Captulo 1 Redes cristalinas y tipos de cristales

1.1 Concepto de estado slido , 13 1.2 Celdas unitarias y redes de Bravais, 14 1.3 Algunas estructuras cristalinas simples, 18 1.4 Planos cristalinos e ndices de Miller, 23 1.5 Espaciam iento de los planos en las redes cristalinas, 25 1.6 Clasificacin general de los cristales, 27

Captulo 2 Anlisis cristalogrfico con rayos x

2.1 Introduccin, 31 2.2 Fsica de la difraccin de los rayos X: las ecuaciones de V on Laue, 34 2.3 F actor de dispersin atm ica, 37 2.4 F actor geom trico de la estructura, 40 2.5 La red recproca, 43 2.6 La condicin de Bragg en funcin de la red recproca, 47

Captulo 3 Dinmica de las redes cristalinas

Vibraciones elsticas de m edios continuos, 51 Velocidad de grupo de trenes de ondas arm nicas, 53 3.3 Movimiento ondulatorio en redes atm icas unidim ensionales, 55 3.4 Estructuras diatm icas unidim ensionales, 62 3.5 Regin de frecuencia prohibida, 65 3.6 Excitacin ptica de vibraciones reticulares en cristales inicos, 67 3.7 Energa de enlace de estructuras cristalinas inicas, 69 3.1 3.2

Contenido 8 Capitulo 4 Mecnica cuntica, generalidades

4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 4.10 4.11 4.12 4.13 4.14 4.15 4.16 Introduccin, 79 R adiacin del cuerpo negro, 79 Efecto fotoelctrico, 81 Calor especfico de los slidos, 83 El tom o de Bohr, 84 La hiptesis de De Broglie y las propiedades ondulatorias de la m ateria, 87 M ecnica ondulatoria, 87 D ependencia del tiem po de la funcin de onda, 91 La partcu la libre y el principio de incertidum bre, 94 Una partcu la en u n pozo de potencial unidim ensional e infinitam ente profundo, 100 Una partcula en un pozo unidim ensional de profundidad finita, 103 El oscilador arm nico unidim ensional, 111 O etogonalidad de las funciones propias y la superposicin de estados, 119 Valores esperados y nm eros cunticos, 123 El tom o de hidrgeno, 128 El espn electrnico, el principio de exclusin de Pauli y el sistema peridico, 141

Captulo 5 Mecnica estadstica, generalidades

5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 Introduccin, 147 La funcin de distribucin y la densidad de los estados, 148 La distribucin M axwell-Boltzmann, 153 La estadstica de Maxwell-Boltzmann para un gas ideal, 161 Estadstica de Fermi-Dirac, 168 La distribucin Bose-Einstein, 176

Captulo 6 Vibraciones reticulares y propiedades trmicas de los cristales

Clculos clsicos del calor especfico reticular, 181 6.2 T eora de Einstein sobre el calor especfico, 183 6.3 T eora de D ebye sobre el calor especfico, 186 6.4 El fonn, 192 6.5 Expansin trm ica de los slidos, 193 6.6 C onductividad trm ica reticular de los slidos, 195 6.1

Contenido 9
Captulo 7 Teora del electrn libre de los metales
7.1 7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 Introduccin, 203 La ecuacin de Boltzm ann y la trayectoria libre m edia, 204 C onductividad elctrica de un gas de electrones libres, 209 Conductividad trm ica y efectos term oelctricos en sistemas de electrones libres, 215 Procesos de dispersin, 219 El efecto de Hall y otros efectos galvanom agnticos, 222 Capacidad trm ica de sistemas de electrones libres, 225

203

Captulo 8 Teora cuntica de los electrones en redes peridicas

Introduccin, 231 El teorem a de Bloch, 232 El m odelo de Kronig-Penney de un cristal infinito unidim ensional, 235 8.4 Cantidad de m ovim iento del cristal y masa efectiva, 240 8.5 R epresentacin de zona reducida; electrones y huecos, 243 8.6 La aproxim acin del electrn libre, 248 8.7 La aproxim acin del enlace firme, 255 8.8 Dinm ica del electrn en estructuras bidim ensionales y tridim ensionales; superficies de energa constante y zonas de Brillouin, 260 8.9 Aisladores, sem iconductores y m etales, 269 8.1 0 Densidad de la funcin de estados y cambios de fase en aleaciones binarias, 273 8.1 8.2 8.3

Captulo 9 Semiconductores electrnicos uniformes en equilibrio

Sem iconductores, 281 Sem iconductores intrnsecos y sem iconductores con im purezas, 284 9.3 Estadstica de huecos y electrones El caso del sem iconductor intrnseco, 288 9.4 Energa de ionizacin de centros de im purezas, 292 9.5 Estadsticas de los sem iconductores con im purezas, 295 9.6 El caso de la ionizacin incom pleta de niveles de im pureza (T em peratura m uy baja), 300 9.7 C onductividad, 302 9.8 El efecto de Hall y la m agnetorresistencia, 306 9.9 Resonancia de ciclotrn y superficies elipsoidales de energa, 316 9.10 Densidad de estados, conductividad y efecto de Hall con superficies complejas de energa, 327 9.11 Mecanismos de dispersin y m ovilidad de los portadores de carga, 335 9.1 9.2

281

Contenido 10
Captulo 10 Exceso de portadores en semiconductores
10.1 10.2 10.3 10.4 10.5 10.6 10.7 10.8 Introduccin, 347 C om portam iento de transporte de los portadores excedentes; las ecuaciones de continuidad, 348 Algunas soluciones particulares de la ecuacin de continuidad, 361 Movilidad de arrastre y el experim ento de Haynes-Shockley, 371 Recom binacin superficial y condiciones de frontera superficiales, 374 Fotoconductividad de estado estacionario, 379 F otoconductividad transitoria; tiem po de vida de los portadores en excedentes, 383 M ecanismos de recom binacin; la teo ra de recom binacin de Shockley-Read, 390

347

Captulo 11 Tecnologa de materiales y medicin de propiedades >E volumtricas

Preparacin de los m ateriales sem iconductores de alto grado de pureza, 401 11.2 Crecim iento de m uestras m onocristalinas, 407 11.3 M edicin de la resistividad volum trica, 409 11.4 M edicin del contenido de im purezas y la m ovilidad m ediante el efecto de Hall, 411 11.5 Medicin del tiem po de vida de los portadores excedentes, 412 11.6 Dislocaciones y otras im perfecciones, 413 11.1

