Diario de Fsica Aplicada 108, 044502 2010

Se ha corregido el campo factor de mejora para el modelo de esfera flotante de carbono nanotubo emisor
Evgeny G. Pogorelov, 1 Yia-Chung Chang, 1 Alexander I. Zhbanov, 2, y Yong-Gu Lee2
1

Centro de Investigacin para las Ciencias Aplicadas, la Academia Snica, 128, seccin 2, de la Academia por carretera Nankang, Taipei 115, Taiwn
2

Departamento de Mecatrnica, Instituto Gwangju de Ciencia y Tecnologa (GIST), 1 Oryong-dong, Bukgu, Gwangju18 de marzo de 2010; de Corea el 24 de junio de 2010; publicado en lnea el 17 de agosto 2010 Recibido el 500-712, Repblica aceptado

Hemos corregido el factor de amplificacin del campo de la "esfera flotante al potencial emisor -avin" modelo con el finito nodo-ctodo distancia. Si es el radio de la esfera, hes la distancia desde ctodo al centro de la esfera, y les la distancia desde el centro hacia el nodo, entonces el campo factor de mejora se da como la SPH siguiente expresin = 2 + 7 - 2 2 - 2 + 2 2 1 2 -, donde = h, se =l. Esta expresin demuestra un comportamiento razonable para los tres casos lmite: si h, Si l, Y si l. Hemos comparado nuestro factor de pliegos con el campo mejora de tubo de factor para el "hemisferio en un puesto de" modelo y el codo del factor para el "Hemiellipsoid en el avin" modelo. Hemos demostrado realizacin del tubo de evaluacin aproximada SPH + ell 2. 2010 del American Institute of Physics. doi: 10.1063/1.3466992

I. INTRODUCCIN

Refs ejemplo. 22-24 , Dando hemi = 3. Esta solucin es muy til como un caso lmite para todos los modelos de otras consideDesde los primeros informes sobre la emisin de campo notables propieracin cuando se h= 0. piedades de los nanotubos de carbono CNT Refs. 1-3 en 1994 y La aproximacin analtica de la esfera "flotando en el los primeros artculos en revistas dedicadas a este problema 4-7 en 1995, emisor-plano potencial "modelo22,23 en el caso Ly esfuerzos significativos se han dedicado a la aplicacin de 1 esH CNT de fuentes de electrones. Ahora mbito de su aplicacin prctica incluye una amplia gama de rango de emisin de campo basados en dispositivos tales como los de pantalla H 0 + 2,5. 1 SPH plana pantallas,08.10 luz de fondo para una unidad de pantallas de cristal lquido, 11,12 microscopios electrnicos,13 amplificadores de vaco de microondas, 14,15 Desafortunadamente, este enfoque no funciona bien para los tubos de fuentes de rayos X del tubo,16,17 lmparas de rayos catdicos,18,19 nanolithograrelacin de aspecto pequeo. PHY sistemas,20,21 etc La solucin analtica exacta para el hemisferio "en un El campo elctrico Earriba en la punta de la CNT aumenta en comparacin plano de "modelo de22,24 es como sigue: con el campo promedio E0 segn la expresin Esuperior =E0, donde es un factor de amplificacin del campo. La emisin corriente es muy sensible al factor de mejora de campo 2 3 0 que se eleva hasta 3000 o ms, dependiendo del aspecto tubo , ell = 1+ proporcin. 2 1En-2 Cuatro de los modelos ms sencillos para el clculo del campo es1feccionamiento son el factor de "continente en un avin" modelo, la "Esfera flotante al potencial emisor de plano" del modelo, el "quedonde = 1 - Hes la excentricidad de la elipse. miellipsoid en el plano "del modelo, y el" hemisferio en un poste " modelo. Seguimos a la clasificacin propuesta por la revista Forbes et col. 22 Los esquemas de los modelos de configuracin de diodo se ilustran concentrada en la figura. 1, donde Les la distancia nodo-ctodo; Hes la altura total de emisores; es el radio de las esferas o radio de curvatura para hemiellipsoid; hes la distancia desde ctodo a los centros de la esfera o la distancia al foco de hemiellipSOID; y l=L-h. Tres primeros modelos permiten soluciones analticas. Ms simple es el caso cuando las distancias nodo-ctodo, Lson mucho mayor que la altura de los emisores, H. En el caso de infinito nodo-ctodo distancia, Lla "Hemisferio en un avin" modelo puede ser analizado precisamente por

un

Correo electrnico: azhbanov@gate.sinica.edu.tw.

