El rectificador controlado de silicio SCR: (Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor

con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y Transistor.

Smbolo y terminales del SCR

Corriente directa

Corriente alterna El SCR y la corriente continua:

Tomar en cuenta el grfico siguiente: ver que es un circuito de corriente continua Normalmente el SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta (GATE) con una pequea corriente (se cierra el interruptor S) y as este conduce y se comporta como un diodo en polarizacin directa Si no existe corriente en la compuerta el tiristor no conduce.

Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tiristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios. Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tiristor seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea cero. Como se puede ver el SCR , tiene dos estados: 1- Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja 2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada

El SCR y la corriente Alterna

Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en el caso de la figura es un bombillo o foco) La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc. El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR. Puede verse que el voltaje en el condensador (en azul) est atrasado con respecto al voltaje de alimentacin (en rojo) causando que el tiristor conduzca un poco despus de que el tiristor tenga la alimentacin necesaria para conducir.

Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el valor de la resistencia, por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se modifica el desfase que hay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el SCR se active en diferentes momentos antes de que se desactive por le ciclo negativo de la seal. y deje de conducir.

El funcionamiento de este circuito es el siguiente: La conduccin se va a producir entre el nodo y el ctodo, despus de darle un impulso de tensin positivo en la puerta G. Para que el tiristor entre en conduccin, tienen que cumplirse dos condiciones: - Que este polarizado directamente (tensin nodo-ctodo positiva, es decir , ms tensin en el nodo que en el ctodo).- Aplicar un impulso de tensin positivo o una corriente entrante en la puerta. El acoplo entre los dos transistores que integran el tiristor produce una realimentacin positiva, puesto que la corriente de salida de cada uno es

la de entrada del otro, y si ambos semiconductores disponen de una ganancia de corriente superior a la unidad, rpidamente cada transistor llevar al otro a la saturacin, producindose una corriente mxima cuyo valor no estar controlado por el tiristor, sino por la carga exterior que alimenta. El cebado del tiristor o la saturacin de los transistores que lo forman se consigue cuando se vence la polarizacin inversa de la unin N-P interna, para lo cual es preciso aplicar un impulso adecuado, y en este caso positivo, a la zona P desde el exterior y a travs de la puerta. Cuando el impulso positivo aplicado a la puerta del tiristor satura los dos transistores que contiene, este semiconductor se comporta prcticamente como un interruptor cerrado, absorbiendo nicamente entre su ctodo y su nodo una pequea tensin, que oscila alrededor de 1 V, la cual mantiene en saturacin a los transistores. Misin de la puerta: La misin de la puerta es polarizar y adelantar el momento de disparo, es decir de la puesta en conduccin, pero despus de esto ya no tiene ninguna funcin excepto en unos tiristores especiales llamados GTO que son disparables y bloqueables por puerta. Es importante destacar las caractersticas que deben tener los impulsos de encendido aplicados al tiristor. Los fabricantes suministran para ello unas curvas denominadas caractersticas de puerta. La del tiristor se asemeja a la de un diodo semiconductor al que se le han permutado los ejes, siendo lgica esta analoga, puesto que la unin puerta-ctodo es una unin P-N. Debido a que no todos los tiristores, an siendo del mismo tipo tienen la misma caracterstica de puerta, es habitual que el fabricante incluya una familia de curvas o lmites de las mismas en las especificaciones tcnicas de los tiristores, de manera que el usuario pueda hacerlos operar en el margen de disparo o encendido adecuado. En la siguiente grfica se representa los lmites de curvas posibles fijados entre A y B. El disparo se debe efectuar dentro de la zona acotada por dichas curvas pero considerando los valores de : -Tensin y corriente mnima, para producir el encendido de todos los elementos de la familia. -Tensin directa mxima admisible de los impulsos de encendido. -Potencia mxima que puede disipar la unin de puerta. Todas esta limitaciones estn incluidas en los lmites y zonas representadas en al grfica:

-La zona S es la zona de encendido probable para cualquier tiristor de la familia, pero no es seguro. -La zona S es la zona de encendido seguro, garantiza el encendido de cualquier tiristor de la familia. Mtodos de poner en conduccin el tiristor: Hay varios modos de poner el tiristor en conduccin: - Sin intensidad de puerta, cuando la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo. Vak > Vbo , Ig = 0 - Cuando la tensin nodo-ctodo supera el gradiente de tensin Vak > - Cuando la tensin nodo-ctodo es menor que la tensin de bloqueo, y aplicamos una intensidad en la puerta. Vak < Vbo , Ig > 0 - Cuando el tiristor es un fototiristor, por la luz. Mtodos de bloquear el tiristor: Tambin hay varios modos de bloquear el tiristor: - Cuando la tensin nodo-ctodo cambia de polaridad, es decir Vak se polariza inversamente. - Cuando se abre el circuito. Vak = 0 - Cuando la intensidad disminuye por debajo de un valor determinado. Vak < Tensin de mantenimiento. - Aplicando una tensin inversa durante un corto perodo de tiempo Vak <0 CARACTERSTICAS GENERALES. Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria). CARACTERSTICAS ESTTICAS.

Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en lmite de sus posibilidades: - Tensin inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM - Tensin directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM - Tensin directa ...........................................................................: VT - Corriente directa media ...............................................................: : ITAV - Corriente directa eficaz ................................................................: ...............................................: ITRMS - Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM - Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM - Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son: - Temperatura de la unin ................................................................: Tj - Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg - Resistencia trmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d - Resistencia trmica unin-contenedor ............................................: Rj-c - Resistencia trmica unin-ambiente.................................................: Rj-a - Impedancia trmica unin-contenedor.............................................: Zj-c CARACTERSTICAS DE CONTROL. Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes caractersticas: -Tensin directa mx. ....................................................................: VGFM - Tensin inversa mx. ...................................................................: VGRM - Corriente mxima..........................................................................: IGM - Potencia mxima ..........................................................................: PGM - Potencia media .............................................................................: .: PGAV - Tensin puerta-ctodo para el encendido......................................: VGT - Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento.............: VGNT - Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT - Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento............: IGNT Entre los anteriores destacan: - VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. - VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado. rea de disparo seguro. En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo. Curva C: tensin directa de pico admisible VGF.

 Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.

Figura Curva caractersticas de puerta del tiristor. El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes puntos: Una cada de tensin en sentido directo ms elevada. Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor. CARACTERSTICAS DINMICAS. Caractersticas dinmicas. Tensiones transitorias: - Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin. - Son breves y de gran amplitud. - La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores. Impulsos de corriente: - Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4). - A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos. - El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura media de la unin.

Figura 4. Curva de limitacin de impulsos de corriente. ngulos de conduccin: - La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin. - A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia. - Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ngulo de conduccin (Figura 5): ngulo de conduccin = 180 - ngulo de disparo - Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los diferentes ngulos de conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.

Figura 5. ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor. Caractersticas de conmutacin. Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a conduccin y viceversa. Vamos a analizar este hecho. Tiempo de encendido

on

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin. Se divide en dos partes (Figura 6): Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el

50 % de su valor final hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de su valor mximo. Depende de la corriente de mando, de la tensin nodo - ctodo y de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan). Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase del 10 % al 90 % de su valor mximo, o, el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.

T =t + t
on d

Figura 6. Tiempo de encendido.

Tiempo de apagado

)
off

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte. Se divide en dos partes (Figura 7): Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conduccin del SCR, por polarizacin inversa de este, se eliminan parcialmente. Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero suficiente bajo, las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusin, permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno.

Toff = trr + tgr

Figura 7. Tiempo de apagado. La extincin del tiristor se producir por dos motivos: reduccin de la corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo. CARACTERSTICAS TRMICAS. Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una cantidad de energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento de la temperatura, creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para ello se colocan disipadores de calor. MTODOS DE DISPARO. Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo. Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son: - Por puerta. - Por mdulo de tensin. - Por gradiente de tensin (dV/dt)

- Disparo por radiacin. - Disparo por temperatura. El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados. DISPARO POR PUERTA. Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

Figura 8. Circuito de control por puerta de un SCR. El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = VG + IG R - R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia para obtener la mxima seguridad en el disparo (Figura 9). R = VFG / IFG -

Figura 9. Recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia. DISPARO POR MDULO DE TENSIN. Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrnicos.

DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN. Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.

