Fascculo 4 4. El Transistor Bipolar de Unin (BJT) 4.1 Introduccin al BJT y principios de construccin. 4.2 Configuracin de base comn. 4.

3 Configuracin de emisor comn. 4.4 Configuracin de colector comn. 4.4 Lmites de operacin del transistor. 4.5 Hoja de especificaciones del transistor. 4.6 Nexo: 4.7 Trabajo colaborativo 4.8 Actividad complementaria. Introduccin. Hace 50 aos, el 23 de diciembre de 1947, cientficos de los Laboratorios Bell demostraron que un dispositivo construido con base en materiales slidos, poda comportarse de forma prcticamente idntica a las vlvulas de vaco, pero sin sus inconvenientes. Aunque desde un principio se supuso que el invento tendra mucha importancia en el futuro, sus inventores jams imaginaron la revolucin que estaba a punto de comenzar en la tecnologa electrnica, con repercusiones en todas las reas del quehacer humano. Por su descubrimiento, William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain fueron acreedores al Premio Nobel de Fsica en 1956. EVALUACIN DE PRECONCEPTOS

1. Que es un transistor?

2. Cuantos pines tiene un transistor, como se llaman y como se identifican?

3. Qu funcin puede desempear un transistor en un circuito?.

4. A que se debe el nombre del transistor?

Logros propuestos Conocer los conceptos bsicos de construccin del transistor. Identificar las diferentes configuraciones de circuitos transistorizados. Identificar los lmites de operacin del transistor segn datos suministrados por el fabricante.

4. El Transistor Bipolar de Unin (BJT) 4.1 Introduccin al BJT y principios de construccin. Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vaco fue sin duda el dispositivo electrnico de inters y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vaco fue introducido por J. A. Fleming. Poco despus, en 1906, Lee, De Forest agreg un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vaco, lo que origin el primer amplificador: el triodo. En los aos siguientes, la radio y la televisin brindaron un gran impulso a la industria de tubos electrnicos. La produccin aument de cerca de 1 milln de tubos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la dcada de los treinta el ttrodo de cuatro elementos y el pntodo de cinco elementos se distinguieron en la industria de tubos electrnicos. Durante los aos subsecuentes, la industria se convirti en una de primera importancia y se lograron avances rpidos en el diseo, las tcnicas de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin. Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947 la industria electrnica atestigu el advenimiento de una direccin de inters y desarrollo completamente nueva. Fue en el transcurso de la tarde de ese da que Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor en los Bell Telephone Laboratorios. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 26. De inmediato, las ventajas de este dispositivo de estado slido de tres terminales sobre el tubo electrnico fueron evidentes: era ms pequeo y ligero; no tena requerimientos de filamentos o prdidas trmicas; ofreca una construccin de mayor resistencia y resultaba ms eficiente porque el propio dispositivo absorba menos potencia; instantneamente estaba listo para utilizarse, sin requerir de un periodo de calentamiento; adems, eran posibles voltajes de operacin ms bajos. Todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el nivel de voltaje, corriente o potencia) tienen al menos tres terminales con una de ellas controlando el flujo entre las otras dos.

Fig. 26. El primer transistor.

4.1.1 Construccin del Transistor El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo N y una de tipo P o dos capas de material tipo P y una de tipo N. El primero se denomina transistor NPN, en tanto que el ltimo recibe el nombre de transistor PNP. Ambos se muestran en la figura 27 con la polarizacin de CD adecuada.

Fig. 27. Tipos de transistores y su respectiva polarizacin en regin activa: (a) PNP; (b) NPN.

4.1.2 Operacin del Transistor La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp de la figura 27a. La operacin del transistor npn es exactamente igual si se intercambian los papeles que desempean los electrones y los huecos. En la figura 28 se ha redibujado el transistor PNP sin la polarizacin base a colector. Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado directamente. El ancho de la regin de agotamiento se ha reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo P al tipo N.

Fig. 28. Unin polarizada directamente de un transistor pnp. 4.2 Configuracin de base comn. La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en la figura 29 para la configuracin de base comn con transistores PNP y NPN. La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.

