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SEMICONDUCTORES

1- Introduccin Los semiconductores abarcan una gran cantidad de elementos, siendo las mas comnmente utilizadas el germanio y el silicio pertenecientes al grupo IV de la tabla peridica. Tambin se pueden mencionar compuestos interatmicos formados por estos elementos en combinacin con otros pertenecientes a los grupos III o V, como ser el antimoniuro de galio o algunos sulfuros como los sulfuros de cadmio o de plomo utilizados en las clulas fotoelctricas. Entre los xidos se puede mencionar el xido de cobre muy utilizado en los rectificadores de potencia. El estudio se realizar con el modelo de tomo de Bohr donde se tiene un ncleo con los protones y neutrones y girando alrededor del mismo se encuentran los electrones. Lo que puede variar entre diferentes materiales es la estructura o posicin de los tomos. Todos los semiconductores tienen estructura cristalina tipo diamante, llamada as porque sus tomos se agrupan del mismo modo que los tomos en un cristal de diamante (ver figura I-1)

Figura I-1

Como su nombre lo dice, semiconductor, no conducen tan bien como los conductores ni aslan tanto como los aisladores. Su resistividad se encuentra en un valor intermedio entre la resistividad de los conductores (del orden de 10-5 /cm/cm2) y la de los aisladores (10+8 /cm/ cm2 ) La resistividad de un metal crece ligeramente con la temperatura (mayor movimiento de los tomos con mayor probabilidad de choques entre electrones, y electrones y ncleo del tomo) mientras que la resistividad de los semiconductores disminuye con el aumento de la temperatura (por generacin de pares electrn-laguna)

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Figura I-2 a y b Otra propiedad que tienen los semiconductores, y que no tienen los metales, es el de la fotoconductividad. Se denomina fotoconductividad a la propiedad que presenta un elemento de ofrecer mayor o menor resistencia al paso de la corriente elctrica segn la iluminacin que recibe.

Figura I-3 a y b Finalmente se puede mencionar el fenmeno de rectificacin que presentan los semiconductores (apropiadamente configurados) y que consiste en presentar una baja resistencia elctrica en un determinado sentido de circulacin y una muy alta en el sentido contrario. Esta propiedad no la presentan los metales pero s ciertas configuraciones mixtas metal-semiconductor u xido semiconductor.

Figura I-4 a y b I-1 Estructura molecular y teora de bandas.

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Veamos primero la estructura molecular del germanio puro o intrnseco (sera el mismo caso para el silicio puro) Un tomo de germanio est formado por un ncleo alrededor del cual gravitan en cuatro rbitas los electrones repartidos segn la figura I-5, en donde se tiene: 2 electrones en la primer rbita 8 electrones en la segunda 18 en la tercera 4 electrones en la cuarta, que es la rbita externa ms alejada del ncleo. El elemento es elctricamente neutro ya que por cada electrn existe una carga positiva en el ncleo. La rbita externa, la de los cuatro electrones, es la que define las caractersticas de inters para nuestra teora y es en la que nos vamos a centrar. Esta rbita externa puede tener hasta 8 electrones, cuatro propios y cuatro externos normalmente compartidos con tomos vecinos.

Figura I -5

Es el caso de la figura I-1 se han indicando a los electrones con los puntos chicos. Cuando se utilizan todos los enlaces disponibles, los electrones propios compartidos con los vecinos mas otros cuatro de estos otros tomos vecinos (tambin compartidos) la formacin de la estructura cristalina es perfecta. Para facilitar la comprensin es ms sencillo representar este cristal en dos dimensiones (en el plano) Los ncleos se simbolizan con los crculos ms grandes y se indica con +4 la carga positiva que neutraliza la carga de los electrones externos (de la banda de valencia) Los electrones externos o electrones de valencia son los puntos ms pequeos y los enlaces entre ncleos indican como se comparten dichos electrones.(ver dos formas de representarlos en la figura I-6 a y b)

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Figura I-6 Se recuerda que esta representacin perfecta corresponde a un semiconductor intrnseco, que es un caso ideal ya que en la realidad siempre existirn impurezas que alteren este comportamiento. Adems el caso presentado sera a cero grados K ya que a temperaturas superiores existirn fenmenos que tambin alteran este comportamiento ideal (se da energa trmica a los electrones y eventualmente algunos se separan del ncleo) como a continuacin se describe. I-2 Generacin pares electrn laguna y recombinacin. A cero grados Kelvin todas las rbitas estn completas, no existiendo ningn electrn libre, por lo tanto no existe ninguna posibilidad de conduccin. Cuando hay un aumento de la temperatura algunos electrones adquieren suficiente energa trmica para librarse de la atraccin que ejerce el ncleo (el electrn salta a la banda de conduccin ver luego teora de bandas de energa) y pasan a ser electrones libres de moverse dentro de la estructura cristalina. Tambin en la estructura queda un hueco o laguna (una carga positiva en el ncleo del tomo sin su electrn que lo compense) A este hueco se lo conoce tambin con el nombre de laguna o sea que el fenmeno genera un electrn libre de moverse por el

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cristal y una laguna en el tomo que queda sin los ocho electrones en su rbita externa. A este proceso se lo conoce como generacin de pares electrn-laguna En realidad no hay un solo electrn que se libra del ncleo sino una cantidad apreciable que lo hace (la cantidad es funcin de la temperatura) con lo que existirn una serie de electrones libres y sus correspondientes lagunas distribuidas en todo el material. No es extrao entonces que algn electrn en su movimiento se encuentre con una laguna y la ocupe. A este proceso (inverso al anterior ya que desaparecen un electrn y una laguna) se lo conoce como recombinacin. En la figura I-7 se indica el fenmeno de generacin par electrn laguna descrito, quedando en lugar del electrn (punto negro chico) una laguna (crculo indicado como hole) en la figura a y con un signo + en la figura b.

Figura I-7 La importancia de las lagunas es que contribuye a la circulacin de corriente elctrica en forma tan eficiente como los electrones.

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Al aplicarse un campo externo se tendr un movimiento de electrones hacia el potencial positivo de la fuente y otra corriente, de las lagunas o huecos, hacia el terminal negativo. Esta corriente de lagunas en realidad se debe al hecho que el campo fuerza a que un electrn ocupe un hueco cercano generando un nuevo hueco en el tomo que abandona. El mecanismo es el que se indica en la figura I-8 e movimiento de electrones

+ Movimiento aparente de lagunas Direccin de la corriente elctrica total Figura I-8 El grfico es una secuencia de imgenes en funcin del tiempo, siendo el inicial el superior y luego el tiempo avanza hacia abajo, En el grfico (segunda imagen) se ve que el hueco original del grfico superior es ocupado por el electrn 4, dejando el hueco en la posicin que el electrn ocupaba. Luego (tercer imagen) este nuevo hueco es ocupado por el electrn 3 que nuevamente deja el hueco en su tomo de origen. Todo este mecanismo equivale a que la laguna est desplazndose hacia la izquierda. Una corriente de electrones (carga negativa) equivale a una corriente convencional que se desplaza hacia el sentido contrario o sea en la misma direccin que la corriente de lagunas. En definitiva se tendr que la corriente total es la suma de las dos corrientes (de electrones y lagunas) circulando hacia el potencial negativo.
I total = I electrones + I lagunas = I n + I p

