LABORATORIO # 2

Laura Ra Pantoja1, Mara Nelly Olmos Serpa1, Endrik Peluffo Rivera1, PhD. David Senior Elles
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Estudiante de Pregrado de la Facultad de Ingeniera, Universidad Tecnolgica de Bolvar

2

Profesor de la Facultad de Ingeniera, Universidad Tecnolgica de Bolvar Grupo J 11 de Marzo 2013

Objetivos
Disear e implementar un amplificador con JFET para operar en un rango de frecuencias especfico. Comprobar experimentalmente el ancho de banda en el cual opera el amplificador, identificando sus frecuencias de corte superior e inferior. Analizar las caractersticas fundamentales de la respuesta en frecuencia del amplificador con transistor JFET.

Trabajo previo (PRE-INFORME)

Se disea un amplificador de tensin empleando transistores JFET en configuracin fuente comn como se observa en la figura 1. La ganancia de voltaje debe ser mayor de 6, |Avs| 6, y debe tener una respuesta en frecuencia plana en el rango de frecuencias de 500 Hz a 100 kHz. Considerar los siguientes valores: Resistencia de carga: RL = 10 k. Resistencia de fuente: RS = 50 . Impedancia de entrada: Zent > 100 K Voltaje VDD: VDD= 20V Capacitancias parsitas del cableado en la entrada y la salida: Cwi =Cwo = 8pF

Clculos
Seleccin de punto de operacin (Q)
Se observa que la configuracin de nuestro circuito es de Autopolarizacin. De acuerdo a la informacin suministrada por nuestro libro gua, la ecuacin de la recta de polarizacin para este caso es:

iDS

VGS RS

De las curvas paramtricas del JFET se puede construir una curva que relacione el valor de las diferentes corrientes de saturacin del FET con los diferentes voltajes compuerta fuente que las producen, a dicha curva se le conoce como curva de Transconductancia, caracterstica para cada transistor, y es la que se muestra en la siguiente grfica.

Materiales
Fuente de voltaje DC Generador de seales Osciloscopio 1 transistor JFET 2SK168 Resistencias y condensadores varios.

Diseo
VDD 20V RD CD RS 50 CG Q2 NJFET2 RL Vs RG RS CS

El punto de intercepcin entre la curva y la recta mostradas en la figura, ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la estabilidad del sistema ni los valores de Transconductancia, es decir, no se sacrifican una u otra. Este punto se denomina Q, es el punto de operacin que requerimos para poder realizar el desarrollo en DC y AC del transistor. Para este objetivo, nos permitimos emplear el

Figura 1 - Amplificador de tensin en configuracin fuente comn JFET.

Software Matlab, para realizar la grfica y hallar el punto Q grficamente, por medio del siguiente cdigo:

Cdigo Matlab
%JFET clc clear all IDSS = 0.008; %Amperios VGSo = -3; %Voltios VGS = 0:-0.0001:-3; ID = IDSS.*((1-(VGS/VGSo)).^2); figure plot (VGS,ID) title ('Caracteristica JFET 2SK168') A = (-(1/1200)).*VGS; figure plot (VGS,A) hold on plot (VGS,ID, 'r') title ('Seleccion Punto Q') hold off Del datasheet tomamos los siguientes datos:
( )

La grafica generada, con nuestro punto de operacin marcado se muestra en la seccin de anexos de este trabajo. Los valores aproximados correspondientes son: ID = 1.44mA VGS = -1.727

Anlisis DC

Procedemos a realizar el anlisis en DC del circuito que se muestra en la figura 1.1.

Figura 1.1 Circuito DC

Se determina

( ( | | ( ) ( | |

) ) )

MODELO DE PEQUEA SEAL

A partir del esquema mostrado en la figura 1.2, se procede con el anlisis AC del amplificador de tensin en configuracin fuente comn.

La magnitud de la ganancia de voltaje se encuentra determinada mediante, | |

(1)

Figura 1.2- Circuito de pequea seal

Se quiere una ganancia de 8 V/V, por lo cual sustituimos los valores en la ecuacin (1) y obtenemos el valor de . | | | ( ) | ( ( ) ) K

RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA Seleccin de los condensadores de acoplo y de desacoplo

La frecuencia de corte para este caso esta fija de acuerdo a 10%*500Hz, que es la frecuencia baja en frecuencia plana.

Despejando:

Condensador de Fuente ( ) : Condensador de Desacople

5.38 En nivel , se encuentra determinado por las condiciones de operacin de DC de la siguiente forma: Pero se obtiene mediante la siguiente ecuacin:

Esto es si consideramos el efecto de rd = . Ya sabiendo los valores de cada una de las variables anteriores se determina

Voltaje Para diseo se usara la frecuencia plena . Teniendo estos valores despejamos para determinar el valor de dicho condensador.

VDS = VDD - IDSRD VDS = 20 (1.44mA)(5.38k) VDS = 12.25 V

)(

Condensador de Drenaje: : Condensador de Acople

(
Para diseo se tiene que , entonces teniendo sabremos que el valor de Donde De modo que

)
y anterior .

lo

Figura 1.4 Circuito equivalente

Teniendo estos valores despejamos para determinar el valor de dicho condensador.

