TRANSISTORES

Introduccin

El invento del transistor abri una nueva era en la civilizacin moderna, ya que se le pudo utilizar de manera muy general en una gran variedad de aparatos. En las dcadas de 1950 y 1960 se construyeron radios, computadoras electrnicas, aparatos de control industrial, entre otros, que gracias a los transistores fueron de tamaos relativamente pequeos, porttiles, con requerimientos de energa muy reducidos y de larga vida. En gran medida, en las dcadas mencionadas los transistores sustituyeron a los tubos al vaco. El transistor cobra su importancia al ser un componente capaz de cambiar de estado, permitindole cambiar o amplificar de acuerdo a las condiciones de trabajo y diseo, fluctuando entre un estado conductor y uno insulador. En este informe haremos mencin y estudiaremos algunos tipos de transistores tales como: Transistor Bipolar de Unin (BJT), Transistor de Efecto de Campo de Unin (JFET), Transistor de Efecto de Campo, de Metal-xido-Semiconductor (MOSFET), Fototransistor.

Historia de transistor El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo. El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente. Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xidoSemiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS (Complementary MOS o MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el

diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control (graduador) y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento

es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo. Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran escala disponible hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas. Tipos de transistores Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las aplicaciones a las que se destinan. Aqu abajo mostramos una tabla con los tipos de uso ms frecuente y su simbologa:

Transistor Bipolar de Unin (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unin (JFET) Transistor de Efecto de Campo, de Metal-xido-Semiconductor (MOSFET) Fototransistor

Transistor Bipolar de Unin (BJT) El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").

Tambin se puede definir como un dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el silicio son los materiales ms frecuentemente utilizados para la fabricacin de los elementos semiconductores. Los transistores permiten el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea. El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp. EMISOR, que emite los portadores de corriente, (huecos o electrones). BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor.
Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor NPN

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP

Estructura de un transistor PNP

Funcionamiento bsico
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1

Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2). En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE

Polarizacin de un transistor Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector inversamente. Zonas de trabajo Corte: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat Saturacin: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector. Activa: Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor. La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de

la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera: = IC / IB
En resumen:

Saturacin VCE VRC IC IB ~0 ~ VCC Mxima Variable

Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0

Activa Variable Variable Variable Variable

El transistor bipolar como amplificador El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de EbersMoll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300.

Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador: Emisor comn

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de emisor, RE > 50 , y para frecuencias bajas, la ganancia en tensin se aproxima bastante bien por la siguiente expresin y la impedancia de salida, por RC.

Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces tenemos que la tensin de emisor es: VE = VB Vg Y la corriente de emisor:

La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de base:

Despejando:

La tensin de salida, que es la de colector se calcula como:

Como >> 1, se puede aproximar:

Entonces:

Que podemos escribir como:

Vemos que la parte:

Es constante (no depende de la seal de entrada), y la parte:

Nos da la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de salida est desfasada 180 respecto a la de entrada. Finalmente, la ganancia queda:

La corriente de entrada:

Que aproximamos por:

Suponiendo que VB>Vg, podemos escribir:

Y la impedancia de entrada:

Base comn

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente:

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos. Colector comn

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuracin multiplica la impedancia de salida por . Transistor de unin unipolar o de efecto de campo, de Unin (JFET) Los transistores de efecto de campo, conocidos generalmente como TEC (o FET por sus siglas en ingles), son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensin entre la compuerta y la fuente.

Transistores de efecto de Campo (TEC) con sus smbolos correspondientes. Los smbolos ilustrados se refieren al transistor de efecto de campo de juntura. Los TEC a y b han sido indicados como tipos N y P de acuerdo al empleo de los materiales tipo N y P en la fabricacin de estos dispositivos. El TEC tiene tres elementos. El terminal nodo se conoce como el drenaje y el terminal ctodo se conoce como fuente. El drenaje equivale al colector. La fuente equivale al emisor de un transistor bipolar. La puerta equivale a la base. Ejemplo de un circuito TEC:

Adems existen otros TEC que utilizan metales y materiales xidos, dando como un resultado un TEC que se conocen como Transistor de Efecto de Campo de xido de metal y semiconductor, que se abrevia TELCOMS (o MOSFET por sus iniciales

en ingls). Otro avance en el TEC es un dispositivo con dos terminales, llamados puertas frontal y puerta trasera, este dispositivo es el TEC tetrodo. En la siguiente figura se muestran los smbolos de estas modificaciones del TEC de juntura. En los smbolos para estos dispositivos, la D significa drenaje, la P = puerta, la F = fuente. Tipos:

Se consideran tres tipos principales de FET, El primero de ellos, el JFET, ya no se trata de una combinacin tan sencilla entre los semiconductores como en el caso de los transistores N-P-N, P-N-P. Ahora la forma de obtenerlos es algo ms rebuscada. Sin embargo, sus propiedades hacen que merezca la pena su construccin, ya que son utilizados en gran medida por los fabricantes de circuitos electrnicos. A su vez existen dos tipos de transistores JFET. La razn es sencilla, si tomamos uno de ellos y cambiamos los tipos de semiconductores, es decir, donde hay semiconductores de tipo P ponemos semiconductores de tipo N y viceversa, obtenemos otro transistor JFET pero de caractersticas distintas.