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Otra manera de ver lo anteriormente descrito, a travs del modelo atmico con la estructura cristalina de los semiconductores, es a travs de la teora de bandas que la complementa e incluso permite dar claridad a algunas definiciones (entre las que se encuentran las de aisladores, semiconductores y conductores) Sobre la base del modelo de tomo de Bohr, y la determinacin de los estados estables de los electrones del mismo, existe un nmero discreto de niveles que pueden ser ocupados por los mismos. Estos niveles estn definidos por los nmeros cunticos, tres de los cuales surgen de la aplicacin de la funcin de onda de Schrdinger y el spin del electrn. Por otra parte el principio de exclusin de Pauli exige que los niveles de energa que ocupen los electrones de un tomo sean todos diferentes, lo cual equivale a establecer que no pueden existir electrones en un tomo que tengan simultneamente los mismos nmeros cunticos que caractericen sus niveles. En los gases la distancia entre tomos es lo suficientemente grande como para que exista (o exista muy poca) interaccin entre los electrones de los diferentes tomos, por lo que los electrones de un tomo pueden ocupar casi los mismos niveles que los electrones de otros tomos. En los slidos, en cambio, la estructura cristalina es tal que la distancia entre tomos es relativamente muy pequea (del orden de los Angstrom) y por ende hay interaccin entre los electrones de los diferentes tomos. Esta interaccin se pone de manifiesto en forma de una modificacin de los niveles energticos posibles. Puede suceder que al acercarse dos tomos las rbitas del modelo de Bohr puede inclusive tomar una forma tal que rodee a ambos ncleos. Expresado esto en funcin de niveles de energa se puede decir que los electrones de tomos muy separados tienen el mismo nivel energtico pero a medida que se van acercando la interaccin se manifiesta por la aparicin de nuevos niveles, diferentes de los niveles primitivos, y que esta diferencia crece con el acercamiento de los tomos. Para fijar estos conceptos supongamos el caso ideal de que se tengan dos tomos iguales, con un electrn cada uno y con un solo nivel de energa que dichos electrones pueden ocupar. Al principio de nuestro experimento (ideal ya que en la realidad esto que se describe no es realizable) los tomos estn lo suficientemente separados para que no exista interaccin entre sus electrones. Luego se los va acercando a voluntad (esta es la parte no realizable del experimento) y se va viendo que a medida que esto se produce los niveles originales 1 se van separando en dos (11 y 12) ver figura I-9 Energa 11 1 12 Distancia entre tomos Figura I-9

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En la realidad no se tienen estos tomos con un solo nivel posible sino, como el caso del germanio y el silicio, se tienen varios electrones por tomo en la rbita externa (valencia) e incluso existen otros niveles posibles (no ocupados) que sufren el mismo efecto de interaccin (se ve en el momento de ser ocupados) Todo esto se refleja en la figura I-10.

Figura I-10 En la figura se ve lo que ocurrira si se pudiese realizar el experimento, pero en realidad se tiene la separacin entre tomos fija (cristal latice spacing) Existen una serie de niveles discretos posibles en la parte inferior, 8N, de los cuales hay 4N ocupados y 4N estados posibles libres (N densidad de electrones del material del orden de 1023 tomos por cm3) Luego hay una banda que tiene 0 estados y finalmente otra banda con 4N estados posibles y cero electrones (a 0 K) Como los niveles discretos son muchos, prcticamente se tienen bandas continuas por lo que la inferior (de menor energa) se llama banda de valencia, la del medio (por no poder existir electrones en ella) se llama banda prohibida y la superior se llama banda de conduccin. Cuando se aumenta la temperatura ciertos electrones de la banda de valencia adquieren suficiente energa como para pasar a la banda de conduccin (la energa debe superar a la banda prohibida) y de este modo se genera un par electrn laguna ya que queda un lugar vaco (hueco o laguna) en la banda de valencia. Por el contrario cuando por algn motivo un electrn libre de la banda de conduccin pierde energa retorna a la banda de valencia y ocupa una laguna (fenmeno de recombinacin) El ancho de la banda prohibida es la determinante de la capacidad de conduccin del elemento.

Figura I-11
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En la figura I-11 se ven las tres posibilidades: aisladores, semiconductores y conductores y se indica su diferencia de banda prohibida. Aisladores: En referencia a la figura anterior se ve que los aisladores tienen un ancho de la banda prohibida del orden de varios eV (electrn volt) Este salto de energa es la que separa la banda de valencia de la banda de conduccin y por ello es necesario agregar mucha energa a los electrones para que puedan llegar a la banda de conduccin. Una fuente de tensin externa de valores comunes (orden de decenas de voltios) no alcanza a suministrar suficiente energa para producir este salto por lo que la conduccin es imposible. Conductores (metales): La estructura de bandas de estos elementos puede no tener banda prohibida por lo que la banda de valencia se superpone con una banda vaca de conduccin. De este modo al aplicarse un campo externo, prcticamente sin necesidad o con muy poca energa se produce una apreciable corriente elctrica. Lo que caracteriza al conductor es el solapamiento de sus bandas de valencia y conduccin. Semiconductores: En el caso de los semiconductores el ancho de la banda prohibida es del orden de ~1eV, o sea ni tan alto para impedir una corriente como en el caso de los aisladores ni tan poco como en el caso de los conductores. Los dos materiales semiconductores ms importantes son el germanio y el silicio con un ancho de banda prohibido de 0,785 y 1,21 eV respectivamente (a 0K) Como el ancho de banda prohibido depende de la separacin entre tomos dentro del cristal y la temperatura origina mayor movimiento de los tomos, no es sorprendente que el ancho de la prohibida dependa ligeramente de la temperatura. Como ejemplo de esta variacin el germanio, a temperatura ambiente (300 K), tiene un ancho de banda prohibida de 0,72 eV. Movilidad: Un electrn libre, en presencia de un campo elctrico externo E, se acelera mientras persista dicho campo. Un electrn en un cristal, en presencia del mismo campo elctrico E, adems de la fuerza aceleradora de dicho campo, recibe fuerzas de atraccin y repulsin de los ncleos de los tomos y de los electrones del cristal. Adems, a medida que se va acelerando, va chocando con los mismos tomos y electrones perdiendo por ello velocidad en las sucesivas colisiones. Por lo expuesto el electrn no va aumentando su velocidad indefinidamente sino que, se ha podido verificar experimentalmente, la velocidad media se mantiene proporcional al campo aplicado. El factor de proporcionalidad es lo que se denomina movilidad. En realidad esto es vlido tanto para los electrones como para las lagunas por lo que es ms correcto hablar de factor de proporcionalidad entre la velocidad media de los portadores y el campo aplicado. Hay que hacer notar que este factor es diferente para los electrones que para las lagunas (por el diferente mecanismo de desplazamiento) aunque cada una de ellas es caracterstica del material. La definicin ms exacta de movilidad es: Movilidad es la velocidad media que adquieren los portadores de corriente cuando son acelerados por la unidad de intensidad de campo elctrico. Se designar a la movilidad de los electrones como n y a la de las lagunas como p Conductividad: La conductividad de un semiconductor se puede obtener del hecho que al aplicarse un campo elctrico se producen los movimientos de electrones y lagunas como se ha descrito.

