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INDICE

DIODOS.2 TIPOS DE DIODOS.3 DIODOS DE USO COMN....3 DIODO ZENER.7 DIODO EMISOR DE LUZ (LED).8 FOTODIODOS...10 DIODOS DE EFECTO TUNEL12 DIODO VARACTOR12 DIODO VARISTOR.13 DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)...15 DIODO LSER..16 SIMBOLOGA17

DIODOS
Componente electrnico que permite el paso de la corriente en un solo sentido. Los diodos ms empleados en los circuitos electrnicos actuales son los diodos fabricados con material semiconductor. El ms sencillo, el diodo con punto de contacto de germanio, se cre en los primeros das de la radio. En los diodos de germanio (o de silicio) modernos, el cable y una minscula placa de cristal van montados dentro de un pequeo tubo de vidrio y conectados a dos cables que se sueldan a los extremos del tubo. Los diodos de unin constan de una unin de dos tipos diferentes de material semiconductor. El diodo Zener es un modelo especial de diodo de unin, que utiliza silicio, en el que la tensin en paralelo a la unin es independiente de la corriente que la atraviesa. Debido a esta caracterstica, los diodos Zener se utilizan como reguladores de tensin. Por otra parte, en los diodos emisores de luz (LED, acrnimo ingls de Light-Emitting Diode), una tensin aplicada a la unin del semiconductor da como resultado la emisin de energa luminosa. Los LED se utilizan en paneles numricos como los de los relojes digitales electrnicos y calculadoras de bolsillo. Para resolver problemas referentes a los diodos se utilizan en la actualidad tres aproximaciones:

La primera aproximacin es la del diodo ideal, en la que se considera que el diodo no tiene cada de tensin cuando conduce en sentido positivo, por lo que esta primera aproximacin considerara que el diodo es un cortocircuito en sentido positivo. En cambio, el diodo ideal se comporta como un circuito abierto cuando su polarizacin es inversa. En la segunda aproximacin, consideramos que el diodo tiene una cada de tensin cuando conduce en polarizacin directa. Esta cada de tensin se ha fijado en 0.7 V para el diodo de silicio, lo que hace que la segunda aproximacin pueda representarse como un interruptor en serie con una fuente de 0.7 V. La tercera aproximacin aproxima ms la curva del diodo a la real, que es una curva, no una recta, y en ella colocaramos una resistencia en serie con la fuente de 0.7 V.

Siendo, en la ecuacin anterior, Rb la resistencia de la tercera aproximacin (generalmente muy pequea), y Id la corriente de polarizacin del diodo. La ms utilizada es la segunda aproximacin. Los diodos de unin p-n y los zener tienen caractersticas constructivas que los diferencian de otros. Su tamao, en muchos casos, no supera el de una resistencia de capa o de pelcula de 1/4W y aunque su cuerpo es cilndrico, es de menor longitud y dimetro que las resistencias. Aunque existe gran variedad de tipos, slo algunos especiales difieren de su aspecto. No ocurre lo mismo con el tamao, pues es funcin de la potencia que pueden disipar. Es caracterstico encontrarse un aillo en el cuerpo que nos indica el ctodo. Para aquellos cuyo tipo concreto viene sealado por una serie de letras y nmeros, el ctodo es marcado mediante un anillo en el cuerpo, prximo a este terminal. Otros usan cdigos de colores, y en ellos el ctodo se corresponde con el terminal ms prximo a la anda de color ms gruesa. Existen fabricantes que marcan el ctodo con la letra "K" o el nodo con la "a". 2

Los diodos de punta de germanio suelen encapsularse en vidrio. En cuanto a los diodos LED, se encuentran encapsulados en resinas de distintos colores, segun sea la longitud de onda con la que emita. El nodo de estos diodos es ms largo que el ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento prxima al ctodo es plana. Una forma prctica de determinar el ctodo consiste en aplicar un polmetro en modo hmetro entre sus terminales. Si el terminal de prueba se aplica de nodo a ctodo, aparecen lecturas del orden de 20-30Ω. Si se invierten los terminales, estas lecturas son del orden de 200-300 KΩ para el Ge, y de varios MΩ para el Si. Si con el multitester utilizamos el modo de prueba de diodos, obtenemos el valor de la tensin de codo del dispositivo. Con ello conseguimos identificar los dos terminales (nodo y ctodo), y el material del que esta hecho (0.5-0.7 V para el el Si, 0.2-0.4 para el germanio y 1.2-1.5 para la mayora de los LED.

Tipos de Diodos
DIODO DE USO COMUN El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:

No hay polarizacin (Vd = 0 V). Polarizacin directa (Vd > 0 V). Polarizacin inversa (Vd < 0 V).

Vd = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio. Id = I mayoritarios - Is Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos. El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa, Is. El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso. 4

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal. Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio. El general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua, tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensin inversa de disyuncin (zona Inversa) se produce un aumento drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovolcaicas, etc. Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR mx o VR mx, respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a soportar. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no (IFRM mx e IF mx respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar. En la figura N01, podemos observar la representacin grfica o smbolo para este tipo de diodo.

Curva Diodo Real


Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de Id y la polaridad de Vd, encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es:

Donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la corriente en sentido directo a travs del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de conduccin. Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente,

Donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay conduccin.
DIODO ZENER.-

La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener.

De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ. As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.

