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Electrnica anloga

CONFIGURACIONES DE DIODOS CON ENTRADAS DE D.C

En cada configuracin se debe determinar, el estado de cada diodo. Cuales diodos se encuentran encendidos y cuales apagados? Una vez determinado esto se determinara la red. En general un diodo se encuentra encendido si la corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que su direccin concuerda con el de la flecha del smbolo del diodo y VD> O igual a 0.7 para el de silicio VD> O igual a 0.3 para el de germanio Para la configuracin se remplazan mentalmente los diodos con elementos resistivos y se observa la direccin de la corriente resultante como la establecida por los voltajes aplicados, la direccin de la corriente resultante coincide con la direccin de la flecha del diodo.la conduccin del dispositivo ocurrir siempre y cuando se encuentre encendido. Si el diodo se encuentra encendido, se puede dar la cada de 0.7 atreves del elemento o se puede redibujar el circuito como se ve en el dibujo.

Se encuentra en el dibujo que el diodo se encuentra en un circuito serie que se encuentra encendido y al redibujar la red se ve como toma el camino la energa el elemento resistivo y la conduccin que toma quedando as.

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Electrnica anloga Tenemos que E>VT el diodo se encontrara en estado encendido. El voltaje y los niveles de corriente son VD = VT VR= E - VT

Sustitucin del modelo equivalente para el diodo encendido.

COMPORTAMIENTO DEL DIODO APAGADO. Al cambiar la direccin del diodo vemos que la corriente no coincide con la direccin de la flecha del diodo, se determina que el diodo se encuentra apagado ,de la misma forma predominara la siguiente formula. Formula predominante V = IR R =ID R =(0 A)R 0 V

Inversor de diodo.

Determinacin del estado del diodo

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Sustitucin del modelo equivalente para el diodo apagado

EJEMPLO 1 Dado que las manecillas del reloj para conducir las fechas del smbolo y el diodo esta en estado encendido VD=0.7 VR=E-D= 8V-0.7V = 7.3 ID=IR=VR/R=7.3v/2.2 =3.32mA

Cuando el diodo se encuentra al contrario la ID es 0 debido a la siguiente formula : E - VD- VR =0 VD=E-VR=E- 0=E 8V

Datos para tener en cuenta. 1) un circuito abierto puede tener cualquier voltaje en sus terminales, pero la corriente suele ser 0A. 2) un circuito cerrado tiene una cada de 0 V atreves de sus terminales, pero el circuito estar limitado a la red que lo rodea. Carlos Alvares Gordillo Carolina Castao Madrigal Universidad minuto de Dios sede sur Electrnica III

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Notacin de fuente

Ejemplo 2 V0=E-VT1-VT2= 12V-0.7-0.3=11v ID=IR=VR/R=V0/R= 11V/5.6 =1.96mA

Ejemplo3

DIODOS EN SERIE CONFRONTADOS

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V1 - VR1 - VD - VR2 + V2 = 0 10 - IR1 -0.7 - IR2 + 5 = 0 14.3 - I(R1 + R2) = 0 I = 14.3 / (4.7k + 2.2k) = 2.1 mA Vo = VR2 - V2 = (4.56 - 5)v = -0.44v VR2 = (2.1 mA)(2.2k) = 4.56v

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DIODOS EN SERIE

10 - VR - 0.7 = 0 10 - (I)(R) - 0.7 = 0 I = 9.3 / 3.3k = 2.8 mA VR = (I)(R) = (2.8m)(3.3k) = 9.3 v

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DIODOS EN CIRCUITO MIXTO

-VR2 + 20 - VD1 - VD2 = 0

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El rectificador de media onda.

El Vprom o Vcd de esta seal rectificada es:

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, pero f y f = 1/T

Si Vm es mucho mayor que VT Vcd 0.318Vm

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Vpp = Valor pico a pico = 2Vp Vp = Valor pico Vpromedio = 0

Ejemplo: Dibuje la salida Vo y calcule el nivel de cd para la siguiente red.

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a) con Vi = 20 sen t volts y con diodo ideal. Con el diodo conectado de esta manera, ste conducir nicamente en la parte negativa de Vi. Vcd = -0.318Vm = -0.318(20) Vcd = -6.36 volts

b)Repita el inciso anterior si el diodo se sustituye por uno de silicio.

Vcd = - 0.318(Vm - VT) Vcd = - 0.318(20 -0.7) Vcd = - 6.14V

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c) Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por uno de silicio y Vi = 179.6 sen t volts.

d) Repita el inciso anterior con diodo ideal.