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La densidad de corriente J en un semiconductor al que se le aplica un campo externo se obtiene de la ecuacin


J = (n. n + p. p ).e. = .

n = n = p = p = e = = =

densidad de concentracin de electrones libres movilidad de los electrones libres densidad de concentracin de lagunas movilidad de las lagunas carga del electrn intensidad de campo elctrico aplicado conductividad del semiconductor extrnseco

De la ecuacin se obtiene que

= (n. n + p. p ).e
En el caso del material intrnseco puro ni = n = p Siendo ni la concentracin intrnseca de portadores A temperatura ambiente (300K) se tiene un pare electrn - laguna cada 2 x 109 tomos de germanio. A continuacin se ve una tabla con las principales caractersticas del germanio y del silicio

Tabla 1 Caracterstica Nmero atmico Peso atmico Densidad (g/cm3) Constante dielctrica relativa tomos/ cm3 Ancho banda prohibida a 0 K (eV) Ancho banda prohibida a 300 K (eV) ni a 300K / cm3 Resistividad a 300K x cm n por cm2 / V x seg. p por cm2 / V x seg. Ge 32 72,6 5,32 16 4,4 x 1022 0,785 0,72 2,5 x 1013 45 3.800 1.800 Si 14 28,1 2,33 12 5,0 x 1022 1,21 1,1 1,5 x 1010 230.000 1.300 500

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Sobre la base del estudio de los niveles de energa permitidos, se puede definir una funcin N(E) denominado Densidad de estados Permitidos por unidad de energa y por unidad de volumen y que es una caracterstica de cada material. Como su nombre lo indica da la cantidad de estados permitidos existentes en un semiconductor por unidad de diferencia de energas y dentro de la unidad de volumen del material. Esta funcin N(E) nos da la cantidad de niveles permitidos pero nada dice de si estn ocupados o no. {Para profundizar el tema se recomienda leer Electronic Devices and Circuits de Millman & Halkias Sec 5-3 Pg.99 o su equivalente traducido Circuitos y dispositivos electrnicos} La probabilidad de que los niveles permitidos estn ocupados se obtiene de la ecuacin de Fermi-Dirac que es una funcin del nivel de energa y la temperatura absoluta f ( ; T)
f ( ; T ) = 1+ e 1
F
kT

k = constante de Boltzman T = temperatura absoluta = Nivel de energa que se investiga si est ocupado e = base de los logaritmos neperianos f = Nivel de Fermi El nivel de Fermi es un nivel de energa particular que indica el nivel de energa que da una probabilidad de que la mitad de los niveles permitidos que se encuentren por arriba de l y por debajo sean iguales. En efecto tomando el nivel que se investiga igual al nivel de Fermi f e introducindola en la frmula se obtiene f ( ; T) = 1/2 En la figura I-12 se ve que el nivel de Fermi se encuentra en la mitad de la banda prohibida

Nivel de energa

Nivel de Fermi 0K

Banda prohibida

Figura I-12

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I-3 Semiconductores tipo N y tipo P I-3-1 Semiconductor tipo N Mediante el agregado de una cierta cantidad de impurezas (tomos de otras substancias) a un semiconductor puro (intrnseco) se obtienen materiales semiconductores extrnsecos de tipo P o N. El proceso de sustituir ciertos tomos del semiconductor puro original por otros tomos de sustancias diferentes se conoce como dopado del semiconductor. En el dopado solo se agrega una cantidad relativamente pequea de impurezas (del orden de 1014/cm3) frente a la cantidad del orden de 1022/cm3 tomos del material puro. La relacin es de un tomo de impureza por cada 108 tomos del semiconductor puro. Los tomos de impurezas se toman de los elementos del grupo V o del grupo III de la tabla peridica o de Mendeleiev que tienen igual disposicin atmica que los del grupo 4 pero con 5 o 3 electrones de valencia en la rbita externa. Consideremos un tomo de arsnico. Sus dimensiones geomtricas son idnticas a los del tomo de germanio por lo que se puede integrar perfectamente en la estructura cristalina de un bloque de germanio. Siendo el arsnico As pentavalente se la puede representar por medio de un ncleo alrededor del cual orbitan, en la cuarta rbita exterior, cinco electrones de valencia (ver figura I-13)

Figura I-13 En la figura se tiene el ncleo del tomo de As indicado con el redondel grande central, al que corresponde una carga elctrica de + 5 (solo se considera la rbita exterior), y alrededor se tienen orbitando los cinco electrones de la banda de valencia que equilibran la carga del tomo con sus cinco cargas negativas (una por electrn) Si este tipo de material se intercala en una posicin de un tomo de germanio se obtiene un semiconductor tipo N. Esto se ve en la figura I-14 Electrn libre debido al As

Figura I - 14 12 A.Barksz

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En la figura se tienen los ncleos de germanio con cargas +4 y con sus 4 electrones de valencia compartidas con otros 4 de sus vecinos. El As (en el grfico indicado con Sb) tambin comparte cuatro de sus electrones con cuatro vecinos que a su vez aportan otros cuatro electrones para completar los 8 necesarios para llenar la rbita externa, pero su quinto electrn no participa de ninguna unin con los tomos vecinos. Este electrn queda unido al ncleo (a 0K) muy dbilmente por lo que con muy poca energa adicional se libra del mismo. A temperatura ambiente, prcticamente todos los electrones de este tipo se han librado de sus ncleos. La conductividad del germanio tipo N depende de la densidad de electrones libres que se obtienen de dos formas: a- Por los electrones de los tomos de impurezas. b- Por generacin pares electrn laguna de los tomos normales de germanio. En primer trmino la cantidad total de a (a temperatura ambiente de 300K) es mucho mayor que los de b. En segundo trmino el tomo de As originalmente es elctricamente neutro. Cuando el electrn sobrante adquiere suficiente energa para pasar a ser un electrn libre deja ionizado positivamente al tomo pero no genera ningn hueco que permita un movimiento de lagunas. Es por este motivo que en este tipo de material, cuando se aplica un campo elctrico externo, se genera una corriente elctrica formada prcticamente solo por electrones. Este es el motivo por el cual se lo llama semiconductor de tipo N. En la teora de bandas, el hecho de contarse con una serie de electrones que con muy poca energa (alrededor de 0,01 eV) pueden pasar a la banda de conduccin significa que los electrones sobrantes de los tomos donores estn en un nivel de energa apenas por debajo del de la banda de conduccin o sea en la banda prohibida. Esto no tiene ningn contrasentido ya que la banda prohibida al que nos referimos es la banda prohibida del semiconductor extrnseco que no es la misma que la del semiconductor dopado. El esquema en la teora de bandas es entonces la que se indica en la figura I-15 Nivel de energa Banda de conduccin Ec Epo Epn Nivel donor (electrones donores) eV Banda de valencia 0,01 eV

Figura I-15 Epo = banda prohibida del material extrnseco Epn = banda prohibida del material tipo N

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En la figura I-16 se ve la representacin de un material tipo N

Figura I-16 A menudo se usa la misma representacin sin indicar los tomos de As (+)

I-3-2 Semiconductor tipo P Tal cual se ha descrito para el material tipo N, los semiconductores tipo P se obtienen mediante el dopado del semiconductor extrnseco pero con tomos del grupo 3 en lugar del grupo 5. En este caso nuevamente las dimensiones fsicas de los tomos de este grupo son tales que permiten el reemplazo del tomo original de germanio dentro del cristal. Siendo el indio (In) trivalente se la puede representar por medio de un ncleo alrededor del cual orbitan, en su cuarta rbita externa, tres electrones de valencia tal como se indica en la figura I-17

