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UNIVERSIDAD POLITCNICA DE EL SALVADOR FACULTAD DE INGENIERA Y ARQUITECTURA ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA

LABORATORIO #1
POLARIZACION DEL BJT
MATERIA: ELECTRONICA II

ALUMNOS 1. 2. 3.

CARNET

NOTA REPORTE

FECHA DE PRCTICA _______________ F. ________________ FECHA DE ENTREGA _______________ F. ________________


A: Orden y Aseo 10% B: Investigacin previa 10% C: Puntualidad.10% D: `Participacin desarrollo de la Prctica 30% E: Reporte.. 40%
MISION DE LA UNIVERSIDAD Formar Profesionales con Alto Sentido Crtico y tico con Capacidad de Autoformacin y con las competencias tcnicos-cientficas requeridas para resolver problemas mediante soluciones enfocadas al desarrollo social y respetuoso del medio ambiente.

ASIGNATURA

UNIVERSIDAD POLITCNICA DE EL SALVADOR FACULTAD DE INGENIERA Y ARQUITECTURA ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA ELECTRONICA II

POLARIZACION DEL BJT


I. OBJETIVOS GENERALES Que el estudiante se familiarice con la polarizacin del BJT en la regin de activa y sus diferentes configuraciones. II. OBJETIVOS ESPECFICOS 1. Realizar las diferentes mediciones en el BJT para identificar por medio de ellas la regin de polarizacin que se encuentre este. 2. Identificar el comportamiento de los BJT al ser sometidos a diferentes temperaturas. 3. Comprobar que el BJT puede ser utilizado como amplificador de pequeas seales. III. INTRODUCCION El anlisis de pequeas seales en los transistores es muy utilizado en los amplificadores de pequeas seales en AC. Por lo que el transistor puede llegar a ser analizado como un sistema de redes de dos puertos, en el desarrollo de esta prctica se estudiara la configuracin bsica de emisor comn (EC) y por divisor de tensin, teniendo presente todo sobre el anlisis de polarizacin de los transistores en el punto Q. ANALISIS EN DC Polarizacin en Configuracin Emisor Comn (EC) o Polarizacin Fija. El circuito de polarizacin fija de la figura 1.1 es la configuracin de polarizacin de CD ms simple. Aun cuando la red emplea un transistor NPN, las ecuaciones y clculos aplican igualmente para un transistor PNP tan slo con cambiar todas las direcciones de la corriente y las polaridades del voltaje. Para el anlisis de CD se puede aislar la red de los niveles de CA indicados reemplazando los capacitores con un equivalente de circuito abierto, ya que la reactancia de un capacitor con CD es

Para el anlisis en DC, Xc = Para el punto Q, la polarizacin de IBQ y VCEQ debe ser considerado en el punto medio como lo indica la Fig. 1.2.

Fig. 1.1 Red de polarizacin de un transistor ELECTRONICA 2

Fig. 1.2 Punto Q del transistor

Para obtener los parmetros debemos realizar el anlisis de LVK para la malla Base Emisor y Colector Emisor, obteniendo las siguientes ecuaciones que me relacionan este anlisis.

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN DE EMISOR La red de polarizacin de CD de la figura 1.3 contiene un resistor emisor para mejorar la estabilidad del nivel en relacin con la de la configuracin de polarizacin fija. La malla base-emisor de la red de la figura 1.3 aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de las manecillas del reloj obtenemos la corriente de base (IB)

La malla colector-emisor

Fig. 1.3 Corrientes de polarizacin del BJT

El voltaje en la base con respecto a tierra se determina partir de

La adicin de un resistor emisor a la polarizacin de CD del BJT mejora la estabilidad, es decir, las corrientes de polarizacin en CD y los voltajes permanecen prximos a los valores establecidos por el circuito cuando las condiciones externas, como la temperatura y la beta () del transistor, cambian. Relacin de fase Relacin de fase El signo negativo de AV en la ecuacin resultante revela que ocurre un desfasamiento de 180entre las seales de entrada y salida, como se muestra en la figura 1.7. Es el resultado de que Ib establezca una corriente a travs de RC la cual producir un voltaje a travs de RC, lo opuesto al definido por VO.

