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Microondas

Tema 4: Amplificadores de microondas con transistores

Pablo Luis Lpez Esp

Amplificadores de microondas con transistores

Amplificadores de microondas con transistores


Estudio de los parmetros S de un transistor. Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. Estudio de la estabilidad. Circunferencias de estabilidad. Factor de Rollet. Amplificador incondicionalmente estable. Amplificador condicionalmente estable. Diseos ptimos en ganancia. Adaptacin conjugada simultanea.

Mxima ganancia disponible, MAG. Mxima ganancia estable, MSG. Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia. Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.

Amplificadores con una puerta desadaptada.


Diseos ptimos en ruido. Figura de ruido mnima. Circunferencias de figura de ruido. Aproximacin unilateral.
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Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parmetros S de un transistor


Un transistor con un terminal comn puede caracterizarse mediante

una matriz de dimensin 2x2

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Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parmetros S de un transistor (II)


Cul es el significado fsico de estos parmetros? S11 y S22 son los coeficientes de reflexin a la entrada y la salida si se carga con la impedancia de referencia. Pueden representarse sobre la carta de Smith! S12 y S21 son las ganancias de transferencia en sentido directo e inverso Pueden representarse sobre una carta polar o sus mdulos sobre ejes cartesianos! TODOS ELLOS DEPENDIENTES DEL PUNTO DE POLARIZACIN Y LA FRECUENCIA!

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Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parmetros S de un transistor (III)


Representacin de los parmetros S del BFR93, Vce = 5 V, Ic = 30 mA, f = 0,2 1 Ghz

S11 y S22
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Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parmetros S de un transistor (IV)


Representacin de los parmetros S del BFR93, Vce = 5 V, Ic = 30 mA, f = 0,2 1 Ghz

S12 y S21
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Amplificadores de microondas con transistores

Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa


Disear un amplificador consiste en encontrar los valores de las

impedancias ptimas a colocar a su entrada y salida para maximizar su ganancia de transferencia o minimizar su figura de ruido

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Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores

Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa (II)


Circuito equivalente:

IN = S11 +

S12 S 21 L 1 S 22 L S12 S 21 G 1 S11 G

OUT = S 22 +

GT =

1 G 1 L PL 2 = S 21 PDG 1 G S11 2 1 OUT L


2 2

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Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de la estabilidad
Se pretenden detectar las situaciones en las que el amplificador

se convierte en un oscilador, es decir, EXISTE SEAL EN AUSENCIA DE EXCITACIN

i=

V 0 = 0 Z 0

Z G + Z IN = 0

RG = RIN X G = X IN
Tema 4

UNA DE LAS DOS PRESENTA IMPEDANCIA CON PARTE REAL NEGATIVA!


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Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de la estabilidad (II)


Para que no exista oscilacin la impedancia de entrada debe

tener parte real siempre positiva.

IN

S12 S21 L = S11 + <1 1 S22 L S12 S21G <1 1 S11G

OUT = S22 +

Una vez elegido el transistor y su punto de polarizacin, la

estabilidad de una puerta solo depende de la carga de la otra. Hay que detectar los valores de coeficiente de reflexin en la carga que hacen el coeficiente de reflexin a la entrada mayor o igual que uno!
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Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de la estabilidad (III)


Si para cualesquiera valores de L y G correspondientes a

cargas pasivas, los valores de los mdulos in y out son menores que la unidad, entonces se dice que el transistor es INCONDICIONALMENTE ESTABLE.
En caso contrario, se dice que el transistor es

CONDICIONALMENTE ESTABLE.