Figura I-17 En la figura se tiene el ncleo del tomo de In indicado con el redondel grande central, al que corresponde una carga elctrica de + 3 (solo se considera la rbita exterior), y alrededor se tienen orbitando los tres electrones de la banda de valencia que equilibran la carga del tomo con sus tres cargas negativas (una por electrn) Si este tipo de material se intercala en una posicin de un tomo de germanio se obtiene un semiconductor tipo P. Esto se ve en la figura I-18

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Figura I-18

En la figura se tienen los ncleos de Germanio con cargas +4 y con sus 4 electrones de valencia compartidas con otros 4 de sus vecinos. El In tambin comparte sus electrones con tres vecinos que a su vez aportan otros cuatro electrones para tratar de completar los 8 necesarios para llenar la rbita externa, pero por carecer de un cuarto electrn el In deja sin llenar una unin con uno de los tomos vecinos. Por esta falta del electrn queda un hueco vaco en el cristal. Esta laguna puede ser ocupada por un electrn con muy poca energa adicional. A temperatura ambiente, prcticamente todos los huecos de este tipo se han llenado. La conductividad del germanio tipo P depende de la densidad de lagunas libres que se obtienen de dos formas: c- Por las lagunas de los tomos de impurezas. d- Por generacin pares electrn laguna de los tomos normales de germanio. En primer trmino la cantidad total de a (a temperatura ambiente de 300K) es mucho mayor que los de b. En segundo trmino el tomo de In originalmente es elctricamente neutro. Cuando un electrn adquiere suficiente energa pasa a ocupar un hueco libre y deja una laguna en el cristal pero no deja ningn electrn libre que genere un movimiento de electrones. Es por este motivo que en este tipo de material, cuando se aplica un campo elctrico externo, se genera una corriente elctrica formada prcticamente solo por lagunas. Este es el motivo por el cual se lo llama semiconductor de tipo P. En la teora de bandas, el hecho de contarse con una serie de lagunas que con muy poca energa (alrededor de 0,01 eV) pueden ser llenadas por electrones de la banda de valencia significa que los huecos de los tomos aceptores (por contraposicin de los que hemos denominado donores en el material tipo N) estn en un nivel de energa apenas por encima de la banda de conduccin o sea en la banda prohibida. Esto, tal cual vimos para el material n, no tiene ningn contrasentido ya que la banda prohibida al que nos referimos nuevamente es la banda prohibida del semiconductor extrnseco que no es la misma que la del semiconductor dopado. El esquema en la teora de bandas es entonces la que se indica en la figura I-19

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Nivel de energa Banda de conduccin Ec Epo Epn 0,01 eV Ev Banda de valencia Nivel aceptor (huecos) Figura I-19 Epo = banda prohibida del material extrnseco Epn = banda prohibida del material tipo P

En la figura I-20 se ve la representacin de un material tipo P.

Figura I-20

A menudo se utiliza la misma representacin, pero simplificada, sin indicar los tomos de In (-)

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Difusin. Adems de las corrientes elctricas por presencia de un campo elctrico externo, existe un mecanismo particular de transporte de cargas en los semiconductores llamado fenmeno de difusin. Este fenmeno raramente se produce en los metales aunque es conocido para los gases. A continuacin se ver en qu consiste este mecanismo. Existe la posibilidad de una concentracin no uniforme de portadores en un material semiconductor (mas adelante se ver como se consigue esto). Supngase que se tiene una variacin de la concentracin de portadores p en funcin de la distancia x. Existir por ende un gradiente de concentracin dp/dx en la concentracin de portadores. Esta concentracin implica que si se toma un plano imaginario cualquiera perpendicular al gradiente dentro del semiconductor se tendr una mayor cantidad de portadores inmediatamente de un lado que del otro. Como los portadores se mueven en una forma aleatoria debido a la agitacin trmica, existe una gran probabilidad que durante este movimiento una mayor cantidad de portadores cruce este plano desde el lado de mayor concentracin hacia el de menor concentracin que viceversa. El resultado de un cruce neto de portadores desde un lado hacia otro constituye una corriente elctrica y es un fenmeno puramente estadstico. Esta difusin es exactamente anloga a lo que ocurre con un gas neutro que tiene un gradiente de concentracin dentro de un recipiente. La densidad de corriente de difusin de lagunas Jp (ampers por m2) es proporcional al gradiente y su expresin matemtica es

J p = e.DP . d P

dx

El factor de proporcionalidad es el llamado coeficiente de difusin Dp y viene expresado en m2/seg e = carga del electrn Para el caso del material con gradiente de concentracin de electrones el proceso es similar y la ecuacin se transforma en d J n = e.Dn . n dx Dado que tanto el fenmeno de movilidad como el de difusin son fenmenos termodinmicos de un mismo material, estos fenmenos no son independientes D y estn relacionados a travs de la ecuacin de Einstein D DP = n = VT

Donde VT = kT/e

Tiempo de vida medio


En un semiconductor extrnseco existe igual cantidad de electrones que lagunas por el mecanismo mismo de la generacin pares electrn-laguna. Si bien en equilibrio este nmero no vara (si T es constante), constantemente se producen generaciones y

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recombinaciones. En promedio, los electrones (y las lagunas) existirn entre su generacin y hasta la recombinacin durante un tiempo p (o n). A este tiempo se lo conoce como tiempo de vida medio de las lagunas o electrones. El valor de este tiempo de vida medio puede variar entre algunos nanosegundos (10-9 seg) hasta algunos centenares de microsegundos. Este parmetro es importante par diferentes tipos de diodos especiales. En general la distribucin de portadores (lagunas o electrones) en un semiconductor sometido a disturbios (tensiones, variaciones de temperatura etc.) es una funcin tanto del tiempo como de la distancia. El estudio de estos fenmenos en forma matemtica lleva a lo que se conoce como ecuacin de continuidad (para mayor informacin al respecto ver la seccin 5-9 pagina 109 -en ingles - del libro de Millman & Halkias) Lagunas/m2 I x x+dx Area A I+dI

Figura I-21
dp/dt = - (p p0)/ p + Dp d2p/dx2 - p d(p)/dx Esta expresin, que tambin tiene en cuenta el principio de indestructibilidad de cargas elctricas, indica que dicha variacin de lagunas en funcin del tiempo es funcin del tiempo de vida medio, de la corriente de difusin existente y de la corriente de desplazamiento (debido al campo externo )

Nivel de Fermi en semiconductores tipo P y N


La presencia de los niveles donores cerca de la banda de conduccin en un semiconductor tipo N hace desplazar al nivel de Fermi desde el centro de la banda prohibida a un nivel de energa mucho mas cercana al nivel de conduccin (recordar que el nivel de Fermi indica la probabilidad que los portadores se encuentren por encima y por debajo de dicho nivel con igual probabilidad) y en este caso existe mayor probabilidad de encontrar portadores en la banda de conduccin. Por el contrario, la presencia de los niveles aceptores cerca de la banda de valencia hace que haya mayor probabilidad de encontrar portadores (lagunas) en la banda de valencia. Esto hace desplazar al nivel de Fermi mucho mas cerca de dicha banda. Esto se indica el la figura I-22

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DIODOS
I-4 La juntura P-N
Supongamos tener un monocristal de semiconductor que en una regin muy delgada pasa de tipo P a tipo N. Esta unin puede obtenerse de varias maneras, como ser. - Difundiendo impurezas donoras de un lado e impurezas aceptoras del otro lado de la juntura - Mediante ciertos tratamientos trmicos de un material semiconductor puro. Si un cristal est constituido por germanio de tipo P de un lado y de tipo N en el otro, necesariamente existir una zona en la que se pasa de uno a otro tipo. A esta zona se la conoce como zona de transicin, de deplecin o de juntura o simplemente juntura P-N.

