichas condiciones de funcionamiento sin presencia de suciedad, se determina
MEMORIA
a partir de las caractersticas tcnicas del mdulo proporcionadas por el fabricante junto con los datos de irradiancia incidente y temperatura de trabajo existentes en el momento de la medicin. La presencia de suciedad en la cubierta acristalada del mdulo fotovoltaico tiene el efecto de reducir y dispersar la irradiancia que reciben las clulas fotovoltaicas situadas tras ella. Cuando vara la irradiancia incidente, vara tambin la corriente y el voltaje en la salida del mdulo. A este respecto, como se ilustra en la siguiente figura, la corriente de cortocircuito vara linealmente con la irradiancia, mientras que el voltaje de circuito abierto se ve menos afectado siguiendo una dependencia logartmica 1.
Figura 5. Variaciones de Voc (ordenada izquierda) y de I sc (ordenada derecha) en funcin de la irradiancia incidente. Esta caracterstica de funcionamiento hace que podamos aproximar la prdida de potencia mxima en la salida de un mdulo debido a la suciedad por la prdida que se produce en la corriente de cortocircuito del mismo. Esto es lo que se suele hacer cuando se realizan estudios sobre la prdida de rendimiento en los mdulos debido a diferentes factores, como los diferentes estudios sobre el efecto de la suciedad que mencionamos en puntos anteriores, en los cuales la reduccin del rendimiento que se produce en mdulos sucios fue calculada a partir de la reduccin que se produce en la corriente de cortocircuito del mdulo respecto a la que presenta el mdulo cuando est limpio.
1
Instalaciones de Energa Solar. Tomo V. Sistemas de Conversin elctrica . Promotora General de Estudios S.A.. 5 Edicin. 2008. Pg.14.
FECHA 23/05/2013
PGINA 29
MEMORIA
Existen diversas ecuaciones que permiten determinar tanto la corriente de cortocircuito, Isc, como la tensin de circuito abierto, V oc, de un mdulo fotovoltaico en unas determinadas condiciones de irradiancia, G, y de temperatura de clula , Tc, a partir de los valores de ambos parmetros en condiciones STC proporcionados por el fabricante de los mdulos. Estas ecuaciones nos permiten determinar la corriente presentes en el momento de la medida. A la hora de realizar la medida de la irradiancia existente en el momento de llevar a cabo la medicin, se utilizan en la actualidad dos instrumentos de medida: los piranmetros y las clulas de tecnologa equivalente. Los piranmetros son instrumentos que miden la irradiancia global con simetra hemiesfrica. Se suelen utilizar piranmetros de dos clases dependiendo del tipo de elemento detector que utilicen. Los primeros, denominados piranmetros de tipo termopila, utilizan como elemento detector una pila termoelctrica o termopila, la cual consiste en varios termopares conectados en serie que proporcionan una tensin proporcional a la irradiancia global incidente. El funcionamiento de la termopila se basa en el efecto termoelctrico: la radiacin recibida es absorbida por una superficie negra, que calienta el conjunto de termopares proporcionando una tensin proporcional a la irradiancia. Este tipo de piranmetros es ms preciso y ms caro. El segundo tipo de piranmetro utiliza como sensores de irradiancia pequeas clulas fotovoltaicas o fotodiodos, los cuales producen una corriente proporcional a la irradiancia recibida. Por otro lado, las clulas de tecnologa equivalente (CTE) o clulas de referencia calibradas, ofrecen otro modo de medida de la irradiancia muy adecuado para la medida de la operacin de los mdulos fotovoltaicos, debido a la correccin del fenmeno de respuesta espectral e incidencia angular. Las clulas han de ser del mismo tipo que los mdulos, de forma que ambos presenten la misma respuesta espectral. Normalmente estas clulas son calibradas en laboratorios especializados bajo unas determinadas condiciones de espectro solar (normalmente bajo el espectro de referencia AM1,5G), y pueden dar diferentes medidas si operan con diferentes espectros, lo que tambin ocurre con los mdulos y generadores fotovoltaicos. Utilizando CTE
de cortocircuito que
tericamente debera producir el mdulo en las condiciones de funcionamiento
MEMORIA
para medir la irradiancia es posible medir la potencia elctrica de los mdulos como si estuviesen en condiciones espectrales de AM1,5G. Las CTE normalmente se encuentran encapsuladas y enmarcadas del mismo modo que los mdulos fotovoltaicos, y la clula activa se rodea de clulas inactivas para que su comportamiento sea lo ms parecido posible al de los mdulos. Esta forma de determinar las prdidas energticas por suciedad (comparar la corriente de cortocircuito real con suciedad con la terica sin suciedad en las condiciones de funcionamiento existentes) presenta los inconvenientes de, por un lado, tener que medir a la salida del mdulo fotovoltaico la corriente de corto que en dicho momento est generando el mismo y, por otro, la necesidad de limpiar la superficie de la clula calibrada o del piranmetro antes de llevar a cabo la medicin. Al disear nuestro sistema, hemos partido de todos estos antecedentes aunque introduciendo todos aquellos elementos necesarios para lograr una automatizacin de dicho proceso de medida.
1.5
1.5.1
LIBROS -
NORMAS Y REFERENCIAS DEL PROYECTO