Fig. 29. Notacin y smbolos en la configuracin de base comn. Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 29 son las direcciones reales, como se definen con base en la eleccin del flujo convencional. Ntese en cada caso que: IE = IC + IB Tambin advirtase que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la direccin de IC con la polaridad de ICC. Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales como los amplificadores de base comn de la figura 29, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn, como se muestra en la figura 30, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB)

Figura 30 Caractersticas del punto de excitacin para un transistor amplificador de silicio de base comn. El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura 30. El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters, como se indican en la figura 31. Las regiones Activa, de Corte y de Saturacin. La regin activa es la regin empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin activa la unin colector-base est inversamente polarizada, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada en forma directa.

Fig. 31. Caractersticas de salida, del colector, para un amplificador de base comn.

4.3 Configuracin de emisor comn. La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la figura 2.13 para los transistores pnp y npn. Se denomina configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector. Ambas se muestran en la fig. 32.

Fig.32. Smbolo y notacin del transistor NPN en configuracin de Emisor comn.

Fig. 33. Smbolo y notacin del transistor PNP en configuracin de Emisor comn.

Figura 34 Caractersticas del colector un transistor BJT de Silicio en la configuracin de emisor comn.

Figura 35 Caractersticas de la base un transistor BJT de Silicio en la configuracin de emisor comn.

Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de corriente convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de corrientes desarrolladas antes para la configuracin de base comn. En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una grfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las caractersticas de la entrada son una grfica de la comente de entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE ) para un rango de valores del voltaje de salida (VCE). Obsrvese que en las caractersticas de la figura 34 la magnitud de IB es del orden de microamperes comparada con los miliamperes de IC. Ntese tambin que las curvas de IB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuracin de base comn, lo que indica que el voltaje de colector a emisor afectar la magnitud de la corriente de colector. La regin activa en la configuracin de emisor comn es aquella parte del cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la regin en la que las curvas correspondientes a IB son casi lneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. En la figura 35 esta regin se localiza a la derecha de la lnea sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a cero. La regin a la izquierda de VCEsat se denomina regin de saturacin. LADILLO. En la regin activa de un amplificador emisor comn la unin colectorbase est polarizada inversamente, en tanto que la unin base-emisor est polarizada directamente.

4.4 Configuracin de colector comn. La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada en la figura 36 con las direcciones apropiadas de corriente y la notacin de voltaje. La configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor comn.

Figura 36a Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn para el transistor PNP.

Figura 36b Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn para el transistor NPN. La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura 37 con la resistencia de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a tierra aun cuando el transistor est conectado de manera similar a la configuracin de emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no es necesario elegir para un conjunto de caractersticas de colector comn, los parmetros del circuito. Pueden disearse empleando las caractersticas de emisor comn. Para todos los propsitos prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de colector comn son las mismas que las de la configuracin de emisor comn.

Figura 37 Configuracin de colector comn empleada para propsitos de acoplamiento de impedancia ACTIVIDAD 1: investigar cmo se identifican los pines del transistor con el multmetro.

4.5 Lmites de operacin del transistor. Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la cual asegurar que los valores nominales mximos no sean excedidos y en donde la seal de salida exhibe una distorsin mnima. Una regin de este tipo, se ha definido para las caractersticas de transistor de la figura 38. Todos los lmites de operacin se definen sobre una tpica hoja de especificaciones de transistor. Algunos de los lmites se explican por s mismos, como la corriente mxima de colector (denominada, por lo general, en la hoja de especificaciones, como corriente continua de colector) y el voltaje mximo de colector a emisor (abreviada a menudo como vCeo.) Para el transistor de la figura 38, ICmx se especific como de 50 mA y VCEO como de 20 V. La lnea vertical de las caractersticas definida como VCEsat especifica la mnima VCE que puede aplicarse sin caer en la regin no lineal denominada regin de saturacin.