La figura. 1. Color de lnea Esquemas de modelos ms sencillos para la mejora de campo estimacin del factor: un hemisferio en un plano, la esfera b flotante en emisorpotencial de avin, c hemiellipsoid en un avin, y en el hemisferio d en un poste.

0021-8979/2010/108 4/044502/7 / $ 30,00

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2010 Instituto Americano de Fsica

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El modelo de un "continente en un mensaje" slo permite la solucin numrica incluso en el caso de infinito nodo-ctodo distancia, L. Hay muchos resultados numricos obtenidos por diversos investigadores que se han generalizado por simples frmulas algebraicas de factor de mejora de campo para una nanotubo individual y conjunto de los nanotubos. El principal problema para tales frmulas de adaptacin algebraicas es la falta de una prueba definitiva de su exactitud. El muy precisa y frmula popular pertenece a Edgcombe et al. 22,25,26

0 tubo

1.2

0.9

+ 2.5

La figura. 2. Color de lnea Dos esferas conductoras de radio potencial en el elctrico uniforme E0.

en el ctodo po-

Todos estos factores presentar al sentido comn

0 SPH 0 tubo 0 ana 0 Hemi.

II. CLCULO DEL FACTOR DE MEJORA CON EL INFINITO de nodo y ctodo DISTANCIA A. hemisferio en un avin

En el caso de gran nodo-ctodo distancia, Lcompahijo de los factores de mejora del campo de la esfera "flotando en el emisor de plano el potencial "del modelo, el" hemiellipsoid en el avin " modelo, y la frmula de adaptacin para el "hemisferio en un poste" modelo nos da la relacin aproximada
0 SPH + 0 ana

La esfera metlica en un campo elctrico uniforme E0 fig. 1 una fue considerado en muchos trabajos para Arbitros ejemplo. 22-24 . Podemos reemplazar la esfera en un punto dipolo elctrico. Si el momento dipolar elctrico es p0, entonces el potencial dipolo es p0 4
0

0 tubo

DIP = -

z z2 + r2

3/2.

Siguiente caso es el caso de una configuracin de diodo cuando el ctodo nodo-distancias, Les comparable con la altura de emisores, H. Para la "esfera flotante al potencial emisor-avin" modelo de Wang et al.23 supone la aproximacin analtica h 1,202 L
3

La ecuacin del crculo es chapuzn + ZE0 = 0. A partir de esta ecuacin, puede encontrar la relacin entre el momento dipolar elctrico y el radio de la esfera: p0 = 0 4E0 3. El campo elctrico en la parte superior del hemisferio alcanza Etop = p02 0 3 + E0 = 3E0. El campo Factor de 0enhancement es hemi = Esuperior E0 = 3. El campo de
distribucin

cin sobre la superficie hiperboloide tienen la forma E = 3E0 cos, donde es un ngulo polar. . 6