I-4-1 La juntura P-N sin polarizacin externa


Se llama juntura P-N sin polarizacin externa a la juntura P-N al que no se le aplica un campo exterior por lo que todos los fenmenos que en ella ocurren se deben pura y exclusivamente a su propia constitucin. El hecho de que la juntura est constituida por la unin ntima de un material P y otra N significa que en relacin al plano de separacin hay exceso de concentracin de portadores positivos del lado P respecto al N y viceversa de negativos del lado N respecto al P. Esto origina un gradiente de concentracin de portadores de lagunas que se difunden hacia el material N y de electrones que se difunden hacia el material P. Hay que hacer notar que en ambos lados de la juntura, al comienzo del proceso, ambos materiales P y N son elctricamente neutros y todo el conjunto del material lo es. Como consecuencia de la corriente de difusin los electrones van ingresando al material P desde el N y van dejando iones positivos que generan una carga positiva en el material N, mientras que las lagunas que ingresan al material N van dejando iones negativos que van cargando negativamente e a esta regin. En la figura I-23 se presenta como es la difusin en ambos sentidos en un semiconductor de Ge.

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Este pasaje de cargas hace que se rompa la neutralidad elctrica de cada regin y as resulta que en la regin P, en proximidades de la juntura, aparezca una carga negativa y otra positiva en la N. No obstante la carga neta total de la suma de las dos regiones sigue siendo cero. Adems tanto los electrones que ingresan al material P como las lagunas que ingresan a la regin N encuentran una gran concentracin de portadores de signo opuesto por lo que se recombinan rpidamente. En la figura I-24 se indica el estado de equilibrio al que lleva este proceso. Se tienen iones positivos del lado del material N (derecha de la juntura) e iones negativos del otro lado. Esta es la zona de transicin o de juntura.

Figura I-24
En definitiva el hecho de tener una carga elctrica negativa de un costado de la juntura y otra positiva del otro lado, genera un campo elctrico y un potencial que se opone al paso de mas cargas (por ello se lo denomina barrera de potencial). Partiendo de la distribucin de la densidad de cargas (a en la figura 4-3), se obtienen sucesivamente el campo elctrico generado (b) y el potencial electrosttico o barrera de potencial para las lagunas (c) y para los electrones (d) Las relaciones entre la densidad de cargas, el campo elctrico y la barrera de potencial generados son las siguientes:

d2V/dx2 = - / E = - dV/dx = Vjo = - E dx


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/ dx

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= densidad volumtrica de cargas = constante dielctrica del medio


E = campo elctrico generado por las cargas Vjo = barrera de potencial

Figura I-25 Vjo crea un campo elctrico que contrarresta la tendencia de los portadores de moverse por efecto de la difusin. Es decir que en un perodo transitorio los portadores se mueven por efecto de los gradientes de concentraciones de portadores hasta que el campo elctrico que se va formando genera una fuerza que se opone y mantiene al sistema en equilibrio. Dicho de otra manera hay un movimiento de electrones hacia el material P y de lagunas hacia el N hasta que la tensin Vjo generada por las cargas, da lugar a una fuerza electrosttica suficientemente grande como para inhibir ulteriores movimientos de las partculas.

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El valor de Vjo es funcin de las concentraciones de portadoras a ambos lados de la juntura, de los coeficientes de difusin y de las movilidades a travs de las siguientes ecuaciones

Vjo = Dp/p. ln (Pp/Pn) Vjo = Dn/n . ln (Nn/Np) Dp = coeficiente de difusin de las lagunas p = movilidad de las lagunas Dn = coeficiente de difusin de los electrones n = movilidad de los electrones Pp concentracin de lagunas en el material P (portadores mayoritarios) Pn concentracin de lagunas en el material N (portadores minoritarios) Nn concentracin de electrones en el material N (portadores mayoritarios) Np concentracin de electrones en el material P (portadores minoritarios)

Juntura P-N con la teora de bandas


Como se vio la juntura P-N se forma con la unin de semiconductores P y N pero formando un solo cristal por lo que el nivel de Fermi es un nico nivel constante del material en su estado de equilibrio. En la figura I-26 se ve el estado inicial del cual se tiene que llegar al nivel de Fermi nico constante

Ef Ef

material P

material N

Figura I-26

Figura I - 27

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En la figura I-27 se ve el estado de equilibrio donde ya se tiene ese nivel de Fermi nico. En los materiales P y N los niveles de Fermi se mantienen en sus posiciones relativas originales, mientras que en la zona de transicin el nivel de Fermi toma una posicin intermedia entre esos dos valores. Resumiendo: En el estado inicial el nivel de Fermi es quebrado, pero una vez que se estableci el equilibrio (se estableci Vjo) el nivel de Fermi es recto por cuanto existe equilibrio termodinmico y no hay fuente externa. Eo, del grfico, es el campo elctrico al que corresponde Vjo y es el valor que deben variar los niveles de Fermi para llegar al nivel nico. Este (Vjo) es el valor de la barrera de potencial que impide ulteriores desplazamientos de portadores de una regin a la otra. Por mayores detalles sobre este tema se recomienda leer Millman & Halskias 6-3 band structure of open circuit p-n junction pgina 120

Capacidad de juntura
En la zona de transicin solo existen las cargas elctricas que no estn libres. Estos tomos ionizados ocupan posiciones fijas de las que no se pueden mover. En esta zona no existe ningn elemento que se pueda mover (caso de la juntura sin polarizacin externa) por lo que es un aislante. Este fenmeno permite definir una capacidad caracterstica de la capa de transicin (como una capacidad de caras planas paralelas con un dielctrico intermedio) El valor de esta capacidad viene dada por la siguiente expresin

CT = A/W
CT = Capacidad de juntura = constante dielctrica del semiconductor en la zona de juntura A = superficie de la juntura W = ancho de la juntura

Regin P

Regin N

juntura de constante dielctrica

Figura I-28

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I-4-2 La juntura P-N bajo la influencia de una fuente de tensin externa.


En la figura I-29 se representan las definiciones de a) juntura sin polarizacin externa, b) juntura con polarizacin inversa y c) juntura con polarizacin directa.

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Figura I-29
En el caso de la polarizacin inversa el positivo de la fuente se aplica al material N mientras que en el caso de la polarizacin directa la misma se aplica al material P. En a reina la condicin de equilibrio, ya vista, donde el gradiente de concentracin de portadores se ve contrarrestado por el potencial de juntura Vjo. Para la polarizacin inversa b, el campo externo suma su influencia al debido a Vjo. Esto se traduce en un ancho mayor de la zona de transicin y en una barrera de potencial mayor que se opone al paso de la corriente elctrica en el sentido normal o directo. No obstante existe una corriente inversa (muy pequea) debido a que por generacin de pares electrnlaguna, por efecto trmico, se tienen algunos electrones del lado del material P y de algunas lagunas del lado del material N. Si bien el campo se opone al pasaje de lagunas del material P hacia el N, favorece el pasaje de electrones en dicho sentido. Lo mismo ocurre con las pocas lagunas existentes del lado N.