401

Captulo 12 Teora de las uniones p-n de los semiconductores

12.1 12.2 12.3 12.4 12.5
m

421

La unin p-n, 421 El potencial de contacto interno de equilibrio, 424 Potenciales y campos en las cercanas de una unin p-n, 426 M odelo m atem tico sim plificado de la unin p-n abrupta, 429 Capacitancia de unin; determ inacin del potencial interno, 435

Captulo 13 Rectificadores de unin p-n y transistores

13.1 13.2 13.3 T eora del rectificador de unin p-n, 439 Corrientes y campos en los rectificadores de unin p-n, 447 Rectificadores de unin de tam ao finito; efectos de superficies y term inales hmicas, 452 13.4 Mecanismos fsicos de ru p tu ra en las uniones p-n, 456 13.5 Tcnicas de fabricacin de la unin p-n, 460 13.6 Transistores de unin p:n-p- y n-p-n, 460

439

Contenido 11
C aptulo 14 14.1 14.2 14.3 Uniones p-n a niveles altos de c o m en te; el rectificare p-i-n, 479

Uniones p-n a densidades altas de corriente, 479 El anlisis del rectificador p+ n+ a niveles i altos de corriente, 481 Rectificadores p n; la cada de voltaje en sentido directo i com o una funcin de la tem peratura, 490 O tros dispositivos sem iconductores, 495

C aptulo 15 15.1 15.2 15.3 15.4 15.5

El efecto fotovoltaico p-n y las celdas fotovoltaicas de unin p-n, 495 O tros dispositivos sensibles a la luz; fototransistores, detectores de partculas y detectores infrarrojos, 502 Rectificadores controlados p-n-p-n, 503 Diodos tnel, 506 Transistores de efecto de cam po o unipolares, 509

CAPITULO 16 CONTACTOS METAL-SEMICONDUCTOR Y SUPERFICIES DE SEMICONDUCTORES, 513 16.1 16.2 16.3 16.4 16.5 C ontactos m etal-sem iconductor en equilibrio, 513 Rectificacin por contacto m etal-sem iconductor, 517 Estados superficiales y rectificacin independiente de las funciones de trabajo, 520 Potencial, cam po y carga en la capa superficial de un sem iconductor, 524 Conductividad superficial, efecto de cam po y m ovilidad superficial; propiedades de superficies de sem iconductores reales, 531 535 537 541 543

A pndice a la funcin & dirac A pndice b anlisis tensorial Indice de nom bres Indice de tem as

*v

CAPITULO

Redes cristalinas y tipos de cristales

1.1 CONCEPTO DE ESTADO SOLIDO

Desde un punto de vista general, el trmino slido se aplica a substancias elsticas rgidas, es decir, a substancias que tienen un comportamiento elstico no slo cuando se les somete a fuerzas hidrostticas, sino tambin a esfuerzos de ten sin y cortantes. Por supuesto, existen algunos materiales cuyo comportamiento es tanto elstico como plstico o viscoso, de modo que esta clasificacin no es del todo rigurosa. No obstante, se adoptar como criterio de lo que es una substancia slida, reconociendo que existe un tipo de substancias que, al mismo tiempo, se comporta como slido y como fluido. Los materiales que se pueden considerar como slidos de acuerdo con esta definicin, se dividen en dos categoras: los amorfos y los cristalinos. Entre las substancias amorfas, los tomos o molculas pueden estar enlazados con bastante firmeza entre s; pero poseen poca o ninguna regularidad o periodicidad geomtrica, en la forma en que los tomos estn dispuestos o acomodados en el espacio. Estas substancias son casi siempre viscoelsticas y se pueden considerar como lquidos sobreenfriados. En la figura 1.1 se muestra una representacin bidimensional de un material amorfo.

*o *o 9o *o *o *o

0*0 o o o o o o o o o o 9o o o
Cristalino

o* o* o* o* o* o* o*

0 * 0 . o*\ * o . o o. o o o o O . . O . o o e o o o o 0 0 o o o
Am orfo

Figura 1.1.

Representacin esquemtica en dos dimensiones, que muestra la diferencia existente entre el arreglo atmico de un slido cristalino y otro amorfo.

13

14 Redes cristalinas y tipos de cristales

Por otro lado, las substancias cristalinas se caracterizan por una periodicidad perfecta (o casi perfecta) en su estructura atmica; esta regularidad de estructura proporciona un cuadro conceptual muy simple de un cristal y facilita la tarea de comprender y calcular sus propiedades fsicas. Por esta razn, los slidos cristalinos se comprenden mejor fsicamente que los slidos y lquidos amorfos. En este libro, el tema se restringir principalmente a un estudio de las propiedades fsicas de los slidos cristalinos perfectos o casi perfectos. En algunas ocasiones, la presencia de un nmero relativamente pequeo de imperfecciones tales como tomos de impurezas, vacos en la red o dislocaciones, en un cristal peridico que sera perfecto a no ser por esta circunstancia, puede producir cambios notables en el comportamiento fsico del material. Esta obra se ocupar tambin de ellos segn la importancia que revistan dichos efectos. Por ltimo, es necesario comprender que las muestras macroscpicas de slidos cristalinos tales como metales, cermicas, sales inicas, etc., no siempre se componen de un solo cristal, sino que a menudo estn formados por un conjunto o conglo merado de pequeas unidades de cristal cada una con diferente orientacin de cristal separadas entre s por fronteras o lmites de grano que se pueden consi- , derar como regiones definidas de rupturas y dislocaciones reticulares muy grandes. Principalmente se tratarn las propiedades de diferentes tipos de cristales individuales; pero se intentar comprender la naturaleza de las fronteras o lmites de granos y sealar las principales formas en que pueden influir en las propiedades fsicas de las muestras cristalinas macroscpicas.

1.2 CELDAS UNITARIAS Y REDES DE BRAVAIS En la figura 1.2 se describe la estructura reticular de un cristal bidimensional que se utilizar como ejemplo para explicar ciertos trminos cristalogrficos funda mentales. En relacin con esta figura, se puede seleccionar el paralelogramo ABCD como una celda unitaria de dicha estructura reticular o red, la cual est determinada por los vectores base a y b. Todas las traslaciones del paralelogramo ABCD mediante mltiplos enteros de los vectores a y b a lo largo de las direcciones a y b, darn como resultado su traslacin a una regin del cristal exactamente igual a la original. As pues, todo el cristal se puede reproducir sencillamente si se reproduce la super-

Figu?" 1.2.

Celdas unitarias y vectores base en una estructura reticular bidimensional.

