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Prof. Argemiro Soares da Silva Sobrinho Laboratrio de Plasmas e Processos -LPP Instituto Tecnolgico de Aeronutica - ITA argemiro@ita.br
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1. Introduo
Grupo de plasma do ITA Linhas de Pesquisa Definio de Plasmas Exemplos de Plasmas na Natureza
2. Plasmas em Laboratrio
Tipos de Plasmas Interao Plasma-Material
Professores Colaboradores: 8
Doutorandos: 14 Mestrandos: 16 Iniciao cientfica e estagirios: 8
TOTAL: 59
plasma
(eltrons+ions)
energia
gs (vapor)
solido (gelo)
energia
energia lquido (gua)
O que plasma?
Plasma ( - substncia moldvel)
Plasmas com baixo grau de ionizao so chamados plasmas frios ou plasmas de baixas temperaturas, como o que ocorre nas auroras, chamas, arcos, descargas luminescentes, etc.
Classificao de Plasmas
Plasmas no-trmicos ou frios Descargas em baixa presso
Plasmas trmicos ou quentes
Microplasmas
Tocha de plasma
Grau de ionizao:
Plasmas na natureza
SOL
Estrelas
Nas estrelas
Vento solar
Plasmas na natureza
Aurora Boreal
Vista da Terra
Nas estrelas
Vista do espao
Plasmas na natureza
Nas estrelas
Plasmas na natureza
RAIOS
Nas estrelas
Necessidades:
Cmara (Reator) Sistema de vcuo Fonte de potncia (DC, RF, microondas) Eletrodos Gases Medidores de presso e vazo de gases
Nas estrelas
Sistema de vcuo
Elevada densidade de partculas de alta reatividade qumica jamais obtida por mtodos qumicos convencionais; Estas espcies quimicamente ativas produzem reaes qumicas em temperatura ambiente que em processos qumicos convencionais s ocorreriam em altas temperaturas; Possibilidade de modificao apenas na superfcie dos materiais sem alterar suas propriedades de volume.
a) Deposio
b) Corroso
Ions O+,Oelectrons +
photons
PLASMA o
2
atoms/radicals
O CO2
reactived layer
CO
ALD Atomic layer deposition CVD Chemical vapor deposition PVD Physical vapor deposition
O filme formado por tomos que so diretamente transportados da fonte para o substrato atravs da fase gasosa.
Principais tcnicas: Evaporao Feixe de eltrons (Electron-beam) Pulverizao Catdica (Sputtering) Magnetron sputtering Crescimento epitaxial por feixe molecular (MBE)
Source: http://www.gencoa.com/tech/fundamental.html
Source: http://www.ajaint.com/whatis.htm
Usada com fontes DC, DC-pulsada ou RF. Objetivo: aumentar o grau de ionizao do gs. Por que? A taxa de sputtering elevada em baixas presses (abaixo de 10 mTorr) poucas colises entre as espcies do gs. Como? aumentar a probabilidade dos eltrons ionizarem o Ar atravs do aumento do caminho livre dos eltrons uso de campos eltricos e magnticos cruzados (confinamento magntico).
Raio de Larmor:
eltrons
Microeletrnica
Energia solar
Telecomunicao
Txtil
Diagrama esquemtico do sistema de deposio de filmes finos tipo catodo magnetron dual.
Interior do reator, contendo 2 catodos magnetron, 2 shutter dos catodos magnetron e 1 porta-substrato + trilho para sua movimentao.
TiO2
Eg = 3.2 eV
TiOxNy
Eg = 2.5 eV
TiOxNy
Eg = 1.94 eV
Non-doped
Lightly doped
Heavily doped
silicon
SF6 isotrpico
Deposio e corroso de filmes de carbono tipo diamante atravs de tcnicas assistidas por plasma
CH3
(a) %T
CH2 CH3
C=C vinil
(b) %T
-OH
-COOH C=C
-C-O
(c) %T
3500
3000
2500 cm
-1
2000
1500
1000
FT-IR/ATR analyze of EPDM rubber (a) without treatment, (b) treated with O2/Ar plasma, (c) treated with N2/Ar plasma.
Atmosfera
Baixa presso
Filmes dieltricos (SiO2 e SiNX utilizados como barreira de permeao de O2 e vapor de H2O sobre PET
1E-8 2500
2000
Q u a r t z W i n d o w R F E l e c t r o d e P E T F i l m
F l o w m e t e r s
P l a s m a z o n e T u r b o P u m p R o t a r y P u m p
WVTR (g/cm -s-cm Hg)
1E-12 0.0 10 100
1E-9
WVTR SiNy
MW/RF MW RF PET
1E-10
M o t o r D r i v e R F S o u r c e
1E-11
dc
1E-12
0.1
0 10 100
M i c r o w a v e G e n e r a t o r
M W A p p l i c a t o r
SiO2
-2
Lei de Moore: O nmero de transistores dos chips teria um aumento de 100%, pelo mesmo custo, a cada perodo de 18 meses.
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