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Vext Vjo

Figura I-30 Vtotal = Vext + Vjo


En el caso de la polarizacin directa la tensin externa Vext se opone Vjo por lo que lo ir disminuyendo e incluso si lo supera aparecer una tensin neta sobre la juntura cuya accin es la de impulsar a los electrones del material N hacia el P y a las lagunas del P hacia el N. Esto genera una circulacin de corriente a travs de la juntura en el sentido directo. La conduccin directa (corriente directa) aumenta a medida que aumenta el valor de la polarizacin directa y como se ve en el desarrollo matemtico de la ecuacin del diodo, este crecimiento es exponencial. Para el comienzo de la conduccin se debe pues vencer la tensin Vjo. Este es el motivo por el cual las junturas de germanio comienzan a conducir a partir de 0,2 a 0,3 V, mientras que los de silicio comienzan entre 0,6 a 0,7 V (es una caracterstica del material)

I-4-3 Curva caracterstica de un diodo de juntura.


Estudio matemtico de la caracterstica I = f(V) El estudio matemtico de lo que sucede dentro de un semiconductor tienen presentes todos los fenmenos vistos, o sea campo externo, difusin, generacin par electrnlaguna por efecto trmico, recombinacin y el principio de la indestructibilidad de las cargas elctricas. Se toma un volumen diferencial dentro del semiconductor en la superficie de separacin (zona de transicin o de juntura) y se plantean las ecuaciones de estos fenmenos para dicho volumen. Para ver este desarrollo se recomienda ver Millman & Halkias, seccin 6-5 Quantitative theory of the P-N diode current pagina 124 de la versin inglesa. La ecuacin a la que se llega es
I = I S .(e
q .V k .T

1)

q = carga del electrn V = tensin aplicado al diodo (tensin externa Vjo) k = constante de Boltzman T = temperatura absoluta Is = corriente de saturacin inversa (se explica mas adelante)
La curva del diodo es la que se indica en la figura I-31

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Figura I-31 En la figura se ve la curva caracterstica de un diodo de juntura. En ella se muestra con las escalas + y de la corriente en diferentes escalas (mA y A) para poder apreciar sus formas. El valor de Is se obtiene de la curva haciendo V inversa grande (por ser inversa va con signo negativo en la ecuacin) por lo que
e -qV/kT << 1

I - Is

A grandes valores de la tensin inversa (a la llamada tensin de ruptura inversa) existe un fenmeno de avalancha que lleva a la destruccin del diodo. Este fenmeno consiste en que la fuerza de atraccin debida a este campo inverso es lo suficientemente grande para arrancar los electrones del ncleo (supera la fuerza de atraccin del ncleo) Una vez que estos electrones son libres el campo externo los enva con gran fuerza al otro lado de la juntura y por choque arrancan mas electrones del ncleo (fenmeno de avalancha) As la corriente aumenta bruscamente (sin necesidad de mayor aumento de la tensin inversa) La explicacin exacta de lo que ocurre en esta tensin de ruptura inversa es compleja ya que no hay un nico mecanismo asociado al fenmeno. Esta zona de ruptura conviene evitarla durante el funcionamiento del diodo (diodo normal) ya que seguramente produce la destruccin del mismo. No obstante existen los llamados diodos Zener donde justamente se busca trabajar en esta zona ya que se puede variar la corriente sin variar la tensin. En la figura I-32 se indican las curvas caractersticas de diodos reales: En ella se pueden comparar las tensiones de corte de los diodos de germanio, de silicio y de arseniuro de galio (0,3, 0,7 y 1,2 V) Se hace notar que las curvas graficadas corresponden a un valor tpico indicado por el fabricante pero cada diodo, por efecto de la dispersin durante su fabricacin, tiene su curva propia que puede diferir en 5 o hasta 10% de este valor tpico.

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Figura I-32

Diodo ideal.

Se ha visto que la curva caracterstica tensin corriente de un diodo es de la forma (ver figura I-33 a y la ecuacin del diodo I = Is (e qV/kT - 1) lo cual es altamente no lineal y por ende difcil de utilizar. Para solucionar esto se recurre al concepto de modelos equivalentes. Un modelo equivalente es una aproximacin lineal cuyo comportamiento se aproxima al real, o sea que los resultados que se obtienen con su aplicacin se acercan bastante a los que se obtienen con el diodo real, pero que permiten un anlisis y manipulacin matemtica sencilla.

Figura I-33
El modelo mas sencillo es el que se indica en la figura 4 33 b que se llama diodo ideal. Este diodo, polarizado en directa, es un cortocircuito mientras que polarizado en inversa es un circuito abierto. Este modelo permite visualizar en forma rpida la funcin que cumple el diodo dentro de un circuito.

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El smbolo que representa a un diodo es el que se indica

Siendo las polarizaciones directa e inversa las que se indican a continuacin

polarizacin directa

polarizacin inversa

El equivalente del diodo en el caso de polarizacin directa e inversa es la que se indica

E > 0 (directa)

cortocircuito

E < 0 (inversa)

circuito abierto

Veamos como se utiliza esta aproximacin para analizar un circuito, para ello tomemos el siguiente caso (figura I-34)

Vd id

ri

Rl

eo

Vi
Figura I-34

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El estudio del circuito se hace a travs de las ecuaciones de Kirchhoff La ecuacin de mallas es

Vi = ri .i d + Vd + RL .i d
De donde

id =

Vi Vd ri + RL

En esta ecuacin se tiene implcita la relacin id = f (Vd) que no es lineal Supongamos que Vi = Vp cos t . Como Vi es variable los valores de id y Vd tambin lo son. La solucin de esta ecuacin implica tener en cuenta la ecuacin del diodo [I = Is (e qV/kT - 1] Esto es muy tedioso y complicado por lo que conviene utilizar el concepto de diodo ideal

Figura I - 35
Para E > 0 se tiene que id = E/(ri+Rl) Como Vi = Vp cos t resulta y eo = id . Rl

eo = Vp cos t . Rl/ri+Rl eo = 0

Para E < 0 se tiene que id = 0 por lo que tambin Dibujando la forma de onda de salida eo Vp t

Figura I-36

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Como eO = VP . cos t.

RL ri + RL

. cos t eO = V P

= VP . Con VP

RL ri + RL

Vp < Vp

Como se ve, la forma de onda de salida es igual a la forma de onda de entrada pero rectificada o sea se han recortado los semiciclos negativos. Adems el valor pico de la forma de onda de salida es levemente menor al de entrada por la cada de tensin sobre ri. Normalmente, cuando se utiliza un circuito rectificador, en este caso el circuito es un rectificador de media onda, lo que se busca es tener una tensin continua a la salida. d = Rl C Esta constante es mucho mayor que el de carga por ser Rl >> ri // Rl La forma de onda de salida ser

Figura I - 38
El capacitor se ir descargando hasta que en el siguiente semiciclo positivo el valor de la tensin de entrada supere al valor al que se ha descargado el capacitor. En ese instante vuelve a conducir el diodo y el capacitor se volver a cargar al valor pico Vp. Del grfico se ve que el valor medio de esta forma de onda es mayor que sin capacitor y por ende sern menores los valores de la alterna (la potencia entregada por la fuente es constante). Rectificador de onda completa Es un rectificador como el visto, pero se rectifican ambos semiciclos por separado (hay partes del circuito que trabajan con los semiciclos positivos y otras con los negativos) y luego se los junta. Existen dos circuitos tipo de rectificadores de onda completa: a) Con transformador con punto medio b) Con puente de diodos

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Rectificador de onda completa con transformador con punto medio.