SPH

0 SPH +

B. flotante esfera al potencial de emisor-plano La ecuacin. 6es suficientemente preciso para H0.5L. Si el nodo0cathode distancia tiende a infinito, La La "esfera flotante al potencial de emisor-plano" modelo continuacin, pliegos pliegos por hora, no tiene "cuerpo" del emisor de campo y posee slo su eso es correcto. Si los toques esfera flotante con nodo de entonces "Cabeza". Este modelo ofrece la estimacin demasiado alta del campo elctrico el factor de amplificacin del campo debe tender a infinito. Conforme a la ecuacin. 6, Si HLa continuacin, esf = H+ 3.702 es la limitada en el vrtice de los nanotubos, pero plausiblemente se reproducen las tendencias de cambio en el factor de mejora de campo. Aproximado de anavalor que no es correcto. solucin analtica para la esfera "flotando en el emisor plano poPara el "hemisferio en un puesto de" modelo de diodo de confipotencial "modelo es bien conocido por ejemplo, ref. 22 y 23 . racin de Bonard et al. 27 frmula introducida numricamente equipado Para resolver este problema, el mtodo de las imgenes 28 es por lo general utilizada. 0.9 -1 H L-H El 0 de carga q0 = -4hE0 y el dipolo elctrico p0 1.2 + 2.5 tubo 1 + 0.013 = 4 0E0 3 colocado en el punto A fig. 2crear una esfera de L radio y potencial = 0 en uniforme campo elctrico externo. L-H El cargo q0 y dipolo p0 causar una variacin potencial de - 0.033 . 7 L a travs del plano emisor. Para corregir esto tenemos que hacer un la imagen de carga q0 y dipolo imagen- p0 en el punto A detrs del emisor plano. La imagen de carga y el dipolo de la imagen-se desLa ecuacin. 7demuestra un comportamiento razonable, tanto para el lmite agravio de la superficie de la esfera. Para restaurar la forma que debe 0cases: if La continuacin, el tubo tubo; si HLa lugar adicional de carga q1 = q0- 2h y dipolo p1 continuacin, el tubo . =p0 3 8h3 en el punto B en la distancia s1 = 2 2h de la La desigualdad 4tiene que ser verdad para la esfera "flotante centro de la esfera ver fig. 2. A continuacin, tenemos que poner q1 y p1 al potencial emisor de plano "el modelo y el" hemisferio en una en el punto B, despus de poner-Q2 y p2 en C y as sucesivamente. despus de "modelo de diodo de configuracin, sphtube. Para algunos conjuntos de parmetros, podemos demostrar la violacin de esta desigualdad-Despreciando los trminos de una mayor pequeez en esta serie de dad. Por lo tanto se supone que la ecuacin. 7no es perfectamente correcta. aproximacin nos encontramos con el campo elctrico en la parte superior de flotar En el presente trabajo revisamos el campo de la mejora esfera factor de la "esfera flotante al potencial emisor-avin"

modelo con el infinito y lo finito de nodo y ctodo distancia resolver el problema mencionado anteriormente.

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Etop =

1q0 4 E0
2 0

2P0 11 + 4034

q1 s1 +
0

++E0

+ 3,5.

En la expresin 9, Suponemos s1 0 y el abandono de la los cargos q2, q3,. . ., Y los dipolos p1, p2,. . .. As que aceptamos la idea de centralizacin de carga en el centro de la esfera y utilizar slo la carga inicial q0, la imagen de carga q1, y el inicial de dipolo p0. As, el factor de intensificacin del campo es
0 SPH =

La figura. 3. Color de lnea infinita serie de "imagen" cargos para la simulacin de un nodo plana.

Esuperior h H + 3,5 = + 2,5. E0

10

La carga inicial q0 nos da h, La imagen de carga q1 trae 2, el primer dipolo p0 aade 1/2, y el electrodo externocampo elctrico E0 1 contribuye a la mejora de factor de campo. Podemos proporcionar clculos ms precisos. Peridico frmulas para la distancia Si +1, La carga qi 1, Y el dipolo momento pi +1 a travs de si,qi, Y pi son los siguientes Si +1 = 2 2h - si ,pi +1 =pi 32h - si 3, y qi 1 =qi 2h - si -pi 2h - si 2, donde la distancia inicial es cero: s0 = 0. Vamos a sealar aqu que el dipolo pi provoca no slo una imagen-dipolo pi +1 sino tambin un cargo adicional-pyo2h - si 2. La expresin analtica exacta para el campo, mejorar la factor de cin es como sigue