Celdas unitarias y redes de Bravais

15

ficie ABCD que se traslada sobre las direcciones a y b mediante todas las combina ciones posibles de mltiplos de los vectores base a y b. En otras palabras, cada punto de la red del cristal se puede describir por medio de un vector r tal que r = /ia + kb, (1.2-1)

en donde h y k son enteros. Evidentemente, este procedimiento se puede ampliar con suma facilidad para determinar celdas unitarias y vectores base en redes crista linas tridimensionales. Por tanto, se puede llegar a las siguientes definiciones: Celda unitaria: una regin del cristal definida por tres vectores, a, b y c, que al trasladarse por medio de cualquier mltiplo entero de dichos vectores reproduce una regin similar del cristal, Vectores base: conjunto de vectores linealmente independientes a, b, c, que se pueden usar para definir una celda unitaria, Celda unitaria primitiva: la celda unitaria ms pequea (en volumen) que se puede definir para una red dada, Vectores base primitivos: conjunto de vectores linealmente independientes que definen una celda unitaria primitiva. De acuerdo con las anteriores definiciones, en este caso tambin es evidente que cada punto reticular de una red cristalina tridimensional se puede describir mediante un vector de la forma r - h& + kb + le (h, k, l enteros) (1.2-2)

Conviene observar que la celda unitaria se puede definir de varias maneras, poi ejemplo, A'B'C D ' y A "B "C "D son otras posibilidades que describen la celda uni taria ilustrada en la figura 1.2. Estas tres celdas unitarias son de tipo primitivo para esta red y, por ende, existe una ambigedad correspondiente en la seleccin de un conjunto de vectores base primitivos. Cualquiera de los vectores (a, b) o (a', b') podra servir de igual manera. La celda de mayor tamao EFGH de la misma figura es un ejemplo de una celda unitaria que no es primitiva. Se puede demostrar que existen 14 formas de acomodar los puntos en las redes cristalinas, de tal modo que todos los puntos de dichas redes tengan exacta mente el mismo medio circundante. Estas estructuras reticulares conocidas como redes de Bravais se ilustran en la figura 1.3. En el caso de una de estas redes, un observador que ve el cristal desde uno de los puntos de la red, vera exactamente la misma disposicin o arreglo de los puntos circundantes de la red, sea cual fuere el punto que haya seleccionado para observar. A primera vista podra parecer que puede existir otra red de Bravais; por ejemplo, en las 14 redes de Bravais de la figura 1.3 no se incluye un arreglo tetragonal centrado en la cara. La razn de ello es que esta estructura tetragonal centrada en la cara equivale a una red tetragonal_ centrada en el cuerpo, en la que el lado de la base de la celda unitaria es l\/2 veces su valor correspondiente a la disposicin centrada en la cara. La demostracin de este postulado, y la pregunta acerca de por qu las estructuras cbicas centrada en la cara y centrada en el cuerpo son distintas, se le dejan al lector como ejercicio. Estas 14 redes se pueden agrupar en siete sistemas cristalinos, cada uno de los cuales tiene en comn ciertos elementos de simetra caractersticos. Los elementos de simetra que se han escogido para especificar estos siete sistemas son los si guientes:

16 Redes cristalinas y tipos de cristales

Cbica simple

Cbica centrada en la

Cbica centrada en la cara

Tetragonal simple

Tetragonal centrada en el cuerpo

Ortorrmbica simple

Ortorrmbica Ortorrmbica Ortorrmbica centrada en la base centrada en el cuerpo centrada en la cara

Monoclnica Monoclnica simple centrada en la base

Triclnica

Trigonal

Hexagonal

Figura 1.3.

Las catorce redes de Bravais.

(1) Eje de rotacin de orden n: la rotacin alrededor de un eje de este tipo a un ngulo de 2tt/n radianes no produce ningn cambio en la estructura reticular. En este caso, n puede tener los valores 1, 2 ,3 ,4 y 6. La simetra rotacional de 5 veces en una red cristalina es imposible. (2) Plano de simetra: una mitad del cristal reflejada en un [dao semejante que pasa por un punto de la red, reproduce la otra mitad.

Celdas unitarias y redes de Bravais

17

(3) Centro de inversin: un punto de la red alrededor del cual la operacin r -* r (en donde r es un vector a cualquier otro punto de la red) deja a la estructura reticular sin sufrir cambio alguno. (4) Eje de rotacin-inversin: la rotacin alrededor de este eje a lit/n radianes {n = 1, 2, 3, 4, 6) seguida de una inversin alrededor de un punto de la red por el que pasa el eje de rotacin, no produce ningn cambio en la red. Existen otras formas posibles de operaciones de simetra; pero se puede demos trar que todas son equivalentes a combinaciones lineales de estas cuatro. Los siete sistemas cristalinos con sus elementos de simetra representativos y sus caractersticas de celda unitaria aparecen en la tabla 1.1. En la figura 1.4 se describe la notacin que se emplea para las dimensiones y los ngulos de la celda unitaria.

TABLA 1.1 Los siete sistemas cristalinos

Sistema

Elemento caracterstico de simetra* Ninguno Un eje de rotacin doble

Red de Bravais Simple Simple Centrada en la base Simple Centrada en la base Centrada en el cuerpo Centrada en la cara Simple Centrada en el cuerpo Simple Centrada en el cuerpo Centrada en la cara Simple

Caractersticas de la celda unitaria a =b jt c O C ^^y^90 a b=c ^ = a = = 90 # y a b# c a = = y = 90

Triclnico Monoclnico

Ortorrmbico

Tres ejes de rotacin doble mutuamente perpendiculares

Tetragonal

Un eje de rotacin cudruple o un eje de rotacin-inversin cudruple Cuatro ejes de rotacin triple (diagonales cbicas)

a =b a. = y = 90 a= b= c a = = y = 90

Cbico

Hexagonal

Un eje de rotacin sxtuple

a =b = c a = 120 = y = 90 a b c a = i3 = y # 9 0 o

Trigonal (Rombohdrico)

Un eje de rotacin triple

Simple

*Por supuesto, pueden existir otras propiedades de simetra en casos individuales, aqu se indican slo los ms peculiares de cada sistema cristalino en particular.

18 Redes cristalinas y tipos de cristales

Figura 1.4.

Notacin de los ngulos y las dimensiones dentro de la celda unitaria.