El voltaje pico inverso del diodo es de fundamental importancia en el diseo de sistemas de rectificacin. El VPI del diodo no debe excederse (Vm < VPI) ya que de lo contrario, el diodo entrara en la regin de avalancha o regin Zener. La mayor parte de los circuitos electrnicos necesitan un voltaje de c.d. para trabajar. Debido a que el voltaje de lnea es alterno, lo primero que debe
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hacerse en cualquier equipo electrnico es convertir o "rectificar" el voltaje de alterna (c.a.) en uno de directa (c.d.). La tarea de la "fuente" o fuente de alimentacin de cualquier equipo o aparato electrnico es obtener el o los niveles adecuados de c.d. a partir del voltaje de linea (127 VRMS).

El transformador es un dispositivo que se utiliza para elevar o reducir el voltaje de CA, segn como sea necesario.

donde: V1 = Voltaje en el devanado primario V2 = Voltaje en el devanado secundario N1 = # de vueltas en devanado primario N2 = # de vueltas en el devanado secundario

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P.e. Si la razn de vueltas es 6:1 y Vin es el voltaje de la lnea:

1.8 El rectificador de onda completa (R.O.C.)

Se conocen y se utilizan dos configuraciones para rectificadores de onda completa. La primera de ellas es el "Puente" rectificador de onda completa:

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Rectificador de onda completa utilizando Transformador con Derivacin Central

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Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (Vm-VT) Para cada diodo: VPI 2Vm

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Introduccin al BJT y principios de construccin. Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vaco fue sin duda el dispositivo electrnico de inters y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vaco fue introducido por J. A. Fleming. Poco despus, en 1906, Lee, De Forest agreg un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vaco, lo que origin el primer amplificador: el triodo. En los aos siguientes, la radio y la televisin brindaron un gran impulso a la industria de tubos electrnicos. La produccin aument de cerca de 1 milln de tubos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la dcada de los treinta el ttrodo de cuatro elementos y el pntodo de cinco elementos se distinguieron en la industria de tubos electrnicos. Durante los aos subsecuentes, la industria se convirti en una de primera importancia y se lograron avances rpidos en el diseo, las tcnicas de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin. Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947 la industria electrnica atestigu el advenimiento de una direccin de inters y desarrollo completamente nueva. Fue en el transcurso de la tarde de ese da que Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor en los Bell Telephone Laboratorios. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 3.1. De inmediato, las ventajas de este dispositivo de estado slido de tres terminales sobre el tubo electrnico fueron evidentes: era ms pequeo y ligero; no tena requerimientos de filamentos o prdidas trmicas; ofreca una construccin de mayor resistencia y resultaba ms eficiente porque el propio dispositivo absorba menos potencia; instantneamente estaba listo para utilizarse, sin requerir un periodo de calentamiento; adems, eran posibles voltajes de operacin ms bajos. Obsrvese en la presentacin anterior que este captulo es nuestro primer estudio de dispositivos con tres o ms terminales. El lector descubrir que todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el nivel de voltaje, corriente o potencia) tendrn al menos tres terminales con una de ellas controlando el flujo entre las otras dos.
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El primer transistor.

CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. El primero se denomina transistor npn, en tanto que el ltimo recibe el nombre de transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarizacin de cd adecuada. En el captulo 3 encontraremos que la polarizacin de cd es necesaria para establecer una regin de operacin apropiada para la amplificacin de ca. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al material emparedado de tipo p o n. En los transistores que se muestran en la figura 3.2, la relacin entre el ancho total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa emparedada es tambin considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el nmero de portadores "libres". En la polarizacin que se muestra en la figura 3.2, las terminales se han indicado mediante letras maysculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base. Una justificacin respecto a la eleccin de esta notacin se presentar cuando estudiemos la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor de unin bipolar) se aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyeccin en el material polarizado opuestamente. Si slo uno de los portadores se emplea (electrn o hueco), se considera que el dispositivo es unipolar.

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Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.

OPERACION DEL TRANSISTOR La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp de la figura 3.2a. La operacin del transistor npn es exactamente igual si se intercambian los papeles que desempean los electrones y los huecos. En la siguiente figura se ha redibujado el transistor pnp sin la polarizacin base a colector. Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado directamente en el captulo 1. El ancho de la regin de agotamiento se ha reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.