espaciamiento, 2L. Es evidente que los aviones z= 0 y z=Lson los planos de la la simetra de las cargas puntuales y tienen un potencial 0 en ctodo y V=E0Len el nodo. Consideramos que la esfera central entre el nodo y el el ctodo y tambin sus dos vecinos ms prximos por separado. Estas tres esferas estn marcados en la figura. 3por los crculos rojos. El potencial electrosttico creado por todos los derechos "imagen" cargos en el punto de T es

derecha =

q
0n = 0

4 =-

11 2l+n1 L2L n+ 1 1+l/l+ 13 , L 0,57722 es la funcin de Euler-whereis digamma,

q 8
0

ex SPH = q

1+
i=0

q yo+

p yo ,

11

Mascheroni constante. El potencial electrosttico creado por todos los cargos de la izquierda es q
0n = 0

donde + si 2 a 1 2h + - si 2and0E0 1 yo=-Qyo4 p33 + si + 1 2h + - si 0.0E0 1 yo=-2pyo4 La expansin de la serie del factor campo de la mejora exacta es 7 11
EX-1 + - + = esf 2+

izquierda =

4 =-

11 2h+n1 L2L n+ 1

7
3-

25
4+

25 32

2 28 +O
6

16 ,

32

12

1+h/l+ 14 . 8 0 L El potencial externo a partir de conjuntos izquierdo y derecho de "imagen" cargos es

donde = h. 1+l/l+ 1+h/l2 q Podemos ver que el valor exacto del campo analtico esext = derecha + izquierda = . ex0 8 L 0 factor de feccionamiento, SPH est muy cerca de un aproximado, esf. 15 Aumentar la diferencia se lleva a cabo para una relacin de aspecto menor. La mtodo de las imgenes no supone la penetracin de la esfera Vamos a tomar en cuenta slo la influencia del punto de dipolo en el ctodo. Podemos considerar que el nico contacto entre el punto de colocado en la esfera central y el abandono de todos los dems. La poesfera y el plano emisor. En el caso lmite h=, Calculamos potencial creado por un dipolo en el punto T es ex0 servarse la SPH = 4,207 y SPH = 4,5. As, el aproximado p0 0 DIP = 2. 16 valor del factor de amplificacin del campo, SPH nos da exacta 4 0 la estimacin desde arriba. A medida que la esfera flotante tiene potencial catdico debemos III. INFLUENCIA DE LA FINITA de nodo y ctodo equivale a un cero el potencial total creado por un uniforme de elecDISTANCIA SOBRE LA MEJORA DE CAMPO campo elctrico, todas las cargas elctricas, y un dipolo en el punto T como el FACTOR siguientes: La presencia de un nodo plano situado a una distancia comparbola con la altura del nanotubo tiene una fuerte influencia en el factor de mejora de campo. Para estimar la influencia de lo finito de nodo y ctodo distancia, aceptamos la idea de cargo la centralizacin en el centro de la esfera. El con-bsica percepcin de clculo consiste en la sustitucin del ctodo y el nodo por un conjunto infinito de "imagen" cobra como se muestra en la figura. 3. Las cargas positivas y negativas tienen la misma q 4
0

E0h+ = 0.

ext -

1 - 2l -

1 - 2h +

p0 4
2 0

17

Sustituyendo en la ecuacin. 17 , El momento dipolar, p0 = 0 4E0 3 y la extensin del potencial externo, de la ecuacin. 15 y la solucin igualdad

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E0h-

q 8 q 4
0 0

1+l/l+ L 1 1 - 2l -

1+h/l+2

Etop = E0 1 + 2h +

ext

+
Z=H+

q 4
0

1
2

1 + 2l -

1 - 2h +

= 0,

18

1 2P0 4
3 0

20

nos encontramos con la carga elctrica en el centro de la esfera flotante 1+l/l+ L 2 2l 2h +

-1

q= 8 2 -

0E0h

1+h/l+2

19

Es fcil demostrar que en un pequeo barrio del punto T de la 0external cambios potenciales ext lentamente, ext z z = h + por lo tanto, estaremos perdiendo una derivada parcial en la ecuacin. 20 . Por lo tanto, el campo elctrico en1el punto T es q 1 1 Etop = + 3E0. 21 2 + 2l 2 + 2h + 2 4 0 =hy Presentacin de los parmetros adimensionales =hL, nos encontramos con el factor de amplificacin del campo

El campo elctrico en la parte superior de la esfera es

2 Esuperior
= Esf = 2

2 22

-2 +

2 + 2+ 2 2-

E0

2-

1+

2 -22 +

+ 3.