En el circuito que se muestra en la figura N03, se desea proteger la carga contra sobre voltajes, el mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera. De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: 7

En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin continua (tensin de codo). En la zona de disrupcin, entre la tensin de codo y la tensin zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de disrupcin se puede considerar como un generador de tensin de valor Vf= -Vz. El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de disrupcin. Podemos distinguir: Vz nom,Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener). Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupcin (Vz min). Iz max: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz max). Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max. En la grfica N01, se puede observar la curva caracterstica de este tipo de diodo.

Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito. EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED).El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.

Principio de Funcionamiento: En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).

Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, mbar, azul y algunos otros. Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el mismo lote. Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de 100W puede ser realmente de 98W o de 102W o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V. De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento anlogo al diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensin de codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Segn el material y la tecnologa de fabricacin estos diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el LED.

Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de sealizacin, instrumentacin, optoaclopadores, etc. Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as como el fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y que suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA, precaucin de carcter general que resulta muy vlida. En la figura N04, se muestra el smbolo electrnico de este tipo de diodo.

El diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal. sin embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados de silicio monocristalino, ya que el silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la tensin de polarizacin directa Vd depende del material con el que est fabricado el diodo. El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende nicamente del material y del proceso de fabricacin principalmente de los dopados. En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores conseguidos:

Material AsGa InGaAsP AsGaAl AsGaP InGaAlP CSi

Longitud de Onda 904 nm 1300 nm 750-850 nm 590 nm 560 nm 480 nm

Color IR IR Rojo Amarillo Verde Azul

Vd Tpica 1V 1V 1,5 V 1,6 V 2,7 V 3V

FOTODIODOS.Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente continua proporcional a la cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir, son diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unin. Se utilizan como medidores y sensores de luz y en receptores pticos de comunicaciones.

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Representacin grfica de un Fotodiodo y su correspondientes curvas caractersticas.

El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares electrn - hueco debido a la energa luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio en el que, solamente existe generacin trmica de portadores de carga. La generacin luminosa, tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca ligeramente en inversa. El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeas corrientes de fugas de valor IS. Las corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generacin de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal y como se ve en la figura anterior. El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores de generacin luminosa.

Corte transversal de un fotodiodo comercial.

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DIODOS DE EFECTO TUNEL.Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.

Representacin grfica de un diodo TUNEL y su correspondiente grfica.

LOS VARACTORES.Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia variable, que se utilizan como sintonizadores en sistemas de comunicaciones, especialmente en FM. A mxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarizacin cero, cuando la capa de agotamiento es ms delgada. Cuanto ms alto es el voltaje inverso aplicado, ms estrecha es la capa de agotamiento y por lo tanto, la capacitancia disminuye. Estos diodos tambin reciben el nombre de diodos Varicap.

El smbolo del diodo varactor se muestra abajo con una representacin del diagrama.

Cuando un voltaje inverso es aplicado a la juncin PN, los agujeros en la regin P se atraen a la terminal del nodo y los electrones en la regin N se atraen a la terminal del ctodo, creando una regin de poca corriente. Esta es la regin de agotamiento, son esencialmente desprovistos de portadores y se comportan como el dielctrico de un condensador. La regin de agotamiento aumenta mientras que el voltaje inverso aplicado a l aumenta; y puesto que la capacitancia vara inversamente con el espesor dielctrico, la capacitancia de la juntura disminuir cuando el voltaje aplicado a la juntura PN aumenta. En la grfica, se observa la variacin de la capacidad con respecto al voltaje.

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En la grfica se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando se disminuye el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea utilizado tambin como generador armnico. Las consideraciones importantes del varactor son: Valor de la capacitancia. Voltaje. Variacin en capacitancia con voltaje. Voltaje de funcionamiento mximo. Corriente de la salida. LOS DIODOS VARISTOR.O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentacin elctrica. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material nohomogneo.(Carburo de silicio). CARACTERISTICAS: Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil del componente correcto para una aplicacin especfica. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de circuitera en conmutacin digital. Alto grado de aislamiento. Mximo impulso de corriente no repetitiva

El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos. 13

Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se permite generalmente que garantice un `mximo impulso de corriente no repetitiva'. Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10% como mximo. Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora. Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA. Energa mxima.Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser disipada por el varistor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de: La amplitud de la corriente. El voltaje correspondiente al pico de corriente. La duracin del impulso. El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo entre 100% y 50% del pico de corriente. La no linealidad del varistor. A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial, o bien sinusoidal.

Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor medio (t2)

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DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA).Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de portadores calientes. Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un material semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una regin semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando tambin a tener un efecto de rectificacin. Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un semiconductor, segn lo indicado en la figura N05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo. En una deposicin de aluminio (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran haca el metal, creando una regin de transicin en la ensambladura. Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los 100V. La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensin, en las cuales las cadas en los rectificadores son significativas.

(Diodo Schottky construido a travs de la tcnica de CIs.)

Curva caracterstica de un diodo SCHOTTKY

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EL DIODO LASER.Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las caractersticas de un diodo lser son: La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin.

Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser.

Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y lser.

Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin. Ejemplo de aplicacin: El lector de discos compactos: Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos musicales. El principio de operacin de uno y otro es idntico.

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Esquema del funcionamiento del CD-ROM

Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prcticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital. Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser convertida en informacin analgica en un convertidor digital-analgico. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en otra ocasin. SIMBOLOGA.-

Grfica Simbologa Tipos de Diodos.

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