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Control de temperatura On-Off

Wencel Santos 20031005114, Oscar Munar 20061005050, John Pieros 20061005100


Con este circuito se tiene que para una temperatura ambiente de 20 C la seal de salida es de 2 V El control de temperatura de una planta es un problema aproximadamente, y como el comportamiento del sensor tradicional que se ha solucionado desde diversos puntos de es lineal no se tiene que hacer otro tipo de vista, entre ellos un control on-off para tener medida la acondicionamiento. temperatura. I. INTRODUCCIN B. Driver de potencia II. OBJETIVOS Disear e implementar un sistema de control onoff para una planta de temperatura. Disear un disparador de Schmitt que tenga un voltaje de histresis de 0.2 V. III. DISEO A. Acondicionamiento sensor LM35. El sensor LM35 es un sensor de temperatura que genera a la salida de una seal de voltaje dependiendo la temperatura que mida, su resolucin es de 10 mv/C, y es tiene un comportamiento lineal entre el voltaje de salida y la temperatura medida, adems de tener una precisin de 0.5 C. Para cumplir con las especificaciones se utiliza un amplificador no inversor con ganancia de 10. Tomando la funcin de transferencia del amplificador: = ( + 1) 1 Figura 2. Etapa de potencia, driver, de la planta de temperatura. C. Disparador de Schmitt. Para disear el disparador de Schmitt se toma como voltaje de histresis 0.2 V, ya que este es el voltaje en el cual debe estar la seal de salida para que cumplir con Vref 0.1 V, es decir que la temperatura de referencia est entre la temperatura de referencia y 0.1 C. Se toma un disparador de Schmitt no inversor, por lo tanto se tiene que: = +1 1 y son medidos para un amplificador operacional LF353, con alimentacin de VCC de 12 V y VEE de -5 V, los valores medidos son: Figura 1. Circuito de acondicionamiento sensor LM35. = 11.15 = 3.92 Para modelar la planta se realiza una etapa de potencia dada por un push-pull realizado con transistores de pequea seal, 2n3904 y 2n3906, par complementario. La salida va a un transistor MOSFET de canal n, IRF 540, donde es utilizado como interruptor, es decir se trabaja en las zonas de saturacin y corte, por lo tanto la carga, en este caso un bombillo de 50 w, se coloc en el drain del MOSFET y VCC. Como es un bombillo de 50 w y VCC es de 12 V, el MOSFET se escogi para que pudiera resistir la corriente, que es aproximadamente de 4 A.

Despejando Rf para dejarla en trminos de R1 se tiene = 9R1. Se escogi un valor comercial para R1=3.3 K, as Rf=29.7 K con lo que se tom una resistencia de 30 K.

Figura 5. Histresis del circuito simulado Hallando la relacin Rf/R1 se tiene que es = 74.35 1 Se escoge R1=2.7 K y Rf=200 K. D. Acondicionamiento seal del disparador Para poder manejar la seal de control del disparador de Schmitt se necesita realizar un acondicionamiento para que la seal sea de 0 V-12 V, puesto que la seal de salida del disparador est entre -3.92 V y 11.15 V aproximadamente. Dadas las condiciones de entrada y salida del acondicionador, se obtiene la siguiente funcin de entradasalida: () = 0.75 + 3 Esta funcin ser implementada mediante una red de resistencias distribuidas de la siguiente manera:

Figura 3. Disparador de Schmitt no inversor. Como se observa en la anterior figura, el tiempo de establecimiento es dominado por el sistema de segundo orden, de igual forma se observa que la ganancia final es la multiplicacin de las dos ganancias de cada sistema.

Figura 6. Red de acondicionamiento control-driver. De esta red anterior de resistencias, se extraen las relaciones correspondientes para implementar el acondicionador del disparador hacia el driver de potencia. 0.75 = 3 = 3||2 3||2 + 1

Figura 4. Simulacin respuesta del disparador de Schmitt

1||2 1||2 + 3

Dando solucin al anterior sistema de ecuaciones, se obtienen los siguientes valores de resistencia: 1 = 15, 2 = 390 3 = 47. E. Diseo de circuito de control Para realizar el circuito de control para controlar la planta trmica, se realimenta la seal del sensor y se resta de la seal de referencia, que estar dada por un potencimetro. Para este circuito se disea un sumador-restador con ganancia de uno y con balance elctrico.

obtenida, entonces se obtienen los siguientes resultados. V. RESULTADOS PRCTICOS En el laboratorio se realizaron las mediciones del circuito de control para la planta ampliada, las mediciones tomadas son la seal de entrada o referencia y la seal de salida es la seal del sensor acondicionada.

Figura 7. Sumador-restador para seal de error. En el anexo se encuentra el circuito total para controlar la planta. Figura 9. Respuesta del control on-off sobre la planta. De color rojo se encuentra la seal del sensor acondicionado y de color azul la seal de referencia, la escala de tiempo es de 50 s por divisin y la escala de voltaje es de 1 V por divisin. Como se puede apreciar en la figura 9 se tomaron varios valores de entrada para el voltaje de referencia y la histresis del controlador es de aproximadamente 220 mV, lo cual nos parece un valor aceptable para las condiciones diseadas inicialmente. VI. CONCLUSIONES El acondicionamiento de las seales del sensor como la seal de control son esenciales para el correcto funcionamiento del controlador on-off, puesto que si la seal de control no encenda o apagaba el MOSFET la conmutacin sobre el bombillo no se realizara correctamente, situacin similar con el acondicionamiento del sensor, que se us para poder trabajar mejor la seales tan pequeas que este maneja.

IV. IDENTIFICACIN DE LA PLANTA Para identificar la planta ampliada; es decir la que incluye driver de potencia, la planta de temperatura y el acondicionamiento del sensor; inicialmente se cambia el voltaje de alimentacin de la bombilla de 12 V a 5 V. Acto seguido se ingresa una seal paso de 5 V a la entrada del driver de potencia. Estas operaciones se realizan para limitar la potencia de la bombilla y lograr un valor de establecimiento en la planta. Dadas las anteriores especificaciones se obtuvo la siguiente respuesta de la planta:

Figura 8. Respuesta de la planta. Con los datos obtenidos de la anterior figura, se hallan los valores que identifican la planta. Tales datos son = = = Estos datos permiten obtener la siguiente funcin de transferencia: () = A 1 ks + 1

Realizando la simulacin con la funcin de transferencia

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