En la figura I-39 se ve el circuito de este tipo de rectificador

Figura I - 39
Con diodos ideales, considerando el caso en que el punto sea el positivo, se tiene

Figura I - 40
Circula una corriente IL = Vp cos ot / RL en el sentido indicado Considerando el caso en que el punto sea el negativo, se tiene

Figura I - 41 Nuevamente circula una corriente IL = Vp cos ot / RL en el sentido indicado sobre RL (el mismo que en el caso anterior) por lo que la tensin en ambos casos es de la misma polaridad.
El funcionamiento del circuito se puede ver a travs de los siguientes grficos (figura I -42) Tensin de entrada

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Vp t

Corriente en el diodo D1

Corriente en el diodo D2

t t La tensin de salida sobre RL es de la forma eo Vp

Figura I-42
Si se calcula el valor medio de esta forma de onda por series de Fourier se llega a T

Vmed = 1/T = 2 Vp/

Vp sen ot

dt = Vp/

sen ot
0

d(ot)

Es el doble del valor medio del rectificador de media onda En la siguiente figura se tiene otra forma de ver el funcionamiento del rectificador de onda completa.

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En el mismo se ve el comportamiento de cada circuito rectificador de media onda y su funcin transferencia individual. El accionar de los dos circuitos simultneos se ve a continuacin:

Nuevamente se tendrn las armnicas vistas en el caso del rectificador de media onda, pero de amplitudes menores ya que de la energa total va ms el valor medio. Se consigue aumentar el valor medio, y disminuir por ende el valor de las armnicas, colocando un filtro. En el caso de usarse un capacitor se tendr

Figura I - 43
eo Vp

Figura I-44

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Esta forma de onda y los resultados que se obtienen (estn tabulados y graficados) se estudiarn con mayores detalles en la parte de fuentes de alimentacin.

Rectificador de onda completa con puente de diodos


En la figura I-45 a se indica el circuito rectificador de onda completa con puente de diodos. El principio es siempre el mismo o sea con dos diodos se rectifican los semiciclos positivos y con los otros dos los negativos. Finalmente a la salida se suman ambos con igual sentido.

Figura I 45 a

Figura I 45 b
En la figura I 45 b se ve el resultado real indicndose con recta punteada la diferencia de los valores pico ideal y real debido a la cada de tensin en los diodos. Para cada polaridad de la tensin de entrada solo conducen dos diodos (en ramas opuestas del puente de diodos) pero por la carga (entre los bornes - y +) la corriente circula en el

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mismo sentido. El valor medio, las valores de las alternas y como trabajan los filtros coinciden con los valores vistos para el otro circuito rectificador de onda completa. En la siguiente figura se ve otra forma de ver el funcionamiento del rectificador de onda completa.

En cuanto a qu circuito usar en cada caso depende principalmente del costo. A grandes potencias, donde los diodos son caros, el uso del primer circuito resulta recomendable ya que pesan en el costo los dos diodos de mas. A potencias chicas en cambio, el mayor costo de un transformador con punto medio en el secundario seguramente supera al ahorro de dos diodos (baratos) por lo que el circuito con puente de diodos es el que se selecciona. Si se tiene en cuenta la tensin de arranque de los diodos los grficos se transforman del siguiente modo

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En la parte de aplicaciones y problemas se van a ver otro tipo de circuitos resueltos con este mismo procedimiento (anlisis con diodos ideales) y se vern otros tipos de modelos equivalentes ms completos de diodos.

Anlisis de circuitos con diodos reales.


Cuando lo que se busca no es saber la funcin del diodo en el circuito sino, por ejemplo, realizar el diseo de un circuito, se debe trabajar con mayor exactitud y para ello se debe utilizar la curva caracterstica de tensin-corriente del diodo (mas sencillo que trabajar con la ecuacin del diodo) Para el anlisis grfico de los circuitos con diodos se trabaja con los siguientes hechos: - El comportamiento de los diodos est completamente determinado (a bajas frecuencias) por la relacin Id = f (Vd). El fabricante especifica esta relacin en forma grfica. - Los elementos del circuito, siendo lineales, se pueden reemplazar por su circuito equivalente de Thevenin vistos desde los terminales del diodo Por ejemplo, para el circuito de la figura I-46, el equivalente Thevenin se ve en la figura I47

Figura I 46

Figura I 47 En el circuito hacia arriba de la recta aa se ve al diodo con su caracterstica Id = f (Vd) El diodo debe tener entre sus extremos una tensin Vdq y debe circular por l una corriente Idq que coincidan con un punto de dicha caracterstica. Mirando hacia debajo de la recta aa se tiene la ecuacin V = VTh - RTh I
( )

Como el circuito es nico e independiente hacia qu parte de la recta se lo mire V e I deben coincidir con Vdq e Idq. Luego tenemos un sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas
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perfectamente soluble salvo por la dificultad de que el diodo es alineal y es difcil su resolucin analtica. Este es el motivo por el que se utiliza una solucin grfica y que consiste en dibujar la recta de la ecuacin () sobre el mismo grfico del diodo (las variables son las mismas) La curva del diodo exige que el par V;I pertenezca a esa caracterstica y la ecuacin de la recta es la exigencia del circuito exterior. El nico punto que cumple con ambas exigencias es el punto de interseccin de la recta y el grfico. Id VTh/RTh Q Pendiente = 1/ RTh

Vd VTh Figura I-48 La recta, que se llama recta de carga, se puede dibujar teniendo en cuenta que una recta se puede trazar conociendo dos de sus puntos. Dos puntos sencillos de ubicar son: Haciendo I = 0 en la ecuacin () se tiene que V = VTh Haciendo V = 0 en la misma ecuacin se tiene que I = VTh/RTh A la interseccin (punto Q) se lo conoce con el nombre de punto de trabajo ya que es donde realmente trabaja el circuito. Veamos como se trabaja en el caso de tener una fuente alterna en lugar de la continua VTh del caso anterior o sea V = Vp sen ot Para ello hay que tener en cuenta que en un instante t1 el circuito no sabe si tiene una tensin continua, una alterna o una tensin continua mas una tensin alteran aplicada. Existe en ese instante una tensin nica V (que se puede tomar como la VTh del ejemplo anterior) y se puede con ello dibujar la recta de carga para ese instante t1 y encontrar el punto de trabajo tambin para ese instante. Para otro instante t2 se procede de igual modo, o sea si suponemos que tomamos una serie de fotografas en diferentes Id Id

Vd t1 t2 t3 tn t V

Figura I-49

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Si la tensin de entrada es la alterna del caso anterior mas una continua Vcc, se debe trabajar del mismo modo pero corrido el eje de tiempos de la tensin de entrada (alterna) justamente en el valor de Vcc Id Id Q Vd Vcc t1 t2 t3 tn t V t

Figura I-50
Veamos un ejemplo de la teora vista con una seal de entrada triangular:

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Recta de carga de alterna.