Figura 38 Definicin de la regin lineal de operacin (sin distorsin) de un transistor: Regin Activa. 4.6 Hoja de especificaciones del transistor. Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicacin entre el fabricante y el usuario, es de particular importancia que la informacin proporcionada sea reconocida y correctamente comprendida. Aunque no se han presentado todos los parmetros, un amplio nmero ser ahora familiar. Los parmetros restantes se introducirn en los captulos siguientes. Se har

referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la cual se presenta el parmetro. La informacin proporcionada en las figuras 39a, b, c y d se ha tomado directamente de la publicacin Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El BC547 es un transistor NPN de propsito general con el encapsulado plstico TO-92 y la identificacin de terminales que aparecen en el extremo superior derecho de la figura 2.19a. La mayora de las hojas de especificaciones se dividen en: a) Valores nominales mximos, b) Caractersticas trmicas v c) Caractersticas elctricas. Las caractersticas elctricas se subdividen adems en caractersticas en estado "encendido", en estado "apagado" y de pequea seal. Las caractersticas en estado activo y pasivo se refieren a los lmites de cd, mientras que las caractersticas de pequea seal incluyen los parmetros de importancia para la operacin de ca.

Figura 39a Hoja de especificaciones del transistor: Valores Caractersticas trmicas y caractersticas elctricas de apagado.

Mximos,

Figura 39b Hoja de especificaciones del transistor: caractersticas elctricas de encendido y caractersticas de pequea seal.

Figura 39c Hoja de especificaciones del transistor: diversas curvas.

Figura 39d Hoja de especificaciones del transistor: diversas curvas.

Figura 39e Hoja de especificaciones del transistor: dimensiones del empaque y de los pines. ACTIVIDAD 2: escoja un transistor comercial y haga un anlisis de los limittes de operacin segn su hoja de especificaciones.

4.7 Nexo: El funcionamiento del transistor, sus curvas caractersticas y sus configuraciones son elementos que se utilizaran en los siguientes tres fascculos. 4.8 trabajo colaborativo. En grupos de tres estudiantes utilizando el multmetro realizar la medicin del beta y la identificacin de pines de diez transistores de diferentes referencias. 4.9 Actividad complementaria. a). Para el circuito de la siguiente figura, explicar el comportamiento cuando se activa NA1 y cuando lo hace NA2, justificar la respuesta.

b). La ganancia de un transistor hfe es 1.000 y la corriente que circula por su base Ib es de 2 mA. Calcular la corriente del colector y la del emisor. c). Calcular la ganancia de un transistor sabiendo que la corriente del emisor es 903 mA y la del colector 900 mA. d). Explica el funcionamiento de los siguiente circuitos.

e). Analiza el funcionamiento del siguiente circuito cuando el potencimetro tiene resistencia cercana a cero y cuando esta al mximo.

f). Analizar el video de Electronica para estudiantes de Cekit TODO SOBRE TRANSISTORES, repetir en el laboratorio los ejercicios del video.
Bibliografia. TEXTO:
o

ELECTRNICA TEORA DE CIRCUITOS. Robert Boylestad, Louis Nashelsky. Editorial Prentice Hall. 8 edicin. 2010.

REFERENCIAS:
o o o o o o

ANLISIS DE CIRCUITOS POR COMPUTADORA USANDO SPICE. David Bez. Prentice Hall. 2 edicin. 2009. MICROELECTRONICS CIRCUITS. Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith. Oxford University Press. 4 edition. 1999. PRINCIPIOS DE ELECTRNICA. Albert P. Malvino. McGraw-Hill. 6 edicin. 1999. FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES. Hansjochen Benda. Siemens & Marcombo. FUNCIONAMIENTO DEL DIODO SEMICONDUCTOR. Udo Lob. Siemens & Marcombo. EL TRANSISTOR. Erich Gelder & Karl-Heins Reiter. Marcombo

Fascculo 5 5. Polarizacin de CD del BJT 5.1 Punto de operacin o punto Quiescente. 5.2 Circuito de polarizacin fija. 5.3 Circuito de polarizacin estabilizada de emisor. 5.4 Polarizacin con divisor de voltaje. 5.6 El transistor PNP 5.7 Nexo: 5.8 Trabajo colaborativo 5.9 Actividad complementaria.

