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UNIDAD II UNION PN

2.1 Semiconductor tipo P y semiconductor tipo N


El semiconductor tipo N
Hasta aqu hemos descripto el comportamiento de semiconductores puros o intrnsecos. Para que el Silicio tenga utilidad en electrnica se lo debe dopar con impurezas de tomos de grupos adyacentes en la tabla peridica, es decir del grupo III o V. Suponga que en la estructura cristalina se reemplaza un tomo de Silicio por un tomo del grupo V, por ejemplo Arsnico. El tomo dador forma 4 enlaces covalentes con los tomos de Silicio adyacentes. El electrn sobrante queda ligado muy dbilmente y es fcilmente liberado por un poco de energa. Dada una concentracin relativa de impurezas de 10-6, es decir 1 tomo de As por cada 1.000.000 de tomos de Si, a temperatura ambiente prcticamente todos los electrones sobrantes estarn libres y los tomos dadores estarn ionizados (+). El cristal es macroscpicamente neutro.

Figura 4: El agregado de tomos dadores (en amarillo) aporta electrones (en celeste) que sern portadores negativos libres a temperatura ambiente, formando as un semiconductor tipo N. Los tomos dadores estarn ionizados (+), y el cristal es macroscpicamente neutro.

La mayor concentracin de electrones libres implica una mayor probabilidad de recombinacin, por lo que la concentracin de huecos bajar hasta restablecer el equilibrio dinmico generacin recombinacin. De acuerdo a la [4], para el Silicio.

Es decir, los electrones son aqu portadores mayoritarios, mientras que los huecos son portadores minoritarios, en mucha menor concentracin que en el material intrnseco a igual temperatura. Este material conduce ms que el silicio intrnseco, y se denomina Silicio tipo N (de portadores mayoritarios negativos).

El semiconductor tipo P
Reemplazando tomos de Silicio por tomos del grupo III, por ejemplo Indio, el tomo aceptor forma 3 enlaces covalentes, quedando un enlace incompleto (hueco) que se propagar entre tomos adyacentes. Los tomos aceptores quedarn ionizados (-) pero el cristal es macroscpicamente neutro.

Figura 5: El agregado de tomos aceptores (en celeste) aporta huecos (en amarillo) que sern portadores positivos libres a temperatura ambiente, formando as un semiconductor tipo P. Los tomos aceptores estarn ionizados (-), y el cristal es macroscpicamente neutro.

Ahora la mayor concentracin de huecos implica una mayor probabilidad de recombinacin, por lo que la concentracin de electrones libres bajar hasta restablecer el equilibrio dinmico generacin recombinacin.

Los huecos son aqu portadores mayoritarios, mientras que los electrones son portadores minoritarios, en mucha menor concentracin que en el material intrnseco a igual temperatura. Este material conduce ms que el silicio intrnseco y se denomina Silicio tipo P (de portadores mayoritarios positivos). Cmo sera la concentracin de electrones libres en este caso?

2.2 Uniones p-n en equilibrio trmico


Qu sucede si una regin N y una P son puestas en contacto ?. A la superficie lmite se la denomina unin o juntura P-N. En realidad no es la unin de dos cristales, porque debe haber una continuidad de la estructura cristalina. La juntura se logra con un mismo cristal impurificado por etapas con tomos aceptores y dadores de modo que queda con una regin P y una N.

Figura 6: Formacin de la barrera de potencial en la juntura P-N

Suponiendo un instante T0 de la formacin de dicha unin, los portadores libres huecos y electrones se comportarn como si fueran dos gases distintos separados por un tabique y levantramos dicho tabique. Se producir la difusin hacia ambos lados. En gases elctricamente neutros la difusin continuara hasta igualar las concentraciones. Pero aqu los gases de electrones y huecos tienen carga elctrica: qu ocurrir? Los electrones de la regin N prxima a la unin se difunden a la regin P, dejando en la regin N tomos dadores ionizados (+) (en amarillo) , y contribuyendo en la regin P con una carga (-). Adems existe muy alta probabilidad de que estos electrones que han pasado a la zona P se recombinen por la alta concentracin de huecos en dicha zona. Los huecos de la regin P prxima a la unin se difunden a la regin N, dejando en la regin P tomos aceptores ionizados (-) (en azul), y contribuyendo en la regin N con una carga (+). Existe muy alta probabilidad de que estos huecos se recombinen por la alta concentracin de electrones de la zona N. Es decir en la vecindad del lmite desaparecern los portadores libres y crecer la zona de cargas inicas inmviles, llamada zona de deplexin. A medida que se produce esta difusin-recombinacin, va creciendo la concentracin masiva de de cargas de igual signo (-) y (+) a cada lado de la unin, por ello un campo elctrico. La concentracin de portadores alcanza un equilibrio dinmico cuando la fuerza del campo elctrico equilibra a la difusin. El campo elctrico produce as una barrera de potencial presente en toda la zona de transicin o zona de deplexin , en la vecindad a ambos lados de la unin.