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Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de estabilidad
Para la puerta de entrada, se trata de resolver:

S12 S 21 L =1 S11 + 1 S 22 L
La ecuacin anterior representa una circunferencia de centro y

radio dados por:

CL

S ( =

22

S
2

* * 11 2

11

S22

; rL =

S12 S21 S22


2 2

Las soluciones son los valores de L que hacen Zin = 0 + jX


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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de estabilidad (II)


Anlogamente, considerando la salida del transistor

S12 S 21 G S 22 + =1 1 S11 G
La ecuacin anterior representa una circunferencia de centro y

radio dados por:

CG

S ( =

11

S22
2

* * 2

12

S11

; rG =

S12 S21 S11


2 2

Las soluciones son los valores de g que hacen Zout = 0 + jX


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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de estabilidad (III)


Consideremos un transistor caracterizado por la siguiente

matriz S:

S Z0

0.770-166 = 6.1189

0.02935 0.365-34

Los valores de los centros y radios de los crculos de estabilidad

son:

CG = 1.28169 rG = 0.314
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CL = 2.62151.2 rL = 1.713
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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de estabilidad (IV)


Estabilidad a la entrada

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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de estabilidad (V)


Estabilidad a la salida

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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de estabilidad (VI)


El crculo delimita las regiones que hacen el coeficiente de

reflexin mayor o menor que uno. Para determinar cual regin corresponde a cada caso es necesario probar valores:

Z G = 0,1 j G = 0,98 + j 0,198 OUT = 1,150,87 Z G = 1 G = 0 OUT = S 22 = 0,36534 Z L = 2 j L = 0, 6 + j 0,8 IN = 1, 03167,67 Z L = 1 L = 0 IN = S11 = 0, 770166
Regla prctica: Si los mdulos de los parmetros S11 y S22 son

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menores que la unidad los centros de las cartas de Smith de salida y entrada respectivamente pertenecen a la regin estable
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Amplificadores de microondas con transistores

Factor de Rollet
El factor de ROLLET Permite valorar numricamente si un

transistor es incondicionalmente o condicionalmente estable. El transistor es incondicionalmente estable si se cumple que:

K >1 <1

1 S11 S 22 + K= 2 S12 S 21
2 2

Otra posibilidad es emplear el factor de Edwards-Sinsky para

medir la estabilidad. La estabilidad del transistor es mayor cuanto mayor sea el valor de .

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=
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1 S11
* 11

S22 S + S12 S 21

>1
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Amplificadores de microondas con transistores

Amplificador incondicionalmente estable.


Si el transistor es incondicionalmente estable, es posible la

adaptacin conjugada simultnea:

L = * OUT = ML G = * IN = MG

Se obtiene en este caso la mxima ganancia disponible, MAG.

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GTadaptacion
conjugada simul tan ea

S21 = MAG = K K2 1 S12

)
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Amplificadores de microondas con transistores

Amplificador condicionalmente estable


En los diseos en los que no es posible conseguir la MAG (K<1)

se fija una cota de seguridad en el clculo de la ganancia llamada Mxima Ganancia Estable, MSG. Es el lmite de la MAG cuando el factor de Rollet es igual a 1.

MSG =

S 21 S12

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Amplificadores de microondas con transistores

Amplificadores de microondas con transistores


Estudio de los parmetros S de un transistor. Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. Estudio de la estabilidad. Circunferencias de estabilidad. Factor de Rollet. Amplificador incondicionalmente estable. Amplificador condicionalmente estable. Diseos ptimos en ganancia. Adaptacin conjugada simultanea.

Mxima ganancia disponible, MAG. Mxima ganancia estable, MSG. Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia. Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.

Amplificadores con una puerta desadaptada.


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Diseos ptimos en ruido. Figura de ruido mnima. Circunferencias de figura de ruido. Aproximacin unilateral.
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Amplificadores de microondas con transistores

Adaptacin conjugada simultnea


Para lograr la adaptacin conjugada simultnea es condicin

suficiente:

K >1
G = MG = IN
ML = L = OUT

GT = MAG

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Amplificadores de microondas con transistores

Adaptacin conjugada simultnea (II)


Coeficientes de reflexin que adaptan conjugadamente de

manera simultnea
2 BG BG 4 AG 2

MG =

2 AG

G ' = G ''