Conviene recordar que, por lo general, los puntos de la red de una estructura reticular no representan a un solo tomo, sino ms bien a un grupo de tomos o molcula. En consecuencia, adems de las propiedades de simetra de los puntos reticulares propiamente dichos, se necesita tomar en cuenta las propiedades de sime tra de las molculas o grupos de tomos en cada punto reticular alrededor de los puntos de red propiamente dichos, a fin de enumerar totalmente todas las estruc turas cristalinas posibles. Cuando esto se hace, se descubre que hay 230 patrones repetitivos bsicamente diferentes en los que los elementos se pueden acomodar para formar posibles estructuras cristalinas. Las limitaciones de este libro no permiten estudiar y enumerar todas estas posibilidades en detalle. Si el lector desea obtener datos ms detallados sobre este tema, convendr que consulte una de las obras que tratan sobre cristalografa y que se citan al final de este captulo.

1.3

ALGUNAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS SIMPLES

De acuerdo con la figura 1.3, es evidente que existen tres redes cbicas posi bles, es decir, la cbica simple, la cbica centrada en el cuerpo y la cbica centrada en la cara. La celda cbica unitaria que se ilustra en la figura 1.3 como la red cbica simple, constituye tambin la celda unitaria primitiva, dado que contiene el mnimo irreductible de un tomo por cada celda. Este resultado se obtiene obser vando que en la celda cbica simple se tienen ocho tomos en los ocho vrtices de la celda, donde, cada tomo es compartido en la misma forma por ocho celdas unitarias adyacentes a cada vrtice. Por tanto, se puede decir que se tienen 8 tomos en las esquinas y que 1/8 de cada uno de stos pertenece a esta celda en particular, dando un total de un tomo por celda unitaria. La celda cbica correspondiente a la estructura cbica centrada en la cara, contiene 8 tomos en los vrtices, compartidos por 8 celdas y 6 tomos centrados en la cara, que son compartidos por dos celdas, lo cual da un total de 8(1/8) + 6(1/2), o bien, 4 tomos dentro de la celda cbica. En la celda cbica correspondiente a la estructura cbica centrada en el cuerpo, se tienen 8 tomos en los vrtices compartidos por 8 celdas y un tomo central que pertenece exclusivamente a dicha celda, dando un total de 8(1/8)+ 1 2 tomos dentro de la celda cbica. Para estructuras simples que contienen tomos de un solo tipo, la celda unitaria primitiva contiene casi siempre un solo tomo y, por tanto, se puede llegar a la conclusin de que la celda cbica centrada en la cara y la centrada en el cuerpo no son primitivas. En efecto, este es el caso; las celdas primitivas para las estructuras cbica centrada en la cara y cbica centrada en el cuerpo, se ilustran

V .' >

Algunas estructuras cristalinas simples

19

Figura 1.5.

Celdas unitarias primitivas de redes cbicas centrada en la cara y centrada en el cuerpo.

en la figura 1.5. Cada celda primitiva contiene un solo tomo. Como siempre, estas celdas primitivas no son las nicas que se pueden definir, ya que existen muchas opciones posibles de grupos de vectores base primitivos para cualquiera de las estruc turas. La celda primitiva para la estructura cbica centrada en la cara que se ilustra en la figura 1.5 es, obviamente, un caso especial de una estructura trigonal en la que a = (3 = y = 60. Para este valor particular de a, la estructura trigonal posee una simetra cbica y se reduce a la red cbica centrada en la cara. Por supuesto, se puede hacer caso omiso de la celda cbica de la red cbica centrada en la cara y considerar que la estructura sea de tipo trigonal con a = 60, empleando slo la celda primitiva de la figura 1.5. Sin embargo, casi siempre conviene considerar la mayor celda cbica como la base del cristal, en lugar de utilizar la celda primitiva, ya que esto permite representar la estructura reticular en un sistema de coordenadas ortogonales (.x, y, z) cual es mucho ms simple que un sistema oblicuoy porque el la red tiene todas las propiedades de simetra relacionadas con la estructura cbica simple. En el caso de la estructura cbica centrada en el cuerpo, por similares consideraciones, se aconseja usar, siempre que sea posible, la mayor celda cbica como la base del cristal. No obstante, para ciertos fines ser absolutamente necesario emplear la celda primitiva; pero estos casos especiales se sealarn cuando surjan. Cuando se tienen esferas iguales dentro de un recipiente, el empaquetamiento ms cerrado o compacto que se puede lograr es tener una capa en la base en la que cada esfera est rodeada por otras seis adyacentes, con capas exactamente iguales encima de ella, tilizando los intersticios triangulares entre las esferas de la capa inferior para acomodar las que se van agregando en la capa inmediatamente superior. Es obvio que en un arreglo de empaquetamiento compacto cada esfera slo tiene 12 vecinas adyacentes, seis que la rodean en la misma capa, 3 en la superior y 3 en la inferior. Cualquier estructura que tiene un empaquetamiento compacto en este sen tido, se caracteriza por la propiedad de que cada tomo tiene 12 vecinos adyacentes y, por lo contrario, no hay otra estructura en la que cada tomo tenga ms de 12 vecinos cercanos.

Redes cristalinas y tipos de cristales

ira 1.6.

Arreglo de capas de empaquetamiento compacto en las redes cbica centrada en la cara con empaquetamiento compacto y la hexagonal con empaquetamiento com pacto. [Tomado con autorizacin de L. V. Azaroff, Introduction to Solids, Mc Graw-Hill (i9 6 0 ), pgina 60.]

Algunas estructuras cristalinas simples

21

Para tener una estructura con esta clase de empaquetamiento compacto, se puede colocar una capa inferior A, luego una segunda capa B como se describi tal en el prrafo anterior despus se pone una tercera capa en la que los tomos , quedan directamente arriba de los de la capa A, a continuacin, la cuarta capa cuyos tomos se ubican directamente arriba de los de la capa B, y as sucesivamente hasta formar un arreglo de capas ABABABAB . . . , como se ilustra en la figura 1.6. Esta estructura tiene una simetra hexagonal y se le conoce con el nombre de estructura hexagonal de empaquetamiento compacto (h.e.c.). De igual modo, se pue den colocar los tomos de la tercera capa ya no directamente encima de los de la primera, sino en una tercera gama de posiciones como se ilustra en la figura 1.6, formando la tercera capa C cuyos tomos quedan arriba, en una posicin diferente a los de las capas A y B. A continuacin se agrega la cuarta capa en las posiciones correspondientes a la capa i y se forma una disposicin de capas ABCABCABC. . . Esta segunda estructura posible de empaquetamiento compacto es sencillamente, la cbica centrada en la cara, que es la normal en las capas de empaquetamiento compacto de la estructura diagonal cbica. De acuerdo con la figura 1.3, se puede ver claramente que cada tomo de la estructura juiblca centrada en la cara tiene slo 12 vecinos contiguos, a una distancia de >2/2 veces el lado del cubo, por lo que la estructura debe ser de empaquetamiento compacto, .Por el -contrario, en la estructura .cbica centrada_en el cuerpo, cada tomo tiene slo 8 vecinos adyacentes a una distancia de ^ 3 /2 veces el lado del cubo; si los puntos reticulares de la estructura cbica centrada en el cuerpo se observaran como si fueran esferas en expansin, stas tocaran el borde del cubo antes de rozar la diagonal y la estructura resultante no tendra un empaquetamiento- tan compacto. En la figura 1.7 se muestran las estructuras de NaCl y CsCl. La estructura del NaCl tiene tomos alternantes de Na y C1 en los puntos reticulares de una red cbica simple. Los tomos de Na quedan en los puntos reticulares de una estructura cbica centrada en la cara, al igual que los tomos de Cl. La estructura del CsCl es bsicamente centrada en el cuerpo y, en ella, los tomos de Cs quedan en las posiciones centradas en el cuerpo y los de Cl en los vrtices del cubo (o viceversa). Hay un gran nmero de cristales inicos que cristalizan en cualquiera de estas dos formas reticulares.