Figura 7: Corrientes en la juntura P-N en equilibrio. Abajo se grafican las barreras de potencial para electrones (en verde) y para huecos (en rojo).

En esta unin habr an paso de electrones y huecos hacia ambos lados: 1) Electrones minoritarios de la zona P, generados trmicamente en la vecindad o dentro de la zona de deplexin, son impulsados hacia la zona N, candidatos a transitar libremente por la zona N. A nivel macroscpico forman una corriente Ie 2) Electrones mayoritarios de la zona N con suficiente energa para remontar el campo elctrico adverso y llegar a la zona P, se recombinarn con uno de los tantos huecos que hay en la regin P ms all de la desrtica zona de deplexin. A nivel macroscpico forman una corriente IE 3) Huecos minoritarios de la zona N, generados trmicamente en la vecindad o dentro de la zona de deplexin son atrados hacia la zona P, candidatos a transitar libremente por la zona P. A nivel macroscpico forman una corriente Ih 4) Huecos mayoritarios de la zona P con suficiente energa para remontar el campo elctrico adverso y llegar a la zona N, se recombinarn con uno de los tantos electrones que hay en la regin N ms all de la zona de deplexin. A nivel macroscpico constituyen una corriente IH Observamos que tanto Ie como Ih son corrientes de portadores minoritarios generados trmicamente en la zona de deplexin. Como son portadores de cargas opuestas y que se desplazan en sentidos opuestos, ambas corrientes se suman resultando en una corriente llamada corriente de saturacin (inversa), muy dependiente de la temperatura, y que en sentido convencional circula de la zona N a la zona P. Ie + Ih = IS [7]

Por otra parte tanto IE como IH son corrientes de portadores mayoritarios que superan la barrera de potencial y se difunden a la otra zona opuesta donde por ser minoritarios se recombinan rpidamente. Ambas corrientes constituyen la llamada corriente de recombinacin (directa) con sentido convencional de la zona P a la zona N. IE + IH = IR [8]

En ausencia de estmulo externo existir un equilibrio dinmico de ambas corrientes, pues si I S>IR la zona de deplexin y la barrera de potencial se reducen, aumentando as la IR, y lo contrario si IS<IR. Es decir la corriente directa de recombinacin en ausencia de estmulo externo que denominaremos IRo se mantiene igual a la corriente de saturacin inversa y de sentido contrario. Es decir |IR0| = |IS| y la corriente resultante ser I = IR0 IS = 0 [10] [9]

Potencial de contacto. La construccin de una unin p-n suele partir de la difusin o implante de un contaminante de tipo n, como el Fsforo, sobre un material previamente contaminado con tomos de elementos de tipo p, como el Boro, o viceversa, de modo que se obtiene una unin sobre el mismo cristal original de Si por agregacin gradual de materiales. Este proceso se representa en la Figura 18.

Figura 18. Proceso tpico de impurificacin de materiales semiconductores para crear uniones p-n.

La oblea de Si contaminada ya con material tipo n (Fsforo) es calentada a temperaturas de alrededor de 900C en presencia de vapores de B2O3 en atmsfera inerte de N2. El Oxido Brico, representado simblicamente como una asociacin de tomos de Boro (gris oscuro), y de Oxgeno (gris claro) se disocia en la superficie activa de la oblea, quedando el Oxgeno anclado a la superficie de Si oxidndola levemente, mientras el Boro en estado elemental penetra por las fisuras de la red cristalina hacia el interior de la misma anclndose en fallos de tipo ausencia. Se genera una unin p-n en la zona frontera entre la nueva zona tipo p y el material base tipo n, considerndose que la frontera de la unin est en la zona en que las concentraciones de contaminantes de uno y otro tipo alcanzan el mismo valor. Este proceso puede llevarse a cabo con otros materiales, o realizarse mediante implante si los tomos de Boro son ionizados y lanzados a gran velocidad sobre la red cristalina, permitiendo este segundo procedimiento obtener otros perfiles de contaminacin. Los contaminantes de la unin as formada se hallan prcticamente ionizados ya durante el propio proceso de creacin de la unin, a las altas temperaturas a que el proceso tiene lugar, y no dejan de estar ionizados tras el enfriamiento de la oblea a temperatura ambiente. Esto quiere decir que prcticamente cada tomo de Boro o de Fsforo presentes en la oblea han liberado un hueco o un electrn dispuestos para la conduccin, los cuales constituyen gases de huecos y electrones libres, mientras los iones respectivos de los que han partido, se hallan anclados a la red cristalina, y por tanto inmviles, como B- y P+, respectivamente. La situacin se pone de manifiesto en la Figura 19.

