Tema6 - 0708 A DEF

TEMA 6: Amplificadores con Transistores Electrnica
Tr. 6.1
los autores
TEMA 6: Amplificadores con Transistores
Contenidos del tema:
El transistor como amplificador. Caracterstica de gran seal
Polarizacin. Parmetros de pequea seal
Configuraciones de amplificadores con BJT y MOSFET
Polarizacin en Circuitos Integrados: Espejos de Coriente
Amplificadores Integrados MOS: configuraciones bsicas
Respuesta en frecuencia de los amplificadores
Amplificadores diferenciales
Tr. 6.2
los autores
Uso de Transistores: conceptos bsicos
v
o
=kv
i
v
i
v
s
v
s
k > 1
Interruptor (llave):
Linealidad (peq. seal)
Suministro de energa
v
i
<< 1
Necesidad Polarizacin
Zona activa
Amplificador:
No-lineal (gran seal)
Suministro de energa
v
i
--> V
DD
Necesidad Polarizacin
Zonas de operacin diferenciadas
Tr. 6.3
los autores
El transistor como amplificador (I)
Vo
V
I
V
CC
V
o
R
C
------------------------- i
C
V
I
( ) =
V
I
v
BE
V
BE
v
be
+ = =
componente en DC
componente AC de pequea seal
Ecuacin caracterstica Vo-Vi de gran seal
Zona de amplificacin
i
C
I
s
e
v
BE
U
T
I
s
e
V
BE
U
T
e
v
be
U
T
= =
V
I
V
o
V
CC
V
CEsat
Corte
Conduccin
Saturacin
0
V
CC
I
C
e
v
be
U
T
=
Linealizacin
i
C
I
C
1
v
be
U
T
-------- +
\ .
|
| |
~
para v
be
< 10mV
V
BE
V
CC
-I
C
R
C
Q
Zonas de conmutacin (llave OFF o ON)
V
I
pequea: BJT en corte, Vo = V
CC
V
I
grande: i
C
grande, BJT en saturacin, Vo = V
CE(sat)
BJT
punto de operacin
, OFF
, ON
ZAD
Tr. 6.4
los autores
V
DD
V
o
R
D
---------------------- i
D
V
I
V
o
, ( ) =
Ecuacin caracterstica Vo-Vi de gran seal
MOSFET
V
o
V
I
El transistor como amplificador (II)
V
I
V
o
V
DD
Corte
Lineal o Triodo
Saturacin
0
V
DD
Q
V
T
V
I
V
o
V
T
+ ~
Zona de amplificacin
i
D
K
2
---- V
I
V
T
( )
2
1 V
o
+ ( ) =
punto de operacin
i
D
K
2
---- 2 V
I
V
T
( )V
o
V
o
2
| | =
Tr. 6.5
los autores
Polarizacin (I)
Tcnica de polarizacin = tcnica para fijar el punto de operacin en la zona de amplificacin
Varias maneras de polarizar dependiendo de: tipo de transistor
tipo de circuito
tipo de amplificador
Ejemplo:
?
?
?
fijar I
C
o fijar I
B
?