22

En el lmite 0, tenemos el caso de infinito de nodo y ctodo distancia. La expansin de la serie en el parmetro pequea nos da 0sph 1 + 7 2, lo que coincide con la ecuacin. 1y 10 . La expansin de nuestra solucin 22 En dos pequeos parparmetros y da a la aproximacin de Wang et al.23

La divergencia se hace muy grande cuando la esfera se aproxima mucho al nodo. Se utiliz para este ejemplo = 0,005, pero el comportamiento es el mismo para otras relaciones h.

SPH

1 7 ++ 2

IV. RESULTADOS Y DISCUSIN

23

A. Comparacin de los factores de mejora para el infinito nodo-ctodo distancia

es la funcin zeta, 3 = 1 + 1 23 + 1 33 + 1 43where +. . . 1,20206. En la fig. 4, vemos que la aproximacin de Wang trabaja muy as en el caso h0.6L.

Comparacin de los factores de mejora de campo para el flotante " cin en la esfera slida emisor plano potencial "modelo verde lnea, el "hemiellipsoid en el avin" modelo discontinua de color rojo-ylnea de puntos, y la frmula de ajuste para el hemisferio "en un post "modelo de la lnea azul punteada se muestra en la figura. 5. El color prpura Lnea de 00dotted corresponde a Sph + ell 2. Vemos la realizacin de la desigualdad 4. Tambin podemos la conclusin de que la igualdad aproximada 5se satisface con muy buena precisin.

B. Los factores de campo para el realce finito nodo ctodo de distancia

La figura. 4. Color de lnea de la comparacin de nuestra solucin 24 con la aproinformacin de Wang et al. Ref. 8para el factor campo frente a la mejora = hL.

Vamos a considerar el comportamiento de los factores de mejora del campo para la "esfera flotante al potencial de emisor-plano" modelo, el "Hemiellipsoid en el plano" del modelo, y en el hemisferio "en un post "modelo finito de nodo del ctodo distancia. Usaremos la ecuacin. 22 de la esfera "flotando en el emisor plano de potencial "de modelo y la ecuacin. 7para el hemisferio "en un post "del modelo. Para el "continente en un avin" modelo con finita de nodo y ctodo a distancia vamos a aplicar el anlisis aproximacin supone que por Pogorelov et al.24

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La figura. 5. Color de lnea de mejora de los factores de campo frente a la relacin de aspecto de tres modelos: esfera flotante de la lnea verde, semi-elipsoide discontinua de color rojoy lnea de puntos, y el hemisferio en un poste de la lnea azul discontinua. El color prpura lnea punteada es el promedio entre la esfera flotante y la hemiellipsoid.

23
ell = ,

24

1donde P=
n=1

1+ En-2 -P 1-

2n - 1 ln 2n + 1 + + 1 ln 2n + 1 -

2n - 1 + - 2n 2n - 1 -

= LH. Para la comparacin de los factores, tenemos dos casos lmite. El primer lmite se corresponde con el "hemisferio en un avin" modelo con infinidad de nodo y ctodo distancia cuando h= 0, L , Y = 3. El segundo lmite se plantea si la brecha entre el nodo y el vrtice del emisor es muy pequea, como se muestra en la figura. 6. En este caso, podemos considerar una brecha entre el nodo y el emisor como el condensador de placas paralelas. mbito local cerca del vrtice es Etop = Vl-, Donde VSe aplica tensin. El campo medio es E0 = VL. As, la asntota para el campo factor de mejora es y

La figura. 7. Color de la lnea Comparacin de los factores de campo de mejora para tres modelos: a una distancia del nodo y ctodo, Lest cambiando, = 0,005; b la altura del emisor, Hest cambiando, L= 0,005. La lnea de puntos prpura es la asntota.