Figura 19. Formacin del Potencial de Contacto.

Inicialmente se produce una difusin espontnea de electrones desde el material n, a la izquierda, hacia la zona p, a la derecha, segn el mecanismo que se explic en el apartado 1.4, ya que en la zona n hay muchos electrones mviles, mientras que en la zona p stos son escasos, luego se produce una corriente neta por difusin. Lo mismo sucede con respecto a los huecos en la zona p, que se difunden de manera espontnea desde la zona p donde son mayoritarios, a la zona n, donde son escasos. Estos dos movimientos de carga, se reflejan mediante sendas flechas de trazo continuo en la figura. Pero esta difusin produce un desequilibrio de carga en cada zona, puesto que parte de la carga mvil de la zona n (electrones), han abandonado la misma, mientras que los iones cargados positivamente de los que partieron no pueden moverse con ellos, con lo que la zona n queda cargada positivamente. Lo mismo sucede con los huecos que han abandonado la zona p, dejndola cargada negativamente. Esta situacin se refleja en los signos de la parte superior de la figura. El resultado es la aparicin de un potencial de contacto V0, cuyo valor estimaremos a continuacin. Este potencial de contacto va a limitar la difusin de la carga a travs de la unin segn se ver posteriormente, al elevar la energa del fondo de la banda de conduccin (Ec), lo que reduce el nmero de electrones con energa suficiente para saltar dicho potencial, y al mismo tiempo elevar la energa del techo de la banda de valencia (Ev), poniendo un obstculo basado en razones anlogas para los huecos que estn en condiciones de difundirse hacia la zona n. Al mismo tiempo, el potencial de contacto acta en el sentido de generar una contracorriente de electrones de la zona p, donde son minora, a la zona n, y de huecos de la zona n a la zona p, segn los principios que se establecieron para la corriente de arrastre. Estos movimientos compensatorios de carga, sealados con flechas de trazo discontinuo, anulan de manera exacta la dbil difusin que todava pueda existir a pesar de la oposicin de V0. Para estimar cuantitativamente el valor del potencial de contacto, haremos uso de la ecuacin de la corriente de portadores, huecos o electrones, en cualquier punto del semiconductor, dada en (32) y (33), y al mismo tiempo, impondremos la condicin de equilibrio trmico, que establece que la corriente neta de portadores en un punto dado debe ser nula, ya que no hay fuentes externas de alimentacin conectadas a la estructura, ni sta se halla excitada por ningn proceso de generacin de pares electrn-hueco aparte de la agitacin trmica que corresponda a su temperatura. De todo ello:

De la primera de las expresiones se desprende la siguiente ecuacin en diferenciales:

la cual, teniendo en cuenta la relacin entre campo elctrico (x) y potencial elctrico V(x) podr tambin establecerse como:

que integraremos entre los dos lados de la unin p-n entre los que se ha establecido el potencial de contacto:

de modo que:

resultando:

donde utilizando la relacin de Einstein3:

siendo k la Constante de Boltzmann, T la temperatura absoluta a la que se halla el material semiconductor, q la carga del electrn, ppe la densidad de huecos en la zona p en equilibrio trmico, y pne la densidad de huecos en la zona n en equilibrio trmico. Como se ha supuesto que todas las impurezas se ionizan espontneamente, si se ha contaminado la zona p con una densidad de tomos de Boro dada por NA, y la zona n con una densidad de ND tomos de Fsforo por unidad de volumen, tendremos que:

segn la Ley del Equilibrio Trmico expuesta en el subapartado 1.3.4. Podemos ver entonces que el potencial de contacto vendr dado por una relacin entre las concentraciones de contaminantes en las zonas n y p:

Otra expresin de notoria importancia viene dada por la inversin de la expresin (41):

que establece la relacin entre dos concentraciones del mismo tipo de carga, en dos zonas distintas separadas por una barrera de potencial de valor V0. Como era de esperar, esta relacin poda haberse anticipado a partir de la distribucin de electrones en un gas libre de Maxwell-Boltzmann, segn se estudi en el subapartado 1.4.1. Corrientes de difusin y arrastre. La relacin (45) es de suma importancia para establecer el balance de corrientes de difusin y arrastre en la unin p-n en equilibrio trmico. Es evidente que la concentracin de huecos en la zona n se corresponder con dicha expresin, ya que marca la densidad de carga que podemos encontrar a partir del incremento de nivel de energa introducido por la barrera de potencial V0. Trasladando los resultados a la cantidad de electrones minoritarios en la zona p:

La cantidad de carga neta disponible para conducir corriente ser proporcional a toda la carga neta de electrones que podamos encontrar por encima de dicha barrera hasta una energa infinita:

de modo que la densidad de corriente de difusin ser proporcional a esta cantidad de carga:

(48) donde se ha definido:

(49) Siendo Kdne la constante de proporcionalidad entre la carga disponible para conducir, y la cantidad de corriente que se establece4. Por otro lado, de la ley de equilibrio trmico, se tendr que cumplir que esta densidad de corriente de difusin deber ser neutralizada por la corriente de arrastre de electrones, de modo que: (50) lo que permite evaluar la corriente de arrastre de electrones devueltos a la zona n como:

(51) Similarmente, las leyes de equilibrio trmico permitirn establecer unas relaciones similares para las corrientes de huecos:

(52)

(53) (54) Estas relaciones podrn ser fcilmente extendidas al caso de una unin p-n polarizada, es decir, a la que se le haya conectado una fuente de alimentacin que refuerce o reduzca el potencial de contacto, como se ve en el siguiente apartado.

Zona de deplexin
Al haber una repulsin mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la unin, cuando un electrn libre entra en la regin p se convierte en un portador minoritario y el electrn cae en un hueco, el hueco desaparece y el electrn libre se convierte en electrn de valencia. Cuando un electrn se difunde a travs de la unin crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa. Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la regin cerca de la unin se vaca de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexin".

Barrera de potencial
Los dipolos tienen un campo elctrico entre los iones positivo y negativo, y al entrar los electrones libres en la zona de deplexin, el campo elctrico trata de devolverlos a la zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza hasta llegar al equilibrio. El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 C vale:

0.3 V para diodos de Ge. 0.7 V para diodos de Si.

Zona de Carga Espacial o zona de deplexin (W).

Zona de Carga de Espacio en la unin p-n. El resultado del vaciamiento parcial de carga debido a la difusin de portadores mayoritarios en una de las zonas a la otra, donde sern minoritarios (huecos de p a n, y electrones de n a p) se traduce en la aparicin de un potencial de contacto para restaurar el equilibrio trmico, que se ha denominado potencial de contacto, y se ha designado como V0. Esta no es la nica implicacin, sino que adems aparecen dos zonas de carga de espacio donde la ausencia de portadores mayoritarios ha producido un desequilibrio, y estas zonas de carga se comportan como una capacidad bajo ciertas circunstancias, que se explorarn seguidamente.

Figura 20. a) Situacin inicial en una unin p-n. b) Debido al proceso de difusin de minoritarios entre zonas, aparecen dos zonas de carga de espacio para xnx0 (cargada positivamente en la zona n) y 0xxp (cargada negativamente en la zona p).

Para ello se introduce la hiptesis de despoblamiento total, es decir, que existen unas ciertas zonas a ambos lados de la unin que se quedan sin carga mvil5. Tambin se considera que la unin es abrupta, es decir, que se pasa de una zona p a una zona n de forma brusca. En estas condiciones la unin queda como se muestra en la Figura 20. Se supone que los contaminantes de tipo aceptador donador son respectivamente Boro (B) y Fsforo (P) en concentraciones dadas por NA y ND. Las cantidades de carga neta que quedar sin neutralizar en uno y otro lado de la unin debidas a las zonas de carga de espacio sern: (55) (56) Teniendo ahora en cuenta el Teorema de Gauss en forma diferencial:

(57) donde es el campo elctrico inducido por la densidad volumtrica de carga dada por , y es la constante dielctrica del medio considerado. Como se supone que el problema se reduce a una sola dimensin (no hay variacin en y ni en z) en razn a una mayor simplificacin, la ecuacin (57) en la zona n (xnx0) se reduce a:

(58) de modo que integrando ambos trminos entre x=0 y una cierta distancia x (siendo obviamente x<0): de modo que integrando ambos trminos entre x=0 y una cierta distancia x (siendo obviamente x<0):

(59) lo que resulta en:

(60)

lo que da lugar a una recta de pendiente positiva. Como para x=-xn el campo elctrico debe ser despreciable6, por estar ya en un lugar en que la carga fija iguala a la carga mvil (sin carga neta), y sta es abundante:

(61) por lo cual:

(62) de modo que (60) puede escribirse como:

(63) lo cual se ve reflejado en la Figura 21.