BIBLIOGRAFA
Alonso Abella, Miguel. Sistemas Fotovoltaicos, Introduccin al diseo y
dimensionado de instalaciones de energa solar fotovoltaica, Segunda Edicin, Editorial S.A.P.T. Publicaciones Tcnicas S.L., Madrid, 2005. - Bueno Martn, ngel, de Soto Gorroo, Ana I. Desarrollo y construccin de prototipos electrnicos, Editorial Marcombo S.A., Barcelona, 2005. - Fernndez Salgado, Jos M. Gua completa de la energa solar fotovoltaica , Editorial A.M.V. Ediciones, Espaa, 1997. - Hambley, Allan R. Electrnica, Segunda Edicin, Editorial Pearson Educacin S.A., Madrid, 2001. - Lorenzo, Eduardo y otros autores. Electricidad Solar. Ingeniera de los sistemas fotovoltaicos, Editorial Promotora General de Estudios S.A., Espaa, 1994.
FECHA 23/05/2013
PGINA 31
MEMORIA
- Marco Montoro, Jos. S.L., Espaa, 2005.
Instalaciones Solares Fototrmicas de baja
temperatura. Diseo y aplicaciones, Editorial S.A.P.T. Publicaciones Tcnicas - Prez Garca, Miguel A., lvarez Antn, Juan C., Campo Rodrguez, Juan C., Ferrero Martn, Francisco J., Grillo Ortega, Gustavo J. Instrumentacin electrnica, Editorial Thomson, Madrid, 2004. - Quintns Graa, Camilo. Simulacin de circuitos electrnicos con OrCAD 16 DEMO, Editorial Marcombo S.A., Barcelona, 2008. - Scott Mackenzie, I., Raphael C. W. Phan. Microcontrolador 8051, Cuarta Edicin, Editorial Pearson Educacin S.A., Mxico, 2007 - Serwey, Raymond A., Beichner, Robert J., Fsica para ciencias e ingeniera, Quinta Edicin, Editorial McGraw Hill, Mxico D.F., 2002. - Varios autores, La energa y el medio ambiente, Editorial Biblioteca Ben Rosch de divulgacin cientfica y tecnolgica, Espaa, 2006. - Varios autores, Instalaciones de Energa Solar. Tomo V. Sistemas de Conversin Elctrica, Quinta Edicin, Promotora General de Estudios S.A., Sevilla, 2008. ARTCULOS - Haeberlin, H. y Graf, J.D. Gradual Reduction of PV Generator Yield due to Pollution, Segunda conferencia mundial de Conversin de Energa Solar Fotovoltaica, Viena (Austria), 1998. - Hammond, R., Srinivasan, D., Harris, A. y Whitfield, K. Effects of Soiling on PV Module and Radiometer Performance , Vigsimo sexta Conferencia de Energa Solar Fotovoltaica, Aneheim (Estados Unidos), 1997. - Vivar, M., Herrero, R., Martnez Moreno, F., Rodrigo Moretn, I., Sala, G. Efecto de la suciedad en los sistemas de concentracin fotovoltaicos. Revista especializada Solar News, Nmero 19/Noviembre-Diciembre de 2008, Editorial Grupo Acorde Comunicacin S.L.
1.5.2
PROGRAMAS DE CLCULO
- Meteonorm Versin 5.0, Edicin 2003, Meteotest - OrCAD 16 DEMO, Cadence Design Systems Inc.
FECHA 23/05/2013
PGINA 32
MEMORIA
- uVision 3, Keil Software.
1.6
DEFINICIONES Y ABREVIATURAS
- Amplificador Operacional: Un amplificador operacional es un circuito electrnico (normalmente se presenta en forma de circuito integrado) que tiene dos entradas (V+ y V-) y una salida (VOUT). La tensin de salida que produce un amplificador operacional es igual a la diferencia de los dos tensiones de entrada (V+ - V-) multiplicada por un determinado factor G denominado Ganancia del amplificador, el cual es una caracterstica de cada amplificador operacional: VOUT = G* (V+ - V-). - ngulo de incidencia: Se denomina ngulo de incidencia de un rayo de luz sobre una superficie al ngulo que forma dicho rayo de luz con la recta normal a la superficie en el punto en el que golpea el rayo. - Banda de conduccin: En semiconductores y aislantes, la banda de conduccin es el intervalo de energas electrnicas que, estando por encima de la banda de valencia, permite a los electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo elctrico externo y, por tanto, permite la presencia de corrientes elctricas. Los electrones de un semiconductor pueden alcanzar esta banda cuando reciben suficiente energa, generalmente debida a la excitacin trmica. - Banda de valencia: En la teora de slidos, se denomina banda de valencia al ms alto de los intervalos de energas electrnicas (o bandas) que se encuentra ocupado por electrones en el cero absoluto de temperatura. En semiconductores y aislantes aparece una banda prohibida o gap por encima de la banda de valencia, seguida de una banda de conduccin a energas an mayores. En los metales, por el contrario, no hay ningn intervalo de energas prohibidas entre las bandas de valencia y de conduccin. - Banda Prohibida: La banda prohibida o gap es la diferencia de energa entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conduccin. Est presente en aislantes y semiconductores. - Bus: En arquitectura de computadores, el bus es un sistema digital que transfiere datos entre los componentes de un ordenador o entre diferentes ordenadores. Est formado por cables o pistas en un circuito impreso,
FECHA 23/05/2013
PGINA 33
MEMORIA
dispositivos como resistencias y condensadores adems de circuitos integrados. - Clula de tecnologa equivalente (CTE): Tambin denominadas clulas de referencia calibradas, son clulas solares calibradas para medir la irradiancia global. - Clula fotovoltaica: Tambin llamada clula fotoelctrica, fotoclula o celda fotovoltaica, es un dispositivo electrnico que permite transformar directamente la energa electromagntica en energa elctrica. Su funcionamiento se basa en el denominado Efecto fotoelctrico. - Condiciones Estndar de Medida (STC): Condiciones de funcionamiento en las que se define la Potencia Nominal de un mdulo fotovoltaico, las cuales estn caracterizadas por una irradiancia incidente normal al mdulo de 1000 W/m2, una temperatura de clula de 25 C y un espectro de la irradiancia normalizado a una masa de aire 1,5 global (AM1,5G). A menudo, dichas condiciones de funcionamiento reciben el nombre de condiciones pico de funcionamiento. - Constante de Boltzmann: La constante de Boltzmann (k o k B) es la constante fsica que relaciona temperatura absoluta con energa. Su valor en el Sistema Internacional de Unidades (SI) es: k=1,3806504.10 -23 J/K. - Constante de Planck: La constante de Planck (h) es una constante fsica que representa al cuanto elemental de accin. Es la relacin entre la cantidad de energa y de frecuencia asociadas a un cuanto o a una partcula. La constante de Planck relaciona la energa E de los fotones con la frecuencia de la onda lumnica segn la frmula: E=h. El valor conocido de la constante de Planck es: h=6,62606896(33).10 -34 J.s - Convertidor analgico-digital (ADC): Dispositivo electrnico encargado de la transformacin de una seal analgica en una seal digital, con el objetivo de facilitar su procesamiento y hacer la seal resultante ms inmune al ruido y otras interferencias electromagnticas a las que son ms sensibles las seales analgicas. - Corriente de cortocircuito de un mdulo fotovoltaico (I sc): Mxima corriente que puede producir el mdulo fotovoltaico a voltaje cero en unas determinadas condiciones de funcionamiento. La corriente de cortocircuito de un mdulo
MEMORIA
fotovoltaico es aproximadamente proporcional a la irradiancia incidente sobre el mismo y aumenta ligeramente con la temperatura. - Corriente en el punto de mxima potencia de un mdulo fotovoltaico (I PMP): Es el valor que toma la corriente de salida del mdulo en el punto de mxima potencia. - Curva Corriente-Tensin (I-V) de un mdulo fotovoltaico: Curva que indica la potencia instantnea que produce el mdulo en funcin de las condiciones de operacin que varan a lo largo de un da para diferentes valores de carga. Dicha curva depende de las caractersticas constructivas del mdulo y de diversas condiciones ambientales tales como: la irradiancia incidente, la temperatura de clula y el espectro de la radiacin electromagntica. Los parmetros que caracterizan la curva I-V de un mdulo fotovoltaico son: la tensin de circuito abierto (Voc), la corriente de cortocircuito (Isc), la corriente en el punto de mxima potencia (IPMP), la tensin en el punto de mxima potencia (VPMP), la potencia mxima de salida (Pm), y el factor de forma (FF). - Diodo emisor de luz (LED): Dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz de espectro electromagntico reducido cuando su unin PN se polariza en forma directa y circula por el mismo una corriente elctrica. El color (longitud de onda) de la luz emitida depende del material semiconductor utilizado en la fabricacin del diodo. - Espectro electromagntico: Distribucin energtica del conjunto de las ondas electromagnticas. Cuando se encuentra referido a un objeto o sustancia recibe el nombre de espectro electromagntico, o simplemente espectro, a la radiacin electromagntica que emite (espectro de emisin) o que absorbe (espectro de absorcin). - Fotodiodo: Dispositivo semiconductor sensible a la incidencia de la luz, de forma que genera una corriente aproximadamente proporcional a la intensidad de dicha radiacin incidente. - Fotn: En fsica moderna, el fotn es la partcula elemental responsable de las manifestaciones cunticas del fenmeno electromagntico. Es la partcula portadora de todas las formas de radiacin electromagntica, incluyendo la luz ultravioleta, la luz visible, la luz infrarroja, las microondas y las ondas de radio. El fotn tiene una masa invariante cero y viaja en el vaco con una velocidad constante c. Como todos los cuantos, el fotn presenta tanto propiedades
MEMORIA
corpusculares como ondulatorias. En este sentido se comporta como una partcula cuando interacciona con la materia para transferir una cantidad fija de energa, que viene dada por la expresin:
E= hc
donde h es la constante de Planck, c es la velocidad de la luz y es la longitud de onda. - Fotorresistencia (LDR): Tambin llamada resistencia dependiente de la luz, es un componente electrnico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. - Frecuencia de un onda: Nmero de crestas o valles , o cualquier otro punto en la onda, que pasa por un punto dado en un intervalo de tiempo unitario. Su unidad en el Sistema Internacional el hercio (Hz). - Generador Fotovoltaico: Conjunto formado por mdulos fotovoltaicos conectados en serie y/o paralelo. - Interrupcin: En un microcontrolador, una interrupcin es la ocurrencia de una condicin o evento que ocasiona la suspensin temporal de un programa mientras que otro programa se encarga de servir a dicha condicin. Las interrupciones permiten que un sistema pueda responder a un evento en forma asncrona y se encargue del evento mientras se ejecuta otro programa. - Irradiacin solar (E): Cantidad de energa solar recibida por unidad de superficie durante un determinado periodo de tiempo. En el caso de que dicho periodo de tiempo sea de un da, su unidad en el Sistema Internacional es el vatio-hora por metro cuadrado y por da (Wh/m2/da). - Irradiancia global (G): Se denomina de esta forma a la potencia incidente total por unidad de superficie que se recibe en la superficie terrestre en un instante determinado para una orientacin e inclinacin determinadas. Por ser una irradiancia, su unidad en el Sistema Internacional es el W/m 2. Esta irradiancia est formada por tres componentes: 1. Irradiancia directa: parte de la radiacin solar que llega a la superficie directamente en lnea recta desde el Sol. 2. Irradiancia difusa: parte de la radiacin solar que llega a la superficie terrestre desde todas las direcciones debido a los efectos de dispersin de los componentes de la atmsfera.
FECHA 23/05/2013
PGINA 36
MEMORIA
3. Irradiancia de albedo o reflejada: parte de la radiacin solar que alcanza la superficie tras ser reflejada por el entorno. - Irradiancia solar: Potencia incidente por unidad de superficie de la radiacin electromagntica procedente del Sol. Su unidad en el Sistema Internacional es el vatio por metro cuadrado (W/m2). - Latch: Un latch es un circuito electrnico usado para almacenar informacin en sistemas lgicos asncronos. Un latch puede almacenar un bit de informacin. Los latches son dispositivos biestables que no tienen entrada de reloj y cambian el estado de salida slo en respuesta a datos de entrada. - Longitud de onda de una onda: Distancia entre crestas o valles contiguos, o cualquier otra comparable entre puntos idnticos adyacentes, en una onda. Su unidad en el Sistema Internacional es el metro (m). - Masa de aire (AM): Concepto que hace referencia a la distancia que la luz solar tiene que atravesar a travs de la atmsfera antes de alcanzar la superficie terrestre. Al medioda solar, cuando la luz solar es perpendicular, se tiene un espesor 1 (designado como AM1,0). Este espesor variar con la hora del da. El espectro AM1,5 se considera como un estndar de medida. - Memoria EEPROM: Las siglas EEPROM corresponden a Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (memoria de slo lectura programable y borrable elctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado elctricamente, a diferencia de la memoria EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioleta. Ambas son tipos de memoria no voltil. - Memoria Flash: La memoria flash es una forma desarrollada de la memoria EEPROM que permite que mltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacin de programacin mediante impulsos elctricos, frente a las anteriores que slo permiten escribir o borrar una nica celda cada vez. Por ello, este tipo de memoria permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo. - Memoria RAM: Las siglas RAM corresponden a Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio). Es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados. Es el rea de trabajo para la mayor parte del software de un computador. Se trata de una memoria de
MEMORIA
estado slido en la que se puede tanto leer como escribir informacin. Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayora del software. Se denominan de acceso aleatorio porque se puede leer o escribir en una posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera ms rpida posible. - Memoria ROM: Las siglas ROM corresponden a Read Only Memory (memoria de slo lectura). Es una clase de medio de almacenamiento utilizado en los ordenadores y otros dispositivos electrnicos. Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar (al menos no de manera rpida y fcil). En su sentido ms estricto, el trmino ROM se refiere slo a aquellas memorias que se fabrican con los datos almacenados en forma permanente, y por lo tanto, nunca puede ser modificada. Sin embargo, las memorias ROM ms modernas (EPROM, EEPROM, Flash EEPROM) se pueden borrar y volver a programar varias veces. Estas memorias siguen recibiendo la denominacin de ROM porque el proceso de reprogramacin en general es poco frecuente, relativamente lento, y a menudo no se permite la escritura en lugares aleatorios de la memoria. - Microcontrolador: Circuito integrado o chip que incluye en su interior las tres unidades funcionales de un computador: Unidad Central de Proceso (CPU), Memoria y Unidades de Entrada y Salida, y que es utilizado para controlar un determinado proceso. - Mdulo Fotovoltaico: Tambin denominado panel fotovoltaico o colector solar fotovoltaico, es un dispositivo electrnico formado por un conjunto de clulas fotovoltaicas conectadas en serie y/o paralelo, que produce energa elctrica a partir de la radiacin electromagntica que incide sobre l. - Piranmetro: Instrumento utilizado para medir la irradiancia global con simetra hemiesfrica. Son de dos clases: los de tipo termopila y los de tipo fotodiodo. - Potencia Nominal de un mdulo fotovoltaico: Mxima potencia que puede generar el mdulo fotovoltaico operando en las Condiciones Estndar de Medida. Por ser una potencia, su unidad en el Sistema Internacional es el vatio (W), aunque en el caso de este parmetro dicha unidad suele recibir el nombre de vatio pico (Wp).
MEMORIA
- Programa: Un programa, o software, es una serie de instrucciones que se combinan para ejecutar una tarea til. Son los programas los que controlan el funcionamiento de la Unidad Central de Procesamiento (CPU) de un sistema computacional. - Puerto serie: Interfaz de comunicaciones de datos digitales en donde la informacin es transmitida bit a bit, enviando un solo bit a la vez. - Punto de mxima potencia de un mdulo fotovoltaico (PMP): Se denomina de esta forma al punto de trabajo del mdulo en el que la potencia de salida del mismo es mxima. El valor de la corriente en dicho punto recibe el nombre de Corriente en el punto de mxima potencia (I PMP), mientras que la tensin en dicho punto se denomina Voltaje en el punto de mxima potencia (V PMP). - Punto de Trabajo de un mdulo fotovoltaico: Punto definido por la corriente y la tensin de salida de un mdulo fotovoltaico en unas determinadas condiciones de carga y bajo unas determinadas condiciones de funcionamiento. Bajo unas determinadas condiciones de funcionamiento, el punto de trabajo de un mdulo fotovoltaico viene impuesto por el tipo de carga que se conecte al mismo, y est definido por el punto de corte entre la curva I-V del mdulo y la curva I-V de la carga o consumo. - Radiacin electromagntica: Combinacin de campos elctricos y magnticos oscilantes, que se propagan a travs del espacio transportando energa de un lugar a otro. Este tipo de ondas, a diferencia de otros como el sonido, no necesitan un medio material para propagarse, pudiendo hacerlo en el vaco. El mecanismo fundamental responsable de este tipo de radiacin es la aceleracin de una partcula cargada. - Reset: La seal de entrada Reset (RST) es la seal maestra de reinicio del microcontrolador. Cuando un microcontrolador se resetea, los registros internos del dispositivo se cargan con los valores apropiados para efectuar un ciclo de inicio ordenado del sistema. - Respuesta espectral de una clula solar: Este trmino hace referencia a la corriente que es capaz de suministrar la clula solar para cada longitud de onda o color de la luz incidente. Cada tecnologa de clula solar presenta una determinada respuesta espectral. - Rutina de Servicio de Interrupcin (ISR): Tambin conocida como manejador de interrupciones, es el programa que se encarga de efectuar una interrupcin.
MEMORIA
La ISR se ejecuta en respuesta a la interrupcin y, por lo general, realiza una operacin de entrada o de salida sobre un dispositivo. - Sistema fotovoltaico de conexin a red : Son aquellas instalaciones fotovoltaicas cuya energa elctrica producida es inyectada a la red de distribucin de energa elctrica para su posterior consumo. - Temperatura de clula (Tc): Temperatura a la que se encuentra el mdulo fotovoltaico en funcionamiento. Por ser una temperatura, su unidad en el Sistema Internacional es el Kelvin (K), aunque suele ser habitual expresar esta variable de funcionamiento en grados centgrados (C). - Termopar: Dispositivo formado por la unin de dos metales distintos que produce un voltaje el cual es funcin de la diferencia de temperatura entre uno de sus extremos, denominado punto caliente o unin caliente o de medida, y el otro extremo denominado punto fro o unin fra o de referencia. Los termopares son ampliamente utilizados en instrumentacin industrial como sensores de temperatura. - Termopila: Dispositivo electrnico constituido por un conjunto de termopares conectados en serie (de 20 a 120) con objeto de incrementar la tensin de salida y con todas las uniones muy juntas con objeto de recoger toda la radiacin. - Trazador de curvas I-V: Es un aparato de medida utilizado para obtener la curva corriente-tensin que presenta a su salida un mdulo fotovoltaico funcionando bajo unas determinadas condiciones de operacin. Unidad Central de Procesamiento(CPU): Dentro de un sistema computacional, la CPU se encuentra conectada a la Memoria de Acceso Aleatorio (RAM) y a la Memoria de Slo Lectura (ROM) a travs de un bus de direcciones, un bus de datos y un bus de control. La CPU acta como el cerebro del sistema computacional: administra toda actividad realizada en el sistema y lleva a cabo todas las operaciones sobre los datos. La CPU est constituida por un conjunto de circuitos lgicos que ejecutan dos operaciones de manera continua: la bsqueda de instrucciones y su ejecucin. La CPU tiene capacidad para interpretar y ejecutar instrucciones codificadas en forma binaria, cada una de las cuales representa una operacin simple. - Vatio pico (Wp): Unidad en la que se expresa la potencia nominal de un mdulo fotovoltaico. El trmino pico hace referencia a que dicha potencia
MEMORIA
nominal est referida a unas determinadas condiciones de funcionamiento denominadas Condiciones Estndar de Medida o condiciones pico. - Voltaje de circuito abierto de un mdulo fotovoltaico (V oc): Mximo voltaje que produce el mdulo fotovoltaico a corriente cero en unas determinadas condiciones de funcionamiento. El voltaje de circuito abierto de un mdulo fotovoltaico aumenta logartmicamente con la irradiancia incidente y disminuye con la temperatura. - Voltaje en el punto de mxima potencia de un mdulo fotovoltaico (V PMP): Es el valor que toma el voltaje de salida del mdulo en el punto de mxima potencia.
1.7
REQUISITOS DE DISEO
En la elaboracin del presente proyecto, y ms concretamente en la
eleccin de los diferentes componentes electrnicos que lo conforman, se han tenido en cuenta las directrices que establece el Real Decreto 208/2005, de 25 de febrero, sobre aparatos elctricos y electrnicos y la gestin de sus residuos. Este Real Decreto tiene por objeto, mediante la trasposicin de las Directivas 2002/95/CE del Parlamento Europeo y del Consejo, de 27 de enero de 2003, sobre restricciones a la utilizacin de determinadas sustancias peligrosas en aparatos elctricos y electrnicos, 2002/96/CE del Parlamento Europeo y del Consejo, de 27 de enero de 2003, sobre residuos de aparatos elctricos y electrnicos, y 2003/108/CE del Parlamento Europeo y del Consejo, de 8 de diciembre de 2003, por la que se modifica la Directiva 2002/96/CE, establecer medidas para prevenir la generacin de residuos procedentes de aparatos elctricos y electrnicos, y reducir su eliminacin y la peligrosidad de sus componentes, as como regular su gestin para mejorar la proteccin del medio ambiente. A este respecto, dicho Real decreto establece en su artculo 3, Medidas de prevencin, lo siguiente: Los productores de aparatos elctricos y electrnicos, de sus materiales y de sus componentes debern: a. Disear todos los aparatos y las bombillas y las luminarias de hogares particulares, de forma que no contengan plomo, mercurio, cadmio, cromo
FECHA 23/05/2013
PGINA 41
MEMORIA
hexavalente, policromobifenilos o polibromodifenilteres, salvo las excepciones y con las condiciones que se establecen en el anexo II. La mencionada Directiva de la Comunidad Europea 2002/95/CE, denominada Directiva RoHS, restringe el uso de determinadas sustancias peligrosas en aparatos elctricos y electrnicos. Cuando un componente electrnico aparece designado como conforme a RoHS, significa que dicho componente no contiene ninguna de las sustancias restringidas referidas en el Artculo 4(1) de la Directiva RoHS en concentraciones que excedan las permitidas por la misma, o bien que la eliminacin de dichas sustancias restringidas no es tcnicamente posible y su presencia en los productos en niveles que excedan estas concentraciones est permitida para aplicaciones especficas enumeradas en el correspondiente Anexo de dicha Directiva. Los valores mximos de concentracin de las sustancias restringidas en materiales homogneos por peso que establece esta Directiva Europea son: - Plomo - Mercurio - Cromo Hexavalente - Polibromobifenilos - Polibromodifenilteres - Cadmio 0,1% 0,1% 0,1% 0,1% 0,1% 0,01%
Por todo ello, la eleccin de los diferentes componentes electrnicos que hemos utilizado en la fabricacin de nuestro prototipo se ha realizado teniendo en cuenta todas estas prescripciones, de forma que cada componente usado ha sido designado conforme a RoHS por la empresa distribuidora correspondiente. Otro aspecto fundamental que ha sido tenido en cuenta a la hora de realizar el diseo de nuestro equipo de medida es el hecho de que tendr que operar en las mismas condiciones de funcionamiento que los mdulos de la instalacin, es decir, estar sometido a condiciones de intemperie. Esto nos ha obligado a desarrollar un diseo exterior que dote al equipo de unas caractersticas de hermeticidad adecuadas para su entorno de operacin. Asimismo, puesto que el equipo de medida deber ser instalado en la misma estructura soporte de los mdulos con la misma orientacin e inclinacin que
FECHA 23/05/2013
PGINA 42
MEMORIA
estos, deber poseer unas caractersticas adecuadas para poder realizar dicha instalacin. Otro punto importante en el diseo de nuestro equipo ha sido la alimentacin del mismo. En nuestro caso, los circuitos han sido diseados para ser alimentados con una tensin continua de +12 V. Por ltimo, un requisito de diseo fundamental tenido en cuenta a la hora de elaborar el presente proyecto ha sido la necesidad de que el equipo de medida sea completamente independiente al sistema de mdulos de la instalacin, de forma que pueda ser instalado sin tener que llevar a cabo ninguna modificacin en la instalacin fotovoltaica. Esto nos obliga a dotar al equipo de sensores propios para determinar el nivel de suciedad acumulada en los mdulos de los alrededores.
1.8
1.8.1
ANLISIS DE SOLUCIONES
INTRODUCCIN AL SISTEMA DE MEDIDA
Una clula solar, y por extensin un mdulo fotovoltaico, genera energa elctrica de manera aproximadamente proporcional a la irradiancia solar (en W/m2) que recibe. La suciedad que a lo largo del tiempo se va acumulando sobre la superficie frontal del mdulo tiene el efecto de reducir la irradiancia que reciben las clulas que lo forman y, como consecuencia directa, el mdulo produce menos energa elctrica que la que podra generar estando su vidrio frontal completamente limpio. Esta diferencia entre la energa real generada en condiciones de suciedad y la energa que tericamente se podra producir en condiciones de limpieza constituye la prdida de energa por suciedad en mdulos fotovoltaicos y su clculo aproximado constituye la razn de ser de este sistema. Como en todo proyecto de diseo, nuestro punto de partida ha sido el objetivo final a alcanzar: lograr automatizar el proceso de medicin de la cantidad de energa que un sistema fotovoltaico puede estar perdiendo en un instante determinado debido a la suciedad acumulada sobre la superficie de los mdulos fotovoltaicos planos que lo componen. Como ya hemos mencionado en varias ocasiones, cuando en el presente texto hablamos de suciedad, nos
FECHA 23/05/2013
PGINA 43
MEMORIA
estamos refiriendo a la capa de residuos aproximadamente uniforme que a lo largo del tiempo de funcionamiento de la instalacin se va acumulando sobre el vidrio frontal de los mdulos debido a los agentes ambientales y meteorolgicos propios del lugar donde estn instalados. Dicha capa de residuos disminuye la irradiancia recibida por las clulas solares de manera aproximadamente uniforme. Por lo tanto, quedan excluidos de dicho trmino residuos tales como los procedentes de las aves, los cuales producen sombreamientos muy locales en las clulas que llevan asociados prdidas de energa por sobrecalentamiento. Actualmente esta prdida de energa por suciedad debe ser calculada comparando la potencia real que produce el mdulo (medida en un instante concreto a la salida del mismo) con la que tericamente debera estar produciendo en base a la irradiancia y la temperatura de clula existentes en el momento de la medicin junto con las caractersticas constructivas del mdulo en cuestin facilitadas por el fabricante. Sin embargo, la medida de la irradiancia existente en el momento de la medicin debe ser realizada con un sensor completamente limpio, para eliminar de esta forma el efecto de la suciedad, lo que obliga a llevar a cabo una limpieza del mismo previamente a cada medida. El cumplimiento de esta condicin ha sido uno de los puntos centrales del presente proyecto. Como mencionamos en el apartado dedicado al funcionamiento de los mdulos fotovoltaicos, la suciedad que con el paso del tiempo se va acumulando sobre la superficie acristalada de un mdulo tiene el efecto de reducir la cantidad de irradiancia que reciben las clulas solares que lo componen, lo cual se traduce en una reduccin proporcional de la corriente generada por el mdulo y, por tanto, de la potencia de salida del mismo. Esta reduccin en la irradiancia recibida por las clulas depende de varios factores tales como el ngulo de incidencia de la radiacin y la composicin y forma de las partculas de suciedad. Asimismo tambin se apunt que la temperatura del mdulo tambin afecta a la potencia de salida del mismo, de forma que al aumentar la temperatura de clula se produce una reduccin en la potencia generada. A la hora de desarrollar el diseo de nuestro equipo, una de las condiciones iniciales que tuvimos en cuenta fue que nuestro sistema tena que
MEMORIA
ser completamente independiente al generador fotovoltaico, es decir, deba poder ser colocado en cualquier instalacin fotovoltaica existente sin tener que realizar ninguna modificacin elctrica en la misma. Por tanto, todas las mediciones realizadas por nuestro sistema deban tener su origen en sensores propios, evitando de esta forma tener que realizar ningn tipo de conexin elctrica entre la entrada del sistema de medida y la salida de los mdulos de la instalacin. Esto ltimo, por un lado, facilita la implantacin del mismo en las instalaciones existentes pero, por otro lado, obliga a llevar a cabo una intensa labor de estudio y experimentacin para poder relacionar los datos obtenidos por nuestros sensores con la salida real de los mdulos en diferentes condiciones de funcionamiento. Como explicaremos ms adelante en este mismo punto, se han llevado a cabo mediciones experimentales en condiciones reales de funcionamiento durante ms de seis meses para relacionar ambos valores. Otra de las exigencias que se ha intentado cumplir al disear el sistema ha sido minimizar al mximo posible los costes de fabricacin del mismo, lo que ha implicado realizar un balance entre sencillez y exactitud, con el objetivo de hacerlo atractivo cara a una futura comercializacin. A este respecto se han elegido diseos de circuitos simples y componentes electrnicos fiables pero de precio razonable. Por ltimo, otro de los requisitos a cumplir por nuestro equipo de medida es el de poder soportar las condiciones de intemperie a las que va a estar sometido durante toda su vida til. Por esta razn, aunque este proyecto est centrado en el aspecto electrnico del sistema, hemos realizado el diseo de un prototipo inicial, fabricado a partir de elementos disponibles en el mercado que hemos modificado para adaptarlos a nuestras necesidades. Aunque este prototipo inicial nos ha permitido realizar pruebas del funcionamiento del sistema, creemos que futuros modelos del mismo deberan ser sometidos a pruebas de hermeticidad y durabilidad basadas en normas estandarizadas (como por ejemplo las normas europeas IEC60670 e IEC60529 sobre el ndice de Proteccin de un equipo) con el objeto de asegurarnos de que hemos dotado a nuestro equipo de las suficientes propiedades de hermeticidad y durabilidad necesarias para soportar las condiciones de funcionamiento a las que va a estar sometido.
MEMORIA
De todo lo expuesto hasta ahora podemos concluir que el clculo de las prdidas energticas por suciedad en mdulos fotovoltaicos parte de la determinacin de la prdida de irradiancia incidente asociada que se produce en las clulas del mdulo por dicho factor. Esta prdida de irradiancia viene dada por la diferencia entre la irradiancia real que reciben las clulas con el vidrio frontal del mdulo sucio, y la que recibiran si dicho vidrio estuviera completamente limpio. Este hecho ha supuesto el punto de partida de nuestro proyecto y la base a partir de la cual se han desarrollado los diferentes aspectos del mismo: diseo exterior, principios de funcionamiento, algoritmos de clculo, programa de funcionamiento, etc. Por lo tanto, segn el razonamiento anterior, para poder determinar la energa que un mdulo est dejando de generar en un instante determinado a causa de la suciedad depositada sobre su vidrio frontal, necesitamos conocer con la mayor exactitud posible, por un lado, el nivel de irradiancia que existe tras el vidrio frontal sucio, y por otro lado, el que existira si dicho vidrio estuviera limpio. Por todo ello, a la hora de disear nuestro sistema, ha sido ste el punto central de estudio: cmo podemos determinar de forma aproximada los dos niveles de irradiancia anteriormente especificados.
1.8.2
DISEO EXTERIOR DEL EQUIPO
Como ya hemos explicado en los puntos anteriores, la suciedad acumulada sobre la superficie de un mdulo tiene el efecto de reducir la irradiancia que reciben las clulas del mismo. De esta forma, teniendo en cuenta el comportamiento de las variables elctricas de salida de un mdulo (corriente y tensin de salida) frente a la irradiancia, podemos concluir que la cantidad de energa que deja de generar el mdulo debido a la suciedad presente es proporcional a la cantidad de irradiancia que se deja de recibir debido a este factor. Por lo tanto, para poder determinar las prdidas energticas por suciedad se hace imprescindible la determinacin previa de la prdida de irradiancia incidente que se produce por dicho factor. Esta prdida en la irradiancia incidente vendr dada por la diferencia entre la irradiancia incidente que se recibe tras el vidrio limpio y aquella que se recibe tras el vidrio sucio. Por lo tanto, para determinar las prdidas energticas por suciedad en
FECHA 23/05/2013
PGINA 46
MEMORIA
un conjunto de mdulos sometidos a las mismas condiciones de suciedad ambiental nuestro equipo deber disponer de estos dos valores de irradiancia. En nuestro equipo de medida esta medicin de la irradiancia incidente ser llevada a cabo mediante sensores de radiacin electromagntica adecuados. Ahora bien, como ya hemos comentado, uno de los requerimientos de diseo que debe cumplir nuestro equipo de medida es que debe ser completamente independiente al generador fotovoltaico, de forma que la medida de la prdida de irradiancia por suciedad debe ser realizada partiendo de sensores internos al sistema, con objeto de que pueda ser montado en cualquier instalacin fotovoltaica sin necesidad de realizar ninguna modificacin en el sistema de mdulos. Esta circunstancia introduce otro requisito de diseo fundamental: puesto que nuestro sistema debe estimar la prdida de irradiancia por suciedad que se est produciendo en los mdulos fotovoltaicos instalados en sus alrededores partiendo de sus propios sensores, para que dicha medida tenga validez es necesario que los sensores destinados a medir el nivel de irradiancia incidente que se recibe tras el vidrio sucio estn afectados por un nivel de suciedad acumulada lo ms similar posible al nivel de suciedad presente en los mdulos. Esto ltimo implica que nuestro sistema debe poseer, a menor escala, una estructura externa con unas caractersticas lo ms parecidas posible a la que presenta un mdulo fotovoltaico plano, de forma que una vez instalado en las proximidades de ste y con su misma orientacin e inclinacin, la cantidad de suciedad depositada sobre el mdulo y sobre nuestro equipo a lo largo del tiempo de exposicin a los agentes ambientales sean lo ms similares posible. Es por ello que hemos decidido dotar a nuestro equipo de medida de una superficie acristalada frontal sobre la cual se ir depositando a lo largo del tiempo una cantidad de suciedad aproximadamente similar a la que se va depositando sobre el vidrio frontal de los mdulos instalados en sus alrededores. Por supuesto, para que esto ltimo se cumpla, es condicin obligatoria que nuestro equipo presente en todo momento la misma orientacin e inclinacin que los mdulos fotovoltaicos, de forma que la probabilidad de que las partculas de polvo se depositen sobre dicha superficie sea lo ms parecida posible a la correspondiente a los mdulos. Esto hace aconsejable que nuestro sistema sea instalado en la misma estructura soporte de los mdulos, con la misma orientacin e inclinacin que stos.
MEMORIA
En la siguiente figura podemos ver una representacin de cmo tendra que ser instalado nuestro equipo de medida dentro de la instalacin fotovoltaica:
Figura 6. Instalacin del equipo de medida dentro del sistema de mdulos. Por todo ello, hemos considerado que el diseo exterior de nuestro equipo de medida debera tener forma de caja rectangular con una superficie acristalada frontal, tras la cual van a estar situados los sensores de radiacin electromagntica destinados a medir el nivel de irradiancia incidente. Dicha caja rectangular deber estar fabricada en un material que resista las condiciones de intemperie a las que va a estar sometida (aluminio anodizado, policarbonato, etc.) y deber contar con las adecuadas condiciones de hermeticidad que garanticen la estanqueidad del equipo. Debido a que no hemos encontrado en el mercado una caja que se ajuste a las caractersticas anteriores, para la elaboracin de un prototipo inicial de nuestro equipo de medida hemos optado por utilizar una caja ya fabricada, la cual hemos modificado para adaptarla a nuestras necesidades. Dicha caja corresponde
FECHA 23/05/2013
al
modelo
1590Z166
de
la
empresa
HAMMOND
PGINA 48
MEMORIA
MANUFACTURING cuyas caractersticas dimensionales estn detalladas en el plano correspondiente dentro del Documento Bsico Planos (Plano N 1). Se trata de una caja de aluminio presofundido con acabado natural que posee un ndice de Proteccin (IP) de 65. Dicha caja est construida en dos piezas (caja y tapa) que disponen de un sistema de lengeta y ranura que, junto con una junta de neopreno fabricada en una sola pieza, garantizan el nivel de proteccin anterior. A su vez, la tapa se fija sobre la caja mediante cuatro tornillos rebajados que se insertan en orificios roscados. El material del que est fabricado dicha caja, aunque est preparado para soportar condiciones de intemperie, es de fcil mecanizado. Adems, esta caja dispone de dos agujeros ciegos que quedan fuera del rea de la junta de estanqueidad, lo que nos permite realizar su instalacin en cualquier tipo de estructura con suma facilidad sin alterar sus caractersticas de estanqueidad. En las siguientes imgenes se muestran diferentes aspectos de la caja elegida para la fabricacin de nuestro prototipo:
Figura 7: Caja 1590Z166 de Hammond Manufacturing.