As pues, para distinguirlos, llamamos FET de canal p al primero y FET de canal n al segundo. Veremos cmo las propiedades de ambos no slo son distintas sino que son ms bien opuestas. Para aplicar su funcionamiento hay que tener en cuenta que tenemos dos tipos distintos de voltajes. Esto es debido a que el FET consta de tres semiconductores unidos y por tanto existen dos zonas de unin entre ellos. As pues, vamos a considerar la diferencia de potencial entre drenaje y fuente a la que llamaremos Vds, y la diferencia de potencial entre puerta y fuente la cual estar representada por Vgs. Estudiar las caractersticas de un transistor consta en jugar con las dos tensiones de que disponemos, aumentndolas, disminuyndolas y observando qu pasa con la corriente que lo atraviesa. Para estudiar su comportamiento, vamos a dejar fija la tensin entre la puerta y la fuente, Vgs, y vamos a suponer que variamos la tensin entre el drenador y la fuente, Vds. Se pueden distinguir tres zonas segn vamos aumentando el potencial Vds, estas son: zona hmica, zona de saturacin y zona de ruptura. En la zona hmica, el transistor se comporta como una resistencia (hmica), es decir, si aumentamos el potencial, Vds, crece la corriente (y) en la misma proporcin, esta situacin se mantiene as hasta que el potencial alcanza un valor aproximadamente de unos cinco voltios. A partir de este valor, si seguimos aumentando esa diferencia de potencial entre drenador y fuente, es decir, si seguimos aumentando Vds, el transistor entra en la zona de saturacin. Aqu su comportamiento es totalmente distinto al anterior, ya que, aunque se siga aumentando Vds, la corriente permanece constante. Si seguimos aumentando el potencial Vds de nuevo, llagamos a un valor de ste a partir del cual el comportamiento del transistor vuelve a cambiar. Este valor tiene que ser del orden de 40 voltios. Decimos entonces que hemos entrado en la zona de ruptura. A partir de este punto la corriente i puede circular libremente, independientemente de que sigamos aumentando el valor de Vgs.

Es esta la razn por la cual los JFET se pueden utilizar como interruptores de encendido y apagado, propiedad esta fundamental en la computacin. Un JFET se encuentra en estado OFF (interruptor cerrado) cuando Vds es cero, ya que no pasa corriente alguna, y en estado ON (interruptor abierto) cuando Vds pasa de los 40 voltios. Evidentemente, estos valores reales dependern del tipo de transistor del que hablemos, ya existen FET para circuitos integrados y FET de potencia, estos ltimos con valores algo mayores que los primeros. El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. Transistor de Efecto de Campo, de Metal-xido-Semiconductor (MOSFET) Por ltimo, vamos a hablar del transistor ms utilizado en la actualidad, esto es el del MOSFET. La estructura de este transistor es la ms complicada de entre todos los vistos hasta ahora. Consta de los ya conocidos semiconductores P-N, colocados ahora de una nueva forma, y de un original material aislante, como es el dixido de silicio, esta pequea adicin de la capa del xido va a cambiar considerablemente las propiedades del transistor respecto a las que tena el JFET.

Existen dos tipos de MOSFET: cuando tengamos una zona tipo P y dos tos N lo llamaremos MOSFET de canal n (o NMOS) y, por el contrario, si hay una sola zona tipo N y otras dos tipo P se llamar MOSFET de canal P (o PMOS). MOSFET de Empobrecimiento: El MOSFET de empobrecimiento de canal n

El MOSFET de canal n se establece en un sustrato p, que es el silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los extremos del canal n u los contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D). Se hace crecer una capa se SiO2, que es un aislante, en la parte superior del canal. Se deposita una capa de aluminio sobre el aislante de SiO2 para formar la terminal de compuerta (G). El desempeo del MOSFET de empobrecimiento, es similar al JFET. El JFET se controla por la unin pn entre la compuerta y el extremo del drenaje del canal. No existe dicha unin en el MOSET de enriquecimiento, y capa de SiO2 acta como aislante. Para el MOSFET de canal n, una vGS negativa saca los elementos de la regin del canal, empobrecindolo. Cuando vGS alcanza Vp, el canal se estrangula. Los valores positivos de vGS aumentan el tamao del canal, dando por resultado un aumento en la corriente de drenaje.