Figura 1.1.

Las estructuras de NaCl y CsCl.

En la figura 1.8 se ilustran las estructuras del diamante y la zincblenda. Las lneas que conectan los tomos de estas estructuras representan los enlaces covalentes de los pares de electrones que estn dispuestos tetrahdricamente alrededor de cada tomo. En estas dos estructuras, cada tomo tiene cuatro vecinos contiguos. En el caso del diamante, la estructura se puede considerar como dos redes cbicas centra das en la cara que se intercalan una en la otra, desplazndose entre s a lo largo de la diagonal del cubo en 1/4 de la longitud de dicha diagonal. Por tanto, la red tiene

22 Redes cristalinas y tipos de cristales

Figura 1.8.

Estructuras de la zincblenda y el diamante.

Figura 1.9.

Diagrama de la estructura reticular de la zincblenda en donde se muestran los contornos de la celda unitaria cbica.

Planos cristalinos e ndices de Miller

23

una simetra cbica. La descripcin anterior de la red del diamante se puede en tender mejor estudiando la figura 1.9 en donde se muestra cmo la red del diaman te se puede describir mediante una celda unitaria cbica. El silicio, el germanio y el estao ex- (gris) se cristalizan tambin en la estructura del diamante. La estructura de la zincblenda est ntimamente relacionada con la del diamante. En el caso de la zincblenda, la estructura se puede representar como dos redes cbicas centradas en la cara que tienen una interpenetracin, al igual que el diamante, excepto que una de las redes cbicas centradas en la cara se compone por completo de tomos de zinc y la obra est constituida totalmente por tomos de S. Por supuesto, esta estructura reticular tambin tiene simetra cbica. Los compuestos semiconductores III-V, InSb, GaAs, GaSb, InP, GaP, etc., se cristalizan con esta misma estructura. Lo compacto del empaquetamiento de los tomos en cualquier estructura dada se puede inferir del nmero de vecinos ms cercanos que rodean a cada tomo. Esta cifra, que con frecuencia se denomina nmero de coordinacin del cristal, puede variar de un mximo de 12 en las estructuras de empaquetamiento compacto hasta el 4, en el caso del diamante y la zincblenda, cuyas estructuras son relativa mente abiertas .

1.4

PLANOS CRISTALINOS E INDICES DE MILLER

En un cristal de red peridica regular, con frecuencia es necesario mencionar el sistema de planos dentro del cristal que corren en ciertas direcciones, cortando varios ^conjuntos de tomos. As pues, las capas con empaquetamiento compacto de las redes cbicas centradas en la cara y hexagonal con empaquetamiento compacto, forman sistemas muy definidos e importantes de planos cristalinos. La orientacin de estos sistemas de planos dentro del cristal se especifica mediante tres nmeros deno minados ndices de Miller, que se pueden determinar como sigue: (1) Se toma como origen cualquier tomo del cristal y se levantan ejes de coordenadas a partir de dicho tomo en las direcciones de los vectores base. (2) Se encuentran las intersecciones de un plano que pertenece al sistema, expresndolos como mltiplos enteros de los vectores base a lo largo de los ejes cristalinos. (3) Se sacan los recprocos de estos nmeros y se 'reducen a la trada ms pequea de enteros h, k, l, que tienen la misma relacin. De donde, la cantidad (hkl) constituye los ndices de Miller de dicho sistema de planos. Por ejemplo, en la figura 1.10 se muestra un plano cuyas intersecciones son el doble de la distancia reticular a,, tres veces la distancia reticular i y 4 veces la distancia reticular c. Los ndices de Miller de la familia a la que pertenece este plano se obtienen sacando los recprocos de estos nmeros, es decir, 1/2, 1/3, 1/4, y reducindolos a la trada ms pequea posible de enteros que tengan la misma relacin. Esto se logra multiplicando cada uno de los recprocos por doce, que en este caso dan 6 ,4 ,3 . Los ndices de Miller se escriben simplemente encerrando estos 'tres nmeros entre parntesis; en este ejemplo, el plano forma parte de una familia de planos (643) o sea, un plano. Puede haber un nmero de sistemas de planos cuyos ndices de Miller difieran *por permutacin de los nmeros o de signos menos y, sin embargo, ser todos cristalogrficamente equivalentes en lo que respecta a densidad de tomos y espa-

