Tipo p

Tipo n

JUNTURA P-N
Dr. Andrs Ozols

Facultad de Ingeniera UBA 2007

Juntura P-N Dr. A. Ozols

Juntura p-n
Las Junturas son semiconductores. crucial para muchas aplicaciones de

Mtodos para hacer junturas p-n Difusin (el ms antiguo): : El dopante, usualmente aceptor, es difundido bajo calentamiento, de modo que la concentracin de impurezas en la superficie del SC excede la del interior, rica en donores.

Implantacin inica: esta tcnica parte de materiales tipo n., que son bombardeados con la especie requerida de iones.
Esto produce uniones ms abruptas, pero causa dao a la estructura cristalina, incrementando el nmero de dislocaciones y tomos intersticiales.

Juntura P-N

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Juntura p-n
Deposicin Epitaxial: Tcnica actual muy bien establecida. Esta emplea como material de partida un monocristal (un solo cristal), de modo que permite el crecimiento capas cristalinas que se ordenan con la orientacin del substrato.

Epitaxia por Haz Molecular (MBE): El mtodo ms preciso y ms caro para dejar iones de SC junto con tomos de dopante disparados sobre la superficie del SC.
El cristal crece epitaxialmente con los tomos de dopante requiridos e incluidos, bajo condiciones apropiadas (vaco ultra-alto, flujo inico y temperatura de substrato correctos). Esta tcnica puede producir junturas muy abruptas sin restricciones al tipo de impureza empleado.

Juntura P-N

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Juntura p-n
Una juntura p-n en ausencia de potencial aplicado est en equilibrio termodinmico.

Esto significa que el potencial qumico (o enega de Fermi, EF) debe ser constante a travs de la juntura. EF est ms ceca de la banda de valencia en el SC tipo p y cerca de la banda de conduccin en el SC tipo n,

Las bandas deben doblarse

Juntura P-N

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Juntura p-n en ausencia de potencial aplicado

Juntura P-N

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POTENCIAL de JUNTURA
La diferencia en la altura entre bandas del mismo tipo de cada lado de la juntura

e0 = EVp EVn = EC p ECn

Como

n = NC e

( EC EF ) / kT

Para Semiconductores fuertemente extrnsecos

Lado N

nn  N d

Lado P

ni2 nP  Na
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POTENCIAL de JUNTURA

Lado N

N d NC e

ECN EF / kT

Lado P

ni2 ( ECP EF ) / kT NC e Na

Dividiendo ambas ecuaciones

ECN EF / kT

( EC EF ) + ( EC EF ) / kT N d N d N a NC e ( ECP ECN ) / kT N P e e = = = 2 2 ( ECP EF ) / kT ni ni NC e Na

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POTENCIAL de JUNTURA

e0 = ECP ECN

Nd Na kT ln 2 ni

es la diferencia de energa entre electrones en el fondo de las bandas de conduccin de los dos lados

Esta es la diferencia de potencial electrosttico entre ambas partes

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CAMPO ELCTRICO en la JUNTURA

Supuesto juntura abrupta con una densidad de carga:

+eN a ( x) eN d

xP x < 0 0 < x xP

Donde xP y xN anchos de las zonas de vaciamiento de carga de los lados P y N, respectivamente:

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CAMPO ELCTRICO en la JUNTURA El vector de desplazamiento satisface la ley de Gauss:

G G .D =

G G G D = E = 0 r E
G G dE .E = dx eN a 0 r dE eN d + dx 0 r 0

permitividad dielctrica relativa

En una dimensin

xP x < 0 0 < x xN
Fuera de la zona vaciamiento de carga
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de

Juntura P-N

CAMPO ELCTRICO en la JUNTURA Si la juntura est en equilibro Las condiciones de contorno son E=0 para x<-xP y x>xN

eN a ( x + xP ) 0 r E ( x) + eN d ( x x ) N 0 r
Adems, E debe ser continua en x=0

0 < x xP 0 < x xN

E ( 0) =

0 r

eN a

xP =

0 r

eN d

xN N a xP = N d x N

condicin neutralidad elctrica de toda la zona de vaciamiento

Juntura P-N Dr. A. Ozols

POTENCIAL en la JUNTURA

La variacin de potencial V(x)

dV E= dx

Campo elctrico

Tomando como referencia de potencial V(-xP)= 0

2 eN a + 2 ( x + xP ) 0 < x xP 0 r V ( x) eN d ( x x )2 N 0< x x 0 N 2 0 r

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POTENCIAL en la JUNTURA El potencial V(X) debe ser continuo en x = 0

eN a eN d 2 V ( 0) = xP = 0 xN 2 2 0 r 2 0 r
Otra relacin sobre las concentraciones de portadores

eN a eN d e 2 xP + xN 2 = N a xP 2 + N d x N 2 ) 0 = ( 2 0 r 2 0 r 2 0 r

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ANCHO de las ZONAS de VACIAMIENTO Las condiciones de continuidad del campo elctrico y potencial permiten obtener XN y XP

N a xP = N d x N

N a xP + N d x N
2

2 0 r = 0 e

Nd xP = xN Na

Nd 2 0 r 2 Na xN + N d x N = 0 e Na N 2 2 0 r 2 d Na 0 + N d xN = Na e
Juntura P-N

2 0 r Na 1 xN = 0 e Nd ( Na + Nd )

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ANCHO de las ZONAS de VACIAMIENTO

Nd xP = Na

2 0 r Na 1 0 e Nd ( Na + Nd )

2 0 r Nd 1 0 xP = e Na ( Na + Nd )
El ancho total de la zona de vaciamiento

Nd Na 2 0 r 1 0 + xT = xN + xP = e Na Nd ( Na + Nd )

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ANCHO de las ZONAS de VACIAMIENTO Como el potencial de juntura depende de la temperatura T

kT N d N a ln 2 0 e ni
El ancho depende de la temperatura T

N d N a N d N a 2 0 r 1 + xT (T ) = kT ln 2 2 e ni N a N d ( N a + N d )

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ANCHO de la ZONA de VACIAMIENTO Si Nd = Na

Na2 Na2 1 2 0 r 2 0 r 1 = xT (T ) = kT ln 2 ( 2 ) kT ln 2 2 2 e 2Na e ni ni N a

La dependencia logartmica es muy dbil comparada con el denominador

xT crece con T xT disminuye cuando el crece el dopaje

Juntura P-N Dr. A. Ozols

ANCHO de la ZONA de VACIAMIENTO La aplicacin de las junturas p-n depende del potencial y por lo tanto del flujo de a travs de sta. Si el potencial aplicado introduce una energa eV Surgen dos situaciones:

Polarizacin directa:

Juntura P-N

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ANCHO de la ZONA de VACIAMIENTO Polarizacin inversa:

Juntura P-N

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ANCHO de la ZONA de VACIAMIENTO El clculo de las zonas incluyendo la polarizacin:

2 0 r Na 1 xN = ( 0 V ) e Nd ( Na + Nd )
2 0 r Nd 1 xP = (0 V ) e Na ( Na + Nd )
Existe una separacin de carga en la zona de vaciamiento.

Juntura P-N

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CAPACITANCIA de JUNTURA La separacin de cargas se comporta como un capacitor La carga en cada regin de la juntura de seccin A

Q = xN N d A = xP N a A
La capacidad en la regin de la juntura ser

dxN 2 0 r N a dQ 1 1 C= = Nd A = Nd A dV dV e N d ( N a + N d ) 2 0 V
Entonces la capacitancia de la juntura ser

0 r Na Nd C CA = = A 2e ( N a + N d ) 0 V
Juntura P-N Dr. A. Ozols