Ntese que el MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores positivos como negativos de vGS. Como la compuerta est aislada del canal, la corriente de compuerta es sumamente pequea (10 polaridad. El MOSFET de empobrecimiento de canal p
-12

A) y vGS puede ser de cualquier

MOSFET de Enriquecimiento: El MOSFET de enriquecimiento de canal n

El MOSFET de enriquecimiento difiere del MOSFET de empobrecimiento en que no tiene la capa delgada de material n sino que requiere una tensin positiva entre la compuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuerta a fuente, vGS, que atrae a los electrones de la regin del sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una vGS

positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de xido. Cuando la tensin alcanza el valor de umbral, VT, han sido atrados a esta regin de los electrones suficientes para que se comporte como canal n conductor. No habr una corriente apreciable iD hasta que vGS excede VT. No existe un valor IDSS para el MOSFET de enriquecimiento, ya que la corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado. IDSS es cero para vGS = 0. Para valores de vGS > VT, la corriente de drenaje en saturacin se puede calcular de la ecuacin iD = k (vGS - VT)2. El valor de k depende la construccin de MOSFET y, en principio, es funcin del ancho y el largo del canal. Un valor tpico para k es 0.3 mA/V2; la tensin de umbral, VT, es especificada por el fabricante. Se puede encontrar un valor para gm derivando la ecuacin, como se hizo con los JFET. El MOSFET de enriquecimiento de canal p exhibe caractersticas similares pero opuestas a las del MOSFET de enriquecimiento de canal n. Aunque se halla ms restringido en su intervalo de operacin que el MOSFET de empobrecimiento, el MOSFET de enriquecimiento es til en aplicaciones de CI debido a su tamao pequeo y su construccin simple. La compuerta para los MOSFET de canal n y de canal p es un depsito de metal en una capa de xido de silicio. La construccin comienza con un material de sustrato (de tipo p para canal n; de tipo n para canal p) sobre el cual se difunde material del tipo opuesto para formar la fuente y el drenaje.

El MOSFET de enriquecimiento de canal p

Ventajas y desventajas del fet Las ventajas del FET se pueden resumir como sigue: 1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta independencia. Como esta

independencia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada a un amplificador multietapa. 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4. Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que los BJT, pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado ( es decir, se puede obtener una densidad de empaque mayor ). 5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje a fuente. 6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.

7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Existen varias desventajas que limitan la utilizacin de los FET en algunas aplicaciones: 1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada. 2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre. 3. Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica. Operacin y construccin del fet Al igual que el BJT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero slo tiene una unin pn en vez de dos, como en el BJT. El JFET de canal n se construye utilizando una cinta de material tipo n con dos materiales de tipo p difundidos en ella, uno en cada lado. El JFET de canal p tiene una cinta de material tipo p con dos materiales de tipo n difundidos en ella. Estructura Fsica de un JFET

Para entender la operacin del JFET, se conecta el JFET de canal n a un circuito externo, Se aplica una fuente de tensin, VDD, al drenaje y se enva a tierra. Una fuente de tensin de compuerta, VGG, se aplica a la compuerta. VDD proporciona una tensin drenaje a fuente, vDS, que provoca una corriente de drenaje, iD, del drenaje a la fuente. La corriente de drenaje, que es idntica a la corriente de fuente, existe en el canal rodeado por la compuerta de tipo p. La tensin compuerta a fuente, vGS, que es igual a -VGG, crea una regin desrtica en el canal, que reduce el ancho de ste y por tanto aumenta la resistencia entre drenaje y fuente. Como la unin compuerta-fuente est polarizada en inverso, el resultado es una corriente de compuerta nula. Considrese la operacin de un JFET con vGS=0. La corriente de drenaje a travs del canal n del drenaje a la fuente, provoca una cada de tensin a lo largo del canal, con el potencial ms alto en la unin drenaje-compuerta. Esta tensin positiva es la unin drenaje-fuente polariza en inverso la unin pn y produce una regin desrtica. Cuando se incrementa vDS, tambin aumenta la corriente de drenaje, iD. Curvas caractersticas

Aqu consideraremos las caractersticas iD-vDS completa para varios valores del parmetro vGS. En la siguiente figura se muestran las curvas caractersticas iDvDS tanto para un JFET de canal n como para uno de canal p. antes de analizar estas curvas, tmese nota de los siguientes smbolos para los JFET de canal n y de canal p, que tambin se muestran en dicha figura. Estos smbolos son iguales excepto por la direccin de la flecha. Caractersticas de transferencia

Es una grfica de la corriente de drenaje como funcin de la tensin compuerta a fuente por encima del estrangulamiento. Se grfica con vDS igual a una constante, aunque la caracterstica de transferencia es esencial independiente de vDS pues, luego de que el FET llega al estrangulamiento, iD permanece constante para valores mayores de vDS. Esto se puede ver a partir de las curvas iD-vDS, donde cada curva se vuelve plana para valores de vDS > Vp. Cada curva tiene un punto de saturacin diferente.