24 Redes cristalinas y tipos de cristales

ciamiento interplanar. Por ejemplo, en una red ortogonal, los siguientes planos (hkl), (hkl), (hkl), (hkl), (hkl), (hkl), etc., obtenidos al asignar varias combinaciones de signos menos a los ndices de Miller, son equivalentes en este sentido. (Se acostum bra escribir los signos menos encima y no antes de los ndices de Miller.) De igual modo, en una estructura reticular cbica, todos los planos representados por permu taciones de los tres ndices de Miller entre s mismos, tales como (hkl), (khl), (hk), etctera, al igual que los que se obtienen tomando varias combinaciones de signos me nos, son cristalogrficamente equivalentes. Cuando se hace referencia a un grupo , completo de planos cristalogrficamente equivalentes, de los cuales (hkl) es un miem bro, se acostumbra encerrar los ndices de Miller entre llaves, o sea, {hkl}. Si el plano es paralelo a uno o dos de los vectores a, b,c, una o dos de las intersecciones se localizarn en el infinito; los ndices de Miller correspondientes son, por tanto, cero. Por ejemplo, si el plano que se ilustra en la figura 1.10 se hace girar alrededor de la lnea AB hasta que queda paralelo a c, las intersecciones se convierten en 2 ,3 , y los ndices de Miller son, en consecuencia (320). Si se hace girar ms todava alrededor de una lnea perpendicular al plano a y b pasando por el punto A hasta que quede en paralelo a b, las intersecciones sern 2, , <, y los ndices de Miller son (100). El lector debe conocer a fondo las familias de planos {100} (planos de cara cbica), {110} y de {111} para las redes cbicas. Los ndices de una direccin dentro de un cristal se pueden expresar como un conjunto de enteros que tienen la misma relacin que los componentes de un vector en esa direccin, expresados como mltiplos de los vectores base a, b, c. Por tanto, el ndice de direccin de un vector ha + kb + lc es, en todo caso, [hkl). Los parn tesis cuadrados que encierran las tres cifras sealan los tres ndices de direccin. Por supuesto, las direcciones con distintos ndices direccionales pueden ser cristalogr ficamente diferentes en la misma forma que los planos cristalinos con distintos ndices de Miller; sobre todo las normales a los planos cristalogrficamente equiva lentes tambin deben tener direcciones cristalogrficamente equivalentes. El conjunto completo de direcciones cristalogrficamente equivalentes de las cuales [hkl] es un miembro, se expresa encerrando los ndices de direccin en la siguiente forma: (hkl). En cristales cbicos, una direccin con ndices direccionales [hkl\ es normal a un plano cuyos ndices de Miller son (hkl); pero, por lo general, esto no se aplica a otros sistemas. Esta es otra de las razones aceptables para relacionar las redes cbicas centradas en el cuerpo y la centrada en la cara con estructuras cbicas ms que con celdas unitarias primitivas. El comprobar este resultado queda como ejercicio para el lector. La posicin de los puntos de una celda unitaria se especifica en funcin de las partes fraccinales de las magnitudes de los vectores de base a lo largo de las direcciones de coordenadas correspondientes, tomando siempre como origen el tomo

Espaciamiento de los planos en las redes cristalinas

25

de un vrtice. Por ejemplo, las coordenadas del punto central de una celda unitaria son (1/2, 1/2,1/2) y las coordenadas de los centros de las caras son (1/2, 1/2, 0), (0, 1/2, 1/2), (1/2, 0, 1/2), (1/2, 1/2, 1), (1, 1/2, 1/2) y (1/2, 1, 1/2).

1.5

ESPACIAMIENTO DE LOS PLANOS EN LAS REDES CRISTALINAS

De acuerdo con la figura 1.10, se podra pensar que el espaciamiento existente entre los planos vecinos del sistema (hkl) sera simplemente igual a la longitud de la normal al plano definida por las intersecciones dadas y el origen. Sin embargo, generalmente no es as y la razn es que al determinar la ubicacin de un plano (hkl) desde ciertas distancias de interseccin, el origen se podra tomar como cual quier punto reticular del cristal, por lo qu'e un plano (hkl) debe pasar por cada punto reticular del cristal. Esto se ilustra grficamente en la figura 1.11 para el caso de un conjunto de planos en una estructura reticular bidimensional. El sistema de planos es el que determinan las intersecciones 3a y 2b a lo largo de los ejes, a y b, respectivamente. En consecuencia, ls ndices de Miller son (23) (o bien, (230) si se piensa que los planos son paralelos a un eje c que sale del plano de la hoja de papel en un cristal tridimensional). Los planos que estn delineados con lneas ms gruesas son los que se determinan "por medio de las distancias de interseccin (3a, 2b) y el origen se escoge en O. No obstante, el origen podra haberse escogido en el punto reticular nmero 1 , en cuyo caso se habran definido los planos de trazo ms ligero marcados con 1, utilizando el mismo conjunto de distancias de interseccin. De igual manera, el origen se podra haber ubicado en los puntos reticulares 2, 3, 4 5, en cuyo caso, usando todava el mismo conjunto de distancias de interseccin, el conjunto de planos nmeros 2, 3, 4 y 5 habran quedado definidos. Sin embargo, ahora se tiene un plano de esta familia que pasa por cada tomo del cristal, entre

(3 z ~) \V W s. -- i i 3 ~ c

h.

2 '

Figura 1.11.

Una representacin de todas las lneas (23) dentro de una red bidimensional. Si existe uij eie c- normal al nlano del papel, este sistema de lneas se puede consi derar como los trazos de planos (230) (que son normales a la pgina) en el plano del papel. Observe que slo se tiene una lnea (o plano) del sistema que pasa por cada punto reticular.

26 Redes cristalinas y tipos de cristales

los cuales se intercalan 5 planos adicionales entre cada par de planos originales de trazo grueso. Ahora se ve que las intersecciones de los planos adyacentes a lo largo de los ejes a y b difieren, respectivamente, en a2 y b/3. Para un -conjunto de n dices de Miller (h k ) estas intersecciones diferirn en a/h y b/k. Para demostrarlo, vase primero el rea OACB de la figura 1.11. Se tienen los puntos reticulares hk que pertenecen a esta rea, ya que consiste en hk celdas unitarias que tienen cada una de ellas un solo punto reticular. La regin ABCD, que obviamente equivale en superficie a OACB (ambas se pueden tomar como superposi ciones de dos tringulos congruentes a OAB) por tanto, tambin tiene hk puntos reticulares. Esta superficie tambin contiene slo hk planos reticulares (6 en el ejem plo anterior), uno por cada uno de los puntos reticulares hk dentro del rea. Se observar que cada plano puede cortar slo un punto reticular dentro de ABCD, excepcin hecha de los planos que cortan los puntos reticulares de las fronteras, que pueden pasar por dos puntos reticulares, de los cuales un medio o un cuarto pueden pertenecer a ABCD, dependiendo de que dichos puntos reticulares as intersecados representen tomos laterales o de vrtices. En consecuencia, en ABCD hay hk planos del sistema que se intersecan con el eje b dentro de una distancia hb, siendo la diferencia que hay entre las intersecciones b de los planos adyacentes, hb/hk = b/k. De la misma manera, en el rea ABEC que tambin es igual en superficie a OACB y que contiene tambin h k puntos reticulares y hk planos, se observa que se tienen hk que cortan el eje a en una distancia ka, en donde la diferencia existente entre las in tersecciones a de los planos adyacentes del sistema es a/h. Para simplificar los conceptos geomtricos, este resultado se obtuvo para un cristal bidimensional (o para planos paralelos al eje c de un cristal tridimensional). Sin embargo este mismo argumento se puede ampliar en una forma muy directa para un conjunto de planos (hkl) de un cristal tridimensional teniendo como resultado el hecho de que las distancias entre las intersecciones entre los ejes y los planos adyacentes de un sistema con ndices de Miller (hkl) a lo largo de los ejes a-, b- y c- son, respectivamente, a/h, b/k y c/l. El desarrollo de la exposicin para un cristal tridimensional queda de ejercicio para que el lector lo resuelva. El espaciamiento real d que hay entre los planos adyacentes se puede calcular tomando cualquier punto reticular como origen, levantando ejes en las direcciones

__ c

b k

Figura 1.12.