AG = S11 S22

BG = 1 S11 + + S22
2 2

)
2

22

ML =

BL B 4 AL
2 L

2 AL

L ' = L ''

AL = S22 S11

BL = 1 S22 + + S11
2 2

)
2

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Amplificadores de microondas con transistores

Amplificadores con una puerta desadaptada


Por razones de estabilidad, o por objetivos de diseo, puede ser

necesario o deseable desadaptar alguna de las puertas del transistor. En estos casos, las impedancias hacia el generador o la carga son diferentes de las impedancias que adaptan conjugadamente la entrada y la salida. En temas anteriores estudiamos la ganancia en potencia y la ganancia disponible.

1 G PDL 1 2 = GD = S21 PDG 1 S11G 1 OUT


2

= f ( G )

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PL 1 = GP = PIN 1 IN
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S21

1 L = f (L ) 1 S22 L
2

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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de ganancia disponible


Si se deja desadaptada la puerta de salida y se adapta la puerta de

entrada, la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en potencia. Los valores de coeficiente de reflexin que consiguen una misma cantidad de ganancia disponible se encuentran situados en una circunferencia sobre la carta de Smith.

CD =
2 D

gd C 1 + gd D1
2

* 1

gd =

GD S21
2

24

r CD =

1 gd 1 S22 1 + gd D1

* C1 = S11 S22

D1 = S11
2

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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de ganancia disponible (II)


Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con

anterioridad:

0.770-166 S Z0 = 6.1189
La MSG del transistor es:

0.02935 0.365-34

S21 MSG = = 210,69 23, 24dB S12


CDG = MSG 2 dB = 0,854169,023 rDG = MSG 2 dB = 0,187
Tema 4

Algunos valores de los centros y radios de los crculos de

estabilidad son:

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CDG = MSG = 0,974169,023 rDG = MSG = 0,128

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Circunferencias de ganancia disponible (III)

Estabilidad

MSG MSG 2 dB MSG 5 dB MSG 10 dB MSG 15 dB


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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de ganancia en potencia


Si se deja desadaptada la puerta de entrada y se adapta la puerta de

salida, la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en potencia. Los valores de coeficiente de reflexin que consiguen una misma cantidad de ganancia en potencia se encuentran situados en una circunferencia sobre la carta de Smith.
* g p C2

CP =

1 + g p D2
2

gp =

GP S21
2

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r CP =
2 P

1 gp 1 S 1 + g p D2

2 11

* C2 = S22 S11

D2 = S22
2

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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de ganancia en potencia (II)


Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con

anterioridad:

0.770-166 S Z0 = 6.1189
La MSG del transistor es:

0.02935 0.365-34

S21 MSG = = 210,69 23, 24dB S12


CPG = MSG 2 dB = 0,70651,20 rPG = MSG 2 dB = 0,411
Tema 4

Algunos valores de los centros y radios de los crculos de

estabilidad son:

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CPG = MSG = 0,96651,20 rDG = MSG = 0,338

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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de ganancia en potencia (III)

Estabilidad MSG MSG 2 dB MSG 5 dB MSG 10 dB MSG 15 dB


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Amplificadores de microondas con transistores


Estudio de los parmetros S de un transistor. Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. Estudio de la estabilidad. Circunferencias de estabilidad. Factor de Rollet. Amplificador incondicionalmente estable. Amplificador condicionalmente estable. Diseos ptimos en ganancia. Adaptacin conjugada simultanea.

Mxima ganancia disponible, MAG. Mxima ganancia estable, MSG. Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia. Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.

Amplificadores con una puerta desadaptada.


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Diseos ptimos en ruido. Figura de ruido mnima. Circunferencias de figura de ruido. Aproximacin unilateral.
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Amplificadores de microondas con transistores

Amplificadores de figura de ruido mnima


La figura de ruido que presenta un amplificador solo depende

de las condiciones de adaptacin a la entrada del transistor.

