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ELECTRNICA ANLOGA (Semiconductores y diodos)

Esta presentacin es una recopilacin de grficas y documentos obtenidos en internet, cuyos autores, en su gran mayora, son docentes universitarios. En esta presentacin se usan ejercicios y grficas de diferentes libros, entre ellos: Boylestad & Nashelsky, Electrnica teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Edicin 11. Editorial Pearson. Steven T. Karris. Electronic devices and Amplifier Circuits. Orchad Publications. NORMA GUARNIZO

Circuitos electrnicos
Analgicos: Pueden tomar cualquier valor de voltaje en el tiempo dentro de un rango permitido.

Digital: Cuando pueden tomar valores discretos de voltaje en el tiempo, y si slo tienen 2 valores entonces se llama digital binaria.

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Componentes electrnicos
Pasivos: No generan ni amplifican por si mismos seales elctricas. Son cargas o receptores que almacenan energa, atenan, compensan o ajustan seales. Resistencias Condensadores (Almacenan voltaje) Bobinas (Almacenan corriente)

Activos: Generan, modifican y amplifican seales elctricas. Bateras Generadores Diodos Transistores Tiristores Amplificadores operacionales Circuitos integrados
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Qu es la Electrnica?
Campo de la Ingeniera y de la fsica aplicada que estudia el diseo de circuitos que permiten generar, modificar o tratar seales elctricas para procesar, transmitir, recibir, almacenar, ya sea en forma de sonidos, imgenes, datos, entre otros.

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Qu son los semiconductores?


La materia de estado slido se clasifica en tres grandes grupos que son: aisladores, semiconductores y conductores. Esta clasificacin se hace de acuerdo a la conductividad que caracteriza a la materia, que a su vez depende de sus propiedades resistivas.

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Qu son los semiconductores?


Son materiales que se encuentran en un nivel intermedio entre los aislantes y los conductores. Ventajas: Tamao reducido, bajo consumo y bajo costo. Desventajas: Dificultad para manejo de altas potencias, sensibilidad al cambio de temperatura, sensibilidad a las radiaciones y deterioro por sobretensiones y sobrecorrientes. Los materiales semiconductores usados en la fabricacin de dispositivos electrnicos como el Silicio (Si) y el Germanio (Ge) tienen estructuras con patrones bien definidos y estables, adems permiten la reduccin de impurezas a un alto nivel, facilitan el dopado de impurezas sin cambiar su estructura cristalina, adems permiten alterar sus caractersticas con la luz, el calor, y otras fuentes de excitacin.
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Semiconductores
El Silicio es aislante naturalmente, porque no existen electrones libres en la capa de valencia para establecer una corriente elctrica. Todo cuerpo requiere de 8 electrones en la capa de valencia, pero el silicio tiene solo 4 (tetravalente), que comparte con tomos adyacentes, con lo que se logra un enlace covalente.

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Semiconductores
Para que pueda haber flujo de carga elctrica se debe realizar un proceso de dopado que consiste en establecer cierto nivel de impurezas en el material .

Impurezas: estructuras atmicas que tienen 3 o 5 electrones en su capa de valencia, de manera que les sobra o les falta un electrn.

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Segn la cantidad de impurezas los semiconductores pueden ser:


Intrnsecos: un tomo de impurezas por cada 1011 tomos de semiconductor. Conducen por calor. Son elementos sensibles a la temperatura. Extrnsecos: un tomo de impurezas por cada 107 tomos de semiconductor. Este es el tipo de semiconductores que se usa para la fabricacin de dispositivos semiconductores.

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Semiconductores: tipo p y n
Tipo n: existen cargas negativas libres. Consiste en agregar impurezas pentavalentes (5 electrones de valencia) al material semiconductor.

Los materiales ms usados son: Antimonio Arsnico Bismuto Fsforo

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Semiconductores: tipo p y n Tipo n:

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Semiconductores: tipo p y n
Tipo p: existe exceso de huecos o falta de electrones. Consiste en agregar impurezas trivalentes (3 electrones de valencia) al material semiconductor. Los materiales ms usados son: Indio Aluminio Galio Boro

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Semiconductores: tipo p y n Tipo p:

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Dispositivos electrnicos semiconductores

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Dispositivos electrnicos semiconductores

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El Diodo
Dispositivo construido con la unin de material p y n.
Conduce con polarizacin directa No conduce con polarizacin inversa

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El Diodo

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El Diodo

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El Diodo: Silicio Vs Germanio

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El Diodo: Silicio Vs Germanio


PIV: Peak Inverse Voltaje (Voltaje de pico inverso)
Silicio: PVR -> 1000V Polarizacin directa: 0.7V Rango de temperatura: 200C Germanio: PVR -> 400V Polarizacin directa: 0.3V Rango de temperatura: 100C

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El Diodo Sin polarizacin:

Zona de agotamiento
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El Diodo Polarizacin directa:

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El Diodo Polarizacin inversa:

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El Diodo Polarizacin inversa:

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El Diodo: zonas de corte y conduccin

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El Diodo: resistencia en DC o esttica

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El Diodo: resistencia en DC (Ejemplo)


Determinar la Rd en DC para las siguientes corrientes:
a. Id = 2 mA b. Id = 20 mA c. Vd = -10V Solucin para Id=2 mA: Se traza una lnea para encontrar el Vd equivalente para este valor (Vd=0.5V). 0.5 = = = 250 2
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El Diodo: resistencia en AC o dinmica


26 = .
Este resultado se obtiene despus de realizar un anlisis matemtico que se explica en: *Boylestad & Nashelsky, Electrnica teora de circuitos y dispositivos electrnicos. pags: 23 y 24 Edicin 11. Editorial Pearson.

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El Diodo: resistencia en AC o dinmica (Ejemplo)


Calcular la Resistencia ac del diodo segn la grfica para: a. Id = 2 mA b. Id = 25 mA (Calcular)
Solucin para Id = 2 mA usando y . Tomar valores de corriente 2mA por encima y por debajo. Id2=4mA e Id1=0mA. = 4 0 = 4 = 0.76 0.65 = 0.11 0.11 = = = 27.5 4

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El Diodo: resistencia en AC o dinmica (Ejemplo)


Solucin para Id = 2 mA usando: = . 26
= 1 para Si = 1 para Ge

Se debe considerar el valor de de acuerdo a si el diodo est operando en la zona de no conduccin (corte) o en la zona de conduccin (Ver grfico).

En este caso para Id=2mA est operando en la zona de corte, para lo cual =2 en el silicio, entonces:
26 = 2. = 26 2

Volver

= 2 para Si = 1 para Ge
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El Diodo: tcnicas de anlisis Para analizar circuitos con diodos se tienen bsicamente tres tcnicas como son: De forma grfica: usando la recta de carga. Exacta por tanteo: ecuacin del diodo exponencial. Modelos equivalentes aproximados: primera, segunda y tercera aproximacin del diodo.

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El Diodo: recta de carga

Q= punto de operacin estable o Quiescent o sin variacin


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El Diodo: recta de carga (Ejemplo)


Calcular VdQ, IdQ, VRth I

= 1, = 1
Aplicando + + = 0 + . + = 0 = 0, entonces = = 1 1 Vd=0V entonces I = = = 1
1
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El Diodo: recta de carga (Ejemplo)


1. Con Vd=1V e I=1mA se traza la recta de carga. 2. Se ubica el punto Q donde se cruza la recta de carga con la curva del diodo. 3. Se proyecta el punto Q con las coordenadas Id y Vd. 4. Se ubican los valores de estas variables en el punto Q de operacin (IdQ=0.33mA y VdQ=0.68V). 6. = . = 0.33. 1 = 0.33

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El Diodo: exacta por tanteo

Ir = Corriente de polarizacin inversa. Carga del electrn. n = factor de idealidad, depende de las dimensiones, material y de la corriente en el diodo (Ver grfico).

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Circuitos con diodos en serie Voltaje y corriente en el diodo.

+ + = 0 = = = = = 0.7 0.3 ()

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El Diodo: modelos aproximados equivalentes

Primera aproximacin Ideal

Segunda aproximacin Simplificado

Tercera aproximacin Segmentos lineales

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Circuitos con diodos en serie (Ejemplos)

+ + = 0 = 0.7 = = 8 0.7 = 7.3 7.3 = = = = 3.32 2.2

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Circuitos con diodos en serie (Ejemplos)

+ + = 0 = = 0 = . = 0 . = 0 = = 8

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Circuitos con diodos en serie (Ejemplos)

+ + = 0 = 0 = . = . = 0 . = 0 = = 0.5 *Aunque el diodo est polarizado directamente, el voltaje suministrado por la fuente no supera el Voltaje de umbral (VT), por lo que se comporta como un circuito abierto.
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Circuitos con diodos en serie (Ejemplos)

12 + 0.7 + 0.3 + = 0 = 11 11 = = = 1.96 5.6 *La fuente de alimentacin ofrece el suficiente potencial como para que los dos diodos conduzcan.
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Circuitos con diodos en serie (Ejemplos)

12 + 1 + 2 + = 0 1 = 2 = = 0 ( 2 ) 1 = 0, 1 = 0 = . = 0 . = 0 12 + 0 + 2 + 0 = 0 2 = 12
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Circuitos con diodos en serie y paralelo Ejercicios para resolver


1. Calcular I, V1, V2 y Vo 2. Calcular I1,ID1, ID2 y Vo

3. Calcular I

4. Calcular Vo

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Fuente de voltaje regulada


Etapas:

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