( ( )
lo . y anterior

)(

Para diseo se tiene que , entonces teniendo sabremos que el valor de

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA

Se calculan las frecuencias de corte en alta frecuencia asumiendo que Cds = 0 y que las capacitancias parsitas del cableado son de 8pF. Debido a que el condensador que se encuentra entre la compuerta y el drenaje, dificulta el clculo para la respuesta en alta frecuencia del amplificador fuente comn, se procede a aplicar el Teorema de Miller, para reflejar este tanto en la entrada como en la salida. Calculo de : Condensador Compuerta Drenaje reflejado en la entrada

Donde Si consideramos el efecto de rd = . De modo que

Teniendo estos valores despejamos para determinar el valor de dicho condensador.

)(

Condensador de Compuerta ( : Condensador de Acople

)
( ( ) ( ))

Donde ya se conoce cul es la ganancia ( ) del amplificador, la cual es de 10. Entonces el valor del condensador compuerta- drenaje reflejada en la entrada es de: Figura 1.3 Circuito equivalente Calculo de

: Condensador compuerta drenaje reflejado en la salida ( ( ) )

por el cableado ( ), que para este caso se asume que es de . De esta manera determinamos el valor de la capacitancia equivalente en la salida

Donde ya se conoce cul es la ganancia ( ) del amplificador, la cual es de 10. Entonces el valor del condensador compuerta-drenaje reflejada en la entrada es de:

Donde para el caso de

Entonces la capacitancia equivalente de salida es: Ya teniendo los valor de los condensadores y , se calculan las capacitancias de entrada y salida equivalente. Para el clculo de y se debe tener en cuenta la capacitancia equivalente tanto en la entrada ( ) como la de salida ( ). Al igual que las resistencias equivalentes en la entrada ( ) como en la salida ( ). Para ello primero calculamos las capacitancias y resistencias equivalentes. Calculo de las capacitancias equivalentes Para el clculo de la capacitancia equivalente en la entrada del amplificador, se debe tener presente la capacitancia generada por el cableado ( ), que para este caso se asume que es de . Calculo de ( Entonces la capacitancia equivalente de entrada es ( Al igual que para el clculo de la capacitancia equivalente en la entrada del amplificador, se debe tener presente la capacitancia generada )( ) ( )( ) y )( ) ( )( )

Calculo de las resistencias equivalentes: La resistencia equivalente de entrada es .

La resistencia equivalente de entrada es

PORCENTAJES DE ERROR DE LOS RESULTADOS

Valores Comerciales:

Av

7. 927

9.040

14.04 %

Tabla 1.3 Porcentaje de error del anlisis AC

Frecuencia Comerciales
6k Frecuencia de corte alta Frecuencia de corte baja
Valores Tericos Valores Comerciale s Porcentaje de error (%) 4.36 %

Tericos

5.5 MHz

1 10k

55.7 HZ

7.36 %

0.41 Tabla 1.4 Porcentaje de error del anlisis en frecuencia Tabla 1.1- Valores resistencias y condensadores Se muestran los porcentajes de error de los resultados de los anlisis DC (IDS, VDS y VGS), AC (Zin, Zout y Av) y en frecuencia (frecuencias de corte en alta y baja frecuencia) realizados con los valores calculados tericamente y los valores comerciales seleccionados. Se observa que algunos porcentajes de error son mayores de 10%, esto es debido a que los valores de las resistencias y los capacitores calculados tericamente estaban un poco alejados de los utilizados en la parte comercial. As mismo, la respuesta del transistor frente a los campos de este tipo tambin pueden haber influenciado los resultados.

DC
Valores Tericos IDS VDS VGS 1.44mA 12.25 - 1.727 Valores Comerciales 1.641 mA 10.15 - 1.641 (%) de error 12.24 % 16.94 % 4.97 %

Simulacin transitoria del circuito

Se realiza la simulacin transitoria del circuito, usando una fuente de voltaje sinusoidal de 100 mVp y frecuencia de 2 kHz.
10mV

Tabla 1.2 Porcentaje de error del anlisis DC

AC
Valores Tericos Valores Comerciales Porcentaje de error (%) 0% 11.52 %

5mV

0V

Zin Zout

1 6

-5mV

-10mV 0s 0.1ms 0.2ms V(Cwo:2) V(RG:2) 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms Time 0.8ms 0.9ms 1.0ms 1.1ms 1.2ms 1.3ms 1.4ms 1.5ms

Figura 1.5 Ondas de resistencia de carga y entrada del amplificador. La ganancia de voltaje obtenida a partir de la simulacin es

50

-50

En comparacin con la ganancia de voltaje obtenida en los clculos de diseo, se observa que son muy aproximada, pues el diseo se trabaja con una ganancia de 8 V/V. El porcentaje de error.