V
BB
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
-V
EE
Tres objetivos generales:
- situar al ttor en zona de amplificacin
- obtener valor deseado de ganancia
- disminuir distorsin
recta de carga
Tr. 6.6
los autores
Polarizacin (II)
Esquema prctico para polarizacin (BJT y MOS):
V
CC
V
CC
R
C
R
E
R
1
R
2
V
B
V
CC
R
2
R
1
R
2
+
-------------------- =
I
C
|
F
V
B
V
BE on ( )
( )
R
1
R
2
,,
( ) |
F
1 + ( )R
E
+
-----------------------------------------------------------
V
B
R
E
------- ~ =
para V
B
>> V
BE(on)
y R
E
>> (R
1
//R
2
)/(|+1)
conseguimos independizar I
C
de la T
Varios problemas de este esquema:
- R
E
reduce el rango de tensin a la salida
- R
1
y R
2
derivan corriente de la seal de entrada
- se necesitan condensadores para desacoplo DC
- no apropiado para circuitos integrados
V
CC
V
CC
f
Av
rango de fecuencias medias
debido a Cs acoplo
debido a Cs del transistor
Cs de acoplo
Tr. 6.7
los autores
Aproximacin de Pequea Seal
Fijada por el
Dada por el
v
XY
= V
XY
+ v
xy
i
XY
= I
XY
+ i
xy
v
XY
= Valor total
V
XY
= Valor constante
v
xy
= Variable con t
Variables en el circuito:
V
XY
v
xy
circuito equivalente
punto de operacin
y la red de polarizacin
de pequea seal
aqu el equiv. de peq. seal del ttor
equiv. peq. s. de V
CC
Tr. 6.8
los autores
Parmetros de pequea seal de un Amplificador
Para todo Amplificador se debe conocer: ganancia
impedancia de entrada
impedancia de salida
ancho de banda
todos los parmetros se miden en Pequea Seal en el Punto de Operacin
se obtienen analizando el circuito equivalente de pequea seal del Amplificador
v
i
v
o
equivalente de pequea seal del ttor
A
v
v
o
v
i
----- = ganacia en tensin
imp. entrada
imp. salida
i
i
i
o
Z
i
v
i
i
i
---- =
Z
o
v
o
i
o
-----
v
i
0 =
=
Definicin:
Tr. 6.9
los autores
Configuraciones bsicas de Amplificadores
V
CC
-V
EE
Existen tres configuraciones bsicas
BJT
X
Y
Z
Emisor comn: X entrada
Z salida
Y tierra
Base comn: Y entrada
X tierra
Z salida
Colector comn: X entrada
Y salida
Z tierra
V
DD
-V
SS
MOS
X
Y
Z
Fuente comn: X entrada
Z salida
Y tierra
Puerta comn: Y entrada
X tierra
Z salida
Drenador comn: X entrada
Y salida
Z tierra
R
C
R
B
R
E
R
D
R
S
R
G
Tr. 6.10
los autores
Amplificador a Emisor Comn
Anlisis a frecuencias medias
R
B
R
C
V
CC
v
I
V
I
Q
v
i
t ( ) + =
v
0
V
0
Q
v
0
t ( ) + =
v
I
v
0
i
c
i
b
r
0
g
m
v
be
r
t
1
g
------
Circuito Equivalente en Pequea Seal en ZAD:
R
C
R
B
v
i
t ( )
v
0
t ( )
v
be
-
+
Ganancia en tensin:
v
0
t ( ) g
m
R
C
//r
0
( )v
be
=
v
be
r
t
R
B
r
t
+
--------------------v
i
t ( ) =
\
|
v
0
t ( )
v
i
t ( )
------------ g
m
r
t
R
B
r
t
+
-------------------- R
C
//r
0
( ) =
A
V0
v
0
t ( )
v
i
t ( )
------------ = |
0
R
C
//r
0
R
B
r
t
+
-------------------- =
Impedancia de entrada:
Zi
Zo
Z
i
v
i
i
b
---- R
B
r
t
+ = =
Impedancia de salida:
Z
o
v
o
i
o
-----
v
i
0 =
R
C
//r
0
= =
Propiedades:
Alta ganancia (mximo valor -V
A
/U
T
= 5x10
3
)
Alta resistencia de salida
Moderada impedancia de entrada
Tr. 6.11
los autores
Polarizacin en Circuitos Integrados (I)
En los CIs se evita el uso de Resistencias y Condensadores para polarizar
Existen dos formas bsicas de polarizacin: a) con resistencias activas
b) con fuentes de corriente
En cualquiera de ellas se utiliza tambin el nivel de DC de la entrada
para fijar el punto de operacin
Resistencias Activas:
Son resistencias nolineales que se realizan con ttres. en configuracin diodo
V V
I I
I I
MOS en Saturacin
I
k '
2
-----
W
L
---- - V V
T
( )
2
1 V + ( )
0 ~
k '
2
-----
W
L
----- V V
T
( )
2
= =
I
V
V
T
resistencia en pequea seal,
D
S
G
v
i
+
_
g
m
v
r
ds
r
v
i
--
r
ds
1 g
m
r
ds
+
-------------------------
1
g
m
------- ~ = =
NMOS PMOS
caso V
BS
=0
Tr. 6.12
los autores
V
SS
V
DD
Fuentes de Corriente:
Se realizan con ttres MOS en Saturacin o BJT en ZAD
Tipo Fuente
Tipo Sumidero
V
I
BIAS
V
GG
I
BIAS
V
SS
I
BIAS
V
V
GG
V
DD
V
I
BIAS
V
SS
V
DD
V
GS
= V
GG
- V
SS
V
I
BIAS
V
SS
V
DD
V
GS
= V
GG
- V
DD
para V
BS
= 0
Resistencia de salida en pequea seal
r
o
r
ds
1 V
DS
+
I
BIAS
------------------------
1
I
BIAS
------------------- ~ = =
Polarizacin en Circuitos Integrados (II)
V
BB
V
I
BIAS
V
BB
MOS
V
EE
V
CC
Tr. 6.13
los autores
Polarizacin: Espejos de Corriente
Los Espejos de Corriente se utilizan para obtener corrientes a partir de una corriente de referencia
I
D1
k
n
'
2
------
W
L
-----
\ .