Veamos el siguiente circuito

Figura I - 51
En este circuito se tiene Ei = Vcc + Vp cos ot siendo Vcc latensin de polarizacin y Vp cos ot la seal de alterna Pero adems se agrega la condicin de que Xc 0 Esto significa que a la frecuencia f0 (de o = 2f0) la impedancia del capacitor (1/2f0 C) es mucho menor que el valor de las resistencia Rl y RL del circuito Para la continua el capacitor es un circuito abierto, por lo que el punto de trabajo (que se obtiene para la tensin continua) se obtiene como hasta ahora con la recta de carga (-1/Rl) Cuando se analiza para la alterna, Xc se considera cero, por lo que a la salida se tiene el paralelo de Rl con RL por lo que la pendiente de la recta de carga ser 1 . Esta R1 // R L nueva recta de carga se llama recta de carga de alterna (ac load line en el grfico)

Desarrollando en series de Fourier (es una funcin peridica) a la forma de onda de salida se tiene

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Vmed . =

1 2

VP . cos O t.dt =

VP [ sen sen( )] 2. 2 2

Vmed = Vp/ Pero a la salida se tendr eO = V P [ 1 + 1

cos O t + 2

cos 2 O t 1 . cos 4 O t + .......] 15

o sea que adems del valor medio (primer trmino del desarrollo) se tienen una serie de componentes sinusoidales armnicas de la fundamental. La idea es la de obtener la continua y minimizar al mximo estas componentes de alterna. Una forma de conseguir esto es mediante el filtrado de la salida. Un capacitor es un ejemplo sencillo de filtro. Veamos como trabaja el capacitor como filtro

Figura I - 37 Cuando Vi polariza al diodo en directa, el diodo conduce (para el caso del diodo ideal es un cortocircuito) y esta corriente carga al capacitor hasta el valor Vp. El capacitor se carga con la constante de tiempo c = ( ri // Rl ) C Normalmente ri << Rl por lo que la constante de carga es chica y el capacitor se carga rpidamente. Cuando el capacitor llega a cargarse a Vp hace que el diodo quede polarizado en inversa ya que la tensin Vi a lo sumo tiene ese valor en el instante pico y luego siempre es menor. En estas condiciones el diodo ideal equivale a un circuito abierto por lo que a la salida se tiene

Luego el capacitor se descarga sobre Rl con la constante de descarga


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El procedimiento (instante a instante como si fuera una secuencia fotogrfica) para obtener la corriente y la tensin en el diodo es semejante al visto cuando se analiz el caso de tensin continua mas alterna. La diferencia es que ahora se tienen dos diferentes rectas de carga (-1/Rl) para la continua y 1/ (Rl// RTh) para la alterna) Para la alterna se trabaja obviamente con la recta de carga de alterna. En la siguiente se indica la forma de trabajar para este caso. Se determina el punto Q con la recta de carga de continua considerando que el capacitor es un abierto. Como para la alterna se debe utilizar la recta de carga de alterna, falta saber por qu puntos debe pasar. Basta saber un punto ya que todos los otros sern paralelos y para los valores de las tensiones que existan en el circuito para cada instante. La clave es, que cuando la alterna pasa por cero el circuito no sabe que hay una continua o una continua mas una alterna que justo vale cero en ese instante. El circuito solo ve la tensin que en ese instante existe o sea el punto Q es comn para la continua y para la alterna. Con el punto Q y la pendiente de alterna se ubica el eje de tiempos de la alterna. Luego para otras tensiones de alterna se sigue con el procedimiento general que consiste en trazar la vertical hasta el eje Vd y de ah trazar la recta de alterna hasta cortar la curva del diodo. En ese punto se obtiene Idi y Vdi correspondientes al valor de tensin existente en el circuito en el instante ti.

Recta de carga de alterna Id Recta de carga de continua Id

Q Vd Vcc t1 t2 t3 tn t Figura I-52 V t

Los diodos tienen otras aplicaciones aparte de la rectificacin. Entre ellas estn las de recortar una seal de entrada o limitar slo partes de la seal. Los diodos tambin se utilizan para restablecer un nivel de cd a una seal de entrada.

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Recortadores Limitadores.

Los circuitos recortadores se utilizan para eliminar parte de una forma de onda que se encuentre por encima o por debajo de algn nivel de referencia. Los circuitos recortadores se conocen a veces como limitadores o selectores de amplitud. Los circuitos de rectificacin utilizan una accin de recorte de nivel cero. Si se aade una batera en serie con el diodo, un circuito rectificador recortar todo lo que se encuentre por encima o por debajo del valor de la batera, dependiendo de la orientacin relativa del diodo con respecto a la fuente. En el siguiente ejemplo se va a ver esto.
R R

Vi

Vb

Vo

Vi

Vb

Vo

Nuevamente se supone para el anlisis que los diodos son ideales. En el circuito (a) la tensin Vb polariza al diodo en inversa por lo que el mismo no conduce mientras la tensin de entrada Vi sea negativa. Por no circular corriente en el circuito, la tensin de salida ser igual a la tensin de entrada.
Vi < Vb ..............................VO = Vi Cuando Vi toma valor positivo mayor a la tensin Vb, el diodo comienza a conducir por lo que VO va a ser igual a la tensin Vb. Vi Vb ..............................VO = Vb

Si se considera que el diodo tiene una tensin de arranque Vr las anteriores se transforman

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Para Para

Vi < Vb+ Vr Vi > Vb + Vr

Vo = Vi Vo = Vb + Vr

La funcin transferencia de un circuito se refiere a la forma en que el circuito transfiere su seal de entrada a su salida. SO = f (Si) La seal (S) puede ser tensin, corriente o potencia. Estas funciones transferencia son caractersticas nicas del circuito. En el caso del ejemplo anterior si tomamos la funcin transferencia de tensin, y analizamos las ecuaciones escritas, nos dan el siguiente grfico de funcin transferencia VO = f (V i) Vo
Vb

Vo
Vb

Vb

Vi b)

Vb

Vi

a) El caso b se deja para la resolucin del alumno.

Los recortes positivo y negativo se pueden realizar simultneamente. El resultado es un recortador polarizado en paralelo, que se disea utilizando dos diodos y dos fuentes de tensin orientadas de forma opuesta. El circuito produce una onda de salida como la que se indica en la figura donde el anlisis se realiz con la suposicin de tener diodos ideales:

Nota: En la figura se ha incluido el valor Vr que considera que el diodo tiene una tensin de arranque o sea que comienza a conducir a partir de una tensin Vr aplicada entre sus extremos.

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Los dos diodos estn polarizados inversamente por sus respectivas fuentes colocadas en serie (Vb1 y Vb2). Con polaridad negativa a la entrada el diodo D1 queda ms polarizado en inversa mientras que el otro diodo permanece abierto hasta que la tensin alcance el valor Vb2. En esas condiciones la tensin negativa Vb2 queda aplicada directamente a la salida (diodo ideal) Para el caso de entrada positiva, el diodo que aumenta su polarizacin inversa es el D2, mientras que el otro diodo permanecer cortado hasta que la tensin de entrada no iguale o supere al valor Vb1. En esas condiciones comienza a conducir el diodo y la tensin de salida queda clavada en Vb1. En casos intermedios de tensin la de entrada ninguno de los diodos conduce por lo que no habr circulacin de corriente ni cada sobre R. Esto hace que la tensin de salida sea igual a la tensin de entrada. Estas condiciones se pueden escribir como:

Vi < Vb2

VO = Vb2 VO = Vb1 VO = Vi

Vi > Vb1 Vb2 Vi Vb1

La funcin transferencia de tensin del circuito queda como se indica a continuacin Vo


Vb1 Vb2

Vb1 Vb2

Vi

Al final del captulo se vern una serie de aplicaciones y ejercicios para fijar los conceptos vistos hasta este punto.

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