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Diodo tnel. El diodo tnel es un semiconductor de dos terminales que contiene una concentracin de impurezas de arseniuro y antimoniuro de galio.

El diodo asi formado presenta una caracterstica de resistencia negativa cuando la tensin aplicada entre sus extremos sobrepasa un determinado nivel. El concepto de resistencia negativa aparece cuando la intensidad de corriente disminuye al aumentar la tensin aplicada (contradiciendo la ley de Ohm). Los diodos tnel a los que tambin se les conoce como diodo Esaki pueden utilizarse como interruptores de muy alta velocidad, amplificadores de alta frecuencia y osciladores de alta frecuencia. Un diodo comn tiene una concentracin de impurezas de 8 aproximadamente 1 parte en 10 tomos del semiconductor. Con este dopado, la zona de agotamiento o regin de la carga espacial no neutralizada (zona de la barrera de potencial), es del orden de 1 micra. Esta zona es la que restringe la fluencia de portadores mayoritarios de un lado de la juntura hacia el otro. 34 Si la concentracin de impurezas se hace una parte en 10 tomos del semiconductor, la caracterstica de la juntura cambia completamente. El ancho de la barrera de potencial vara inversamente con la raz cuadrada de la concentracin de impurezas, reducindose a solo un cincuentava parte de la longitud de la onda de la luz visible. Con este ancho existe una gran probabilidad de que un electrn penetre a travs de la barrera de potencial. Este comportamiento en Mecnica Quntica se lo conoce como efecto tnel. Estos dispositivos se los denominan o conocen, como diodos tnel.

El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se va aumentando la tensin aplicada en sentido directo.

Smbolo del diodo Tunnel. - Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). - Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. - La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin. Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se puede ver en el siguiente grfico.

- Vp: Tensin pico - Vv: Tensin de valle - Ip: Corriente pico - Iv: Corriente de valle La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv) se llama "zona de resistencia negativa". Los diodos tunnel se llaman tambin diodos Esaki en honor a su inventor japons Leo Esaki. As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos

osciladores de alta frecuencia. Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Shottky. Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. Fotodiodo. Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. Principio de operacin. Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente energa incide en el diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo. Composicin El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor. Material Silicio Germanio sulfuro de plomo Longitud de onda (nm) 1901100 8001900 <1000-3900

Indio galio arsnico (InGaAs) 8002600

Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno lquido. Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia. Uso - A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. - Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.

- Usados en fibra ptica Led. Led (de las siglas en ingls Light-Emitting Diode, diodo emisor de luz en espaol) se refiere a un componente optoelectrnico pasivo, ms concretamente un diodo que emite luz. Visin general Los ledes se usan como indicadores en muchos dispositivos y en iluminacin. Los primeros ledes emitan luz roja de baja intensidad, pero los dispositivos actuales emiten luz de alto brillo en el espectro infrarrojo, visible y ultravioleta. Debido a sus altas frecuencias de operacin son tambin tiles en tecnologas avanzadas de comunicaciones. Los ledes infrarrojos tambin se usan en unidades de control remoto de muchos productos comerciales incluyendo televisores e infinidad de aplicaciones de hogar y consumo domstico. Caractersticas (Ventajas y desventajas) Ventajas. Los ledes presentan muchas ventajas sobre las fuentes de luz incandescente y fluorescente, principalmente por el bajo consumo de energa, mayor tiempo de vida, tamao reducido, durabilidad, resistencia a las vibraciones, reducen la emisin de calor, no contienen mercurio (el cual al exponerse en el medio ambiente es altamente venenoso), en comparacin con la tecnologa fluorescente, no crean campos magnticos altos como la tecnologa de induccin magntica, con los cuales se crea mayor radiacin residual hacia el ser humano; cuentan con mejor ndice de produccin cromtica que otros tipos de luminarias, reducen ruidos en las lneas elctricas, son especiales para utilizarse con sistemas fotovoltaicos (paneles solares) en comparacin con cualquier otra tecnologa actual; no les afecta el encendido intermitente (es decir pueden funcionar como luces estroboscpicas) y esto no reduce su vida promedio, son especiales para sistemas antiexplosin ya que cuentan con un material resistente, y en la mayora de los colores (a excepcin de los ledes azules), cuentan con un alto nivel de fiabilidad y duracin. Los ledes con la potencia suficiente para la iluminacin de interiores son relativamente caros y requieren una corriente elctrica ms precisa, por su sistema electrnico para funcionar con voltaje alterno, y requieren de disipadores de calor cada vez ms eficientes en comparacin con las bombillas fluorescentes de potencia equiparable. Tiempo de encendido Los ledes tienen la ventaja de poseer un tiempo de encendido muy corto (aproximadamente en dos segundos) en comparacin con las luminarias de alta potencia como lo son las luminarias de alta intensidad de vapor de sodio, aditivos metlicos, halogenuro o halogenadas y dems sistemas con tecnologa incandescente. Variedad de colores La excelente variedad de colores que producen los ledes ha permitido el desarrollo de nuevas pantallas electrnicas de texto monocromticas, bicolores, tricolores y RGB (pantallas a todo color) con la habilidad de reproduccin de vdeo para fines publicitarios, informativos o tipo indicadores. Desventajas. Segn un estudio reciente parece ser que los led que emiten una frecuencia de luz muy azul, pueden ser dainos para la vista y provocar contaminacin lumnica