| |
1
V
GS
V
T
( )
2
1 V
DS1
+ ( ) I
REF
= =
I
D2
k
n
'
2
------
W
L
-----
\ .
| |
2
V
GS
V
T
( )
2
1 V
DS2
+ ( ) I
o
= =
I
o
W
L
-----
\ .
| |
2
1 V
DS2
+ ( )
W
L
-----
\ .
| |
1
1 V
DS1
+ ( )
-----------------------------------------------I
REF
W
L
-----
2
W
L
-----
1
--------I
REF
~ =
Espejo NMOS simple
Existen adems: a) versiones PMOS y BJT
b) espejos mltiples o copiadores de corriente
c) configuraciones mejoradas (mayor resistencia de salida)
Tr. 6.14
los autores
Modelo en AC del Espejo de Corriente NMOS
Tr. 6.15
los autores
Modelo en ac del Espejo de Corriente NMOS
r
o
Tr. 6.16
los autores
Modificaciones al Espejo de Corriente NMOS
Cascode
Wilson
Wilson modificado
Tr. 6.17
los autores
V
DD V
DD
I
BIAS
I
BIAS
v
i
v
i
v
o
v
o
Polarizados con corriente:
V
SS V
SS
Fuente Comn
Drenador Comn= seguidor por fuente
V
DD
I
BIAS
V
SS
v
o
v
i
V
DD
I
BIAS
V
SS
v
o
v
i
Con carga activa: configuraciones fuente comn
v
i
v
o
V
SS
V
DD
V
DD
v
o
v
i
V
SS
v
i
v
o
V
SS
V
DD
NMOS
CMOS
CMOS
V
DD
v
o
v
i
PMOS
V
SS
A
o
g
mI
g
o
~
A
o
g
mI
g
mL
~
A
o
1 ~
Amplificadores Integrados MOS: Configuraciones Bsicas
se suelen obtener
con espejos de corriente
Tr. 6.18
los autores
Tcnicas de Polarizacin: Fuente Comn
r
o2
V
A2
I
REF
--------------- r
ds2
1
I
REF
------------------ ~ = =
Con corriente
Tr. 6.19
los autores
D
1
, D
2
S
1
, S
2
Tcnicas de Polarizacin: Fuente Comn
equiv. pequea seal
Tr. 6.20
los autores
Amplificadores CMOS a Fuente Comn
M2
V
GG
r
ds1
g
m1
v
i
v
i
v
0
r
ds2
G
1 D
1
D
2
S
1
S
2
Equivalente en pequea seal
A
o
v
o
v
i
----- =
g
m1
g
ds1
g
ds2
+
------------------------------ =
Ganancia en tensin:
Resistencia de salida:
Resistencia de entrada: infinita
r
o
1
g
ds1
g
ds2
+
------------------------------ =
v
i
v
o
V
SS
V
DD
v
i
v
o
V
SS
V
DD
M1
r
ds1
g
m1
v
i
v
i
v
0
r
ds2
G
1 D
1
D
2
S
1
S
2
Equivalente en pequea seal
g
m2
v
o
A
o
v
o
v
i
----- = g
m1
r
ds1
r
ds2
r
ds1
1 g
m2
r
ds2
+ ( ) r
ds2
+
------------------------------------------------------------------- =
Ganancia en tensin:
A
o
g
m1
g
m2
~
Resistencia de salida:
Resistencia de entrada: infinita
r
o
1
g
m2
------------ ~
Tr. 6.21
los autores
Tcnicas de Polarizacin: Puerta Comn
Tr. 6.22
los autores
Tcnicas de Polarizacin: Drenador Comn
Tr. 6.23
los autores
Amplificador slo con MOS de canal n
A
v
W
L
-----
\ .