En la anterior figura se muestran las caractersticas de transferencia y las caractersticas iD-vGD para un JFET de canal n. Las caractersticas de transferencia se pueden obtener de una extensin de las curvas iD-vDS. Un mtodo til de determinar la caracterstica de transferencia es con ayuda de la siguiente relacin: iD / iDSS = (1 - vGS / Vp)2 Por tanto, slo se necesita conocer iDSS y Vp, y toda la caracterstica queda determinada, Las hojas de datos de los fabricantes a menudo dan estos dos parmetros, por lo que se puede construir la caracterstica de transferencia o utilizar la ecuacin directamente. Ntese que iD se satura (es decir, se vuelve constante) con forme vDS excede la tensin necesaria para que l se estrangule. Esto se puede expresar como una ecuacin para vDS (sal) para cada curva, como sigue: vDS (sal) = (vGS+ Vp) Diferencias entre fet y los bjt Las diferencias ms resaltantes entre estos dos dispositivos son: 1. La independencia de entrada de los FET es considerablemente mayor que la de los BJT. 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4. Los FET son , en general, ms fciles de fabricar que los BJT, pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. 5. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento, al contrario de los BJT.

gm y transductancia Para obtener una medida de la amplificacin posible con un JFET, se introduce el parmetro gm, que es la estrangulacin en directo. Este parmetro es similar a la ganancia de corriente para un BJT. El valor de gm, que se mide en siemens (S), es una medida de cambio en la corriente de drenaje para un cambio en la tensin compuerta-fuente.

gm = iD / vGS iD / vGS vDS = constante

La transconductancia, gm, no permanece constante si se cambia el punto Q. Esto se puede ver por la determinacin geomtrica de gm a partir de la curva de transferencia de caractersticas. Conforme cambia iD, vara la pendiente de la curva de transferencia de caracterstica, cambiando por tanto gm. Se puede encontrar la transconductancia diferenciando la ecuacin, lo que da como resultado:

gm = iD / vGS = 2iDSS (1 - vGS Vp ) / - Vp

Se define:

gmo =2iDSS / - Vp
Que es la transconductancia en vGS = 0. Utilizando esta ecuacin, la transconductancia est dada por:

gm =gmo ( 1 - VGS / Vp )
Una forma alterna de esta ecuacin se puede encontrar definiendo:

kn =IDSS / V2P

La transconductancia se encuentra de la pendiente de la curva en el punto Q. y est dada por:

gm =0,91lDSS / 0.64Vp = 1.42lDSS / Vp = -0.71gmo

Estos valores suelen representar un buen punto de inicio para fijar los valores estticos en el JFET. Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn). Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (Modo de iluminacin).

Transistores y electrnica de potencia Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado. Ventajas de los transistores

El consumo de energa es sensiblemente bajo. El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vaco.

Una vida larga til (muchas horas de servicio). Puede permanecer mucho tiempo en depsito (almacenamiento). No necesita tiempo de calentamiento. Resistencia mecnica elevada. Los transistores pueden reproducir otros fenmenos, como la foto sensibilidad.

Encapsulados

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que disipen, as nos encontramos con que los transistores de pequea seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ...). Los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metlica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...). Los de gran potencia, son los que poseen una mayor dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico. Esto, favorece, en gran medida, la evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).

Conclusin

Los transistores son elementos muy importantes en la electrnica ya que su uso va desde un interruptor hasta un amplificador dependiendo del modo en que se conecte. La principal ventaja de un transistor es que es capaz de controlar corrientes elevadas a la salida con corrientes muy muy pequeas a la entrada. Unas de las principales aplicaciones de estos son en la elaboracin de tarjetas electrnicas en los distintos dispositivos de robtica en los cuales aumentan la corriente otra es como un switch en el cual es activado por el voltaje, adems de que son elementos semiconductores de material de tipo n y tipo p lo que les da caractersticas nicas. El comportamiento de los transistores de efecto de campo se caracteriza por sus curvas caractersticas en las que se representa la corriente que entra o sale por el Drenador en funcin de la tensin aplicada entre ste y la Fuente. Estos transistores pueden ser empleados en los circuitos en una disposicin similar a la de los bipolares, es decir, en fuente comn, aunque la primera y la ltima son las ms utilizadas en la prctica. En poca reciente ha aparecido en el mercado una nueva tecnologa de fabricacin de transistores MOS que reciben el nombre de VMOS a causa de la estructura geomtrica de sus diferentes regiones semiconductoras. Se emplean en amplificadores de potencia as como en conmutacin, haciendo la funcin de interruptor, gracias a la baja resistencia interna que poseen. Los transistores han venido evolucionando a travs del tiempo que cada da, los circuitos elctricos, son ms pequeos y complejos.