Figura 10. Zona de disparo por gradiente de tensin. DISPARO POR RADIACIN. Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR. DISPARO POR TEMPERATURA. El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las uniones del semiconductor. As, la suma ( 1+ 2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta. CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR. Para el control en el disparo: - nodo positivo respecto al ctodo. - La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo. - En el momento del disparo Iak > IL. Para el control en el corte: - Anulamos la tensin Vak. - Incrementamos RL hasta que Iak< IH. LIMITACIONES DEL TIRISTOR. LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO. - La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores. - El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo. - La frecuencia rara vez supera los 10 Khz. LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt. "dV/dt" es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se producen picos transitorios de tensin de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento.

a) Causas: - La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin, duracin (inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud. - Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y cierre pueden producir transitorios de elevada relacin dV/dt (hasta 1.000 V/s) produciendo el basculamiento del dispositivo. - La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de tensin. b) Efectos: - Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo. - La dV/dt admisible varia con la temperatura. LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt. "dI/dt" es el valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos calientes. a) Causas: - Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo cerca de la puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la intensidad, en esta zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor. - Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es mayor (puntos calientes). b) Efectos: - En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede alcanzar valores muy altos. - La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite trmico crtico, podra destruir el dispositivo. PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt. Solucin: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie. Calculo: mtodo de la constante de tiempo y mtodo de la resonancia.

Figura 11. Circuito de proteccin contra dV/dt y dI/dt. Mtodo de la constante de tiempo. Clculo de R y C: 1. Se calcula el valor mnimo de la constante de tiempo de la dV/dt del dispositivo y el valor de R y C: = ( 0,63 VDRM ) / ( dV/dt )mn C = / RL Rs = VA(mx) / ( ITSM - IL ) donde:

VDRM = tensin de pico repetitiva de bloqueo directo. IL = corriente en la carga. RL = resistencia de carga. ITSM = corriente directa de pico no repetitiva. VA(mx) = tensin de nodo mxima. = coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1). 2. Hallamos el valor de Rmn que asegura la no superacin de la dI/dt mxima especificada (a partir de la ecuacin de descarga de C): R mn = ( VA(mx) / ( dI /dt ) C ) Clculo de L: L = VA(mx) / ( dI / dt) Mtodo de la resonancia. Elegimos R, L y C para entrar en resonancia. El valor de la frecuencia es: f = (dV / dt ) / 2 VA (mx) En resonancia: f = 1 / 2 (LC) C = 1 / ( 2 f ) L El valor de L es el que ms nos interese, normalmente: L= 50 H.

El valor de R ser:

Rs = (L / C)

LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA. En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que se traducen en un calentamiento del dispositivo. Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la potencia media disipada en un tiristor ser:

La potencia disipada en los tiristores durante la conduccin, es mucho mayor que la disipada durante el bloqueo y que la potencia disipada en la unin puerta - ctodo. Podemos decir que las prdidas con una tensin de alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el ngulo de conduccin (). Si la conduccin se inicia en t1 y termina en t2, la potencia media de perdidas ser:

Si representamos la VAK en funcin de la IA, tendremos la siguiente relacin: VAK = V0 + IA R

V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada familia de tiristores y para una determinada temperatura de la unin. En ste caso nos encontraremos dentro de la zona directa de la curva caracterstica (Figura 12).

Figura 12. Operando con las ecuaciones anteriores: PAV = V0 IA(AV) + R ( IA(RMS))2 Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de onda (sinusoidal, rectangular,...) y para distintos ngulos de conduccin en la figura siguiente. La potencia que se disipa, depende del valor medio de la corriente y del valor eficaz, entonces depender del factor de forma:

a = f = IA(RMS) / IA(AV)

Figura 13. Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador ms apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento semiconductor al medio ambiente. EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN. Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que estaba en conduccin a pasar a corte. En el momento en que un tiristor empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo. El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar de nuevo a corte. Este estado implica simultneamente dos cosas: 1. La corriente que circula por el dispositivo debe quedar completamente bloqueada. 2. La aplicacin de una tensin positiva entre nodo y ctodo no debe provocar un disparo indeseado del tiristor. Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo podemos agruparlos en dos grandes grupos: CONMUTACIN NATURAL. a) Libre. b) Asistida.

CONMUTACIN FORZADA. a) Por contacto mecnico. b) Por circuito resonante. -Serie -Paralelo c) Por carga de condensador. d) Por tiristor auxiliar. APLICACIONES DEL SCR. Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin inversa. Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las siguientes: Controles de relevador. Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentacin reguladas. Interruptores estticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Ciclo conversores. Cargadores de bateras. Circuitos de proteccin.

 Controles de calefaccin. Controles de fase.