MEMORIA
Otro aspecto importante que se ha tenido en cuenta para la eleccin de esta caja ha sido la posibilidad que presenta de adquirir junto a la misma un panel interior de acero galvanizado (Referencia 1590Z166PL) en el cual podremos situar los soportes de fijacin (separadores) de nuestras placas de circuito impreso. Las caractersticas de esta pieza tambin aparecen detalladas en el plano que describe la caja. Debemos indicar en este punto que tambin podra ser utilizada cualquier otra caja de las disponibles en el mercado siempre que sus dimensiones y caractersticas constructivas (material, ndice de estanqueidad, etc.) sean adecuadas para las condiciones de funcionamiento de nuestro equipo. Una vez elegida la caja que contendr nuestros circuitos, hemos procedido a modificarla para adaptarla al funcionamiento de nuestro equipo de medida. La primera de las modificaciones a las que hemos sometido la caja se debe a la necesidad de disponer en nuestro equipo de un cristal frontal tras el cual situar los sensores de irradiancia. Como ya hemos comentado, nuestro equipo determinar las prdidas energticas por suciedad partiendo de la prdida de irradiancia incidente causada por dicho factor, lo cual hace necesario disponer de una superficie acristalada frontal sobre la cual deber existir un nivel de suciedad lo ms parecido posible al presente en los mdulos de los alrededores. Por todo ello hemos procedido en primer lugar a practicarle a la caja del equipo una abertura rectangular en su tapa sobre la que instalaremos de forma adecuada un cristal de vidrio templado ultra claro de 4 mm de espesor. Dicho cristal es del mismo tipo que el que ser utilizado en la calibracin de nuestros sensores de irradiancia y presenta las siguientes caractersticas de transmisin: - Transmisin de luz visible: 89% - Transmisin total de calor solar: 85% - Transmisin trmica: 5,5 W/m2C La ubicacin y dimensiones de dicha abertura dentro de la tapa de la caja y las caractersticas del cristal frontal aparecen detalladas en los planos correspondientes dentro del Documento Bsico Planos (Planos N 2 y 3).
FECHA 23/05/2013
PGINA 50
MEMORIA
Como se ha comentado, sobre esta ventana rectangular abierta en la tapa de nuestra caja, colocaremos un cristal ultra claro de 4 mm de espesor, el cual actuar como superficie de acumulacin de suciedad ambiental, de la misma forma que operan los vidrios frontales de los mdulos fotovoltaicos. De esta forma, si los niveles de suciedad presentes en ambas superficies (cristal frontal del equipo y vidrio frontal de los mdulos) son aproximadamente iguales, tambin lo sern los niveles de irradiancia incidente recibidos tras las mismas. ste supone uno de los principios fundamentales en los que se basa el funcionamiento de nuestro equipo de medida. Con el objetivo de garantizar la estanqueidad del sistema, la instalacin de este cristal frontal sobre la tapa de la caja ser llevada a cabo utilizando una junta de neopreno y unas piezas de apriete de acero inoxidable diseadas adecuadamente. Dicha junta de neopreno ser colocada entre el cristal y la tapa de la caja, y el conjunto ser fijado mediante las piezas de acero inoxidable, las cuales a su vez sern fijadas a la tapa de la caja mediante un conjunto tornillo-tuerca. Con este objetivo tambin realizaremos en la tapa de la caja 7 taladros de 3,5 mm de dimetro destinados a los pernos de apriete de las piezas de fijacin del cristal. Nuevamente, con el objetivo de mantener la estanqueidad del equipo, utilizaremos arandelas de fibra vulcanizada para el sellado de dichos taladros. La posicin de los taladros en la tapa de la caja destinados a las piezas de fijacin del cristal, las caractersticas y dimensiones de la junta de neopreno as como un plano de montaje del cristal frontal en la tapa de la caja del equipo en el cual se detallan las caractersticas dimensionales de las piezas de apriete, pueden encontrarse en los planos correspondientes dentro del Documento Bsico Planos (Planos N 2, 4 y 5). Esta primera modificacin realizada a la caja elegida para nuestro prototipo nos permite disponer de una superficie acristalada frontal sobre la que se ir acumulando con el paso del tiempo una cantidad de suciedad aproximadamente similar a la que se ir depositando sobre la superficie de los mdulos fotovoltaicos situados en los alrededores. El hecho de que los niveles de suciedad acumulada en la superficie exterior de nuestro equipo y en la de los mdulos de sus alrededores sean aproximadamente similares nos garantiza que la irradiancia que se recibe tras el cristal frontal de nuestro equipo sea lo ms parecida posible a la que est llegando a las clulas de estos mdulos en
MEMORIA
cada instante. Esta suposicin es el punto de partida principal de nuestro diseo y para conseguirlo es fundamental que el equipo permanezca en todo momento con la misma orientacin e inclinacin que los mdulos de la instalacin. Por lo tanto, con esta primera modificacin introducida y siempre que se cumplan las condiciones anteriores, habremos dotado a nuestro equipo de un vidrio frontal tras el cual el nivel de irradiancia incidente es similar al presente en los mdulos de los alrededores. Sin embargo, como ya hemos apuntado en varias ocasiones, para poder determinar el nivel de energa que se est dejando de producir debido al nivel de suciedad presente tenemos que conocer, adems del nivel de irradiancia que se recibe tras el cristal sucio, el nivel de irradiancia que llegara a las clulas si el vidrio frontal del mdulo estuviera completamente limpio. Este hecho introduce un nuevo requerimiento de diseo: la necesidad de tener que disponer de un cristal sin presencia de suciedad que nos permita determinar en cada momento el nivel de irradiancia presente sin el efecto de este factor. Para poder realizar esta medida hemos dotado al equipo de un sistema automtico que ser gestionado por el microcontrolador y cuya funcin ser mantener limpia una fraccin del cristal frontal del equipo frente a la suciedad ambiental. Dicho sistema ha sido diseado en forma de disco, fabricado en aluminio anodizado o en cualquier otro material de caractersticas similares, y dotado de varias lengetas de goma en su cara interior, el cual ser accionado por un motor paso a paso de corriente continua que controla el microcontrolador. Este disco de proteccin se mantendr la mayor parte del tiempo de funcionamiento del equipo (excepto durante aquellos instantes en los que se estn realizando medidas) posicionado sobre una parte del cristal, de forma que las lengetas de goma de su parte interior (en contacto con el cristal) preservarn esta zona del cristal de la suciedad ambiental. En la siguiente figura se presenta un esquema del equipo incluyendo el disco de proteccin que acabamos de comentar:
FECHA 23/05/2013
PGINA 52
MEMORIA
Figura 8. Esquema del diseo exterior del equipo incluyendo el disco de proteccin. El efecto limpiador y protector de dicho dispositivo se basa en el rozamiento de las lengetas de goma con el cristal frontal del equipo, producindose un efecto similar al de un limpiaparabrisas en un coche. A la hora de realizar el montaje del equipo, dicho disco deber ajustarse cuidadosamente en el eje del motor, de forma que se obtenga un contacto efectivo entre la goma y el cristal, pero cumplindose en todo momento que el par debido a estas fuerzas de rozamiento se mantenga por debajo del par de accionamiento de nuestro motor. Esta calibracin deber llevarse a cabo en el momento del montaje del equipo y deber verificarse experimentalmente. Como podemos observar en la figura anterior, las tres lengetas de goma interiores dispuestas en forma de tringulo sern las encargadas de proteger una porcin del cristal frontal del equipo frente a la suciedad ambiental. De esta forma, mientras el equipo no est realizando ninguna medida (equipo en
MEMORIA
reposo), el disco permanecer posicionado con estas tres lengetas situadas sobre la parte del cristal que deben proteger, de forma que las aberturas por las que pueda penetrar la suciedad en dicha zona sern mnimas. Adems, puesto que el giro del disco de proteccin siempre se realizar en el sentido de las agujas del reloj, cuando se lleve a cabo una medida el giro del disco producir que tres de las cinco lengetas de goma barran la zona limpia del cristal previamente a la realizacin de dicha medida, lo cual permitir arrastrar fuera de dicha zona la mayor parte de la suciedad que haya podido depositarse en esta zona. Tras la realizacin de una medida, el microcontrolador volver a posicionar el disco de proteccin de forma que estas tres lengetas queden situadas sobre la zona protegida del cristal frontal. A partir de este momento y hasta el instante en el que el equipo proceda a realizar una nueva medida, ser el rozamiento de dichas lengetas con el cristal frontal el factor que mantendr dicho disco en su posicin de reposo ya que las bobinas del motor no sern excitadas mientras el equipo de medida permanezca en reposo. Si por cualquier circunstancia el disco de proteccin sufriera un cambio en su posicin mientras el equipo est en reposo, dicha modificacin no ser corregida hasta el momento en el que el sistema proceda a realizar el siguiente intento de medida, tras lo cual el disco volver a ser colocado en su posicin correcta de reposo. La fijacin de las lengetas de goma en el disco de proteccin ser llevada a cabo utilizando unas guas de sujecin fabricadas en PVC o cualquier otro material de caractersticas similares, las cuales sern atornilladas al disco. Para ello realizaremos al disco 10 agujeros roscados destinados a la instalacin de los tornillos de apriete de las 5 guas de sujecin. En el plano correspondiente (Plano N 6) dentro del Documento Bsico Planos aparecen detalladas las caractersticas del disco de proteccin as como la ubicacin de dichos agujeros roscados. Cada lengeta de goma ser insertada a lo largo de su gua de sujecin, para lo cual se hace necesario que los perfiles de ambas piezas sean compatibles. La longitud de cada lengeta ser igual a la de la gua de sujecin en la que deba ser instalada. En el plano correspondiente (Plano N 7) dentro del Documento Bsico Planos aparecen detalladas las caractersticas de ambos elementos. Debido a la disposicin de las lengetas de goma en el disco de
MEMORIA
proteccin, no todas las guas de sujecin presentan la misma longitud, razn por la cual en dicho plano han sido divididas en 4 tipos, cada uno con una longitud diferente. Las lengetas debern estar fabricadas con goma EPDM o cualquier otro material de caractersticas similares. En el Plano N 8 dentro del Documento Bsico Planos aparece un esquema de montaje de las guas de sujecin y las lengetas en el disco de proteccin. Del mismo modo, en el Plano N 9 aparece reflejada la disposicin de los diferentes tipos de guas de sujecin en el disco. Una vez descrito el disco de proteccin encargado de mantener limpia una pequea fraccin del cristal frontal del equipo frente a la suciedad ambiental, pasamos a describir la instalacin del motor paso a paso encargado de su accionamiento. Para la fabricacin de nuestro prototipo hemos seleccionado un motor paso a paso de corriente continua perteneciente a la serie P542-M48 de la marca McLennan Servo Supplies Ltd. Se trata de un motor paso a paso de imn permanente unipolar de 12 V de tensin nominal, 230 mA de corriente por fase y un ngulo de paso de 7,5. Adems le hemos incorporado una caja reductora de relacin 125:1 lo que nos permite obtener un par tpico de trabajo de 100 N.cm. La inclusin de esta caja reductora implica que para realizar un giro completo en nuestro disco de proteccin deberemos aplicarle al motor un total de 6000 pasos a una frecuencia mxima de 300 Hz. Sin embargo, con el objetivo de introducir un margen de seguridad suficiente en la frecuencia de trabajo del motor, nuestro programa de funcionamiento del sistema establecer una frecuencia de excitacin para las bobinas del motor de 200 Hz utilizando para ello una subrutina de retardo de 5 ms entre la aplicacin de un paso y el siguiente. Todas las caractersticas tanto elctricas como mecnicas as como dimensionales de este componente aparecen reflejadas en su hoja de datos, la cual puede encontrarse en el CD adjunto al presente proyecto. Para la instalacin de este motor en la tapa de la caja elegida para nuestro equipo realizaremos en la misma tres nuevos taladros, uno destinado a funcionar como orificio de salida para el eje del motor, y otros dos para la fijacin del mismo a la tapa de la caja mediante un conjunto tornillo-tuerca (ver Plano N 2 en el Documento Bsico Planos). Como en casos anteriores, con el objetivo de mantener la estanqueidad del equipo han sido incluidas en la instalacin del motor arandelas de sellado de diferentes dimensiones. Por un
MEMORIA
lado, en el orificio de salida del eje del motor ser fijada mediante silicona una arandela de caucho con un dimetro interior ligeramente inferior al dimetro del eje del motor, la cual actuar a modo de retn para dicho eje. Por otro lado, los dos agujeros destinados a la instalacin de los pernos de fijacin del motor sern sellados mediante dos arandelas de fibra vulcanizada de mtrica adecuada. En el Plano N 10 dentro del Documento Bsico Planos se describe detalladamente la instalacin del motor en la tapa de la caja del equipo. Finalmente, la instalacin del disco de proteccin en el eje del motor ser llevada a cabo utilizando una abrazadera de acero inoxidable de dimetro interior 12-20 mm. En el Plano N 11 dentro del Documento Bsico Planos aparece detallado dicho montaje. Previamente a la instalacin del disco en el eje del motor debern haber sido instaladas en aquel las guas de sujecin con sus lengetas de goma correspondientes. En este punto deber prestarse especial atencin ya que la posicin relativa del disco con respecto al eje del motor va a definir la superficie de contacto entre el cristal frontal y las lengetas de goma y, por tanto, la fuerza de rozamiento involucrada en el movimiento del disco. Por todo ello, a la hora de instalar el disco, deber comprobarse que el par resistente que ofrecen las diferentes fuerzas de rozamiento presentes en el movimiento del mismo se mantiene por debajo del par de accionamiento de nuestro motor. En caso contrario, deberemos aumentar ligeramente la distancia entre el disco y el cristal con el objetivo de reducir la superficie de contacto y con ello la fuerza de rozamiento. El objetivo fundamental de este diseo es dotar a nuestro equipo de medida de un cristal frontal con dos zonas claramente diferenciadas: por un lado, una zona mayoritaria expuesta a la intemperie en la que el nivel de suciedad presente ser aproximadamente igual al que existe en los mdulos fotovoltaicos instalados en sus cercanas, y, por otro lado, una pequea zona del cristal situada en su parte superior que se mantiene sin presencia de suciedad gracias al disco protector que la cubre y asla durante la mayor parte del tiempo de funcionamiento del equipo. Por lo tanto, este diseo nos permite disponer en cualquier momento en el interior de nuestro equipo de los dos niveles de irradiancia involucrados en el clculo de las prdidas energticas por suciedad: las irradiancias incidentes tras el vidrio limpio y tras el vidrio sucio.
FECHA 23/05/2013
PGINA 56
MEMORIA
Como se puede apreciar en la figura anterior, el disco de proteccin dispone de una abertura destinada a descubrir la zona limpia del cristal durante aquellos periodos en los que se estn realizando mediciones de irradiancia incidente. De esta forma, colocando sensores de radiacin electromagntica tras ambas zonas del cristal frontal y previa calibracin de dichos sensores, podremos medir en cualquier instante, en primer lugar, el nivel de irradiancia real que estn recibiendo las clulas solares y, en segundo lugar, el que deberan estar recibiendo en condiciones de no presencia de suciedad. En la siguiente figura se representa el cristal frontal del equipo de medida con sus dos zonas claramente diferenciadas:
Figura 9. Zonas del cristal frontal del equipo A partir de estas dos medidas (irradiancia incidente tras el cristal limpio e irradiancia incidente tras el cristal sucio), podemos determinar aproximadamente la prdida de irradiancia que en dicho instante se est produciendo en los mdulos de los alrededores debido a la suciedad presente sobre su superficie frontal. A partir de este valor de prdida de irradiancia y los datos obtenidos de medidas reales realizadas con los mdulos de la instalacin, podemos realizar una estimacin del porcentaje de prdidas energticas que se est produciendo en dicho instante debido a la suciedad. Una vez realizada la medida del porcentaje de prdida de energa por suciedad, nuestro equipo presentar exteriormente el resultado obtenido mediante un conjunto de 7 diodos LEDs instalados en uno de los laterales de nuestra caja. Cada uno de estos LEDs tendr asociado un significado diferente
FECHA 23/05/2013
PGINA 57
MEMORIA
que ser detallado en el apartado en el que se desarrolla el programa de funcionamiento del sistema. Para que dichos LEDs sean visibles desde el exterior del equipo instalaremos en la caja del mismo 7 soportes de LEDs para fijacin en panel de la marca KEYSTONE (Referencia 8668), cuya hoja de caractersticas puede encontrarse en el CD adjunto al presente proyecto. Para la instalacin de estos soportes deberemos realizar a la caja del equipo 7 taladros de dimetro adecuado para adaptarse a dichos soportes. En el Plano N 12 dentro del Documento Bsico Planos se detalla la ubicacin de dichos taladros as como su dimetro. Una vez realizados estos taladros, con el objetivo de impedir la entrada de agua al equipo por dichos soportes, estos sern sellados mediante silicona. En el Plano N 13 dentro del Documento Bsico Planos se detalla la instalacin de estos soportes de LEDs en la caja del equipo. Como se explicar en prximos apartados, a lo largo del tiempo de funcionamiento nuestro equipo ir almacenando en una memoria no voltil los resultados de las medidas realizadas as como el da y el mes en el que fueron obtenidas. Esto nos permitir estudiar la evolucin de las prdidas energticas por suciedad a lo largo del tiempo, pudiendo extraerse conclusiones sobre qu poca del ao es la ms desfavorable en relacin con este parmetro de funcionamiento de las instalaciones fotovoltaicas. Ahora bien, para poder tener acceso a las lecturas almacenadas en el equipo debemos incorporar al mismo un puerto al que poder conectar un ordenador para realizar de esta forma la descarga de las lecturas. Puesto que el microcontrolador utilizado en nuestro prototipo incorpora un puerto serial que nos permite tener una interfaz a dispositivos de entrada/salida seriales, podemos conectar dicho microcontrolador al puerto serie de un ordenador personal. El puerto serie de un ordenador personal sigue el estndar de la interfaz serie RS232 y por esta razn se puede utilizar un cable RS232 normal para conectar un ordenador personal al microcontrolador. Por todo ello, hemos incorporado a nuestro diseo un conector DB-9 el cual ser accesible desde el exterior del equipo. De esta forma podremos conectar fcilmente un ordenador personal a nuestro equipo de medida utilizando simplemente un cable RS232. El acceso a dicho conector se realizar a travs de una abertura lateral que practicaremos en uno de los lados de la caja del equipo. En el Plano N 14 dentro del Documento
MEMORIA
Bsico Planos aparecen detalladas la ubicacin y dimensiones de dicha abertura lateral. Nuevamente, con el objetivo de mantener la estanqueidad del equipo, dicha abertura ser sellada mediante un tapn de material sinttico que garantice una cierta hermeticidad. Para la implementacin de nuestro prototipo hemos seleccionado un tapn paralelo de la marca ISC (Referencia 00300700386) de forma que las dimensiones de nuestra abertura han sido adaptadas a las de este elemento. Cabe sealar en este punto que podra utilizarse cualquier tapn que garantice un sellado correcto de dicha abertura, adaptando las dimensiones de sta al tipo de tapn utilizado. Por ltimo, instalaremos en nuestro equipo un pasacable para introducir en el mismo el cable de alimentacin de energa sin perder estanqueidad en el conjunto. Para ello realizaremos en la caja del equipo una nueva abertura cuya dimensin y ubicacin aparecen detalladas en el Plano N 15 dentro del Documento Bsico Planos. Para la fabricacin de nuestro prototipo hemos seleccionado un pasacables con junta cnica de neopreno de la marca ISC (Referencia 0150080000GC) cuyo montaje se encuentra detallado en el Plano N 16 dentro del Documento Bsico Planos. Una vez descritas las modificaciones que debemos realizar en la caja elegida para la fabricacin de nuestro prototipo para adaptarla a nuestras necesidades, pasamos seguidamente a detallar las caractersticas principales de las placas de circuito impreso (PCBs) que contendr nuestro equipo de medida. Nuestro equipo contendr dos placas de circuito impreso: una primera placa superior situada inmediatamente tras el cristal frontal del equipo que contendr los sensores de radiacin electromagntica, y una segunda placa, situada debajo de la anterior, que contendr el resto de los componentes. Ambas PCBs estarn fijadas al equipo mediante separadores de longitud adecuada los cuales sern atornillados al panel interior de la caja. Con este propsito realizaremos en dicho panel un conjunto de taladros destinados al alojamiento de los separadores de sujecin de ambas PCBs. En el Plano N 17 dentro del Documento Bsico Planos se detalla la localizacin y las dimensiones de dichos taladros. En primer lugar, la PCB superior que contiene a los sensores de irradiancia tendr las dimensiones especificadas en el plano N 18 dentro del Documento
MEMORIA
Bsico Planos. En dicho plano tambin aparecen detallados la posicin y dimensiones de los taladros destinados a la fijacin de los separadores. La sujecin de dicha placa dentro del equipo ser llevada a cabo mediante seis pares de separadores de 50 y 12 mm de longitud de tipo interno/externo atornillados uno al otro. Esta disposicin nos permite colocar esta PCB a una distancia de aproximadamente 13 mm de la superficie interior del cristal frontal. La fijacin de la PCB a los separadores se realizar utilizando tornillos y arandelas de goma. Por otro lado, dichos separadores sern fijados al panel interior de nuestra caja mediante tuercas de mtrica adecuada. En el Plano N 19 dentro del Documento Bsico Planos se detalla la instalacin de esta PCB dentro de nuestro equipo, mientras que en el Plano N 20 aparece reflejada la posicin en la queda respecto al cristal frontal del equipo. Como se coment anteriormente, nuestro equipo de medida calcular la prdida energtica por suciedad partiendo de la prdida de irradiancia que se produce debido a este factor, para lo cual el diseo exterior del equipo ha sido desarrollado de forma que dispongamos en todo momento de un cristal frontal con dos superficies diferenciadas: una pequea zona que se mantiene limpia gracias al disco de proteccin, y una zona mayoritaria donde el nivel de suciedad acumulada es similar al presente en los mdulos de los alrededores. Por lo tanto, la prdida de irradiancia debida a la suciedad vendr dada por la diferencia entre las irradiancias incidentes que se miden tras ambas zonas del cristal frontal del equipo. Ahora bien, para que la medida de la irradiancia incidente tras ambas zonas del cristal se realice con la mayor precisin posible es necesario que los sensores de irradiancia dentro de la PCB se siten de forma correcta, de forma que queden ubicados tras estas dos zonas del cristal frontal. Con el objetivo de minimizar las dispersiones en las medidas de irradiancia debidas a la tolerancia de fabricacin de los sensores, los niveles de irradiancia presentes tras ambas zonas del cristal sern calculados como el valor medio de las irradiancias individuales medidas por un grupo de cuatro sensores. Es decir, nuestro equipo de medida contar con un total de 8 sensores de radiacin electromagntica divididos en dos grupos de 4: un primer grupo que ser colocado tras la zona limpia del cristal frontal, y un segundo grupo que ser situado tras la zona sucia de dicho cristal. Por lo tanto, el valor de la irradiancia incidente tras ambas zonas del cristal ser igual al
MEMORIA
valor medio de las irradiancias individuales medidas por cada uno de los dos grupos de sensores situados tras dichas zonas. Puesto que la zona limpia del cristal es de pequeas dimensiones, los 4 sensores destinados a medir la irradiancia tras esta zona sern situados muy prximos entre s. Por el contrario, los 4 sensores destinados a medir la irradiancia tras la zona sucia del cristal frontal sern situados de forma que cubran la mayor parte de dicha zona, y sern dispuestos a diferentes distancias del borde inferior del cristal, para intentar captar de esta forma la estratificacin de la suciedad acumulada sobre el mismo. En el Plano N 21 dentro del Documento Bsico Planos aparecen detalladas las posiciones que deben ocupar los sensores de irradiancia dentro de la PCB. En lo que sigue del texto, los sensores destinados a la medida de la irradiancia tras la zona limpia del cristal frontal sern referidos como sensores limpios, mientras que los destinados a hacerlo tras la zona sucia sern referidos como sensores sucios. Por otro lado, la PCB inferior que contendr el resto de los componentes electrnicos de nuestro equipo de medida tambin ser fijada al mismo mediante separadores atornillados al panel interior de la caja. Dicha PCB tendr las dimensiones y forma especificadas en el Plano N 22 dentro del Documento Bsico Planos. Al igual que ocurra con los sensores de irradiancia en la PCB superior, en sta es fundamental el posicionamiento de, por un lado, los diodos LEDs de indicacin exterior y, por otro, del conector DB-9 de acceso al puerto serie del microcontrolador. En ambos casos dichos elementos deben situarse dentro de esta PCB de forma adecuada para que encajen en los correspondientes orificios practicados a tal fin en la caja del equipo. Por ello, en los Planos N 23 y 24 dentro del Documento Bsico Planos aparecen detalladas las posiciones que deben ocupar estos elementos dentro de la PCB para que se adapten perfectamente a los soportes de LEDs y al tapn instalados en la caja del equipo. La sujecin de esta segunda PCB a la caja del equipo ser llevada a cabo utilizando cuatro separadores de 12 mm de longitud. La fijacin de la placa al separador se har utilizando tornillos y arandelas de fibra vulcanizada, mientras que los separadores sern fijados al panel interior del equipo en los taladros correspondientes mediante tuercas de mtrica adecuada. En el plano N 25
MEMORIA
dentro del Documento Bsico Planos se detalla la instalacin de esta segunda PCB en el interior del equipo, mientras que en el Plano N 26 se representa la posicin relativa de esta placa, de los LEDs de indicacin y del conector DB-9 respecto a los taladros practicados para estos elementos en la caja del equipo.
1.8.3
EQUIPO DE MEDIDA
Como ya se ha comentado en varias ocasiones, nuestro equipo de medida tendr como objetivo determinar el porcentaje de prdidas energticas que diariamente se produce en un conjunto de mdulos debido a la suciedad. En nuestro sistema, este clculo se basa en la prdida de irradiancia incidente que se est produciendo debido a este factor. Para determinar esta prdida en la irradiancia incidente, el diseo de nuestro equipo ha sido llevado a cabo con el objetivo de disponer de un cristal frontal con dos zonas diferenciadas: una zona con un nivel de suciedad aproximadamente igual al presente en los mdulos de los alrededores, y otra zona que se mantiene libre de suciedad gracias al disco de proteccin de que dispone el equipo. De esta forma, la prdida que se produce en la irradiancia incidente debido a la suciedad vendr dada por la diferencia entre los niveles de irradiancia medidos tras ambas zonas del cristal. Para llevar a cabo estas medidas en nuestro equipo, se situarn sensores de radiacin electromagntica tras estas dos zonas del cristal. El ncleo central de nuestro equipo de medida estar constituido por un microcontrolador, el cual ser el encargado de procesar las medidas de irradiancia procedentes de los diferentes sensores del equipo y, a partir de ellas y mediante un algoritmo de clculo, estimar el porcentaje de potencia que el sistema est dejando de producir debido a la suciedad presente. A su vez, este dispositivo estar encargado del control de todos los dems elementos del sistema. Como en todo sistema de medida electrnico, la seal procedente de cada sensor deber ser tratada por el correspondiente circuito de acondicionamiento de seal antes de ser enviada al microcontrolador, el cual, como ya hemos comentado, ser el encargado de realizar todos los clculos destinados a determinar el porcentaje de prdidas energticas por suciedad. El diseo de este circuito de acondicionamiento depender tanto del tipo de sensor utilizado
FECHA 23/05/2013
PGINA 62
MEMORIA
como de las caractersticas del convertidor analgico-digital (ADC) de nuestro microcontrolador. Asimismo, el nmero de sensores utilizados vendr determinado por el nmero de lneas de entrada que posea dicho ADC. Como comentamos en el punto correspondiente al diseo exterior del equipo, el disco de proteccin encargado de mantener una porcin del cristal frontal sin presencia de suciedad ser controlado por el microcontrolador, de forma que durante todo el tiempo en el que el sistema no realiza ninguna medida, dicho disco permanecer posicionado cubriendo la porcin limpia del cristal, de forma que sus lengetas de goma interiores aslen dicha zona de la suciedad ambiental. Cuando el sistema proceda a realizar una medida, el microcontrolador posicionar dicho disco con su abertura colocada sobre la zona limpia del cristal (posicin de realizacin de medida), descubriendo de esta forma los sensores situados tras ella. Tras la realizacin de las medidas de irradiancia, el disco retornar a su posicin original. Una vez realizados los clculos y determinado el porcentaje de potencia que el sistema est dejando de producir debido a la suciedad, el resultado ser presentado exteriormente mediante un conjunto de diodos emisores de luz (LEDs) los cuales sern visibles a travs de un conjunto de soportes de LEDs instalados en uno de los laterales de la caja del equipo. En cada momento slo uno de estos LEDs estar encendido indicando el resultado obtenido en la ltima medicin realizada. Este conjunto estar formado por siete diodos LEDs, cada uno de los cuales tendr asociado el siguiente significado: LED 1: LED de problema; este diodo estar encendido cuando en el ltimo intento de realizar la medida no ha sido posible llevarla a cabo por diversas circunstancias (no ha sido posible colocar el disco de proteccin en su posicin de realizacin de medida, los resultados obtenidos en las medidas de irradiancia en los diferentes sensores no son coherentes, existen demasiados sensores sombreados, etc.). El significado asociado a este diodo ser explicado con mayor detalle cuando desarrollemos el programa que ejecutar el microcontrolador. LED 2: LED de prdida energtica entre un 0 y un 2 por ciento (%); este diodo estar encendido cuando en la ltima medicin realizada nuestro sistema ha determinado que se est produciendo una
FECHA 23/05/2013
PGINA 63
MEMORIA
prdida en la potencia de salida debido a la suciedad de entre un 0% (el vidrio frontal de los mdulos est completamente limpio) y un 2%. LED 3: LED de prdida energtica entre un 2 y un 4%; este diodo estar encendido cuando en la ltima medicin realizada nuestro sistema ha estimado que se est produciendo una prdida en la potencia de salida por suciedad de entre un 2% y un 4%. LED 4: LED de prdida energtica entre un 4 y un 6%; este diodo estar encendido cuando en la ltima medicin realizada nuestro sistema ha determinado una prdida en la potencia de salida por suciedad de entre un 4% y un 6%. LED 5: LED de prdida energtica entre un 6 y un 8%; este diodo estar encendido cuando en la ltima medicin realizada nuestro sistema ha calculado un porcentaje de prdida de potencia de salida por suciedad de entre un 6% y un 8%. LED 6: LED de prdida energtica entre un 8 y un 10%; este diodo estar encendido cuando en la ltima medicin realizada nuestro sistema haya estimado una prdida en la potencia de salida por suciedad de entre un 8% y un 10%. LED 7: LED de prdida energtica mayor de un 10%; este diodo estar encendido cuando en la ltima medicin realizada nuestro sistema haya calculado una prdida de potencia por suciedad mayor del 10%. Adems de esta indicacin luminosa que hace referencia nicamente al resultado obtenido en la ltima medida realizada, hemos considerado interesante incluir en nuestro equipo, en aras a poder realizar un estudio de la evolucin a lo largo del tiempo del nivel de suciedad presente en el sistema de mdulos, una pequea memoria no voltil en la cual podamos ir almacenando los resultados obtenidos en las diferentes medidas llevadas a cabo por el equipo junto con los datos correspondientes a la fecha (da y mes) en la que fueron realizadas. El carcter no voltil de esta memoria nos permitir salvaguardar dichos datos incluso cuando se produzca un corte en la alimentacin del sistema. Para poder acceder a los datos almacenados en dicha memoria hemos dotado a nuestro equipo de un interfaz serie RS232, de
MEMORIA
forma que en cualquier momento podamos conectar un ordenador personal (PC) a nuestro equipo para poder leer todos los datos almacenados en dicha memoria. Dicho puerto serie ser accesible a travs de un conector DB-9 situado en el interior de la caja que contiene el equipo, al cual podr accederse a travs de un tapn de sellado convenientemente instalado. La cantidad de lecturas almacenadas y el formato de las mismas sern explicados en detalle en prximos apartados. Como comentamos cuando hablbamos de los diferentes estudios referentes a las prdidas energticas por suciedad en mdulos fotovoltaicos, el valor de dichas prdidas se ve afectado por el ngulo de incidencia de los rayos solares sobre el vidrio frontal del mdulo sucio. De esta forma, para un mismo nivel de suciedad, el porcentaje de prdida ir variando a lo largo del da en funcin del ngulo de incidencia de los rayos solares sobre el mdulo. Este mismo efecto tambin se va produciendo a lo largo de los diferentes das del ao. Por todo ello, para intentar minimizar las diferencias en el ngulo de incidencia de la radiacin solar sobre la superficie del equipo entre una medida y la siguiente, le hemos incorporado un reloj en tiempo real (RTC) equipado con un sistema de alarma. Este RTC har posible que, cada da del ao, nuestro equipo intente determinar el nivel de prdidas energticas por suciedad siempre dentro de un mismo intervalo horario. Dicho RTC ser ajustado utilizando como referencia la hora solar aproximada propia del lugar de instalacin, de forma que cada da del ao aproximadamente a la misma hora solar, este dispositivo a travs de su sistema de alarma avisar al microcontrolador para que intente realizar la medida.
Un diagrama de bloques del equipo de medida se muestra en la figura siguiente:
FECHA 23/05/2013
PGINA 65
MEMORIA
Figura 10. Diagrama de bloques del equipo de medida. En los siguientes apartados vamos a ir desarrollando cada uno de estos bloques funcionales, explicando tanto su funcionamiento como el modelo de componentes elegidos para la implementacin de cada uno de ellos. 1.8.3.1 ELECCIN DEL TIPO ELECTROMAGNTICA DE SENSOR DE RADIACIN
Como hemos mencionado en el punto anterior, el diseo exterior del equipo nos permite disponer en cualquier instante de dos superficies claramente diferenciadas en su cristal frontal: por una parte, una zona mayoritaria del cristal cuyo nivel de suciedad es comparable al de los mdulos fotovoltaicos de su entorno por otra, una pequea zona del cristal que se mantiene aproximadamente limpia gracias al disco de proteccin. Por lo tanto, la diferencia entre la irradiancia solar que se recibe tras la zona de cristal sucio y la que se recibe tras la zona de cristal limpio nos da la medida de la prdida de irradiancia que se est produciendo en cada instante debido a la suciedad depositada sobre el sistema. La realizacin de ambas medidas hace necesaria la instalacin de sensores de irradiancia solar tras ambas zonas del cristal frontal del equipo, los cuales estarn contenidos en la caja de aluminio presofundido descrita anteriormente.
FECHA 23/05/2013
PGINA 66
MEMORIA
A la hora de elegir el tipo de sensor de radiacin electromagntica ms adecuado para nuestro equipo hemos tenido en cuenta, por un lado, los principios de funcionamiento de un clula solar, unidad elemental de los mdulos fotovoltaicos, y por otro lado consideraciones relacionadas con la velocidad de respuesta, influencia de la temperatura de funcionamiento, linealidad de la respuesta, simplicidad del circuito de acondicionamiento correspondiente, coste econmico de los componentes, etc. Por todo ello, inicialmente se consideraron tres tipos de sensores de radiacin electromagntica: Fotorresistencia, Termopila y Fotodiodo. 1.8.3.1.1 FOTORRESISTENCIA Las fotorresistencias (LDRs, Light Dependent Resistors, resistencias dependientes de la luz) son sensores resistivos basados en semiconductores empleados para la medida y deteccin de radiacin electromagntica. Una LDR est constituida por un bloque de material semiconductor sobre el que puede incidir la radiacin y dos electrodos metlicos en los extremos. En la siguiente figura se puede observar la estructura de una LDR junto con su smbolo elctrico:
Figura 11. Estructura de una LDR fabricada con material semiconductor fotosensible junto con su smbolo elctrico. La conductividad en los semiconductores depende del nmero de portadores de carga capaces de moverse. En un material semiconductor, la anchura de la banda prohibida o diferencia energtica entre las bandas de valencia y de conduccin, Eg, es intermedia entre los aislantes y los conductores. A bajas temperaturas, los semiconductores se comportan como aislantes porque casi todos los electrones se encuentran en la banda de valencia unidos a sus
MEMORIA
tomos. La aportacin de energa, bien mediante un aumento de temperatura o mediante radiacin electromagntica, puede modificar esta situacin. En el caso de radiacin electromagntica, si un fotn de frecuencia y energa Ep (Ep=h., donde h es la constante de Planck (6,62.10 -34 Julio.segundo(J.s))) incide sobre un electrn, puede ocurrir que la energa absorbida por ste sea superior a la energa de la banda prohibida E g, en cuyo caso, el electrn se sita en un nivel energtico superior dentro de la banda de conduccin, dejando, a su vez, un hueco en la banda de valencia. La energa necesaria para llevar a cabo este proceso obliga a que E p>Eg. Eg es una constante que depende del tipo de semiconductor; por tanto, existe una frecuencia mnima, g, a partir de la cual se cumple la desigualdad anterior: Ep>Eg h.g>Eg g>Eg/h Teniendo en cuenta que la frecuencia, , y la longitud de onda, , de una radiacin electromagntica estn relacionadas por la expresin: .=c, siendo c la velocidad de la luz en el vaco, podemos expresar la desigualdad anterior en trminos de la longitud de onda de la radiacin incidente: g.g=c g<hc/Eg Esta ltima expresin establece una longitud de onda mxima, g, para conseguir la transicin del electrn desde la banda de valencia hasta la banda de conduccin. La presencia de electrones en la banda de conduccin y de huecos en la banda de valencia inducidos por fotones de suficiente energa da lugar a un incremento en la conductividad del semiconductor. Este fenmeno se denomina fotoconductividad y es el fundamento de los sensores fotoconductivos. La sensibilidad del material semiconductor de la LDR puede definirse como el nmero de electrones generados por un fotn, y se representa por la letra s. Una LDR tpica consiste en una fina capa semiconductora dispuesta sobre un sustrato cermico o plstico. La pelcula semiconductora describe una pista en zig-zag con contactos metlicos en los extremos. En la siguiente figura se representa una LDR tpica:
FECHA 23/05/2013
PGINA 68
MEMORIA
Figura 12. LDR con una pista en zig-zag de material resistivo. Esta forma de la pelcula sensitiva tiene por objeto maximizar la superficie de exposicin y al mismo tiempo mantener un espacio reducido entre los electrodos para aumentar la sensibilidad. La relacin entre la resistencia de la LDR y la iluminacin L (en lux) puede modelarse a partir de la ecuacin1:
L R L = R0 0 L
donde: L= nivel de iluminacin (en lux) RL= valor resistivo (en ohmios ()) de la LDR cuando se encuentra sometida a un nivel de iluminacin L R0= valor resistivo (en ) de la LDR cuando se encuentra sometida a un nivel de iluminacin L0 = constante que depende del material semiconductor (entre 0,7 y 1,5) En la siguiente figura se puede observar una representacin de esta ltima expresin:
Figura 13. Relacin resistencia-iluminacin en una LDR.

