Bandas de energa.

Segn el modelo atmico de Bohr, para un tomo de un cierto elemento se tienen orbitas con una cierta cantidad de electrones en cada orbita y a cada orbita les corresponde un nivel energtico, los radios de estas orbitas y niveles energticos estn cuantizados o son discretos.

Figura 1.9- Modelo atmico simplificado: a) orbitas con radios discretos alrededor del ncleo, b) diagrama de niveles discretos de energa para cada tomo. Para un tipo particular de tomos, cada una de las rbitas tiene una cantidad finita de energa asociada, por lo que se dice que los electrones ocupan niveles de energa. Un electrn que normalmente ocupa un nivel de energa E1 se puede desplazar hacia un nivel de energa superior E2 si el tomo recibe una energa igual a E = E2 - E1 llamada cuanto de energa. Si el tomo recibe suficiente energa, un electrn puede ser desplazado de su orbital normal o de un orbital de excitacin hacia un punto suficientemente lejos, de tal manera que se encuentre libre de la influencia del ncleo. En este caso se dice que el tomo se encuentra ionizado, convirtindose en un ion positivo. Para este modelo atmico simplificado se establece el diagrama de niveles discretos de energa, como el mostrado en la figura 9b, en donde la longitud de las lneas horizontales representa el dimetro de cada rbita y el eje vertical representa la energa potencial asociada con cada rbita. Cuando dos tomos se encuentran muy separados entre s, los niveles de energa ms externos al ncleo de cada tomo no interactan y, por lo tanto, no se presenta ningn cambio en dichos niveles figura 1.10a. Al disminuir la distancia entre los dos tomos, los niveles de energa ms alejados del ncleo interactan y se traslapan, formando un solo nivel de energa figura 1.10b. Si se contina disminuyendo la distancia entre ambos tomos, el mismo fenmeno se presentar ahora con los niveles de energa mas cercanos a sus ncleos figura 1.10c.

Figura 1.10 Formacin de bandas de energa. Estado Slido 2013 1/6

Figura 1.11 Diagrama de niveles de energa para un material formado por un conjunto de tomos cercanamente espaciados. Adems de la distancia entre los tomos, a medida que se considera un mayor nmero de tomos, se presenta un mayor desdoblamiento de los niveles de energa, de manera que el espaciamiento entre estos niveles se vuelve insignificante y se habla entonces de bandas de energa permitidas. Dichas bandas son tratadas como si existiera una distribucin contnua de energas permitidas para los electrones, como se muestra en la figura 1.11. Como se menciono anteriormente, si los tomos estn muy separados la energa de un nivel particular es la misma en cada tomo. Cuando los tomos se aproximan entre s, el nivel de energa en cada tomo cambia debido a la influencia del otro tomo. Lo que se ha mostrado para dos tomos se podra haber hecho para tres, cuatro, o N tomos.

a) b) Figura 1.12 a) Desdoblamiento de niveles para el caso de seis tomos en funcin de la separacin de los mismos, b) bandas de energa que corresponden a varios niveles de energa para una distancia interatmica a. Si tenemos N tomos idnticos, un nivel determinado de un tomo aislado se divide en N niveles energticos distintos, pero muy prximos, cuando los tomos se aproximan para formar un cristal. En un slido, N es un nmero muy grande, del orden de 1022 tomos por cm3, de modo que Estado Slido 2013 2/6

cada nivel energtico se divide en un nmero muy grande de niveles llamado banda de energa. Por ello los niveles dentro de una banda estn tan prximos que la energa varia de forma casi continua. En la figura 1.13 se muestra un esquema del desdoblamiento de niveles de energa de un conjunto de N tomos que forman un cristal, en funcin de la separacin r entre tomos prximos. La zona de la derecha corresponde a tomos muy separados entre s, prcticamente aislados. Esta situacin se mantiene hasta que la distancia entre tomos es del orden del dimetro de las rbitas externas que corresponden a los niveles de mayor energa. Al ir aproximando ms y ms los tomos podremos decir que los electrones comienzan a pertenecer al conjunto de tomos y la especificacin de su estado deber hacerse en funcin de un parmetro que tenga en cuenta la estructura cristalina. En la figura 1.13 se representa la separacin en la estructura cristalina estable.

Figura 1.13 Obsrvese en el esquema que las bandas de mas baja energa correspondiente a los niveles de menor energa del tomo en la red, son mas estrechas y estn llenas de electrones ligadas al tomo y por eso se desdoblan menos que las bandas de energa mas altas donde los electrones de los orbitales atmicos ms externos se solapan y forman una banda ms ancha. Desde el punto de vista de la conduccin slo nos interesan las dos ltimas bandas. Estas se conocen como banda de valencia, (BV), y banda de conduccin, (BC), separadas por un intervalo de valores de energas no permitidos para los electrones del slido, que se llama banda prohibida o band gap, (BP). Teniendo su representacin en la figura 1.14

Figura 1.14

El ancho de la BP, Eg, (Energy gap) se suele expresar en unidades de energa de electrnvolt (eV) y es una caracterstica muy importante de los materiales. La BV es la banda de energa ms alta que contiene electrones. Puede estar completamente o parcialmente llena de electrones dependiendo del tipo de tomo y el tipo de enlace del slido. Por debajo de la BV todas las bandas estn ocupadas por electrones ligados a los tomos y no participan en procesos de conduccin. La BC es aquella que posee estados libres de energa y por tanto pueden ser ocupados por electrones.

Estado Slido 2013

3/6

Ahora podemos explicar porqu algunos slidos conducen y otros son aislantes. En el siguiente esquema podemos ver el diagrama de bandas de conductores, aislantes y semiconductores, y explicar sobre el mismo los procesos de conduccin.