-100 1.0Hz 10Hz DB(V(RL:2))

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

10GHz

100GHz

Frequency

Figura 2.2- Grafica de ganancia en dB

Valores Simulados

Valores Tericos

Valores Comerciale s

El porcentaje de error de es del 0.5%.

Simulacin frecuencia)

en

AC

(Anlisis

en

Ganancia de voltaje en banda media Frecuenci a de corte inferior Frecuenci a de corte superior

7.927

9.040

Se realiza la simulacin en Ac del circuito y se obtiene la ganancia de voltaje como Av = Vo/Vi y tambin en decibeles, la frecuencia de corte del amplificador en baja y alta frecuencia, los datos tericos y obtenidos por simulacin se muestran en la tabla 1.5. De los cuales se puede observar que los datos son bastante similares, con un porcentaje de error muy bajo. Las pequeas diferencias que se muestran se le atribuyen a la tolerancia que presentas los componentes del circuito, como lo son las resistencias.
8.0V

59.8

Tabla 1.5 - simulacin en AC

Esquema del circuito equivalente en alta frecuencia del amplificador

En la figura 1.6, se muestra el esquema de circuito equivalente en alta frecuencia del amplificador JFET, fuente comn.

6.0V

4.0V

2.0V

0V 1.0Hz 10Hz V(Cwo:2)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

10GHz

100GHz

Frequency

Figura 2.1- Grafica de ganancia V/V.

extensin su desarrollo es mucho ms corto en comparacin con el que se realiza con el BJT, el anlisis previo, como la eleccin del punto de operacin Q, hace un poco tedioso el procedimiento. Esto pues se debe tener en cuenta muchas consideraciones sobre la zona en la que se desea trabajar, adems de tener a la mano el datasheet adecuado para la eleccin de los valores con los cuales se va a trabajar. De los resultados obtenidos podemos decir:

1.
Figura 1.6 Circuito equivalente para alta frecuencia El esquema mostrado en la figura 1.6, lo conforman una serie de componentes como los son las resistencias, tales como, Rs, que es la resistencia interna de la fuente, RG, que es las resistencias conectadas a la compuerta del transistor, RD, que es la resistencia conectada al drenaje, Rs, la cual es la resistencia conectada a la fuente y RL, la resistencia de carga. Los voltajes de entrada Vi y salida Vo, tambin hacen parte del esquema. Otros componentes importantes que hacen parte del circuito son los capacitores, Ci y Co, la capacitancia Ci, incluye las capacitancias, de cableado de entrada Cwi, de transicin Cgs, de Miller de entrada CMi, mientras que la capacitancia Co, incluye las capacitancias, de cableado de salida CWo, de capacitancia parsita Cds y la de Miller de salida. Los capacitores parsitos intervienen para determinar la frecuencia de corte alta. Para altas frecuencias la reactancia capacitiva de Co disminuir, lo cual provoca la reduccin de la impedancia total de las ramas de salidas en paralelo. A medida que este valor disminuye, as tambin va a disminuir el voltaje Vo, este decaer hacia cero.

Su impedancia de entrada es considerablemente alta, para nosotros era de que corresponde a la resistencia la compuerta. Esto debido a que la corriente por esta terminal del transistor es tpicamente muy baja, esto lo que hace es garantizarlo. 2. Su ganancia de voltaje es mucho menor que en el BJT, lo que limita su uso para ciertas aplicaciones donde se requieran tan altas ganancias. 3. Su ancho de banda o respuesta en frecuencia es menor que en el BJT. Con respecto a las simulaciones, el programa Pspice facilita mucho esta tarea al tener la opcin de presentar las grficas en dB para su estudio con diagramas de Bode. Adems que permite el uso de transistores con las especificaciones que requiera el usuario.

Bibliografa
1. BOYLESTAD, Robert L. Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Pearson Educacin, 2003. 2. C. J. SAVANT. Diseo Electrnico, 3 Edicin, (Editorial Prentice-Hall) 3. LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales /trans_campo.htm 4. JFETs - TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO http://proton.ucting.udg.mx/materias/vega/In formacion/Jfet.htm

Conclusiones
Sobre el diseo del amplificador con el transistor JFET podemos decir que, aunque en

ANEXOS
Grafica de seleccin del punto de Operacin

Grafica anlisis transitorio

10mV

5mV

0V

-5mV

-10mV 0s 0.1ms 0.2ms V(Cwo:2) V(RG:2) 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms Time 0.8ms 0.9ms 1.0ms 1.1ms 1.2ms 1.3ms 1.4ms 1.5ms

Grafica de ganancia Av= Vo /Vi

8.0V

6.0V

4.0V

2.0V

0V 1.0Hz 10Hz V(Cwo:2)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

10GHz

100GHz

Frequency

Grafica de ganancia en decibles (dB)

50

-50

-100 1.0Hz 10Hz DB(V(RL:2))

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

10GHz

100GHz

Frequency

Grafica de ganancia Av= Vo /Vi valores comerciales

10V

5V

0V 1.0Hz 10Hz V(Cwo:2)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

10GHz

100GHz

Frequency