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PRACTICA 12 PALABRA EN LCD PWM:

Objetivo Aprender a hacer un pwm por medio de un pic y por medio de un mosfet ponemos en funcionamiento un motor. Material LCD Pic 16f84A o cualquier otro que tengamos a nuestra disposicion Protoboard Cable Cristal de 4 o 20 MHz Resistencia det 10 k Mosfet

DESARROLLO: Utilizamos el programador pic cc compiler en este programa hacemos el cdigo de programacin que lleva a cabo el proceso que nosotros requerimos en este caso lo que necesitamos es crear un pulso debido a que nuestro pic no lo tiene ya echo este programa lo compilamos.

Despues de compilar el programa utilizamos el programa pickit para quemar el pic el termino quemar se utiliza para mencionar que el programa ya compilado se introduce al pic: Ponemos el data chip del pic para poner bien las conexiones :

Respecto a los diagrama se conectan los cables , y todos los componentes, cristal resistencias.

Qu es un modulador PWM y par que sirve? La modulacin por ancho de pulsos (tambin conocida como PWM , siglas eningls de pulse width modulation) de una seal o fuente de energa es una tcnicaen la que se modifica el ciclo de trabajo de una seal peridica (una senoidal ouna cuadrada, por ejemplo) , ya sea para transmitir informacin a travs de uncanal de comunicaciones o para controlar la cantidad de energa que se enva auna carga.El ciclo de trabajo de una seal peridica es el ancho relativo de su parte positivaen relacin con el perodo. Expresado matemticamente: D= t/T D es el ciclo de trabajo t es el tiempo en que la funcin es positiva (ancho del pulso) T es el perodo de la funcin La construccin tpica de un circuito PWM se lleva a cabo mediante uncomparador con dos entradas y una salida. Una de las entradas se conecta a unoscilador de onda dientes de sierra, mientras que la otra queda disponible para laseal moduladora. En la salida la frecuencia es generalmente igual a la de la sealdientes de sierra, y el ciclo de trabajo est en funcin de la portadora.La principal desventaja que presentan los circuitos PWM es la posibilidad de quehaya interferencias generadas por radiofrecuencia. stas pueden minimizarseubicando el controlador cerca de la carga y realizando un filtrado de la fuente dealimentacin.En la actualidad existen muchos circuitos integrados en los que se implementa lamodulacin PWM, adems de otros muy particulares para lograr circuitosfuncionales que puedan controlar fuentes conmutadas, controles de

motores,controles de elementos termoelctricos, choppers para sensores en ambientesruidosos y algunas otras aplicaciones. Se distinguen por fabricar este tipo deintegrados compaas como Texas Instruments, National Semiconductor, Maxim, yalgunas otras ms

Que es un mosfet?

El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET. El trmino 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a que el material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. En sus inicios se utiliz aluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970 cuando el silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, debido a que es complicado incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente est conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo. Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino IGFET es un poco ms inclusivo, debido a que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metlica, y un aislante de compuerta que no es un xido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metalaislante-semiconductor

Funcionamiento Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.

Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p. Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad

En esta imagen podemos observar como el pic ya programado lo colacamos en el protoboard junto con el cristal y el lcd apenas vamos a conectar los cables respecto a los diagramas ya mencionados, de acuerdo con el programa compilado en el pic el pin numero B3 el un pulsador de voltaje.

En esta imagen visualizamos las conexiones el pic conectado al lcd y al cristal respecto a los diagramas. Bien en el pin B3 ya mencionado que es un pulsador de voltaje como nosotros lo programamos este va conectado al mosfet.

Esta imagen muestra el circuito prendido en este caso la imagen mostrada es solo motor, quisimos que en la pantalla, mostrara mis microsegundos que el voltaje prendi y apagaba debido a que es un tiempo muy corto no se poda visualizar este cambio en la pantalla.

En esta imagen podemos ver como de el pin B3 sale una conexin al puerto G de el mosfet, en el puerto D se conecta el voltaje a 24, y en la terminal S sale al positivo del motor.

En esta imagen las salida D del mosfet va a 24 volts y la S al positivo del motor de el negativo del motor va a tierra. Bien ya conectado el circuito donde muestra la imagen de motor, tenemos el voltaje pulsador en el mosfet que nos abre las compuerta D y S y esto aumenta y disminuye la velocidad de el motor en microsegundos en principio vemos que cuando aumentamos el voltaje puesteo en el mosfet el mosfet se calienta debido a que el motor se enciende y se apaga y exige demasiada corriente hasta que se estabiliza en voltaje el mosfet toma una temperatura estable esto es divido a que cuando un motor enciende necesita mas corriente, y cuando llega a su estado pleno es constante

Cuando el circuito de la pantalla de lcd esta encendido y el voltaje de el mosfet esta encendido el motor funciona pero cuando, el voltaje de el mosfet esta encendido y el voltaje de el circuito de el lcs esta apagado el motor se encuentra apagado esto es debido a que el mosfet no recibe corriente en la terminal G de el pin B3 y no abre las compuertas D y S. en este caso el mosfet se esta comportando como un apagador.

Conclusion: en esta practica pudimos aprender fcil con estos paso como hacer un pwm, el funcionamiento de un mosfet, la programacin extra de un pulsador de voltaje, y anlisis mas extensos en electrnica.

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