Funcionamiento Cuando un led se encuentra en polarizacin directa, los electrones pueden recombinarse con los huecos en el dispositivo, liberando energa en forma de fotones. Este efecto es llamado electroluminiscencia y el color de la luz (correspondiente a la energa del fotn) se determina a partir de la banda de energa del 2 semiconductor. Por lo general, el rea de un led es muy pequea (menor a 1 mm ), y se pueden usar componentes pticos integrados para formar su patrn de radiacin. Diodo varactor. Introduccin. El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V. Smbolo.

Descripcin. Es un dispositivo semiconductor que puede controlar su valor de capacidad en trminos de la tensin aplicada en polarizacin inversa. Esto es, cuando el diodo se polariza inversamente no circula corriente elctrica a travs de la unin; la zona de deflexin acta como el dielctrico de un capacitor y las secciones de semiconductor P y N del diodo hacen las veces de las placas de un capacitor. La capacidad que alcanza el capacitor que se forma, es del orden de los picos o el nanofaradios. Cuando vara la tensin de polarizacin inversa aplicada al diodo, aumenta o disminuye de igual forma la zona sea digital o analgica. Las aplicaciones de los varicap son la mayora de las veces en circuitos de deflexin. En un diodo, esto equivale a acercar o alejar las placas de un capacitor Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento se forma en la juntura. Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente. Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (rea semiconductor). Se puede visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante). La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensin inversa aplicada al diodo con una fuente externa. Esto causa que se aumente la separacin (aislante) y separa ms las reas semiconductoras. Este ltimo disminuye la capacitancia. Otros puntos.

La capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. - Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye - Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta Aplicaciones. La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (oscilador controlado por tensin). En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente. Diodo Shockley. Smbolo diodo Shockley.

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dipositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que (a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente) ste opere de igual forma como lo hara regularmente. Funcionamiento. A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky est constituido por una unin metalsemiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales. As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho ms rpida. Caractersticas

La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo cido. La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades. Aplicaciones del diodo Schottky El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de logica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottly TTL con la misma potencia. Diodo Schottky. El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky. Los diodos schottky estn normalmente formados por metales como el platino y silicio, es decir un diodo schottky surge de la unin de un platino, con silicio de tipo n. Por lo general se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad. En estos diodos el platino acta como material aceptador para los electrones cuando esta unido al silicio n y as los electrones del silicio se difunden inicialmente en el metal, esta difusin hace que el material tipo n (silicio) se empobrezca de electrones cerca de la unin y por consiguiente que adquiera un potencial positivo que se caracteriza por la falta de electrones. Cuando esta tensin llega a ser suficientemente alta, impide que los electrones se fluyan, y por otra parte cuando se aplica una tensin positiva suficientemente grande entre las terminales, los electrones de la regin n estn sometidos a un potencial positivo en el lado del metal de la unin y surge una circulacin de electrones. Cuando el diodo schottky funciona de modo directo, la corriente es debida a los electrones que se mueven desde el silicio de tipo n a travs del metal, el tiempo de recombinacin es muy pequeo, normalmente del orden de 10 ps. Esto es carios rdenes de magnitud menor que los correspondientes a la utilizacin de diodos de silicio pn es por esto que generalmente se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad.

Smbolo diodo Schottky. El Triac Al igual que el tiristor tiene dos estados de funcionamiento: bloqueo y conduccin. Conduce la corriente entre sus terminales principales en un sentido o en el inverso, por ello, al igual que el diac, es un dispositivo bidireccional. Conduce entre los dos nodos (A1 y A2) cuando se aplica una seal a la puerta (G). Se puede considerar como dos tiristores en antiparalelo. Al igual que el tiristor, el paso de bloqueo al de

conduccin se realiza por la aplicacin de un impulso de corriente en la puerta, y el paso del estado de conduccin al de bloqueo por la disminucin de la corriente por debajo de la intensidad de mantenimiento (IH). Est formado por 6 capas de material semiconductor como indica la figura.