Angulos direccionales de la normal al plano {hkl).

Gasificacin general de los cristales

27

a-, b- y c-, y encontrando la distancia perpendicular existente entre este origen y el plano cuyas intersecciones con el eje son a/h, b/k. y c/l. En relacin con la fi gura 1.12, es obvio que d = OP = - eos a = - eos p = - eos y,
a h b k e l

(1-5-1)

/ici\

en donde a,@ ,y son los ngulos que hay entre la normal al plano y los ejes a-, by c-, respectivamente. No obstante, si n es el vector unitario normal al plano, se tiene que n a = a eos a, etc., y

i,

"J ,
k

-C l

(1.5-2)

En una red ortogonal, tomando el eje de la coordenada x a lo largo de a, el eje y sobre b y el eje z sobre c, la ecuacin del plano (hkl) cuyas intersecciones con los -ejes son a/h, b/k, c/l, es
f < x ,y ,z )- - + -g + - = l .

hx

ky

Iz

(1. )

...

Si f(x, y , z) = constante es la ecuacin de una superficie, entonces \ f es un vector norml a dicha superficie y la unidad normal n est dada por
Yf

"=wr
d=

(h/a)ix + ( k/b) iy + (l/c)iz

w y
., 1

V a 2 + b 2 + c2

~1
....,

y el espaciamiento d que hay entre los planos adyacentes (hkl) es simplemente

h K+ - + t a b cf
2 2

(1.5-5)

de acuerdo con (1.5-2). En este punto conviene observar que a, b y c no son vectores unitarios, en este ejemplo, a = a\x , b = biy y c = ciz , en donde ix , iy e iz son la trada usual de vectores unitarios a lo largo de las direcciones x-, y- y z-, respectivamente. En estructuras reticulares no ortogonales, el problema de encontrar el espaciamiento existente entre planos adyacentes en trminos explcitos de los espaciamientos y los ngulos reticulares se hace ms complejo y no se estudiar en esta obra, aunque las expresiones generales (1.5-1) y (1.5-2) son correctas tanto para sistemas ortogonales como para los no ortogonales.

1.6

CLASIFICACION GENERAL DE LOS CRISTALES

Para darle al lector una imagen inicial amplia de las propiedades y las caracters ticas de varios tipos de materiales cristalinos, se har un repaso breve de algunas de las caractersticas ms sobresalientes de varias clases de cristales. Por supuesto, se pueden

28 Redes cristalinas y tipos de cristales

clasificar en muchas formas, por ejemplo, segn sus redes cristalinas, propiedades elctricas, propiedades mecnicas o caractersticas qumicas. Sin embargo, para el estudio que nos ocupa, es ms conveniente adoptar un esquema de clasificacin basado en el tipo de interaccin que hace que los tomos del cristal se mantengan unidos. De acuerdo con este esquema de clasificacin, los slidos se subdividen en cuatro categoras generales: inicos, covalentes, metlicos y moleculares. Cada una de estas clases se examinar en lo particular, aunque se reconoce que no son absoluta mente distintos y que algunos cristales pueden posser, al mismo tiempo, caracte rsticas relacionadas con ms de una de estas clases generales. Los inicos son cristales en los que los electrones de valencia se transfieren de un tomo a otro, dando como resultado que el cristal est compuesto de iones positivos y negativos. La fuente de energa cohesiva que mantiene unido al cristal es la interseccin electrosttica de estos iones. La configuracin electrnica de los iones es esencialmente la de un gas inerte, en donde la distribucin de carga de cada ion es esfricamente simtrica. Los compuestos qumicos que contienen tomos muy electropositivos y electronegativos, por ejemplo, NaCl, KBr, LiF, tienden a formar cristales inicos en estado slido. Casi siempre los cristales inicos tienen energas de enlace relativamente altas y, como resultado, se caracterizan por puntos de fusin y ebullicin ms o menos elevado. Tambin se caracterizan por ser malos conductores elctricos a temperaturas normales y casi siempre son transparentes a la luz visible en tanto que muestran un solo pico de reflexin ptico caracterstico en la regin lejana infrarroja del espectro. Los cristales son a menudo muy solubles en disolventes ionizantes tales como el agua, y sus soluciones se disocian fcilmente en iones libres. Casi siempre los cristales inicos se cristalizan en estructuras de empaquetamiento relativamente compacto como las del NaCl y el CsCl. Los cristales covalentes son aquellos en los que varios tomos comparten equi tativamente los electrones de valencia en lugar de transferirlos de unos a otros, como sucede en los cristales inicos. De donde, no se tiene una carga neta asociada con ningn tomo del cristal. A menudo los elementos de las columnas III, IV y V de la tabla peridica forman combinaciones covalentes. Un ejemplo tpico de cristal covalente lo tenemos en el diamante, en el que cada tomo de carbono comparte sus cuatro electrones de valencia con sus cuatro vecinos ms cercanos formando enlaces covalentes de pares de electrones. Los espins de los electrones de estos enlaces de par de electrones son antiparalelos. Estos enlaces covalentes de pares de electrones del diamante son idnticos a las uniones carbono-carbono que se encuentran tan frecuentemente en los compuestos orgnicos. Tienen una naturaleza muy direccional, es decir, los electrones tienden a concentrarse a lo largo de las lneas que unen a los tomos adyacentes y estas lneas tienden a ubicarse tetrahdricamente alrededor de cualquier tomo. Esta disposicin tetrahdrica natural de los enlaces covalentes se satisface en las estructuras del diamante y la zincblenda y se ha descubierto que los cristales covalentes tienen a menudo estas estructuras. Por lo general, los cristales covalentes son materiales duros, quebradizos y de energas de enlace bastante eleva das, con puntos de fusin y ebullicin elevados. Son semiconductores tpicos cuya conductividad elctrica es muy sensible a la presencia de pequeas cantidades de tomos de impurezas y aumenta al incrementarse la temperatura a niveles lo suficien temente elevados. Son transparentes a la radiacin de longitudes de onda largas y opacos a longitudes de onda ms cortas, con una transicin abrupta que se produce a una longitud de onda caracterstica y que casi siempre se localiza en la regin visible o infrarroja cercana. Existe un rango continuo entre las propiedades covalente e inica; un cristal dado puede tener naturaleza tanto covalente como inica y sus electrones de va lencia se transfieren en parte y se comparten parcialmente. En la tabla 1.2, los cristales de la primera columna se componen de tomos de la columna IV del