asimetra =

1L

= l-l-

25

Los factores de mejora de campo tiene que acercarse a este curva asinttica desde arriba. Asimismo, todos los factores deben presentar para borrar la desigualdad

SPH

tubo

ana

asimetra,

26

que es similar a la desigualdad 4para infinito nodo-ctodo distancia. Comparacin de los factores de mejora de campo se muestra en Fig. 7. La lnea punteada color prpura se corresponde con el asymtotic aumento del campo factor de asimetra. Color y el estilo de otras lneas son los mismos que en la figura. 5. Si seguimos la altura y el radio de los emisores y que variar la distancia nodo-ctodo, a continuacin, la mejora de campo factores cambiar la forma en que se muestra en la fig. 7 un . Cambio en el factores de campo del realce con el cambio en la altura de emitirter se muestra en la fig. 7 b . Vemos que todas las funciones del demonio
La figura. 6. Color de la lnea Ilustracin de pequea distancia entre el nodo y el la parte superior del emisor

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2 demostrar un comportamiento adecuado para dos casos lmite: h= 0 y H=L. -2 +2 SPH = 29 La ecuacin aproximada tubesph + ell 2 se lleva a cabo . 0.8.in una amplia gama 0 1-2 A pesar de la validez de la desigualdad 26 para el diapasn completo As, el factor de mejora de condiciones para la esfera "flotante a 1, vemos en la figura. 7if0.97 que, a continuacin, tube0sph. emisor plano potencial de "modelo con el infinito nodo En otras palabras, si la distancia entre el emisor y el pice distancia ctodo tiene la forma nodo es pequeo, entonces el factor de mejora de campo para el "Hemisferio en un puesto de" modelo supera el aumento del campo 2 27a2 -2 +2 factor de la "esfera flotante al potencial emisor-avin" SPH = 30 . 21modelo. 2Por ejemplo, si emisor nanotubo tienen un radio de 1 nm y la longitud de 1 m, entonces de acuerdo con nuestro modelo en el diodo Este factor de mejora de campo est muy cerca al factor de La ecuacin. 22 , Sphsph. La distincin entre estos dos factores es configuracin con la distancia ctodo-nodo 1,5 m de campo invisible en la fig. 7, que se unen en una sola lnea. mejora del factor de SPH es 1004,5, el tubo factor para el Es de destacar, que la ecuacin. 30 nos permite resolver el Modelo de Bonard27 es 620,3, y el codo del factor para el hemielsegundo problema mencionado anteriormente. La mejora de campo lipsoid en el plano24 modelo es 326,6. La igualdad aproximada factor de pliegos por hora tiende a infinito si lo HL. est satisfecho con la precisin bastante buena, el tubo de 1004.5 + 326.6 2 = 665,5. Para ms pequeo ctodo-nodo distancia de tenemos SPH = 1030,6, tubo = 1.024,0, y ell1.02 V. CONCLUSIONES = 478,6. Vemos sphtube, que contradice el sentido comn. As creemos mean1030.6tube aritmtica Utilizando el mtodo de imgenes que hemos exactamente calculados + 478.6 2 = 754,6 da un valor ms razonable por sus siglas en el factor de mejora de campo para "esfera flotante en emisorctodo-nodo distancia. plano de potencial de "modelo con el infinito de nodo y ctodo disAsumimos que nuestra ecuacin. 22 es lo suficientemente precisa, pero la cia. ecuacin. Se ha corregido este factor de esfera flotante en el diodo 7sobreestima el factor de mejora de condiciones para pequeo espacio configuracin entre un nodo y un ctodo plano. Si aplicamos entre el emisor y el nodo. los parmetros adimensionales = hy = l, dnde est el radio de la esfera, hes la distancia desde el ctodo al centro de la esfera, y les la distancia desde el centro hasta el nodo, entonces el factor de amplificacin del campo se da como la siguientes expresin SPH = 2 + 7 - 2 2 - 2 + 2 2 1 2 -. Esta expresin demuestra un comportamiento razonable para limitar los casos. Si la continuacin, esf = h+ 7 2 - 2h. Si l C. Simplificacin de la esfera "flotando en el emisor y ha continuacin, Sph = 4. Si la continuacin, pliegos . plano de potencial "modelo de Hemos comparado el aumento del campo SPH factor de la "esfera flotante al potencial emisor de plano" el modelo, el Nuestra ecuacin. 22 para el factor de amplificacin del campo tiene dosfactor de tubo para el "hemisferio en un poste" del modelo, y el desventajas. En primer lugar, esta expresin es muy complicado para factor de codo para el "hemiellipsoid en el avin" modelo. Tenemos estimaciones rpidas. Por ejemplo, es imposible para encontrar SPH por correccin validada de la sphtubeell la desigualdad. Nosotros uso de la calculadora cientfica de costumbre. En segundo lugar, el campo es - demostrado realizacin del tubo de evaluacin aproximada han feccionamiento factor de la ecuacin. 22 tiende a infinito si no H SPH + ell 2. =Lpero si H=L+2. As que tenemos que mejorar el campo infinitoPor lo tanto, podemos concluir que el mbito "flotando en el factor de medicin, solamente si la esfera flotante penetra en el emisor plano potencial "modelo es razonable para el clculo de nodo en medio de su radio. el factor de mejora de la CNT. Para resolver el primer problema que vamos a tratar de expresar el campo factor de mejora como producto del factor para la enfinito nodo-ctodo distancia y el multiplicador de corregir que representa la distancia finita entre el nodo y el 0 ctodo, SPH = esf esf. Esta representacin es similar a lo que Bonard et al.27 utilizado para el "hemisferio en un puesto de" modelo de AGRADECIMIENTOS La ecuacin. 7. Agradecemos el apoyo a travs de la Nacional Vamos a utilizar los tres primeros trminos de expansin de la serie 12 Consejo de Ciencia de Taiwn, Repblica de China, bajo la subvencin para el factor de mejora de campo exacta con infinita nodoConsejo de Seguridad Nacional 98 hasta 2112-M-001-022-MY3, la Oficina de ctodo de distancia Asia del AeroEspacio de Investigacin y Desarrollo AOARD bajo la subvencin no. FA2386-09-1-4128, y el apoyo dado por la ciencia bsica 2 Programa de Investigacin a travs de la Fundacin Nacional de Investigacin 2 +7 -7 1 0 -1 cin de Corea NRF financiado por el Ministerio de Educacin, . 27 SPH =+Ciencia y Tecnologa no conceder. 2009-0088557. 2 22