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Unin polarizada directamente de un transistor pnp. Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura 3.2a como se indica en la foto Recurdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un flujo de portadores minoritarios, como se ilustra en el esquema. En resumen, por tanto.. En la figura ambos potenciales de polarizacin se han aplicado a un transistor pnp, con un flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica. En la figura 3.5 ntense los anchos de las regiones de agotamiento, que indican con toda claridad qu unin est polarizada directamente y cul inversamente. Como se indica en la figura 3.5, un gran nmero de portadores mayoritarios se difundirn a travs de la unin p~n polarizada directamente dentro del material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuirn en forma directa a la corriente de base IB o pasarn directamente hacia el material tipo p. Puesto que el material tipo n emparedado es sumamente delgado y tiene una baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores seguir la trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de microamperios en comparacin con los miliamperios de las corrientes del emisor y del colector. El mayor nmero de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin polarizada inversamente dentro del material tipo p conectado a la terminal del colector, como se indica en la figura 3.5. La causa de la relativa facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden cruzar la unin polarizada inversamente puede comprenderse si consideramos que para el diodo polarizado en forma inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, ha habido una inyeccin de portadores minoritarios al interior del material de la regin base de tipo n. Combinando esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios, en la regin de agotamiento cruzarn la unin polarizada inversamente, se explica el flujo que se indica en la imagen anterior

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Unin polarizada inversamente de un transistor pnp.

Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.

Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura se ve como si fuera un solo nodo, obtenemos IE = IC + IB y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base, Sin embargo, la corriente en el colector est formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura se ve Los componente de corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC con la terminal del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente en el colector se determina completamente mediante la ecuacin (3.2). IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria En el caso de transistores de propsito general, IC se mide en miliamperes, en tanto que ICO se mide en microamperes o nanoamperes. ICO como Is para un diodo polarizado inversamente, es sensible a la temperatura y debe
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examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos amplios de temperatura. Si este aspecto no se trata de manera apropiada, es posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las mejoras en las tcnicas de construccin han producido niveles bastante menores de ICO, al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse. Configuracin de base comn. La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en la figura se denota para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn, La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes todas las direcciones de corriente se referirn a la convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta eleccin se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los smbolos electrnicos tienen una direccin definida por esta convencin. Recurdese que la flecha en el smbolo del diodo define la direccin de conduccin para la corriente convencional. Para el transistor:

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Notacin y smbolos en la configuracin de base comn.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales, como se definen con base en la eleccin del flujo convencional. Ntese en cada caso que IE = IC + IB. Tambin advirtase que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la direccin de IC con la polaridad de ICC. Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales como los amplificadores de base comn en la figura se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn, como se muestra en la figura, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

Caractersticas del punto de excitacin para un transistor amplificador de silicio de base comn.

El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura 3.8. El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters, como se indican en la figura las regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la regin empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin actva la unin colector-base est inversamente polarizada, mientras que la unin baseemisor se encuentra polarizada en forma directa.
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La regin activa se define por los arreglos de polarizacin de la figura 3.6. En el extremo ms bajo de la regin activa la corriente de emisor (IE) es cero, la comente de colector es simplemente la debida a la corriente inversa de saturacin ICO , como se indica en la figura La corriente ICO es tan pequea (del orden de microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical de IC (del orden de los miliamperios), que aparece virtualmente sobre la misma lnea horizontal que IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin base comn se ilustran en la figura . La notacin usada con ms frecuencia para ICO, en hojas de datos y de especificaciones es ICBO como se indica en la figura A causa de las tcnicas mejoradas de construccin, el nivel de ICBO para transistores de propsito general (especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por lo general tan reducido que su efecto puede ignorarse. Sin embargo, para unidades de mayor potencia ICBO an aparecer en el intervalo de los microamperios. Adems, recurdese que ICBO para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga) es sensible a la temperatura. A mayores temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor importante ya que se incrementa muy rpidamente con la temperatura.

Saturacin de corriente inversa.

CONCLUCIONES DE CONFIGURACIONES DE DIODOS EN CORRIENTE D,C

1) un circuito abierto puede tener cualquier voltaje en sus terminales, pero la corriente suele ser 0A.

2) un circuito cerrado tiene una cada de 0 V atreves de sus terminales, pero el circuito estar limitado a la red que lo rodea 3) Se distingue entre diodos su disipacin de acuerdo i a su genero ya sea de silicio o de germanio 4) Debido a su configuracin vemos su comportamiento en un estado encendido. 5) Los comportamientos en forma paralela del diodo se presenta mas por el diodo ideal
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6) Una de la variaciones que mas se presenta grente a diodos es la de transistores que presenta un emisor una base y un colector.

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