Figura 21. a) Distribucin de la carga. b) Campo elctrico inducido. c) Potencial en la zona de carga de espacio.

Por su parte, la situacin en la zona p (0xxp) sigue unas pautas similares, siendo la divergencia del campo elctrico ahora:

(64) cuya solucin natural es otra lnea recta, pero ahora de pendiente negativa:

(65) de modo que teniendo en cuenta que el campo volver a ser nulo para x=xp resultar finalmente:

(66) de donde se puede obtener otra expresin similar para el valor del campo elctrico en la unin:

(67) Una vez conocida la distribucin de campo elctrico en el interior de la zona de carga de espacio, se puede evaluar la distribucin del potencial elctrico, teniendo en cuenta a su vez que:

(68) con lo que el valor de la barrera de potencial V0 podr estimarse como el rea encerrada por las dos rectas de la Figura 21.b):

(69) Siendo:

(70) deformacin sufrida por las Bandas de Conduccin y Valencia (ver Figura 19), ya que la Figura 21 est referida al salto de potencial experimentado por la carga positiva, mientras que aquellos diagramas se establecieron para los electrones (negativos). Por otro lado, la cantidad de carga fija almacenada en cada zona, deber tener el mismo valor, aunque de signo contrario, por lo que la zona despoblada deber equilibrar las diferentes concentraciones de iones donadores y aceptadores en uno y otro lado: (71) Teniendo en cuenta entonces (69), (70) y (71), se puede llegar a la siguiente expresin para el potencial de contacto:

(72) de donde se puede deducir el valor del ancho de la barrera en funcin del potencial en la misma:

(73) Si el potencial de la barrera se ve aumentado en una cantidad adicional Va (polarizacin en inverso), resultar evidente que la zona de carga de espacio se ensanchar. Si por el contrario la polarizacin es directa y se resta Va al potencial de contacto, la barrera se estrechar. Esto significa que al cambiar la diferencia de potencial entre los dos lados de la unin p-n la cantidad de carga no neutra tambin cambiar, poniendo de manifiesto que la zona despoblada de carga mvil se comporta como una capacidad, de valor:

(74) Esta capacidad se pone ms de manifiesto con polarizaciones inversas, primero porque pueden alcanzar mayor valor absoluto, y segundo, porque la prcticamente nula corriente inversa de saturacin deja ms en evidencia la posible componente alterna que puede circular por la capacidad.

Polarizacin inversa

Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal negativo de la batera conectado al lado p y el positivo al n, esta conexin se denomina "Polarizacin Inversa".

Figura 23. Polarizacin inversa de la unin p-n

Figura 23. Polarizacin inversa de la unin p (otro enfoque).

En el caso de que la polarizacin se invierta, en sentido de aumentar la barrera de potencial la nueva barrera valdr V0+Va, y contribuir a dificultar an ms las corrientes de difusin:

(83)

(84)

las cuales se vern reducidas a un valor muy pequeo en comparacin con las de arrastre, que segn se dijo, dependen de la tasa de portadores minoritarios en cada zona, que es prcticamente dependiente nicamente de la temperatura, por lo que sern las mismas que en equilibrio o en directo: (85) (86) con lo cual la corriente total del diodo ser muy aproximadamente igual a la corriente inversa de saturacin, compuesta por la suma de las dos corrientes de arrastre (huecos y electrones) en el equilibrio. La distorsin experimentada por el diagrama de bandas en este caso puede verse en la Figura 23. La corriente inversa valdr entonces:

(87) ya que basta que Va supere unas cinco veces la cantidad kT /q=0,025 V a T=27 C (300 K), para que la relacin entre e kT /qVa y 1 sea inferior a un 1%. En estas condiciones se puede decir que la unin p-n est completamente en inversa a efectos prcticos para tensiones inversas de polarizacinsuperiores a unos 125 mV.

Figura 24. Forma grfica de la corriente en la unin p-n. La curva de la izquierda corresponde a un margen de tensin de batera entre 1 V y 0,8 V. y se observa el arranque brusco de la corriente hacia aprox. 0,7 V. La curva de la derecha corresponde a la visin ampliada de los alrededores de Va=0V para la misma unin, observndose claramente la presencia de la corriente inversa para Va<0.