F = Fmin +

(1 ) 1 +
2 G

4rn G opt

2 2 opt

rn =

Rn Z0

Los parmetros de ruido del transistor son Fmin, opt y Rn. Sus

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valores varan con la frecuencia y el punto de polarizacin. Puesto que, en general, opt y mg no coinciden, no es posible conseguir simultneamente mxima ganancia y mnima figura de ruido.
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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de figura de ruido constante


Los valores de coeficiente de reflexin hacia el generador que

dan lugar a igual figura de ruido estn situados sobre una circunferencia en la carta de Smith del plano de entrada. Se define N como:

N=

G opt 1 G
2

F Fmin = 1 + opt 4rn

El centro y radio de los crculos es:

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1 rN = 1+ N
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N + N 1 + opt
2

CN =

opt

1+ N
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Amplificadores de microondas con transistores

Circunferencias de figura de ruido constante (II)

Fmin = 1dB opt = 0, 2150 Rn = 10


Fmin Fmin + 0,5 dB Fmin + 1,0 dB Fmin + 1,5 dB Fmin + 2,0 dB
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Estudio de los parmetros S de un transistor. Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. Estudio de la estabilidad. Circunferencias de estabilidad. Factor de Rollet. Amplificador incondicionalmente estable. Amplificador condicionalmente estable. Diseos ptimos en ganancia. Adaptacin conjugada simultanea.

Mxima ganancia disponible, MAG. Mxima ganancia estable, MSG. Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia. Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.

Amplificadores con una puerta desadaptada.


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Diseos ptimos en ruido. Figura de ruido mnima. Circunferencias de figura de ruido. Aproximacin unilateral.
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Amplificadores de microondas con transistores

Aproximacin unilateral
Un cuadripolo se dice unilateral cuando su parmetro S12 = 0 En este caso:

IN = S11 OUT = S 22

GTu =

(1 )
2 G

(1 S11G )

S 21

(1 )
2 L

(1 S22 L )

GTu = G1G0G2

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Amplificadores de microondas con transistores

Aproximacin unilateral (II)


Diseo incondicionalmente estable:

S11 < 1; S 22 < 1


El valor mximo de ganancia Gtumx se obtiene mediante

adaptacin conjugada simultnea de entrada y salida

G = S11 L = S 22

* *

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GTu max =

1 1 S11
2

S 21

1 1 S 22
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Amplificadores de microondas con transistores

Aproximacin unilateral (III)


Los valores de G o L que provocan un mismo valor de

ganancia G1 o G2 estn situados en sendas circunferencias sobre la carta de Smith


* G1S11 * G2 S 22

C1 =

1 + G1 S11

C2 =
2

1 + G2 S 22

r1 =

1 G1 1 S11 1 + G1 S11
2

r2 =

1 G2 1 S 22 1 + G2 S 22
2

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Amplificadores de microondas con transistores

Aproximacin unilateral (IV)


Diseo condicionalmente estable:

S11 > 1
condiciones:

S 22 > 1
1 L = S22

La oscilacin es posible cuando se cumple alguna de las siguientes

1 G = S11

Se debe elegir el coeficiente de reflexin de manera que su parte real

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sea mayor que la del punto 1/Sii* Propiedad de la carta de Smith: La resistencia negativa asociada a un coeficiente de reflexin se puede calcular obteniendo el punto conjugado inverso, interpretando las circunferencias de resistencia como negativas y las de reactancia tal cual
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Amplificadores de microondas con transistores

Aproximacin unilateral (V)


Error cometido en la aproximacin unilateral

S12 S 21 L G X= (1 S11G )(1 S22 L )

GT 1 = GTu 1 X

1
2

1+ X

<

GT 1 < GTu 1 X

Para el caso de la ganancia mxima unilateral, se define el

factor de mrito unilateral, U:

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U=

(1 S )(1 S )
2 2 11 22

S11S12 S 21S 22

1 1+ U
2

<

GT 1 < GTumax 1 U 2
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