Figura 1.15 Diagrama de bandas de energa para diferentes tipos de materiales. (1) Conductor tpico. La BV est slo est parcialmente llena, de modo que los electrones pueden fcilmente excitarse a estados energticos prximos por la accin del campo elctrico externo, E, debido a que existen muchos estados vacos. Puede decirse en este caso que la BV es de hecho una banda de conduccin. (2) Conductor con su BV saturada, pero solapada con la BC. Las dos bandas forman una banda de conduccin-valencia que est slo parcialmente llena. (3) Aislante, en ellos la BV que est completamente llena a T = 0 K est separada por una BP muy grande de la BC que posee estados energticos vacos. A temperaturas ordinarias muy pocos electrones pueden excitarse y pasar a la BC. La mayora no puede hacerlo porque la energa que poseen por excitacin trmica es insuficiente para poder saltar la gran anchura energtica de la BP, Al mismo tiempo si se aplica un campo de valores normales los electrones no pueden acelerarse, ya que no hay estados de energa disponibles en la BV y la energa que podra suministrar un campo .normal es insuficiente para superar Eg. Si se observa una pequesima conductividad es debida a los pocos electrones que saltaron la barrera Eg por excitacin trmica. De otro lado si el campo es suficientemente intenso como para que un electrn supere la BP hasta alcanzar la BC, entonces es que se ha producido la ruptura dielctrica. 4) Semiconductor, en ellos la BV y la BC estn separadas por un intervalo de energa prohibido, Eg, que es pequeo comparado con el del aislante. A temperatura T = 0 K, la BV est llena y la BC vaca, y el semiconductor se comporta como un aislante. A temperaturas ordinarias, existe un nmero importante de electrones que por excitacin trmica han superado la pequea BP del material semiconductor. La BP para el Si y el Ge, semiconductores tpicos es del orden de 1 eV. En presencia de un campo , los electrones de la BC, que ya estn en ella por excitacin trmica, pueden acelerarse ya que existen estados energticos vacantes prximos. Estos materiales son semiconductores intrnsecos. En ellos por cada electrn que existe en la BC es porque se ha producido la rotura de un enlace en la BV prxima, producindose un enlace incompleto al haber superado el electrn la BP. En ese caso se dice que se ha generado un hueco en la BV. Esto hace que al haber quedado en la BV un hueco si se aplica un campo elctrico , otro electrn en la BV pueda ocupar el hueco y as se genera otro hueco en el lugar donde estaba el electrn. Todo ello ocurre en la BV. De manera que ahora la corriente es doble, por un lado la de electrones en la BC y la electrones que tambin ahora se pueden excitar en la BV. Ambas corrientes contribuyen a la corriente elctrica. Sin embargo la corriente de electrones en la BV se describe ms fcilmente como el movimiento de huecos en la direccin del campo , esto es, opuesto al movimiento de los electrones. El hueco acta as como una carga positiva.

Estado Slido 2013

4/6

La banda prohibida es considerada el parmetro ms importante en la fsica de semiconductores. Resultados experimentales muestran que la banda prohibida de muchos semiconductores decrece con el incremento de la temperatura. La figura 1.16 muestra las variaciones de la banda prohibida como una funcin de la temperatura para el Ge, Si y GaAs. La variacin de la banda prohibida con la temperatura puede ser expresada por una funcin universal, dada por la relacin de Varshni:

T2 Eg(T) = Eg(0) (T + )

Figura 1.16 Variacin de la Banda prohibida para el Ge, Si y GaAs, como una funcin de la temperatura. La energa necesaria para que el electrn salga de la banda de valencia a la banda de conduccin se mide en electrn-volts (eV), que se define como la energa cintica adquirida por un electrn cuando es acelerado en un campo elctrico producido por una diferencia de potencial de un volt. Numricamente, un eV equivale a 1.6 x 10-19 Joules, o bien un Joule son 6.2 x 1018 eV. Por ejemplo, se necesitaran 6.2 x 1020 eV/sec para encender una bombilla de luz de 100 watts. Ejemplos La variacin del band gap del silicio con respecto a la temperatura puede ser expresada como: Eg(T) = Eg(0) -

T2 (T + )

donde para el silicio: Eg(0) = 1.17 eV, band gap a T = 0 K = 4.73 x 10 - 4 eV/K = 636 K Determinar el bandgap a 100 K y 600 K

T2 Con T = 100 K , usando Eg ( T ) = Eg (0) (T + )

Eg(100 K) = (1.17 eV) -

con los parmetros anteriores

(4.73 x 10 4 eV / K ) (100 K ) 2 = 1.163 eV (100 K + 636 K ) 5/6

Estado Slido 2013

Eg(600 K) = (1.17 eV) -

(4.73 x 10 4 eV / K ) (600 K ) 2 = 1.0.32 eV (600 K + 636 K )

Como podemos observar conforme aumenta la temperatura disminuye el bandgap. Para el Arseniuro de Galio (GaAs):

Eg(0) = 1.519 eV, band gap a T = 0 K = 5.405 x 10 - 4 eV/K = 204 K Determinar el bandgap a 100 K y 600 K

T2 Con T = 100 K , usando Eg( T ) = Eg (0) con los parmetros anteriores (T + )

Eg(100 K) = (1.519 eV) (5.405 x 10 4 eV / K ) (100 K ) 2 = 1.501 eV (100 K + 204 K )

Eg(600 K) = (1.519 eV) -

(5.405 x 10 4 eV / K ) (600 K ) 2 = 1.2.76 eV (600 K + 204 K )

Estado Slido 2013

6/6