1
Prez Garca, Miguel A., lvarez Antn, Juan C., Campo Rodrguez, Juan C., Ferrero Martn, Fco. Javier, Grillo Ortega, Gustavo J., Instrumentacin electrnica, Editorial Thomson, Madrid, 2004, Pg. 270
FECHA 23/05/2013
PGINA 69
MEMORIA
Como podemos observar en esta representacin grfica, la diferencia entre la resistencia con niveles altos de luz y en la oscuridad es muy alta (la relacin es mayor de 10.000) y la sensibilidad para bajos niveles de iluminacin es muy acusada (la pendiente de la curva es muy alta para bajos niveles de iluminacin). La caracterstica R-L de una LDR no es lineal, sobre todo cuando se considera un margen de iluminacin amplio. Por otro lado, la sensibilidad (pendiente de la grfica anterior) es muy grande a bajos niveles de iluminacin y va disminuyendo de medida. La medida de la luz (fotometra) es una de las aplicaciones ms comunes de las LDR. Sin embargo, el problema que debemos resolver es cmo obtener una magnitud elctrica (una tensin en el caso de nuestro sistema de medida) que dependa del nivel de iluminacin de la forma ms lineal posible, a pesar de que la relacin R-L de la LDR no sea lineal. En general, una de las tcnicas de linealizacin ms utilizada en el dominio analgico consiste en aadir una resistencia en serie con la LDR para conseguir una respuesta que se aproxime ms a la lineal. Esta tcnica recibe el nombre de linealizacin mediante un divisor resistivo. Para comprender esta tcnica consideremos el circuito de la siguiente figura, cuya tensin de salida se obtiene en la resistencia fija R: conforme aumenta ste. Ambas caractersticas son fundamentales a la hora de considerar este tipo de sensor para nuestro equipo
Figura 14. Circuito de linealizacin de una LDR basado en un divisor resistivo. Esta disposicin permite que la tensin de salida se incremente conforme lo hace el nivel de iluminacin; adems, puede incluirse en el valor de la resistencia fija R la carga relacionada con el circuito externo de medida (cables
MEMORIA
e impedancia de entrada), consiguiendo de este modo resultados ms precisos. Aplicando la ecuacin del divisor de tensin al circuito anterior obtenemos que la tensin de salida vendr dada por:
R V0 ( L ) = Vi R+R L
y sustituyendo el valor RL por su expresin en funcin del nivel de iluminacin, obtenemos:

R V0 ( L ) =Vi L0 R + R 0 L
De esta forma, la sensibilidad de la tensin de salida frente al nivel de iluminacin vendr dada por:
dV0 ( L) R0 L 1 L0 S ( L) = = Vi R dL R L + R0 L0
En la siguiente figura se muestra la salida del divisor de tensin normalizada respecto a la tensin de alimentacin V i:
Figura 15. Relacin tensin-nivel de iluminacin del divisor de tensin (para valores de >1).
FECHA 23/05/2013
PGINA 71
MEMORIA
En esta figura se aprecia que la respuesta tiene la forma de una s (con un punto de inflexin) y slo es bastante lineal en un margen de iluminacin limitado. En aplicaciones de medida donde se busca una respuesta lineal, la obtencin del valor de R puede hacerse calculando aquel valor que lleve a la mxima linealidad en el punto central del intervalo de medida. Por lo tanto, el dimensionamiento de este circuito linealizador consiste en encontrar un valor de la resistencia fija R que proporcione una linealidad ptima en el margen de iluminacin de inters y para una LDR dada. Un mtodo analtico para determinar el valor de R consiste en hacer coincidir el punto de inflexin de la curva de la tensin de salida con el punto medio de nuestro margen de medida de iluminacin, L c (la tangente por el punto de inflexin coincide con la zona ms lineal ya que la recta atraviesa la curva). En la siguiente figura se muestra una representacin de este mtodo analtico:
Figura 16. Linealizacin mediante el mtodo del punto de inflexin. Para que exista punto de inflexin en la grfica anterior, debe cumplirse la condicin >1, por lo que esto deber tenerse en cuenta a la hora de elegir la LDR en aplicaciones de medicin de luz. La condicin de punto de inflexin implica que debe anularse la derivada segunda de V0(L) en el punto medio del margen de medida, L c:
FECHA 23/05/2013
PGINA 72
MEMORIA
d 2V0 ( L) dL2
=0
L =Lc
Resolviendo esta ecuacin para R obtenemos que:

R=
1 RLc +1
donde RLc es la resistencia de la LDR en el punto central del intervalo de medida. Por lo tanto, podemos concluir que las fotorresistencias son sensores bastante sensibles, sobre todo con bajos niveles de iluminacin, aunque en esta zona su dependencia con la temperatura se hace muy acusada. Otro inconveniente que presenta este tipo de sensores es su lentitud de respuesta ya que presentan constantes de tiempo del orden de segundos, lo que limita su uso a aplicaciones de baja frecuencia. Sin embargo, centrndonos en nuestro equipo de medida, el mayor inconveniente que presenta este tipo de sensor es su falta de linealidad frente al nivel de iluminacin, lo que dificulta la labor de relacionar la salida de estos sensores con la potencia de salida de los mdulos, la cual, como se coment en puntos anteriores, vara de forma aproximadamente lineal con la irradiancia incidente. Como acabamos de comentar, la respuesta de este tipo de sensor puede ser linealizada usando como circuito de acondicionamiento un divisor de tensin en el cual una de las resistencias es la LDR y la otra es dimensionada adecuadamente de forma que la seal de salida permanece aproximadamente lineal dentro de un determinado margen del nivel de iluminacin. Esta caracterstica hace que este tipo de sensor no sea especialmente apropiado para nuestro equipo de medida, el cual tendr que medir dentro de un amplio margen de irradiancia. 1.8.3.1.2 TERMOPILA Una termopila es un tipo de detector trmico que convierte la radiacin electromagntica incidente en un incremento de temperatura. Este incremento de temperatura genera una tensin en la salida del sensor proporcional al mismo. Las termopilas estn constituidas por un conjunto de termopares (de 20 a 120) con objeto de incrementar la tensin de salida y con todas las uniones muy juntas con objeto de recoger toda la radiacin.
FECHA 23/05/2013
PGINA 73
MEMORIA
Una caracterstica importante de este tipo de sensor es que pueden fabricarse termopilas a muy bajo coste, como ocurre, por ejemplo, con las termopilas de pelcula delgada cuyo tamao tambin puede hacerse muy pequeo. La constante de tiempo en estas termopilas miniatura puede ser muy reducida (hasta 50 ms)1. Puesto que el elemento bsico de una termopila es el termopar, vamos a comentar a continuacin las caractersticas fundamentales de este dispositivo. Un termopar es un sensor de temperatura constituido por dos metales diferentes cuya caracterstica principal es que produce una tensin proporcional a la diferencia de temperaturas entre los puntos de unin de ambos metales. En el principio de funcionamiento del termopar estn involucrados tres fenmenos: 1. Efecto Seebeck 2. Efecto Peltier 3. Efecto Thomson El primero de ellos consiste en que si se tienen dos conductores diferentes formando un circuito cerrado y una de las uniones est a una temperatura T 1 y la otra a una temperatura diferente T 2, aparece una fuerza electromotriz que da lugar a la circulacin de una corriente que se mantiene mientras las temperaturas sigan siendo diferentes. Si se abre el circuito, lo que se observa es la aparicin de una tensin entre los terminales. En la siguiente figura se representa el efecto Seebeck:
Figura 17. Efecto Seebeck. a) Al calentar una de las uniones con respecto a la otra se observa la circulacin de una corriente proporcional a la diferencia de temperaturas; b) si se abre el circuito, se observa la aparicin de una tensin entre los terminales.
1
FECHA 23/05/2013
PGINA 74
MEMORIA
El efecto Peltier consiste en que si se hace circular una corriente por el termopar, una de las uniones se calienta y la otra se enfra. Adems, si se invierte el sentido de la circulacin de la corriente, la unin que se calienta y la que se enfra se invierten. Por ltimo, el efecto Thomson consiste en que cuando se hace circular una corriente constante a travs de un conductor en el que uno de sus extremos se mantiene a diferente temperatura que el otro, se produce una transferencia de calor proporcional, aproximadamente, al producto de la corriente por el gradiente de temperatura. Si se invierte el sentido de la circulacin de la corriente, tambin se invertir el sentido de la transferencia de calor. Debemos observar que este efecto es diferente al efecto Joule en el que la transferencia de calor es proporcional al cuadrado de la corriente (I 2R) y no admite la inversin. Del estudio experimental de los termopares se dedujeron tres leyes, denominadas leyes termoelctricas, que resumen su comportamiento: 1 Ley: Ley de los circuitos homogneos: la tensin generada por un termopar cuyas uniones se encuentran a las temperaturas T 1 y T2 no depende de la temperatura a la que se encuentren los puntos intermedios. En la siguiente figura podemos observar una representacin de esta ley:
Figura 18. Ley de los circuitos homogneos. 2 Ley: Ley de los metales intermedios: si se introduce un tercer metal en serie con uno de los que constituyen el termopar, la tensin generada por el termopar no vara siempre que los extremos del metal insertado se encuentren a la misma temperatura. En la siguiente figura se observa una representacin de esta segunda ley:
FECHA 23/05/2013
PGINA 75
MEMORIA
Figura 19. Ley de los metales intermedios. 3 Ley: Ley de las temperaturas intermedias: si VT1,T2 es la tensin generada por un termopar cuyas uniones estn a las temperaturas T 1 y T2, y VT2,T3 es la tensin cuando estn a T 2 y T3, la fuerza electromotriz VT1,T3, cuando estn a las temperaturas T 1 y T3 es igual a VT1,T2 + VT2,T3. En la siguiente figura se puede observar una representacin de esta ley:
Figura 20. Ley de las temperaturas intermedias. La unin entre las dos ramas que componen un termopar se denomina unin caliente, mientras que los dos extremos libres de dichas ramas constituyen la unin fra o de referencia. A la hora de disear el circuito de acondicionamiento de seal ms apropiado para un termopar, se debe tener en cuenta que este dispositivo proporciona una tensin de pequeo valor proporcional a la diferencia de temperaturas entre las dos uniones. Adems, la sensibilidad es del orden de algunos microvoltios por grado centgrado. Por todo ello, en el acondicionamiento de seal habr que tener presentes dos aspectos bsicos: - El circuito de acondicionamiento consistir, bsicamente, en un amplificador de tensin en el que sern importantes aspectos tales como la tensin de desviacin y sus derivas - Para determinar la temperatura objeto de la medida ser necesario conocer la temperatura de la otra unin.
FECHA 23/05/2013
PGINA 76
MEMORIA
Estas caractersticas hacen que las termopilas no sean el tipo de sensor ms apropiado para nuestro equipo de medida. 1.8.3.1.3 FOTODIODO Un fotodiodo es un tipo de sensor optoelectrnico fabricado de un material semiconductor cuya caracterstica fundamental es que es capaz de generar una corriente elctrica proporcional a la intensidad de la luz incidente. 1.8.3.1.3.1 Principio de funcionamiento de los fotodiodos
En la siguiente figura se muestra la seccin transversal de un fotodiodo y el diagrama de bandas de energa correspondiente:
Figura 21. a) Seccin transversal de un fotodiodo y diagrama de bandas de energa; b) generacin de un par electrn-hueco al incidir un fotn con energa mayor que la banda prohibida; c) el electrn es acelerado hacia la zona N y el hueco hacia la zona P debido al campo elctrico. Cuando un fotn de luz incide en el fotodiodo con una energa mayor que la correspondiente a la banda prohibida del material semiconductor del que est fabricado el fotodiodo, se puede generar un par electrn-hueco; esta generacin de pares electrn-hueco ocurre en la zona P, en la N y en la zona de transicin. Si ocurre en esta ltima zona o en sus proximidades, el campo elctrico acelera los electrones hacia la zona N y los huecos hacia la zona P, apareciendo una carga negativa en la zona N y positiva en la zona P. Si se
FECHA 23/05/2013
PGINA 77
MEMORIA
conecta un circuito externo entre el ctodo y el nodo del fotodiodo, los electrones fluirn desde la capa N y los huecos desde la zona P hasta los electrodos opuestos, dando lugar a una circulacin de corriente, tambin denominada fotocorriente. De la misma forma, los pares electrn-hueco generados fuera de la zona de transicin tambin pueden alcanzarla por mecanismos de difusin o bien pueden recombinarse antes sin que contribuyan a la fotocorriente. Puesto que el mecanismo de difusin es relativamente lento, los fotodiodos se disean para que la probabilidad de recombinacin sea elevada con el fin de no comprometer el tiempo de respuesta del dispositivo 1. Por otra parte, la necesidad de que la energa del fotn incidente, E f, deba ser mayor o igual que la banda prohibida del semiconductor, E g: EfEg supone un lmite a la respuesta del fotodiodo. Teniendo en cuenta, como comentamos anteriormente, que la energa de un fotn viene dada por: Ef=h. donde: h=constante de Planck (6,62.10-34Julio.segundo(J.s)) =frecuencia del fotn incidente (en hertzios (Hz)) se puede demostrar que la longitud de onda de la luz incidente debe ser menor que un cierto valor que viene determinado por la energa de la banda prohibida del semiconductor de que se trate: EfEg Ef=h. .=c
h c Eg
h c Eg
siendo: c= velocidad de la luz en el vaco (3.108 metros por segundo (m/s)) = longitud de onda del fotn incidente (en m)
1
FECHA 23/05/2013
PGINA 78
MEMORIA
Expresando la energa en la unidad electrn-voltio (eV) y la longitud de onda en nm, y sustituyendo las constantes c y h por sus correspondientes valores en estas unidades, se obtiene finalmente que:
(nm)
1240 E g (eV )
Por lo tanto, la longitud de onda mxima, denominada longitud de onda de corte, h, viene dada por:
h ( nm) =
1240 E g (eV )
Esta expresin establece el valor mximo que puede tomar la longitud de onda de un fotn incidente para que pueda generar un par electrn-hueco en funcin del material semiconductor del que est fabricado el fotodiodo. Por lo tanto, para cada material semiconductor vamos a tener una longitud de onda de corte diferente, la cual vendr determinada por la energa de la banda prohibida de dicho material. En principio, cabra esperar que para las longitudes de onda menores que la longitud de onda de corte, la respuesta del fotodiodo fuese similar. Sin embargo, como hemos comentado anteriormente, el mecanismo esencial por el que se produce la generacin de la fotocorriente es la incidencia del fotn en la zona de transicin; sin embargo, los fotones con diferentes longitudes de onda no tienen la misma probabilidad de alcanzar esta zona. As, cuando la luz incide en el fotodiodo, su intensidad va decreciendo exponencialmente a medida que lo atraviesa (ver figura siguiente) segn la ecuacin 1:
I ( x ) = I 0 e x
donde: I0= intensidad de la luz incidente (en lux) = coeficiente de absorcin caracterstico del material semiconductor de que se trate (en m-1) x= distancia recorrida por la luz desde que incide en la superficie del fotodiodo (en m)
FECHA 23/05/2013
PGINA 79
MEMORIA
Figura 22. Atenuacin de la luz incidente en un fotodiodo a medida que penetra en el mismo. Al inverso del coeficiente de absorcin se le denomina coeficiente de penetracin, :
=
1
y representa la distancia a la que la intensidad de la luz incidente ha disminuido un 63 por ciento del valor inicial I0. La profundidad de penetracin (coeficiente de penetracin) depende del material semiconductor y de la longitud de onda de la luz incidente. Teniendo en cuenta que la fotocorriente se debe, en su mayor parte, a la incidencia de la luz en la zona de transicin y la variacin del coeficiente de penetracin en funcin de la longitud de onda de la radiacin incidente, podemos deducir que para que un fotodiodo tenga una buena respuesta a longitudes de onda cortas (coeficiente de penetracin ms pequeo) la zona de transicin puede ser corta y debe estar situada muy prxima a la superficie del fotodiodo; por el contrario, si se desea una buena respuesta para longitudes de onda largas (coeficiente de penetracin mayor) la zona de transicin debe ser larga. En la siguiente figura se muestra el valor de la profundidad de penetracin para el silicio en funcin de la longitud de onda de la luz incidente:
FECHA 23/05/2013
PGINA 80
MEMORIA
Figura 23. Profundidad de penetracin en el silicio en funcin de la longitud de onda de la luz incidente1. Como podemos observar en esta grfica para el caso del silicio, la luz de una longitud de onda pequea (como la luz ultravioleta) se absorbe antes (coeficiente de penetracin menor), mientras que las longitudes de onda ms largas (como la luz infrarroja) penetran ms en el cristal (coeficiente de penetracin mayor). Mientras que las caractersticas de los fotodiodos mencionadas hasta el momento condicionan su respuesta esttica frente a la luz, un parmetro de gran importancia y que determina en buena medida su respuesta dinmica es la capacidad de transicin. En la siguiente figura podemos observar la estructura de un fotodiodo con la correspondiente zona de transicin, la distribucin de la carga y la tensin de la unin, V 0:
FECHA 23/05/2013
PGINA 81
MEMORIA
Figura 24. Smil entre la distribucin de carga en la zona de transicin de un fotodiodo y un condensador de placas planas. Como podemos apreciar en esta figura, esta distribucin de carga es idntica a la de un condensador de placas planas separadas una distancia L zt, donde dicha distancia es la longitud de la zona de transicin. De esta forma, al aplicar tensin inversa al fotodiodo, aumenta la longitud de la zona de transicin lo que equivale a separar las placas del condensador. Se puede demostrar que la capacidad de transicin del fotodiodo, C t, en funcin de la tensin inversa aplicada, Vi, viene dada por1:
Ct = C0 1 1+ Vi V0
donde: C0= capacidad de transicin cuando no se aplica tensin al fotodiodo (en faradios (F)). La ecuacin anterior tiene un importante significado puesto que indica que la capacidad de transicin disminuye al aplicar tensin inversa. 1.8.3.1.3.2 Tipos de fotodiodos
Existen fundamentalmente cuatro tipos de fotodiodos: el fotodiodo PN, el fotodiodo PIN, el fotodiodo Schottky y el fotodiodo de avalancha. A
FECHA 23/05/2013
PGINA 82
MEMORIA
continuacin comentamos las caractersticas ms importantes de cada uno de ellos: Fotodiodo PN: la estructura interna de este tipo de fotodiodo es la que hemos visto en los apartados anteriores. Se trata de un fotodiodo de unas buenas caractersticas generales y es el ms utilizado dentro del campo de la instrumentacin electrnica. Fotodiodo PIN: en este tipo de fotodiodo existe una capa de semiconductor intrnseco entre la capa P y la capa N. La zona de transicin se extiende a lo largo de toda esta capa para lo que, normalmente, es necesario aplicar una cierta tensin inversa (entre 5 y 100 V dependiendo del fotodiodo 1). Puesto que la zona de transicin es larga, la respuesta a longitudes de onda largas (luz infrarroja) es muy buena y, adems, la capacidad de transicin es pequea por lo que son fotodiodos muy rpidos. Fotodiodo Schottky: en este tipo de fotodiodo la zona de transicin est, por la propia estructura del diodo, muy prxima a la superficie por lo que la respuesta a las longitudes de onda cortas (como las correspondientes a la luz ultravioleta) es buena. Fotodiodo de avalancha: si a un fotodiodo se le aplica una tensin inversa suficientemente elevada, los electrones generados por la incidencia de la luz en la zona de transicin son fuertemente acelerados debido al campo elctrico existente en la zona y pueden alcanzar una energa tal que den lugar a nuevos pares electrn-hueco al chocar con otros tomos del semiconductor. Por el mismo proceso, estos nuevos pares pueden dar lugar a otros y as sucesivamente. Es decir, se produce un fenmeno multiplicativo consiguindose una ganancia determinada. En la siguiente tabla podemos observar la estructura y las caractersticas ms importantes de cada tipo de fotodiodo:
FECHA 23/05/2013
PGINA 83
MEMORIA
Tabla 3. Tipos de fotodiodos, estructura y caractersticas destacables. 1.8.3.1.3.3 Modelo elctrico de un fotodiodo
Para modelar un fotodiodo debemos tener en cuenta los siguientes aspectos1: 1. El comportamiento del diodo como tal, cuya curva caracterstica corriente-tensin, id-vd, viene dada por la siguiente ecuacin:
donde: Is= corriente inversa de saturacin (en amperios (A)) q= carga del electrn (1,6.10-19 culombios (C)) k= constante de Boltzmann (1,38.10-23 julios por kelvin (J/K)) T= temperatura absoluta (en kelvins (K)) Esta curva corresponde al comportamiento del fotodiodo en oscuridad.
FECHA 23/05/2013
PGINA 84
MEMORIA
2. La fotocorriente creada por la incidencia de la luz, que se puede modelar elctricamente como una fuente de corriente en paralelo con el diodo. 3. La capacidad de transicin, que se puede modelar por un condensador en paralelo con los dos elementos anteriores. 4. Adems, el comportamiento en zona inversa del fotodiodo tiene un gran inters puesto que es la zona ms habitual de trabajo. Para un mejor modelado de esta zona, se puede considerar una resistencia Rp en paralelo con el fotodiodo, que refleje el incremento de corriente de oscuridad con el incremento de tensin inversa debido a fugas. 5. La resistencia serie Rs debida al semiconductor y a los contactos. Por todo ello, un modelo elctrico equivalente de un fotodiodo puede ser el representado en la siguiente figura:
Figura 25. Modelo elctrico de un fotodiodo. De esta forma, las curvas caractersticas corriente-tensin tpicas de un fotodiodo se pueden observar en la siguiente figura:
FECHA 23/05/2013
PGINA 85
MEMORIA
Figura 26. Curvas caractersticas corriente-tensin de un fotodiodo. Simplificaciones que pueden hacerse al modelo elctrico del fotodiodo en la zona directa. En la prctica, la resistencia en paralelo Rp tiene un valor tan elevado (del orden de decenas a miles de megaohmios (M)) y la resistencia serie R s tiene un valor tan reducido (del orden de una a varias decenas de ohmios) 1, que ambas resistencias se suelen despreciar para realizar los anlisis. Sin embargo, no se puede prescindir en la zona directa del comportamiento como diodo ni, por supuesto, de la fotocorriente puesto que este ltimo aspecto es el ms caracterstico del fotodiodo. Adems, la capacidad del fotodiodo no suele ser despreciable salvo que se midan seales de luz continuas. En la siguiente figura se representan ambos modelos elctricos simplificados para el fotodiodo:
Figura 27. Modelos elctricos simplificados del fotodiodo en zona directa; a) para mediciones de seales de luz no continuas; b) para mediciones de seales de luz continuas.
FECHA 23/05/2013
PGINA 86
MEMORIA
Simplificaciones que pueden hacerse al modelo elctrico del fotodiodo en la zona inversa. Cuando el fotodiodo trabaja en zona inversa tambin son despreciables,
en general, la resistencia paralelo y serie. Adems, se suele considerar que el comportamiento como diodo es equivalente a un circuito abierto o, a lo sumo, a una fuente de corriente cuyo valor es la corriente inversa de saturacin. En la figura siguiente pueden observarse los modelos elctricos simplificados del fotodiodo en la zona inversa:
Figura 28. Modelos elctricos simplificados del fotodiodo en zona inversa; a) para mediciones de seales de luz no continuas; b) para mediciones de seales de luz continuas. 1.8.3.1.3.4 Caractersticas de los fotodiodos
A continuacin, vamos a describir las principales caractersticas de los fotodiodos que figuran en los catlogos y que tienen importancia en nuestro equipo de medida: - Superficie activa: es el rea del semiconductor del fotodiodo expuesta a la luz. Una superficie grande facilita la recogida de la luz y puede evitar o simplificar la ptica para enfocar la luz incidente en el fotodiodo. Sin embargo, la mayor parte de las caractersticas del fotodiodo empeoran con la superficie por lo que conviene ajustarse al valor ms pequeo necesario1. - Eficiencia cuntica, : se define como la relacin entre el nmero de pares electrn-hueco efectivos (es decir, que contribuyen a la
FECHA 23/05/2013
PGINA 87
MEMORIA
fotocorriente) y el nmero de fotones incidentes de una determinada longitud de onda: =(N de pares electrn-hueco efectivos) / (N de fotones incidentes) Este parmetro depende del material semiconductor y de la geometra del fotodiodo. A su vez, este parmetro tambin se puede expresar como la relacin entre el nmero de electrones efectivos por segundo y el nmero de fotones incidentes por segundo con la ventaja de que estas magnitudes son fciles de medir. As, el nmero de electrones efectivos por segundo es la corriente If, (en A) dividida entre la carga de un electrn q (en C); mientras que el nmero de fotones incidentes es la potencia de la luz P 0 (en W) dividida entre la energa de un fotn h.v (en J); es decir, la eficencia cuntica se puede expresar del siguiente modo:
If N de _ electrones _ efectivos _ por _ segundo q = N de _ fotones _ incidentes _ por _ segundo P0 h v
La eficiencia cuntica siempre es menor que uno ya que no todos los fotones incidentes dan lugar a un par electrn hueco efectivo. - Sensibilidad, S: es un parmetro directamente relacionado con la eficiencia cuntica y se define como la relacin entre la fotocorriente generada por la luz incidente de una determinada longitud de onda y la potencia de dicha luz:
S (A /W ) =
If Fotocorriente( A) = Potencia _ de _ la _ luz _ incidente(W ) P0
Si tenemos en cuenta las expresiones:

If q P0 hv
If P0
S=
se obtiene que:
S = q (nm) = hc 1240
FECHA 23/05/2013
PGINA 88
MEMORIA
expresin muy interesante que indica que la sensibilidad aumenta con la longitud de onda , aunque siempre con el lmite que impone la longitud de onda de corte del material semiconductor h. Al igual que ocurra con la eficiencia cuntica, la sensibilidad de un fotodiodo depende del material semiconductor del que est fabricado y de su geometra constructiva. A la representacin de la sensibilidad de un fotodiodo en funcin de la longitud de onda de la luz incidente se le denomina la respuesta espectral y es una de las caractersticas ms significativas para seleccionar un fotodiodo. En la siguiente figura se muestra la respuesta espectral de un fotodiodo de silicio comercial, la mxima sensibilidad terica dada por la ecuacin anterior y el lmite que impone la longitud de onda de corte del material semiconductor:
Figura 29. Representacin de la respuesta espectral de un fotodiodo ideal con una eficiencia cuntica igual a 1 (=1), del lmite impuesto por la longitud de onda de corte para un fotodiodo de silicio, y respuesta espectral de un fotodiodo comercial. Como se puede observar en la figura anterior, la eficiencia a longitudes de onda cortas es ms pequea que a longitudes de onda largas. - Capacidad: la capacidad C del fotodiodo es la suma de la capacidad de transicin ya comentada, ms la capacidad parsita entre los terminales debida al encapsulado, aunque es la primera de ellas la que determina la
FECHA 23/05/2013
PGINA 89
MEMORIA
capacidad total. Se trata de un trmino muy importante para determinar la velocidad de respuesta del componente. Este parmetro disminuye con la tensin inversa aplicada y aumenta con la superficie del fotodiodo. - Tiempo de subida, ts: se define como el tiempo necesario para que la fotocorriente medida en el circuito externo al fotodiodo pase del 10% al 90% del valor final ante un escaln de luz incidente (ver figura siguiente):
Figura 30. Respuesta de un fotodiodo ante un escaln de luz incidente junto con el circuito equivalente cuando se conecta una resistencia de carga al fotodiodo, considerando la capacidad de transicin. Los fabricantes de fotodiodos indican en sus catlogos el tiempo de subida para una resistencia de carga determinada, normalmente 1k 1. - Corriente de oscuridad: es la corriente que circula por el fotodiodo al aplicar una tensin inversa sin que incida luz. Aumenta con la tensin inversa aplicada y con la superficie del fotodiodo. Adems, depende mucho de la temperatura y, aproximadamente, dobla su valor por cada 10C trabajando en zona inversa2. - Ruido: los fabricantes de fotodiodos suelen indicar en sus hojas de caractersticas la Potencia Equivalente de Ruido (NEP) que se define como la relacin entre la corriente de ruido i rt expresada en A/Hz1/2, y la sensibilidad S expresada en A/W, por lo que dicha potencia equivalente de ruido vendr dada en W/Hz1/2:
1
Prez Garca, Miguel A., lvarez Antn, Juan C., Campo Rodrguez, Juan C., Ferrero Martn, Fco. Javier, Grillo Ortega, Gustavo J., Instrumentacin electrnica, Editorial Thomson, Madrid, 2004, Pg. 396 2 Prez Garca, Miguel A., lvarez Antn, Juan C., Campo Rodrguez, Juan C., Ferrero Martn, Fco. Javier, Grillo Ortega, Gustavo J., Instrumentacin electrnica, Editorial Thomson, Madrid, 2004, Pg. 396
FECHA 23/05/2013
PGINA 90
MEMORIA
NEP (W / Hz 1 / 2 ) =
irt S
Este parmetro aumenta con la superficie del fotodiodo y con la tensin inversa, y permite determinar, conociendo el ancho de banda equivalente del circuito de medida, el mnimo nivel de luz que se puede medir. Como conclusin final de todo lo expuesto sobre el funcionamiento de los fotodiodos podemos sealar que este dispositivo es capaz de generar una fotocorriente que vara linealmente con la intensidad de la luz incidente, lo que nos proporciona una variable elctrica (fotocorriente) que vara de forma lineal con la magnitud fsica que queremos medir en nuestro equipo de medida (irradiancia incidente). Adems, los principios fsicos que rigen el funcionamiento de un fotodiodo son los mismos que rigen el funcionamiento de las clulas solares. Por otro lado, este dispositivo, al igual que una clula solar, presenta una determinada respuesta espectral que depende del material semiconductor del que est fabricado y de sus caractersticas constructivas. Por todo ello, eligiendo el fotodiodo adecuado que mejor se adapte a las caractersticas de los mdulos de nuestra instalacin, podemos disponer de un sensor de radiacin electromagntica cuyo comportamiento es similar al de las clulas solares que componen los mdulos. Todas estas razones, junto con consideraciones de tipo econmico (resulta un componente relativamente barato) y de tipo tcnico (presenta una buena durabilidad y pequeas dimensiones, lo que lo hace especialmente indicado en nuestro equipo de medida, adems de no necesitar alimentacin ya que es un elemento generador), nos han hecho elegir este tipo de sensor para llevar a cabo la implementacin de nuestro equipo de medida. 1.8.3.2 DISEO DEL CIRCUITO DE ACONDICIONAMIENTO DE SEAL
Como en la mayora de los sistemas de medida electrnicos, la seal elctrica procedente del sensor debe ser tratada para adaptarla al bloque que la tiene que recibir y procesar, ya que con frecuencia, dicha seal tiene unas caractersticas que la hacen poco adecuada para ser procesada: seal de pequeo nivel, espectro grande, falta de linealidad, etc. Se hace pues
FECHA 23/05/2013
PGINA 91
MEMORIA
necesaria en estos casos una etapa de acondicionamiento de la seal. Este acondicionamiento de la seal puede incluir: Amplificacin: incrementar el nivel de potencia de la seal Filtrado: eliminar las componentes de la seal no deseadas Conversin de niveles Conversin de tensin a corriente, y viceversa Conversin de tensin a frecuencia, y viceversa Linealizacin: obtener una seal de salida que vare linealmente con la variable que se desea medir Etc.
Despus del acondicionamiento, la seal es convertida del mundo analgico al dominio digital mediante un convertidor analgico-digital (ADC), el cual, en nuestro equipo de medida, ser parte integrante del microcontrolador. Centrndonos ya en nuestro equipo de medida y en el tipo de sensor elegido para medir el nivel de irradiancia incidente tras las dos zonas del cristal frontal del equipo (el fotodiodo), pasamos ahora a disear el circuito de acondicionamiento de seal ms adecuado para las caractersticas tanto de la seal a medir (la irradiancia solar incidente) como del convertidor analgicodigital que tiene que recibir la seal de salida de este circuito. La medida de la luz incidente con un fotodiodo se puede realizar de mltiples formas. Una de las ms habituales por las ventajas que presenta, es la medida de la corriente que circula por el fotodiodo sometido a tensin nula (en cortocircuito). En la figura siguiente se muestra el circuito, su equivalente elctrico exacto y la recta de carga correspondiente:
FECHA 23/05/2013
PGINA 92
MEMORIA
Figura 31. Fotodiodo en cortocircuito; a) Circuito; b) Circuito equivalente segn el modelo del fotodiodo; c) Recta de carga. Teniendo en cuenta el modelo del fotodiodo, esta corriente de cortocircuito i c viene dada por:
En esta ecuacin, el segundo trmino es aproximadamente cero y tambin lo es el tercer trmino (debido a los valores habituales de la resistencia serie R s, y de la resistencia paralelo Rp)1. Por tanto, la corriente medida es aproximadamente igual a la fotocorriente:
Figura 32. Circuito de acondicionamiento simplificado. Por otra parte, y este aspecto constituye la razn fundamental de la eleccin de este tipo de sensor para nuestro equipo de medida, la fotocorriente generada es lineal con la luz incidente y, aunque los trminos despreciados en la expresin
1
anterior
limitan
la
linealidad,
sta
es,
de
todos
modos,
FECHA 23/05/2013
PGINA 93
MEMORIA
tremendamente elevada, siendo el error por este concepto menor del 1% en un margen de ocho o diez rdenes de magnitud 1. Como factores positivos adicionales en este circuito se tienen los siguientes: La dependencia de la temperatura es muy reducida puesto que los nicos trminos de la ecuacin original que dependen de la temperatura son los que se han despreciado (la fotocorriente no vara con la temperatura2). La corriente de oscuridad es pequea puesto que no se aplica tensin inversa, y el ruido tambin es relativamente pequeo por el mismo motivo. El mayor inconveniente del circuito anterior reside en que la capacidad de transicin es relativamente elevada lo que limita el tiempo de respuesta; sin embargo, este inconveniente carece prcticamente de importancia cuando se miden seales de luz continuas, como es el caso de nuestro sistema de medida, por lo que no ser tenido en cuenta. En todo caso, se puede reducir esta capacidad aplicando tensin inversa al fotodiodo aunque aparecen otros inconvenientes ligados a una mayor corriente de oscuridad, ruido, etc. En la siguiente tabla se muestra este circuito de acondicionamiento para el fotodiodo junto con las caractersticas ms destacables del mismo 3:
Prez Garca, Miguel A., lvarez Antn, Juan C., Campo Rodrguez, Juan C., Ferrero Martn, Fco. Javier, Grillo Ortega, Gustavo J., Instrumentacin electrnica, Editorial Thomson, Madrid, 2004, Pg. 398 2 Prez Garca, Miguel A., lvarez Antn, Juan C., Campo Rodrguez, Juan C., Ferrero Martn, Fco. Javier, Grillo Ortega, Gustavo J., Instrumentacin electrnica, Editorial Thomson, Madrid, 2004, Pg. 398 3 Prez Garca, Miguel A., lvarez Antn, Juan C., Campo Rodrguez, Juan C., Ferrero Martn, Fco. Javier, Grillo Ortega, Gustavo J., Instrumentacin electrnica, Editorial Thomson, Madrid, 2004, Pg. 398
FECHA 23/05/2013
PGINA 94
MEMORIA
Tabla 4. Caractersticas ms importantes del circuito de acondicionamiento del fotodiodo en cortocircuito. Por lo tanto, podemos concluir que este circuito de acondicionamiento basado en la medida de la corriente que circula por el fotodiodo a tensin cero, debido a sus excelentes prestaciones, constituye uno de los ms interesantes para la medida de la luz mediante este dispositivo y ser el elegido para la implementacin de nuestro equipo de medida. 1.8.3.2.1 ESTUDIO MEDIANTE SIMULACIN EN PC DEL MODELO ELCTRICO DEL FOTODIODO En el presente apartado vamos a utilizar un programa de simulacin de circuitos electrnicos para tratar de analizar el comportamiento del modelo elctrico del fotodiodo descrito anteriormente en las condiciones de operacin a las que lo somete el anterior circuito de acondicionamiento, esto es, a tensin cero (en cortocircuito). Para ello, hemos utilizado el entorno de diseo electrnico ORCAD 16 en su versin demo, el cual se puede descargar de
FECHA 23/05/2013
PGINA 95
MEMORIA
forma gratuita desde la pgina WEB de la empresa Cadence Design Systems, Inc. Como mencionamos anteriormente cuando analizamos las caractersticas del circuito de acondicionamiento que somete al fotodiodo a tensin cero, cuando el fotodiodo trabaja en estas condiciones la corriente que circula por l es igual a la corriente de cortocircuito i c. De esta forma, utilizando el modelo elctrico equivalente del fotodiodo, el circuito resultante y la expresin obtenida para esta corriente de cortocircuito eran los representados en la siguiente figura:
Figura 33. Modelo elctrico del fotodiodo en cortocircuito y expresin para la corriente de cortocircuito. Sin embargo, decamos en ese mismo apartado que, debido a los valores que tpicamente tomaban las resistencias Rs y Rp, la expresin anterior poda aproximarse sin introducir prcticamente ningn error por:
Por todo ello, para comprobar la validez de esta aproximacin, realizamos la simulacin del funcionamiento del fotodiodo sometido a tensin nula utilizando para ello el modelo elctrico completo de dicho dispositivo. Los valores de los diferentes elementos del circuito utilizados en la simulacin son los tpicos de un fotodiodo. El circuito resultante en el editor de esquemas se muestra en la siguiente figura:
FECHA 23/05/2013
PGINA 96
MEMORIA
Figura 34. Modelo elctrico equivalente del fotodiodo en cortocircuito en el editor de esquemas del paquete ORCAD. En este caso, la fotocorriente (simulada mediante la fuente de corriente continua If) representa el comportamiento del circuito simplificado mientras que la corriente de cortocircuito simula el comportamiento del modelo exacto del fotodiodo en las condiciones de funcionamiento del circuito de acondicionamiento. Como podemos observar en el circuito, el comportamiento del dispositivo como diodo ha sido modelado mediante el diodo discreto de pequea seal 1N4148. A la hora de llevar a cabo la simulacin, se ha considerado un margen de variacin para la fotocorriente I f de entre 0 y 1 mA, y se ha realizado un anlisis de barrido en corriente continua del circuito, tomando dicha fotocorriente I f como variable de barrido e imponiendo un tipo de barrido lineal dentro del margen de variacin impuesto. Esta primera simulacin se ha realizado para una temperatura de trabajo de 27 C, que es la temperatura nominal de simulacin. Una vez realizado el anlisis del circuito obtenemos las curvas de las dos corrientes que nos son de inters, las cuales se muestran en la siguiente figura:
FECHA 23/05/2013
PGINA 97
MEMORIA
Figura 35. Curvas de la fotocorriente y de la corriente de cortocircuito para el circuito anterior, suponiendo una temperatura de operacin de 27C. Observando ambas curvas podemos concluir que, para una temperatura de trabajo de 27 C, el modelo equivalente simplificado del fotodiodo tiene un comportamiento equivalente al del modelo exacto en las condiciones de funcionamiento establecidas. Para introducir ahora en nuestra simulacin el efecto de la temperatura en el comportamiento del circuito, hemos utilizado un recurso que posee nuestro programa de simulacin el cual nos permite anidar variables en un anlisis en corriente continua, es decir, nos permite definir dos variables independientes en un mismo anlisis de forma que el programa repite la simulacin para cada combinacin de valores que tomen dichas variables independientes. En nuestro caso las dos variables independientes del anlisis sern, por un lado, la fotocorriente, que tendr un margen de variacin similar al del anlisis anterior, y por otro, la temperatura de trabajo, a la que vamos a imponer un margen de variacin de entre -10 C y +75 C. A la hora de realizar este anlisis anidado de variables hemos asignado a la temperatura de trabajo los valores: -10C, +15C,+30C,+50C y +75C, obteniendo las siguientes curvas para las corrientes que nos interesan:
FECHA 23/05/2013
PGINA 98
MEMORIA
Figura 36. Curvas de la fotocorriente y de la corriente de cortocircuito para diversas temperaturas de operacin. A partir de ambas grficas podemos concluir que la temperatura de trabajo no afecta prcticamente al comportamiento del circuito. Por lo tanto, a partir de los resultados obtenidos, podemos concluir que cuando un fotodiodo opera a voltaje cero, la corriente de salida de dicho dispositivo puede aproximarse sin cometer prcticamente ningn error por la fotocorriente generada por el dispositivo. 1.8.3.2.2 EL CIRCUITO AMPLIFICADOR CORRIENTE-TENSIN (AMPLIFICADOR DE TRANSIMPEDANCIA) En los apartados anteriores se ha establecido que la corriente de cortocircuito que circula por un fotodiodo sometido a tensin cero es prcticamente igual a la fotocorriente generada por el dispositivo, variable sta que vara linealmente con la luz incidente. Como ya hemos comentado en varias ocasiones, en nuestro equipo de medida todos los clculos destinados a la determinacin del porcentaje de prdidas energticas por suciedad sern realizados por el microcontrolador, el cual recibir los datos a manejar a travs de los terminales de entrada de su convertidor analgico-digital (ADC). Se hace por tanto necesario la inclusin en nuestro diseo de un circuito de acondicionamiento de seal que transforme la
FECHA 23/05/2013
PGINA 99
MEMORIA
corriente de cortocircuito del fotodiodo (la cual es proporcional a la irradiancia) en un voltaje que vare de forma lineal con ella. Puesto que uno de los circuitos de acondicionamiento ms interesantes por sus prestaciones para efectuar la medicin de la luz con un fotodiodo se basa en la medida de la corriente que circula por el mismo a tensin cero, a la hora de elegir el circuito de acondicionamiento de seal ms apropiado para nuestro equipo de medida hemos optado por un circuito amplificador corrientetensin, tambin conocido como amplificador de transimpedancia o transresistencia. Este circuito, que se representa en la siguiente figura, produce idealmente una tensin de salida V o proporcional a la corriente de entrada, la cual en nuestro caso es la corriente de cortocircuito que circula por el fotodiodo:
Figura 37. Estructura bsica del circuito de acondicionamiento comnmente utilizado para medir la fotocorriente generada en un fotodiodo a tensin cero. En este circuito, el fotodiodo est sometido a una tensin virtualmente cero. Suponiendo que el amplificador operacional es ideal, la tensin de salida es igual al producto de la resistencia de realimentacin R r por la corriente que circula por el fotodiodo, la cual es aproximadamente igual a la fotocorriente i f (a la que tambin se aade la corriente de oscuridad y la corriente de ruido): V0 = i f x R r Por todo ello, a la salida del circuito de acondicionamiento de seal vamos a obtener una tensin proporcional al nivel de irradiancia que incide sobre el fotodiodo. En nuestro equipo de medida, la salida del amplificador operacional del circuito anterior estar conectada a una de las entradas analgicas del ADC del microcontrolador, de forma que debemos incluir en el circuito anterior una resistencia de carga Ri,ADC, la cual modela la resistencia de entrada del convertidor. El circuito resultante se muestra en la siguiente figura:
FECHA 23/05/2013 PGINA 100
MEMORIA
Figura 38. Circuito de medicin de irradiancia utilizado en nuestro equipo. Con este diseo, el microcontrolador puede medir en cualquier instante la tensin de salida de cada uno de los circuitos de acondicionamiento, tensin que, como ya hemos comentado, es proporcional al nivel de irradiancia que llega al fotodiodo. En el circuito anterior, la fotocorriente es, generalmente, muy pequea (del orden de nanoamperios a microamperios), por lo que la resistencia de realimentacin necesaria suele ser muy elevada, siendo habituales valores desde centenares de kiloohmios hasta decenas o incluso centenas de megaohmios. Por lo tanto, el error de continua a la salida del circuito debido a las corrientes de polarizacin del operacional puede ser significativo, lo que obliga, en general, a utilizar amplificadores operacionales de entrada FET. 1.8.3.3 CIRCUITO DE MEDICIN DE IRRADIANCIA
Como ha quedado establecido en los apartados anteriores, nuestro equipo llevar a cabo la medida de la irradiancia incidente utilizando como sensor un fotodiodo y como circuito de acondicionamiento de seal un amplificador de transimpedancia cuya salida ser conectada a una de las entradas del convertidor analgico-digital del microcontrolador. Una vez elegidos tanto el tipo de sensor como el diseo del circuito de acondicionamiento, pasamos a realizar la eleccin de los componentes utilizados para su implementacin.
FECHA 23/05/2013
PGINA 101
MEMORIA
1.8.3.3.1 ELECCIN DEL MODELO DE FOTODIODO UTILIZADO EN NUESTRO EQUIPO Como ya se coment en el apartado correspondiente al funcionamiento del fotodiodo, existen fundamentalmente cuatro tipos de fotodiodos: el fotodiodo PN, el fotodiodo PIN, el fotodiodo Schottky y el fotodiodo de avalancha. Para nuestro dispositivo hemos optado por utilizar fotodiodos de tipo PN, ya que este dispositivo presenta unas buenas caractersticas generales y es el ms utilizado dentro del campo de la instrumentacin electrnica. Adems de ello, este dispositivo es ideal para trabajar a tensin cero, como es el caso del circuito de acondicionamiento de seal que vamos a utilizar. A la hora de elegir el modelo de fotodiodo a utilizar y en base a la experiencia acumulada a lo largo de las mediciones realizadas durante la elaboracin del presente proyecto, deberemos elegir un fotodiodo con una superficie activa elevada (teniendo en cuenta siempre los modelos existentes en el mercado y las limitaciones de presupuesto que tengamos), ya que la experiencia demuestra que esta caracterstica dota a los dispositivos de un mismo modelo de una respuesta ms homognea, es decir, se minimiza la dispersin en las respuestas por tolerancia de fabricacin. A su vez, con el fin de que el comportamiento del fotodiodo se aproxime lo ms posible al de las clulas fotovoltaicas de nuestros mdulos, deberemos elegir un fotodiodo cuyo margen de respuesta espectral sea lo ms parecido posible al del tipo de clula solar en cuestin. En este sentido, la respuesta espectral de una clula solar es una medida de la eficiencia con que en dicha clula se produce la conversin energa luminosa energa elctrica para una determinada frecuencia (o longitud de onda) de la luz incidente. Cada tipo de clula solar tiene su margen de respuesta espectral propio, el cual depende del material semiconductor y del procesado usados en su fabricacin. El presente proyecto ha sido elaborado bajo la hiptesis de que los mdulos fotovoltaicos de la instalacin son de silicio monocristalino, ya que es este tipo el que domina la produccin actual de mdulos a nivel mundial. En una tpica clula de silicio monocristalino el margen de respuesta espectral abarca las longitudes de onda comprendidas entre los 350 nanmetros y los 1100 nanmetros, con un mximo alrededor de los 800 nanmetros.
FECHA 23/05/2013
PGINA 102
MEMORIA
Partiendo de este dato, para las mediciones realizadas en el Laboratorio de Energa Solar de la Escuela Superior de Ingeniera de Cdiz, hemos utilizado dos modelos de fotodiodos que se diferencian, por una parte, en la superficie activa que poseen y, por otra, en su margen de respuesta espectral. Estos dos modelos de fotodiodos son: 1. Fotodiodo BPX65 de la empresa Centronic. Este fotodiodo tiene una superficie activa de 1 milmetro cuadrado (mm 2), un margen de respuesta espectral entre 400 y 1000 nanmetros y un pico de sensitividad de 850 nanmetros. Por lo tanto, este fotodiodo presenta un comportamiento espectral prcticamente similar a las clulas solares de silicio monocristalino. Sin embargo, experimentalmente se comprueba que su reducida superficie activa introduce bastante dispersin en la respuesta de estos fotodiodos, variando ligeramente la fotocorriente generada por los diferentes dispositivos en las mismas condiciones de medida. 2. Fotodiodo BPW21 de la empresa OSRAM. Este fotodiodo tiene una superficie activa de 7.34 milmetros cuadrados, un margen de respuesta espectral entre 350 y 820 nanmetros y un pico de sensitividad de 550 nanmetros. Como podemos ver, la respuesta espectral de este fotodiodo es ms reducida que la de una clula de silicio monocristalino, sin embargo est diseado especficamente para la medicin de la luz solar ya que en su margen de respuesta espectral estn incluidas todas las frecuencias pertenecientes al espectro visible (entre 400 nm y 700 nm), el cual contiene el 80% de la energa de la luz solar. Por otro lado, su mayor superficie activa permite que las respuestas de estos fotodiodos ante las mismas condiciones de medida sean ms homogneas, reducindose la dispersin en las respuestas por tolerancia de fabricacin. 1.8.3.3.1.1 Estudio experimental de los dos modelos de fotodiodos elegidos: calibracin de los sensores
En las hojas de datos de los dos modelos de fotodiodos que hemos elegido para nuestro estudio, aparece la Sensitividad espectral o fotosensitividad del fotodiodo, el cual es un parmetro relacionado con la
FECHA 23/05/2013
PGINA 103
MEMORIA
eficiencia cuntica o relacin entre el nmero de pares electrn-hueco que contribuyen a la fotocorriente y el nmero de fotones incidentes de cada longitud de onda. En ambos casos, dicho parmetro aparece presentado en unidades de nanoamperios de fotocorriente generada por lux de iluminancia aplicada (nA/lux). Sin embargo, para el propsito de nuestro equipo sera mucho ms conveniente conocer qu fotocorriente es capaz de generar el dispositivo en funcin de la irradiancia incidente, parmetro que vendra dado en este caso en unidades de nA/W/m2; esto implica la determinacin de forma experimental de la curva de respuesta Fotocorriente-Irradiancia que caracteriza a cada uno de los dos modelos de fotodiodo utilizados en el estudio. Por todo ello y con el objetivo de calibrar ambos modelos de fotodiodo para el propsito de nuestro equipo de medida, procedimos a determinar experimentalmente la curva de respuesta de la fotocorriente generada en funcin de la irradiancia incidente (curva I f G). En primer lugar, para determinar la irradiancia incidente de forma experimental hemos usado una clula solar encapsulada de silicio monocristalino calibrada al sol de la empresa Isofotn (cdigo 02090100008 y nmero de certificado CCI-CSI-110-02090100008-101002), la cual produce una corriente de cortocircuito de 3.51 amperios cuando incide sobre ella una irradiancia de 1000 W/m 2 y la temperatura de clula es de aproximadamente 48C. De esta forma, colocando un ampermetro en serie con las terminales de dicha clula y aplicando una relacin de proporcionalidad podemos conocer aproximadamente el nivel de irradiancia incidente en cada momento (debemos recordar que la corriente de cortocircuito de una clula solar se ve poco afectada por la temperatura de clula). En la imagen siguiente podemos ver una fotografa de la clula solar utilizada y un esquema del circuito utilizado para medir la irradiancia incidente:
FECHA 23/05/2013
PGINA 104
MEMORIA
Figura 39. Clula solar calibrada y circuito utilizados para medir la irradiancia incidente en la calibracin de los fotodiodos. A la hora de realizar la calibracin del modelo de fotodiodo elegido para nuestro equipo de medida, deberemos utilizar una clula calibrada de la misma tecnologa que los mdulos de la instalacin en la que vaya a ser instalado el equipo. De este modo se logra que ambos dispositivos (mdulo y clula) presenten un mismo margen de respuesta espectral, es decir, que respondan de la misma forma ante una misma irradiancia incidente. De esta forma, teniendo en cuenta el comportamiento elctrico de una clula solar comentado anteriormente, la corriente de cortocircuito medida por el ampermetro conectado a los terminales de la clula ser directamente proporcional a la irradiancia incidente, y adems estar afectada por el mismo margen de respuesta espectral que presentan los mdulos para los que estamos diseando nuestro equipo de medida. Al mismo tiempo, minimizamos el efecto de la temperatura ya que, como se coment en su momento, la corriente de cortocircuito de una clula solar se ve poco afectada por las variaciones de temperatura. De esta forma, la curva de respuesta de dicha clula solar sera de forma aproximada la representada en la siguiente figura:
FECHA 23/05/2013
PGINA 105
MEMORIA
Curva de calibracin de la clula solar