Introduccin. Al polarizar el transistor estamos definiendo su punto de trabajo, este debe ser escogido teniendo en cuenta los limites de operacin consignados en los datos suministrados por el fabricante en las hojas de especificaciones, esto determinar el funcionamiento del circuito. EVALUACIN DE PRECONCEPTOS

1. Cules son las regiones de operacin del transistor?

2. Que condiciones de polarizacin deben darse para cada regin de operacin, explique?

3. Que daos puede presentar un transistor?.

Logros propuestos Identificar las diferentes configuraciones de polarizacin. Realizar clculos de circuitos de polarizacin y escoger el punto de trabajo del transistor segn las indicaciones.

5. Polarizacin de CD del BJT 5.1 Punto de operacin o punto Quiescente. El anlisis o diseo de un amplificador de transistor requiere del conocimiento de la respuesta del sistema, tanto de cd como de ca. Con mucha frecuencia se supone que el transistor es un dispositivo mgico que puede alcanzar el nivel de la entrada aplicada de ca sin la asistencia de una fuente de energa externa. En realidad, el nivel mejorado de potencia de salida de ca es resultado de una transferencia de energa de las fuentes aplicadas de cd. Por lo tanto, el anlisis o diseo de cualquier amplificador electrnico tiene dos componentes: la parte de cd y la correspondiente de ca. Cuando trabajamos la polarizacin de un transistor estamos haciendo el anlisis dc del circuito, y para ello tenemos en cuenta las siguientes relaciones: VBE = 0.7 V IE = ( + 1)IB = IC IC = IB LADILLO: Para que el BJT est en regin de operacin lineal o activa debe cumplirse que: La unin de Base a Emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de la regin P ms positivo) con un voltaje resultante de polarizacin directa entre la base y el emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V. Y que La unin de Base a Colector debe estar polarizada inversamente (regin N ms positiva), estando el voltaje de polarizacin inversa en cualquier valor dentro de los lmites mximos del dispositivo. 5.2 Circuito de polarizacin fija. El circuito de polarizacin fija de la figura 40 proporciona una introduccin relativamente directa y simple al anlisis de polarizacin de cd de un transistor. An cuando la red emplea un transistor NPN, las ecuaciones y clculos se aplican en forma correcta por igual a una configuracin PNP con slo cambiar todas las direcciones de corriente y polaridades de voltaje.

Fig. 40. Circuito de polarizacin fija.

Fig.41. Equivalente de cd de la figura 40 Considrese primero la malla circuito base-emisor que se muestra en el diagrama de circuito parcial de la figura 3.4. Escribiendo la ecuacin de voltajes de Krchhoff para la malla obtenemos: VCC -IBRB - VBE = 0, despejando IB obtenemos: IB = (VCC - VBE) / RB

Fig. 42. Malla de base-emisor Ademas, puesto que la fuente de voltaje VCC y el voltaje de base a emisor VBE son constantes, la seleccin de un resistor de base, RB, establece el nivel de la corriente de base para el punto de operacin.

Malla de colector-emisor La seccin de colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la direccin indicada de la corriente IC y la polaridad resultante a travs de RC. La magnitud de la corriente de colector se relaciona directamente con IB por medio de IC = IB Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj a lo largo de la malla de salida, se obtendr el resultado siguiente: VC + ICRC - VCC = 0 VCE = VCC - ICRC Asi establece en palabras que el voltaje a travs de la regin de colector-emisor de un transistor en la configuracin de polarizacin fija es la fuente de voltaje menos la cada a travs de RC. VCE = VC - VE Donde VCE es el voltaje de colector a emisor y VC y VE son los voltajes de colector y emisor a tierra, respectivamente. Pero en este caso, ya que VE = 0 V, tenemos: VCE = VC Adems, puesto que VBE = VB - VE y VE = 0 V, entonces VBE = VB

5.3 Circuito de polarizacin estabilizada de emisor.

La red de polarizacin de CD de la figura 3.15 contiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad sobre el de la configuracin de polarizacin fija. La estabilidad mejorada se demostrar ms adelante en esta seccin mediante un ejemplo numrico. El anlisis se realizar examinando, en primer lugar, la malla de base a emisor y luego, con los resultados, se investigar la malla de colector a emisor.

