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Dispositivos de Electrnica de Potencia

Introduccin: Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley.

Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales.

El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin).

Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia. Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.

Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.

Aplicaciones : Traccin elctrica: troceadores y convertidores. Industria: o Control de motores asncronos. o Inversores. o Caldeo inductivo. o Rectificadores. o Etc.

A continuacin se describen los principales dispositivos de Electrnica de Potencia: Triac: El Triac puede ser considerado como la integracin de 2 SCRs en forma paralela invertida. El smbolo elctrico del TRIAC, as como sus caractersticas de Voltaje corriente, se muestran en la figura. Cuando la terminal T1 es positiva con respecto a la terminal T2, y el dispositivo es disparado por una corriente positiva en la terminal gate (+ig), ste se enciende. De igual forma, cuando la terminal T2 es positiva con respecto a la terminal T1 y el dispositivo es disparado por una corriente negativa en la terminal gate , el dispositivo tambin se enciende.

Es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 -T2 es igual a la del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin prcticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conduccin, si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por sobretensin.

El modo de operacin del Triac, se describe a continuacin: El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles. Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.

La corriente de puerta circula internamente hasta T1, en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella inicindose la conduccin. Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal. El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin. Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de

puerta polariza ms positivamente el rea de la unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin. Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin. Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible.

El Triac es usado frecuentemente en muchas aplicaciones de baja potencia como extractores de jugo, mezcladoras y aspiradora. Es econmico y fcil de controlar en comparacin de 2 SCRs conectados en forma antiparalela . Sin embargo, el Triac tiene una baja capacidad de dv/dt y un largo tiempo de apagado. No es recomendable su uso en niveles altos de voltaje y corriente.

Diac: Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor que presenta cierto tipo de conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las tensiones presentes en sus terminales son suficientemente altas se utiliza principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos. Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

GTO (Gate Turn-off Thyristor) Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal gate (como en el tiristor), pero en cambio puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en la terminal gate. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la terminal gate. El smbolo para el tiristor GTO usado ms frecuente, as como sus caractersticas de conmutacin se muestran en la figura. El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales gate y ctodo, la corriente en el gate (ig), crece. Cuando la corriente en el gate alcanza su mximo valor I GR, la corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1 s. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en el gate (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en el gate de 250 A para el apagado.

La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Como se muestra en la figura, existen 4 capas de silicn (pnpn), 3 uniones y tres terminales (nodo, ctodo y gate). La diferencia en la operacin, radica en que en que una seal negativa en el gate puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la

aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (I A leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control. Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc ac) a niveles de potencia en los que los MOSFETs, TBJs e IGBTs no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC DC, los GTOs, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ. La estructura del IGBT es similar al un MOSFET de canal n, una porcin de la estructura es la combinacin de regiones n+ , p y n- que forman el MOSFET entre el source S y el gate G con la regin de flujo n- que es el

drain D del MOSFET. Otra parte es la combinacin de 3 capas p+ n- p, que crea un transistor de unin bipolar entre el drain D y el source. La regin p acta como colector C, la regin n- acta como la base B y la regin p+ acta como el emisor E de un transistor pnp. Entre el drain y el source existen 4 capas p +n-pn+ que forman un tiristor. Este tiristor es parsito y su efecto es minimizado por el fabricante del IGBT.

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente I D es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain i D es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja. EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 s, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el

voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente i D se autolimita.

El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW. MCT (MOS- Controlled Thyristor) El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del MOSFET y el tiristor. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado. El smbolo de ste dispositivo se muestra en la figura. Est integrado por 2 MOSFETs, uno de ellos enciende al tiristor y el otro lo apaga.

Existen diversos tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un tiristor pnpn que determina las propiedades de conduccin (y de bloqueo). Tambin, todos los MCTs tienen integrados dos dispositivos MOS para controlar las propiedades de conmutacin. Entre el nodo A y el ctodo K existe una estructura pnpn que como ya se mencion forma la estructura del tiristor del MCT. La regin gate nodo est formada por ms de 10 5 celdas. Este largo nmero de celdas provee superficies cortas de largas secciones transversales para una rpida y uniforme conmutacin de corriente. Dentro de la regin nodo gate existen dos MOSFETs. Uno de ellos es un canal p, tipo pnp que es usado para el encendido y el otro es un canal n, de tipo npn que es usado para el apagado. Existen otras regiones p-pn+ que producen el encendido y el apagado del MCT.

La estructura descrita aqu es muy general y no muestra que solo el 4 por ciento de las celdas que posee el MOSFET sirven para el encendido.

En su operacin, si el ctodo K es positivo con respecto al nodo, no importando la polarizacin del gate, el MCT va a caer a un voltaje muy bajo, sta situacin debe ser evitada. Si el nodo A es positivo con respecto al ctodo K, y no existe un voltaje en le gate, el MCT permanece en estado de apagado hasta que un voltaje de ruptura es alcanzado cuando una avalancha de ruptura ocurre. En la prctica una pequea corriente de fuga IA leak existe en el estado de bloqueo hasta que la ruptura suceda y el dispositivo se encienda. Si el nodo es positivo con respecto al ctodo y un voltaje negativo es aplicado al gate, el MCT se enciende. La cada de voltaje VMCT (ON) es muy pequea y vara desde 0. 7 V sin carga hasta 1.1 V a plena carga. La corriente de nodo es limitada solo por el valor de la impedancia de la carga. Si el MCT est encendido, la aplicacin de un voltaje positivo en el gate, regresa al dispositivo al estado de apagado hasta que un voltaje negativo en el gate es aplicado.

Debido a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.5 s) y que posee un elevado di/dt (1000 A/s) y dv/dt ( 5000 V/s), stas caractersticas superiores lo convierten en un dispositivo de conmutacin ideal y posee un tremendo potencial para aplicaciones en motores de media y alta potencia, as como en distintas aplicaciones en la electrnica de potencia.