A modo de conclusin se puede decir que la forma de la expresin (81) constituye la descripcin precisa de la corriente que circular por la unin en diferentes situaciones. Su representacin grfica puede verse en la Figura 24, para J0=10-14A/cm2. Efecto de inyeccin. Se denomina de esta forma el proceso de invasin de portadores de una zona a otra de la unin cuando sta funciona en directo, de modo que una gran cantidad de huecos de la zona p penetrarn en la zona n donde son minoritarios, y similarmente, un elevado nmero de electrones fluyendo de la zona n se difundirn hacia la zona p.

Figura 25. Perfiles de minoritarios en polarizacin directa de la unin p-n.

El desequilibrio local de portadores que se produce se refleja en la Figura 25, y resulta en un aumento espectacular del nmero de recombinaciones por segundo que tienen lugar en las zonas aledaas a la unin. Estos procesos de recombinacin generan la emisin de fotones, bien en el campo visible, bien en el infrarrojo.

Tensin de ruptura. Efecto Zener y efecto avalancha


Volviendo al diodo con polarizacin inversa, si el voltaje aplicado se aumenta lo suficiente puede aparecer uno de los siguientes fenmenos: 1) Efecto Avalancha: Los portadores minoritarios que caen por la barrera de potencial, es decir que son acelerados a travs de la zona de deplexin, alcanzan a adquirir gran cantidad de energa cintica, de manera que al impactar eventualmente en tomos de la red cristalina de dicha zona rompen enlaces covalentes, generando a su vez nuevos portadores. Si el factor de multiplicacin es mayor que 1, se desencadena un efecto avalancha. Este efecto se da en junturas normales recin a partir de voltajes mayores a 6 volts, y con adecuados perfiles de impurificacin de la juntura puede disearse diodos con tensiones de ruptura por efecto avalancha del orden de decenas o cientos de volts. La tensin de ruptura por efecto avalancha crece con la temperatura: una mayor agitacin trmica de la estructura cristalina disminuye el recorrido medio entre colisiones de los portadores, impidiendo que adquieran suficiente energa cintica para romper enlaces. 2) Efecto Zener: En junturas fuertemente dopadas, la zona de carga espacial es ms densa, es decir la zona de deplexin es ms estrecha, y por ello el campo elctrico es ms intenso. Esto provoca que aplicado una tensin inversa el campo elctrico se haga suficientemente intenso como para romper los enlaces covalentes, creando abruptamente una gran cantidad de pares electrn-hueco. Es decir los electrones son arrancados directamente de sus enlaces, aqu no hay efecto avalancha. Desde el enfoque cuntico, se trata de un caso particular del efecto tnel. La ruptura por efecto Zener se da a voltajes muy bajos, entre 4 y 6 volts, y disminuye ligeramente con la temperatura, pues los enlaces estn ms flojos por la agitacin trmica.

Los diodos comunes no estn preparados para trabajar en la zona de ruptura. En estos la ruptura provoca la destruccin del dispositivo. Comercialmente los diodos presentan tensiones de ruptura desde decenas hasta miles de volts. Hay diodos especiales denominados genricamente diodos Zener, diseados para trabajar en la zona de ruptura. Se los utiliza como referencias de tensin, limitadores (protecciones) etc. Se los consigue comercialmente en valores estndar desde 2.0 volts hasta cientos de volts, damos algunos: 2,0 2 ,2 2 ,4 2 ,7 3 ,0 3 ,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 .... 27 30 33... 200.

Uniones p-n polarizadas POLARIZACION DIRECTA


Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarizacin Directa". Corrientes en polarizacin directa Al conectar una fuente de alimentacin a una unin p-n, se altera el equilibrio trmico, porque en primer lugar, se puede inyectar carga de unas zonas a otras al producir arrastres en el cuerpo de las zonas p y n, y porque se reduce o refuerza la barrera de potencial de contacto. La reduccin de dicha barrera fomentar la difusin de electrones de la zona n a la p, y de huecos de la zona p a la n y alterar el equilibrio a favor de la difusin. El refuerzo de la barrera dificultar la difusin y alterar el equilibrio a favor del arrastre de carga. Un segundo hecho a considerar tiene que ver con las corrientes de arrastre, que normalmente estn regidas por la cantidad de carga minoritaria disponible para ser devuelta a las zonas donde es mayoritaria. Esta cantidad de carga viene regida por las leyes de la generacin y la recombinacin de pares, que se vieron en el apartado 1.3.4, y no vara entre el caso de equilibrio y el caso de desequilibrio trmico. As, en la Figura 22 se puede ver el caso de la unin p-n polarizada por una batera de valor Va que reduce la barrera de potencial. Segn queda dicho, la batera Va reducir el valor de la barrera de potencial al valor de V0-Va, de modo que las corrientes de difusin fuera del equilibrio trmico dadas en (48) y (53) reflejarn esta reduccin de la barrera:

Figura 22. Polarizacin directa de la unin p-n.