Fig. 43. Circuito de polarizacin BJT con resistor de emisor. Malla de base-emisor La malla de base a emisor de la red de la figura 43 se puede volver a dibujar, como se ilustra en la figura 44. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj, obtendremos como resultado la siguiente ecuacin: VCC - IBRB - VBE - IERE = 0 Recordando que IE = ( + 1)IB Sustituyendo a IE en tenemos VCC - IBRB - VBE - ( + 1)IBRE = 0 Agrupando trminos, nos da lo siguiente: -IB(RB + ( + 1)RE) + VCC - VBE = 0 Multiplicando todo por (-1), tenemos IB[RB + ( + 1)RE] - VCC + VBE = 0 y resolviendo IB llegamos a IB = (VCC-VBE)/[RB+ + 1)RE)]

Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para IB y la obtenida para la con figuracin de polarizacin fija es el trmino ( + 1) RE.

Fig. 44. Malla de base-emisor

ACTIVIDAD 1: Explique que ventajas o desventajas tiene el circuito de polarizacin fija con respecto al circuito de polarizacin estabilizada en emisor. 5.4 Polarizacin con divisor de voltaje. En las configuraciones polarizadas precedentes, la corriente de polarizacin I CQ y del voltaje VCEQ eran una funcin de la ganancia de corriente () del transistor. Sin embargo, ya que es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no est bien definido, sera deseable desarrollar un circuito de polarizacin menos dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. La configuracin de polarizacin con divisor de voltaje de la figura 45 es una red de ese tipo. Si se analiza sobre una base exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es bastante pequea. Si los parmetros del circuito se escogen apropiadamente, los niveles resultantes de I CQ y VCEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. Recuerde, de las discusiones anteriores, que un punto Q se define por un nivel fijo de I CQ y VCEQ, como se ilustra en la figura 46. El nivel de I BQ se modificar con el cambio en beta, pero el punto de operacin sobre las caractersticas, definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parmetros apropiados del circuito. Como se observ anteriormente, existen dos mtodos que se pueden aplicar al anlisis de la configuracin con divisor de voltaje.

Fig. 45. Configuracin de polarizacin con divisor de voltaje.

Fig. 46 Definicin del punto Q para la configuracin de polarizacin con divisor de voltaje.

Anlisis exacto

La parte de entrada de la red de la figura 45 puede volverse a dibujar, como se muestra en la figura 3.24, para el anlisis de CD. La red de Thvenin equivalente para la red a la izquierda de la terminal de base puede hallarse entonces de la siguiente manera: RTh: La fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente, como se ilustra en la figura 45: RTh = R1 R2 ETh: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thvenin del circuito abierto de la figura 3.26 se determina Aplicando la regla del divisor de voltaje: ETh = VR2 = (R2VCC)/ (R1 + R2) La red de Thvenin se vuelve a dibujar entonces, como se ilustra en la figura 46 ,e IBQ se puede determinar al aplicar en primer lugar la ley de voltaje de Kirchhoff en direccin de las manecillas del reloj para la malla indicada: ETh - IBRTh - VBE -IERE = 0 Sustituyendo IE = ( + 1)IB y resolviendo IB, llegamos a: IB = [ETh-VBE]/[RTh+( + 1)RE] VCE = VCC - IC(RC + RE) La malla de salida es exactamente igual que la de la polarizacin estabilizada en emisor. Las ecuaciones restantes para VE, VC y VB son tambin las mismas que se obtuvieron para la configuracin polarizada de emisor.