| |
1
W
L
-----
\ .
| |
2
-------------- =
Tr. 6.24
los autores
Dada por la funcin de transferencia del amplificador en pequea seal,
obtenida usando el modelo dinmico de los transistores en su regin de operacin
C
db
C
sb
B
C
gs
C
gd
Teorema de Miller
V
1
V
2
Y
I
1
I
2
K
V
2
V
1
------ =
I
1
I
2
V
1
V
2
= KV
1
+
+
+ +
_ _
_ _
Y
1
Y
2
Y
1
Y 1 K ( ) =
Y
2
Y 1
1
K
--- -
\ .
| |
=
K>1 Y
1
Y K ( ) ~ Y
2
Y ~
,
Respuesta en frecuencia de amplificadores (I)
Tr. 6.25
los autores
v
o
V
DD
v
i
C
L
C
gdP
C
gdN
C
dbP
C
dbN
C
T
= C
L
+ C
dbN
+C
dbP
+C
gdP
V
SS
V
GG
C
gsP
C
gsN
r
dsN
g
mN
v
i
v
i
v
0
r
dsP
C
T
C
gdN
C
gsN
g
mN
v
i
v
i
v
0
C
R
R = (g
dsN
+ g
dsP
)
-1
C = C
T
+ C
gdN
A
v
v
o
v
i
----- g
mN
( )R
e
1
s e
1
+
---------------- = =
e
1
= (RC)
-1
Amplificador CMOS a fuente comn
f
lA
v
l
dB
0
A
0
f
1
-3dB
20dB/dec
GBW=A
0
f
1
Respuesta en frecuencia de amplificadores (II)
usando Tma de Miller
Tr. 6.26
los autores
A
o
v
o
v
i
----- = g
m1
r
sd3
~
v
i
v
o
V
DD
v
B
M2
M1
M3
V
GG
A
1
v
1
v
i
----- =
g
m1
g
m2
---------------------
~
v
1
Con ella se pretende desacoplar la entrada con la salida en AC, evitando de ese modo
la alta capacidad de entrada que cargara las etapas precedentes
se puede hacer pequea para disminuir la capacidad
Miller a la entrada C
in1
= c
gd1
(1-A
1
)
n1
Amplificador CMOS a Fuente Comn: Configuracin Cascode
A
v
v
o
v
i
----- A
o
e
1
s e
1
+
---------------- = =
C
T
= C
L
+ C
gd3
+C
gd2
+C
db2
+C
db3
e
1
= (RC)
-1
R = r
sd3
Respuesta en frecuencia:
,
aparece un segundo polo asociado a la impedancia en el nudo n1, pero
es bastante mayor que e
1
y apenas afecta.
Tr. 6.27
los autores
V
CC
V
CC
f
rango de frecuencias medias
debido a Cs acoplo
debido a Cs del transistor
rango infinito de frecuencias
g
mN
v
i
v
i
v
0
C
R
f
lA
v
l
dB
0
A
0
f
1
-3dB
20dB/dec
GBW=A
0
f
1
M2
V
GG
v
i
v
o
V
SS
V
DD
M1
Cs acoplo
lA
v
l
dB
lA
v
l
dB
Respuesta Tpica en Frecuencia
caso ideal
caso real

Tema6 - 0708 A DEF

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Tema6 - 0708 A DEF

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

TEMA 6: Amplificadores con Transistores Electrnica

También podría gustarte