Corriente de cortocircuito, Isc (A) 4 3,5 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 200 400 600
y = 0,0035x
800
1000
1200
Irradiancia Incidente (W/m2)
Figura 40. Curva de calibracin de la clula solar. Por otro lado, para conocer la fotocorriente que genera cada fotodiodo en funcin del nivel de irradiancia incidente, hemos utilizado un circuito convertidor corriente-tensin, a la salida del cual colocamos un voltmetro. En la siguiente figura se representa un esquema del circuito utilizado:
Figura 41. Circuito utilizado en la medicin de la fotocorriente. En condiciones ideales, este circuito genera a la salida un voltaje proporcional a la fotocorriente generada por el fotodiodo:
V0 = I f R r
If =
V0 Rr
FECHA 23/05/2013
PGINA 106
MEMORIA
Sin embargo, en condiciones reales, debido a las no idealidades que presentan los amplificadores operacionales, dicha tensin de salida se ve afectada por la tensin de desviacin y las corrientes de polarizacin del operacional. Por todo ello, para tratar de minimizar al mximo posible el efecto de las desviaciones en continua del amplificador operacional (tensin de desviacin de entrada, corriente de polarizacin de entrada y corriente de desviacin de entrada), hemos utilizado en el circuito anterior un amplificador operacional de calidad, con entrada FET, que presenta valores muy reducidos de los anteriores parmetros. El modelo elegido ha sido el amplificador OPA350 de la empresa Texas Instruments, el cual presenta en la configuracin anterior un error en continua en la tensin de salida medida experimentalmente de 0.001 V. El estudio de la respuesta (fotocorriente generada, I f) de ambos modelos de fotodiodos en funcin de la irradiancia incidente (G), se ha realizado experimentalmente para diferentes horas del da y para diferentes ngulos de inclinacin: 20, 30, 40, 50, 60, 70, y en las medidas realizadas fueron usadas cinco unidades del modelo de fotodiodo Centronic BPX65 y cuatro del modelo BPW21 de OSRAM. Como ya hemos comentado, el objetivo de este estudio era la obtencin de una curva Fotocorriente Irradiancia (I f - G) que caracterizara a cada uno de los dos modelos utilizados en el estudio, por lo que hemos credo conveniente utilizar varias unidades de cada modelo en la obtencin de dicha curva con el objetivo de reducir la dispersin en las medidas debido a la tolerancia de fabricacin. Para ello, el valor de fotocorriente asociado a cada valor de irradiancia incidente ha sido tomado como el valor medio de las fotocorrientes individuales generadas por las diferentes unidades del modelo de fotodiodo en estudio. Para agilizar la realizacin de medidas e intentar de este modo que las condiciones de medida (fundamentalmente la irradiancia) variaran lo menos posible entre una medicin y otra con las diferentes unidades de cada modelo de fotodiodo, se intercal en el circuito anterior un interruptor giratorio de 1 polo y 12 vas que nos permita cambiar de fotodiodo de manera rpida. Dicho interruptor giratorio posee una resistencia de contacto de menos de 50 miliohmios por lo que su influencia en la tensin de salida del circuito es despreciable. Adems, hemos usado un mismo circuito convertidor corrientetensin para todos los fotodiodos, con lo cual igualamos las desviaciones
FECHA 23/05/2013 PGINA 107
MEMORIA
introducidas por el circuito de acondicionamiento de seal en todas las tensiones de salida medidas. Por lo tanto, el circuito usado en nuestro estudio para medir la fotocorriente generada por las diferentes unidades de cada modelo de fotodiodo present la siguiente configuracin:
Figura 42. Circuito final utilizado en la medicin de la fotocorriente para las diferentes unidades de cada tipo de fotodiodo. Como mencionamos anteriormente, el interruptor giratorio incorporado en el circuito anterior nos permite cambiar de fotodiodo rpidamente, sin embargo, puesto que el estudio lo queramos hacer para varias inclinaciones de los dispositivos, tambin debamos lograr que el cambio de inclinacin se produjese con rapidez con el objeto de que las condiciones de irradiancia variaran lo menos posible entre una medicin y otra. Con este objetivo construimos una estructura de madera, similar a un portarretratos pero en mayor escala, que nos permita ajustar la inclinacin de los dispositivos de manera rpida. En las imgenes siguientes se muestran varias fotografas del dispositivo utilizado para la medicin de la respuesta de los fotodiodos en funcin de la irradiancia incidente:
FECHA 23/05/2013
PGINA 108
MEMORIA
Figura 43. Estructura utilizada en la calibracin de los fotodiodos. Como se puede apreciar en las fotografas anteriores, los fotodiodos fueron colocados tras un cristal ultra claro de 4 mm de grosor para emular de este modo las condiciones reales de medida que se van a producir en nuestro equipo. Adems, la distancia entre cada fotodiodo y la cara posterior del cristal frontal fue establecida en 1 cm. Todos los datos obtenidos en estas mediciones as como las condiciones particulares de medida de cada una de ellas, estn detallados en el documento bsico Anexo 5 del presente proyecto. Como ya hemos comentado, para llevar a cabo la calibracin de ambos modelos de fotodiodo, hemos tomado como valor de fotocorriente generada para cada valor de irradiancia incidente el valor medio de las fotocorrientes individuales de las diferentes unidades obtenidas para dicho valor de irradiancia. A su vez, en el trazado de la curva de respuesta I f - G, han sido
FECHA 23/05/2013
PGINA 109
MEMORIA
incluidos todos los valores obtenidos en ambas variables para las diferentes inclinaciones mencionadas anteriormente. Por todo ello, y tras realizar un total de 414 mediciones con el modelo BPX65 de Centronic y 395 con el modelo BPW21 de OSRAM, se obtuvieron los resultados representados en las siguientes figuras:
Fotocorriente Vs Irradiancia para los fotodiodos BPX65 de Centronic

Fotocorriente (uA) 500,00 400,00 300,00 200,00 100,00 0,00 0,00 100,00 200,00 300,00 400,00 500,00 600,00 700,00 800,00 900,00 1000,00
Irradiancia incidente (W/m2)
Figura 44. Resultados obtenidos experimentalmente en la medicin de la fotocorriente en funcin de la irradiancia incidente para el modelo de fotodiodo BPX65 de Centronic.
Fotocorriente Vs Irradiancia para los fotodiodos BPW21 de OSRAM
1200,00 Fotocorriente (uA) 1000,00 800,00 600,00 400,00 200,00 0,00 0,00 100,00 200,00 300,00 400,00 500,00 600,00 700,00 800,00 900,00 1000,00
Irradiancia (W/m2)
Figura 45. Resultados obtenidos experimentalmente en la medicin de la fotocorriente en funcin de la irradiancia incidente para el modelo de fotodiodo BPW21 de OSRAM. Como podemos observar en las dos grficas anteriores, ambos dispositivos generan una fotocorriente que vara de forma aproximadamente lineal con la irradiancia incidente. Sin embargo, en el modelo BPX65 observamos que la grfica fotocorriente-irradiancia aparece dividida en dos tramos de diferente
FECHA 23/05/2013
PGINA 110
MEMORIA
pendiente:
un
primer
tramo
para
valores
de
irradiancia
de
hasta
aproximadamente 550 W/m 2, y un segundo tramo para valores de irradiancia mayores. Adems, este modelo, al disponer de una superficie activa mucho menor, presenta una mayor dispersin en los valores de fotocorriente de una unidad a otra para las mismas condiciones de medida. Por el contrario, el modelo BPW21 presenta una pendiente nica en su grfica fotocorrienteirradiancia y los valores obtenidos, al disponer este dispositivo de una mayor superficie activa, presentan mucha menos dispersin. Con el objeto de minimizar el error cometido al aproximar las dos grficas anteriores mediante su recta de regresin, hemos acotado el intervalo de valores de irradiancia a valores superiores a 500 W/m 2, obtenindose de esta forma las dos rectas siguientes:
Irradiancia Vs Fotocorriente (Fotodiodos BPX65 Centronic)

500,00 400,00 300,00 200,00 100,00 0,00 500,00 550,00 600,00 650,00 700,00 750,00 Irradiancia (W/m2) 800,00 850,00 900,00 950,00 y = 0,7184x - 278,35 R = 0,9056
2
Figura 46. Recta de regresin calculada a partir de los valores de fotocorriente correspondientes a valores de irradiancia superiores a 500 W/m 2 para el modelo de fotodiodo BPX65.
FECHA 23/05/2013
Fotocorriente (uA)
PGINA 111
MEMORIA
Irradiancia Vs Fotocorriente (Fotodiodos BPW21 OSRAM)

1200,00 y = 1,623x - 405 1000,00 2 R = 0,9551 800,00 600,00 400,00 200,00 0,00 500,00 550,00 600,00 650,00 700,00 750,00 800,00 850,00 900,00 950,00 1000,0 0 Irradiancia (W/m2) Fotocorriente (uA)
Figura 47. Recta de regresin calculada a partir de los valores de fotocorriente correspondientes a valores de irradiancia superiores a 500 W/m 2 para el modelo de fotodiodo BPW21. Como podemos observar por los resultados obtenidos, el modelo BPW21 presenta una menor dispersin en la fotocorriente generada, lo cual se traduce en que la nube de puntos se ajusta bastante mejor a la recta de regresin. ste es un factor muy a tener en cuenta en nuestro equipo de medida ya que, como se coment anteriormente, el clculo del porcentaje de prdidas energticas por suciedad ser llevado a cabo partiendo de las medidas obtenidas de dos grupos de fotodiodos sometidos a diferentes niveles de irradiancia. Esta menor dispersin en la fotocorriente generada de una unidad a otra del mismo modelo de fotodiodo se traduce en una menor dispersin en las medidas de irradiancia procedentes de aquellos sensores sometidos a las mismas condiciones de medida. Por otro lado, si bien el margen de respuesta espectral de este modelo de fotodiodo no se adapta perfectamente al de los mdulos de nuestra instalacin (recordemos que hemos supuesto que nuestra instalacin est constituida por mdulos de silicio monocristalino), bien es cierto que dicho modelo est especialmente diseado para la medicin de luz visible, y es precisamente esta parte del espectro solar la que contiene el 80% de toda la energa que transporta la luz. Por otra parte, el modelo BPX65, debido a su menor superficie activa (una sptima parte de la que presenta el modelo BPW21) presenta valores de fotocorriente que varan en un margen amplio para las mismas condiciones de
FECHA 23/05/2013
PGINA 112
MEMORIA
medida, siendo este fenmeno ms acusable para valores pequeos de irradiancia incidente. Teniendo todo esto en cuenta hemos decidido finalmente utilizar como sensor de irradiancia incidente en nuestro equipo de medida el fotodiodo modelo BPW21 de la empresa OSRAM, y tomaremos como curva de calibracin del mismo (grfica fotocorriente generada-irradiancia incidente) la recta de regresin obtenida a partir de las medidas realizadas, la cual ser vlida nicamente para valores de irradiancia superiores a 500 W/m 2. En la siguiente figura podemos ver representada dicha curva de calibracin:
Curva de calibracin Fotocorriente_Irradiancia para el modelo de fotodiodo BPW21 de OSRAM

Fotocorriente (uA) 2000 1500 1000 500 0 500
y = 1,623x - 405
600
700
800
900
1000
1100
1200
Irradiancia incidente (W/m2)
Figura
48.
Curva de calibracin Fotocorriente-Irradiancia obtenida experimentalmente para el modelo de fotodiodo BPW21 de OSRAM.
Por ltimo cabe sealar que este modelo de fotodiodo viene protegido mediante un encapsulado metlico hermticamente sellado. En la siguiente figura se puede apreciar una imagen de este dispositivo junto con un esquema del mismo:
Figura 49. Fotodiodo BPW21 de la empresa OSRAM.

FECHA 23/05/2013 PGINA 113
MEMORIA
La hoja de caractersticas de este componente puede ser consultada en el CD adjunto al presente proyecto.
FECHA 23/05/2013
PGINA 114

PFC para Pato 1

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

PFC para Pato 1

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

Ttulo del proyecto: Desarrollo de un sensor solar para mdulos fotovoltaicos

Escuela Superior de Ingeniera Departamento de Ingeniera de Sistemas y Automtica Universidad de Cdiz

Autor del proyecto: Daniel Monje Centeno D.N.I.: 31678800-A

Ingeniera Tcnica Industrial Especialidad Electrnica Industrial

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

OBJETO Y JUSTIFICACIN DEL PROYECTO

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

JUSTIFICACIN DEL PROYECTO

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

1.2.2.2.1 ESTIMACIN DE PRDIDAS ENERGTICAS TEMPERATURA EN MDULOS FOTOVOLTAICOS

Esta expresin ser utilizada posteriormente en nuestros clculos justificativos.

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

100 200 300 400 500

571 1142 1714 2285 2857

7994 15988 23996 31990 39998

239820 479640 719880 959700 1199940

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

suciedad que se produciran en el sistema fotovoltaico (en euros ())

100 200 300 400 500

2558 5116 7678 10236 12800

76742 153484 230361 307104 384000

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

ALCANCE DEL PROYECTO

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

ANTECEDENTES DEL PROYECTO

prdidas energticas que diariamente se

fotovoltaicos de mdulos planos debido a la suciedad que a lo largo del tiempo

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

tericamente debera producir el mdulo en las condiciones de funcionamiento

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

NORMAS Y REFERENCIAS DEL PROYECTO

Alonso Abella, Miguel. Sistemas Fotovoltaicos, Introduccin al diseo y

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

- Marco Montoro, Jos. S.L., Espaa, 2005.

Instalaciones Solares Fototrmicas de baja

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

- uVision 3, Keil Software.

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS

DESARROLLO DE UN SENSOR SOLAR PARA MDULOS FOTOVOLTAICOS