Para obtener el multiplicador de la correccin, nos encontraremos con el lmite

SPH =

lim

0 0

SPH 0. SPH

BH Fishbine, Miglionico CJ, Hackett KE, y Hendricks KJ, Mater. Res.. Soc.. Symp. Proc. 349, 319 1994. Zakharchenko, y AI Zhbanov, sptimo vaco Internacional de microelectrnica nica de la Conferencia, ATRIA, World Trade Center, Grenoble, Francia, julio de 4-15, 1994, pp 319-321.

28

2Y. V. Gulyaev, ES Nefyodov, Sinitsyn NI, Torgashov GV, la fiebre amarilla

La sustitucin de pliegos de la ecuacin. 22 y pliegos de la ecuacin. 27 en 3A. G. Rinzler, Hafler JH, DT de Colbert, y Smalley RE, Mater. Res.. Soc.. Symp. Proc. 359, 61 1994. limitar 28 y la introduccin de nuevo parmetro adimensional, =l, podemos encontrar
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Pogorelov et al.

J. Appl. Phys.. 108, 044502 2010 Chem.. 14, 933 de 2004. G. Yue, Qiu P., Gao B., Y. Cheng, Zhang J, Shimoda H., S. Chang, de JP Lu, y Zhou O., Appl. Phys.. Lett. 81, 355 de 2002.