Fig. 1.7 Demostracin del desfasamiento de 180entre las formas de onda de entrada y salida. ELECTRONICA 2

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE En la configuracin de polarizacin anterior, la corriente de polarizacin I CQ y el voltaje VCEQ eran funciones de la ganancia de corriente del transistor. Sin embargo, como es sensible a la temperatura, sobre todo si se trata de transistores de silicio, y como el valor real de beta en general no est muy bien definido, conviene desarrollar un circuito de polarizacin que dependa menos de, o que en realidad sea independiente, de la beta del transistor. La configuracin de polarizacin por medio del divisor de voltaje de la figura 1.8 es esa red. Si se analiza de una forma exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es muy pequea. Si los parmetros del circuito se seleccionan apropiadamente, los niveles resultantes de ICQ y VCEQ son casi totalmente independientes de beta. El nivel de IBQ cambiar con el cambio en beta, pero el punto de operacin en las caractersticas definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se emplean los parmetros de circuito correctos.

Fig. 1.8 Polarizacin por divisor de tensin RTh La fuente de voltaje se reemplaza con un equivalente de cortocircuito como se muestra en

ETh La fuente de voltaje VCC se regresa a la red y el voltaje de Thvenin de circuito abierto

La red de Thvenin

Una vez conocida IB, las cantidades restantes de la red se determinan de la misma manera que para la configuracin de polarizacin de emisor. Es decir,

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VI. INVESTIGACION PREVIA Obtener las hojas tcnicas de los transistores 2N2222 y BC 547. Determinar los parmetros de polarizacin de la figura 1, 2 y 3. Considere el transistor 2N2222. V. EQUIPO Y MATERIALES Cant. 1 1 1 1 1 2 1 Descripcin Pinza media caa Cortadora lateral Breadboard Generador de funciones Multmetro digital Capacitores 10 F 10 K Cant. 1 1 1 1 1 1 1 Descripcin Transistor BC 547 Transistor 2N 2222 1.0 K 330 K 220 100 K 47 K

VI. PROCEDIMIENTO PARTE I. MEDICION DE BETA ( o hfe) 1. Meda los betas ( o hfe) de los BJT y complete la siguiente tabla 1: Transistor F o hfe BC 547 2N2222 Tabla 1. Medicin del beta. PARTE II. POLARIZACION FIJA 2. Determine los valores que deben presentar el siguiente circuito y antelos en la tabla 2.

Fig. 1. Polarizacin directa. 3. Arme el circuito de la Fig. 2 utilizando el transistor 2N2222 4. Mida los valores y antelos en la tabla 2. Valores Calculados Medidos (2N2222) Medidos (BC 547) ELECTRONICA 2

VCE

VBE

IC

IB

VE

Tabla 2. Clculos y mediciones de polarizacin fija del transistor. 5. Cambie el transistor por BC 547 y anote las mediciones correspondientes. 6. Conecte el cautn espere que caliente, acrquelo al transistor sin toparlo a una separacin aproximadamente unos 5 mm por unos 5 minutos. Y observe si valan los niveles de tensin VBE y VCE. ANOTE SUS OBSERVACIONES PARTE III. POLARIZACION POR EMISOR 7. Arme el circuito que se muestra en la Fig. 2 8. Calcule los valores de polarizacin del transistor utilizando el transistor 2N2222. Y antelo en tabla 3 9. Realice las mediciones correspondientes que pide la tabla 3.

Fig. 2. Polarizacin por emisor. Valores Calculados Medidos Tabla 3. Clculo y medicin polarizacion por emisor. 10. Ajuste una seal senoidal en el generador de funciones con una amplitud de 200 mVpp, a una frecuencia fundamental de 1KHz. 11. Dibuje la seal de entrada y la seal de salida del amplificador. Obtenga la ganancia de voltaje del circuito. = = _________________

VCE

VBE

IC

IB

VE

12. Mida el ngulo de desfase de las seales. ANOTE SUS OBSERVACIONES

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PARTE IV. POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION 13. Arme el siguiente circuito que se muestra en la figura 3.

Fig. 3. Amplificador por divisor de tensin 14. Complete la tabla 5, para las siguientes calcule y mediciones, los parmetros que se piden de la tabla 5. Valores Calculados Medidos Tabla 5. Clculo y medicin polarizacion por emisor. 15. Ajuste una seal senoidal en el generador de funciones con una amplitud 200 mVpp, a una frecuencia fundamental de 1KHz. 16. Dibuje la seal de entrada y la seal de salida en RL del amplificador. Obtenga la ganancia de voltaje del circuito. = = _________________

VCE

VBE

IC

VE

17. Explique la forma de onda y el desfase de la seal. Y Mida el ngulo de desfase de las seales. 18. Cambie el capacitor por de 1 F por uno de 10f, obtenga las seales de entrada y salida. Anote sus observaciones. ANOTE SUS OBSERVACIONES V. INVESTIGACION COMPLEMENTARIA Cmo se determina la ganancia de voltaje en los transistores para las configuraciones de emisor comn, estudiadas en esta prctica?

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