LABORATORIO # 3

Laura Rua Pantoja1, Mara Nelly Olmos Serpa1, Endrik Peluffo Rivera1, Natalia Ortega Yaez1, M,Sc. Ricardo Arjona 2 1 Estudiante de Pregrado de la Facultad de Ingeniera, Universidad Tecnolgica de Bolvar 2 Profesor de la Facultad de Ingeniera, Universidad Tecnolgica de Bolvar Grupo J

INTRODUCCIN
En este laboratorio se examina el comportamiento de un amplificador inversor tipo MOSFET. Primero se examina la relacin entre la salida y la entrada del amplificador en su estado estable, y culmina al examinar el comportamiento dinmico del mismo al ser usado como un inversor lgico-digital. Como ltima condicin, despus de haber ejecutado el montaje propuesto en la gua de laboratorio se toman mediciones especificadas en los tems de la gua y se comparan estos resultados experimentales, con los obtenidos mediante los clculos tericos y de mediante simulacin.

Cuando el MOSFET est conectado como se muestra en la figura, la relacin entre los voltajes del MOSFET y los voltajes aplicados al circuito son las siguientes:

MATERIALES
Transistor 2N7000 NPN Borneras de dos tornillos Baquelita de 55 cm 1 resistencia 1 K 1 resistencia 10 K 1 capacitor Osciloscopio Generador de Seales Dispositivo de audio

Adems

Como vamos a considerar nuestro anlisis en la regin de saturacin, las siguientes consideraciones se hacen para este caso.

PRE-LABORATORIO PROCEDIMIENTO TERICO

En esta seccin se resolvern los tems correspondientes al pre laboratorio en la gua. (2-1) El desarrollo de esta punto y del anterior ser a partir del siguiente diagrama.

Si escribimos una ecuacin de nodo para el drenaje obtenemos:

Reemplazando obtenemos una expresin para la salida Vout (Vo)

La grafica de la relacin entre el Vin y el Vout correspondiente a este caso es la siguiente:

Una ilustracin sobre como seria la relacin de las seales de entrada y salida, en el aspecto de la amplificacin seria:

(2-3) Se nos pide hallar una expresin para Vout en t>=0 dadas ciertas condiciones. Dado que un capacitor analizado en el dominio del tiempo es muy complicado de tratar, procedemos a trabajar en el dominio de la frecuencia. Por tanto sabemos que:

Considerando lo anterior, vemos que R2 y C estn en paralelo, por lo tanto esto resulta una impedancia Z, definida por le siguiente expresin. (2-2) El circuito equivalente de pequea seal para esta situacin es:

Al reducir el circuito de esta forma, se hace mucho ms fcil el clculo pues entonces realizando una simple divisin de tensin podemos calcular la expresin para el voltaje de salida Vout:

Si tomamos las ecuaciones propuestas anteriormente y las expresamos como una funcin de trasferencia, esta nos proporcionara una expresin correspondiente a la ganancia de voltaje para este modelo, as:

Reemplazando Z y despejando:

Es necesario que dicha expresin se encuentre en el dominio del tiempo, por tanto aplicando la transformada de laplace obtenemos: Para estos los puntos a analizaremos el siguiente circuito: continuacin [
( )

(2-4) se halla el tiempo en que Vout alcanza un determinado VT, dada cierta condicin.

EN EL LABORATORIO TOMA DE DATOS

El transistor usado para este laboratorio fue el 2N7000. Las caractersticas ms relevantes son presentadas en la siguiente tabla.

Para esto lo que haremos es reemplazar Vout en la expresin obtenida en el anterior punto de tal forma que sea cercano al VT deseado. Esto sera:

Reemplazando:

[
(

] (2-1) La configuracin realizada es la siguiente:

Aplicamos logaritmo en ambos lados, despejamos la t y obtenemos:

SIMULACIN DATOS OBTENIDOS:

2.1 a) SIN OFFSET Vp-p = 3V Vmax = 1.48 v Vmed = 16.5 mV Vmin = 1.52 v CON OFFSET Vp-p = 3V Vmax = 3 v Vmed = 1.51 v Vmin = 0V

Tabla 1.1- Seal de entrada sin offset y con offset

Imagen 1.1- Relacin entrada- salida

IN 5v 4v OUT IN OUT IN OUT IN 2v 1v OUT IN OUT

1,54V 4,66V 1,08V 4,76V 1,05V 4,83V 1,03V 4,90V 9,79mV 4,99V

700 mV 5,00V 3,12V 4,16V 3,04V 2,96V 2,96V 2,08V 2,80V 1,04V

1 kHz 1 kHz 1 kHz 1 kHz 1 kHz 1 kHz 1 kHz 1 kHz 1 kHz 1 kHz

-1,86V 80mV -1,58V 960mV -1,59V 2,16V -1,50V 3,04V -1,42V 4,08V

1,86V 5,00V 1,54V 5,12V 1,50V 5,12V 1,46V 5,12V 1,38V 5,12V

Imagen 1.2- Seal de entrada con offset

3v

Tabla 2.2- Relacin vin para diferentes valores de Vout

Imagen 1.3 Seal entrada-salida Modo X-Y Channel #1 500mv (entrada) Vp-p = 1.04 V Vmax= 1.08 V Channel#2 1v (Salida) Vp-p = 840mV Vmax= 1.96 v Imagen 2.3- Relacin vin con Vout de 5v 2.2 Ganancia de pequea seal del amplificador cuando su salida de funcionamiento de punto de tensin es de 2V. (RMS) Sin generador conectado el ajuste de voltaje de salida: Imagen 2.1- MODE XY Con generador conectado:

Tabla 2.1- Seal de entrada y salida modo XY

2.1 b) Tensin umbral del MOSFET, es decir el

valor de por encima del cual caer. Es . empieza a

Imagen 2.2- tensin umbral del MOSFET 2.1 c) Variando el valor de para que en la salida se obtuviera 5V, 4V, 3V, 2V, 1V.

100mV 120mV Ganancia de voltaje resultante:

2.3 En este punto se midieron los lmites de la entrada Vin para el circuito:

Con el dispositivo de audio: Lmite superior= Lmite inferior =

POST-LAB
ANLISIS Y CONCLUSIONES
(2-1) a) Clculo de la K correspondiente a este MOSFET:

b) Con el fin de comparar los datos obtenidos con lo realizado en el pre-lab, se elaboro una grafica en Matlab con los datos recogidos para comprar y se obtuvo lo siguiente:

Con el generador: Lmite superior = 192 mV Lmite inferior = 284 mV

Vemos que la grafica obtenida por software a partir de los datos de In-Lab y la que se dibujo tericamente en un principio para el Pre-lab son similares, por lo tanto el comportamiento de los MOSFET si resulto el

esperado. Vemos que un punto de valor Vin (aproximadamente 2.04 V) que es el voltaje VT (umbral) en donde comienza a operar el MOSFET en modo de saturacin. Tambin observamos que si seguimos esa tendencia, llegara un punto en el que el MOSFET entre a la regin Triode. Estos dos valores entonces los llamamos los lmites de valores para la entrada Vin para este circuito, con los cuales se garantiza su adecuado funcionamiento como amplificador. La ganancia de voltaje obtenida es:

Hallamos su pendiente, la cual corresponde a la ganancia para este caso. - Y1 = 3 y Y2 = 4 - X1 = 3.04 y X2 = 3.12

12.5

pues as mismo ser la variacin de la ganancia de la seal. Al ajustar la amplitud para obtener valores de 5V, 4V, 3V, 2V y 1V en la salida se obtenan los valores especificados en la tabla 2.2, donde se demuestra que para obtener mayores ganancias no es necesario el aumento excesivo del voltaje de entrada. Cuando se aplica una seal de entrada sin Offset, el MOSFET opera en su regin de corte a medida que se le aplica dicha seal, lo cual puede verse en su seal de salida la cual aparece claramente distorsionada, guardando poco parecido con la seal de entrada. La forma de esta distorsin que sufre la seal se llama Clipping Al realizar la relacin entre voltaje de entrada y de salida se obtiene una ganancia la cual no es lineal. Se puede ver al momento en que se vara el voltaje de entrada del circuito, pues el voltaje de salida no aumenta en una proporcin directa, por tanto su ganancia tampoco es lineal. Por ltimo, se determin que el modo de saturacin solo se mantiene cuando la entrada Vin se mantiene entre un rango de valores determinados. Si alcanza un valor menor al lmite inferior, entra en zona de corte y si sobrepasa el lmite superior, el voltaje de salida comienza a decrecer.

c) Si comparamos las dos podemos comprobar que son aproximadamente igual, por lo tanto ambos mtodos son validos para calcular la ganancia del circuito. CONCLUSIONES Despus de ajustar el generador de seal para producir una onda sinusoidal de 1-kHz con una amplitud pico a pico de 3V y un offset de 1.5V, como se observa en la imagen 1.2, se produce en el generador de seal una onda sinusoidal polarizada entre 0 V y 3 V que corresponde con el resultado planteado y requerido en la gua. Es importante seleccionar un voltaje DC offset adecuado para que el circuito se mantenga en la regin de saturacin en todo el rango de variacin del voltaje de entrada,

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
1. Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Elsevier Publishings. Chapter 7, MOSFET amplifier. 2. nMOSFET (enhancement) Characteristic Curves http://www.physics.csbsju.edu/trace/nMOSFET.C C.html 3. Lecture 10: Amplifiers - SmallSignal Model (MIT) http://ocw.mit.edu/courses/electricalengineering-and-computer-science/6-002circuits-and-electronics-spring-2007/videolectures/lecture-10/ 4. Lecture Notes. MIT http://ocw.mit.edu/courses/electricalengineering-and-computer-science/6-002-circuits and-electronics-spring-2007/lecture-note