YV Gulyaev, LA Chernozatonskii, ZJ Kosakovskaja, NI Sinitsyn, G. V. Torgashov, y Y. F. Zakharchenko, J. Vac. Ciencia. Technol. B 13, 435 1995. 5L. A. Chernozatonskii, YV Gulyaev, ZJ Kosakovskaja, NI Sinitsyn, GV Torgashov, la fiebre amarilla Zakharchenko, Fedorov EA, y Val'chuk VP, Chem.. Phys.. Lett. 233, 63 de 1995. 6A. G. Rinzler, Hafner JH, Nikolaev P., Lou L., Kim SG, D. Tomanek, P. Nordlander, D. T. Colbert, y R. E. Smalley, Ciencia 269, 1550 1995. 7W. A. de Heer, Chtelain A. y D. Ugarte, Ciencia 270, 1179 de 1995. 8Q. H. Wang, Setlur AA, Lauerhaas JM, Dai JY, Seelig EW, y R. P. H. Chang, Appl. Phys.. Lett. 72, 2912 de 1998. 9W. B. Choi, DS Chung, JH Kang, HY Kim, Jin PA, TI Han, Y. H. Lee, JE Jung, Lee NS, GS Park y Kim JM, Appl. Phys.. Lett. 75, 3129 de 1999. 10A. I. Zhbanov, N. Sinitsyn I. y G. V. Torgashov, Radiophys. Cuntico Electron. 47, 435 de 2004. 11Y. C. y E. H. Kim Yoo, Jpn. J. Appl. Phys., Parte 2 44, L454 de 2005.
12Y. C. Kim, Kang HS, E. Cho, Kim DY, Chung DS, Kim IH, IT 13N. de Jonge y J. M. Bonard, Philos.

16

17A. L. Musatov, Gulyaev YV, Izrael'yants KR, EF Kukovitskii, NA

Kiselev, OY Maslennikov, Guzilov IA, Ormont AB y GE Chirkova, J. Commun. Technol. Electron. 52, 714 de 2007. 18J. M. Bonard, T. Stckli, Noury O. y A. Chatelain, Appl. Phys.. Lett. 78, 2775 de 2001. 19Y. Saito y Uemura S. Carbono 38, 169 de 2000.
20W. I. Milne, Teo KBK, Chhowalla M., Amaratunga GAJ, J. Yuan,

Han, y J. M. Kim, Nanotecnologa 20, 095 204 2009. Trans. R. Soc.. Londres, Ser. A 362, 2239 de 2004.

14Y. F. Zakharchenko, Torgashov GV, Gulyaev YV, Sinitsyn NI, ES

Nefedov, A. I. Zhbanov, M. y E. Il'in, J. Vac. Ciencia. Technol. B 14, 1982 1996.

15W. I. Milne, Teo KBK, Amaratunga GAJ, Legagneux P., L. Gan-

gloff, JP Schnell, SEMET VV, Binh VT, y Groening O., J. Mater.

J. Robertson, Legagneax P., G. Pirio, Bouzehouane K., D. Pribat, W. Bruenger, y Trautmann C, Curr. Appl. Phys.. 1, 317 de 2001. 21B. P. Ribaya, J. Leung, P. Brown, M. Rahman, y Nguyen CV, Nanotecnologa 19, 185 201 2008. 22R. G. Forbes, Edgcombe J. C., y U. Valdr, Ultramicroscopa 95, 57 2003. 23X. P. Wang, Wang M., AM l, YB Xu y Li ZH, J. Appl. Phys.. 96, 6752 de 2004. 24E. G. Pogorelov, A. I. Zhbanov, y Y. C. Chang, Ultramicroscopa 109, 373 de 2009. 25C. J. Edgcombe y Valdr U., De estado slido de electrones. 45, 857 de 2001. 26C. J. Edgcombe y Valdr U., Philos. Mag. B 82, 987 de 2002. 27J. M. Bonard, K. A. Dean, B. F. Coll, y Klinke C, Phys.. Rev. Lett., 89, 197 602 2002. 28J. D. Jackson, La electrodinmica clsica, 3 ed. Wiley, Nueva York, 1999.

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