Clasificacin general de los cristales TABLA 1.2. Cristales covalentes y inicos Compuestos III-V Compuestos II-VI Compuestos' (inicos) I-VII LiF LiCl NaF NaCl KF KC1 LiBr KBr Nal RbCl RbBr KF Rbl CsBr

29

Covalentes (Grupo IV) C (diamante)

Si

BN BP A1N A1P GaP AlAs GaAs InP AISb GaSb In As InSb

Ge

a-Sn

BeO BeS MgO MgS CaO CaS ZnS CaSe ZnSe CdS CdSe ZnTe CdTe

sistema peridico y forman cristales completamente covalentes. Los compuestos de la cuarta columna de la tabla son de I y VII y estn constituidos de tomos muy electropositivos y electronegativos y los cristales de estos compuestos son muy ini cos. La segunda y la tercera columnas contienen compuestos (II-VI y III-V) que son intermedios entre estos dos extremos y tienen naturaleza tanto inica como covalente. Por supuesto, los compuestos III-V son un poco ms covalentes que los com puestos II-VI. Los compuestos intermetlicos III-V forman, a pesar de su carcter ligeramente inico, una serie de semiconductores cuyas propiedades son similares en muchas formas a las de los materiales correspondientes del grupo IV. Los elementos metlicos en estado libre forman cristales metlicos en los que estn presentes electrones libres. El hecho de que haya tales electrones libres explica la elevada conductividad elctrica y trmica de los metales. A su vez, a esta elevada conductividad elctrica se deben directamente los elevados coeficientes de reflexin y absorcin pticas que son las propiedades pticas ms tpicas de los metales. Las propiedades elctricas y trmicas de los metales que se deben a la existencia de los electrones libres, se pueden explicar fcilmente si se supone que el cristal metlico es un recipiente lleno de un gas ideal de electrones libres . La energa de enlace de metales ideales tales como los metales alcalinos, se originan en la interaccin del gas de electrones libres con iones positivos de la red, aunque para muchos otros metales esta imagen es mucho ms compleja. Las energas de enlace reales de los cristales metlicos pueden ser muy bajas, como sucede en el caso de los metales alcalinos, que tienen puntos de ebullicin y fusin relativamente bajos o muy eleva dos, como el tungsteno, cuyo punto de fusin es muy alto. Los cristales moleculares son aquellos en los que el enlace entre tomos o las molculas no es inico ni covalente, sino que se origina exclusivamente en fuerzas dipolares existentes entre los tomos o las molculas del cristal. A pesar de que un tomo o una molcula no tiene un momento dipolar promedio, por lo general tendr un momento dipolar instantneo y fluctuante que se origina en las posiciones instant

30 Redes cristalinas y tipos de cristales

neas de los electrones dentro de sus rbitas. Este momento dipolar instantneo es la fuente de un campo dipolar electrosttico que, a su vez, puede inducir un mo mento dipolar en otro tomo u otra molcula. La interaccin existente entre el mo mento dipolar original y el inducido es de atraccin y puede servir para unir un cristal en ausencia de un enlace de tipo inico y covalente. Las fuerzas de enlace que se originan en interacciones dipolares fluctuantes de esta naturaleza se conocen con el nombre de fuerzas de van der Waals. Casi siempre, estas fuerzas son muy dbiles y la energa de enlace que originan disminuye segn 1/r6, en donde r es la distancia entre los dipolos. Entonces, los cristales moleculares se caracterizan por energas de enlace reducidas y, en consecuencia, por puntos de fusin y ebullicin bajos; por lo general son conductores elctricos deficientes. Los cristales de com puestos orgnicos generalmente pertenecen a esta clase, como es el caso de los gases inertes He, Ne, A, etc., en estado slido.

EJERCICIOS

' 1. Demuestre geomtricamente que la estructura tetragonal centrada en la cara es equiva lente a una red tetragonal centrada en el cuerpo en la que el lado de la base de la celda unitaria es 1/\J2 veces la magnitud que tiene para la disposicin centrada en la cara. Por qu son distintas las estructuras cbicas centrada en la cara y la centrada en el cuerpo? / 2. Demuestre que la proporcin mxima de espacio que se puede llenar con esferas slidas acomodadas en varias estructuras es la siguiente para cada arreglo:

Cbica simple Cbica centrada en el cuerpo Cbica centrada en la cara Hexagonal con empaquetamiento compacto Estructura del diamante

77-/6, 7 7 ^ 3 /8 , 77V ^/ , 7t\^ 2 /6 ,

77\ / 3/16.

3. Analice desde el punto de vista fsico el porqu un cristal real no puede tener un eje de un mltiplo de cinco de simetra rotativa. 4. (a) Dibuje los bosquejos que ilustren los planos (100), (110) y (111) para una celda unitaria cbica. (b) Cuntos planos equivalentes {100'}, {110} y {111} existen en un cristal cbico? Considere que los planos (h kl) y (h kl) son idnticos. 5. (a) Cuntos planos, equivalentes {123} existen en un cristal cbico? (b) Cuntos planos equivalentes {.111} existen en un cristal ortorrmbico? (e) Cuntos planos equivalentes {123} existen en un cristal ortorrmbico? En todos estos pasos se considerar que los planos {hkl) y {hkl) son idnticos. 6. Demuestre que en un cristal cbico la direccin \hkl\ es normal al plano {hkl). 7. Demuestre que las intersecciones entre los ejes y los planos adyacentes {hkl) a lo largo de los ejes, a-, b- y c- dentro de una estructura tridimensional son a/h, b /k y c/l, respectiva mente, utilizando una extensin de los mtodos que se usaron en el caso bidimensional de la seccin 1.5. 8. Demuestre que para las fuerzas de van der Waals, la energa de interaccin de los tomos y las molculas desciende en la forma 1/r6 , en donde r es la distancia que hay entre los tomos o las molculas interactuantes. Nota: principie teniendo en cuenta la energa potencial de un dipolo elctrico en un campo elctrico externo. 9. De acuerdo con los resultados de la teora electromagntica de Maxwell para ondas planas, demuestre que en. el caso de un conductor muy bueno (ff->-, K O = conductividad, K = constante dielctrica) se debe esperar un alto grado de reflectividad superficial y una gran absorcin interna.