Projetos de Fontes Chaveadas

2ª Parte: Capacitores e
Semicondutores de Potência

Prof. M. Eng. Victor Leonardo Yoshimura

CEFET/MT – DAE-E – CCSTAC
Capacitores
 Tipos de capacitores:
 Eletrolítico;
 Filme de polipropileno metalizado;
 Filme de poliéster metalizado;
 Multicamadas cerâmicas;
 Tântalo.
 Para circuitos de potência cc, o tipo
mais utilizado é o eletrolítico.
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Capacitores Eletrolíticos
 Não se deve
reverter sua
polaridade;
 A Lse pode ser
desprezada;
 A Rse não é
desprezível e deve-
se simular seu
efeito.
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Capacitores Eletrolíticos

 A Rse causa perdas e aquecimento do

capacitor;
 A Rse causa uma ondulação adicional
na saída dos conversores cc-cc;
 A Rse está relacionada com o fator de
perdas pela expressão:
tgδ
R se =
ω .C

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Capacitores Eletrolíticos

 A Rse diminui para capacitores com

capacitância maior;
 Deve-se calcular (ou simular) a
corrente eficaz no capacitor para
determinar as perdas e sua vida útil.

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Semicondutores de Potência
 É fundamental a correta escolha de
semicondutores para o funcionamento dos
conversores.
 Deve-se utilizar diodos do tipo ultra-rápidos
ou “soft-recovery”.
 Os MOSFETs são utilizados em altas
freqüências e potências menores.
 Os IGBTs são utilizados em baixas
freqüências e altas potências.

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Diodos

 Devem possuir baixo tempo de recuperação

reversa (em torno de dezenas de ns);
 Perdas em condução:
Pd = Vdon .I dmd + rdon .I def
2

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MOSFETs

 Conseguem comutar em freqüências altas

(100kHz e acima).
 Dissipam alta potência na condução, devido
à característica resistiva.
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MOSFETs
 Perdas em condução:
Pmos = rdson .I sef
2

 A resistência em condução depende

da tensão “gate-source”:
1
rdson =
2 K (V gs − Vt )
 K é o parâmetro de condutividade (A/V2);
 Vt é a tensão de limiar.
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MOSFETs
 Todos os MOSFETs possuem um
diodo em anti-paralelo intrínseco;
 Isto simplifica a construção de
estruturas em ponte;
 Deve-se calcular as perdas e o
aquecimento em conjunto para um
MOSFET onde o diodo esteja sendo
usado.
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IGBTs

 Não são recomendados para freqüências

muito elevadas (>40kHz);
 Conseguem conduzir correntes elevadas,
devido à característica de fonte de tensão.
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IGBTs
 A tecnologia envolvida é híbrida entre
transistores bipolares e FETs;
 Perdas em condução:
Pigbt = Vceon .I smd

 A tensão em condução é dependente

da tensão entre “gate” e emissor;
 No bloqueio, há o problema da
corrente de cauda.
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Comutação

 É a mudança de estado de condução para bloqueio

ou vice-versa em um semicondutor;
 Os semicondutores não comutam perfeitamente;
 A comutação causa perdas de potência adicionais
no semicondutor.
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Comutação
 Perdas na comutação:
1
Pcom =
T ∫ t com
v s (t ).i s (t ).dt

 É difícil a determinação exata das

perdas em comutação;
 Algumas modelagens podem ser
encontradas nas referências [1,2].

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“Snubbers”
 Destinam-se à redução
das perdas em
comutação;
 Retardam a subida da
tensão;
 Parâmetros de projeto:
I son .t bl
Cs =
2.Vcross

t on > 3.R s .C s
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“Spikes” (Sobretensões)

 Ocorrem devido à alta variação de corrente

no bloqueio:
di s (t )
V smáx = Vmáx ( teo ) + L p .
dt

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“Clamper” (Grampeador)
 Destinam-se a limitar a
sobretensão sobre o
semicondutor;
 O projeto é muito
sensível às não-
idealidades;
 Parâmetro de projeto:
1
f >
3.R g .C g

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Exemplo de Cálculo: Conversor Buck

 Dados:
 Vin=180V
 Vo=50V
 f=40kHz
 P=1kW
 Condução contínua;
 Calcular perdas com
MOSFET e IGBT.

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Exemplo de Cálculo: Conversor Buck

 Corrente média no interruptor:

P 1000
I smd = = = 5,6 A
Vin 180
 Corrente eficaz no interruptor:
P 1000 50
I sef = D= = 10,5 A
Vo 50 180

 Compararemos:
 IRFP460 (MOSFET, Rdson=0,27Ω)
 IR4PF50W (IGBT, Vceon=2,25V)
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Exemplo de Cálculo: Conversor Buck

 Perdas em condução  Perdas em condução

no IRFP460: no IR4PF50W:
Pmos = rdson .I sef
2
= 0,27.10,52 = 29,8W Pigbt = Vceon .I smd = 2,25.5,6 = 12,6W
 Dissipador para o  Dissipador para o
IRFP460: IR4PF50W:
T jmáx − Ta T jmáx − Ta
Rthda = − Rthjd Rthda = − Rthjd
P P
100 − 50 K 100 − 50 K
Rthda = − 0,69 = 0,99 Rthda = − 0,88 = 3,1
29,8 W 12,6 W

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Considerações Finais
 Os capacitores devem ter capacitância
superdimensionada, para minimizar o efeito
da Rse;
 As perdas em comutação devem ser
estimadas (ou simuladas) e consideradas
no cálculo térmico;
 Todos os projetos de fontes chaveadas
estão sujeitos a ajustes de bancada;

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Considerações Finais
 O uso de simulação deve ser feito
antes de o projeto ser executado;
 Incluir as indutâncias parasitas na
simulação;
 Considerar fortemente o uso de
“snubbers” e grampeadores,
sobretudo em fontes de alta potência.

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Referências Bibliográficas
[1] BARBI, I. Eletrônica de Potência: Projeto de Fontes
Chaveadas. 1ª ed. Florianópolis: Ed. dos Autores, 2002.

[2] BASCOPÉ, R. P. T.; PERIN, A. J. O Transistor IGBT Aplicado

em Eletrônica de Potência. 1ª ed. Porto Alegre: Sagra-
Luzzatto, 1997.

[3] SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. São Paulo:

Makron Books, 1995. v.v. 1.

[4] MELLO, L. F. P. de Análise e Projeto de Fontes Chaveadas. 1ª

ed. São Paulo: Érica, 1996.

[5] www.epcos.com Acesso em 22/03/2007.

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