Smbolo del triac

Tiristores en antiparalelo

Estructura interna de un triac

La aplicacin de los triacs, a diferencia de los tiristores, se encuentra bsicamente en corriente alterna. Su curva caracterstica refleja un funcionamiento muy parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer cuadrante del sistema de ejes. Esto es debido a su bidireccionalidad. La principal utilidad de los triacs es como regulador de potencia entregada a una carga, en corriente alterna. El encapsulado del triac es idntico al de los tiristores. SUS (Conmutador unidireccional de silicio). Se llama SUS combinacin de un tirirstor con puerta andica y un diodo Zener entre puerta y ctodo. - Se usa para el disparo de tiristores. Su principal parmetro es VS 6 y 10 V. - Se dispara a una tensin fija, Vzener , y su corriente IS est muy cercana a IH . - Sincronizacin mediante impulsos en puerta del SUS. Se comporta esencialmente como diodo de cuatro capas de bajo voltaje y con compuerta para su disparo. Se controla con mayor exactitud y depende menos de la temperatura que el diodo de cuatro capas.

SBS (Conmutador bidireccional de silicio). Se llama SBS (Silicon Bilateral Switch) a una clase de tiristor bidireccional. Est formado por dos SUS conectados en antiparalelo. A diferencia de otros tiristores, el SBS, desde un punto de vista tecnolgico, no es una versin mejorada del diodo npnp, sino que es un circuito integrado que incorpora diodos Zener conectados a la puerta, transistores y resistencias. Esto le da la ventaja de poder aparear estrechamente los componentes, consiguiendo una asimetra en la tensin de disparo inferior a medio voltio. Aunque

funciona como un dispositivo de dos puertas, se ha incorporado un electrodo de puerta para una mayor flexibilidad en el uso del dispositivo.

El diac. El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen. Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia. Existen dos tipos de DIAC: - DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.

Fet. El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El transistor FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre s. Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).

A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punchoff" y es diferente para cada FET. El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El transistor FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal. Curva caracterstica del Fet.

Tiristor GTO Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del ingls Gate Turn-Off Thyristor) es un dispositivo de electrnica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G). El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales puerta (G) y ctodo (C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su mximo valor, IGR, la corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1 us. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en la puerta (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado. Estructura y funcionamiento La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Existen 4 capas de silicio (PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: nodo (A), ctodo (C o K) y puerta (G). La diferencia en la operacin radica en que una seal negativa en la puerta (G) puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en la puerta, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada a la puerta G (gate), el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control. Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en

circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia. Amplificadores operacionales. Suelen estar formados por las siguientes etapas: 1. Una etapa amplificadora de entrada diferencial y salida diferencial: Define las caractersticas de entrada del AO. Suele ser un AD (Amplificador diferencial) basado: 1. En transistores bipolares simples o en montaje Darlington para disminuir las corrientes de entrada. 2. Transistores FET que aumentan la impedancia de entrada. 2. Una segunda etapa de entrada diferencial y salida asimtrica: Aumenta la ganancia diferencial y adapta los niveles de continua para acoplar la salida a la siguiente etapa. 3. Una etapa intermedia: Provee ganancia de potencia y adapta los niveles de continua. Adems, limita el ancho de banda total del amplificador en bucle abierto que garantiza su estabilidad. Suele consistir en un amplificador en emisor comn. 4. Una etapa de salida: Suele ser un amplificador de corriente que disminuye la impedancia de salida para poder alimentar cargas relativamente bajas con proteccin contra sobre-corriente.

Transistor bipolar. Del ingls "Bipolar Junction Transistor" [BJT]; dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cerca entre s, que permite controlar el paso una corriente en funcin de otra. Se puede tener por tanto transistores PNP o NPN. Tecnolgicamente se desarrollaron antes que los de efecto de campo o FET. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Los MOSFET tienen en comn con los FET su ausencia de cargas en las placas metlicas as como un solo flujo de campo. Suelen venir integrados en capas de arrays con polivalencia de 3 a 4Tg. Trabajan, normalmente, a menor rango que los BICMOS y los PIMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones: - Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. - Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. - Colector, de extensin mucho mayor. La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial.

En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la basecolector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. Estructura.

Funcionamiento. En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa y la juntura base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de sta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

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