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Tcnicas de fabricacin de semiconductores

Etapas de fabricacin 1. Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas) 2.- Oxidacin 3.- Litografa y Grabado 4.- Impurificacin Purificacin del sustrato 1. El primer paso en la fabricacin de un dispositivo semiconductor es obtener materiales semiconductores, como germanio y silicio, del nivel de impurezas deseado. Los niveles de impurezas de menos de una parte en mil millones (1 en 1.000.000.000) se requiere para la mayor parte de la fabricacin de semiconductores de hoy da.

SILICIO

GERMANIO

La materia prima se somete primero a una serie de reacciones qumicas y a un proceso de refinacin de zona para formar un cristal poli cristalino del nivel deseado de pureza. Los tomos del cristal poli cristalino se acomodan al azar, mientras que en el cristal deseado los tomos se acomodan en forma simtrica, uniforme, con estructura geomtrica en enrejado.

Mtodo de zona flotante

El proceso parte de un cilindro de silicio policristalino Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a la semilla Una pequea zona del cristal se funde mediante un calentador por radio frecuencia que se desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla El Si fundido es retenido por la tensin superficial entre ambas caras del Si slido Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el silicio monocristalino se solidifica en el extremo inferior de la zona flotante y crece como una extensin de la semilla

Cristal de silicio en el inicio del proceso de crecimiento

Crecimiento del cristal de silicio La estructura del cristal simple producida puede cortarse en obleas algunas veces tan delgadas como 1/1000 ( 0.001) de pulgada Oxidacin Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de apertura cilndrica calentado por resistencia

Dos tipos de oxidacin: Seca y hmeda Oxidacin Hmeda Se introduce vapor de agua en el horno

Si(s) +2H2O(g) SiO2(s) + 2H2(g) Es mucho mas rpida y se utiliza para crear xidos gruesos Oxidacin seca Se introduce gas de oxigeno puro Si(s) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g) Se consiguen xidos de mayor calidad pero es ms lenta Esta tcnica no es apropiada para la creacin de xidos gruesos ya que se puede producir una redistribucin de las impurezas introducidas en los anteriores procesos

Horno Horizontal

Horno Vertical

Litografa y grabado Se cubre la oblea con una fotoresina Se hace incidir luz U.V. a travs de una mascara Se ablanda (+) o se endurece (-) la resina expuesta Se elimina la fotoresina no polimerizada con tricloroetileno Grabado: se ataca con HCl o HF y se elimina el SiO2 no protegido por la fotoresina Se elimina la fotoresina con un disolvente Sulfrico SO4H2

Grabado Hmedo y seco a) Hmedo: Bao de cido fluorhdrico o clorhdrico que ataca SiO2 no protegido, pero no ataca al Si. b) Gran selectividad c) Problema: ataque isotrpico igual en todas las direcciones

b) Seco: Se usa un plasma con un gas ionizado

Grabado Fsico o qumico Ataque anistropo Menor selectividad

Impurificacin Dos mtodos: Difusin e implantacin inica Difusin Se colocan las obleas en el interior de un horno a travs del cual se hace pasar un gas inerte que contenga el dopante deseado. Para Si tipo P el dopante ms usual es el Boro y para tipo N se usa el Arsnico y Fsforo. Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango de temperatura de difusin Se puede distinguir entre dos formas al realizar la difusin: a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma concentracin de impurezas durante el proceso

b) Con fuente limitada: se parte de una concentracin inicial y no se aaden mas dopantes Normalmente se usan los dos mtodos uno seguido del otro. La profundidad de la difusin depender del tiempo y de la temperatura. La concentracin de dopante disminuye montonamente a medida que se aleja de la superficie. La tcnica de difusin tiene el problema de que las impureza se difunden lateralmente