Figura 22. Polarizacin directa de la unin p-n (OTRO ENFOQUE).

Por su parte, las corrientes de arrastre, dependientes de la cantidad de portadores minoritarios presentes en cada zona, y por lo tanto invariantes respecto a la polarizacin, permanecen siendo las mismas:

(77) (78) Si se calculasen ahora las corrientes de huecos y electrones que atraviesan la unin p-n polarizada en directo, la corriente total que atraviesa la unin vendr dada por:

(81) En donde:

(82) constituye lo que se denomina la corriente inversa de saturacin de la unin p-n, por lo que se ver ms adelante.

Circuitos equivalentes
1.7.1 Modelo elctrico en continua El diodo es el dispositivo ms simple que puede construirse utilizando una simple unin p-n. Dado que la corriente inversa de saturacin es muy pequea, y puede considerarse nula frente a la corriente directa, el smbolo elctrico del diodo que se presenta en la refleja este comportamiento de conduccin/no_conduccin puesto de manifiesto por la ecuacin (88).

La naturaleza de la relacin tensin-corriente en el diodo es fuertemente no lineal, viniendo regida por un carcter logartmico o exponencial, segn se vea. La utilizacin de dicha relacin, dada en trminos de corriente neta, segn (81):

en la resolucin de circuitos que incluyan diodos como elementos resultar altamente complicada. Por ello se utilizar un modelo equivalente del diodo, que puede admitir diferentes aproximaciones El primero de ellos es el Modelo Elemental de Conmutador de Corriente, segn el cual, cuando la tensin supere el cero, la corriente puede dispararse hasta el infinito, mientras que en sentido contrario se producir un bloqueo total de corriente. Esta situacin se ve reflejada en la Figura 27.a. El segundo de los modelos es el Modelo de Conmutador de Corriente con cada de Tensin, el cual es equivalente al anterior salvo que la tensin a vencer para que conduzca corriente es un valor dado VD = 0,7 V, que es la tensin a la que la corriente comienza a despuntar claramente. Esta situacin se ve reflejada en la Figura 27.b.

Finalmente, la Figura 27.c muestra el Modelo de Conmutador de Corriente con cada de Tensin y Resistencia Equivalente. El valor de la resistencia Rd puede aproximarse por la inversa de la pendiente de la curva del diodo en el punto de arranque (V), segn se expone:

Teniendo en cuenta que kT/q vale unos 25 mV a T=300K, se puede evaluar fcilmente cul ser el valor de dicha resistencia para un diodo con una corriente inversa de saturacin de I0 =10-15A, la cual equivale a:

Este valor permite la realizacin de ciertos clculos sencillos alrededor del punto de arranque del diodo, pero no es un valor exacto, con lo que para estimaciones ms precisas podran utilizarse evaluaciones realizadas para otros valores de V. Tambin hay que tener en cuenta la corriente inversa de saturacin de cada diodo y la temperatura ambiente.

