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ANALISIS EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR CON BJT

Paola Nieto1,Shelley Turizo1,Jefferson Pea1 David Eliecer Snior Elles2


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Estudiante de pregrado de la facultad de ingeniera, Universidad tecnolgica de Bolvar 2 Profesor de la facultad de ingeniera, Universidad tecnolgica de Bolvar FACULTAD DE INGENIERIAS UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE BOLIVAR CARTAGENA

Resumen este reporte fue preparado con el propsito de mostrar el anlisis desarrollado por un amplificador con transistor BJT 2N3904. Terminado el anlisis se confrontan los datos obtenidos experimentalmente con los que fueron simulados por computador los cuales determinaran el error asociado con lo prctico. Finalmente se proporciona un anlisis de resultados y conclusiones con respecto al diseo y los datos obtenidos en el laboratorio. Descripcin del laboratorio En el presente laboratorio se diseo y analizo un amplificador cuya configuracin fue la de emisor comn empleando transistores tipo BJT, polarizado por un divisor de voltaje. Se pretende determinar como operan los transistores en dicha configuracin y tambin se analizaran las caractersticas fundamentales de respuestas en las diferentes frecuencias, para lo cual asignaremos 250Hz a la frecuencia de corte inferior. El propsito de este laboratorio es el implementar un diseo que opere en un rango de frecuencias especfico. Por lo cual en el diseo se tuvo en cuenta las siguientes especificaciones:

Corriente de emisor de reposo: 1.5 mA<IEq< 5 mA Voltaje colector-emisor de reposo : 0.4VCC<VCEq< 0.6Vcc Voltaje de emisor de reposo : 0.1VCC VCEq0.2Vcc Resistencia R2 : R2<< med(RE + R3)

Con las anteriores especificaciones se usaron los valores para el diseo del circuito: Ganancia de |Av|=20 R2<< med(REtotal) Beta: 100 Voltaje colector 0.5Vcc=10V emisor:

Resistencia de carga: RL = 4.7 k. Resistencia de fuente: RS = 50. Corriente de reposo:Ie=3mA emisor de

Para el clculo se hizo uso de los parmetros del transistor 2N3904, tales como el beta, y las capacitancias internas del transistor.

Resistencia de carga:RL= 4.7 K. Resistencia de fuente: Rs= 50.

1. Materiales Multmetro Protoboard Fuente DC Osciloscopio Generador de seales

F(Hz) 100 200 300 500 1000 2000 3000 10000 15000 100000 500000 1000000 2000000 3000000

Vin (mV ) 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116

Vout (V) 0,8 1,28 1,56 1,76 1,88 1,92 2 2 2 2 1,48 0,96 0,54 0,33

Desfase (C) -102,06 -126 -140,4 -153 -166,32 -172,8 -174,96 -175,32 174,12 172,08 135,36 120,24 105,84 101,52

Av 6,89 11,03 13,44 15,17 16,2 16,55 17,24 17,24 17,24 17,24 12,75 8,27 4,65 2,89

Av (dB) 16,7643844 20,8515102 22,5679854 23,6197116 24,1903003 24,37596 24,7307452 24,7307452 24,7307452 24,7307452 22,1102037 18,3501102 13,3490591 9,21795686

Componentes Transistor R1 R2 RS re RL RC RE CS CC CE

Valor terico 2N3904 86.59 k 26.6 k 50 8.2 4.7 k 2 k 1.268 k 14.45 uF 0.63 uF 11.9 uF

Valor comercial 2N3904 470//82 8.2 k 50 4.7 k 2.2 k 300 22 uF 0.47 uF 10 uF

Tabla 4. Voltajes de entrada y salida, ganancia y desfase a determinadas frecuencias

Variables AV Banda media Ganancia de Voltaje (Av) Frecuencia de corte inferior (FL) Frecuencia de voltaje superior (FH)

Tabla 1. Componentes

Valores medidos 12.18 17.24 240 Hz

Valores tericos 14.14 20 250 Hz

% de error 13.86 13.8 4

2. Datos

600 KHz

8.28 MHz

92.7

Variables Voltaje Colector Voltaje Emisor Voltaje Base Voltaje Colector Emisor

Valores Medidos 13.38V 3.66V 4.55V 9.52V

Valores Tericos 14V 4V 4.7V 10V

Valores Simulados 14.234 V 3.65V 4.35V 10.584V

Tabla 5. Valores de las ganancias y frecuencias de corte 3. Especificaciones de los datos obtenidos:

Tabla 2. Tensiones en terminales del transistor

Parmetros Corriente Colector Corriente Emisor

Valores Medidos 3.06mA 3.08mA

Valores Tericos 3mA 3mA

Valores Simulados 2.76mA 2.78mA

Voltaje obtenido en la frecuencia de corte: Ganancia:

Tabla 3. Corrientes en amplificador

Ganancia en banda media:

Valor de la ganancia cuando decae con respecto a los valores medios: Frecuencias de corte:

Ancho de banda:

4. Graficas obtenidas

Figura 3. Diagrama de bode general del amplificador

5. Mrgenes de error entre valores simulaciones y prcticos:


Medicin Corriente De Colector Corriente De Emisor Voltaje Colector Voltaje Base %Margen De Error 10.86% 10.79% 6% 4.6% 0.27% 10%

Figura 1. Diagrama de fase con base a los resultados tomados

Voltaje Emisor Voltaje ColectorEmisor

Tabla 6. Margen de error entre datos simulados y prcticos 6. Mrgenes de error entre valores tericos y simulaciones:
Medicin Corriente De Colector Corriente De Emisor Voltaje Colector Voltaje Base Voltaje Emisor Voltaje ColectorEmisor %Margen De Error 8% 7.3% 1.67% 7.44% 8.75% 5.84%

Figura 2. Curva de ganancia de voltaje

Tabla 7. Margen de error entre datos simulados y tericos

7. Anlisis de los resultados Observando la tabla comparativa de valores de los parmetros DC de corriente y voltaje en los terminales del transistor obtenidos es de esperarse debido a las variaciones que hubo en el montaje en fsico con respecto a lo que se haba diseado: los valores de las resistencias no eran precisamente los mismos. Con lo anterior se observ que en la experimentacin el error con mayor valor fue el que se obtuvo en el parmetro del voltaje de emisor que fue de 8.75% un error relativamente aceptable debido a los diferentes valores con los que se implement el diseo. Es muy probable que los valores de las resistencias que fueron aproximados a los que se implementaron en el diseo junto con sus porcentajes de tolerancia afectaran de forma muy notoria el funcionamiento del circuito. Lo anterior por una parte, ahora analizando los valores obtenidos en el clculo de las frecuencias de corte es muy alto hasta del 92%. Con respecto al anlisis de la ganancia: La ganancia depende de la frecuencia debido al efecto de los condensadores en el circuito. Luego los valores obtenidos en la prctica eran de esperar debido a las variaciones de los valores de los condensadores. Los valores obtenidos mediante los instrumentos de medida del laboratorio nos arrojan valores importantes en los errores, el mayor de 92% en la frecuencia de corte alta y de un 4% en la frecuencia de corte baja, haciendo esta ultima del trabajo de clculos tericos una buena tarea.

8. Conclusiones Con el presente laboratorio se pudo comprender de forma experimental las caractersticas de un circuito amplificador estable. Por medio del anlisis de mediciones se comprob que los conceptos tericos se aproximan a los valores reales. El osciloscopio mostr que la seal de entrada era amplificada y se encontraba desfasada. Para el diseo de un circuito amplificador de configuracin de emisor comn, hay que tomar en cuenta tanto la polarizacin en corriente directa como alterna. Dependiendo de las condiciones de un circuito de polarizacin, se puede analizar ste mediante el mtodo aproximado o exacto. La determinacin de la respuesta en frecuencia de un amplificador se describe a travs del BW, L y H. La determinacin exacta de dicha respuesta se realiza reemplazando el modelo de los dispositivos activos que consideran el efecto de la variacin de la frecuencia

9. Bibliografa

Electrnica teora de circuitos Robert L. Boylestad - sexta edicin. PRCTICA N1. Anlisis en Frecuencia del Amplificador con BJT. PhD David Eliecer Senior Elles Universidad Tecnolgica de Bolvar.

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