Universidad Tecnológica de Panamá Facultad de Ingeniería Eléctrica Carrera:__________________________ Circuitos Electrónicos II Instructor:________________________

EXPERIMENTO 1 CARACTERÍSTICAS V-I DEL FET
Objetivos: 1. 2. 3. 4. 5. Materiales • • • • • • • • • • Presentar las curvas características de un NMOS de enriquecimiento en el osciloscopio Determinar la característica de transferencia de un NMOS de enriquecimiento por medición Estimar la magnitud del voltaje de umbral. Estimar el valor de Kn. Determinar la magnitud de IDSS y Vp de un JFET canal N 111111111Osciloscopio de dos canales MOSFET canal N de enriquecimiento 2N7000 JFET canal N Amp-Op uA741 Generador de señales Resistores: 100 Ω , 1k Ω , 100k Ω Potenciómetro 10k Ω Fuente de Poder DC (dual) Voltímetro digital Voltímetro análogo (VOM)

Procedimiento I. Obtención de los parámetros de funcionamiento de los transistores a. Obtenga las especificaciones del fabricante del NMOS y del JFET canal N indicados a través de sus hojas de datos. b. Estime la magnitud de Vt y Kn y VA del MOSFET. c. Estime la magnitud de IDSS y Vp del JFET. Obtención de la curva característica del NMOS a. Calibre el generador de señales ajustando su offset a 5.0 V DC y seleccionando una onda sinusoidal con amplitud de 10Vp-p. b. Conecte el generador de señales al circuito mostrado en la figura 1.

II.

Figura 1. Circuito para determinar las características de un MOSFET.

Circuitos Electrónicos II

Circuito para determinar las características de un MOSFET. Figura 3. Arme el circuito mostrado en la figura 2. b. c. Conecte el canal X entre la salida del Amp-Op y tierra real Incremente la resistencia del potenciómetro y registre el valor de VG con el voltímetro.Universidad Tecnológica de Panamá Facultad de Ingeniería Eléctrica Carrera:__________________________ Circuitos Electrónicos II Instructor:________________________ c. Circuitos Electrónicos II Complete la siguiente tabla . a. Grafique ID vs VGS Características del JFET. d. g. Incremente VDD desde cero hasta el punto en que V permanezca aproximadamente constante. d. Característica de transferencia del NMOS a. Llene la siguiente tabla. III. Calibre el osciloscopio y conéctelo como se muestra en la figura e invierta la señal del canal X. VGS V ID=V/R D e. Arme el circuito mostrado en la figura 3. Circuito para determinar las características de un JFET. Figura 2. Conecte el canal Y entre D y tierra real. con VDD = 0 y VGS = 0. b. Grafique la característica de salida resultante para cada valor de VGS.5V y registre para cada valor de VGS la magnitud de V leída en el voltímetro. e. f. Kn y VA . Estime el valor de Vt. Ajuste el valor de VDD a 12V y anote la lectura del voltímetro DC Ajuste VGS lentamente y observe la lectura en V. IV. Estime el valor de Vt Incremente el valor de VGS desde el valor estimado de Vt en escalones de 0.

Universidad Tecnológica de Panamá Facultad de Ingeniería Eléctrica Carrera:__________________________ Circuitos Electrónicos II Instructor:________________________ VDD V VDD – V ID=V/1k 0 0.5 2 2. Comparaciones a.25 0. Circuitos Electrónicos II .5 3 4 5 V.75 1 1. Compare los valores de los parámetros obtenidos de los transistores con los de la data del fabricante.5 0.

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