Fig. 47. Malla de entrada equivalente para el circuito de polarizacin por divisor de voltaje. Anlisis aproximado La seccin de entrada de la configuracin con divisor de voltaje puede representarse por medio de la red de la figura 47. La resistencia R es la resistencia equivalente entre base y tierra para el transistor con un resistor de emisor RE. Recuerde que la resistencia reflejada entre la base y el emisor se define por Ri = ( + 1) RE, Si Ri es mucho mayor que la resistencia R2, la corriente IB ser mucho menor que I2 (la corriente siempre busca la trayectoria de menor resistencia) e I2 ser aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la aproximacin de que IB es de 0 amperios comparada con I1 o I2 entonces I1 I2 y R1 y R2 pueden considerarse elementos en serie. El voltaje a travs de R2, que es en realidad el

voltaje de base, puede determinarse por medio de la regla del divisor de voltaje (y de aqu proviene el nombre para la configuracin). Es decir: VB = R2VCC / (R1 + R2) Puesto que Ri = ( + 1) RE Re la condicin que definir si el enfoque aproximado puede aplicarse ser la siguiente: RE 10 R2 En otras palabras, si el valor de beta multiplicado por RE es al menos 10 veces el valor de R2, el enfoque aproximado puede aplicarse con un alto grado de precisin. Una vez que se determina VE, el nivel de VE se puede calcular a partir de: VE = VB - VBE y la comente de emisor se puede determinar a partir de: IE = VE / RE ICQ IE El voltaje de colector a emisor se determina por: VCE = VCC - ICRC - IERE pero, ya que IE = IC: VCEQ = VCC - IC(RC + RE) Advierta que en la secuencia de los clculos no aparece beta e I B no fue calculada. El punto Q (como se determina por ICQ y VCEQ) es por tanto independiente del valor de beta. 5.5 El transistor PNP Hasta este punto el anlisis se ha limitado exclusivamente a los transistores NPN para asegurar que el anlisis inicial de las configuraciones bsicas fuera lo ms claro posible y sin complicaciones al intercambiar entre diferentes tipos de transistores. Afortunadamente, el anlisis de los transistores PNP sigue el mismo patrn establecido para los transistores NPN. El nivel de IB se determina en primer lugar, seguido por la aplicacin de las relaciones de transistor apropiadas para determinar la lista, de cantidades desconocidas. De hecho, la nica diferencia entre las ecuaciones que se obtienen para una red en la que se ha reemplazado un transistor NPN por otro de tipo PNP es el signo asociado a cantidades particulares.

5.6 Nexo: los circuitos de polarizacin son la piedra angular del anlisis de AC del transistor, todo amplificador inicia su desarrollo con la polarizacin. 5.7 Trabajo colaborativo. En grupos de tres estudiantes realizar los montajes de las polarizaciones vistas en el fascculo y comparar los datos prcticos con los tericos. Desarrollar los ejercicios impares del captulo 4 del libro electrnica y teora de circuitos de Robert Boylestad. 5.6 Actividad complementaria.
a). Investigar cmo realizar la medicin de transistores en el laboratorio, cuales son las fallas que se presentan en transistores y como se identifican. b). Realizar el montaje de cada una de las configuraciones de polarizacin con un transistor 2n222 y uno 2n3904, haciendo trabajar cada uno en regin de corte, regin de saturacin y regin activa. c). Realizar el montaje de la figura con el transistor 2n2222 y asegurar el punto de trabajo en trabajo en regin activa. Realizar los clculos por mtodo aproximado y mtodo exacto.

Bibliografia. TEXTO:
o

ELECTRNICA TEORA DE CIRCUITOS. Robert Boylestad, Louis Nashelsky. Editorial Prentice Hall. 8 edicin. 2010.

REFERENCIAS:

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ANLISIS DE CIRCUITOS POR COMPUTADORA USANDO SPICE. David Bez. Prentice Hall. 2 edicin. 2009. MICROELECTRONICS CIRCUITS. Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith. Oxford University Press. 4 edition. 1999. PRINCIPIOS DE ELECTRNICA. Albert P. Malvino. McGraw-Hill. 6 edicin. 1999. FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES. Hansjochen Benda. Siemens & Marcombo. FUNCIONAMIENTO DEL DIODO SEMICONDUCTOR. Udo Lob. Siemens & Marcombo. EL TRANSISTOR. Erich Gelder & Karl-Heins Reiter. Marcombo