Tcnicas de fabricacin El primer paso en la fabricacin de algn dispositivo es obtener materiales semiconductores del nivel de pureza deseado, como el silicio, germanio y arseniuro de galio. En la actualidad se requieren niveles de impureza de menos de una parte de mil millones (1 en 1, 000, 000,000) para la fabricacin de la mayora de los dispositivos semiconductores. Las materias primas se sujetan primero a una serie de reacciones qumicas y aun proceso de refinacin por zona para formar un cristal poli cristalino del nivel de pureza que se desea. Los tomos de un cristal poli cristalino estn acomodados en forma aleatoria, mientras que en el cristal nico, los tomos estn acomodados en una red cristalina geomtrica, simtrica y uniforme. El aparato para refinacin por zona consiste en un recipiente de grafito o cuarzo, para tener la contaminacin mnima, un tubo contenedor de cuarzo y un juego de bobinas de induccin de RF (radiofrecuencia). Las bobinas o el bote deben ser movibles a lo largo de la longitud del tubo de cuarzo. Se obtendr el mismo resultado en cualquier caso, aunque aqu se presenta el mtodo de las bobinas movibles porque parece ser el ms comn. El interior del tubo contenedor de cuarzo est lleno con un gas inerte (con poca o ninguna reaccin qumica) o al vaco, para reducir ms la posibilidad de contaminacin. En el proceso de refinacin por zona se pone en el bote una barra de silicio con las bobinas en un extremo de la barra. Luego se aplica la seal de radiofrecuencia a la bobina, la cual induce un flujo de carga (corrientes parsitas) en el lingote de silicio. Se aumenta la magnitud de estas corrientes hasta que se desarrolla suficiente calor para fundir esa regin del material semiconductor. Las impurezas del lingote entrarn en un estado ms lquido que el material semiconductor que las rodea. Las bobinas de induccin se mueven lentamente hacia la derecha para inducir la fusin de la regin vecina, las impurezas "ms fluidizas" "seguirn" a la regin fundida. El resultado neto es que un gran porcentaje de las impurezas aparecern al extremo derecho del lingote cuando las bobinas de induccin hayan llegado a ese extremo. Este lado de la pureza con impurezas puede despus cortarse y se repite el proceso completo hasta que se llega al nivel de pureza deseado.

Diodos Discretos Los diodos semiconductores son con frecuencia de algunos de los siguientes cuatro tipos: crecimiento de la unin, aleacin, difusin o crecimiento epitaxial. Crecimiento de la unin: los diodos de este tipo se forman durante el proceso de estiramiento de cristal Czochralski. Se pueden aadir alternamente impurezas tipo p y n al material semiconductor fundido en el crisol, y da como resultado una unin p-n cuando el cristal se estira. Despus de rebanar, el dispositivo de rea grande puede cortarse en grandes cantidades (a veces miles) de diodos semiconductores de rea ms pequea. El rea de los diodos de unin por crecimiento es lo suficientemente grande para manejar altas corriente (y por tanto tener valores nominales de potencia altos). Sin embargo, al rea grande introducir efectos capacitivos indeseables en la unin.

Aleacin: el proceso de aleacin dar como resultado un diodo semiconductor del tipo de unin que tambin tendr un alto valor nominal de corriente y PIV grande. Sin embargo, la capacitancia de la unin es tambin grande, porque el rea de unin tambin es grande. La unin p-n se forma poniendo primero una impureza tipo p en un sustrato tipo n y calentando ambos hasta que sucede la licuefaccin y los dos materiales se juntan. El resultado es una aleacin que cuando se enfra produce una unin p-n en la frontera entre la aleacin y el sustrato. Los papeles que desempean los materiales tipo n y p pueden intercambiarse. Difusin: el proceso de difusin para formar diodos semiconductores de unin puede emplear difusin slida o gaseosa. Este proceso requiere ms tiempo que el proceso de aleacin, pero es relativamente barato y puede controlarse con mucha ms precisin. La difusin es un proceso por el cual una lata concentracin de partculas se "difunden" en una regin que la rodea con menor concentracin. La principal diferencia entre los procesos de difusin y aleacin es el hecho de que no se llega a la licuefaccin en el proceso de difusin. Solamente se aplica calor en el proceso de difusin para incrementar la actividad de los elementos involucrados. El proceso de difusin slida comienza con el "deposito" de impurezas aceptoras en un sustrato tipo n y se calientan los dos hasta que la impureza se difunde en el sustrato hasta formar la capa tipo p. En el proceso de difusin gaseosa, un material tipo n se sumerge en una atmsfera gaseosa de impurezas aceptoras y luego se calienta. La impureza se difunde en el sustrato para formar la capa tipo p del diodo semiconductor. Tambin pueden intercambiarse los papeles de los materiales tipo p y n. el proceso de difusin es el que se utiliza ms en la actualidad para la fabricacin de diodos semiconductores discretos.
Crecimiento Epitaxial: el trmino epitaxial se deriva de las palabras griegas epi, que significa "sobre", y taxis, que significa "arreglo". Una oblea base de material n+ se conecta a un conductor metlico. La n+ indica un nivel de dopado muy alto para una caracterstica de resistencia reducida. Su propsito es actuar como una extensin semiconductora del conductor y no como el material tipo n de la unin p-n. La capa tipo n se depositar sobre esta capa usando un proceso de difusin. Esta tcnica de utilizar una base n+ da al fabricante ventajas definitivas de diseo. Luego se aplica el silicio tipo p usando una tcnica de difusin y se agrega el conector metlico del nodo.